TWI761387B - 具有完全轉換波長轉換材料的多段發光裝置或光功率發射裝置及其操作方法 - Google Patents

具有完全轉換波長轉換材料的多段發光裝置或光功率發射裝置及其操作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI761387B
TWI761387B TW106138487A TW106138487A TWI761387B TW I761387 B TWI761387 B TW I761387B TW 106138487 A TW106138487 A TW 106138487A TW 106138487 A TW106138487 A TW 106138487A TW I761387 B TWI761387 B TW I761387B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
wavelength converting
segments
light
segment
Prior art date
Application number
TW106138487A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201834272A (zh
Inventor
德 席傑德 艾爾傑恩 傑本 凡
沃斯特 維德 昆德 凡
尼可拉 菲佛
Original Assignee
美商亮銳公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商亮銳公司 filed Critical 美商亮銳公司
Publication of TW201834272A publication Critical patent/TW201834272A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI761387B publication Critical patent/TWI761387B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V5/00—Refractors for light sources
    • F21V5/04—Refractors for light sources of lens shape
    • F21V5/045—Refractors for light sources of lens shape the lens having discontinuous faces, e.g. Fresnel lenses
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02—Illuminating scene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10—Controlling the intensity of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20—Controlling the colour of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H05B47/105—Controlling the light source in response to determined parameters
    • H05B47/11—Controlling the light source in response to determined parameters by determining the brightness or colour temperature of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H05B47/155—Coordinated control of two or more light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H05B47/165—Controlling the light source following a pre-assigned programmed sequence; Logic control [LC]
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02—Illuminating scene
    • G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0564—Combinations of cameras with electronic flash units characterised by the type of light source
    • G03B2215/0567—Solid-state light source, e.g. LED, laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H01L33/0079—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Stroboscope Apparatuses (AREA)

Abstract

