TWI773219B

TWI773219B - 印刷配線板用表面處理銅箔、及使用其的印刷配線板用覆銅層壓板及印刷配線板

Info

Publication number: TWI773219B
Application number: TW110111092A
Authority: TW
Inventors: 齋藤貴廣; 中津川達也
Original assignee: 日商古河電氣工業股份有限公司
Priority date: 2020-03-27
Filing date: 2021-03-26
Publication date: 2022-08-01
Also published as: JPWO2021193863A1; TW202137841A; WO2021193863A1; CN115279951A; KR20220159380A; JP7019876B1

Abstract

本發明的印刷配線板用表面處理銅箔是在銅箔基底的至少一側的面上具有含有藉由形成有粗化粒子而成的粗化處理層的表面處理皮膜的印刷配線板用表面處理銅箔，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)為未滿0.8%，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)為0.4%以上，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))為0.1以上且1.5以下。

Description

印刷配線板用表面處理銅箔、及使用其的印刷配線板用覆銅層壓板及印刷配線板

本發明是關於使用於高頻帶(特別是1~10GHz的高頻帶)的印刷配線板用表面處理銅箔。又，本發明是關於使用該印刷配線板用表面處理銅箔的印刷配線板用覆銅層壓板及印刷配線板。

近年來，高頻對應基板的多層化正在進展，依照內層與外層所需要的特性，而開始使用種類相異的銅箔。特別是，外層要求高密合性，故在稱為一般箔或通用箔的凹凸(粗糙度)很大的電解銅箔的M(mat)面之側上，使用形成有粗化處理層(形成有粗化粒子的層)的銅箔的情形很多。

然而，近年來，即使是外層，亦開始會流過1~10GHz的頻率的高頻信號。若採上述頻率，則電流流動的表皮深度變約0.7~2.0μm，電流只流動於導體的極表層。為此，在導體的表面凹凸大的情形下，導體的傳輸路徑(亦即表皮部分的傳輸路徑)變長，傳輸損耗增加。因此，在使用於高頻對應機器的覆銅層壓板中，為了傳輸損耗的增加，希望銅箔的表面凹凸變小。

所以，將在凹凸更小的電解銅箔的S(閃亮)面之側上，以粗化處理來形成而稱為RTF箔的銅箔使用於外層者開始變多。值得注意的是，M面與S 面任一面皆平滑而稱為兩面光澤箔的銅箔亦存在，但作為外層材會擁有過多傳輸特性，且成本高，此外，作為外層材所需要的密合性劣化，故甚少使用。

又，通常，使用於印刷配線板的銅箔除了傳輸特性之外，亦要求與樹脂基材的高黏著性。一般而言，在樹脂基材與銅箔表面之間提高黏著力的手法包括透過電性電鍍或蝕刻等，在其表面形成粗化處理層，獲得與樹脂基材的物理性黏著效果(定錨效應)的手法。但是，為了有效提高銅箔表面與樹脂基材之間的黏著性，而將形成在銅箔表面的粗化粒子的粒子尺寸變大的話，如上所述的傳輸損耗就會增加。

如此，在覆銅層壓板中，傳輸損耗的抑制與銅箔與樹脂基材之間的密合性(黏著性)的提升(亦即耐久性的提升)互相為取捨關係。為此，過去以來，針對使用於覆銅層壓板的銅箔，探討著傳輸損耗的抑制及與樹脂基材的密合性的兼顧。

附帶一提，高頻對應的印刷配線板最近亦開始向要求更高信賴性的領域展開。例如，車載用印刷配線基板等的移動體通訊機器用印刷配線基板要求即使在高溫環境等的嚴酷環境下亦可耐受的高度信賴性。為了因應這種高度信賴性的要求，有必要更提高銅箔與樹脂基材的密合性。例如，需要即使在重複20次最高溫度260℃的回流焊接試驗如此嚴酷試驗下亦足以承受的密合性。為此，上述這種習知手法已無法滿足近年追求的嚴酷高溫環境下的密合性(耐熱密合性)。

又，為了提高使用於印刷配線板的銅箔與樹脂基材的黏著力，除了上述粗化處理層的形成之外，可使用將銅箔表面以矽烷偶合劑來處理而針對樹脂基材獲得化學黏著性的手法。但是，為了在矽烷偶合劑與樹脂基材之間提高化學黏著性，樹脂基材必須具有一定程度極性大的取代基。但是，為了抑制介電損耗，在使用極性大的取代基的數量減少的低誘電性基材來作為樹脂基材的情形下，即使以矽烷偶合劑來處理銅箔表面，亦難以獲得化學黏著性，難以保證銅箔與樹脂基材的充分黏著性。

所以，開始探討兼顧銅箔與樹脂基材之間的高密合性及傳導損耗的抑制的印刷配線板用表面處理銅箔(例如，參見日本專利第6294862號公報(專利文獻1))。在專利文獻1所記載的印刷配線板用表面處理銅箔中，透過將微細的凹凸形成於表面來增加表面的比表面積，兼顧傳輸損耗的抑制及銅箔與樹脂基材之間的常態密合性及耐熱密合性。

然而，在專利文獻1所記載的印刷配線板用表面處理銅箔中，粗化粒子過度微細，特別是在使用於高頻對應基板的外層的情形下，銅箔與樹脂基材之間的常態密合性及耐熱密合性尚不充分。又，若使用專利文獻1所記載的印刷配線板用表面處理銅箔的技術，為了改善銅箔與樹脂基材之間的常態密合性及耐熱密合性，在單純使粗化粒子粗大化的情形下，恐怕引起掉粉。

本發明的目的是提供兼備在高頻帶有優異傳輸特性(以下可能簡稱「高頻特性」。)、與樹脂基材有優異常態密合性及耐熱密合性、耐掉粉性的印刷配線板用表面處理銅箔、及使用其的印刷配線板用覆銅層壓板及印刷配線板。

