TWI765384B - 成像裝置及手持式成像裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種成像裝置，至少包含：一光源控制器、一光源、一擷取模組及一計算器；其中，該光源至少包含複數個次光源組，每一個該次光源組包含複數個各放射具有至少一發光峰值波長及至少一波長範圍之光的發光元件，複數個該次光源組係呈一環狀排列且在該電路板上的不同位置；該擷取模組係設置於該環狀排列的一法線上。本發明所採用不同位置的發光元件依序發光方式或部分同時發光方式，並以均勻運算法進行運算，所以可以獲得準確的成像資料。另外，還提供一種手持式成像裝置，係包含所述之成像裝置，手持式成像裝置為一手機或平板電腦。

Description

成像裝置及手持式成像裝置

本發明係關於成像領域，尤其是指具有多個光源位置之成像裝置及手持式成像裝置。

成像領域中的光譜成像(spectral imaging)是結合傳統成像和光譜學量測待測物之吸收、穿透和反射量，通常是以可見光至紅外光之波段光頻譜探測待測物，尤其是量測待測物之反射光的光譜成像。反射式光譜成像技術適用於即時和非破壞性檢測，能快速測出待測物之結構及缺陷分析，應用於包含農業、礦業、材料、醫學等領域。

文獻『Spectroscopy and Spectral Analysis，Vol.34, No.10, pp2743-2751，October, 2014，高光譜成像技術在果蔬品質與安全無損檢測中的原理及應用』揭露以鹵素燈做為連續光源，並且利用分光設備將自待測物反射的連續光分散為單波長的光以進行蘋果的面掃描(area scanning)，或者通過面掃描獲取高光譜圖像時以機械運作方式轉動濾光片切換輪或調節可調濾波器。由於每次的機械變換都需要耗費時間，再加上每次只可以獲取一個單波長下的空間圖像，所以完成多個單波長的掃描就必須耗費更多時間，因此該文獻技術的面掃描方式也只能用於所需波長圖像數目較少的多光譜成像系統中，所以對蘋果的整體解析程度及精確度受到了限制。況且該文獻中以機械方式運作的分光設備、濾光片切換輪或可調濾波器其結構複雜且必然佔有一定的體積，且所使用的鹵素燈也會產生高熱，當利用鹵素燈做為光源而進行例如農產品、食品、醫藥品、石化產品的有機產品檢測時，高溫會對有機試樣造成質變，因而嚴重影響檢測結果。這使得前述文獻受限於只能使用在有散熱系統的中大型光譜成像設備而無法微小化，例如前述文獻所揭露的光譜成像裝置顯然地並不適用於小型化的手持式光譜成像裝置，或者不適用設置於手持裝置的手機或平板電腦等。

前述鹵素燈產生高熱的問題，則有台灣發明專利公告第I606233號揭露以多個窄頻帶波長的雷射光源取代鹵素燈，然而該專利必須結合掃描系統所形成的照明線才能進行線掃描(line scanning)。該專利顯然必須藉由包含透鏡、掃描鏡、固定鏡等複雜且佔有一定的體積的掃描系統才能形成照明線，這一樣地造成結構複雜及無法微小化，且並不適用於小型化的手持式光譜成像裝置，而且線掃描相對於面掃描而言更耗費掃描時間。

前述文獻與專利的光源是與光譜儀及相機所構成的組合件係彼此獨立設置，而且是通常將光源擺放在光譜儀及相機所構成的組合件的側邊，因此存在著打光均勻度及單次量測的問題，這伴隨而來的是光譜成像的準確度問題。例如待測物的表面是彎曲的曲面(蘋果的表面)，或者待測物的表面組成或內部組成在待測物的各個區域呈現不均勻時，如果只從單一方向打光及單次量測待測物的光譜成像結果，將會導致對整個待測物的誤判。

本發明的主要目的即在於提供結構簡單、可以微型化及能夠快速取得準確成像資料之成像裝置。

為達上述目的，本發明之一種成像裝置，至少包含：一光源控制器、一光源、一或複數個擷取模組及一計算器；其中，該光源控制器與該光源電性連接，該擷取模組與該計算器電性連接；該光源至少包含複數個次光源組，每一個該次光源組包含複數個各放射具有至少一發光峰值波長(light emission peak wavelength)及至少一波長範圍之光的發光元件，複數個該次光源組及/或複數個該發光元件係與該光源的一電路板電性連接，複數個該次光源組係呈一不規則狀排列或一規則狀排列；複數個該次光源組所圍成的一次光源分佈範圍內具有一法線，該擷取模組係設置於該次光源分佈範圍內與該法線的一交叉點為頂點且側面與該法線的一夾角所形成的一錐體的範圍內。

在本發明的一實施例中，複數個該次光源組係在同一平面、不同平面、同一曲面或不同曲面上呈該不規則狀排列或該規則狀排列。

在本發明的一實施例中，該規則狀排列是一環狀排列，該環狀排列是圓環狀排列或多邊形環狀排列。

在本發明的一實施例中，該發光元件可以是發光二極體、垂直共振腔面射型雷射(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)或雷射二極體(Laser Diode，LD)。

在本發明的一實施例中，該擷取模組係設置於該環狀排列的一中心點的該法線上，該交叉點為該中心點，該中心點與各該次光源組係為等距離。

在本發明的一實施例中，相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光元件之該等波長範圍部份重疊以形成較該等發光元件中之各者之該波長範圍寬之一連續波長範圍，或者相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光元件之該等波長範圍不重疊；相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為大於或等於0.5nm，各該發光峰值波長所對應的波長半高寬(Full-Width at Half-Maximum，FWHM)為大於0nm且小於或等於60nm。

在本發明的一實施例中，複數個該次光源組中的複數個該發光元件係依序發光，前述依序發光係指於不同位置的複數個該次光源組中放射相同該波長範圍之光的複數個該發光元件係不同時發光；或者，複數個該次光源組中的複數個該發光元件係部分同時發光，前述部分同時發光指的是將複數個該次光源組中的複數個該發光元件，使其中一部分同時發光而同時放射不同該波長範圍之光。

在本發明的一實施例中，複數個該發光元件能夠分別呈現一明滅頻率的非連續發光，複數個該明滅頻率可以是彼此相同或彼此不同，或者複數個該明滅頻率可以是部分相同或部分不同。