本發明描述一種多段發光裝置或光功率發射裝置及一種照明裝置。該多段裝置包含具有一發光半導體結構或光功率發射半導體結構之一晶粒，該結構包含安置於一n層與一p層之間的一作用層。溝槽形成於至少該半導體結構中且將該晶粒分離成可個別定址之片段。該作用層發射具有一第一色點或光譜之光或光功率。至少一個波長轉換層鄰近該晶粒且將該光或光功率轉換為具有至少一個第二色點或光譜之光或光功率，且將通過該至少一個波長轉換層而未轉換之該泵浦光或光功率對由該發光裝置或光功率發射裝置發射之總光或光功率之一能量比限制為小於10%。

Description

具有完全轉換波長轉換材料的多段發光裝置或光功率發射裝置及其操作方法
半導體發光裝置或光功率發射裝置(諸如發射紫外(UV)或紅外(IR)光功率之裝置) (包含發光二極體、諧振腔發光二極體、垂直腔雷射二極體及邊緣發射雷射)在當前可用之最有效率光源當中。例如，歸因於其緊湊大小及較低功率需求，半導體發光裝置或光功率發射裝置(為簡單起見在本文中稱為LED)係手持式電池供電裝置(諸如相機及蜂巢式電話)之光源(諸如相機閃光燈)之有吸引力的候選者。其亦可用於視訊之照亮(torch)且用於一般照明，諸如家庭、商店、辦公室及工作室燈光、劇院/舞臺燈光及建築燈光。一單一LED通常提供不如一典型光源亮之光，且因此LED陣列通常用於此等應用。
本發明描述一種多段發光裝置或光功率發射裝置及一種照明裝置。該多段裝置包含具有一發光半導體結構或光功率發射半導體結構之一晶粒，該結構包含安置於一n層與一p層之間的一作用層。溝槽形成於至少該半導體結構中且將該晶粒分離成可個別定址之片段。該作用層發射具有一第一色點或光譜之光或光功率。至少一個波長轉換層鄰近該晶粒且將該光或光功率轉換為具有至少一個第二色點或光譜之光或光功率，且將通過該至少一個波長轉換層而未轉換之泵浦光或光功率對由該發光裝置或光功率發射裝置發射之總光或光功率之一能量比限制為小於10%。
相關申請案之交叉參考 本申請案主張2016年11月7日申請之美國臨時專利申請案第62/418,447號及2017年11月5日申請之美國非臨時專利申請案第15/803,803號之權利，該等案以宛如全文闡述引用的方式併入。 本文中描述一種多段半導體發光裝置或光功率發射裝置(為簡單起見在本文中稱為LED)，其包含一單一半導體晶粒，該晶粒中形成有溝槽，該等溝槽使晶粒之個別片段彼此電隔離。各片段可個別地接觸且耦合至一電路板上之金屬跡線使得可個別地定址片段。與一個別LED陣列相比，可在組裝時經由更簡單製造(例如，可需要具有精確定位之較少取放步驟)且以大幅降低的成本生產如本文中描述之一多段LED。此外，與一個別LED陣列相比，一多段LED可具有一減小的體積(大小)。 在本文中描述之實施例中，一裝置可併有一個以上多段LED (例如，一雙LED閃光燈模組)，其中各多段LED提供具有一特定色點或光譜之光。可定址多段LED之個別片段，而其他片段保持關閉，以提供一精確色點或目標光譜受控之閃光或其他輸出光(諸如用於視訊之照亮、工作室燈光、劇院/舞臺燈光或建築燈光)。例如，對於一雙LED閃光燈模組，可選擇性地定址一冷白多段LED中之片段及一暖白多段LED中之片段，以取決於環境光提供較暖或較冷之一組合輸出光。LED及/或片段之其他色彩或光譜亦可用以產生一精細調諧之色點或目標光譜。 可藉由定址多段LED中之更多個或更少個片段而(甚至以相同驅動電流)增大或減小閃光燈模組或其他燈光模組之總亮度位準。亦可藉由改變驅動電流而改變亮度。此外，可藉由將多段LED之一影像投影至一待拍攝場景上且改變投影至場景之不同區上之閃光之亮度及/或色點或目標光譜而達成各種燈光效果。 對於一多段LED或包含緊密間隔之多個LED或片段之任何裝置，由一個LED或片段發射之至少一些泵浦光或光功率(即，由一LED之作用層發射之未轉換光或光功率)可能會越界進入相鄰LED或片段。當此發生時，取決於相鄰LED或片段中之磷光體之組成及泵浦光之色點或光譜，越界進入相鄰LED或片段之光可能活化其之磷光體。因此，未通電之一相鄰LED或片段可能發射一純磷光體色彩或光譜。例如，對於由釔鋁石榴石(YAG)磷光體層覆蓋之發射藍色泵浦光之一LED或片段陣列而言，未通電之一相鄰LED或片段可在來自一相鄰LED之藍色泵浦光越界進入其時點亮為黃色。因若干原因，此現象可為不期望的，該等原因包含例如該現象在其中光或光功率輸出係混光之應用中可更改由LED或陣列輸出之複合光或光功率之色點或光譜，或其可更改個別像素之色點或目標光譜。 本文中描述利用一完全轉換波長轉換層(例如，磷光體層)之各種實施例，完全轉換波長轉換層產生具有一所要色點或目標光譜之一光輸出，同時在一些實施例中將通過波長轉換層而未轉換之泵浦光或光功率(例如，藍色泵浦光)對由LED發射之總光或光功率之能量比限制為小於10%，且在一些實施例中小於2%。 當於其中片段緊密間隔之一多段LED上使用時，使用此一完全轉換波長轉換層將減少或消除相鄰片段點亮為一非所要色彩或光譜之現象，此係因為完全轉換波長轉換層將進入片段之任何雜散光或光功率轉換為所要色彩或光譜。換言之，任何雜散泵浦光或光功率越界進入一相鄰片段將引起相鄰LED發射具有與通電片段相同之色點或目標光譜之一較低亮度光或光功率。此外，在完全轉換波長轉換層中行進遠離一通電片段之光將仍為相同純磷光體色彩或光譜，此係因為可將磷光體製成足夠厚及/或緻密以免讓通電片段上方之直接洩漏泵浦光或光功率(例如，藍色)混入。此實現多段LED之極準確色點或目標光譜選擇，此係因為相鄰LED或片段之間的光學串擾並不影響LED之總體色點或目標光譜。在其中將多段LED之一影像投影至場景上之實施例中，使用完全轉換波長轉換層亦可尤其在片段之邊沿處防止片段之間的光學串擾使色彩或光譜偏移(此偏移可在場景處產生一可見有色或光譜轉變)。