本發明人等為了解決上述習知問題而認真探討的結果發現，雷射顯微鏡或非接觸型干涉顯微鏡當然無法定義，即使是SEM亦無法定義的複雜粗化形狀存在。進而，發現其形狀可以從指定角度測定的光澤度、及從指定的2個角度測定的光澤度之間的光澤度比來評價，若上述光澤度及上述光澤度比為指定數值範圍內，則可獲得兼備在高頻帶有優異傳輸特性、與樹脂基材有優異常態密合性及耐熱密合性、優異耐掉粉性的印刷配線板用表面處理銅箔，而完成本發明。

亦即，本發明的主要構成如下所述。

〔1〕一種印刷配線板用表面處理銅箔，是在銅箔基底的至少一側的面上具有含有藉由形成有粗化粒子而成的粗化處理層的表面處理皮膜的印刷配線板用表面處理銅箔，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)為未滿0.8%，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)為0.4%以上，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))為0.1以上且1.5以下。

〔2〕如上述〔1〕所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，其中，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的85度鏡面光澤度Gs(85°)為4%以上且未滿50%。

〔3〕如上述〔1〕或〔2〕所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，其中，具有前述銅箔基底的表面處理皮膜的面為光澤面。

〔4〕如上述〔1〕~〔3〕任一項所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，其中，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8781為準據而測定的TD的XYZ色彩空間的Y值為10%以上且45%以下。

〔5〕如上述〔1〕~〔4〕任一項所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，前述表面處理皮膜的表面的以JIS B 0601為準據而測定的十點平均粗糙度Rzjis值為0.8μm以上且4.5μm以下。

〔6〕一種印刷配線板用覆銅層壓板，如上述〔1〕~〔5〕任一項所記載的印刷配線板用表面處理銅箔的形成有前述表面處理皮膜的面與樹脂基材黏著而成。

〔7〕一種印刷配線板，其具備上述〔6〕所記載的印刷配線板用覆銅層壓板。

根據本發明，可提供兼備在高頻帶有優異傳輸特性、與樹脂基材有優異常態密合性及耐熱密合性、優異耐掉粉性的印刷配線板用表面處理銅箔、及使用其的印刷配線板用覆銅層壓板及印刷配線板。

1:陰極

2:不溶性陽極

3:硫酸銅電解液

4:M面

5:S面

6:電解銅箔

圖1是說明本發明的表面處理銅箔的粗化粒子的樣貌所用的圖。

圖2是說明習知表面處理銅箔的粗化粒子的樣貌所用的圖。

圖3是電解銅箔的製造裝置的示意圖。

圖4是本發明的表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的樣貌自加工剖面觀察的SEM影像的一例。

關於本發明的印刷配線板用表面處理銅箔的較佳實施形態，詳細說明如下。值得注意的是，在本說明書中的「AA~BB」的數值範圍的符號意指「AA以上且BB以下」。

本發明的印刷配線板用表面處理銅箔(以下可能簡稱「表面處理銅箔」。)是在銅箔基底的至少一側的面上具有含有藉由形成有粗化粒子而成的粗化處理層的表面處理皮膜的印刷配線板用表面處理銅箔，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)為未滿0.8%，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)為0.4%以上，前述表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))為0.1以上且1.5以下。值得注意的是，TD(Transverse Direction)為相對於製造銅箔基底時銅箔基底流動的方向(亦稱為MD(Machine Direction)、RD(Roll Direction)。)的正交方向。換言之，本發明的「鏡面光澤度」意指光自TD方向(正交於MD方向的方向)入射的情形的光澤度。

本發明的表面處理銅箔在銅箔基底的至少一側的面上具有含有粗化處理層的表面處理皮膜。粗化處理層是藉由形成粗化粒子而成。表面處理皮膜的表面為表面處理銅箔的最表面(正面及背面)之中至少一側的面，又，為擁有反映出在銅箔基底的至少一側的面上形成的粗化粒子的形成狀態及粒子形狀等的複雜的凹凸表面形狀的粗化面。

這種表面處理皮膜的表面(以下稱「粗化面」。)例如亦可為在銅箔基底上形成的粗化處理層的表面、在此粗化處理層上直接形成的矽烷偶合劑層的表面，或者亦可為在此粗化處理層上藉由含有Ni的下地層、含有Zn的耐熱處理層及含有Cr的防鏽處理層等的中間層而形成的矽烷偶合劑層的表面。又，在本發明的表面處理銅箔使用於印刷配線板的導體電路的情形下，上述粗化面採將樹脂基材黏貼層壓所用的表面(黏貼面)。

在此，本發明的表面處理銅箔的粗化面的剖面示意圖的一例顯示於圖1。習知表面處理銅箔的粗化面的剖面示意圖的一例顯示於圖2。如圖1所示，在本發明的表面處理銅箔的粗化面上，形成有具有存在複雜凹凸的表面的呈樹枝狀的析出的粗化粒子。另一方面，如圖2所示，在習知表面處理銅箔的粗化粒子的表面上，沒有本發明的表面處理銅箔的粗化粒子的表面的這種複雜凹凸。

本發明的表面處理銅箔的這種特殊粗化面的粗化粒子的形狀評價，透過習知粗化面的觀察手法，例如雷射顯微鏡或白色干涉顯微鏡等，自粗化面的垂直方向的觀察，並無法正確表示具有存在複雜凹凸的表面的粗化粒子的特性。又，即使在諸如SEM的剖面觀察的直接的2次元的形狀觀察中，亦難以正確定義具有存在複雜凹凸的表面的粗化粒子的3次元的特性。為此，在習知手法中，就技術面而言，粗化面的嚴謹評價有其界限。所以，在本發明中，粗化面的評價方法的一項手法是在粗化面上，根據以JIS Z 8741：1997為準據而測定的鏡面光澤度來界定、評價粗化面的特徵。具體而言是透過下列手法來進行。

通常，鏡面光澤度的測定一般是以單一受光角來測定評價。然而，本發明的表面處理銅箔的粗化面因粗化粒子的形成而變複雜形狀，故難以單一受光角難來充分評價其表面形狀的特性。為此，在本發明的表面處理銅箔的粗化面中，透過使用下述各受光角來測定鏡面光澤度，即可評價粗化面的表面形狀。