在本發明的一實施例中，該擷取模組在任一該發光元件發光時才開啟而運作，而在任一該發光元件不發光時就關閉而不運作。

在本發明的一實施例中，該擷取模組係以一運作頻率進行非連續運作，該發光元件的該明滅頻率與該擷取模組的該運作頻率係為相同。

在本發明的一實施例中，該擷取模組包含一影像擷取器及一光偵測器，一數學分析模組係設置於該光偵測器或該計算器，該數學分析模組係與該光偵測器電性或訊號連接，或該數學分析模組係與該計算器電性或訊號連接，而所述該數學分析模組是軟體或硬體型態，該光偵測器所收集到的訊號係被傳送到該數學分析模組；該明滅頻率中開啟該發光元件的時間區間，該光偵測器所接收到的訊號為一待測物光譜訊號與一背景雜訊的結合；該明滅頻率中關閉該發光元件的時間區間，該光偵測器所接收到的訊號為該背景雜訊；該待測物光譜訊號及該背景雜訊構成一待測物時域訊號，該數學分析模組係包含將該待測物時域訊號轉換為一待測物頻域訊號的一時域頻域轉換單元。

在本發明的一實施例中，該時域頻域轉換單元是用以將該待測物時域訊號進行傅立葉轉換為該待測物頻域訊號的一傅立葉轉換單元。

在本發明的一實施例中，該待測物頻域訊號係包含該待測物光譜訊號的頻域訊號及該背景雜訊的頻域訊號，該數學分析模組係能夠將該背景雜訊的頻域訊號捨棄並留下該待測物光譜訊號的頻域訊號，該數學分析模組係包含將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號轉換為一濾波後待測物時域訊號的一頻域時域轉換單元。

在本發明的一實施例中，該頻域時域轉換單元是能夠將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號進行傅立葉反轉換為該濾波後待測物時域訊號的一傅立葉反轉換單元。

本發明也提供一種手持式成像裝置，至少包含一如前所述之成像裝置，該手持式成像裝置的正面為一螢幕，該手持式成像裝置的背面的一背板則設有複數個該次光源組及該擷取模組的一影像擷取器。

在本發明的一實施例中，該手持式成像裝置為一手機或平板電腦。

本發明由於發光元件不是鹵素燈，所以不會有高溫的問題，因此該成像裝置可以微小化；本發明是採用不同位置的發光元件依序發光，因此不需要掃描系統，所以結構簡單且可以微小化；本發明是以電子式的該光源控制器進行切換以使得該光源發出不同波長範圍的光，而不是機械式的分光設備，所以切換快速且可以微小化；本發明所採用不同位置的發光元件依序發光方式或部分同時發光方式，並以均勻運算法進行運算，所以可以獲得準確的成像資料。

為利瞭解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍，合先敘明。

首先請參閱第1A圖及第1B圖，係為本發明之一種成像裝置的第一實施例，該成像裝置包含一光源控制器11、一光源12、一擷取模組13及一計算器14。該光源控制器11分別與該光源12及一外部電源(圖未繪出)電性連接，該擷取模組13與該計算器14電性連接。當然，該成像裝置也可以是包含複數個該擷取模組13，為了方便說明與理解，以下實施例皆以一個該擷取模組13為舉例。

該擷取模組13接收來自該光源12發射的一光線，且該光線在該光源12與該擷取模組13之間的行進路徑形成一光路，該擷取模組13例如可以是光偵測器(photodetector)、光電二極體(Photo diode)、有機光電二極體(Organic Photo diode)、光電倍增管(photomultiplier)、光導電度偵測器(photoconducting detector)、矽熱輻射偵測器(Si bolometer)、一維或多維的光電二極體陣列(photodiode array)、一維或多維的CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合元件) 陣列、一維或多維的CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補式金屬氧化物半導體) 陣列、影像感測器 (Image Sensor)、照相機、光譜儀或高光譜相機。一待測物A是被置放於該光路的路徑上的一載台AS，該光路係穿透該待測物或該光路係在該待測物的表面形成漫反射(Diffuse Reflection)光；或者，該光路係於該待測物表面及內部經由一次或多次穿透及反射而最後形成漫反射光。該擷取模組13將前述漫反射光轉換成一影像訊號、一待測物光譜訊號、一電壓訊號及/或一電流訊號，並將該影像訊號、該待測物光譜訊號、該電壓訊號及/或該電流訊號傳送至該計算器14，該計算器14係將該影像訊號及/或該待測物光譜訊號轉換後形成一影像圖及/或一待測物光譜圖，該計算器14例如為個人電腦、筆記型電腦、電腦伺服器或手機。換言之，該擷取模組13係包含電性連接的一影像擷取器131及/或一光偵測器132，例如該影像擷取器131可以是照相機、CCD或CMOS以將該光線轉換成該影像訊號，該光偵測器132可以是光譜儀以將該光線轉換成該待測物光譜訊號。又例如前述光電二極體係可以將該光線轉換成該電壓訊號或該電流訊號。

請一併參閱第1B圖，該光源12至少包含複數個次光源組12S，每一個該次光源組12S至少包含：複數個各放射具有至少一發光峰值波長(light emission peak wavelength)及至少一波長範圍之光的發光元件，該發光峰值波長或該波長範圍是介於180nm至2500nm之間，其中該發光元件可以是發光二極體、有機發光二極體、氣體放電光源、垂直共振腔面射型雷射(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL)、雷射二極體(Laser Diode，LD)或碳奈米管光源。以下實施例的該發光元件是以發光二極體為舉例，這是為了說明方便起見，而非以本發明所舉例發光二極體為限，且熟知此技藝者當知道該發光元件之態樣：發光二極體、垂直共振腔面射型雷射或雷射二極體在本發明中是可以互相替換，並不會影響本發明的實際實施。複數個該次光源組12S及/或複數個該發光元件係與該光源12的一電路板120電性連接，複數個該次光源組12S係於該電路板120上呈一不規則狀排列或一規則狀排列在同一平面、不同平面、同一曲面或不同曲面上。在第1B圖的實施例中，其中該規則狀排列可以是一環狀排列R，而該環狀排列R可以是圓環狀排列或多邊形環狀排列，複數個該次光源組12S係彼此呈等距或不等距的間隔。前述該不規則狀排列可以例如為隨機方式排列。在第1B圖的實施例中，四個該次光源組12S係彼此呈等距的四邊形環狀排列且設置於該電路板120。另外，該擷取模組13係設置於該電路板120或複數個該次光源組12S的該環狀排列R所圍成的一次光源分佈範圍P內(例如所形成的平面，複數個該次光源組12S係在同一平面)的虛擬之一法線N上，該法線N例如是垂直於該次光源分佈範圍P所形成的平面。較佳地，該擷取模組13係設置於該環狀排列R所圍成該次光源分佈範圍P內的一中心點C的該法線N上，該中心點C與各該次光源組12S係為等距離。在第1B圖的實施例中，該擷取模組13係設置於四個該次光源組12S的該環狀排列R的該中心點C的該法線N上。換言之，該擷取模組13係設置於以複數個該次光源組12S所圍成該次光源分佈範圍P內的該電路板120與該法線N的一交叉點X為頂點且側面與該法線N的一夾角Y所形成的一錐體Z的範圍內。較佳地，該夾角Y的角度為60度。較佳地，該交叉點X為該中心點C。當然，也可以是，該擷取模組13係設置於以複數個該次光源組12S所圍成該次光源分佈範圍P內的該電路板120與該法線N的該交叉點X為頂點且側面與該法線N的該夾角Y所形成的一錐體Z的範圍內，該夾角Y的角度為60度，該交叉點X為該中心點C，且該擷取模組13不在該法線N上。