因此，照明場景之色彩或光譜可保持恆定且不依據場景之投影影像之位置而變化。 圖1A係提供跨三個可定址片段取得之一多段LED 100A之一橫截面之一視圖之一圖。所繪示之多段LED 100A包含一半導體晶粒，該半導體晶粒包含自一基板110 (諸如一藍寶石生長基板)形成之一發光結構或光功率發射結構，一或多個n型層130、一或多個p型層140及一發光作用區或光功率發射作用區135生長於該基板110上。溝槽170a及170b形成於晶粒中(例如，藉由蝕刻)以將LED 100A分段成片段160a、160b及160c，其經由溝槽彼此電隔離。各片段160具備其自身之接觸件145及150。各片段之接觸件145及150接觸一電路板165上之金屬跡線(未展示)，此容許將電流個別地施加至各片段160，使得可以任何組合且用相同或不同電流位準個別地定址且開啟片段。 發光半導體結構或光功率發射半導體結構可為發射可經由一波長轉換材料轉換(例如，轉換為白光或一更寬光譜)之光或光功率之任何發光半導體結構或光功率發射半導體結構。此一半導體結構之一實例係發射藍光、紫光或紫外(UV)光之一III族氮化物結構，諸如由鎵、鋁、銦與氮之二元合金、三元合金及四元合金之一或多者形成之一半導體結構。半導體結構之其他實例可包含由III-V族材料、II族磷化物材料、III族砷化物材料、II-VI族材料、氧化鋅(ZnO)或矽(Si)基材料形成之半導體結構。亦可使用一半導體雷射。 n型區130可生長於一生長基板110上且可包含一或多個半導體材料層。此一或多個層可包含不同組成及摻雜劑濃度，包含例如製備層(諸如緩衝層或成核層)及/或經設計以有利於移除生長基板之層。此等層可經n型摻雜或未經有意摻雜，或甚至可為p型裝置層。可針對發光區或光功率發射區所期望之特定光學、材料或電性質來設計層，以有效率地發射光或光功率。如同n型區130，p型區140可包含具不同組成、厚度及摻雜劑濃度之多個層，包含未經有意摻雜之層或n型層。雖然層130在本文中描述為n型區且層140在本文中描述為p型區，但亦可交換n型區及p型區而不脫離本文中描述之實施例之範疇。 作用區135可包含一單一厚的或薄的發光層或光功率發射層。或者，作用區135可為一多量子井發光區或光功率發射區，其可包含由阻障層分離之多個厚的或薄的發光層或光功率發射層。 p接觸件145可形成於p型區140之一表面上。p接觸件145可包含多個導電層，諸如一反射金屬及可防止或減少反射金屬之電遷移之一防護金屬。反射金屬可為銀或任何其他適合材料。n接觸件150可經形成以在其中作用區135、p型區140及p接觸件145之部分已經移除以曝露n型區130之表面之至少一部分的一區中與n型區130之一表面接觸。 n接觸件150及p接觸件145不限於圖1A中繪示之配置且可以任何數目種不同方式配置。在實施例中，一或多個n接觸通孔可形成於發光半導體結構或光功率發射半導體結構中以實現n接觸件150與n型層130之間的電接觸。或者，n接觸件150及p接觸件145可經再分配以形成具有此項技術中已知之一介電/金屬堆疊之焊墊。 在圖1A中繪示之實例中，生長基板110在分段之後留在晶粒上。在其他實施例中，可移除(例如，使用雷射剝離)生長基板110以形成薄膜LED片段160a、160b及160c。一完全轉換波長轉換層120a經安置於晶粒上方而與基板110或薄膜片段160a、160b或160c直接接觸。如上文描述，完全轉換波長轉換層120a係一波長轉換材料層，其產生具有一所要色點或目標光譜之一光或光功率輸出，同時在一些實施例中將通過波長轉換層而未轉換之泵浦光或光功率(例如，藍色泵浦光)對由發光裝置發射之總光或光功率之能量比限制為小於10%，且在一些實施例中小於2%。在實施例中，波長轉換材料可為任何發光材料，諸如吸收一個波長之光或光功率且發射一不同波長之光或光功率之一透明或半透明黏結劑或基質中的一磷光體或磷光體粒子。在圖1中繪示之實例中，磷光體粒子125經安置於一透明黏結劑或基質126中。 磷光體粒子之濃度、組成及大小以及完全轉換波長轉換層120a之厚度可經調諧使得經由完全轉換波長轉換層120a發射之光或光功率可呈現為紅色、綠色、青色、暖白色、冷白色或任何其他所要色彩或光譜。在實施例中，完全轉換波長轉換層120a可具有在20 µm與100 µm之間的一厚度。最大層厚度將與片段大小有關。為降低邊緣效應，厚度應小於等於片段長度之1/3。磷光體粒子對黏結劑或基質材料之濃度可取決於沈積技術且可在自10體積%至近80體積%之範圍內。磷光體顆粒之大小可在自中值1 µm至50 µm之範圍內。可使用較密集磷光體顆粒濃度、較小磷光體顆粒及較厚波長轉換層(即，在所描述範圍之上端)來抑制通過層而未轉換之泵浦光或光功率。考慮到僅少量泵浦光(例如，藍光)或光功率(例如，UV或IR)將通過，可選擇包含於層中之磷光體之組成以產生透過層發射之光之所要色點或目標光譜。例如，完全轉換波長轉換層120a可發射藍色、紅色及綠色分量。波長轉換磷光體層可包括市售磷光體之一組合。例如歸因於所產生之較寬光譜，以及半導體泵浦可被選取為相同的且在例如電流及溫度相依性方面將具有類似行為，使用經磷光體轉換之發射代替直射光有益於許多應用。 當片段160之一或多者藉由經由電路板165上之一對應跡線施加電流至其而通電時，片段160之一或多者發射具有一第一色彩或光譜(色彩1)之光或光功率。在圖1A中繪示之實例中，片段160b經通電且發射具有第一色彩或光譜(色彩1)之光或光功率(例如，射線127)，且波長轉換層120a中之磷光體125將具有第一色彩或光譜(色彩1)之光或光功率完全轉換為具有一第二色彩或光譜(色彩2)之光，使得在一些實施例中將通過波長轉換層120a而未轉換之具有第一色彩或光譜(色彩1)之泵浦光或光功率對由發光裝置或光功率發射裝置100A發射之總光或光功率之能量比限制為小於10%，且在一些實施例中小於2%。 