TWI770957B - 切割晶碇的方法以及晶碇的切割工具 - Google Patents

Abstract

一種晶碇的切割工具，包括第一滾輪、第二滾輪、多條 第一切割線、多條第二切割線以及多條第三切割線。第一滾輪以及第二滾輪之間具有依序排列的第一切割區、第二切割區以及第三切割區。第一切割線、第二切割線及第三切割線自第一滾輪延伸至第二滾輪。第一切割線平行地設置於第一切割區中。第二切割線平行地設置於第二切割區中。第三切割線平行地設置於第三切割區中。第二切割線之間的間距小於第一切割線之間的間距以及第三切割線之間的間距。

Description

切割晶碇的方法以及晶碇的切割工具

本發明是有關於一種切割晶碇的方法以及晶碇的切割工具。

在半導體產業中，晶圓(wafer)的生產技術非常重要。一般而言，製造晶圓的方法包括先形成晶碇(Ingot)，接著將晶碇切片以獲得晶圓。晶碇例如是在高溫的環境中製造。目前，碳化矽晶碇的生長方法例如物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport,PVT)。

在生產出晶碇後，例用切割工具將晶碇切片，以獲得多個晶圓。舉例來說，以平行排列的切割線，例如線鋸來切割晶碇，以獲得多個薄片狀的晶圓，複線線鋸切割的方法來切割晶碇時，在線來回往復移動作動對晶碇切割時，會因為晶碇的頭端跟尾端附近並無其他的支撐物撐起此區所有的線，而造成晶碇受力不均的狀況產生，詳細而言，在晶碇頭端跟尾端附近的線，並未獲得和遠離晶碇頭尾處實質上相同的支撐力，導致晶碇頭端及尾端附 近的線受力及張力分布不均，會造成晶碇在切片製程產出的晶片其厚度不一的狀況，尤其是晶碇頭尾處切出來的晶圓有厚度過薄的情形，造成後續無法加工的狀況發生，將影響製程良率以及增加製程成本，所以解決複線線鋸製程下晶圓厚度不一的狀況，並符合後續加工的厚度標準，是本發明亟欲解決的問題。

本發明提供一種切割晶碇的方法，能獲得厚度分布均勻之多個晶圓。

本發明提供一種晶碇的切割工具，能切割晶碇以獲得厚度分布均勻之多個晶圓。

本發明的至少一實施例提供一種切割晶碇的方法，包括：提供切割工具，切割工具具有依序排列的第一切割區、第二切割區以及第三切割區，其中切割工具包括多條第一切割線、多條第二切割線以及多條第三切割線，分別平行地設置於第一切割區中、第二切割區中以及第三切割區中，其中第二切割線之間的間距小於第一切割線之間的間距以及第三切割線之間的間距；將第一晶碇對應設置於第一切割區、第二切割區以及第三切割區以切割第一晶碇。第一晶碇分別藉由第一切割線、第二切割線以及第三切割線形成多個第一晶圓、多個第二晶圓以及多個第三晶圓。

本發明的至少一實施例提供一種晶碇的切割工具，包括第一滾輪、第二滾輪、多條第一切割線、多條第二切割線以及多 條第三切割線。第一滾輪以及第二滾輪之間具有依序排列的第一切割區、第二切割區以及第三切割區。第一切割線、第二切割線及第三切割線自第一滾輪延伸至第二滾輪。第一切割線平行地設置於第一切割區中。第二切割線平行地設置於第二切割區中。第三切割線平行地設置於第三切割區中。第二切割線之間的間距小於第一切割線之間的間距以及第三切割線之間的間距。