特別說明的是，請一併參閱第1D圖，複數個該次光源組12S係在同一曲面上，例如該電路板120係呈曲面狀且複數個該次光源組12S設置於該電路板120。請一併參閱第1E圖，複數個該次光源組12S係分別分佈在複數個平面上，例如該電路板120係由四個平面所構成的凹狀體，且複數個該次光源組12S設置於該電路板120。請一併參閱第1F圖，複數個該次光源組12S係分別分佈在複數個曲面上，例如該電路板120係由四個曲面所構成的凹狀體，且複數個該次光源組12S設置於該電路板120。

於第1B圖的實施例中，該光源12係包含四個該次光源組12S，而每一個該次光源組12S還包含有三個發光二極體，分別為放射具有一第一波長範圍之一第一光線的一第一發光二極體121、放射具有一第二波長範圍之一第二光線的一第二發光二極體122及放射具有一第三波長範圍之一第三光線的一第三發光二極體123，該第一光線在該第一波長範圍內具有一第一發光峰值波長，該第二光線在該第二波長範圍內具有一第二發光峰值波長，該第三光線在該第三波長範圍內具有一第三發光峰值波長。該第一發光二極體121、該第二發光二極體122及該第三發光二極體123係與該光源12的該電路板120電性連接，該電路板120係與該光源控制器11電性連接，換言之，該光源控制器11係與該第一發光二極體121、該第二發光二極體122及該第三發光二極體123電性連接，且該光源控制器11能夠分別控制該第一發光二極體121、該第二發光二極體122及該第三發光二極體123的開或關(明或滅，通電或不通電)，也就是說該光源控制器11能夠分別控制複數個該發光二極體的開或關(明或滅)。較佳地，該光源控制器11能夠分別控制並使得該第一發光二極體121、該第二發光二極體122及該第三發光二極體123分別連續發光或分別非連續發光，也就是說該光源控制器11能夠分別控制並使得複數個該發光二極體分別連續發光或分別非連續發光。

該成像裝置是以一種成像方法進行操作，該成像方法係將複數個該次光源組12S中的複數個該發光元件依序發光、部分同時發光或全部同時發光。前述依序發光係指於該電路板120上不同位置的複數個該次光源組12S中放射相同該波長範圍之光的複數個該發光元件係不同時發光，且該擷取模組13的該影像擷取器131及該光偵測器132在任一該發光元件發光時才開啟而運作，而在任一該發光元件不發光時就關閉而不運作，換言之該發光元件與該擷取模組13的該影像擷取器131及該光偵測器132係同步運作及不運作，以於運作時接收並分別將反射及/或散射後的該光線轉換成該影像訊號並傳送至該計算器14，以及將反射及/或散射後的該光線轉換成該待測物光譜訊號並傳送至該計算器14，該計算器14將前述四個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號以一均勻運算法進行運算以獲得準確的成像資料。例如於第1B圖的實施例中，四個該次光源組12S中總共有四個該第一發光二極體121分別位於該電路板120上的四個不同位置，第一個位置的該第一發光二極體121先發光(明)後關閉(滅)，該影像擷取器131及該光偵測器132分別將第一個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號傳送至該計算器14；接著第二個位置的該第一發光二極體121先發光後關閉，該影像擷取器131及該光偵測器132分別將第二個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號傳送至該計算器14；再接著第三個位置的該第一發光二極體121先發光後關閉，該影像擷取器131及該光偵測器132分別將第三個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號傳送至該計算器14；最後第四個位置的該第一發光二極體121先發光後關閉，該影像擷取器131及該光偵測器132分別將第四個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號傳送至該計算器14。該成像方法以該計算器14將前述四個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號以該均勻運算法進行運算以獲得準確的成像資料，以完成四個該第一發光二極體121的依序發光，例如該均勻運算法為將四個位置的該影像訊號加總後除以四，以及將四個位置的該待測物光譜訊號分別加總後除以四。於四個該第一發光二極體121都發過光之後，接著四個該第二發光二極體122依照前述四個該第一發光二極體121的明及滅方式，以完成四個該第二發光二極體122的依序發光。最後，再完成四個該第三發光二極體123的依序發光。特別說明的是，本發明當然也可以選擇性地使特定位置的該發光元件再度發光，以重複取得該影像訊號及該待測物光譜訊號，例如當需要驗證前一次相同位置的相同該波長範圍的該影像訊號及該待測物光譜訊號是否正確時。

前述部分同時發光指的是基於不同波長範圍的光與該待測物A的回應有所差別，因此將複數個該次光源組12S中的複數個該發光元件，使其中一部分同時發光而同時放射不同該波長範圍之光，所得到的該影像訊號及該待測物光譜訊號則可以表示為該待測物A同時間在不同的複數個該波長範圍之光的照射下，所產生的物理意義或化學意義。這顯然與前述依序發光的方式不同，前述依序發光的方式無法觀察出不同的複數個該波長範圍對該待測物A的同時影響。前述部分同時發光的另一個好處是，與前述依序發光相比較下，前述部分同時發光對該待測物A的檢測時間可以縮短。

採用不同位置的發光元件依序發光方式或部分同時發光方式，尤其在該待測物A的複數個區域係存在不相同的成分時，該成像方法可以運用該計算器14將前述多個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號以該均勻運算法進行運算而獲得平均的成像資料，因此有利於對該待測物A進行快速的總體判斷。即使該待測物A的複數個區域係存在相同的成分，然而如果當該待測物A的表面無法與該光源12保持平行，此時各該發光元件分別與該待測物A的距離將不相同，這會導致各該發光元件所產生的該影像訊號及該待測物光譜訊號失真，此時採用不同位置的發光元件依序發光方式或部分同時發光方式，該成像方法可以運用該計算器14將前述多個位置的該影像訊號及該待測物光譜訊號以該均勻運算法進行運算而獲得平均的成像資料，因此有利於對該待測物A進行快速的總體判斷。

本發明由於發光元件不是鹵素燈，所以不會有高溫的問題，因此該成像裝置可以微小化；本發明是採用不同位置的發光元件依序發光，因此不需要掃描系統，所以結構簡單且可以微小化；本發明是以電子式的該光源控制器進行切換以使得該光源發出不同波長範圍的光，而不是機械式的分光設備，所以切換快速且可以微小化；本發明所採用不同位置的發光元件依序發光方式或部分同時發光方式，並以均勻運算法進行運算，所以可以獲得準確的成像資料。