值得注意的是，理所當然，如上所述，粗化面的鏡面光澤度的測定不是平滑表面的測定，故下述各受光角的測定值不是單純的比例關係。

表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)為未滿0.8%。可認為若Gs(20°)為0.8%以上，則粗化粒子變太微細，有降低表面處理銅箔與樹脂基材的耐熱密合性的趨勢。此外，從一併提升表面處理銅箔與樹脂基材的常態密合性的觀點來看，Gs(20°)較佳為未滿0.7%，更佳為0.6%以下。又，Gs(20°)較佳為0.1%以上。若Gs(20°)為0.1%以上，則特別是可提升高頻特性。從這種觀點來看，Gs(20°)更佳為0.2%以上，再佳為0.3%以上。

表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)為0.4%以上。可認為若Gs(60°)為未滿0.4%，則作為本發明的用途，粗化粒子太大，會降低高頻特性。從這種觀點來看，Gs(60°)較佳為0.5%以上。又，Gs(60°)較佳為10.0%以下。若Gs(60°)為10.0%以下，則特別是可提升耐熱密合性。從這種觀點來看，Gs(60°)更佳為6.0%以下，再佳為1.8%以下，又再佳為0.9%以下。

表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45 °)/Gs(75°))為0.1以上且1.5以下。可認為鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))的大小表示的是面向相對於與銅箔基底垂直的方向為大角度方向傾斜延伸的樹枝狀的析出趨勢。可認為在相對於與表面處理皮膜的表面垂直的方向為大角度方向上延伸的樹枝狀的析出可賦予樹脂基材與表面處理銅箔黏著之際的物理密合效果(定錨效應)。可認為鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))大於1.5的意義在於，會過多形成來自粗化粒子的根部的樹枝狀的析出，由於粗化粒子的根部部分的強度變不充分，表面處理銅箔變容易發生掉粉，有降低耐掉粉性的趨勢。從這種觀點來看，鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))較佳為1.3以下，更佳為1.2以下，再佳為1.0以下。另一方面，將鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為未滿0.1有製造上困難。又，可認為鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))的意義在於，若值愈大，則特別是強烈影響到定錨效應的在相對於與銅箔基底垂直的方向為大角度方向上延伸的樹枝狀的析出比率愈多，有提升表面處理銅箔與樹脂基材的耐熱密合性的趨勢。從這種觀點來看，鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))較佳為0.5以上，更佳為0.7以上，再佳為0.8以上。更具體地，鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))從提升耐掉粉性及表面處理銅箔與樹脂基材的耐熱密合性的觀點來看，較佳為0.5以上且1.5以下，更佳為0.7以上且1.3以下，再佳為0.7以上且1.2以下，又再佳為0.7以上且1.0以下，又再佳為0.8以上且1.0以下。

值得注意的是，Gs(45°)及Gs(75°)滿足鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))的上述範圍即可，但各自的值例如可設定為以下範圍。Gs(45°)較佳為5.0以下，更佳為0.5以上且3.0以下。又，Gs(75°)較佳為20.0以下，更佳為0.5以上10.0以下。

透過將Gs(20°)及Gs(60°)設定於上述範圍內，且鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定於上述範圍內，即使不將粗化粒子變大，亦可透過物理性密合效果(定錨效應)，不只獲得優異常態密合性，亦獲得來自矽烷偶合劑的化學密合性所無法期待的優異耐熱密合性，同時，可使表面處理銅箔的在高頻帶的傳輸特性(高頻特性)變良好。又，亦可有效抑制掉粉。

從而，表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的85度鏡面光澤度Gs(85°)較佳為4%以上且未滿50%。可認為Gs(85°)反映出面向相對於與銅箔基底垂直的方向為大角度方向傾斜延伸、且影響到定錨效應的樹枝狀的析出的狀態。可認為若Gs(85°)為未滿50%，則特別是強烈影響到定錨效應的樹枝狀的析出變充分多，而提升表面處理銅箔與樹脂基材的耐熱密合性。可認為若Gs(85°)為4%以上，則自粗化粒子的根部的樹枝狀的析出不會過多，而在表面處理銅箔上難以發生掉粉，而提升耐掉粉性。從這種觀點來看，Gs(85°)更佳為6%以上且未滿40%，再佳為6%以上且未滿20%，又再佳為8%以上且18%以下，又再佳為9.5%以上且17%以下。

本發明的表面處理銅箔的具有銅箔基底的表面處理皮膜的面較佳為光澤面。透過在光澤面的這種平滑面上施以粗化處理，可容易以低成本來形成希望的形狀的粗化粒子。值得注意的是，光澤面是指電解銅箔的鼓狀陰極側的面、電解銅箔的S面。銅箔基底較佳為電解銅箔，在電解銅箔的光澤面上較佳形成有表面處理皮膜。

參見圖3，說明電解銅箔的製造方法。圖3為電解銅箔的製造裝置的示意圖。電極是由鼓狀的鈦或不銹鋼所製成的陰極1、及呈同心圓狀而對向的覆蓋貴金屬酸化物的電極或鉛電極等的不溶性陽極2所構成。在此兩電極間，硫酸銅電解液3自裝置下部流過，透過施加電流，在鼓狀陰極表面上鍍銅析出。鼓狀陰極1是以指定速度來旋轉，而將析出的鍍銅連續自鼓狀陰極表面剝離並捲起作為電解銅箔6。電解銅箔的鼓狀陰極面側稱為光澤面，亦稱為S(閃亮)面5。這是因為，鼓狀陰極面為平滑且擁有光澤的表面，而在該表面上析出並剝離的電解銅箔表面同樣為平滑且擁有光澤的表面。S面的相反面稱為M(mat)面4。值得注意的是，本發明的使用於表面處理銅箔的電解銅箔的厚度較佳為6~210μm。

本發明的表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8781為準據而測定的TD的XYZ色彩空間(CIE1931標準色彩空間)的Y值較佳為10%以上且45%以下。可認為若Y值為10%以上，則粗化粒子變充分小，更難以發生掉粉，同時，高頻帶的傳輸損耗亦更改善。可認為若Y值為45%以下，則面向相對於與銅箔基底垂直的方向為大角度方向傾斜延伸、且影響到定錨效應的樹枝狀的析出變充分多，而更提升表面處理銅箔與樹脂基材的常態密合性及耐熱密合性。從這種觀點來看，Y值更佳為12%以上且40%以下，再佳為18%以上且28%以下，又再佳為19%以上且26%以下。

