TWI761612B - 缺陷檢測方法與系統及非暫時性電腦可讀儲存媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明描述用於使用適應性關注區域(ACA)來執行一晶粒影像之一缺陷檢測之方法、系統及製品。使用ACA解決以下問題：處置需要旋轉關注區域之組件之旋轉；處置其中各關注區域自身需要旋轉、平移或仿射變換之情形；及使由缺陷或程序變動引起之強度差與由大小變動引起之強度差解耦合之情形。

Description

缺陷檢測方法與系統及非暫時性電腦可讀儲存媒體
本發明大體上係關於識別半導體裝置中之缺陷。
半導體製造業之發展對良率管理且尤其是度量及檢測系統提出越來越高要求。臨界尺寸不斷縮小，但產業需要減少達成高良率高價值生產之時間。最少化自偵測到一良率問題至修復問題之總時間決定了一半導體製造商之投資回報率。
製造諸如邏輯及記憶體裝置之半導體裝置通常包含使用大量製程來處理一半導體晶圓以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。例如，微影係涉及將一圖案自一光罩轉印至配置於一半導體晶圓上之一光阻劑之一半導體製程。半導體製程之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。多個半導體裝置可依一配置製造於一單一半導體晶圓上且接著被分成個別半導體裝置。
在半導體製造期間之各種步驟中使用檢測程序來偵測晶圓上之缺陷以促成進製程之較高良率且因此促成較高利潤。檢測一直是製造諸如積體電路(IC)之半導體裝置之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸減小，檢測變成成功製造可接受半導體裝置之更重要部分，因為更小缺陷會引起裝置失效。例如，隨著半導體裝置之尺寸減小，需要偵測減小 缺陷，因為即使缺陷相對較小，但其會引起半導體裝置中之無用像差。
在一些半導體檢測配方中，使用者繪製關注區域，其係由其寬度、高度及自一固定原點(諸如晶粒角)之x及y偏移界定之矩形。在設置時間使用一單一晶圓來界定關注區域。在檢測期間，相對於此後將檢測之各晶圓之晶粒角來放置此等關注區域。在特定條件下，此方法之檢測準確度係足夠的。然而，在若干使用情況中，此方法準確度不足且不適當。例如，使晶粒對準且使關注區域移位會負面影響準確度。
若存在組成一單一晶粒之多個晶粒(例如重組晶粒)，則各組成晶粒會相對於晶粒角而變動位置。此防止關注區域偏移一共同移位。因此，各關注區域需要自身調整，其可包含移位及旋轉。
先前方法無法解釋下層特徵之大小變化。例如，若一當前晶圓中之接合墊具有不同於其上繪製關注區域之晶圓之一大小，則接合墊之部分會不被檢測或會引起損害缺陷。
先前方法亦無法解釋何時可看見多個層及各層中之結構周圍何時存在關注區域。個別層會因步進器而具有一些移位，因此，一全域對準將無法使關注區域適當移位。
圖1至圖4提供由本發明解決之問題之實例及附加解釋。
圖1繪示一晶粒影像100之一實例。方形特徵101、重佈層(RDL)102及柱狀特徵103係在晶粒影像100內。晶粒影像100係具有理想對準及理想尺度之特徵之一晶粒之一實例。當一關注區域覆蓋於晶粒影像上時，此理想對準及理想尺度係可辨別的。
圖2繪示將關注區域放置於一晶粒影像200上之一實例。複數個關注區域(虛線)已覆蓋於包含以下各者之特徵上：方形特徵201，其 覆蓋有方形關注區域；RDL特徵202，其覆蓋有矩形關注區域；及柱狀特徵203，其覆蓋有圓形關注區域。在圖2中，所描繪之關注區域與晶粒影像200上之特徵201、202及203對準且與晶粒影像200上之特徵201、202及203成適當比例。
圖3繪示一晶粒影像300之一實例。方形特徵301、RDL特徵302及柱狀特徵303係在晶粒影像300內。晶粒影像300係根據本文中所討論之一些使用情況之具有非理想對準或非理想尺度之特徵之一晶粒之一實例。當一關注區域覆蓋於晶粒影像上時，此非理想對準或非理想尺度係可辨別的。
圖4繪示將關注區域放置於一晶粒影像400上之一實例。複數個關注區域(虛線)已覆蓋於包含以下各者之特徵上：方形特徵401，其覆蓋有方形關注區域；RDL特徵402，其覆蓋有矩形關注區域；及柱狀特徵403，其覆蓋有圓形關注區域。在圖4中，所描繪之關注區域不與晶粒影像400上之特徵401、402及403對準且不與晶粒影像400上之特徵401、402及403成適當比例。
總言之，先前方法未解決下層結構之一空間移位之核心問題。
因此，需要改良缺陷識別方法及系統。
本發明之一實施例係一種執行一缺陷檢測之方法，其包括界定至少一適應性關注區域。該適應性關注區域具有包括一x座標、一y座標及一形狀之複數個預定性質。將該適應性關注區域保存至儲存於一電子資料儲存單元內之一配方。使用包括一粒子發射器及一偵測器之一檢測工 具來獲得一載台上之一晶圓之一晶粒影像。在一處理器處，自該電子資料儲存單元讀取該配方。藉由以下操作來針對保存於該配方中之該適應性關注區域使用該處理器：判定對應於該適應性關注區域之該晶粒影像上之一第一位置；將該適應性關注區域覆蓋於該晶粒影像上之該第一位置上；根據該晶粒影像上之一或多個對應特徵來調整該適應性關注區域；及在該適應性關注區域內執行該晶粒影像之一缺陷檢測。
該粒子發射器可包含一寬頻電漿源、電子束源、燈或雷射。該粒子發射器可發射電子或光子。在一些實施例中，該粒子發射器亦可發射可為紅外光、可見光、紫外光或x射線光之光。
該形狀可為一多邊形、一橢圓或任何使用者定義之不規則形狀。該複數個預定性質可進一步包括至少一特徵性質，其可為一尺度不變特徵變換、一加速穩健特徵、一定向旋轉指示、一定向梯度直方圖、一角偵測器或一基於梯度之描述符。該形狀可為任何多邊形，且調整該適應性關注區域可包括調整該多邊形之至少一角。調整該多邊形之該角會受一或多個調整限制約束。
在一例項中，根據該晶粒影像上之一或多個對應特徵來調整該適應性關注區域可為平移、旋轉、縮放、仿射變換、透視扭曲或投影變形之一或多者。調整該適應性關注區域可進一步涉及：判定一或多個調整限制且使該適應性關注區域之該調整受該一或多個調整限制約束。
本發明之一實施例涉及：在使用該檢測工具來獲得該晶粒影像之前對一適應性關注區域執行一初步調整。該適應性關注區域之該初步調整可包括：獲得一參考晶粒之一參考晶粒影像；及在該處理器處自該電子資料儲存單元讀取該配方。藉由以下操作來針對保存於該配方中之該 適應性關注區域使用該處理器：判定對應於該適應性關注區域之該參考晶粒影像上之一第二位置；將該適應性關注區域覆蓋於該參考晶粒影像上之該第二位置上；及根據該參考晶粒影像上之一或多個對應元件來初步調整該適應性關注區域。該參考晶粒可為具有經驗證特徵之一黃金晶粒、自相鄰晶粒之中值計算之一合成晶粒或由一設計檔案模擬之一設計影像。