特別說明的是，該擷取模組13與該載台AS也可以被設計成固定位置，或者能夠相對移動或旋轉。例如，該擷取模組13的該影像擷取器131及/或該光偵測器132與該載台AS可以被設計成固定位置，或者能夠相對移動或旋轉。當然，該光源12與該載台AS也可以被設計成固定位置，或者能夠相對移動或旋轉。例如，該光源12的該次光源組12S與該載台AS可以被設計成固定位置，或者能夠相對移動或旋轉。

請一併參閱第1C圖，將該成像裝置微小化的代表為一手持式成像裝置100，例如該手持式成像裝置100為一手機或平板電腦，該手持式成像裝置100的正面為螢幕，該手持式成像裝置100的背面的背板(例如是該電路板120)則設有複數個該次光源組12S及該擷取模組13的該影像擷取器131。換言之，該手持式成像裝置100的正面或背面的一部份設有複數個該次光源組12S及該擷取模組13的該影像擷取器131。該發光元件可以是微發光二極體(Micro Light Emitting Diode)，該次光源組12S可以是微發光二極體陣列(Micro Light Emitting Array)。例如，各該發光元件係包含一發光晶粒(die)D，複數個該發光晶粒D係與該電路板120電性連接，複數個該發光晶粒D的上方係覆蓋一波長轉換層1202，該波長轉換層1202係包含複數個波長轉換區域1203，每一個該波長轉換區域1203係對應設置於一個該發光晶粒D，由該發光晶粒D所放射的光，於通過所對應的該波長轉換區域1203之後，形成前述的該發光峰值波長及該波長範圍之光。

更佳地，該光源控制器11能夠分別控制並使得該第一發光二極體121、該第二發光二極體122及該第三發光二極體123分別呈現一明滅頻率的非連續發光，也就是說該光源控制器11能夠分別控制並使得複數個該發光二極體能夠分別呈現一明滅頻率的非連續發光，複數個該明滅頻率可以是彼此相同或彼此不同，或者複數個該明滅頻率可以是部分相同或部分不同。例如，該光源控制器11包含與該外部電源電性連接的一微控制器(Microcontroller Unit)111及與該微控制器111電性連接的一時脈產生器(clock generator)112，該明滅頻率係由該時脈產生器112產生後將該明滅頻率的訊號傳送至該微控制器111，再由該微控制器111依據該明滅頻率以開或關與該微控制器111分別電性連接的複數個該發光二極體(例如該第一發光二極體121、該第二發光二極體122及該第三發光二極體123)。特別說明的是，該時脈產生器112也可以是整合於該微控制器111內的以產生該明滅頻率的一時脈產生模組，該時脈產生模組可以是軟體或硬體型態，如此便不需要在該微控制器111外部另外設置該時脈產生器112。特別說明的是，當然，依據上述該光源控制器11的技術特徵，也可以依據實際需求而同時將複數個該發光二極體開或關，或者依選擇地只將一個或部分的該發光二極體開或關，或者將複數個該發光二極體依序開或關，或者將上述方式的任一種以該明滅頻率方式開或關。較佳地，係同時將複數個該發光二極體開啟(發光)，且所對應的複數個該明滅頻率彼此不同；更佳地，係同時將至少四個該發光二極體開啟，且四個該發光二極體所對應的四個該明滅頻率係可選擇地為彼此完全不同或至少部分彼此相同。

請一併參閱第2圖，相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光二極體之該等波長範圍部份重疊以形成較該等發光二極體中之各者之該波長範圍寬之一連續波長範圍，該連續波長範圍是介於180nm至2500nm之間。在第2圖中共有三個發光峰值波長及所對應的波長範圍，分別為該第一光線的該第一發光峰值波長(734nm)所對應的該第一波長範圍、該第二光線的該第二發光峰值波長(810nm)所對應的該第二波長範圍及該第三光線的該第三發光峰值波長(882nm)所對應的該第三波長範圍。該第一發光峰值波長與該第二發光峰值波長是相鄰的二個發光峰值波長，同樣地該第二發光峰值波長與該第三發光峰值波長也是相鄰的二個發光峰值波長。該第一發光峰值波長所對應的該第一波長範圍係為介於660nm至780nm之間，該第二光線的該第二發光峰值波長所對應的該第二波長範圍係為介於710nm至850nm，該第一波長範圍與該第二波長範圍在710nm至780nm之間呈現部分重疊，因此該第一波長範圍與該第二波長範圍共同形成660nm至850nm之間的該連續波長範圍。同樣地，該第二發光峰值波長所對應的該第二波長範圍係為介於710nm至850nm，該第三光線的該第三發光峰值波長所對應的該第三波長範圍係為介於780nm至940nm，該第二波長範圍與該第三波長範圍在780nm至850nm之間呈現部分重疊，因此該第二波長範圍與該第三波長範圍共同形成710nm至940nm之間的該連續波長範圍。在本發明中，相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光二極體之該等波長範圍的重疊部分，以重疊愈少則愈佳。當然，相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光二極體之該等波長範圍也可以不重疊，這將於後文中說明。

相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為大於或等於0.5nm，較佳地為介於1nm至80nm之間，更佳地為介於5nm至80nm之間。在第2圖中，相鄰的該第一發光峰值波長(734nm)與該第二發光峰值波長(810nm)彼此相差為76nm，而相鄰的該第二發光峰值波長(810nm)與該第三發光峰值波長(882nm)彼此相差為72nm。除了有特別說明之外，本發明及專利範圍所述之數值範圍的限定總是包括端值，例如前述相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為介於5nm至80nm之間，是指大於或等於5nm而且小於或等於80nm。

請一併參閱第3圖的第二實施例，第二實施例是第一實施例的衍生實施例，因此第二實施例與第一實施例相同之處就不再贅述。第二實施例與第一實施例不同之處在於第二實施例的該光源12係包含五個發光二極體，分別為放射具有該第一發光二極體121、放射具有一第四波長範圍之一第四光線的一第四發光二極體1211、該第二發光二極體122、放射具有一第五波長範圍之一第五光線的一第五發光二極體1221及該第三發光二極體123，該第四光線在該第四波長範圍內具有一第四發光峰值波長(772nm)，該第五光線在該第五波長範圍內具有一第五發光峰值波長(854nm)。在第3圖中，發光峰值波長由小至大依序為該第一發光峰值波長(734nm)、該第四發光峰值波長(772nm)、該第二發光峰值波長(810nm)、該第五發光峰值波長(854nm)及該第三發光峰值波長(882nm)，相鄰的該第一發光峰值波長(734nm)與該第四發光峰值波長(772nm)彼此相差為38nm，相鄰的該第四發光峰值波長(772nm)與該第二發光峰值波長(810nm)彼此相差為38nm，相鄰的該第二發光峰值波長(810nm)與該第五發光峰值波長(854nm)彼此相差為44nm，相鄰的該第五發光峰值波長(854nm)與該第三發光峰值波長(882nm)彼此相差為28nm。