本發明的表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8781為準據而測定的TD的XYZ色彩空間(CIE1931標準色彩空間)的X值的混色比(X值)較佳為0.38~0.50。可認為若X值的混色比(X值)為0.38以上，則面向相對於與銅箔基底垂直的方向為大角度方向傾斜延伸、且影響到定錨效應的樹枝狀的析出變充分多，而更提升表面處理銅箔與樹脂基材的耐熱密合性。可認為若X值得混色比(X值)為0.50以下，則來自粗化粒子的根部的樹枝狀的析出為適度，更難以發生掉粉，同時，高頻帶的傳輸損耗亦更可改善。從這種觀點來看，X值的混色比(X值)更佳為0.40~0.48，又更佳為0.41~0.47。

本發明的表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8781為準據而測定的TD的XYZ色彩空間(CIE1931標準色彩空間)的Y值的混色比(Y值)較佳為0.32~0.36。可認為若Y值的混色比(Y值)為0.32以上，則來自粗化粒子的根部的樹枝狀的析出為適度，更難以發生掉粉，同時，高頻帶的傳輸損耗亦更可改善。可認為若Y值的混色比(Y值)為0.36以下，則面向相對於與銅箔基底垂直的方向為大角度方向傾斜延伸、且影響到定錨效應的樹枝狀的析出變充分多，而更提升表面處理銅箔與樹脂基材的耐熱密合性。從這種觀點來看，Y值的混色比(Y值)更佳為0.33~0.35，再佳為0.34~0.35。

本發明的表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的以JIS B 0601為準據而測定的十點平均粗糙度Rzjis值較佳為0.8μm以上且4.5μm以下。若十點平均粗糙度Rzjis值為0.8μm以上，則表面處理銅箔的生產性可提升。若十點平均粗糙度Rzjis值為4.5μm以下，則可抑制比起粗化粒子更微小的表面的過度凹凸，故耐掉粉性可提升，同時，高頻特性亦可提升。從這種觀點來看，十點平均粗糙度Rzjis值更佳為1.0μm以上且4.3μm以下，再佳為1.5μm以上且4.0μm以下，又再佳為1.8μm以上且3.8μm以下，又再佳為2.0μm以上且3.5μm以下。

根據本發明的表面處理銅箔，可抑制掉粉，而優化使用者操作性。又，透過將該表面處理銅箔使用於印刷配線板的特別是外層的導體電路，可獲得可兼顧高密合性及傳輸1~10GHz的高頻信號之際的低傳輸損耗、且即使在高溫(260℃×20分)下亦可保持銅箔與樹脂基材(樹脂層)的密合性的優異印刷配線板。

<表面處理銅箔的製造方法>

其次，關於本發明的表面處理銅箔的較佳製造方法，說明其一例。在本發明中，在銅箔基底的表面上，較佳進行形成粗化粒子的粗化處理。

(銅箔基底)

銅箔基底較佳是使用擁有不存在粗大的凹凸、平滑、有光澤的表面的電解銅箔或壓延銅箔。首先，就生產性或成本的觀點，較佳使用電解銅箔的S(閃亮)面，其S面較佳施以下述粗化處理。為了獲得適合於形成粗化粒子的S面形狀，較佳將使用於電解銅箔製造的鼓狀陰極表面以1500號~2500號的拋光來研磨。

(粗化處理)

透過粗化處理來形成粗化處理層。粗化處理是進行如下所示的粗化電鍍處理(1)及固定電鍍處理(2)。

‧粗化電鍍處理(1)

粗化電鍍處理(1)為在銅箔基底的至少一側的面上形成粗化粒子的處理。具體而言是以硫酸銅浴來進行電鍍處理。在硫酸銅浴(粗化電鍍液基本浴)可添加目的是防止粗化粒子的脫落(亦即「掉粉」)的鉬(Mo)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硒(Se)、碲(Te)、鎢(W)等的過去已知的添加劑，特別是較佳添加鉬(Mo)。本發明人進行認真研究的結果發現，下述要因影響到表面處理銅箔的表面性狀，且發現透過精確地設定其等條件，可高水準地滿足作為本發明的效果的高頻特性、密合性(常態密合性及耐熱密合性)及耐掉粉性的要求特性。

粗化電鍍處理(1)的硫酸銅浴的銅濃度較佳設定為10~30g/L。若硫酸銅浴的銅濃度為10~30g/L，則可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

關於添加於硫酸銅浴的添加劑，以例如鉬(Mo)來舉例說明。鉬(Mo)濃度較佳設定為50~300mg/L。若鉬(Mo)濃度為50~300mg/L，則可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

其次，說明粗化電鍍處理(1)的電解條件等。

在本發明中，電鍍處理的方式，例如就大量生產及生產成本的觀點，較佳是以卷對卷方式的電鍍處理。

卷對卷方式的處理速度與形成的粗化處理層的表面形狀有關係，而較佳設定為10~20m/分。若處理速度為10~20m/分，則可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。又，在與TD的85度鏡面光澤度Gs(85°)的關係中，例如，透過將處理速度設定為10~18m/分，可將TD的85度鏡面光澤度Gs(85°)設定為4%以上且未滿50%，此外，透過將處理速度設定為12~17m/分，可將Gs(85°)設定為6%以上且未滿40%。

電鍍處理的條件可依照處理方式來適當調節，但特別是就抑制銅離子的擴散的觀點，較佳設定為難以引起電鍍液的攪拌的條件。為此，在卷對卷方式中，較佳使處理方向(處理速度的方向)與電極間的電鍍液的流向(電極間流速的方向)一致。又，在卷對卷方式以外的方式中，理想是在靜止浴的狀態下處理，較佳不進行在電鍍處理中的攪拌。