在本發明之另一實施例中，一種缺陷檢測系統包括一檢測工具、一電子資料儲存媒體及與該檢測工具及該電子資料儲存單元電子通信之一處理器。該檢測工具進一步包括：一粒子發射器，其經組態以發射一粒子束中之粒子；一載台，其經組態以使一晶圓保持於由該粒子發射器發射之該粒子束之一路徑中；及一偵測器，其經組態以偵測由該晶圓反射之該等粒子之一部分且產生一晶粒影像。該電子資料儲存媒體經組態以儲存包含至少一適應性關注區域之一配方。該適應性關注區域具有包括一x座標、一y座標及一形狀之複數個預定性質。該處理器經組態以：自該檢測工具接收該晶粒影像；自該電子資料儲存單元讀取該配方，且針對保存於該配方中之各適應性關注區域：判定對應於該適應性關注區域之該晶粒影像上之一第一位置，將該適應性關注區域覆蓋於該晶粒影像上之該第一位置上，根據該晶粒影像上之一或多個對應元件來調整該適應性關注區域，及在該適應性關注區域內執行該晶粒影像之一缺陷檢測。
根據本發明之一實施例之一系統之處理器可經進一步組態以自該電子資料儲存單元讀取該配方。針對保存於該配方中之該適應性關注區域，該處理器可判定對應於該適應性關注區域之一參考晶粒影像上之一第二位置，將該適應性關注區域覆蓋於該參考晶粒影像上之該第二位置上，及根據該參考晶粒影像上之一或多個對應特徵來初步調整該適應性關 注區域。可自具有經驗證特徵之一黃金晶粒、自相鄰晶粒之中值計算之一合成晶粒或由一設計檔案模擬之一設計影像獲得該參考晶粒影像。
自該粒子發射器發射之該等粒子可為光子或電子。在一些實施例中，該粒子發射器亦可發射可為紅外光、可見光、紫外光或x射線光之光。
該適應性關注區域之該形狀預定性質可為一多邊形、橢圓或一使用者定義之不規則形狀。
本發明之另一實施例可為一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括一或多個程式。該一或多個程式可在一或多個運算裝置上執行以下步驟。界定一適應性關注區域。該適應性關注區域具有包括一x座標、一y座標及一形狀之複數個預定性質。將該適應性關注區域保存至一配方。自包括一粒子發射器及一偵測器之一檢測工具獲得一載台上之一晶圓之一晶粒影像。讀取該配方。針對保存於該配方中之各適應性關注區域，判定對應於該適應性關注區域之該晶粒影像上之一位置。將該適應性關注區域覆蓋於該晶粒影像上之該位置上。根據該晶粒影像上之一或多個對應特徵來調整該適應性關注區域。發送指令以在該適應性關注區域內執行該晶粒影像之一缺陷檢測。
該非暫時性電腦可讀儲存媒體可包括一程式，其經進一步組態以界定具有包含一形狀之複數個預定性質之一適應性關注區域，其中該形狀係一多邊形、橢圓或其他使用者定義之不規則形狀。
該非暫時性電腦可讀儲存媒體可包括經進一步組態以實施經判定之一或多個調整限制之一程式，其中根據該晶粒影像中之一或多個對應特徵來調整該適應性關注區域受該一或多個調整限制約束。
100:晶粒影像
101:方形特徵
102:重佈層(RDL)
103:柱狀特徵
200:晶粒影像
201:方形特徵
202:RDL特徵
203:柱狀特徵
300:晶粒影像
301:方形特徵
302:RDL特徵
303:柱狀特徵
400:晶粒影像
401:方形特徵
402:RDL特徵
403:柱狀特徵
500:方法
501:界定ACA
502:將ACA保存至配方
503:獲得晶圓之晶粒影像
504:判定對應於ACA之晶粒影像上之第一位置
505:將ACA覆蓋於第一位置上
506:根據晶粒影像上之對應特徵來調整ACA
507:在ACA內執行晶粒影像之缺陷檢測
600:晶粒影像
601:特徵
602:特徵
603:特徵
604:特徵
700:晶粒影像
701:特徵
702:特徵
703:特徵
704:特徵
800:方法
801:獲得參考晶粒影像
802:判定對應於參考晶粒影像上之ACA之第二位置
803:將ACA覆蓋於第二位置上
804:根據參考晶粒影像上之其對應特徵來調整ACA
900:系統/檢測工具
901:基於光學之子系統
902:樣本
903:光源
904:光學元件
905:透鏡
906:載台
907:集光器
908:元件
909:偵測器
910:集光器
911:元件
912:偵測器
913:分束器
914:處理器
915:電子資料儲存單元
1000:系統/檢測工具
1001:電子柱
1002:電腦子系統
1003:電子束源
1004:樣本
1005:元件
1006:元件
1007:偵測器
1008:處理器
1009:電子資料儲存單元
1010:載台
1101:晶粒
1102:特徵
1103:關注區域
1104:晶粒
1105:特徵/適應性關注區域(ACA)
1106:關注區域
1107:晶粒
1108:過小特徵
1200:教示晶粒
1201:特徵
1202:特徵
1203:第一關注區域
1204:第二關注區域
1210:晶粒
1211:特徵
1212:特徵
1300:教示晶粒
1301:特徵
1302:特徵
1303:第一ACA
1304:第二ACA
1305:折點
1306:折點
1310:晶粒
1311:當前特徵
1312:當前特徵
1315:實際折點
1316:實際折點
為更完全理解本發明之本質及目的，應參考結合附圖之以下詳細描述，其中：圖1繪示一晶粒影像之一區段，其中複數個特徵係理想對準且呈理想尺度；圖2繪示將關注區域放置於一晶粒影像上，其中複數個特徵係理想對準且呈理想尺度；圖3繪示一晶粒影像之一區段，其中複數個特徵未理想對準或不呈理想尺度；圖4繪示將關注區域放置於一晶粒影像上，其中複數個特徵未理想對準或不呈理想尺度；圖5繪示根據本發明之執行一缺陷檢測之一方法；圖6繪示一晶粒上所繪製之關注區域；圖7繪示適配待檢測之一晶粒之關注區域；圖8繪示根據本發明之對一適應性關注區域執行一初步調整之一方法；圖9繪示本發明之一系統實施例；圖10繪示本發明之另一系統實施例；圖11繪示本發明之一實施例中之歸因於一關注區域之缺陷報告與一適應性關注區域之一比較；圖12繪示其中關注區域未對準之一關注區域對準；及圖13繪示根據本發明之一實施例之ACA對準。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2017年10月18日申請之美國臨時申請案第62/574,189號之優先權，該案之揭示內容以引用的方式併入本文。
儘管將根據特定實施例來描述主張標的，但其他實施例(其包含未提供本文中所闡述之全部益處及特徵之實施例)亦在本發明之範疇內。可在不背離本發明之範疇的情況下作出各種結構、邏輯、程序步驟及電子改變。因此，僅藉由參考隨附申請專利範圍來界定本發明之範疇。
