TWI763016B - 疊構結構之製備方法、疊構結構及觸控感應器 - Google Patents
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Abstract
一種疊構結構之製備方法，包含：提供一基材；於該基材上方設置一金屬層及一奈米銀線層；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層印製於該金屬層或該奈米銀線層的表面，以使該抗蝕刻層部分覆蓋該金屬層或該奈米銀線層；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該金屬層及該奈米銀線層中未被該抗蝕刻層覆蓋之部分及其下方之金屬層或奈米銀線層，藉此使該金屬層包含：金屬導線；一金屬網格；及一金屬板；以及去除該抗蝕刻層。一種疊構結構，包含：一基材；一金屬層；以及一奈米銀線層。上述疊構結構之製備方法及疊構結構可應用於觸控感應器。
Description
本發明係關於一種疊構結構之製備方法，尤指一種應用柔版印刷技術之疊構結構之製備方法。本發明亦關於一種疊構結構，尤指一種包含具有金屬網格及金屬板之金屬層的疊構結構。本發明亦關於一種觸控感應器，尤指一種包含上述疊構結構的觸控感應器。
包含奈米銀線及金屬層之疊構結構可應用於觸控感測器中。先前技術之疊構結構之製備方法係透過黃光顯影搭配銅及奈米銀的一次性蝕刻製程，以定義走線區域TA與可視區域VA。應用上述之疊構結構的製備方法所形成之先前技術之疊構結構係如圖1、圖2及圖3所示。參照圖1及圖2，先前技術之疊構結構10，包含：一基材11；一金屬層13，其係設置於該基材11之上，其中該金屬層13包含金屬片材131及金屬導線132；以及一奈米銀線層14，其係設置於該金屬層13之上。此外，在圖3所示之先前技術之疊構結構之另一實施例中，先前技術之疊構結構10，進一步包含：一觸媒層12，其係設置於該基材11與該金屬層13之間。先前技術之疊構結構係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線132；一第一搭接區域15，其係包括該金屬片材131中較為鄰近該金屬導線132之區域；一第二搭接區域16，其係包括該金屬片材131中較為遠離該金
屬導線132之區域；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬片材131之一側之由該奈米銀線層14所覆蓋且未被該金屬片材131所覆蓋之區域。
先前技術之疊構結構之製備方法所形成之疊構結構中，第一搭接區域15與第二搭接區域16均為整面實心的銅所構成，其製程較為繁瑣及昂貴。因此，有必要提供新穎之疊構結構之製備方法、疊構結構及觸控感應器。
為改善先前技術之疊構結構之製備方法製程較為繁瑣及昂貴的問題，本發明係提供新穎之疊構結構之製備方法、疊構結構及觸控感應器。
為達上述目的及其他目的，本發明係提供一種疊構結構之製備方法，包含：提供一基材；於該基材上方設置一金屬層及一奈米銀線層；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層印製於該金屬層或該奈米銀線層的表面，以使該抗蝕刻層部分覆蓋該金屬層或該奈米銀線層，其中該抗蝕刻層包含：一導線圖案；一網格圖案，其係與該導線圖案連接；及一覆蓋區域，其係覆蓋該金屬層或該奈米銀線層，且與該網格圖案連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該金屬層或該奈米銀線層中未被該抗蝕刻層覆蓋之部分及其下方之金屬層或奈米銀線層，藉此使該金屬層包含：
金屬導線，其係對應該抗蝕刻層之導線圖案；一金屬網格，其係對應該抗蝕刻層之網格圖案，且與該金屬導線連接；及一金屬板，其係對應該抗蝕刻層之覆蓋區域，且與該金屬網格連接；以及去除該抗蝕刻層。
上述之製備方法，其中，該奈米銀線層可設置於該金屬層之上方，且該抗蝕刻層可印製於該奈米銀線層的表面。
上述之製備方法，其中，於金屬層可應用化學鍍技術設置。
上述之製備方法，其中，該金屬層可設置於該奈米銀線層之上方，且該抗蝕刻層可印製於該金屬層的表面。
上述之製備方法，其中，該金屬層之材料可選自由銅、銅-鎳合金、銅-鉛合金、銀、銀-鎳合金及銀-鉛合金所組成之群組。
上述之製備方法，其中，該基材之材料可選自由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、環烯烴共聚物(Cyclic olefin copolymer,COP)、無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide,CPI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)及聚醚碸(Polyethersulfone,PES)所組成之群組。
為達上述目的及其他目的，本發明亦提供一種疊構結構，包含：一基材；一金屬層，其係設置於該基材之上，其中該金屬層包含：
金屬導線；一金屬網格，其係與該金屬導線連接；及一金屬板，其係與該金屬網格連接；以及一奈米銀線層，其係設置於該基材之上，其中該奈米銀線層係至少部分與該金屬層重疊。
上述之疊構結構，其中，該奈米銀線層可設置於該金屬層之上方。
上述之疊構結構，可進一步包含：一觸媒層，其係設置於該金屬層之下。
上述之疊構結構，其中，該金屬層可設置於該奈米銀線層之上方。
上述之疊構結構，其中，該金屬層之材料可選自由銅、銅-鎳合金、銅-鉛合金、銀、銀-鎳合金及銀-鉛合金所組成之群組。
上述之疊構結構，其中，該基材之材料可選自由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、環烯烴共聚物(Cyclic olefin copolymer,COP)、無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide,CPI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)及聚醚碸(Polyethersulfone,PES)所組成之群組。
上述之疊構結構，其中，該疊構結構可包含：一走線區域，其係包括該金屬導線；一第一搭接區域，其係包括該金屬網格；一第二搭接區域，其係包括該金屬板；一可視區域，其係包括鄰近該金屬板之一側之由該奈
米銀線層所覆蓋且未被該金屬板所覆蓋之區域，其中，於該走線區域、該第一搭接區域及該第二搭接區域中，該奈米銀線層可具有對應該金屬層之圖案。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度可小於500μm，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值可介於0.05~20之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度可介於0.5mm~1.0mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值可介於0.03~35之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度可介於1.0mm~1.5mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值可介於0.02~50之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度可介於1.5mm~2.5mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值可介於0.01~100之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例可為2：1，且該金屬層可包含1~50條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值可介於0.05~20之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例可為1：1，且該金屬層可包含10~100條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值可介於0.03~35之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例可為3：1，且該金屬層可包含1~50條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值可介於0.02~50之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域中之金屬網格之節距可為該金屬導線之節距的0.1~10倍，且該第一搭接區域中之金屬網格之線寬可為該金屬導線之線寬的0.1~5倍。