100:第一晶碇

110:第一晶圓

112、132、312、332:晶圓

120:第二晶圓

130:第三晶圓

200、200a:切割工具

202:第一滾輪

204:第二滾輪

220:取放工具

310:第四晶圓

320:第五晶圓

330:第六晶圓

C1:第一切割道

C2:第二切割道

C3:第三切割道

C4:第四切割道

C5:第五切割道

C6:第六切割道

E:區域

k:寬度

s:線徑

T1、T2、T3、T4、T5、T’:間距

R1:第一切割區

R11、R12、R31、R32:區域

R2:第二切割區

R3:第三切割區

R4:第四切割區

R5:第五切割區

W1、W11、W12:第一切割線

W2:第二切割線

W3、W31、W32:第三切割線

W4:第四切割線

W5:第五切割線

X、X1、X3、Y、Y1、Y3:厚度

圖1A是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的立體示意圖。

圖1B是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的上視示意圖。

圖1C是依照本發明的一實施例的一種第一晶碇在切割後的剖面示意圖。

圖1D是依照本發明的一實施例的一種第一晶碇在切割時的剖面示意圖。

圖2A是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的立體示意圖。

圖2B是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的上視示意圖。

圖2C是依照本發明的一實施例的一種第二晶碇在切割後的 剖面示意圖。

圖3是依照本發明的一比較例的一種晶碇在切割後所獲得之多個晶圓的寬度分佈示意圖。

圖4是依照本發明的一實施例的一種晶碇在切割後所獲得之多個晶圓的寬度分佈示意圖。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的立體示意圖。圖1B是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的上視示意圖。圖1C是依照本發明的一實施例的一種第一晶碇在切割後的剖面示意圖。

請參考圖1A、圖1B與圖1C，切割工具200例如為複線切割工具。切割工具200具有依序排列的第一切割區R1、第二切割區R2以及第三切割區R3，其中，第二切割區R2設置於第一切割區R1以及第三切割區R3之間。在本實施例中，切割工具200包括第一滾輪202以及第二滾輪204，且第一切割區R1、第二切割區R2以及第三切割區R3位於第一滾輪202以及第二滾輪204之間。

切割工具200還包括多條第一切割線W1、多條第二切割線W2以及多條第三切割線W3。第一切割線W1平行地設置於第一切割區R1中。第二切割線W2平行地設置於第二切割區R2中。第三切割線W3平行地設置於第三切割區R3中。換句話說，在本 實施例中，設置於第一切割區R1中的切割線定義為第一切割線W1，設置於第二切割區R2中的切割線定義為第二切割線W2，且設置於第三切割區R3中的切割線定義為第三切割線W3，且第二切割線W2設置於第一切割線W1以及第三切割線W3之間。

在本實施例中，第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3例如為附有鑽石顆粒的鋼線或其他類型的線鋸。

在本實施例中，切割工具200還包括取放工具220。取放工具220適用於取放第一晶碇100。在一些實施例中，第一晶碇100的材料例如包括碳化矽(SiC)，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一晶碇100的邊緣並非完整的圓形，而是具有一道平邊或V型槽(未繪出)。此平邊或V型槽適用於作為晶碇的結晶方向的記號或適用於使第一晶碇100固定於取放工具220上。

第一晶碇100的厚度X例如為5毫米至50毫米。在一些實施例中，第一晶碇100的直徑為3英吋以上，例如4至6英吋、4至8英吋、3至6英吋、3至8英吋或8英吋以上，本發明不以此為限。

將第一晶碇100對應設置於第一切割區R1、第二切割區R2以及第三切割區R3，並對第一晶碇100施加朝向第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3的壓力，以切割第一晶碇100。第一滾輪202以及第二滾輪204可以轉動，以使第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3來回往復切割第一晶碇100，在其他實施例中，第一晶碇100亦可重疊於第一切割區 R1、第二切割區R2以及第三切割區R3。

請參考圖1B與圖1C，第一晶碇100分別藉由第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3形成多個第一晶圓110、多個第二晶圓120以及多個第三晶圓130。在本實施例中，各第一晶圓110是由對應的兩條第一切割線W1所定義出來，各第二晶圓120是由對應的兩條第二切割線W2所定義出來，各第三晶圓130是由對應的兩條第三切割線W3所定義出來。