本發明描述界定及使用適應性關注區域(下文中稱為ACA)來檢測一晶粒影像之一新方法。與使下層影像對準之先前方法相比，本文中所揭示之實施例動態修改關注區域。本文中所揭示之實施例描述含有用於執行一晶粒影像之一缺陷檢測之軟體之方法、系統及製品。本發明中所描述之ACA解決先前技術之問題。因此，所揭示之技術可處置需要旋轉關注區域之組件之旋轉。所揭示之技術亦可處置各關注區域自身受旋轉、平移及可能仿射變換時之一情形。此可歸因於ACA更精確適配待檢測之特徵而使由缺陷或程序變動引起之強度差與由大小變動引起之強度差解耦合。若使用先前方法，則歸因於來自不精確適配關注區域之強度讀數而出現假缺陷報告。
圖11繪示相較於本發明之一實施例中之一ACA精確適配之歸因於一不精確適配關注區域之缺陷報告之效應。例如，一關注區域1103針對一晶粒1101上之一特徵1102而界定且儲存於一配方中。當將此配方用於使用先前方法之晶粒1104之一檢測中時，一特徵1105可能尺寸過小以引起關注區域1106對準，但因關注區域之大小及形狀未改變而不 精確適配。此不精確適配會導致可引起一假缺陷報告之不準確強度讀數，即使特徵在可容許大小變動範圍內。然而，根據本發明之一實施例，關注區域可為適應(或「緊貼」)晶粒1107上之過小特徵1108之一ACA 1105。此允許報告發生調適之事實，其允許一檢測區別由缺陷或程序變動引起之強度差與由大小變動引起之強度差。依此方式，本發明之實施例具有比傳統對準方法高之準確度。
本文中所揭示之方法、系統及製品可處置以下情形：當一晶粒上之特徵大小不同時、當特徵經歷旋轉時、當特徵之偏移係任意較大時及/或當作業框架中之不同結構經歷不同偏移時。此外，本發明可解耦合先前全部被打包成一單一誤差之放置誤差、大小誤差及結構缺陷。
本發明之實施例比傳統影像對準方法快。另外，本發明之實施例利用比先前對準方法少之運算資源。例如，在諸如基於模板之影像對準之傳統對準方法中，考量影像中之全部像素以產生O(n2)之一複雜運算，其中n係像素之影像維數。若像素之一搜尋窗係m，則必須完成m次搜尋，其意謂將進行m^2*n^2次操作來尋找匹配。當針對根據本發明之一實施例之一ACA進行折點對準時，可完成k次對準，其需要m^2*k次操作來形成匹配。因此，本發明之一實施例需要m^2/k次更少操作以導致特徵匹配之提高運算效率。
本發明之實施例直接解決特徵失準問題，而非僅依靠對準晶粒來掩蓋問題。本發明可解決任意移位、旋轉及空間變形。其可與矩形、任意多邊形、圓錐曲線及非參數形狀之關注區域一起使用。其亦可解決其中一晶粒影像中存在具有不同移位之多個層的情況。
圖5描繪本發明之一實施例之執行一晶粒影像或其他檔案 之一缺陷檢測之方法500。方法500包括：界定一ACA(501)；將ACA保存至一配方(502)；獲得一晶圓之一晶粒影像(503)；判定對應於ACA之晶粒影像上之一第一位置(504)；將ACA覆蓋於第一位置上(505)；根據晶粒影像上之對應特徵來調整ACA(506)；及在ACA內執行晶粒影像之一缺陷檢測(507)。缺陷檢測507可涉及尋找ACA內之缺陷。
可基於由ACA界定之折點來判定第一位置。在此例項中，ACA內之各折點對應於儲存於配方中之一位置及特徵描述符。接著，為判定第一位置，針對各折點提取該折點之一半徑內之全部點內之特徵描述符。接著，使此等特徵描述符與配方中之特徵描述符匹配，且折點之新位置係使最大值最大化之位置。在一些例項中，接著執行子像素位置估計以更精細對準於第一位置。
為區別本發明之實施例與先前方法，描述一先前方法。在一例項中，界定且覆蓋關注區域，如圖12中所繪示。根據一些先前方法，在一教示晶粒1200上，可由一高度h1、一寬度w1及相對於一原點固定之一位置(x1,y1)基於特徵1201來界定第一關注區域1203。亦在教示晶粒1200上，可由一高度h2、一寬度w2及相對於相同原點固定之一位置(x2,y2)基於一特徵1202來界定一第二關注區域1204。可將第一ACA及第二ACA儲存至一配方。在一檢測期間，使用此配方。將關注區域1203及1204分別覆蓋於晶粒1210上之特徵1211及1212上。關注區域1203及1204之位置可移位一原點移位(dx,dy)；相同偏移用於調整各關注區域之位置以因此僅容許全域移位。此在個別特徵彼此相對偏移中係有問題的，如晶粒1210上所繪示，因為其導致施加於部分或全部結構之次最佳移位。如晶粒1210上所繪示，原點移位(dx,dy)導致關注區域1203適配特徵1211， 但關注區域1204相對於特徵1212次最佳偏移，因為在此方法中必須將相同原始移位施加於每個關注區域。
相比而言且根據本發明之一實施例，在圖13之一教示晶粒1300上，可由一高度h1*、一寬度w1*及一位置(x1*,y1*)基於特徵1301來界定第一ACA 1303，且第一ACA 1303具有折點1305。亦在教示晶粒1300上，可由一高度h2*、一寬度w2*及一位置(x2*,y2*)基於一特徵1302來界定第二ACA 1304，且第二ACA 1304具有折點1306。例如，由1305及1306給定之各折點具有一唯一特徵描述符，諸如簡單梯度或較豐富之類加速穩健特徵(SURF)特徵。此等特徵可包含(但不限於)二進位特徵偵測器，諸如尺度不變特徵變換(SIFT)、SURF、定向旋轉指示(ORB)及定向梯度直方圖(HOG)以及角偵測器及基於梯度之影像描述符。可將第一ACA及第二ACA及尤其含有其相關尺寸、座標及折點之其各自特徵描述符儲存至一配方。在檢測時，將ACA 1303及1304覆蓋於晶粒1310上。執行一搜尋以基於儲存於配方中之ACA 1303之特徵描述符來偵測折點。基於搜尋結果，將ACA 1303修改為具有一高度h1*+dh1*、一寬度w1*+dw1*及一位置(x1*+dx1*,y1*+dy1*)，使得ACA 1303此時適應當前特徵1311。可允許各折點1305獨立移動以允許ACA 1303具有平移、旋轉及大體投影變換，使得ACA 1303準確適配特徵1311之實際折點1315。類似地，執行一搜尋以基於儲存於配方中之ACA 1304之特徵描述符來偵測折點。基於搜尋結果，將ACA 1304修改為具有一高度h2*+dh2*、一寬度w2*+dw2*及一位置(x2*+dx2*,y2*+dy2*)，使得ACA 1304此時適應當前特徵1312。可允許各折點1306獨立移動以允許ACA 1304具有平移、旋轉及大體投影變換，使得ACA 1304準確適配特徵1312之實際折點 1316。依此方式，各ACA可具有一獨立位置原點移位。此允許ACA適當適配實際結構，即使其經歷彼此獨立平移、旋轉或甚至任何投影變換。其導致穩健缺陷偵測且進一步匣清強度差與大小/形狀差。
根據晶粒影像上之一或多個對應特徵來調整ACA可包含平移、旋轉、縮放、仿射變換、透視扭曲或投影變形之一或多者。
返回至圖5，在本發明之一些實施例中，可存在在501中界定、在502中保存至一配方及在503至507中適配且用於檢測之一或多個ACA。