附帶一提，卷對卷方式及其他方式的任一種情形在電鍍處理中皆有產生氣體的趨勢，伴隨著產生的氣體的上浮，有引發攪拌的可能性。

例如，在批次式之類的卷對卷方式以外的電鍍處理的情形下，本發明的處理在最長約數秒如此非常短時間內結束，故不必特別考慮這種來自氣體產生的攪拌。

但是，在卷對卷方式的情形下，採連續處理，故在處理槽中，氣體連續產生，連續產生的氣體不斷上浮，故在上浮方向上引發電鍍液的流動。又，在卷對卷方式的情形下，銅箔基底連續供應於電鍍液中，故在銅箔基底的搬運方向引發電鍍液的流動。在此二個流動一致的情形下，幾乎不必考慮上述氣體產生。但是，在此二個流動為彼此逆向的情形下，在處理表面上引發不想要的攪拌力，恐怕促進銅離子的擴散。為此，在透過卷對卷方式來進行電鍍處理的情形下，較佳選擇進行電鍍處理的反應槽，使氣體的上浮方向與銅箔基底的搬運方向(電鍍處理的處理方向)一致。

在粗化電鍍處理(1)中進行卷對卷方式的電鍍處理的情形下，處理速度與沿著處理方向流動的電鍍液的電極間流速(以下稱為「處理方向電極間流速」)的差值的絕對值較佳為未滿1m/分。若處理速度與處理方向電極間流速的差值的絕對值為未滿1m/分，則可容易將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於TD的75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

在粗化電鍍處理(1)中，較佳以自高電流密度向低電流密度階段性降低的方式來進行電鍍處理。特別是，較佳以將電流密度自高電流密度向中電流密度、低電流密度3階段降低的方式來進行電鍍處理。上述高電流密度較佳為50~80A/dm²，上述中電流密度較佳為45~65A/dm²，上述低電流密度較佳為20~50A/dm²。又，在上述電鍍處理之前，較佳以4~10A/dm²的電流密度來進行未滿3秒的預備電鍍。透過以預備電鍍來預先覆蓋表面，可容易獲得希望的粗化粒子形狀。透過以這些電流密度來進行電鍍處理，在粗化粒子的根部就沒有樹枝狀的析出過多成長而引起掉粉等這種情況，或樹枝狀的析出不足而特別是劣化耐熱密合性這種情況，而是粗化粒子自根部至頂點為止樹枝狀的析出可均衡成長。亦即，透過上述這樣以將電流密度階段性降低的方式來進行粗化電鍍處理，可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於TD的75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

電流密度(A/dm²)與處理時間(秒)的乘積較佳在高電流密度處理(=S₁)中設定為20~200{(A/dm²)‧秒}，在中電流密度處理(=S₂)中設定為20~200{(A/dm²)‧秒}，在低電流密度處理(=S₃)中設定為20~200{(A/dm²)‧秒}，此外，在3階段全部處理中合計(=S_T)為170~270{(A/dm²)‧秒}。若將上述乘積設定於指定範圍內，則可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

‧固定電鍍處理(2)

固定電鍍處理(2)是在由上述粗化電鍍處理(1)來作表面處理過的銅箔基底上進行覆蓋電鍍的處理。藉此，可維持粗化電鍍處理(1)所形成的粗化粒子的形狀。

本發明的固定電鍍處理使用與粗化電鍍處理相同組成的硫酸銅浴，以相等浴溫來電鍍處理。硫酸銅浴的組成及浴溫將在下文中詳細說明。

通常，在粗化電鍍處理與固定電鍍處理中使用相異的組成的電鍍液。在固定電鍍處理中，不是使用粗化電鍍處理的那種過燒電鍍，而是為了進行順利的電鍍而使用比起粗化電鍍處理銅濃度更高且浴溫更高的電鍍液。

另一方面，在本發明中，在固定電鍍處理中，亦使用與粗化電鍍處理相同的硫酸銅浴，以相等浴溫來進行電鍍處理。藉此，雖然作充分粗化粒子的固定以防止掉粉，但粗化粒子的表面形狀並未過度平滑化，故成為擁有複雜的凹凸表面形狀的粗化面。亦即，透過使用與粗化電鍍處理相同組成的硫酸銅浴，以相等浴溫來進行固定電鍍處理，可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

說明固定電鍍處理(2)的電解條件等。

電鍍處理的方式，例如就大量生產及生產成本的觀點，較佳是以卷對卷方式的電鍍處理。在固定電鍍處理以卷對卷方式來進行的情形下，處理速度與電極間流速的差值的絕對值較佳設定為6~15m/分。若處理速度與電極間流速的差值的絕對值為6~15m/分，則可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。值得注意的是，在固定電鍍處理中，處理速度的流動方向(處理方向)與電極間流速的流動方向亦可不一致，在彼此為逆向的情形下，一方流速相對於他方流速以負的流速來計算。

在固定電鍍處理(2)中，電流密度較佳為3~25A/dm²。透過以上述電流密度來進行電鍍處理，可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

又，固定電鍍處理(2)的電流密度與處理時間的乘積K相對於粗化電鍍處理(1)的電流密度與處理時間的乘積S_T的比率〔(K/S_T)×100〕(%)較佳設定為20~150%。若上述比率〔(K/S_T)×100〕為20~150%，則可將表面處理銅箔的表面處理皮膜的表面的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)設定為未滿0.8%未滿，TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)設定為0.4%以上，45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於TD的75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))設定為0.1以上且1.5以下。

粗化電鍍處理用電鍍液及固定電鍍處理用電鍍液的組成及電解條件的一例顯示如下。值得注意的是，下述條件為較佳一例，在不妨礙本發明的效果的範圍內，可依照需要適當變更、調整添加劑的種類或量、電解條件。