在本實施例中，第一晶碇100包含頭尾兩端區域E，在進行切割程序時，頭尾兩端區域E分別對應設置於第一切割區R1以及第三切割區R3。此時，第一切割區R1包含無晶碇對應設置的區域R11及有晶碇對應設置的區域R12，第三切割區R3包含無晶碇對應設置的區域R31及有晶碇的對應設置的區域R32，所以第一切割區R1之區域R11的第一切割線W11其支撐力以及張力不同於區域R12的第一切割線W12，第三切割區R3之區域R31的第三切割線W31其支撐力以及張力不同於區域R32的第三切割線W32。換句話說，因第一切割區R1與第三切割區R3中並非每條切割線皆接觸到晶碇，導致第一切割線W1及第三切割線W3，並未有實質上相同於遠離晶碇的頭尾兩端區域E即中央區域之第二切割線W2的支撐力，而使得此頭尾兩端區域E的第一切割線W1及第三切割線W3之受力及張力分佈不均，而導致切割出來的第一晶圓110的厚度以及第三晶圓130的厚度不同於遠離晶碇頭尾區域E的中間區域切割出來的第二晶圓120的厚度，為了避免 切片厚度不均的現象發生，在本實施例中，第二切割線W2之間的間距(pitch)T2小於第一切割線W1之間的間距(pitch)T1以及第三切割線W3之間的間距(pitch)T3，藉此使第一晶圓110、第二晶圓120以及第三晶圓130的厚度幾乎一致。在本實施例中，第一晶圓110、第二晶圓120以及第三晶圓130的厚度tk為100微米至1500微米(例如200微米至1000微米或350微米至800微米。在本實施例中，前述切割線之間的間距(pitch)指的是相鄰兩條切割線的中心之間的距離；在其他實施例中，第一晶碇100包含頭尾兩端區域E，在進行切割程序時，頭尾兩端區域E分別重疊於第一切割區R1以及第三切割區R3。此時，第一切割區R1包含無晶碇重疊的區域R11及有晶碇重疊的區域R12，第三切割區R3包含無晶碇重疊的區域R31及有晶碇的重疊的區域R32。

圖1D是依照本發明的一實施例的一種第一晶碇在切割時的剖面示意圖。請參考圖1D，第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3在碰到第一晶碇100之前(圖1D中以虛線表示)，分別具有間距T1、間距T2以及間距T3，其中第二切割線W2之間的間距T2小於第一切割線W1之間的間距T1以及第三切割線W3之間的間距T3。換句話說，在第一滾輪202與第二滾輪204上之第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3分別具有間距T1、間距T2以及間距T3，其中第一切割線W1之間的間距T1及第三切割線W3之間的間距T3大於第二切割線W2之間的間距T2。

第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3在碰到第一晶碇100時，對應第一晶碇100之頭尾兩端區域E的第一切割線W1以及第三切割線W3，會因為第一晶錠100頭尾兩端區域E之外的區域沒有支撐第一晶錠100的關係，例如區域R11及區域R31，頭尾兩端區域E附近的第一切割線W1及第三切割線W3受力不均，因此第一切割線W1以及第三切割線W3傾向朝向有支撐物的切割線靠攏，例如朝向第二切割線W2的位置靠近，導致頭尾E附近的線間距變窄，本實施例預留頭尾兩端區域E附近的線間距會縮短的空間，先在一開始時即設計即第一切割線W1之間的間距T1及第三切割線W3之間的間距T3大於第二切割線W2之間的間距T2，使晶碇擺上切割線後，第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3實質上具有相近的間距T’，最後在完成切片製程後，使得第一晶圓110、第二晶圓120以及第三晶圓130的厚度tk幾乎一致。間距T’實質上包括對應之切割損失(kerf loss)的寬度k以及對應之晶圓的厚度tk。切割損失的寬度k包括切割線的線徑s。

在一些實施例中，第一切割線W1之間的間距T1為210微米至1510微米，例如310微米至1100微米或360微米至810微米，第二切割線W2之間的間距T2為200微米至1500微米，例如300微米至1000微米或350微米至800微米，第三切割線W3之間的間距T3為210微米至1510微米，例如310微米至1100微米或360微米至810微米，值得注意的是，第二切割線W2之 間的間距(pitch)T2小於第一切割線W1之間的間距(pitch)T1以及第三切割線W3之間的間距(pitch)T3，藉此使第一晶圓110、第二晶圓120以及第三晶圓130的厚度幾乎一致。

在本實施例中，第一晶碇100對應設置於第一切割區R1的厚度X1佔第一晶碇100總厚度X的1%至30%，例如1%至5%、3%至10%、5%至10%或5%至30%，其中又以厚度X1佔厚度X的5%至10%較佳，第一晶碇100對應設置於第三切割區R3的厚度X3佔第一晶碇100總厚度X的1%至30%(例如1%至5%、3%至10%、5%至10%或5%至30%，其中又以厚度X3佔厚度X的5%至10%較佳，藉此減少第一晶碇100在切割製程中產生的損耗，並提高切割製程的精度；在其他實施例中，第一晶碇100亦可分別重疊於第一切割區R1、第三切割區R3，本發明不以此為限。