請一併參閱第4圖的第三實施例，第三實施例是第一實施例及第二實施例的衍生實施例，因此第三實施例與第一實施例及第二實施例相同之處就不再贅述。第三實施例與第一實施例不同之處在於第三實施例的該光源12係包含12個發光二極體，在第4圖中，12個發光二極體的發光峰值波長由小至大依序為734nm(該第一發光峰值波長)、747nm、760nm、772nm(該第四發光峰值波長)、785nm、798nm、810nm(該第二發光峰值波長)、824nm、839nm、854nm(該第五發光峰值波長)、867nm及882nm(該第三發光峰值波長)。該12個發光二極體的發光峰值波長之中，相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差依序分別為13nm、13nm、12nm、13nm、13nm、12nm、14nm、15nm、15nm、13nm及15nm。如果於第一實施例、第二實施例及第三實施例中的該發光元件是改用雷射二極體，相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差可以為大於或等於0.5nm，例如為1nm。

複數個該發光峰值波長之中的至少一部份的該發光峰值波長所對應的波長半高寬為大於0nm且小於或等於60nm。較佳地，各該發光峰值波長所對應的波長半高寬為大於0nm且小於或等於60nm，例如前述第一實施例、第二實施例及第三實施例中發光峰值波長由小至大依序為734nm(該第一發光峰值波長)、747nm、760nm、772nm(該第四發光峰值波長)、785nm、798nm、810nm(該第二發光峰值波長)、824nm、839nm、854nm(該第五發光峰值波長)、867nm及882nm(該第三發光峰值波長)，該第一光線的該第一發光峰值波長所對應的波長半高寬、該第二光線的該第二發光峰值波長所對應的波長半高寬、該第三光線的該第三發光峰值波長所對應的波長半高寬、該第四光線的該第四發光峰值波長所對應的波長半高寬及該第五光線的該第五發光峰值波長所對應的波長半高寬為大於0nm且小於或等於60nm，較佳為介於15nm至50nm之間，更佳為介於15nm至40nm之間。其餘未說明的747nm、760nm、785nm、798nm、824nm、839nm及867nm發光峰值波長所對應的波長半高寬(第4圖)也是為大於0nm且小於或等於60nm，較佳為介於15nm至50nm之間，更佳為介於15nm至40nm之間。於本發明的實驗操作時，前述第一實施例、第二實施例及第三實施例中的發光峰值波長所對應的波長半高寬為55nm；如果該發光元件是雷射二極體，各該發光峰值波長所對應的波長半高寬為大於0nm且小於或等於60nm，例如為1nm。

前述相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光二極體之該等波長範圍也可以不重疊，例如如果前述第一實施例、第二實施例及第三實施例中的各發光峰值波長所對應的波長半高寬為15nm，各發光峰值波長所對應的該波長範圍的寬度(也就是該波長範圍的最大值與最小值的差)為40nm，相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為80nm。又例如如果該發光元件是雷射二極體，各該發光峰值波長所對應的波長半高寬為1nm，該波長範圍的寬度為4nm，相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為5nm，則相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光元件(雷射二極體)之該等波長範圍不重疊。

較佳地，於第一實施例、第二實施例及第三實施例操作該成像裝置進行該待測物A的檢測以產生該待測物光譜圖時，如前所述該光源控制器11能夠分別控制並使得複數個該發光二極體分別呈現該明滅頻率的非連續發光，複數個該明滅頻率可以是彼此相同或彼此不同，或者複數個該明滅頻率可以是部分相同或部分不同，前述該明滅頻率是介於0.05次/秒至50000次/秒之間，該明滅頻率中開啟(點亮)該發光二極體的時間區間為介於0.00001秒至10秒之間，該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間為介於0.00001秒至10秒之間，該明滅頻率的週期是指接續的一次開啟(點亮)該發光二極體的時間區間及關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間的和，該明滅頻率的週期是該明滅頻率的倒數；換言之，該明滅頻率的週期可以被理解為將複數個該發光二極體連續點亮一點亮時間區間並立即無間斷地連續熄滅一熄滅時間區間的和，該點亮時間區間為介於0.00001秒至10秒之間，該熄滅時間區間為介於0.00001秒至10秒之間。較佳地，該明滅頻率是介於0.5次/秒至50000次/秒之間；更佳地，該明滅頻率是介於5次/秒至50000次/秒之間。複數個該發光二極體呈現非連續發光的樣態可以大幅降低該待測物A被該發光二極體所放射的光的熱能所影響，避免含有有機體的該待測物A產生質變，因此尤其適合對於熱能敏感的該待測物A，更尤其適合於該發光二極體所放射該波長範圍的光為近紅外光。

特別說明的是，前述該發光元件與該擷取模組13的該影像擷取器131及該光偵測器132係同步運作及不運作也可以是指：該擷取模組13的該影像擷取器131及該光偵測器132係以一運作頻率進行非連續運作，該發光元件的該明滅頻率與該擷取模組13的該影像擷取器131及該光偵測器132的該運作頻率係為相同。

一數學分析模組M係設置於該光偵測器132(第5A圖)或該計算器14(第5B圖)，該數學分析模組M係與該光偵測器132(第5A圖)電性或訊號連接，或該數學分析模組M係與該計算器14(第5B圖)電性或訊號連接，而所述該數學分析模組M可以是軟體或硬體型態，該光偵測器132所收集到的訊號係被傳送到該數學分析模組M。當操作該成像裝置進行該待測物A的檢測以產生該待測物光譜圖時，複數個該發光二極體可以以相同的該明滅頻率同時開或關，該明滅頻率中開啟(點亮)該發光二極體的時間區間，該光偵測器132所接收到的訊號為該待測物光譜訊號及一背景雜訊(或稱為背景噪音)的結合，而該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間，該光偵測器132所接收到的訊號為該背景雜訊。請一併參閱第6A圖，其為以該明滅頻率的非連續發光方式操作該光檢測裝置進行該待測物A的檢測，該待測物光譜訊號與該背景雜訊的結合及該背景雜訊所構成的一待測物時域(time domain)訊號及一待測物時域訊號圖。該光偵測器132所收集到的前述該待測物光譜訊號及該背景雜訊係被傳送到該數學分析模組M，該數學分析模組M係對於前述該待測物時域訊號進行處理而將該背景雜訊捨棄，例如該數學分析模組M係包含將該待測物時域訊號轉換為一待測物頻域(frequency domain)訊號的一時域頻域轉換單元M1(第5A圖)，該時域頻域轉換單元M1可以是用以將該待測物時域訊號進行傅立葉轉換(Fourier transform)為該待測物頻域訊號的一傅立葉轉換單元，轉換後的該待測物頻域訊號及一待測物頻域訊號圖請參見第6B圖，該待測物頻域訊號係很容易被區分為該待測物光譜訊號的頻域訊號及該背景雜訊的頻域訊號。在第6B圖中，位於0Hz的峰值的頻域訊號或小於該明滅頻率的頻域訊號，即為該背景雜訊的頻域訊號；而在第6B圖中，除了位於0Hz的峰值的頻域訊號(該背景雜訊的頻域訊號)，其餘剩下的峰值的訊號即為該待測物光譜訊號的頻域訊號。較佳地，在該待測物頻域訊號中，大於或等於該明滅頻率的頻域訊號即為該待測物光譜訊號的頻域訊號。該數學分析模組M係將該背景雜訊的頻域訊號捨棄並留下該待測物光譜訊號的頻域訊號，以達到濾波效果。由於該數學分析模組M係將該背景雜訊的頻域訊號捨棄，因此留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號完全是屬於該待測物而不包含該背景訊號，所以相對於傳統光譜儀而言，本發明的該光檢測裝置不僅提高該待測物在光譜中的訊雜比，本發明的該光檢測裝置甚至因為將該背景雜訊的頻域訊號捨棄以進行濾波，所以可以達到無背景雜訊的光譜。請再度參閱第5A圖及第5B圖，該光源控制器11的該微控制器111係可以與該數學分析模組M電性或訊號連接，以同步將該明滅頻率、該明滅頻率中開啟(點亮)該發光二極體的時間區間及該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間傳送給該數學分析模組M，以使得該微控制器111依據該明滅頻率、該明滅頻率中開啟(點亮)該發光二極體的時間區間及該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間以開或關與該微控制器111分別電性連接的複數個該發光二極體之時，該數學分析模組M能夠將該明滅頻率中開啟(點亮)該發光二極體的時間區間對應為該待測物光譜訊號，以及該數學分析模組M能夠將該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間對應為該背景雜訊。