上述之疊構結構，其中，該金屬導線之節距可為20μm、線寬可為10μm且線距可為10μm，且該第一搭接區域中之金屬網格之節距可介於2μm~200μm之間、線寬可介於約2μm~50μm之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域中之金屬網格之線寬/線距可為5μm/5μm、10μm/5μm、15μm/5μm、20μm/5μm、40μm/5μm、50μm/5μm、50μm/150μm、40μm/150μm、30μm/150μm或20μm/150μm。
上述之疊構結構，其中，該金屬導線之節距可為40μm、線寬可為20μm且線距可為20μm，且該第一搭接區域中之金屬網格之節距可介於4μm~400μm之間、線寬可介於約4μm~100μm之間。
上述之疊構結構，其中，該第一搭接區域中之金屬網格之線寬/線距可為20μm/5μm、40μm/5μm、80μm/5μm、100μm/5μm、20μm/80μm、40μm/60μm、100μm/200μm或100μm/300μm。
上述之疊構結構，其中，該金屬導線之線寬可介於3μm~30μm之間且線距可介於3μm~30μm之間。
上述之疊構結構，其中，可進一步包含：一接合墊，其係設置於該基材之上，包括：
一接合金屬層，其係設置於該基材之上，其中該接合金屬層包含：一接合金屬網格；及一接合金屬板，其係與該接合金屬網格連接；以及一接合奈米銀線層，其係設置於該基材之上。
為達上述目的及其他目的，本發明亦提供一種觸控感測器，包含：如上所述之疊構結構；以及一覆蓋層，其係設置於如上所述之疊構結構中的金屬層或奈米銀線層之上。
上述之觸控感測器，可進一步包含：一第二金屬層，其係設置於如上所述之疊構結構中的基材之下，其中該第二金屬層包含：一第二金屬導線；一第二金屬網格，其係與該第二金屬導線連接；及一第二金屬板，其係與該第二金屬網格連接；一第二奈米銀線層，其係設置於該基材之下，其中該第二奈米銀線層係至少部分與該第二金屬層重疊；以及一第二覆蓋層，其係設置於該第二金屬層及該第二奈米銀線層之下。
本發明之疊構結構之製備方法可可有效定義出具有不同圖案設計之第一搭接區域與第二搭接區域，以構成一個具差異化的特殊疊構設計，且
可免除曝光顯影製程，解決雙面曝光問題，減少廢水處理並降低成本提高效能。
本發明之疊構結構及包含該疊構結構之觸控感應器可減少金屬原料之消耗，以降低疊構結構及包含該疊構結構之觸控感應器之製備成本。
1:疊構結構之製備方法
2:供墨器
3:網紋輥
4:刮刀
5:印版滾筒
6:柔版
7:印刷物
10:疊構結構
11:基材
12:觸媒層
13:金屬層
131:金屬片材
132:金屬導線
14:奈米銀線層
15:第一搭接區域
16:第二搭接區域
20:疊構結構
21:基材
22:金屬層
221:金屬導線
222:金屬網格
223:金屬板
23:奈米銀線層
25:第一搭接區域
26:第二搭接區域
30:疊構結構
31:基材
32:金屬層
32':接合金屬層
321:金屬導線
322:金屬網格
322':接合金屬網格
323:金屬板
323':接合金屬板
33:奈米銀線層
33':接合奈米銀線層
333:觸媒層
35:第一搭接區域
36:第二搭接區域
39:接合墊
40:疊構結構
41:基材
42:金屬層
421:金屬導線
422:金屬網格
423:金屬板
43:奈米銀線層
45:第一搭接區域
46:第二搭接區域
50:疊構結構
50':觸控感測器
51:基材
52:金屬層
521:金屬導線
522:金屬網格
523:金屬板
53:奈米銀線層
54:抗蝕刻層
541:導線圖案
542:網格圖案
543:覆蓋區域
55:第一搭接區域
56:第二搭接區域
57:覆蓋層
60:疊構結構
61:基材
62:金屬層
62':第二金屬層
621:金屬導線
621':第二金屬導線
622:金屬網格
622':第二金屬網格
623:金屬板
623':第二金屬板
63:奈米銀線層
63':第二奈米銀線層
64:抗蝕刻層
64':第二抗蝕刻層
65:第一搭接區域
66:第二搭接區域
67:覆蓋層
67':第二覆蓋層
70:疊構結構
70':觸控感測器
71:基材
72:金屬層
721:金屬導線
722:金屬網格
723:金屬板
73:奈米銀線層
733:觸媒層
74:抗蝕刻層
741:導線圖案
742:網格圖案
743:覆蓋區域
75:第一搭接區域
76:第二搭接區域
77:覆蓋層
80:疊構結構
81:基材
82:金屬層
82':第二金屬層
821:金屬導線
821':第二金屬導線
822:金屬網格
822':第二金屬網格
823:金屬板
823':第二金屬板
83:奈米銀線層
83':第二奈米銀線層
833:觸媒層
833':第二觸媒層
84:抗蝕刻層
84':第二抗蝕刻層
85:第一搭接區域
86:第二搭接區域
87:覆蓋層
87':第二覆蓋層
90:疊構結構
90':觸控感測器
91:基材
92:金屬層
921:金屬導線
922:金屬網格
923:金屬板
93:奈米銀線層
94:抗蝕刻層
941:導線圖案
942:網格圖案
943:覆蓋區域
95:第一搭接區域
96:第二搭接區域
97:覆蓋層
100:疊構結構
101:基材
102:金屬層
102':第二金屬層
1021:金屬導線
1021':第二金屬導線
1022:金屬網格
1022':第二金屬網格
1023:金屬板
1023':第二金屬板
103:奈米銀線層
103':第二奈米銀線層
104:抗蝕刻層
104':第二抗蝕刻層
105:第一搭接區域
106:第二搭接區域
107:覆蓋層
107':第二覆蓋層
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
TA:走線區域
VA:可視區域
A-A:截面
B-B:截面
C-C:截面
D:局部
E:局部
F:局部
G:局部
H:局部
I:局部
〔圖1〕係為先前技術之疊構結構的示意圖。
〔圖2〕係為先前技術之疊構結構的剖面示意圖。
〔圖3〕係為先前技術之疊構結構之另一實施方式的剖面示意圖。
〔圖4〕係為本發明之疊構結構之製備方法的流程圖。
〔圖5〕係為示例性柔版印刷技術之示意圖。
〔圖6〕係為本發明實施例2之疊構結構之示意圖。
〔圖7〕係為本發明實施例2之疊構結構之沿A-A截面之剖面示意圖。
〔圖8〕係為本發明實施例2之疊構結構之沿B-B截面之剖面示意圖。
〔圖9〕係為本發明實施例3之疊構結構之示意圖。
〔圖10〕係為本發明實施例3之疊構結構之沿A-A截面之剖面示意圖。
〔圖11〕係為本發明實施例3之疊構結構之沿B-B截面之剖面示意圖。
〔圖12〕係為本發明實施例3之疊構結構之沿C-C截面之剖面示意圖。
〔圖13〕係為本發明實施例4之觸控感測器之示意圖。
〔圖14〕係為本發明實施例4之疊構結構之沿A-A截面之剖面示意圖。
〔圖15〕係為本發明實施例4之疊構結構之沿B-B截面之剖面示意圖。
〔圖16〕係為本發明實施例5之觸控感測器及其製備流程之示意圖。
〔圖17〕係為本發明實施例6之觸控感測器及其製備流程之示意圖。
〔圖18〕係為本發明實施例7之觸控感測器及其製備流程之示意圖。
〔圖19〕係為本發明實施例8之觸控感測器及其製備流程之示意圖。
〔圖20〕係為本發明實施例9之觸控感測器及其製備流程之示意圖。