<粗化電鍍處理(1)的條件>

電鍍液的組成

硫酸銅五水和物‧‧‧由銅(原子)來換算，10~30g/L

硫酸‧‧‧100~250g/L

鉬酸鈉‧‧‧由鉬(原子)來換算，50~300mg/L

處理速度‧‧‧10~20m/分

處理方向電極間流速‧‧‧5~20.5m/分

預備電鍍電流密度‧‧‧4~10A/dm²

高電流密度‧‧‧50~80A/dm²

中電流密度‧‧‧45~65A/dm²

低電流密度‧‧‧20~50A/dm²

預備電鍍處理時間‧‧‧1.0~3.0秒

高電流密度處理時間‧‧‧1.2~3.0秒

中電流密度處理時間‧‧‧0.8~4.0秒

低電流密度處理時間‧‧‧0.5~2.0秒

浴溫‧‧‧20~30℃

<固定電鍍處理(2)的條件>

電鍍液的組成‧‧‧與粗化電鍍處理用電鍍液相同

硫酸銅五水和物‧‧‧由銅(原子)來換算，10~30g/L

硫酸‧‧‧100~250g/L

鉬酸鈉‧‧‧由鉬(原子)來換算，50~300mg/L

處理速度‧‧‧5~20m/分

處理方向電極間流速‧‧‧1~30m/分

電流密度‧‧‧3~25A/dm²

處理時間‧‧‧1~15秒

浴溫‧‧‧與粗化電鍍處理用電鍍液的浴溫相同，20~30℃

從而，本發明的表面處理銅箔亦可在該粗化處理層上直接，或藉由含有鎳(Ni)的下地層、含有鋅(Zn)的耐熱處理層及含有鉻(Cr)的防鏽處理層等的中間層，而更形成有矽烷偶合劑層。值得注意的是，上述中間層及矽烷偶合劑層的厚度非常薄，故影響不到表面處理銅箔的粗化面的粗化粒子的粒子形狀。表面處理銅箔的粗化面的粗化粒子的粒子形狀實質上是由對應於該粗化面的粗化處理層的表面的粗化粒子的粒子形狀所決定。

又，矽烷偶合劑層的形成方法例如包括在表面處理銅箔的前述粗化處理層的凹凸表面上直接，或通過中間層，而塗布矽烷偶合劑溶液後，風乾(自然乾燥)或加熱乾燥而形成的方法。塗布的偶合劑溶液，若溶液中的水蒸發，即可形成矽烷偶合劑層，因而可充分發揮本發明的效果。若以50~180℃來加熱乾燥，則可促進矽烷偶合劑與銅箔的反應，就此觀點為合適。

矽烷偶合劑層較佳含有環氧矽烷、氨基矽烷、乙烯基矽烷、甲基丙烯酸矽烷、苯乙烯基矽烷、脲基矽烷、巰基矽烷、硫化物矽烷、異氰酸酯矽烷的任一種以上。

其他實施形態是在粗化處理層與矽烷偶合劑層之間，較佳具有選擇自含有Ni的下地層、含有Zn的耐熱處理層及含有Cr的防鏽處理層之中的至少1層中間層。

例如在銅箔基底或粗化處理層中的銅(Cu)擴散於樹脂基材側，銅害發生而降低密合性的情形下，較佳在粗化處理層與矽烷偶合劑層之間形成含有Ni的下地層。含有Ni的下地層較佳是由選自鎳(Ni)、鎳(Ni)-磷(P)、鎳(Ni)-鋅(Zn)之中的至少1種來形成。

在有必要更提升耐熱性的情形下，較佳形成含有Zn的耐熱處理層。含有Zn的耐熱處理層較佳由例如鋅或含有鋅的合金，亦即，選自鋅(Zn)-錫(Sn)、鋅(Zn)-鎳(Ni)、鋅(Zn)-鈷(Co)、鋅(Zn)-銅(Cu)、鋅(Zn)-鉻(Cr)及鋅(Zn)-釩(V)之中的至少1種含有鋅的合金來形成。

在有必要更提升耐蝕性的情形下，較佳形成含有Cr的防鏽處理層。防鏽處理層例如可包括鉻電鍍所形成的鉻層、鉻酸鹽處理所形成的鉻酸鹽層。

在上述下地層、耐熱處理層及防鏽處理層這三層全部形成的情形下，在粗化處理層上，較佳按照此順序來形成，又，依照設定為用途或目的的的特性，亦可只形成一層或二層。

〔表面處理銅箔的製作〕

本發明的表面處理銅箔的製作方法總結如下。

在本發明中，較佳是依循下列形成步驟(S1)~(S5)來製作表面處理銅箔。

(S1)粗化處理層的形成步驟

在銅箔基底上，透過電沉積，形成擁有微細的凹凸表面的由粗化粒子所製成的粗化處理層。

(S2)下地層的形成步驟

在粗化處理層上，視需要而形成含有Ni的下地層。

(S3)耐熱處理層的形成步驟

在粗化處理層上或在下地層上，視需要而形成含有Zn的耐熱處理層。

(S4)防鏽處理層的形成步驟

在粗化處理層上、或在視需要而在粗化處理層上形成的下地層及/或耐熱處理層上，視需要而形成含有Cr的防鏽處理層。

(S5)矽烷偶合劑層的形成步驟

在粗化處理層上直接形成矽烷偶合劑層，或者，藉由形成下地層、耐熱處理層及防鏽處理層的至少1層的中間層來形成矽烷偶合劑層。

又，本發明的表面處理銅箔適合使用於印刷配線板用覆銅層壓板的製造。這種覆銅層壓板適合使用於高密合性及在高頻帶的傳輸特性有優異印刷配線板的製造，發揮優異效果。本發明的表面處理銅箔適合於作為在高頻帶(特別是1~10GHz的高頻帶)使用的高頻帶用印刷配線板來使用的情形。

又，印刷配線板用覆銅層壓板可使用本發明的表面處理銅箔，透過公知方法來形成。例如，可將表面處理銅箔與樹脂基材(絕緣基板)，使表面處理銅箔的粗化面(黏貼面)與樹脂基材面對面，透過層壓黏貼來製造印刷配線板用覆銅層壓板。這種印刷配線板用覆銅層壓板是由上述表面處理銅箔的形成有表面處理皮膜的面(粗化面)與樹脂基材黏著而成。值得注意的是，絕緣基板例如包括可撓性樹脂基板或剛性樹脂基板等，但本發明的表面處理銅箔特別合適於組合至外層要求有在高頻帶的傳輸特性及高密合性的剛性樹脂基板。