特別說明的是，複數個該發光二極體呈現該明滅頻率的非連續發光的波形為方波、正弦波或負弦波。

另外，該數學分析模組M也可以對於前述經過濾波效果所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號進行處理，而將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號轉換為一濾波後待測物時域訊號及一濾波後待測物時域訊號圖，其中該濾波後待測物時域訊號之中只存在一濾波後待測物光譜訊號，而不存在該背景雜訊。例如，該數學分析模組M係包含將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號轉換為一濾波後待測物時域訊號的一頻域時域轉換單元M2(第5B圖)，該頻域時域轉換單元M2可以是用以將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號進行傅立葉反轉換(inverse Fourier Transform)為該濾波後待測物時域訊號的一傅立葉反轉換單元，轉換後的該濾波後待測物時域訊號及該濾波後待測物時域訊號圖請參見第6C圖。比較第6A圖及第6C圖可以顯然地看出，在第6C圖中該濾波後待測物時域訊號圖之中的該濾波後待測物時域訊號只存在該濾波後待測物光譜訊號而且呈現為方形波，而且該濾波後待測物時域訊號圖之中已經不存在任何該背景雜訊。換言之，在第6C圖中背景訊號為零，所以如果將該濾波後待測物光譜訊號的值除以背景訊號的值，所得到的訊雜比將呈現無限大；因此，本發明提高了試樣(待測物)檢測結果光譜圖中的訊雜比，可以達到測試精準的效果。特別說明的是，所述該數學分析模組M、該時域頻域轉換單元M1及該頻域時域轉換單元M2可以分別是軟體或硬體型態，或上述軟體或硬體型態的組合；該數學分析模組M、該時域頻域轉換單元M1及該頻域時域轉換單元M2彼此以電性或訊號連接。

[比較例與應用例的波長解析度測試]

比較例1是使用台灣超微光學公司所生產以鹵鎢燈為光源並以光柵得到1nm波長解析度的SE-2020-050-VNIR型號的傳統光譜儀，對表面塗佈有氧化鋅塗料的5cm長、5cm寬、0.2厚的片狀PVC(聚氯乙烯，Polyvinyl Chloride)板及表面塗佈有氧化鋅混合氧化鐵塗料的5cm長、5cm寬、0.2厚的片狀PVC板兩種不同物質進行氧化鋅塗料及氧化鋅混合氧化鐵塗料反射光譜訊號的檢測，然後依據取得之光譜影像資料，運用相似(差異)性處理分析技術，亦即光譜角度匹配(Spectral Angle Match 或Spectral Angle Mapping， 簡稱SAM) 處理分析技術，來進行氧化鋅及氧化鋅混合氧化鐵兩種不同物質的相似度分析，經SAM分析結果為96.00%(第7A圖)。

應用例1、2及3分別是使用第一、二及三實施例的光源及光檢測裝置，明滅頻率約為90.90次/秒、該明滅頻率中開啟(點亮)該發光二極體的時間區間為1毫秒(1ms)、該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間為10毫秒(10ms)及使用與前述台灣超微光學公司的SE-2020-050-VNIR型號相同的光偵測器，分別對塗佈有氧化鋅塗料的5cm長、5cm寬、0.2厚的片狀PVC板及塗佈有氧化鋅混合氧化鐵塗料的5cm長、5cm寬、0.2厚的片狀PVC板兩種不同物質進行氧化鋅塗料及氧化鋅混合氧化鐵塗料反射光譜訊號的檢測，然後依據取得之光譜影像資料，用SAM處理分析技術，來進行氧化鋅及氧化鋅混合氧化鐵兩種不同物質的相似度分析，經SAM分析結果分別為97.69%(第7B圖)、97.48%(第7C圖)及96.54%(第7D圖)，皆接近於比較例1傳統光譜儀的96.00%，因此第一、二及三實施例的光源及光檢測裝置的波長解析度的特性相近於傳統光譜儀。所以，應用例1、2及3所使用第一、二及三實施例的光源及光檢測裝置在波長解析度的特性，能夠取代傳統光譜儀在波長解析度的特性。

因此，依據前述該光源12及該成像裝置，請參閱第8圖，本發明提供一種發光方法，依序包含以下一提供發光元件步驟S01及一發光步驟S02。

該提供發光元件步驟S01：提供複數個各放射具有至少一發光峰值波長及至少一波長範圍之光的發光元件，相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光元件之該等波長範圍部份重疊以形成較該等發光元件中之各者之該波長範圍寬之一連續波長範圍，或者相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光元件之該等波長範圍不重疊；相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為大於或等於0.5nm，各該發光峰值波長所對應的波長半高寬為大於0nm且小於或等於60nm。該發光元件可以為發光二極體、垂直共振腔面射型雷射或雷射二極體。較佳地相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為介於1nm至80nm之間，更佳地相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為介於5nm至80nm之間。較佳地各該發光峰值波長所對應的波長半高寬為介於15nm至50nm之間，更佳地各該發光峰值波長所對應的波長半高寬為介於15nm至40nm之間。