在實施例中，色彩或光譜1可分別為例如藍色、紫色或UV泵浦，且色彩或光譜2可為例如一暖白色、一冷白色、紅色、青色或綠色之一者。在實施例中，暖白色可具有在1800K與2500K之間的一色點且色彩可呈現橙色，且冷白之色彩可呈現藍色或青色。雖然關於目標白色調諧色彩描述本文中描述之實施例，但一般技術者將認識到，取決於應用，第二色彩或光譜(色彩2)可為任何色彩，諸如紅色、綠色或藍色。 圖1B係提供跨三個可定址片段取得之另一例示性多段LED 100B之一橫截面之一視圖之一圖。在圖1B中繪示之實例中，代替使用安置於全部片段160上方之一單一完全轉換波長轉換層120a，將個別的完全轉換波長轉換層180、185及190安置於各自片段或各自片段之群組(未展示)上方。個別的完全轉換波長轉換層可未完全光學密封以提供部分分段之完全轉換波長轉換。 圖1C係提供跨三個可定址片段取得之另一例示性多段LED 100C之一橫截面之一視圖之一圖。在圖1C中繪示之實例中，一單一完全轉換波長轉換層120b經安置於全部片段160上方。然而，在圖1C中，藉由形成相鄰片段160a、160b及160c之間的各自分離187a及187b而將完全轉換波長轉換層120b部分分段。例如，可藉由在完全轉換波長轉換層120b中形成未完全切穿層120b之雷射切口以提供一部分分段之完全轉換波長轉換層120b而形成分離187a及187b。 圖1D係提供跨三個可定址片段160a、160b及160c取得之另一例示性多段LED 100D之一橫截面之一視圖之一圖。在圖1D中繪示之實例中，LED 100D包含安置於完全轉換波長轉換層120c上方之一散射或關閉狀態白層195a。散射或關閉狀態白層195a可包含安置於一光學透明材料或基質中之TiOX 粒子、其他散射材料粒子或任何關閉狀態白色材料，諸如石蠟。層195a可用以提供由個別片段發射之光之散射(如下文更詳細描述)及/或在其關閉時提供多段LED之一白色外觀。 圖1E係提供跨三個可定址片段160a、160b及160c取得之另一例示性多段LED 100E之一橫截面之一視圖之一圖。在圖1E中繪示之實例中，散射或關閉狀態白層195b由形成於層195b中之各自分離197a及197b部分分段。類似於圖1C之實施例，可藉由在層中形成未完全切穿層之雷射切口以提供一部分分段之散射或關閉狀態白層195b而將散射或關閉狀態白層195b部分分段。 圖1F係提供一直接藍色多段LED 100F之一橫截面之一視圖之一圖。在圖1F中繪示之實例中，未使用波長轉換層，且泵浦光或光功率以其原始色彩或光譜(例如，藍色)發射出LED。在實施例中，一散射層199可經安置於片段160上方，如下文更詳細描述。多段層可未分段，如圖1F中展示，或經部分分段，如圖1E中展示。 在其中使用一部分分段之完全轉換波長轉換層及/或一部分分段之散射或關閉狀態白層之實施例中，完全轉換降低或消除色彩陰暗之風險，同時部分分段在期望時增大片段間對比度。 在以下實施例中，所描述之多段LED可為關於圖1A、圖1B、圖1C、圖1D、圖1E或圖1F描述之多段LED之任一者或一般技術者將理解之任何變體。另外，雖然使用術語多段LED，但多段LED可為任何類型之矽發光裝置或光功率發射裝置(包含雷射)，且可發射可見光或光功率(例如，IR光譜，其中目標輻射在IR範圍內，且泵浦光或光功率可為UV直至紅色，且其可基於LED或基於雷射)。 圖2係一例示性智慧型電話200之背部之一圖。圖2中繪示之智慧型電話200具有一相機模組210，該相機模組210可包含一影像感測器單元可經由其擷取一場景之一影像之一透鏡(240)。相機模組210亦包含一閃光燈模組250，該閃光燈模組250可包含一或多個LED (諸如多個LED 100)。在圖2中繪示之實例中，閃光燈模組250包含兩個LED 220及230。然而，一般技術者將瞭解，可使用與本文中描述之實施例一致之一或多個LED。圖3A、圖3B、圖3C中提供閃光燈模組250中之一或多個多段LED之不同可能配置之實例。 圖3A及圖3B係如圖2中之包含雙LED 220及230之例示性閃光燈模組250之圖。在圖3A中繪示之實例中，閃光燈模組250a包含一冷白多段LED 220a及一暖白多段LED 230a。冷白多段LED 220a可包含複數個可定址片段，全部該等片段可由經調諧以發射具有一所要色彩(諸如一青白色)之光的一完全轉換波長轉換層覆蓋，該層可由UV光泵送，或可為一直接藍色或直接青色發射LED。例示性青白色波長轉換層包含BAM (Eu活化之Ba-Mg-鋁酸鹽)、ZnS:Ag或Sr3 MgSi2 O8 :Eu (SMS)。應注意，對於可見應用，若應用未偵測到UV光，則UV泵送之青色波長轉換層不一定必須完全轉換。然而，因效率及安全原因，其仍為較佳的。 暖白多段LED 230a可類似地包含複數個可定址片段，全部該等片段可由經調諧以發射具有在暖白橙色範圍內之色點之光的一完全轉換波長轉換層覆蓋。例示性暖白完全轉換波長轉換層可包含BSSN ((Ba,Sr)2 Si5 N8 :Eu)、YAG:Ce及Sr[LiAl3 N4 ]:Eu2+ 。 在圖3B中繪示之實例中，閃光燈模組250b包含一紅色多段LED 220b及一青色多段LED 230b。紅色多段LED 220b可包含複數個可定址片段，全部該等片段可由經調諧以發射紅光之一完全轉換波長轉換層覆蓋。例示性紅色完全轉換波長轉換層可包含BSSN ((Ba,Sr)2 Si5 N8 :Eu)或Sr[LiAl3 N4 ]:Eu2+ 。