參考圖5，在本發明之一實施例中，各ACA由一形狀或一組形狀界定。在運行時間，首先將ACA放置於設置期間所界定之位置處。接著，ACA調整以匹配受檢測晶圓上之特徵。例如，各角、中心點或拐點可嘗試匹配其特徵組。此允許ACA根據其尺寸及旋轉來撓曲。
在檢測程序之缺陷報告階段期間，可將旋轉量、平移量、縮放量或其他變換量新增為使放置或大小設定誤差與結構誤差解耦合之一屬性。此可包含：在ACA根據其對應特徵調整之後，使用擷取平移及旋轉量值之適當屬性以及可量化縮放、仿射或投影變形之其他參數來報告一調整程度。此產生除先前可發現之基於強度之屬性之外之缺陷之基於形變之屬性。解耦合可提供缺陷之一更佳分析。
各角、中心點或拐點之可容許移動會受變形限制約束，變形限制界定所界定之形狀之一可允許變形量。變形限制亦可為變換之可容許類型之一限制。例如，變形可受限於來自包含平移、旋轉、縮放、仿射及投影變換之一清單之一或多個變換。一變形亦可受限於一ACA之可容許變形形狀。
在本發明之一實施例中，在一晶粒影像之檢測期間，ACA內之區域可經歷仿射或透視扭曲以允許逐像素減法。替代地，區域可仍用於運算統計。
在一例項中，在檢測時，可將變換應用於一晶粒上之一特徵以進行特徵匹配及強度判定。
在本發明之一實施例中，界定一或多個ACA包括將一或多個關注區域轉換成ACA。
在本發明之一實施例中，ACA由在一晶粒影像上繪製關注區域之一使用者界定。此等ACA可繪製成尤其諸如矩形、圓形、平行四邊形或任意多邊形(凸及非凸)之形狀，或可為任何自由繪製形狀。使用者可選擇找到之特徵，例如角、邊緣或圓形或其他特徵。使用者可選擇一方法來偵測特徵，且選擇一特徵描述符。使用者亦可選擇允許變形之種類及範圍。可將一使用者可選擇之ACA特徵初始化為預設值，但使用者可改善自動選擇。
可將界定ACA之形狀或形狀組之各者界定為多邊形、橢圓、圓形或具有或不具有曲線平滑之任何其他不規則或自由繪製形狀。自由繪製形狀可保持自由繪製形狀且新增折點，或轉換成多邊形。形狀可由其空間性質及其折點或邊緣之特徵編碼。空間性質可包含(例如)角、聚焦半徑、邊長或其他性質。形狀之特徵可為簡單梯度或更豐富之類SURF特徵。此等特徵可包含(但不限於)二進位特徵偵測器，諸如SIFT、SURF、ORB及HOG以及角偵測器及基於梯度之影像描述符。類似地，邊緣特徵可為梯度、一邊緣之各邊上之投影總和或在一邊緣、曲線或角附近所運算之其他更豐富特徵。
界定ACA之形狀或形狀組之各者亦可為尤其諸如平行六面體、稜柱體、角錐體及圓柱體之三維形狀，而非二維圖元。可基於使用者定義之參數自二維圖元自動轉換此等三維形狀。
在一些實施例中，在界定或繪製一ACA之後自動偵測折點。
在本發明之一實施例中，一ACA之形狀係由其在晶粒上之x及y位置及其寬度、高度及自角及邊緣運算之特徵界定之一矩形。接著，此矩形可根據使用情況之需要來尤其變形為一任意四邊形、平行四邊形、梯形或矩形。此變形會受可由一使用者判定為一ACA之一參數之一變形限制約束。
在本發明之一實施例中，一ACA最初被非參數化界定，且藉由沿其輪廓運算折點外加其附近特徵之運算來參數化。
圖6及圖7繪示根據本發明之ACA之一實施配方之一實例，其中關注區域基於一晶粒影像600來界定且根據晶粒影像700之特徵來調整。晶粒600含有特徵601、602、603及604。晶粒影像700含有特徵701、702、703及704。首先使用晶粒影像600來界定四個ACA，其中各ACA具有包含一x座標、y座標及一形狀之複數個性質。在此實施例中，四個關注區域之各者之形狀係一矩形。將此等ACA保存至一配方，該配方接著用於檢測晶粒影像700。影像700之特徵與影像600之特徵之不同點係如下所述。與特徵601相比，特徵701未偏移、旋轉或縮放。與特徵602相比，特徵702已旋轉。與特徵603相比，特徵703已增大寬度。與特徵604相比，特徵704已經歷一移位。針對晶粒影像700中之各特徵，ACA已根據相關特徵調整。最初對應於特徵601之ACA不經歷變換以調整為特徵 701。最初對應於特徵602之ACA經歷旋轉以調整為特徵702。最初對應於特徵603之ACA經歷縮放以調整為特徵703。最初對應於特徵604之ACA經歷平移以調整為特徵704。因此，最初基於晶粒影像600之特徵來界定之ACA之使用已根據晶粒影像700之特徵調整以容許適當檢測晶粒影像700之特徵。在一例項中，可藉由以下操作來執行此調整：將各角偵測為一折點；針對各角判定特徵；基於所判定之特徵來參數化ACA；圍繞各折點設定一搜尋窗；及尋找使ACA適應實際特徵之一匹配。此外，可比較此調適ACA之形狀與原始ACA。依此方式，可將ACA之調整變形量化為晶粒影像600之特徵與晶粒影像700之特徵之間之改變類型及改變量。此等量化調整變形可用作程序追蹤之缺陷屬性。
在本發明之一些實施例中，在將一ACA保存至一配方之前或在將ACA儲存至一配方之後使用一參考晶粒來執行ACA之一初步調整。圖8繪示根據本發明之一些實施例之執行一ACA之此一初步調整之一方法800。方法800包含在801中獲得一參考晶粒影像。在802中，判定參考晶粒影像上對應於ACA之一第二位置。在803中，將ACA覆蓋於802中所判定之位置上。在804中，根據參考晶粒影像上之其對應特徵來調整ACA。此調整可包含旋轉、平移、縮放或其他變換。接著，自804所得之經調整ACA儲存至配方且用於測試晶圓之進一步檢測。
可自一參考晶粒獲得參考晶粒影像，該參考晶粒可為具有由一使用者在配方設置期間選擇之驗證特徵之一黃金晶粒、相鄰於受檢測晶粒之兩個或兩個以上晶粒之一中值或由一設計檔案模擬之一設計影像。若自一實體晶粒獲得，則可使用一工具(諸如使用一光學顯微鏡、一寬束電漿工具或一掃描電子顯微鏡)來獲得參考晶粒影像。
根據一些實施例，可依相同於上述第一位置之方式判定參考晶粒影像上之一第二位置。
在本發明之一實施例中，在一處理器上實施本文中所描述之方法500或800。
在本發明之另一實施例中，將上述方法實施為用於在一或多個運算裝置上執行之一或多個程式。在此實施例中，將一或多個程式儲存於一非暫時性電腦可讀儲存媒體上。電腦實施方法可包含本文中所描述之(若干)任何方法之(若干)任何步驟。
圖9中展示一系統900之一實施例。系統900包含基於光學之子系統901。一般而言，基於光學之子系統901經組態以藉由將光導引至一樣本902(或使光掃描樣本902)且偵測來自樣本902之光來產生樣本902之基於光學之輸出。在一實施例中，樣本902包含一晶圓。晶圓可包含此項技術中已知之任何晶圓。在另一實施例中，樣本包含一光罩。光罩可包含此項技術中已知之任何光罩。
在圖9所展示之系統900之實施例中，基於光學之子系統901包含經組態以將光導引至樣本902之一照明子系統。照明子系統包含至少一光源(例如一粒子發射器)。例如，如圖9中所展示，照明子系統包含光源903。在一實施例中，照明子系統經組態以依可包含一或多個傾斜角及/或一或多個法線角之一或多個入射角將光導引至樣本902。例如，如圖9中所展示，依一傾斜入射角導引來自光源903之光穿過光學元件904及接著透鏡905而至樣本902。傾斜入射角可包含可取決於(例如)樣本902之特性而變動之任何適合傾斜入射角。