〔圖21〕係為本發明實施例10之觸控感測器及其製備流程之示意圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容瞭解本發明之其他優點與功效。本發明也可藉由其他不同的具體實施例加以實施或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。
除非文中另有說明，否則說明書及所附申請專利範圍中所使用之單數形式「一」及「該」包括複數含義。
除非文中另有說明，否則說明書及所附申請專利範圍中所使用之術語「或」包括「及/或」之含義。
本文中所述之第一搭接區域及第二搭接區域之「寬度」係指第一搭接區域及第二搭接區域在如圖8所示之A-A截面上之寬度。
本文中所述之「節距(Pitch)」係指金屬導線之中心軸線與相鄰之另一金屬導線之中心軸線之間的最短距離，或是金屬網格中之金屬線條之中心軸線與相鄰之另一金屬線條之中心軸線之間的最短距離。
本文中所述之「線距」係指金屬導線之邊緣與相鄰之另一金屬導線之邊緣之間的最短距離，或是金屬網格中之金屬線條之邊緣與相鄰之另一金屬線條之邊緣之間的最短距離。
實施例1
圖4係為本發明實施例1之疊構結構之製備方法的流程圖。如圖4所示，本發明實施例1之疊構結構之製備方法1，包含：提供一基材S1；於該基材上方設置一金屬層及一奈米銀線層S2；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層印製於該金屬層或該奈米銀線層的表面，以使該抗蝕刻層部分覆蓋該金屬層或該奈米銀線層，其中該抗蝕刻層包含：一導線圖案；一網格圖案，其係與該導線圖案連接；及一覆蓋區域，其係覆蓋該金屬層或該奈米銀線層，且與該網格圖案連接S3；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該金屬層或該奈米銀線層中未被該抗蝕刻層覆蓋之部分及其下方之金屬層或奈米銀線層，藉此使該金屬層包含：金屬導線，其係對應該抗蝕刻層之導線圖案；一金屬網格，其係對應該抗蝕刻層之網格圖案，且與該金屬導線連接；及一金屬板，其係對應該抗蝕刻層之覆蓋區域，且與該金屬網格連接S4；以及去除該抗蝕刻層S5。
本實施例之製備方法之步驟S1中所使用之基材之材料並未特別限定，舉例來說，合適之材料包含但不限於聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、環烯烴共聚物(Cyclic olefin copolymer,COP)、無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide,CPI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)及聚醚碸(Polyethersulfone,PES)。
本實施例之製備方法之步驟S2中係應用習知之技術，將一金屬層及一奈米銀線層設置於該基材上方。舉例來說，可應用化學鍍技術、濺鍍技
術或黃光微影技術將該金屬層設置於該基材上方。舉例來說，可使用塗佈的方式將該奈米銀線層設置於該基材上方，將該金屬層及該奈米銀線層之相對位置並未特別限定，在一實施方式中，該奈米銀線層係設置於該金屬層之上方；而在另一實施方式中，該金屬層係設置於該奈米銀線層之上方。該金屬層的組成成分並未特別限定，只要能提供適當之導電性即可。舉例來說，該金屬層之材料可為銅、銅-鎳合金、銅-鉛合金、銀、銀-鎳合金及/或銀-鉛合金，但本發明並不限於此。
本實施例之製備方法之步驟S3中係應用習知之柔版印刷技術，將一抗蝕刻層印製於該金屬層或該奈米銀線層之上。步驟S3中該抗蝕刻層之材料並未特別限定，只要能在後續之步驟S4中確保該金屬層或該奈米銀線層中被該抗蝕刻層覆蓋之部分不被蝕刻液蝕刻即可。
本實施例之製備方法之步驟S4中係應用習知之蝕刻技術，以蝕刻液去除該金屬層或該奈米銀線層中未被該抗蝕刻層覆蓋之部分及其下方之金屬層或奈米銀線層。步驟S4中所使用之蝕刻液並未特別限定，只要能一次性或分批次的兩次蝕刻地去除該金屬層或該奈米銀線層中未被該抗蝕刻層覆蓋之部分及其下方之金屬層或奈米銀線層即可。
本實施例之製備方法之步驟S3中所印製之抗蝕刻層包含：一導線圖案；一網格圖案，其係與該導線圖案連接；及一覆蓋區域，其係覆蓋該金屬層或該奈米銀線層，且與該網格圖案連接，藉此使後續之步驟S4中使該金屬層在蝕刻後包含：金屬導線，其係對應該抗蝕刻層之導線圖案；一金屬網格，其係對應該抗蝕刻層之網格圖案，且與該金屬導線連接；及一金屬板，其係對應該抗蝕刻層之覆蓋區域，且與該金屬網格連接。藉由上述技術手段，本實施
例之製備方法所製成之疊構結構可具有如下列實施例2、實施例3或實施例4中所述之結構，使其可應用於觸控感測器中。
圖5係示例性地說明本實施例之製備方法之步驟S3中所應用之柔版印刷技術，但本發明並不限於此。如圖5所示，示例性之柔版印刷技術係應用供墨器2將墨水滴加於網紋輥(Anilox roller)3上，隨後藉由刮刀(doctor blade)4刮除網紋輥3上多餘的墨水。接著，網紋輥3上的墨水被轉移至印版滾筒(Plate cylinder)5上的柔版(Flexo plate)6上。最後，柔版6上的墨水被轉移至印刷物7上，以將所需之圖案印製於印刷物7上。
實施例2
圖6、圖7及圖8係為本發明實施例2之疊構結構之示意圖。如圖6、圖7及圖8所示，本實施例之疊構結構20，包含：一基材21(圖6中未示)；一金屬層22，其係設置於該基材21之上，其中該金屬層22包含：金屬導線221；一金屬網格222，其係與該金屬導線221連接；及一金屬板223，其係與該金屬網格222連接；以及一奈米銀線層23，其係設置於該基材21之上，其中該奈米銀線層23係至少部分與該金屬層22重疊。
本實施例之疊構結構20係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線221；一第一搭接區域25，其係包括該金屬網格222；一第二搭接區域26，其係包括該金屬板223；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板223之一側之由該奈米銀線層23所覆蓋且未被該金屬板223所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域25及該第二搭接區域26中，該奈米銀線層23係具有對應該金屬層22之圖案。
本實施例之疊構結構20中奈米銀線層23係位於金屬層22之上，但本發明並不限於此，於另一實施方式中，金屬層可係於奈米銀線層之上。亦即，本發明之疊構結構中之金屬層及奈米銀線層之相對位置可相互調換。
本實施例之疊構結構中之基材之材料並未特別限定，舉例來說，合適之材料包含但不限於聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、環烯烴共聚物(Cyclic olefin copolymer,COP)、無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide,CPI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)及聚醚碸(Polyethersulfone,PES)。