青色多段LED 230b可類似地包含複數個可定址片段，全部該等片段可由經調諧以發射青光之一完全轉換波長轉換層覆蓋。一例示性青色完全轉換波長轉換層可包含YAG:Ce及Y,LuAG:Ce。 圖3C係包含三個多段LED 220c、230c及310之一例示性閃光燈模組250c之一圖。在圖3C中繪示之實例中，閃光燈模組250c包含一紅色多段LED 220c、一綠色多段LED 230c及一藍色多段LED 310。紅色多段LED 220c可類似於圖3B之紅色多段LED 220b。綠色多段LED 230c可包含複數個可定址片段，全部該等片段可由經調諧以發射綠光之一完全轉換波長轉換層覆蓋。例示性綠色完全轉換波長轉換層可包含YAG:Ce磷光體或YLuAG-Ce磷光體。 藍色LED 310 (或在藍色範圍內之一冷白LED)可不需要一波長轉換層，此係因為LED 310之作用層可直接發射藍光。在其中可使用一直接藍色LED之實施例中(諸如在圖3C或圖3A中)，LED可包含一光散射層，諸如TiOX 粒子分散至其中之聚矽氧層。TiOX 層可用以將源大小調諧為磷光體覆蓋之LED (諸如紅色LED 220c及綠色LED 230c)。散射層亦可用於此一實施例中以擴散光或光功率，使得來自閃光燈模組中之全部LED之照度分佈及輻射圖案類似，此可容許針對各LED使用相同光學器件用於適當場景照明。 一或多個多段LED 100可於一相機模組210之一閃光燈模組250中用於若干不同目的，此在下文更詳細描述。在實施例中，可在距一或多個LED之一短距離處混合由一或多個多段LED輸出之光或光功率，使得閃光燈模組250之總體光或光功率輸出之色點或光譜可經調諧以匹配環境燈光。在進一步實施例中，可將來自一或多個多段LED之個別片段之光或光功率投影至待拍攝場景上(例如，使用一菲涅耳透鏡)，而非混合由片段輸出之光或光功率。可進行此以例如在一待拍攝場景處提供較均勻燈光、突顯一待拍攝場景之不同區、或改變照明一待拍攝場景之不同區的光或光功率之色點或光譜。 圖4係於一相機(諸如圖2之智慧型電話相機模組210)中使用之一例示性成像系統400之一方塊圖。例示性成像系統400可用以提供具有一色點或光譜之一閃光輸出，其經調諧為環境燈光或補償環境光之非所要特性。例示性成像系統400亦可用以改變不同片段之亮度且將一或多個多段LED之一影像投影至一待拍攝場景上。 圖4中繪示之例示性成像系統400包含具有兩個多段LED 425及430之一閃光燈模組250，但一般技術者將瞭解，根據本文中描述之實施例，可使用一個或兩個以上多段LED。多段LED可耦合至一驅動器420，該驅動器420可供應電力至一或多個多段LED，如下文更詳細描述。驅動器420可耦合至一處理器410 (例如，一微處理器)，該處理器410可經耦合以自一使用者介面405、一影像感測器單元415及(視情況)一3D感測器450接收輸入。在實施例中，控制多段LED 425至430之各種電路(諸如處理器410及驅動器420)可稱為一控制器。 影像感測器單元415可為用於量測環境光及/或產生一場景之一照明輪廓之目的之一影像感測器。或者，影像感測器單元415可包含相機之主影像感測器。在實施例中，一單獨相機控制器可為影像感測器單元415之部分且可控制影像感測器之曝光。使用者介面405可為例如一使用者啟動之輸入裝置，諸如一使用者按壓以攝取一圖像之一按鈕或一觸控螢幕裝置。然而，在實施例中，諸如在可自動攝取一圖像時，可不需要使用者輸入。 光學元件435及440經提供用於各種目的且可取決於使用其應用而變化。在實施例中，光學元件可為準直透鏡，其可在距多段LED之一短距離處混合來自對應多段LED之光且將組合光聚焦於場景445上。在實施例中，光學元件可為用以將對應多段LED之影像投影至一待拍攝場景445上之菲涅耳透鏡(如下文更詳細描述)。 3D感測器450 (若包含)可為能夠在擷取一待拍攝場景之一最終影像之前形成該場景之一3D輪廓之任何適合感測器。在實施例中，3D感測器450可為一飛行時間(ToF)相機，且時間可用以計算距待拍攝場景中之各物件之距離。在實施例中，3D感測器450可為一結構化光感測器，其可包含將一特殊設計之光圖案投影至場景上之一投影裝置。一相機亦可包含於結構化光感測器中以量測自場景中之物件反射之光圖案之各部分之位置，且藉由三角測量判定距物件之距離。在實施例中，3D感測器450可為在一裝置之本體中定位成彼此相距一距離之一或多個輔助相機。藉由比較如一或多個輔助相機所見之物件之位置，可藉由三角測量判定距各物件之距離。在實施例中，3D感測器450可使用裝置(例如，影像感測器單元415)中之主相機之自動聚焦信號。在掃描相機透鏡之焦點位置時，系統可偵測場景之哪些部分在哪些位置處聚焦。接著，可藉由將對應透鏡位置轉譯為距針對此等位置聚焦之物件之距離而建立場景之一3D輪廓。可藉由習知方法(諸如藉由量測對比度或藉由使用相機感測器內之相位偵測感測器)導出一適合自動聚焦信號。當使用相位偵測感測器時，在一些實施例中，針對閃光燈模組之最佳運作，個別相位偵測感測器之位置可對應於由一或多個多段發光裝置之各別片段照明之區域，如下文描述。 在其中在將來自一多段發光裝置之多個片段之光聚焦至場景上之前混合光之實施例中，處理器410可判定環境燈光之色點且控制驅動器420以調諧由一或多個多段LED 425至430輸出之混合光使其匹配環境燈光之色點或補償環境光之非所要特性。此可藉由控制驅動器420以定址多段LED之各者或單一LED之特定片段使得各色彩表示總光輸出之一特定百分比而完成。藉由實例，若多段發光裝置425係一暖白裝置且多段發光裝置430係一冷白裝置，且環境燈光之色點表示75%冷色及25%暖色之一色點，則可定址冷白裝置430中之75%之片段且可定址暖白裝置425中之25%之片段。