自光源903或粒子發射器發射之粒子可為光子。光源903或 粒子發射器亦可發射可為紅外光、可見光、紫外光或x射線光之光。
基於光學之子系統901可經組態以在不同時間依不同入射角將光導引至樣本902。例如，基於光學之子系統901可經組態以更改照明子系統之一或多個元件之一或多個特性，使得光可依不同於圖9中所展示之入射角之一入射角導引至樣本902。在一此實例中，基於光學之子系統901可經組態以移動光源903、光學元件904及透鏡905，使得光依一不同傾斜入射角或一法線(或近法線)入射角導引至樣本902。
在一些例項中，基於光學之子系統901可經組態以同時依一個以上入射角將光導引樣本902。例如，照明子系統可包含一個以上照明通道，一照明通道可包含光源903、光學元件904及透鏡905(如圖9中所展示)且另一照明通道(圖中未展示)可包含可依不同或相同方式組態之類似元件或可包含至少一光源及可能一或多個其他組件(諸如本文中進一步所描述之組件)。若將此光與其他光同時導引至樣本，則依不同入射角導引至樣本902之光之一或多個特性(例如波長、偏振等等)可不同，使得由依不同入射角照射樣本902所致之光可在(若干)偵測器處彼此區別。
在另一例項中，照明子系統可僅包含一個光源(例如圖9中所展示之光源903)且來自光源之光可由照明子系統之一或多個光學元件(圖中未展示)分離成不同光學路徑(例如，基於波長、偏振等等)。接著，可將各不同光學路徑中之光導引至樣本902。多個照明通道可經組態以同時或在不同時間(例如，當不同照明通道用於依序照射樣本時)將光導引至樣本902。在另一例項中，相同照明通道可經組態以在不同時間將具有不同特性之光導引至樣本902。例如，在一些例項中，光學元件904可經組態為一光譜濾波器且光譜濾波器之性質可依各種不同方式(例如，藉由換 出光譜濾波器)改變，使得可在不同時間將不同波長之光導引至樣本902。照明子系統可具有適合於依不同或相同入射角將具有不同或相同特性之光依序或同時導引至樣本902之此項技術中已知之任何其他組態。
在一實施例中，光源903可包含一寬頻電漿(BBP)源。依此方式，由光源903產生且導引至樣本902之光可包含寬頻光。然而，光源可包含諸如一雷射或一燈之任何其他適合光源。雷射可包含此項技術中已知之任何適合雷射且可經組態以產生此項技術中已知之一或若干任何適合波長處之光。另外，雷射可經組態以產生單色光或近單色光。依此方式，雷射可為一窄頻雷射。光源903亦可包含產生多個離散波長或波帶處之光之一多色光源。
可由透鏡905將光自光學元件904聚焦至樣本902上。儘管圖9中將透鏡905展示為一單一折射光學元件，但應瞭解，透鏡905實際上可包含組合地將光自光學元件聚焦至樣本之數個折射及/或反射光學元件。圖9中所展示及本文中所描述之照明子系統可包含任何其他適合光學元件(圖中未展示)。此等光學元件之實例包含(但不限於)(若干)偏振組件、(若干)光譜濾波器、(若干)空間濾波器、(若干)反射光學元件、(若干)變跡器、(若干)分束器(諸如分束器913)、(若干)孔隙及其類似者，其等可包含此項技術中已知之任何此等適合光學元件。另外，基於光學之子系統901可經組態以基於用於產生基於光學之輸出之照明之類型來更改照明子系統之一或多個元件。
基於光學之子系統901亦可包含經組態以引起光掃描樣本902之一掃描子系統。例如，基於光學之子系統901可包含在基於光學之輸出產生期間將樣本902安置於其上之載台906。掃描子系統可包含任何 適合機械及/或機器人總成(其包含載台906)，其可經組態以移動樣本902，使得光可掃描樣本902。另外或替代地，基於光學之子系統901可經組態使得基於光學之子系統901之一或多個光學元件對樣本902執行某一光掃描。光可依任何適合方式(諸如沿一蛇形路徑或一螺旋路徑)掃描樣本902。
基於光學之子系統901進一步包含一或多個偵測通道。一或多個偵測通道之至少一者包含一偵測器，其經組態以歸因於由子系統照射樣本902而偵測來自樣本902之光且回應於偵測光而產生輸出。例如，圖9中所展示之基於光學之子系統901包含兩個偵測通道：一偵測通道由集光器907、元件908及偵測器909形成且另一偵測通道由集光器910、元件911及偵測器912形成。如圖9中所展示，兩個偵測通道經組態以依不同收集角收集及偵測光。在一些例項中，兩個偵測通道經組態以偵測散射光，且偵測通道經組態以偵測自樣本902依不同角度散射之光。然而，偵測通道之一或多者可經組態偵測來自樣本902之另一類型之光(例如反射光)。
如圖9中所進一步展示，兩個偵測通道經展示成定位於紙面中且照明子系統亦經展示成定位於紙面中。因此，在此實施例中，兩個偵測通道定位於(例如，居中定位於)入射面中。然而，偵測通道之一或多者可定位於入射面外。例如，由集光器910、元件911及偵測器912形成之偵測通道可經組態以收集及偵測散射至入射面外之光。因此，此一偵測通道通常可指稱一「側」通道，且此一側通道可居中定位於實質上垂直於入射面之一平面中。
儘管圖9展示包含兩個偵測通道之基於光學之子系統901之 一實施例，但基於光學之子系統901可包含不同數目個偵測通道(例如僅一個偵測通道或兩個或兩個以上偵測通道)。在一此例項中，由集光器910、元件911及偵測器912形成之偵測通道可形成上文所描述之一側通道，且基於光學之子系統901可包含形成為定位於入射面之對置側上之另一側通道之一額外偵測通道(圖中未展示)。因此，基於光學之子系統901可包含偵測通道，其包含集光器907、元件908及偵測器909且居中定位於入射面中且經組態以收集及偵測具有等於或接近樣本902表面之法線角之(若干)散射角之光。因此，此偵測通道通常可指稱一「頂部」通道，且基於光學之子系統901亦可包含如上文所描述般組態之兩個或兩個以上側通道。因而，基於光學之子系統901可包含至少三個通道(即，一頂部通道及兩個側通道)，且至少三個通道之各者自身具有集光器，各集光器經組態以收集具有不同於另兩個集光器之各者之散射角之光。
如上文所進一步描述，包含於基於光學之子系統901中之各偵測通道可經組態以偵測散射光。因此，圖9中所展示之基於光學之子系統901可經組態以用於樣本902之暗場(DF)輸出產生。然而，基於光學之子系統901亦可或替代地包含經組態以用於樣本902之明場(BF)輸出產生之(若干)偵測通道。換言之，基於光學之子系統901可包含經組態以偵測自樣本902鏡面反射之光之至少一偵測通道。因此，本文中所描述之基於光學之子系統901可經組態以僅用於DF成像、僅用於BF成像或用於DF及BF兩種成像。儘管圖9中將各集光器展示為單一折射光學元件，但應瞭解，各集光器可包含一或多個折射光學晶粒及/或一或多個反射光學元件。