本實施例之疊構結構中之金屬層的組成成分並未特別限定，只要能提供適當之導電性即可。舉例來說，該金屬層之材料可為銅、銅-鎳合金、銅-鉛合金、銀、銀-鎳合金及/或銀-鉛合金，但本發明並不限於此。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係小於500μm，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.05~20之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係介於0.5mm~1.0mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.03~35之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係介於1.0mm~1.5mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.02~50之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係介於1.5mm~2.5mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.01~100之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例係為2：1，且該金屬層係包含1~50條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.05~20之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例係為1：1，且該金屬層係包含10~100條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.03~35之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例係為3：1，且該金屬層係包含1~50條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.02~50之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域中之金屬網格之節距係為該金屬導線之節距的0.1~10倍，且該第一搭接區域中之金屬網格之線寬係為該金屬導線之線寬的0.1~5倍。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該金屬導線之節距為20μm、線寬為10μm且線距為10μm，且該第一搭接區域中之金屬網格之節距係介於2μm~200μm之間、線寬係介於約2μm~50μm之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域中之金屬網格之線寬/線距係為5μm/5μm、10μm/5μm、15μm/5μm、20μm/5μm、40μm/5μm、50μm/5μm、50μm/150μm、40μm/150μm、30μm/150μm或20μm/150μm。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該金屬導線之節距為40μm、線寬為20μm且線距為20μm，且該第一搭接區域中之金屬網格之節距係介於4μm~400μm之間、線寬係介於約4μm~100μm之間。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該第一搭接區域中之金屬網格之線寬/線距係為20μm/5μm、40μm/5μm、80μm/5μm、100μm/5μm、20μm/80μm、40μm/60μm、100μm/200μm或100μm/300μm。
在一較佳實施方式中，本實施例之疊構結構中該金屬導線之線寬係介於3μm~30μm之間且線距係介於3μm~30μm之間。
上述較佳實施方式中，將第一搭接區域與第二搭接區域的總寬度控制在特定之範圍可進一步提升包含該疊構結構之觸控感測器的可靠性，但本發明並不限於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可根據該疊構結構之尺寸進行適當之調整。
上述較佳實施方式中，將第一搭接區域與第二搭接區域的總寬度與走線區域之寬度之間的比例控制在特定之範圍可進一步提升包含該疊構結構之觸控感測器的可靠性，但本發明並不限於此，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可根據該疊構結構之尺寸進行適當之調整。
舉例來說，本實施例之疊構結構可藉由如實施例1所述之製備方法製備，但本發明並不限於此。
實施例3
圖9、圖10、圖11及圖12係為本發明實施例3之疊構結構之示意圖。如圖9、圖10、圖11及圖12所示，本實施例之疊構結構30，包含：一基材31(圖9中未示)；一金屬層32，其係設置於該基材31之上，其中該金屬層32包含：金屬導線321；一金屬網格322，其係與該金屬導線321連接；及一金屬板323，其係與該金屬網格322連接；以及一奈米銀線層33，其係設置於該基材31之上，其中該奈米銀線層33係至少部分與該金屬層32重疊。
本實施例之疊構結構30係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線321；一第一搭接區域35，其係包括該金屬網格322；一第二搭接區域36，其係包括該金屬板323；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板323之一側之由該奈米銀線層33所覆蓋且未被該金屬板323所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域35及該第二搭接區域36中，該奈米銀線層33係具有對應該金屬層32之圖案。
相較於實施例2，本實施例之疊構結構30進一步包含：一觸媒層333(圖9中未示)，其係設置於該金屬層32之下。
藉由本實施例之觸媒層333之設置，可應用化學鍍技術將金屬層32鍍覆於觸媒層333之上，藉此設置金屬層32。
相較於實施例2，本實施例之疊構結構30進一步包含：一接合墊39，其係設置於該基材31之上，包括：一接合金屬層32'，其係設置於該基材31之上，其中該接合金屬層32'包含：一接合金屬網格322'；及一接合金屬板323'，其係與該接合金屬網格322'連接；以及一接合奈米銀線層33'，其係設置於該基材31之上。
本實施例之接合墊可作為與外部電路連接之接點。
實施例4
圖13、圖14及圖15係為本發明實施例4之疊構結構之示意圖。如圖13、圖14及圖15所示，本實施例之疊構結構40，包含：一基材41(圖13中未示)；一金屬層42，其係設置於該基材41之上，其中該金屬層42包含：金屬導線421；一金屬網格422，其係與該金屬導線421連接；及一金屬板423，其係與該金屬網格422連接；以及一奈米銀線層43，其係設置於該基材41之上，其中該奈米銀線層43係至少部分與該金屬層42重疊。
本實施例之疊構結構40係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線421；一第一搭接區域45，其係包括該金屬網格422；一第二搭接區域46，其係包括該金屬板423；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板423之一側之由該奈米銀線層43所覆蓋且未被該金屬板423所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域45及該第二搭接區域46中，該奈米銀線層43係具有對應該金屬層42之圖案。
相較於實施例2，本實施例之疊構結構40中金屬層42係位於奈米銀線層43之上。
實施例5
圖16係為本發明實施例5之觸控感測器及其製備流程之示意圖，圖16中自上而下依序為：1.於基材51上方設置奈米銀線層53及金屬層52後之示意圖；2.於奈米銀線層53表面印製抗蝕刻層54後之示意圖；3.以蝕刻液去除奈米銀線層53中未被抗蝕刻層54覆蓋之部分及其下方之金屬層52後之局部D之示
意圖；以及4.於奈米銀線層53之上設置覆蓋層57後之局部D之示意圖。如圖16所示，本實施例之觸控感測器50'係具有如實施例2所述之疊構結構50。
本實施例之觸控感測器50'中的疊構結構50，包含：一基材51；一金屬層52，其係設置於該基材51之上，其中該金屬層52包含：金屬導線521；一金屬網格522，其係與該金屬導線521連接；及一金屬板523，其係與該金屬網格522連接；以及一奈米銀線層53，其係設置於該基材51之上，其中該奈米銀線層53係至少部分與該金屬層52重疊。其中，奈米銀線層53係設置於金屬層52之上。