在一些實施例中，第一晶碇100在切割後形成晶圓112、132。晶圓112對應設置或重疊於第一切割區R1，在一些實施例中，藉由調整第一晶碇100對應設置或重疊於切割區的厚度X，使晶圓112與晶圓132的厚度接近厚度tk，藉此避免晶碇頭尾區域E切割出來的晶圓112與晶圓132因為厚度不足而無法使用。

在本實施例中，第一切割線W1會於第一晶碇100上形成第一切割道C1，第二切割線W2會於第一晶碇100上形成第二切割道C2，第三切割線W3會於第一晶碇100上形成第三切割道C3。在一些實施例中，第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3彼此的線徑s相同，因此，第一切割道C1、第二切割道 C2與第三切割線W3實質上具有相同的寬度。第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3的線徑s例如為50微米至300微米。

圖2A是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的立體示意圖。圖2B是依照本發明的一實施例的一種晶碇的切割工具的上視示意圖。圖2C是依照本發明的一實施例的一種第二晶碇在切割後的剖面示意圖。

在此必須說明的是，圖2A至圖2C的實施例沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖2A、圖2B與圖2C，在本實施例中，切割工具200a具有依序排列的第一切割區R1、第二切割區R2、第三切割區R3、第四切割區R4以及第五切割區R5。

切割工具200a還包括多條第四切割線W4以及多條第五切割線W5。第四切割線W4平行地設置於第四切割區R4中。第五切割線W5平行地設置於第五切割區R5中。

在本實施例中，第四切割線W4以及第五切割線W5例如與第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3包括相同的材料。

本實施例中，取放工具220適用於取放第一晶碇100以及第二晶碇300。在一些實施例中，第一晶碇100與第二晶碇300 例如包括相同的材料與結構。第一晶碇100與第二晶碇300的厚度彼此相同或不同。

將第一晶碇100對應設置或重疊於第一切割區R1、第二切割區R2以及第三切割區R3，並對第一晶碇100施加朝向第一切割線W1、第二切割線W2以及第三切割線W3的力，以切割第一晶碇100。同時，將第二晶碇300對應設置或重疊於第三切割區R3、第四切割區R4以及第五切割區R5，並對第二晶碇300施加朝向第三切割線W3、第四切割線W4以及第五切割線W5的力，以切割第二晶碇300。在本實施例中，第三切割區R3自對應設置於第一晶碇100的位置延伸至對應設置或重疊於第二晶碇300的位置。

請參考圖2B與圖2C，第一滾輪202以及第二滾輪204可以轉動，以使第一切割線W1、第二切割線W2、第三切割線W3、第四切割線W4以及第五切割線W5來回往復切割第一晶碇100與第二晶碇300。第二晶碇300分別藉由第三切割線W3、第四切割線W4以及第五切割線W4形成多個第四晶圓310、多個第五晶圓320以及多個第六晶圓330。在本實施例中，各第四晶圓310是由對應的兩條第三切割線W3所定義出來，各第五晶圓320是由對應的兩條第四切割線W4所定義出來，各第六晶圓330是由對應的兩條第五切割線W5所定義出來。

在本實施例中，第二晶碇300的兩端分別對應設置或重疊於第三切割區R3以及第五切割區R5。為了避免第三晶碇300 靠近兩端的頭尾區域E因為受力分佈不均而導致切割出來的第四晶圓310的厚度以及第六晶圓330的厚度不同於遠離頭尾區域E的中間區域切割出來的第五晶圓320的厚度，在本實施例中，第四切割線W4之間的間距T4小於第三切割線W3之間的間距T3以及第五切割線W5之間的間距T5，藉此使第四晶圓310、第五晶圓320以及第六晶圓330的厚度幾乎一致。在本實施例中，第一晶碇100切割後所獲得之第一晶圓110、第二晶圓120以及第三晶圓130的厚度tk(繪於圖1C)實質上等於第二晶碇300切割後所獲得之第四晶圓310、第五晶圓320以及第六晶圓330的厚度tk。在一些實施例中，厚度tk為100微米至1500微米(例如200微米至1000微米或350微米至800微米)。

在一些實施例中，第四切割線W4之間的間距T4為200微米至1500微米(例如300微米至1000微米或350微米至800微米)，第三切割線W5之間的間距T5為210微米至1510微米(例如310微米至1100微米或360微米至810微米)。