在此一實施例中，可將相同電流施加至各經定址片段以維持一準確色點。在其他實施例中，可將不同電流施加至不同經定址片段以使其發射更亮的光，且處理器410將在判定定址各多段發光裝置中之多少片段時考量亮度差異。處理器410在使用不同數目個多段LED且在使用具有不同色彩之多段LED時可類似地表現。 圖5係操作一或多個多段發光裝置之一例示性方法之一流程圖500，其中混合由片段輸出之光。在圖5中繪示之實例中，方法包含量測環境燈光之色點(510)。此可根據此項技術中已知之任何方法完成，諸如藉由控制影像感測器單元415以首先對場景445進行成像及分析影像以判定環境光之色點。接著，可判定一或多個多段發光裝置之各者之待定址片段(520)。此可例如藉由處理器410存取一查找表而完成，該查找表可基於環境光之經判定色點向處理器410告知定址哪些片段以匹配環境光之色點或補償光之特定特性(諸如螢光燈之偏綠色特性)。接著，處理器410可控制驅動器420以定址經判定片段(530)。 在其中將一或多個多段LED之一影像投影至場景445上之實施例中，處理器410可判定場景445之一最佳照明度輪廓，且控制驅動器420以定址特定片段且使用特定電流來基於經判定最佳照明度輪廓驅動特定片段。可使用一或多個菲涅耳透鏡來將各多段發光裝置之一影像投影至待拍攝場景445上。 圖6A、圖6B、圖6C及圖6D係展示用於將一或多個多段LED之一或多個影像投影至一待拍攝場景445上之多段發光裝置及菲涅耳透鏡之不同配置之例示性成像系統之圖。在圖6A及圖6B中，成像系統600A及600B各自包含一各自單一多段LED 605A/605B及一各自菲涅耳透鏡615A/615B，其用以照明一場景610A/610B。如在繪示中可見，多段發光裝置605A/605B之特定片段經啟動(用一X指示)且使用菲涅耳透鏡615A/615B來投影多段LED 605A/605B之影像，使得將藉由啟動用一X指示之片段而產生之圖案之一鏡像投影至場景610A/610B上(在圖中用X指示投影至場景上之光圖案)。 在圖6C及圖6D中，使用兩個多段LED及兩個對應菲涅耳透鏡。在圖6C中，成像系統600C包含兩個多段LED 605C及606A以及兩個菲涅耳透鏡615C及616A。菲涅耳透鏡615C及616A各自經組態以將一各自多段LED 605C及606A之一影像投影至場景610C之一對應區上。在圖6C中繪示之實例中，透鏡615C將多段LED 605C之一影像投影至場景610C之一上區620上，且透鏡616A將多段LED 606A之一影像投影至場景610C之一下區625上。如下文更詳細描述，此可使系統600C能夠達成不同燈光效果，諸如將一較暖光投影至場景之一下部分上且將一較冷光投影至場景之一上部分上。在一些實施例中，多段LED 605C及606A可照明場景610C之重疊部分以將更多光提供至重疊部分。例如，投影至場景上之陣列可在場景之中心重疊，中心通常需要比場景之邊緣更多之光。 在圖6D中，成像系統600D包含兩個多段LED 605D及606B以及兩個菲涅耳透鏡615D及616B。在圖6D中繪示之實例中，系統600D可為色彩可調諧的。多段發光裝置605D及606B發射各自光束630及635，其在照明場景610D時重疊。處理器410可計算應施加至各多段LED 605D/606B之適當電流，使得來自陣列之光之總和針對場景之各部分具有所要照明度及色點。可添加與本文中描述之實施例一致之發射額外色彩之額外多段LED (或光發射器)。 圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10A及圖10B提供可用一單一電流或不同電流定址一或多個多段LED之片段以不同地照明一場景700中之一目標物件710之不同方式之實例。在2016年11月2日申請之PCT申請公開案第WO/2017/080875號中提供更多細節，該案以宛如全文闡述引用的方式併入本文中。在實施例中，根據一經計算照明輪廓，在圖中藉由虛線圓識別之目標710可需要比場景之其餘部分更多之光。 分佈待施加至一多段LED之一或多個片段之電流之一個考量在於：對於一些裝置(諸如行動裝置或其他電池供電裝置)，閃光燈模組250可用之最大電流量受限於裝置電池之容量。當界定至全部片段之驅動電流位準時，系統可考慮到最大可用電流且針對各片段界定驅動電流位準，使得總驅動電流不超過最大值同時維持片段之間的恰當強度比且最大化總光輸出。 圖7A繪示當一多段LED 750A之全部片段720A (在圖7B中繪示)經定址且供應有相同電流量時場景700A被如何照明。如所繪示，場景之中心比邊緣更明亮，且特定言之，定位在場景之中心附近之目標710A之部分比定位在場景之邊緣附近之目標710A之部分更明亮。 圖8A繪示當片段720B之一子組及特定言之在多段LED 750B之中間及左下區中之三個片段722、724及726 (在圖8B中繪示)經定址且供應有相同電流而片段720B之其餘部分未定址且未供應電流時場景700B被如何照明。如圖8A中繪示，大致對應於目標710B之場景700B之右側比場景700B之其餘部分更明亮地照明。經定址片段722、724及726之電流密度可為圖7B中之經定址片段(其中用相同電流供應全部片段720A)之三倍。因此，圖8A中之目標710B之照明度可為圖7A中之目標710A之照明度之約1.6倍。為獲得較高照明度，可定址較少之片段。 圖9A繪示當一單一片段720C經定址且供應有最大電流而其他八個片段720C未定址且未供應電流時場景700C被如何照明。在圖9B中繪示之實例中，最左行之中心之片段728經定址且具有最大電流。