又，在製造印刷配線板用覆銅層壓板的情形下，可將具有矽烷偶合劑層的表面處理銅箔及絕緣基板透過以加熱加壓來貼合而製造。值得注意的是，在絕緣基板上塗布矽烷偶合劑，透過將塗布有矽烷偶合劑的絕緣基板及在最表面具有防鏽處理層的表面處理銅箔以加熱加壓來貼合而製作的印刷配線板用覆銅層壓板亦與本發明具有相等效果。

又，印刷配線板可使用上述印刷配線板用覆銅層壓板，透過公知方法來形成。這種印刷配線板具備上述印刷配線板用覆銅層壓板。

關於本發明的實施形態，說明如上，但上述實施形態只是本發明的一例。本發明包含本發明的概念及申請專利範圍所涵蓋的任何態樣，在本發明的範圍內可作各種改變。

[實施例]

基於實施例更詳細說明本發明如下，但如下是本發明的一例。

(製造例：銅箔基底的準備)

使用下述陰極及陽極來作為施以粗化處理所用的基材的銅箔基底，使用下述組成的硫酸銅電解液，以下述電解條件來製作厚度為18μm、卷狀的電解銅箔。

<陰極及陽極>

陰極：透過#2000的拋光研磨來調整的鈦製的旋轉鼓

陽極：尺寸穩定性陽極DSA(註冊商標)

<硫酸銅電解液組成>

硫酸銅五水和物：由Cu來換算，80g/L

H₂SO₄：70g/L

氯濃度：30mg/L

(添加劑)

羥乙基纖維素：5mg/L

<電解條件>

浴溫：58℃

電流密度：50A/dm²

(實施例1)

在實施例1中，進行下列步驟〔1〕~〔3〕，獲得表面處理銅箔。

〔1〕粗化處理層的形成

透過電性電鍍處理，在上述銅箔的S面上形成粗化電鍍處理面。此粗化電鍍處理面使用下述粗化電鍍液、固定電鍍液共通基本浴組成，電極間流速、電流密度、處理時間如下表1及表2記載來形成。鉬濃度是透過將鉬酸鈉二水和物溶解於純水的水溶液加入基本浴來調整。

<粗化電鍍液、固定電鍍液共通基本浴組成、浴溫>

硫酸銅五水和物：由Cu來換算，25g/L

H₂SO₄：160g/L

鉬酸鈉二水和物：由Mo來換算，150mg/L

浴溫：26℃

[表1]

〔2〕金屬處理層的形成

接著，在上述〔1〕所形成的粗化處理層的表面上，以下述條件，按照Ni、Zn、Cr的順序來施以金屬電鍍，形成金屬處理層(中間層)。

<Ni電鍍條件>

Ni：40g/L

H₃BO₃：5g/L

浴溫：20℃

pH：3.6

電流密度：0.2A/dm²

處理時間：10秒

<Zn電鍍條件>

Zn：2.5g/L

NaOH：40g/L

浴溫：20℃

電流密度：0.3A/dm²

處理時間：5秒

<Cr電鍍條件>

Cr：5g/L

浴溫：30℃

pH：2.2

電流密度：5A/dm²

處理時間：5秒

〔3〕矽烷偶合劑層的形成

最後，由上述〔2〕所形成的金屬處理層(特別是最表面的Cr電鍍層)之上，塗布濃度0.2質量%的3-(2,3-環氧丙氧)丙基三甲氧基矽烷水溶液，以100℃來使其乾燥，形成矽烷偶合劑層。

(實施例2~12及比較例1~5)

實施例2~12及比較例1~5在粗化處理層的形成步驟〔1〕中，除了如上表1及表2記載以外，由與實施例1同樣的方法來獲得表面處理銅箔。

〔評價〕

針對上述實施例及比較例的相關表面處理銅箔，進行特性評價如下述所示。

各特性的評價條件如下所述，若無特別排除，則各測定是以常溫(20℃±5℃)來進行者。結果顯示於表3。

〔鏡面光澤度〕

針對表面處理銅箔的粗化面，使用光澤度計(日本電色工業株式會社製，VG7000)，基於JIS Z 8741：1997，分別測定TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)、TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)、TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)、TD的75度鏡面光澤度Gs(75°)及TD的85度鏡面光澤度Gs(85°)。值得注意的是，測定是對於每個受光角，在相對於表面處理銅箔的長度方向(搬運方向、MD方向)的正交方向(TD方向)上實施3次，將所有測定值(N=3)平均作為各受光角所對應的鏡面光澤度。

〔XYZ色彩空間的Y值、X值及Y值〕

針對表面處理銅箔的粗化面，使用明度計(SUGA試驗機株式會社製，機種名：SM彩色電腦，型號：SM-T45)，基於JIS Z 8781，測定CIE所界定的XYZ色彩空間的X值、Y值及Z值。進而，使用這些值，算出反射率Y值及混色比x值及y值。

〔十點平均粗糙度〕

在表面處理銅箔的粗化面上，使用接觸式表面粗糙度測定機(株式會社小坂研究所製，「Surfcoder SE1700」)，在相對於表面處理銅箔的長度方向(搬運方向、MD方向)的正交方向(TD方向)上測定JIS B 0601：2001所定義的十點平均粗糙度Rzjis(μm)，亦即，測定TD的十點平均粗糙度Rzjis(μm)。

〔高頻特性的評價〕

高頻特性的評價為測定在高頻帶的傳輸損耗。詳細說明如下。

在表面壓力3.5MPa、200℃的條件下，透過按壓2小時來將表面處理銅箔的粗化面貼合於Panasonic株式會社製的聚苯醚類低介電率樹脂基材的MEGTRON6(厚度80μm)重疊2張的兩面，而製作兩面覆銅層壓板。在獲得的覆銅層壓板上進行電路加工，製作形成傳輸路寬度300μm、長度70mm的微帶線的電路基板。在此電路基板的傳輸路上，使用網路分析儀(是德科技公司製，「N5247A」)來傳輸高頻信號，測定傳輸損耗。特性阻抗為50Ω。