在本實施例中，第二晶碇300對應設置或重疊於第三切割區R3的厚度Y1佔第二晶碇300總厚度Y的1%至30%，例如1%至5%、3%至10%、5%至10%或5%至30%，其中又以厚度Y1佔厚度Y的5%至10%較佳，第二晶碇300對應設置或重疊於第五切割區R5的厚度Y3佔第二晶碇300總厚度Y的1%至30%，例如1%至5%、3%至10%、5%至10%或5%至30%，其中又以厚度Y3佔厚度Y的5%至10%較佳，藉此減少第二晶碇300在切割製 程中產生的損耗，並提高切割製程的精度。

在一些實施例中，第二晶碇300在切割後還會形成晶圓312、332。晶圓312對應設置或重疊於第三切割區R3，其中晶圓312是由第二晶碇300的表面以及其中一條第三切割線W3所定義出來的。類似地，晶圓332對應設置或重疊於第五切割區R5，其中晶圓332是由第二晶碇300的表面以及其中一條第五切割線W5所定義出來的。在一些實施例中，藉由調整第二晶碇300對應設置或重疊於切割區的厚度Y，使晶圓312與晶圓332的厚度接近厚度tk，藉此避免晶圓312與晶圓332因為厚度不足而無法使用。

在本實施例中，第三切割線W3會於第二晶碇300上形成第四切割道C4，第四切割線W4會於第二晶碇300上形成第五切割道C5，第五切割線W5會於第二晶碇200上形成第六切割道C6。在一些實施例中，第三切割線W3、第四切割線W4以及第五切割線W5彼此的線徑相同，因此，第四切割道C4、第五切割道C5與第六切割道C6實質上具有相同的寬度。第三切割線W3、第四切割線W4與第五切割線W5的線徑例如為50微米至300微米。

在本實施例中，同時對兩個晶碇進行切割製程，但本發明不以此為限。在其他實施例中，同時對兩個以上的晶碇進行切割製程，且所使用的切割工具上之切割線的間距以寬、窄、寬、窄、寬、窄......的方式分佈，每個晶碇的頭尾兩端都對應了間距較寬的切割線，而遠離晶碇頭尾兩的區域E的中間區域則對硬間距較窄的切割線。

圖3是依照本發明的一比較例的一種晶碇在切割後所獲得之多個晶圓的寬度分佈示意圖。圖4是依照本發明的一實施例的一種晶碇在切割後所獲得之多個晶圓的寬度分佈示意圖。

在圖3與圖4中，橫軸為不同的晶圓的編號，且編號是依照切割製程時的位置所定義。舉例來說，編號1的晶圓代表著位於切割製程後排在第一片的晶圓(例如對應設置或重疊於第一切割區R1的第一片晶圓)，編號33的晶圓代表著位於切割製程後排在最後一片的晶圓(例如對應設置或重疊於第三切割區R3的最後一片晶圓)。

請參考圖3，對晶碇執行切割製程，其中圖3之比較例使用之切割工具之切割線的間距全部一樣。由於靠近晶碇兩端的頭尾區域因為切割線受力分佈不均，導致所獲得之晶圓的厚度不一致，尤其是在對應晶碇的頭尾區域的晶圓，厚度明顯小於位於遠離晶碇頭尾兩端區域的中間區域的晶圓。

請參考圖4，對晶碇執行切割製程，其中圖4之實施例使用之切割工具類似於圖1A至圖1C所描述的切割工具(差異只在於切割線的數量，本發明不以此為限，可依照製程及設計變更切割線的數量)，即所用之切割工具的第二切割線W2之間的間距T2小於第一切割線W1之間的間距T1以及第三切割線W3之間的間距T3。

比較圖3與圖4可以得知，使用本實施例之切割工具所獲得之晶圓的厚度分布較為一致。

100:第一晶碇

200:切割工具

202:第一滾輪

204:第二滾輪

220:取放工具

E:區域

T1、T2、T3:間距

R1:第一切割區

R11、R12、R31、R32:區域

R2:第二切割區

R3:第三切割區

W1、W11、W12:第一切割線

W2:第二切割線

W3、W31、W32:第三切割線

X、X1、X3:厚度

Claims (10)