該發光步驟S02：分別控制並使得複數個該發光元件分別呈現一明滅頻率的非連續發光，該明滅頻率是介於0.05次/秒至50000次/秒之間，該明滅頻率中開啟該發光元件的時間區間為介於0.00001秒至10秒之間，該明滅頻率中關閉該發光元件的時間區間為介於0.00001秒至10秒之間。較佳地，該明滅頻率是介於0.5次/秒至50000次/秒之間；更佳地，該明滅頻率是介於5次/秒至50000次/秒之間。

又依據前述該光源12、該成像裝置及該發光方法，請一併參閱第9圖，本發明提供一種光譜檢測方法，除了依序包含該發光方法的該提供發光元件步驟S01及該發光步驟S02之外，該光譜檢測方法在該發光步驟S02之後還接續依序包含了一濾波步驟S03及一反轉換步驟S04。

該濾波步驟S03：接收一待測物光譜訊號及一背景雜訊，該明滅頻率中開啟(點亮)該發光元件的時間區間，所接收到的訊號為該待測物光譜訊號與該背景雜訊的結合，該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光元件的時間區間，所接收到的訊號為該背景雜訊(或稱為背景噪音)，該待測物光譜訊號及該背景雜訊構成一待測物時域(time domain)訊號，將該待測物時域訊號進行傅立葉轉換(Fourier transform)為一待測物頻域訊號，該待測物頻域訊號係被區分為該待測物光譜訊號的頻域訊號及該背景雜訊的頻域訊號，接著將該背景雜訊的頻域訊號捨棄並留下該待測物光譜訊號的頻域訊號，以達到濾波效果。

該反轉換步驟S04：將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號進行傅立葉反轉換(inverse Fourier Transform)為一濾波後待測物時域訊號。

[訊雜比測試]

應用例4是使用第三實施例的光源及光檢測裝置，明滅頻率約為100次/秒、該明滅頻率中開啟(點亮)該發光二極體的時間區間為5毫秒(5ms)、該明滅頻率中關閉(熄滅)該發光二極體的時間區間為5毫秒(5ms)，所以該明滅頻率的週期為10毫秒(10ms)，以及使用與前述台灣超微光學公司的SE-2020-050-VNIR型號相同的光偵測器，對塗佈有氧化鋅的5cm長、5cm寬、0.2厚的片狀PVC板依照前述該光譜檢測方法進行反射光譜訊號的檢測。該待測物光譜訊號及該背景雜訊所構成的該待測物時域訊號及該待測物時域訊號圖，如第6A圖，其中複數個該發光二極體呈現該明滅頻率的非連續發光的波形為方波。接著該待測物時域訊號經過該濾波步驟S03的傅立葉轉換為該待測物頻域訊號及該待測物頻域訊號圖，如第6B圖；其中，該待測物頻域訊號係很容易被區分為該待測物光譜訊號的頻域訊號及該背景雜訊的頻域訊號，例如該明滅頻率的週期為10ms，因此對應頻率為100Hz，所以在第6B圖中頻率大於或等於100Hz的頻域訊號即為該待測物光譜訊號的頻域訊號，而位於0Hz的頻域訊號或小於100Hz的頻域訊號，即為該背景雜訊的頻域訊號，該濾波步驟S03並將該背景雜訊的頻域訊號捨棄並留下該待測物光譜訊號的頻域訊號。接著該反轉換步驟S04將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號進行傅立葉反轉換為該濾波後待測物時域訊號(第6C圖中的不連續方波)及該濾波後待測物時域訊號圖，如第6C圖。顯然地在第6C圖中並未出現背景訊號(或者背景訊號可以視為零)，所以訊雜比將呈現無限大，因此達到測試精準的效果。

另外，特別說明的是，為了對整個待測物表面組成或內部組成的更進一步的精準量測，該成像裝置的該光源12係與該待測物A能夠相對轉動。為了更精確地量測該待測物A，因此於實際運用時，該光源12與該待測物A係能夠形成複數個相對位置，於每一個該相對位置可以依據實際需求而同時將複數個該發光二極體開或關，或者依選擇地只將一個或部分的該發光二極體開或關，或者將複數個該發光二極體依序開或關，或者將上述方式的任一種以該明滅頻率方式開或關，該擷取模組13將所接收的該光線轉換成該相對位置的該影像訊號及/或該待測物光譜訊號並將該相對位置的該影像訊號及/或該待測物光譜訊號傳送至該計算器14。該計算器14係將複數個該相對位置的該影像訊號及/或該待測物光譜訊號進行計算平均值，以作為前述之該影像訊號及/或該待測物光譜訊號。如此，就不會有因為該待測物A的複數個區域係存在些微不同的成分，或者因為該光源12的複數個該發光元件分別與該待測物A的距離不相同，而所導致該影像訊號及/或該待測物光譜訊號失真的問題。

由上述之說明可知，本發明與現有技術與產品相較之下，本發明所提供的光源、發光方法、光檢測裝置、光譜檢測方法及發光修正方法，對於試樣的解析結果接近於使用傳統鹵鎢燈光譜儀的高解析結果，而且同時提高了試樣檢測結果光譜圖中的訊雜比，確實能夠達到測試精準的效果。

綜上所述，本發明之成像裝置、手持式成像裝置及成像方法，的確能達到所預期之使用功效，且本創作亦未曾公開於申請前，誠已完全符合專利法之規定與要求。爰依法提出發明專利之申請，懇請惠予審查，並賜准專利，則實感德便。

惟，上述所揭之圖示及說明，僅為本創作之較佳實施例，非為限定本創作之保護範圍；大凡熟悉該項技藝之人士，其所依本創作之特徵範疇，所作之其它等效變化或修飾，皆應視為不脫離本創作之設計範疇。

11：光源控制器 111：微控制器 112：時脈產生器 12：光源 12S：次光源組 120：電路板 1202：波長轉換層 1203：波長轉換區域 121：第一發光二極體 1211：第四發光二極體 122：第二發光二極體 1221：第五發光二極體 123：第三發光二極體 13：擷取模組 131：影像擷取器 132：光偵測器 14：計算器 A：待測物 AS：載台 C：中心點 D：發光晶粒 M：數學分析模組 M1：時域頻域轉換單元 M2：頻域時域轉換單元 N：法線 P：次光源分佈範圍 R：環狀排列 S01：提供發光元件步驟 S02：發光步驟 S03 ：濾波步驟 S04 ：反轉換步驟 X：交叉點 Y：夾角 Z：錐體 100：手持式成像裝置