傳輸損耗的測定值的意義是，絕對值愈小則傳輸損耗愈少，高頻特性愈良好。將獲得的測定值作為指標，基於下述評價基準來評價高頻特性。

a：10GHz的傳輸損耗的絕對值為未滿1.8dB

b：10GHz的傳輸損耗的絕對值為1.8~2.0dB

c：10GHz的傳輸損耗的絕對值為2.0dB以上

〔常態密合性的評價〕

基於JIS C 6481：1996來進行剝離試驗，作為常態密合性的評價。詳細說明如下。

以與上述〔高頻特性的評價〕所記載的方法同樣的方法來製作覆銅層壓板，將獲得的覆銅層壓板的銅箔部分(表面處理銅箔)以10mm寬的膠帶來遮蔽。對於此覆銅層壓板進行氯化銅蝕刻後，除去膠帶，製作10mm寬的電路配線板。使用株式會社東洋精機製作所製的拉伸試驗機，測定將此電路配線板的10mm寬的電路配線部分(銅箔部分)在90度方向上以50mm/分的速度而自樹脂基材剝離之際的剝離強度。將獲得的測定值作為指標，基於下述評價基準來評價密合性。

<常態密合性的評價基準>

a：剝離強度為0.61kN/m以上

b：剝離強度為0.52kN/m以上且未滿0.61kN/m

c：剝離強度為未滿0.52kN/m

〔耐熱密合性的評價〕

基於JIS C 6481：1996，進行加熱處理後的剝離試驗，作為耐熱密合性的評價。詳細說明如下。

以與上述〔高頻特性的評價〕所記載的方法同樣的方法來製作覆銅層壓板，將獲得的覆銅層壓板的銅箔部分以10mm寬的膠帶來遮蔽。對於此覆銅層壓板進行氯化銅蝕刻後，除去膠帶，製作10mm寬的電路配線板。將此電路配線板於260℃的加熱爐中加熱20分鐘後，自然冷卻至常溫。其後，使用株式會社東洋精機製作所製的拉伸試驗機，測定將此電路配線板的10mm寬的電路配線部分(銅箔部分)在90度方向上以50mm/分的速度而自樹脂基材剝離之際的剝離強度。將獲得的測定值作為指標，基於下述評價基準來評價耐熱密合性。

<耐熱密合性的評價基準>

a：剝離強度為0.52kN/m以上

b：剝離強度為0.43kN/m以上且未滿0.52kN/m

c：剝離強度為未滿0.43kN/m

〔耐掉粉性的評價〕

在表面處理銅箔的粗化面上，將ADVANTEC東洋株式會社製定性濾紙No.2(φ 55mm)(相當於JIS P 3801的2種)的背面側放置在粗化面側，更將接地面為φ 20mm的250g的砝碼放置在其中心上。直接在其狀態下，以鑷子來夾住濾紙端部，在表面處理銅箔的寬度方向(TD方向)上以約30mm/秒的速度來拉動150mm後，目視觀察附著於濾紙的銅粉，基於下述評價基準來評價耐掉粉性。

<耐掉粉性的評價基準>

a：未確認有銅粉附著於濾紙。

b：確認有銅粉附著於濾紙，但銅粉的附著面積為未滿1成砝碼的接地面(φ 20mm)。

c：確認有銅粉附著於濾紙，但銅粉的附著面積為1成以上砝碼的接地面(φ 20mm)。

〔綜合評價〕

綜合所有上述高頻特性、常態密合性、耐熱密合性及耐掉粉性，基於下述評價基準來進行綜合評價。值得注意的是，在本實施例中，綜合評價是以A及B為合格等級。

<綜合評價的評價基準>

A(優)：所有評價為A評價。

B(合格)：所有評價不為C評價。

C(不合格)：至少1項評價為C評價。

[表3]

如表3所示，實施例1~12的表面處理銅箔是控制成表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)為未滿0.8%，表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)為0.4%以上，表面處理皮膜的表面的以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))為0.1~1.5，故可確認發揮優異高頻特性、高密合性(常態密合性及耐熱密合性)及高耐掉粉性。

反之，比較例1及比較例4的表面處理銅箔的Gs(20°)為0.8以上之高，造成耐熱密合性很差的結果。比較例2的Gs(60°)為0.3%之低，故造成高頻特性很差的結果。比較例3的Gs(45°)/Gs(75°)為1.8之大，故造成耐掉粉性很差的結果。比較例5的Gs(60°)為0.3%之低，Gs(45°)/Gs(75°)亦為1.8之大，故造成高頻特性及耐掉粉性很差的結果。

Claims

一種印刷配線板用表面處理銅箔，印刷配線板用表面處理銅箔在銅箔基底的至少一側的面上具有表面處理皮膜，其含有粗化處理層，該粗化處理層藉由形成有粗化粒子而成；前述表面處理皮膜的表面之以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的20度鏡面光澤度Gs(20°)為未滿0.8%；前述表面處理皮膜的表面之以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的60度鏡面光澤度Gs(60°)為0.4%以上；前述表面處理皮膜的表面之以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的45度鏡面光澤度Gs(45°)相對於75度鏡面光澤度Gs(75°)的鏡面光澤度比(Gs(45°)/Gs(75°))為0.1以上且1.5以下。
如請求項1所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，其中，前述表面處理皮膜的表面之以JIS Z 8741：1997為準據而測定的TD的85度鏡面光澤度Gs(85°)為4%以上且未滿50%。
如請求項1或2所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，其中，具有前述銅箔基底的表面處理皮膜的面為光澤面。
如請求項1或2所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，其中，前述表面處理皮膜的表面之以JIS Z 8781為準據而測定的TD的XYZ色彩空間的Y值為10%以上且45%以下。
如請求項1或2所記載的印刷配線板用表面處理銅箔，其中，前述表面處理皮膜的表面之以JIS B 0601為準據而測定的十點平均粗糙度Rzjis值為0.8μm以上且4.5μm以下。
一種印刷配線板用覆銅層壓板，其是由如請求項1~5任一項所記載的印刷配線板用表面處理銅箔的形成有前述表面處理皮膜的面與樹脂基材黏著而成。
一種印刷配線板，其具備如請求項6所記載的印刷配線板用覆銅層壓板。