一或多個偵測通道可包含此項技術中已知之任何適合偵測 器。例如，偵測器可包含光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD)、時延積分(TDI)攝影機及此項技術中已知之任何其他適合偵測器。偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。依此方式，若偵測器係非成像偵測器，則各偵測器可經組態以偵測散射光之某些特性(諸如強度)，但無法經組態以偵測諸如成像面內之位置之函數之特性。因而，由包含於基於光學之子系統之各偵測通道中之各偵測器產生之輸出可為信號或資料，但非影像信號或影像資料。在此等例項中，一處理器(諸如處理器914)可經組態以自偵測器之非成像輸出產生樣本902之影像。然而，在其他例項中，偵測器可組態為經組態以產生成像信號或影像資料之成像偵測器。因此，基於光學之子系統可經組態以依諸多方式產生光學影像或本文中所描述之其他基於光學之輸出。
應注意，本文中提供圖9來大體上繪示一基於光學之子系統901之一組態，基於光學之子系統901可包含於本文中所描述之系統實施例中或可產生由本文中所描述之系統實施例使用之基於光學之輸出。可更改本文中所描述之基於光學之子系統901組態以最佳化通常在設計一商用輸出獲取系統時執行之基於光學之子系統901之效能。另外，可使用一既有系統來實施本文中所描述之系統(例如，藉由將本文中所描述之功能新增至一既有系統)。針對一些此等系統，可提供本文中所描述之方法作為系統之選用功能(例如以及系統之其他功能)。替代地，可將本文中所描述之系統設計為一全新系統。
圖10係一系統1000之一實施例之一方塊圖。系統1000包含經組態以產生一樣本1004(其可包含一晶圓或一光罩)之影像之一晶圓檢測工具(其包含電子柱1001)。
晶圓檢測工具包含一輸出獲取子系統，其包含至少一能源及一偵測器。輸出獲取子系統可為一基於電子束之輸出獲取子系統。例如，在一實施例中，導引至樣本1004之能量包含電子，且自樣本1004偵測之能量包含電子。依此方式，能源可為一電子束源。在圖10所展示之一此實施例中，輸出獲取子系統包含耦合至電腦子系統1002之電子柱1001。一載台1010可固持樣本1004。
亦如圖10中所展示，電子柱1001包含經組態以產生由一或多個元件1005聚焦至樣本1004之電子之一電子束源1003(例如一粒子發射器)。電子束源1003可包含(例如)一陰極源或發射極尖端。一或多個元件1005可包含(例如)一電子槍透鏡、一陽極、一限束孔隙、一閘閥、一束流選擇孔隙、一物鏡及一掃描子系統，其等全部可包含此項技術中已知之任何此等適合元件。
自樣本1004返回之電子(例如二次電子)可由一或多個元件1006聚焦至偵測器1007。一或多個元件1006可包含(例如)一掃描子系統，其可為包含於(若干)元件1005中之相同掃描子系統。
電子柱1001亦可包含此項技術中已知之任何其他適合元件。
儘管圖10中將電子柱1001中展示為經組態使得電子依一傾斜入射角導引至樣本1004且依另一傾斜角自樣本1004散射，但電子束可依任何適合角度導引至樣本1004及自樣本1004散射。另外，基於電子束之輸出獲取子系統可經組態以使用多個模式來產生樣本1004之影像(例如，具有不同照明角、收集角等等)。基於電子束之輸出獲取子系統之多個模式可具有輸出獲取子系統之任何不同影像產生參數。
電腦子系統1002可耦合至偵測器1007，如上文所描述。偵測器1007可偵測自樣本1004之表面返回之電子，藉此形成樣本1004之電子束影像。電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統1002可經組態以使用偵測器1007之輸出及/或電子束影像來執行本文中所描述之功能之任何者。電腦子系統1002可經組態以執行本文中所描述之任何額外(若干)步驟。可如本文中所描述般進一步組態包含圖10中所展示之輸出獲取子系統之一系統1000。
應注意，本文中提供圖10來大體上繪示可用於本文中所描述之實施例中之一基於電子束之輸出獲取子系統之一組態。可更改本文中所描述之基於電子束之輸出獲取子系統組態以最佳化通常在設計一商用輸出獲取系統時執行之輸出獲取子系統之效能。另外，可使用一既有系統來實施本文中所描述之系統(例如，藉由將本文中描述之功能新增至一既有系統)。針對一些此等系統，可提供本文中所描述之方法作為系統之選用功能(例如，以及系統之其他功能)。替代地，可將本文中所描述之系統設計為一全新系統。
儘管上文將輸出獲取子系統描述為一基於電子束之輸出獲取子系統，但輸出獲取子系統可為一基於離子束之輸出獲取子系統。除可使用此項技術中已知之任何適合離子束源來替換電子束源之外，可如圖10中所展示般組態此一輸出獲取子系統。另外，輸出獲取子系統可為任何其他適合之基於離子束之輸出獲取子系統，諸如包含於市售聚焦離子束(FIB)系統、氦離子顯微鏡(HIM)系統及二次離子質譜分析(SIMS)系統中之基於離子束之輸出獲取子系統。
電腦子系統1002包含一處理器1008及一電子資料儲存單元 1009。處理器1008可包含一微處理器、一微控制器或其他裝置。
處理器914或電腦子系統1002可依任何適合方式(例如，經由可包含有線及/或無線傳輸媒體之一或多個傳輸媒體)分別耦合至系統900或1000之組件，使得處理器914或1008可分別接收輸出。處理器914或1008可經組態以使用輸出來執行若干功能。系統900或1000可分別自處理器914或1008接收指令或其他資訊。處理器914或1008及/或電子資料儲存單元915或1009可視情況分別與另一晶圓檢測工具、一晶圓度量工具或一晶圓複查工具(圖中未繪示)電子通信以接收額外資訊或發送指令。例如，處理器914或1008及/或電子資料儲存單元915或1009可分別與一掃描電子顯微鏡電子通信。
處理器914或1008或電腦子系統1002、本文中所描述之(若干)其他系統或其他子系統可為包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置之各種系統之部分。(若干)子系統或系統亦可包含此項技術中已知之任何適合處理器，諸如一並行處理器。另外，(若干)子系統或系統可包含具有高速處理及軟體之一平台作為一獨立或網路工具。
處理器914或1008及電子資料儲存單元915或1009可分別安置於系統900或1000或另一裝置中或否則為系統900或1000或另一裝置之部分。在一實例中，處理器914或1008及電子資料儲存單元915或1009可分別為一獨立控制單元之部分或位於一集中品質控制單元中。可分別使用多個處理器914或1008或電子資料儲存單元915或1009。