如圖9A中繪示，大致對應於目標之場景700C之右側比場景700C之其餘部分更明亮地照明，但被高度照明之光點小於例如圖8A中之光電。然而，圖9A中之目標之照明度大於例如圖8A中之目標之照明度。 在實施例中，為改良跨整個目標710之照明度之均勻性，處理器410可控制驅動器420以改變供應至不同經定址片段之電流。 圖10A繪示當四個片段720D經定址且供應有不同電流位準且五個片段720D未定址且未供應電流時場景700D被如何照明。在圖10B中繪示之實例中，中心片段730供應有大小為中心行中之底部片段736之四倍且為中心片段732及最左側行中之底部片段734之兩倍的電流。如圖10B中繪示，頂部列及最右行之片段720D未接收到電流。如圖10A中繪示，大致對應於目標710D之場景700D之右側比場景700D之其餘部分更明亮地照明，但目標710D之照明度比例如圖7A、圖8A及圖9A中之照明度更均勻。 在其他實施例中，當處理器410自例如使用者介面405接收到放大相機透鏡之一指令時，多段LED之中心附近之片段可接收到更多電流。在實施例中，場景之中心處之照明度可比圖7A中繪示之場景之中心增大1.15倍。在其他實施例中，場景之中心處之照明度可比圖7A中繪示之場景中心增大2.2倍。相反，當處理器410自例如使用者介面405接收到縮小相機透鏡之一指令時，多段LED之邊緣附近之片段可接收到更多電流。對於廣角應用，多段LED之邊緣處之片段可接收到等量電流，而中心片段可能未接收到電流。在實施例中，場景之中心處之照明度可減小為例如圖7A中繪示之場景之中心處之照明度之0.85倍。 系統400亦可用以例如藉由僅提供電流至對應於各目標之片段或藉由提供更多電流至對應於各目標之片段而照明多個目標。另外，系統400可用以藉由僅提供電流至對應於遠離相機之元素之片段或藉由提供更多電流至對應於遠離相機之元素之片段而減少含有靠近相機及遠離相機之元素之一場景中之曝光過度。雖然本文中描述之實施例提供控制閃光燈色點及亮度分佈之自動方法，但使用者介面405亦可用以向一使用者提供對閃光燈色點及亮度分佈之個人控制。 雖然關於一單一多段LED描述上文關於例如圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10A及圖10B描述之實施例，但一般技術者將認識到，其可同等應用於其中一個以上多段LED包含於一閃光燈模組中之實施例。例如，若兩個多段LED發射一不同白光色點，則各LED中之相同片段可經定址以確保遍及場景之LED之影像良好重疊而確保一均勻照明色彩，且在一些實施例中，可藉由改變至LED之一者之電流而調整各色點對組合照明之相對量。 可針對具有一單一菲涅耳透鏡之所繪示3x3多段LED計算上文提供之實例之照明度值。然而，其可經調適用於具有不同數目個片段之多段LED及多個多段LED與多個菲涅耳透鏡，如上文實施例中描述。各片段之光輸出可受控於多段LED之驅動器電流或具有一固定電流之脈衝持續時間。 圖11係操作一或多個多段LED之一例示性方法1100之一流程圖，其中將由片段輸出之光投影至場景上。在圖11中繪示之實例中，方法包含量測一待拍攝場景(1110)及產生一場景之一照明輪廓(1120)。接著，可控制驅動器420以定址一或多個多段LED之特定片段而基於照明輪廓施加特定電流至經定址片段(1130)。 在實施例中，可使用3D感測器450及影像感測器單元415之一或多者來量測場景。在一個實例中，使用者介面405可將指示將攝取一圖像之一指令提供至處理器410。影像感測器單元415或3D感測器450可在閃光燈模組250關閉之情況下擷取對應於影像感測器單元415之視野之場景445之一第一初步影像。接著，閃光燈模組250可開啟而處於一較低光輸出模式(例如，照亮模式)。此時，閃光燈模組之照明度輪廓可被設定為均勻的，此意謂按一已知照明輪廓照明場景445之全部區。接著，可使用影像感測器單元415或3D感測器450來擷取一第二初步影像，同時閃光燈模組250持續開啟而具有均勻照明度輪廓及低亮度。接著，處理器410可針對場景445之全部區計算最佳亮度以達成最佳曝光。此可例如藉由自第二初步影像之各自像素亮度值減去第一初步影像之像素亮度值且按比例調整差異以達成最佳曝光位準而完成。接著，可在閃光燈模組250根據經判定照明度輪廓啟動之情況下藉由影像感測器單元415擷取場景445之最終影像。 在另一實例中，處理器410可諸如自使用者介面405接收指示應攝取一圖像之一輸入。接著，處理器410可控制影像感測器單元415或3D感測器450以在閃光燈模組250關閉之情況下擷取對應於影像感測器單元415之視野之場景445之一第一初步影像。接著，可產生場景445之一3D輪廓。例如，3D感測器450可產生場景之3D輪廓，或3D感測器450可感測關於場景445之資料且將資料傳輸至處理器410，該處理器410可產生場景之3D輪廓。接著，處理器410可針對場景445之全部部分計算最佳亮度以達成最佳曝光。基於計算，處理器410可控制驅動器420以使用閃光燈模組250來照明場景445。 在另一實例中，處理器410可諸如自使用者介面405接收指示應攝取一圖像之一輸入。接著，處理器410可控制影像感測器單元415或3D感測器450以在閃光燈模組關閉之情況下擷取對應於影像感測器單元415之視野之場景445之一第一初步影像。接著，可產生場景445之一3D輪廓。此時，閃光燈模組之照明度輪廓可保持均勻，此意謂照明場景445之全部部分。接著，可在閃光燈模組250處於照亮模式之情況下擷取一第二初步影像。接著，處理器410可針對場景445之全部部分計算最佳亮度以基於所擷取之兩個初步影像及3D輪廓達成最佳曝光(如上文在第二實例中描述)。