1. 一種切割晶碇的方法，包括：提供一切割工具，該切割工具具有沿著一第一方向依序排列的一第一切割區、一第二切割區以及一第三切割區，其中該切割工具包括：多條第一切割線，平行地設置於該第一切割區中；多條第二切割線，平行地設置於該第二切割區中；多條第三切割線，平行地設置於該第三切割區中，且該些第一切割線、該些第二切割線以及該些第三切割線沿著該第一方向排列，其中相鄰兩條該些第二切割線的中心之間的間距小於相鄰兩條該些第一切割線的中心之間的間距以及相鄰兩條該些第三切割線的中心之間的間距；將一第一晶碇對應設置於該第一切割區、該第二切割區以及該第三切割區以切割該第一晶碇，且該第一晶碇分別藉由該些第一切割線、該些第二切割線以及該些第三切割線形成多個第一晶圓、多個第二晶圓以及多個第三晶圓，其中該第一晶碇的兩端分別對應設置於該第一切割區以及該第三切割區，其中該第一晶碇對應設置於該第一切割區的厚度佔該第一晶碇總厚度的5%至30%，該第一晶碇對應設置於該第三切割區的厚度佔該第一晶碇總厚度的5%至30%。
2. 如請求項1所述的切割晶碇的方法，其中該些第一切割線之間的間距為210微米至1510微米，該些第二切割線之間的間 距為200微米至1500微米，該些第三切割線之間的間距為210微米至1510微米。
3. 如請求項2所述的切割晶碇的方法，其中該些第一晶圓、該些第二晶圓以及該些第三晶圓的厚度為100微米至1500微米。
4. 如請求項1所述的切割晶碇的方法，更包括：其中該切割工具具有依序排列的該第一切割區、該第二切割區、該第三切割區、一第四切割區以及一第五切割區，其中該切割工具更包括：多條第四切割線，平行地設置於該第四切割區中；以及多條第五切割線，平行地設置於該第五切割區中，其中該些第四切割線之間的間距小於該些第三切割線之間的間距以及該些第五切割線之間的間距；以及在將第一晶碇對應設置於該第一切割區、該第二切割區以及該第三切割區的同時，將一第二晶碇對應設置於該第三切割區、該第四切割區以及該第五切割區以切割該第二晶碇，且該第二晶碇分別藉由該些第三切割線、該些第四切割線以及該些第五切割線形成多個第四晶圓、多個第五晶圓以及多個第六晶圓。
5. 如請求項4所述的切割晶碇的方法，其中該些第一晶圓、該些第二晶圓、該些第三晶圓、該些第四晶圓、該些第五晶圓以及該些第六晶圓的厚度為100微米至1500微米。
6. 一種晶碇的切割工具，包括：一第一滾輪以及一第二滾輪，其中該第一滾輪以及該第二滾輪之間具有沿著一第一方向依序排列的一第一切割區、一第二切割區以及一第三切割區，其中該切割工具適用於切割一第一晶碇，該第一切割區以及該第三切割區分別被配置成對應該第一晶碇的兩端設置，其中該第一晶碇重疊於該第一切割區的厚度佔該第一晶碇總厚度的5%至30%，且該第一晶碇重疊於該第三切割區的厚度佔該第一晶碇總厚度的5%至30%；多條第一切割線，自該第一滾輪延伸至該第二滾輪，且平行地設置於該第一切割區中；多條第二切割線，自該第一滾輪延伸至該第二滾輪，平行地設置於該第二切割區中；以及多條第三切割線，自該第一滾輪延伸至該第二滾輪，平行地設置於該第三切割區中，且該些第一切割線、該些第二切割線以及該些第三切割線沿著該第一方向排列，其中相鄰兩條該些第二切割線的中心之間的間距小於相鄰兩條該些第一切割線的中心之間的間距以及相鄰兩條該些第三切割線的中心之間的間距。
7. 如請求項6所述的晶碇的切割工具，其中該些第一切割線之間的間距為210微米至1510微米，該些第二切割線之間的間距為200微米至1500微米，該些第三切割線之間的間距為210微米至1510微米。
8. 如請求項6所述的晶碇的切割工具，其中該些第一切割線、該些第二切割線以及該些第三切割線的線徑為50微米至300微米。
9. 如請求項6所述的晶碇的切割工具，其中該些第一切割線、該些第二切割線以及該些第三切割線包括鑽石切割線。
10. 如請求項6所述的晶碇的切割工具，其中該切割工具具有依序排列的該第一切割區、該第二切割區、該第三切割區、一第四切割區以及一第五切割區，且該切割工具更包括：多條第四切割線，平行地設置於該第四切割區中；以及多條第五切割線，平行地設置於該第五切割區中，其中該些第四切割線之間的間距小於該些第三切割線之間的間距以及該些第五切割線之間的間距。

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