實際上，可由硬體、軟體及韌體之任何組合實施處理器914或1008。此外，如本文中所描述，其功能可由一個單元執行或分配於 不同組件中，各組件繼而可由硬體、軟體及韌體之任何組合實施。使處理器914或1008實施各種方法及功能之程式碼或指令可儲存於可讀儲存媒體(諸如分別在電子資料儲存單元915或1009中之一記憶體或其他記憶體)中。
若系統900或1000分別包含一個以上處理器914或處理器1008或電腦子系統1002，則不同子系統可彼此耦合，使得影像、資料、資訊、指令等等可發送於子系統之間。例如，一個子系統可藉由可包含此項技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體之任何適合傳輸媒體來耦合至(若干)額外子系統。兩個或兩個以上此等子系統亦可由一共用電腦可讀儲存媒體(圖中未展示)有效耦合。
處理器914或1008可經組態以分別使用系統900或1000之輸出或其他輸出來執行若干功能。例如，處理器914或1008可經組態以將輸出分別發送至一電子資料儲存單元915或1009或另一儲存媒體。可如本文中所描述般進一步組態處理器914或1008。
處理器914、處理器1008或電腦子系統1002可為一缺陷複查系統、一檢測系統、一度量系統或某一其他類型之系統之部分。因此，本文中所揭示之實施例描述可依諸多方式適應具有大致適合於不同應用之不同性能之系統之一些組態。
若系統包含一個以上子系統，則不同子系統可彼此耦合，使得影像、資料、資訊、指令等等可發送於子系統之間。例如，一個子系統可藉由可包含此項技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體之任何適合傳輸媒體來耦合至(若干)額外子系統。兩個或兩個以上此等子系統亦可由一共用電腦可讀儲存媒體(圖中未展示)有效耦合。
可根據本文中所描述之實施例之任何者來組態處理器914或1008。處理器914或1008亦可經組態以分別使用系統900或1000之輸出或使用來自其他源之影像或資料來執行其他功能或額外步驟。
處理器914或1008可依此項技術中已知之任何方式分別通信地耦合至系統900或1000之各種組件或子系統之任何者。再者，處理器914或1008可經組態以藉由可包含有線及/或無線部分之一傳輸媒體自其他系統接收及/或獲取資料或資訊(例如來自一檢測系統(諸如一複查工具)、包含設計資料之一遠端資料庫等等之檢測結果)。依此方式，傳輸媒體可充當處理器914或1008與系統900或1000之各自其他子系統或系統900或1000外之系統之間之一資料鏈路。
處理器914或1008分別與諸如偵測器909或912或偵測器1007之晶圓檢測工具電子通信。處理器914或1008可經組態以處理分別使用來自偵測器909或912或偵測器1007之量測所產生之影像。例如，處理器914或1008可經組態以執行方法500或800之實施例。
一額外實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一控制器上執行之程式指令，該等程式指令用於執行用於處理樣本902或1004之影像之一電腦實施方法，如本文中所揭示。特定而言，如圖9或圖10中所展示，電子資料儲存單元915或1009或其他儲存媒體可含有非暫時性電腦可讀媒體，其包含可分別在處理器914或1008上執行之程式指令。電腦實施方法可包含本文中所描述之(若干)任何方法(其包含方法500或800)之(若干)任何步驟。
實施方法(諸如本文中所描述之方法)之程式指令可儲存於電腦可讀媒體上，諸如在電子資料儲存單元915或1009或其他儲存媒體 中。電腦可讀媒體可為諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體之一儲存媒體。
可依尤其包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向技術之各種方式之任何者實施程式指令。例如，可根據期望使用ActiveX控制、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(MFC)、串流SIMD擴展(SSE)或其他技術或方法來實施程式指令。
在一實施例中，處理器914或處理器1008可經組態以：自檢測工具900或檢測工具1000接收一晶粒影像；讀取含有一ACA之一配方，該ACA具有包括一x座標、一y座標及一形狀之複數個預定性質；及針對各ACA，判定對應於該ACA之該晶粒影像上之一第一位置，將該ACA覆蓋於該晶粒影像上之該第一位置上，根據該晶粒影像上之一或多個對應元件來調整該ACA，及在該ACA內執行該晶粒影像之一缺陷檢測。
在一實施例中，處理器914或處理器1008可經進一步組態以：自一檢測工具接收一參考晶粒影像；讀取含有一ACA之一配方，該ACA具有包括一x座標、一y座標及一形狀之複數個預定性質；判定對應於該ACA之該參考晶粒影像上之一第二位置；將該ACA覆蓋於該參考晶粒影像上之該第二位置上；及根據該參考晶粒影像上之一或多個對應特徵來初步調整該ACA。
在一實施例中，處理器914或處理器1008可經進一步組態以讀取一ACA，其中該ACA包括為一多邊形、橢圓或使用者定義之不規則形狀之一形狀。
系統900或系統1000及本文中所揭示之方法之各種步驟、 功能及/或操作係由以下之一或多者實施：電子電路、邏輯閘、多工器、可程式化邏輯裝置、ASIC、類比或數位控制/開關、微控制器或運算系統。實施方法(諸如本文中所描述之方法)之程式指令可通過載體媒體傳輸或儲存於載體媒體上。載體媒體可包含諸如一唯讀記憶體、一隨機存取記憶體、一磁碟或光碟、一非揮發性記憶體、一固態記憶體、一磁帶及其類似者之一儲存媒體。一載體媒體可包含諸如一導線、纜線或無線傳輸鏈路之一傳輸媒體。例如，本發明中所描述之各種步驟可由一單一處理器914或一單一處理器1008(或電腦子系統1002)實施或替代地，由多個處理器914或多個處理器1008(或多個電腦子系統1002)實施。再者，系統900或系統1000之不同子系統可包含一或多個運算或邏輯系統。因此，以上描述不應被解譯為本發明之一限制，而是僅為一說明。
在一些實施例中，在獲得一晶圓之一晶粒影像(503)中，一晶圓之晶粒影像係自一設計檔案獲得之一模擬影像。將ACA覆蓋於此模擬影像上。如本文中所描述般執行特徵匹配，調適ACA，且執行檢測。
在一些實施例中，在獲得一晶圓之一晶粒影像(503)中，一晶圓之晶粒影像係一設計檔案。將ACA覆蓋於設計檔案上。如本文中所描述般執行特徵匹配，調適ACA，且執行檢測。
本文中所揭示之各種實施例及實例中所描述之方法之步驟足以實施本發明之方法。因此，在一實施例中，方法基本上由本文中所揭示之方法之步驟之一組合組成。在另一實施例中，方法由此等步驟組成。
儘管已相對於一或多個特定實施例及/或實例來描述本發明，但應瞭解，可在不背離本發明之範疇的情況下實施本發明之其他實施例及/或實例。