本實施例之疊構結構50係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線521；一第一搭接區域55，其係包括該金屬網格522；一第二搭接區域56，其係包括該金屬板523；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板523之一側之由該奈米銀線層53所覆蓋且未被該金屬板523所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域55及該第二搭接區域56中，該奈米銀線層53係具有對應該金屬層52之圖案。
相較於實施例2，本實施例之觸控感測器50'係進一步包含一覆蓋層57，其係設置於該奈米銀線層53之上。
如圖16所示，本實施例之觸控感測器50'之一示例性製備流程係包括：提供一基材51；於該基材51上方設置一金屬層52及一奈米銀線層53，其中，該奈米銀線層53係設置於該金屬層52之上；
應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層54印製於該奈米銀線層53的表面，以使該抗蝕刻層54部分覆蓋該奈米銀線層53，其中該抗蝕刻層54包含：一導線圖案541；一網格圖案542，其係與該導線圖案541連接；及一覆蓋區域543，其係覆蓋該奈米銀線層53，且與該網格圖案542連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該奈米銀線層53中未被該抗蝕刻層54覆蓋之部分及其下方之金屬層52，藉此使該金屬層52包含：金屬導線521，其係對應該抗蝕刻層54之導線圖案541；一金屬網格522，其係對應該抗蝕刻層54之網格圖案542，且與該金屬導線521連接；及一金屬板523，其係對應該抗蝕刻層54之覆蓋區域543，且與該金屬網格522連接；去除該抗蝕刻層54；以及於該奈米銀線層53之上設置一覆蓋層57。
實施例6
圖17係為本發明實施例6之觸控感測器及其製備流程之示意圖，圖17中自上而下依序為：1.於基材61上方設置奈米銀線層63及金屬層62且於基材61下方設置第二奈米銀線層63'及第二金屬層62'後之示意圖；2.於奈米銀線層63表面印製抗蝕刻層64且於第二奈米銀線層63'表面印製第二抗蝕刻層64'後之示意圖；3.以蝕刻液去除奈米銀線層63中未被抗蝕刻層64覆蓋之部分及其下方之金屬層62且同時去除第二奈米銀線層63'中未被第二抗蝕刻層64'覆蓋之部分及其
上方之第二金屬層62'後之局部E之示意圖；以及4.於奈米銀線層63之上設置覆蓋層67且於第二奈米銀線層63'之下設置第二覆蓋層67'後之局部E之示意圖。相較於實施例5，本實施例之觸控感測器於基材之二側皆具有如實施例2所述之疊構結構。
本實施例之觸控感測器60'中的疊構結構60，包含：一基材61；一金屬層62，其係設置於該基材61之上，其中該金屬層62包含：金屬導線621；一金屬網格622，其係與該金屬導線621連接；及一金屬板623，其係與該金屬網格622連接；以及一奈米銀線層63，其係設置於該基材61之上，其中該奈米銀線層63係至少部分與該金屬層62重疊。其中，奈米銀線層63係設置於金屬層62之上。
本實施例之疊構結構60係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線621；一第一搭接區域65，其係包括該金屬網格622；一第二搭接區域66，其係包括該金屬板623；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板623之一側之由該奈米銀線層63所覆蓋且未被該金屬板623所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域65及該第二搭接區域66中，該奈米銀線層63係具有對應該金屬層62之圖案。
相較於實施例2，本實施例之觸控感測器60'係進一步包含一覆蓋層67，其係設置於該奈米銀線層63之上。
相較於實施例5本實施例之觸控感測器60'又進一步包含：一第二金屬層62'，其係設置於該基材61之下，其中該第二金屬層62'包含：第二金屬導線621'；一第二金屬網格622'，其係與該第二金屬導線621'連接；及一第二金屬板623'，其係與該第二金屬網格622'連接；一第二奈米銀線層63'，其係設置於
該基材61之下，其中該第二奈米銀線層63'係至少部分與該第二金屬層62'重疊。其中，第二奈米銀線層63'係設置於第二金屬層62'之下；以及一第二覆蓋層67'，其係設置於該第二奈米銀線層63'之下。
如圖17所示，本實施例之觸控感測器60'之一示例性製備流程係包括：提供一基材61；於該基材61上方設置一金屬層62及一奈米銀線層63，其中，該奈米銀線層63係設置於該金屬層62之上，且於該基材61下方設置一第二金屬層62'及一第二奈米銀線層63'，其中，該第二奈米銀線層63'係設置於該第二金屬層62'之下；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層64印製於該奈米銀線層63的表面，以使該抗蝕刻層64部分覆蓋該奈米銀線層63，其中該抗蝕刻層64包含：一導線圖案641；一網格圖案642，其係與該導線圖案641連接；及一覆蓋區域643，其係覆蓋該奈米銀線層63，且與該網格圖案642連接，且同時將一第二抗蝕刻層64'印製於該第二奈米銀線層63'的表面，以使該第二抗蝕刻層64'部分覆蓋該第二奈米銀線層63'，其中該第二抗蝕刻層64'包含：一第二導線圖案641'；一第二網格圖案642'，其係與該第二導線圖案641'連接；及
一第二覆蓋區域643'，其係覆蓋該第二奈米銀線層63'，且與該第二網格圖案642'連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該奈米銀線層63中未被該抗蝕刻層64覆蓋之部分及其下方之金屬層62，藉此使該金屬層62包含：金屬導線621，其係對應該抗蝕刻層64之導線圖案641；一金屬網格622，其係對應該抗蝕刻層64之網格圖案642，且與該金屬導線621連接；及一金屬板623，其係對應該抗蝕刻層64之覆蓋區域643，且與該金屬網格622連接，且同時以蝕刻液去除該第二奈米銀線層63'中未被該第二抗蝕刻層64'覆蓋之部分及其上方之第二金屬層62'，藉此使該第二金屬層62'包含：第二金屬導線621'，其係對應該第二抗蝕刻層64'之第二導線圖案641'；一第二金屬網格622'，其係對應該第二抗蝕刻層64'之第二網格圖案642'，且與該第二金屬導線621'連接；及一第二金屬板623'，其係對應該第二抗蝕刻層64'之第二覆蓋區域643'，且與該第二金屬網格622'連接；去除該抗蝕刻層64及該第二抗蝕刻層64'；以及於該奈米銀線層63之上設置一覆蓋層67且於該第二奈米銀線層63'之下設置一第二覆蓋層67'。
實施例7
圖18係為本發明實施例7之觸控感測器及其製備流程之示意圖，圖18中自上而下依序為：1.於基材71上方設置奈米銀線層73、金屬層72及觸媒層733後之示意圖；2.於奈米銀線層73表面印製抗蝕刻層74後之示意圖；3.以蝕刻液去除奈米銀線層73中未被抗蝕刻層74覆蓋之部分及其下方之金屬層72後之局部F之示意圖；以及4.於奈米銀線層73之上設置覆蓋層77後之局部F之示意圖。如圖18所示，本實施例之觸控感測器70'係具有如實施例3所述之疊構結構70，但省略了接合墊。
本實施例之觸控感測器70'中的疊構結構70，包含：一基材71；一金屬層72，其係設置於該基材71之上，其中該金屬層72包含：金屬導線721；一金屬網格722，其係與該金屬導線721連接；及一金屬板723，其係與該金屬網格722連接；一觸媒層733，其係設置於該金屬層72之下；以及一奈米銀線層73，其係設置於該基材71之上，其中該奈米銀線層73係至少部分與該金屬層72重疊。其中，奈米銀線層73係設置於金屬層72之上。
本實施例之疊構結構70係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線721；一第一搭接區域75，其係包括該金屬網格722；一第二搭接區域76，其係包括該金屬板723；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板723之一側之由該奈米銀線層73所覆蓋且未被該金屬板723所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域75及該第二搭接區域76中，該奈米銀線層73係具有對應該金屬層72之圖案。