第1A圖是本發明成像裝置第一實施例的實施方式示意圖(一)。 第1B圖是本發明成像裝置第一實施例的次光源組分布示意圖。 第1C圖是本發明手持式成像裝置的示意圖。 第1D圖是本發明成像裝置的次光源組在同一曲面上之示意圖。 第1E圖是本發明成像裝置的次光源組分佈在不同平面上之示意圖。 第1F圖是本發明成像裝置的次光源組分佈在不同曲面上之示意圖。 第2圖是本發明第一實施例的發光二極體的放射光譜圖。 第3圖是本發明第二實施例的發光二極體的放射光譜圖。 第4圖是本發明第三實施例的發光二極體的放射光譜圖。 第5A圖是本發明成像裝置的實施方式示意圖(二)。 第5B圖是本發明成像裝置的實施方式示意圖(三)。 第6A圖是本發明光檢測裝置所測得的待測物時域訊號圖。 第6B圖是本發明光檢測裝置將待測物時域訊號進行傅立葉轉換後的待測物頻域訊號圖。 第6C圖是本發明光檢測裝置將經過濾波效果後所留下的待測物光譜訊號的頻域訊號進行傅立葉反轉換後的濾波後待測物時域訊號圖。 第7A圖是比較例1使用傳統光譜儀所測得的氧化鋅及氧化鋅混合氧化鐵反射光譜圖。 第7B圖是應用例1使用本發明光檢測裝置所測得的氧化鋅及氧化鋅混合氧化鐵反射光譜圖。 第7C圖是應用例2使用本發明光檢測裝置所測得的氧化鋅及氧化鋅混合氧化鐵反射光譜圖。 第7D圖是應用例3使用本發明光檢測裝置所測得的氧化鋅及氧化鋅混合氧化鐵反射光譜圖。 第8圖是本發明發光方法的步驟流程圖。 第9圖是本發明光譜檢測方法的步驟流程圖。

11：光源控制器 111：微控制器 112：時脈產生器 12：光源 12S：次光源組 13：擷取模組 131：影像擷取器 132：光偵測器 14：計算器 A：待測物 AS：載台 N：法線 X：交叉點 Y：夾角 Z：錐體

Claims (8)

1. 一種成像裝置，至少包含：一光源控制器(11)、一光源(12)、一或複數個擷取模組(13)及一計算器(14)；其中，該光源控制器(11)與該光源(12)電性連接，該擷取模組(13)與該計算器(14)電性連接；該光源(12)至少包含複數個次光源組(12S)，每一個該次光源組(12S)包含複數個各放射具有至少一發光峰值波長及至少一波長範圍之光的發光元件，複數個該次光源組(12S)及/或複數個該發光元件係與該光源(12)的一電路板(120)電性連接，複數個該次光源組(12S)係呈一不規則狀排列或一規則狀排列；複數個該次光源組(12S)所圍成的一次光源分佈範圍(P)內具有一法線(N)，該擷取模組(13)係設置於該次光源分佈範圍(P)內與該法線(N)的一交叉點(X)為頂點且側面與該法線(N)的一夾角(Y)所形成的一錐體(Z)的範圍內；該規則狀排列是一環狀排列(R)，該環狀排列(R)是圓環狀排列或多邊形環狀排列；相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光元件之該等波長範圍部份重疊以形成較該等發光元件中之各者之該波長範圍寬之一連續波長範圍，或者相鄰的二個該發光峰值波長所對應的二個該發光元件之該等波長範圍不重疊；相鄰的二個該發光峰值波長彼此相差為大於或等於0.5nm，各該發光峰值波長所對應的波長半高寬為大於0nm且小於或等於60nm；複數個該次光源組(12S)中的複數個該發光元件係依序發光，前述依序發光係指於不同位置的複數個該次光源組(12S)中放射相同該波長範圍之光的複數個該發光元件係不同時發光；或者，複數個該次光源組(12S)中的複數個該發光元件係部分同時發光，前述部分同時發光指的是將複數個該次光源組(12S)中的複數個該發光元件，使其中一部分同時發光而同時放射不同該波長範圍之光；複數個該發光元件能夠分別呈現一明滅頻率的非連續發光，複數個該明滅頻率可以是彼此相同或彼 此不同，或者複數個該明滅頻率可以是部分相同或部分不同；該擷取模組(13)在任一該發光元件發光時才開啟而運作，而在任一該發光元件不發光時就關閉而不運作；該擷取模組(13)係以一運作頻率進行非連續運作，該發光元件的該明滅頻率與該擷取模組(13)的該運作頻率係為相同；該擷取模組(13)至少包含一影像擷取器(131)及/或一光偵測器(132)，一數學分析模組(M)係設置於該光偵測器(132)或該計算器(14)，該數學分析模組(M)係與該光偵測器(132)電性或訊號連接，或該數學分析模組(M)係與該計算器(14)電性或訊號連接，而所述該數學分析模組(M)是軟體或硬體型態，該光偵測器(132)所收集到的訊號係被傳送到該數學分析模組(M)；該明滅頻率中開啟該發光元件的時間區間，該光偵測器(132)所接收到的訊號為一待測物光譜訊號與一背景雜訊的結合；該明滅頻率中關閉該發光元件的時間區間，該光偵測器(132)所接收到的訊號為該背景雜訊；該待測物光譜訊號及該背景雜訊構成一待測物時域訊號，該數學分析模組(M)係包含將該待測物時域訊號轉換為一待測物頻域訊號的一時域頻域轉換單元(M1)。
2. 如請求項1所述之成像裝置，其中，該擷取模組(13)係設置於該環狀排列(R)的一中心點(C)的該法線(N)上，該交叉點(X)為該中心點(C)，該中心點(C)與各該次光源組(12S)係為等距離。
3. 如請求項1所述之成像裝置，其中，該時域頻域轉換單元(M1)是用以將該待測物時域訊號進行傅立葉轉換為該待測物頻域訊號的一傅立葉轉換單元。
4. 如請求項3所述之成像裝置，其中，該待測物頻域訊號係包含該待測物光譜訊號的頻域訊號及該背景雜訊的頻域訊號，該數學分析模組(M)係能夠將該背景雜訊的頻域訊號捨棄並留下該待測物光譜訊號的頻域訊號，該數 學分析模組(M)係包含將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號轉換為一濾波後待測物時域訊號的一頻域時域轉換單元(M2)。
5. 如請求項4所述之成像裝置，其中，該頻域時域轉換單元(M2)是能夠將前述所留下的該待測物光譜訊號的頻域訊號進行傅立葉反轉換為該濾波後待測物時域訊號的一傅立葉反轉換單元。
6. 如請求項1項所述之成像裝置，其中，複數個該次光源組(12S)係在同一平面、不同平面、同一曲面或不同曲面上呈該不規則狀排列或該規則狀排列。
7. 一種手持式成像裝置，至少包含：一如請求項1所述之成像裝置，該手持式成像裝置(100)的正面為一螢幕，該手持式成像裝置(100)的正面或背面的一部份則設有複數個該次光源組(12S)及該擷取模組(13)的一影像擷取器(131)。
8. 如請求項7項所述之手持式成像裝置，其中，該手持式成像裝置(100)為一手機或平板電腦。

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