1300:教示晶粒
1301:特徵
1302:特徵
1303:第一適應性關注區域(ACA)
1304:第二ACA
1305:折點
1306:折點
1310:晶粒
1311:當前特徵
1312:當前特徵
1315:實際折點
1316:實際折點

Claims (20)

  1. 一種執行一缺陷檢測之方法，其包括：界定至少一第一適應性關注區域及一第二適應性關注區域，該等適應性關注區域之各者具有包括以下各者之複數個預定性質：一x座標；一y座標；及一形狀；將該等適應性關注區域保存至一配方，其中將該配方儲存於含有一非暫時性電腦可讀媒體之一電子資料儲存單元內；使用包括一粒子發射器及一偵測器之一檢測工具來獲得一載台上之一晶圓之一晶粒影像；及在一處理器處，自該電子資料儲存單元讀取該配方，且藉由以下來針對保存於該配方中之該等適應性關注區域使用該處理器：判定對應於該第一適應性關注區域之該晶粒影像上之一第一位置；將該第一適應性關注區域覆蓋於該晶粒影像上之該第一位置上；根據該晶粒影像上之一或多個對應特徵來調整該第一適應性關注區域，其中該第二適應性關注區域在該調整期間相對於該晶粒影像上之該第一位置為固定；及在該第一適應性關注區域內執行該晶粒影像之一缺陷檢測。
  2. 如請求項1之方法，其中該粒子發射器包含一寬頻電漿源、電子束 源、燈或雷射。
  3. 如請求項1之方法，其中該形狀係一多邊形或一橢圓。
  4. 如請求項1之方法，其中該形狀係一使用者定義之不規則形狀。
  5. 如請求項1之方法，其中該複數個預定性質進一步包括至少一特徵性質。
  6. 如請求項5之方法，其中該特徵性質包括：一尺度不變特徵變換、一加速穩健特徵、一定向旋轉指示(brief)、一定向梯度直方圖、一角偵測器或一基於梯度之描述符。
  7. 如請求項1之方法，其中根據該晶粒影像上之一或多個對應特徵來調整該第一適應性關注區域包括以下之一或多者：平移、旋轉、縮放、仿射(affine)變換、透視扭曲(perspectvie warping)或投影變形。
  8. 如請求項1之方法，其進一步包括判定一或多個調整限制，其中根據該晶粒影像中之該一或多個對應特徵來調整該第一適應性關注區域受該一或多個調整限制約束。
  9. 如請求項1之方法，其中該形狀係一多邊形，且其中根據該晶粒影像上之該一或多個對應特徵來調整該第一適應性關注區域包括調整該多邊形 之至少一角。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包括判定一或多個調整限制，其中調整該多邊形之該角受該一或多個調整限制約束。
  11. 如請求項1之方法，其進一步包括在使用該檢測工具來獲得該晶粒影像之前對該第一適應性關注區域執行一初步調整，該第一適應性關注區域之該初步調整包括：獲得一參考晶粒之一參考晶粒影像，其中該參考晶粒係具有經驗證特徵之一黃金晶粒、自相鄰晶粒之中值計算之一合成晶粒或由一設計檔案模擬之一設計影像；及在該處理器處，自該電子資料儲存單元讀取該配方，且藉由以下來針對保存於該配方中之該適應性關注區域使用該處理器：判定對應於該第一適應性關注區域之該參考晶粒影像上之一第二位置，將該第一適應性關注區域覆蓋於該參考晶粒影像上之該第二位置上，及根據該參考晶粒影像上之一或多個對應元件來初步調整該第一適應性關注區域。
  12. 一種缺陷檢測系統，其包括：一檢測工具，其包括：一粒子發射器，其經組態以發射一粒子束中之粒子， 一載台，其經組態以使一晶圓保持於由該粒子發射器發射之該粒子束之一路徑中，及一偵測器，其經組態以偵測由該晶圓反射之該等粒子之一部分且產生一晶粒影像；含有一非暫時性電腦可讀媒體之一電子資料儲存單元，其經組態以儲存一配方，該配方包括至少一第一適應性關注區域及一第二適應性關注區域，該等適應性關注區域之各者具有包括以下各者之複數個預定性質：一x座標，一y座標，及一形狀；及一處理器，其與該檢測工具及該電子資料儲存單元電子通信，該處理器經組態以：自該檢測工具接收該晶粒影像；自該電子資料儲存單元讀取該配方，且針對保存於該配方中之該第一適應性關注區域：判定對應於該第一適應性關注區域之該晶粒影像上之一第一位置，將該第一適應性關注區域覆蓋於該晶粒影像上之該第一位置上；根據該晶粒影像上之一或多個對應元件來調整該第一適應性關注區域，其中該第二適應性關注區域在該調整期間相對於該晶粒影像上之該第一位置為固定；及在該第一適應性關注區域內執行該晶粒影像之一缺陷檢測。
  13. 如請求項12之系統，其中該處理器經進一步組態以自該電子資料儲存單元讀取該配方，且針對保存於該配方中之該第一適應性關注區域：判定對應於該第一適應性關注區域之一參考晶粒影像上之一第二位置，其中自具有經驗證特徵之一黃金晶粒、自相鄰晶粒之中值計算之一合成晶粒或由一設計檔案模擬之一設計影像獲得該參考晶粒影像；將該第一適應性關注區域覆蓋於該參考晶粒影像上之該第二位置上；及根據該參考晶粒影像上之一或多個對應特徵來初步調整該第一適應性關注區域。
  14. 如請求項12之系統，其中該等粒子係光子或電子。
  15. 如請求項12之系統，其中該形狀係一多邊形或一橢圓。
  16. 如請求項12之系統，其中該形狀係一使用者定義之不規則形狀。
  17. 一種非暫時性電腦可讀儲存媒體，其包括用於在一或多個運算裝置上執行以下步驟之一或多個程式：界定一第一適應性關注區域及一第二適應性關注區域，該等適應性關注區域之各者具有包括以下各者之複數個預定性質：一x座標；一y座標；及 一形狀；將該等適應性關注區域保存至一配方；自包括一粒子發射器及一偵測器之一檢測工具獲得一載台上之一晶圓之一晶粒影像；及讀取該配方，且針對保存於該配方中之該第一適應性關注區域：判定對應於該第一適應性關注區域之該晶粒影像上之一位置；將該第一適應性關注區域覆蓋於該晶粒影像上之該位置上；根據該晶粒影像上之一或多個對應特徵來調整該第一適應性關注區域，其中該第二適應性關注區域在該調整期間相對於該晶粒影像上之該位置為固定；及發送指令以在該第一適應性關注區域內執行該晶粒影像之一缺陷檢測。
  18. 如請求項17之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該形狀係一多邊形或一橢圓。
  19. 如請求項17之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該形狀係一使用者定義之不規則形狀。
  20. 如請求項17之非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中判定一或多個調整限制，其中根據該晶粒影像中之一或多個對應特徵來調整該第一適應性關注區域受該一或多個調整限制約束。
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