相較於實施例3，本實施例之觸控感測器70'係進一步包含一覆蓋層77，其係設置於該奈米銀線層73之上。
如圖18所示，本實施例之觸控感測器70'之一示例性製備流程係包括：提供一基材71；於該基材71上方設置一金屬層72及一奈米銀線層73，其中，該奈米銀線層73係設置於該金屬層72之上，其中，係於該基材71上方設置一觸媒層733，並應用化學鍍技術將該金屬層72鍍覆於該觸媒層733之上，藉此設置該金屬層72；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層74印製於該奈米銀線層73的表面，以使該抗蝕刻層74部分覆蓋該奈米銀線層73，其中該抗蝕刻層74包含：一導線圖案741；一網格圖案742，其係與該導線圖案741連接；及一覆蓋區域743，其係覆蓋該奈米銀線層73，且與該網格圖案742連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該奈米銀線層73中未被該抗蝕刻層74覆蓋之部分及其下方之金屬層72，藉此使該金屬層72包含：金屬導線721，其係對應該抗蝕刻層74之導線圖案741；一金屬網格722，其係對應該抗蝕刻層74之網格圖案742，且與該金屬導線721連接；及一金屬板723，其係對應該抗蝕刻層74之覆蓋區域743，且與該金屬網格722連接；去除該抗蝕刻層74；以及於該奈米銀線層73之上設置一覆蓋層77。
實施例8
圖19係為本發明實施例8之觸控感測器及其製備流程之示意圖，圖19中自上而下依序為：1.於基材81上方設置奈米銀線層83、金屬層82及觸媒層833且於基材81下方設置第二奈米銀線層83'、第二金屬層82'及第二觸媒層833'後之示意圖；2.於奈米銀線層83表面印製抗蝕刻層84且於第二奈米銀線層83'表面印製第二抗蝕刻層84'後之示意圖；3.以蝕刻液去除奈米銀線層83中未被抗蝕刻層84覆蓋之部分及其下方之金屬層82且同時去除第二奈米銀線層83'中未被第二抗蝕刻層84'覆蓋之部分及其上方之第二金屬層82'後之局部G之示意圖；以及4.於奈米銀線層83之上設置覆蓋層87且於第二奈米銀線層83'之下設置第二覆蓋層87'後之局部G之示意圖。相較於實施例7，本實施例之觸控感測器於基材之二側皆具有如實施例3所述之疊構結構，但省略了接合墊。
本實施例之觸控感測器80'中的疊構結構80，包含：一基材81；一金屬層82，其係設置於該基材81之上，其中該金屬層82包含：金屬導線821；一金屬網格822，其係與該金屬導線821連接；及一金屬板823，其係與該金屬網格822連接；一觸媒層833，其係設置於該金屬層82之下；以及一奈米銀線層83，其係設置於該基材81之上，其中該奈米銀線層83係至少部分與該金屬層82重疊。其中，奈米銀線層83係設置於金屬層82之上。
本實施例之疊構結構80係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線821；一第一搭接區域85，其係包括該金屬網格822；一第二搭接區域86，其係包括該金屬板823；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板823之一側之由該奈米銀線層83所覆蓋且未被該金屬板823所覆蓋之區域，其中，於該
走線區域TA、該第一搭接區域85及該第二搭接區域86中，該奈米銀線層83係具有對應該金屬層82之圖案。
相較於實施例3，本實施例之觸控感測器80'係進一步包含一覆蓋層87，其係設置於該奈米銀線層83之上。
相較於實施例7本實施例之觸控感測器80'又進一步包含：一第二金屬層82'，其係設置於該基材81之下，其中該第二金屬層82'包含：第二金屬導線821'；一第二金屬網格822'，其係與該第二金屬導線821'連接；及一第二金屬板823'，其係與該第二金屬網格822'連接；一第二觸媒層833'，其係設置於該金屬層82'之下；一第二奈米銀線層83'，其係設置於該基材81之下，其中該第二奈米銀線層83'係至少部分與該第二金屬層82'重疊。其中，第二奈米銀線層83'係設置於第二金屬層82'之下；以及一第二覆蓋層87'，其係設置於該奈米銀線層83'之下。
如圖19所示，本實施例之觸控感測器80'之一示例性製備流程係包括：提供一基材81；於該基材81上方設置一金屬層82及一奈米銀線層83，其中，該奈米銀線層83係設置於該金屬層82之上，且於該基材81下方設置一第二金屬層82'及一第二奈米銀線層83'，其中，該第二奈米銀線層83'係設置於該第二金屬層82'之下，其中，係於該基材81上方設置一觸媒層833，並應用化學鍍技術將該金屬層82鍍覆於該觸媒層833之上，藉此設置該金屬層82，且於該基材81下方設置一第二觸媒層833'，並應用化學鍍技術將該第二金屬層82'鍍覆於該第二觸媒層833'之下，藉此設置該第二金屬層82'；
應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層84印製於該奈米銀線層83的表面，以使該抗蝕刻層84部分覆蓋該奈米銀線層83，其中該抗蝕刻層84包含：一導線圖案841；一網格圖案842，其係與該導線圖案841連接；及一覆蓋區域843，其係覆蓋該奈米銀線層83，且與該網格圖案842連接，且同時將一第二抗蝕刻層84'印製於該第二奈米銀線層83'的表面，以使該第二抗蝕刻層84'部分覆蓋該第二奈米銀線層83'，其中該第二抗蝕刻層84'包含：一第二導線圖案841'；一第二網格圖案842'，其係與該第二導線圖案841'連接；及一第二覆蓋區域843'，其係覆蓋該第二奈米銀線層83'，且與該第二網格圖案842'連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該奈米銀線層83中未被該抗蝕刻層84覆蓋之部分及其下方之金屬層82，藉此使該金屬層82包含：金屬導線821，其係對應該抗蝕刻層84之導線圖案841；一金屬網格822，其係對應該抗蝕刻層84之網格圖案842，且與該金屬導線821連接；及一金屬板823，其係對應該抗蝕刻層84之覆蓋區域843，且與該金屬網格822連接，且同時以蝕刻液去除該第二奈米銀線層83'中未被該第二抗蝕刻層84'覆蓋之部分及其上方之第二金屬層82'，藉此使該第二金屬層82'包含：
第二金屬導線821'，其係對應該第二抗蝕刻層84'之第二導線圖案841'；一第二金屬網格822'，其係對應該第二抗蝕刻層84'之第二網格圖案842'，且與該第二金屬導線821'連接；及一第二金屬板823'，其係對應該第二抗蝕刻層84'之第二覆蓋區域843'，且與該第二金屬網格822'連接；去除該抗蝕刻層84及該第二抗蝕刻層84'；以及於該奈米銀線層83之上設置一覆蓋層87且於該第二奈米銀線層83'之下設置一第二覆蓋層87'。
實施例9
圖20係為本發明實施例9之觸控感測器及其製備流程之示意圖，圖20中自上而下依序為：1.於基材91上方設置奈米銀線層93及金屬層92後之示意圖；2.於金屬層92表面印製抗蝕刻層94後之示意圖；3.以蝕刻液去除金屬層92中未被抗蝕刻層94覆蓋之部分及其下方之奈米銀線層93後之局部H之示意圖；以及4.於金屬層92之上設置覆蓋層97後之局部H之示意圖。如圖20所示，本實施例之觸控感測器90'係具有如實施例4所述之疊構結構90。
本實施例之觸控感測器90'中的疊構結構90，包含：一基材91；一金屬層92，其係設置於該基材91之上，其中該金屬層92包含：金屬導線921；一金屬網格922，其係與該金屬導線921連接；及一金屬板923，其係與該金屬網格922連接；以及一奈米銀線層93，其係設置於該基材91之上，其中該奈米銀線層93係至少部分與該金屬層92重疊。其中，金屬層92係設置於奈米銀線層93之上。
本實施例之疊構結構90係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線921；一第一搭接區域95，其係包括該金屬網格922；一第二搭接區域96，其係包括該金屬板923；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板923之一側之由該奈米銀線層93所覆蓋且未被該金屬板923所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域95及該第二搭接區域96中，該奈米銀線層93係具有對應該金屬層92之圖案。
相較於實施例4，本實施例之觸控感測器90'係進一步包含一覆蓋層97，其係設置於該奈米銀線層93之上。
如圖20所示，本實施例之觸控感測器90'之一示例性製備流程係包括：提供一基材91；於該基材91上方設置一金屬層92及一奈米銀線層93，其中，該金屬層92係設置於該奈米銀線層93之上；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層94印製於該金屬層92的表面，以使該抗蝕刻層94部分覆蓋該金屬層92，其中該抗蝕刻層94包含：一導線圖案941；一網格圖案942，其係與該導線圖案941連接；及一覆蓋區域943，其係覆蓋該金屬層92，且與該網格圖案942連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該金屬層92中未被該抗蝕刻層94覆蓋之部分及其下方之該奈米銀線層93，藉此使該金屬層92包含：金屬導線921，其係對應該抗蝕刻層94之導線圖案941；
一金屬網格922，其係對應該抗蝕刻層94之網格圖案942，且與該金屬導線921連接；及一金屬板923，其係對應該抗蝕刻層94之覆蓋區域943，且與該金屬網格922連接；去除該抗蝕刻層94；以及於該金屬層92之上設置一覆蓋層97。
實施例10
圖21係為本發明實施例10之觸控感測器及其製備流程之示意圖，圖21中自上而下依序為：1.於基材101上方設置奈米銀線層103及金屬層102且於基材101下方設置第二奈米銀線層103'及第二金屬層102'後之示意圖；2.於金屬層102表面印製抗蝕刻層104且於第二金屬層102'表面印製第二抗蝕刻層104'後之示意圖；3.以蝕刻液去除金屬層102中未被抗蝕刻層104覆蓋之部分及其下方之奈米銀線層103且同時去除第二金屬層102'中未被第二抗蝕刻層104'覆蓋之部分及其上方之第二奈米銀線層103'後之局部I之示意圖；以及4.於金屬層102之上設置覆蓋層107且於第二金屬層102'之下設置第二覆蓋層107'後之局部I之示意圖。相較於實施例9，本實施例之觸控感測器於基材之二側皆具有如實施例4所述之疊構結構。
本實施例之觸控感測器100'中的疊構結構100，包含：一基材101；一金屬層102，其係設置於該基材101之上，其中該金屬層102包含：金屬導線1021；一金屬網格1022，其係與該金屬導線1021連接；及一金屬板1023，其係與該金屬網格1022連接；以及一奈米銀線層103，其係設置於該基材101之
上，其中該奈米銀線層103係至少部分與該金屬層102重疊。其中，金屬層102係設置於奈米銀線層103之上。
本實施例之疊構結構100係包含：一走線區域TA，其係包括該金屬導線1021；一第一搭接區域105，其係包括該金屬網格1022；一第二搭接區域106，其係包括該金屬板1023；一可視區域VA，其係包括鄰近該金屬板1023之一側之由該奈米銀線層103所覆蓋且未被該金屬板1023所覆蓋之區域，其中，於該走線區域TA、該第一搭接區域105及該第二搭接區域106中，該奈米銀線層103係具有對應該金屬層102之圖案。
相較於實施例4，本實施例之觸控感測器100'係進一步包含一覆蓋層107，其係設置於該奈米銀線層103之上。
相較於實施例9本實施例之觸控感測器100'又進一步包含：一第二金屬層102'，其係設置於該基材101之下，其中該第二金屬層102'包含：第二金屬導線1021'；一第二金屬網格1022'，其係與該第二金屬導線1021'連接；及一第二金屬板1023'，其係與該第二金屬網格1022'連接；一第二奈米銀線層103'，其係設置於該基材101之下，其中該第二奈米銀線層103'係至少部分與該第二金屬層102'重疊。其中，第二金屬層102'係設置於第二奈米銀線層103'之下；以及一第二覆蓋層107'，其係設置於該第二金屬層102'之下。
如圖21所示，本實施例之觸控感測器100'之一示例性製備流程係包括：提供一基材101；於該基材101上方設置一金屬層102及一奈米銀線層103，其中，該金屬層102係設置於該奈米銀線層103之上，且於該基材101下方設置一第二金屬
層102'及一第二奈米銀線層103'，其中，該第二金屬層102'係設置於第該二奈米銀線層103'之下；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層104印製於該金屬層102的表面，以使該抗蝕刻層104部分覆蓋該金屬層102，其中該抗蝕刻層104包含：一導線圖案1041；一網格圖案1042，其係與該導線圖案1041連接；及一覆蓋區域1043，其係覆蓋該金屬層102，且與該網格圖案1042連接，且同時將一第二抗蝕刻層104'印製於該第二金屬層102'的表面，以使該第二抗蝕刻層104'部分覆蓋該第二金屬層102'，其中該第二抗蝕刻層104'包含：一第二導線圖案1041'；一第二網格圖案1042'，其係與該第二導線圖案1041'連接；及一第二覆蓋區域1043'，其係覆蓋該第二金屬層102'，且與該第二網格圖案1042'連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該金屬層102中未被該抗蝕刻層104覆蓋之部分及其下方之奈米銀線層103，藉此使該金屬層102包含：金屬導線1021，其係對應該抗蝕刻層104之導線圖案1041；一金屬網格1022，其係對應該抗蝕刻層104之網格圖案1042，且與該金屬導線1021連接；及一金屬板1023，其係對應該抗蝕刻層104之覆蓋區域1043，且與該金屬網格1022連接，且
同時以蝕刻液去除該第二金屬層102'中未被該第二抗蝕刻層104'覆蓋之部分及其上方之第二奈米銀線層103'，藉此使該第二金屬層102'包含：第二金屬導線1021'，其係對應該第二抗蝕刻層104'之第二導線圖案1041'；一第二金屬網格1022'，其係對應該第二抗蝕刻層104，之第二網格圖案1042'，且與該第二金屬導線1021'連接；及一第二金屬板1023'，其係對應該第二抗蝕刻層104'之第二覆蓋區域1043'，且與該第二金屬網格1022'連接；去除該抗蝕刻層104及該第二抗蝕刻層104'；以及於該奈米銀線層103之上設置一覆蓋層107且於該第二奈米銀線層103'之下設置一第二覆蓋層107'。
綜合上述，本發明之疊構結構之製備方法、疊構結構及觸控感應器至少具有下列優異的技術效果：
1.本發明之疊構結構之製備方法係應用柔版印刷技術印製抗蝕刻層，可有效定義出具有不同圖案設計之第一搭接區域與第二搭接區域，以構成一個具差異化的特殊疊構設計。
2.本發明之疊構結構之製備方法係應用柔版印刷技術印製抗蝕刻層，可免除曝光顯影製程，解決雙面曝光問題，減少廢水處理並降低成本提高效能。
3.本發明之疊構結構之金屬層包含金屬網格，使本發明之疊構結構及包含該疊構結構之觸控感應器於第一搭接區域具有獨特的疊構設計。相較於傳統之金屬片材，金屬網格可減少金屬原料之消耗，以降低疊構結構及
包含該疊構結構之觸控感應器之製備成本，藉此可實現超窄邊框(square)的觸控感應器。
上述實施例僅例示性說明本發明，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所載。
1:疊構結構之製備方法
S1:步驟
S2:步驟
S3:步驟
S4:步驟
S5:步驟
Claims (28)
- 一種疊構結構之製備方法，包含：提供一基材；於該基材上方設置一金屬層及一奈米銀線層；應用柔版印刷技術，將一抗蝕刻層印製於該金屬層或該奈米銀線層的表面，以使該抗蝕刻層部分覆蓋該金屬層或該奈米銀線層，其中該抗蝕刻層包含：一導線圖案；一網格圖案，其係與該導線圖案連接；及一覆蓋區域，其係覆蓋該金屬層或該奈米銀線層，且與該網格圖案連接；應用蝕刻技術，以蝕刻液去除該金屬層或該奈米銀線層中未被該抗蝕刻層覆蓋之部分及其下方之金屬層或奈米銀線層，藉此使該金屬層包含：金屬導線，其係對應該抗蝕刻層之導線圖案；一金屬網格，其係對應該抗蝕刻層之網格圖案，且與該金屬導線連接；及一金屬板，其係對應該抗蝕刻層之覆蓋區域，且與該金屬網格連接；以及去除該抗蝕刻層。
- 如請求項1所述之製備方法，其中，該奈米銀線層係設置於該金屬層之上方，且該抗蝕刻層係印製於該奈米銀線層的表面。
- 如請求項1所述之製備方法，其中，於金屬層係應用化學鍍技術設置。
- 如請求項1所述之製備方法，其中，該金屬層係設置於該奈米銀線層之上方，且該抗蝕刻層係印製於該金屬層的表面。
- 如請求項1所述之製備方法，其中，該金屬層之材料係選自由銅、銅-鎳合金、銅-鉛合金、銀、銀-鎳合金及銀-鉛合金所組成之群組。
- 如請求項1所述之製備方法，其中，該基材之材料係選自由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、環烯烴共聚物(Cyclic olefin copolymer,COP)、無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide,CPI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)及聚醚碸(Polyethersulfone,PES)所組成之群組。
- 一種疊構結構，包含：一基材；一金屬層，其係設置於該基材之上，其中該金屬層包含：金屬導線；一金屬網格，其係與該金屬導線連接；及一金屬板，其係與該金屬網格連接；以及一奈米銀線層，其係設置於該基材之上，其中該奈米銀線層係至少部分與該金屬層重疊，其中，該疊構結構係包含：一走線區域，其係包括該金屬導線；一第一搭接區域，其係包括該金屬網格；一第二搭接區域，其係包括該金屬板；一可視區域，其係包括鄰近該金屬板之一側之由該奈米銀線層所覆蓋 且未被該金屬板所覆蓋之區域，其中，於該走線區域、該第一搭接區域及該第二搭接區域中，該奈米銀線層係具有對應該金屬層之圖案。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該奈米銀線層係設置於該金屬層之上方。
- 如請求項7所述之疊構結構，進一步包含：一觸媒層，其係設置於該金屬層之下。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該金屬層係設置於該奈米銀線層之上方。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該金屬層之材料係選自由銅、銅-鎳合金、銅-鉛合金、銀、銀-鎳合金及銀-鉛合金所組成之群組。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該基材之材料係選自由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、環烯烴共聚物(Cyclic olefin copolymer,COP)、無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide,CPI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)及聚醚碸(Polyethersulfone,PES)所組成之群組。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係小於500μm，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.05~20之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係介於0.5mm~1.0mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.03~35之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係介於1.0mm~1.5mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.02~50之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度係介於1.5mm~2.5mm之間，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.01~100之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例係為2：1，且該金屬層係包含1~50條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.05~20之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例係為1：1，且該金屬層係包含10~100條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.03~35之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域與該第二搭接區域的總寬度與該走線區域之寬度之間的比例係為3：1，且該金屬層係包含1~50條金屬導線，且該第一搭接區域與該第二搭接區域的寬度的比值係介於0.02~50之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域中之金屬網格之節距係為該金屬導線之節距的0.1~10倍，且該第一搭接區域中之金屬網格之線寬係為該金屬導線之線寬的0.1~5倍。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該金屬導線之節距為20μm、線寬為10μm且線距為10μm，且該第一搭接區域中之金屬網格之節距係介於2μm~200μm之間、線寬係介於約2μm~50μm之間。
- 如請求項21所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域中之金屬網格之線寬/線距係為5μm/5μm、10μm/5μm、15μm/5μm、20μm/5μm、40μm/5μm、50μm/5μm、50μm/150μm、40μm/150μm、30μm/150μm或20μm/150μm。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該金屬導線之節距為40μm、線寬為20μm且線距為20μm，且該第一搭接區域中之金屬網格之節距係介於4μm~400μm之間、線寬係介於約4μm~100μm之間。
- 如請求項23所述之疊構結構，其中，該第一搭接區域中之金屬網格之線寬/線距係為20μm/5μm、40μm/5μm、80μm/5μm、100μm/5μm、20μm/80μm、40μm/60μm、100μm/200μm或100μm/300μm。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，該金屬導線之線寬係介於3μm~30μm之間且線距係介於3μm~30μm之間。
- 如請求項7所述之疊構結構，其中，進一步包含：一接合墊，其係設置於該基材之上，包括：一接合金屬層，其係設置於該基材之上，其中該接合金屬層包含：一接合金屬網格；及一接合金屬板，其係與該接合金屬網格連接；以及一接合奈米銀線層，其係設置於該基材之上。
- 一種觸控感測器，包含：如請求項7至26項中任一項所述之疊構結構；以及一覆蓋層，其係設置於如請求項7至26項中任一項所述之疊構結構中的金屬層或奈米銀線層之上。
- 如請求項27所述之觸控感測器，進一步包含：一第二金屬層，其係設置於如請求項7至26項中任一項所述之疊構結構中的基材之下，其中該第二金屬層包含：一第二金屬導線；一第二金屬網格，其係與該第二金屬導線連接；及一第二金屬板，其係與該第二金屬網格連接；一第二奈米銀線層，其係設置於該基材之下，其中該第二奈米銀線層係至少部分與該第二金屬層重疊；以及一第二覆蓋層，其係設置於該第二金屬層及該第二奈米銀線層之下。
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