接著，影像感測器單元415可在閃光燈模組250根據經計算照明度輪廓啟動之情況下擷取最終影像。 亦可針對本文中描述之實施例定義一或多個照明模式。例如，在一第一群組之照明模式中，來自閃光燈模組250之照明可跨場景分佈以達成最均勻之有用照明圖像。特定言之，在一些實施例中，可最小化曝光過度，諸如在其中前景由環境光良好照明之情況中，可將來自閃光燈模組250之全部光引導至場景445之背景。在一些實施例中，諸如在其中背景由環境光良好照明且將來自閃光燈模組250之全部光引導至前景之情況下，閃光燈模組250可充當一填入閃光燈。在一些實施例中，在其中前景及背景由環境燈光均勻照明之情況下，可主要將來自閃光燈模組250之光發送至背景。在一些實施例中，在前景暗之情況下，來自閃光燈模組250之光可照明前景恰足以產生一良好圖像，且將來自發光模組之光之其餘部分發送至背景。 在實施例中，在一第二群組之照明模式中，可照明選定物件。特定言之，在結合面部辨識之一些實施例中，面部(或其他物件)可經最高加權以進行最佳照明。在結合面部辨識之一些實施例中，面部(或另一物件)周圍的背景可接收到較少之光以例如增大經照明面部或另一物件與最靠近面部或另一物件之背景之間的對比度。在一些實施例中，選定區可包含場景445之放大的影像或以其他方式識別之部分。在一些實施例中，對於例如名片之圖像，可按一極高均勻性之輪廓發射來自閃光燈模組250之光。 雖然上文關於LED閃光燈描述特定實施例，但如在上文實施例之任一者中，具有完全轉換波長轉換層之一或多個多段LED可用於其他類型之一般燈光中，諸如視訊之照亮、工作室燈光、劇院/舞臺燈光或建築燈光。此外，雖然描述特定泵浦光源，但任何適合泵浦光可用於多段LED，包含非可見光功率。再者，雖然實施例討論可見照明應用，但其他情況(諸如包含一波長轉換步驟之IR輻照及IR光譜)亦可獲益於良好界定之發射光譜而無泵浦光洩漏。在此等非可見光功率應用中，代替使用完全轉換波長轉換層來轉換光之色點，將光譜轉換為一目標光譜。此外，在其中僅描述可見光發射或轉換之例項中，意欲可置換光功率發射或轉換。 在已詳細描述實施例之情況下，熟習此項技術者將瞭解，在本描述之情況下，可在不脫離發明概念之精神之情況下對所描述實施例進行修改。因此，並不意欲將本發明之範疇限於所繪示且描述之特定實施例。另外，可在併入於一電腦可讀媒體中以由一電腦或處理器執行之一電腦程式、軟體或韌體中實施本文中描述之方法。電腦可讀媒體之實例包含電子信號(經由有線或無線連接傳輸)及電腦可讀儲存媒體。電腦可讀儲存媒體之實例包含但不限於一唯讀記憶體(ROM)、一隨機存取記憶體(RAM)、一暫存器、快取記憶體、半導體記憶體裝置、磁性媒體(諸如內部硬碟及可抽換磁碟)、磁光媒體，及光學媒體(諸如CD-ROM光碟及數位多功能光碟(DVD))。
100A‧‧‧多段發光裝置(LED)/光功率發射裝置100B‧‧‧多段發光裝置(LED)100C‧‧‧多段發光裝置(LED)100D‧‧‧多段發光裝置(LED)100E‧‧‧多段發光裝置(LED)100F‧‧‧多段發光裝置(LED)110‧‧‧基板/生長基板120a‧‧‧完全轉換波長轉換層120b‧‧‧完全轉換波長轉換層120c‧‧‧完全轉換波長轉換層125‧‧‧磷光體粒子/磷光體126‧‧‧透明黏結劑/基質127‧‧‧射線130‧‧‧n型層/n型區135‧‧‧發光作用區/光功率發射作用區140‧‧‧p型層/p型區145‧‧‧接觸件/p接觸件150‧‧‧接觸件/n接觸件160a‧‧‧片段160b‧‧‧片段160c‧‧‧片段165‧‧‧電路板170a‧‧‧溝槽170b‧‧‧溝槽180‧‧‧完全轉換波長轉換層185‧‧‧完全轉換波長轉換層187a‧‧‧分離187b‧‧‧分離190‧‧‧完全轉換波長轉換層195a‧‧‧散射或關閉狀態白層195b‧‧‧散射或關閉狀態白層197a‧‧‧分離197b‧‧‧分離199‧‧‧散射層200‧‧‧智慧型電話210‧‧‧相機模組220‧‧‧發光裝置(LED)220a‧‧‧冷白多段發光裝置(LED)220b‧‧‧紅色多段發光裝置(LED)220c‧‧‧紅色多段發光裝置(LED)230‧‧‧發光裝置(LED)230a‧‧‧暖白多段發光裝置(LED)230b‧‧‧青色多段發光裝置(LED)230c‧‧‧綠色多段發光裝置(LED)240‧‧‧透鏡250‧‧‧閃光燈模組250a‧‧‧閃光燈模組250b‧‧‧閃光燈模組250c‧‧‧閃光燈模組310‧‧‧藍色多段發光裝置(LED)400‧‧‧成像系統405‧‧‧使用者介面410‧‧‧處理器415‧‧‧影像感測器單元420‧‧‧驅動器425‧‧‧多段發光裝置(LED)430‧‧‧多段發光裝置(LED)435‧‧‧光學元件440‧‧‧光學元件445‧‧‧待拍攝場景450‧‧‧3D感測器500‧‧‧流程圖510‧‧‧量測環境燈光之色點520‧‧‧判定一或多個多段發光裝置之各者之待定址片段530‧‧‧處理器控制驅動器以定址經判定片段600A‧‧‧成像系統600B‧‧‧成像系統600C‧‧‧成像系統600D‧‧‧成像系統605A‧‧‧多段發光裝置(LED)605B‧‧‧多段發光裝置(LED)605C‧‧‧多段發光裝置(LED)605D‧‧‧多段發光裝置(LED)606A‧‧‧多段發光裝置(LED)606B‧‧‧多段發光裝置(LED)610A‧‧‧場景610B‧‧‧場景610C‧‧‧場景610D‧‧‧場景615A‧‧‧菲涅耳透鏡615B‧‧‧菲涅耳透鏡615C‧‧‧菲涅耳透鏡615D‧‧‧菲涅耳透鏡616A‧‧‧菲涅耳透鏡616B‧‧‧菲涅耳透鏡620‧‧‧場景之上區625‧‧‧場景之下區630‧‧‧光束635‧‧‧光束700A‧‧‧場景700B‧‧‧場景700C‧‧‧場景700D‧‧‧場景710A‧‧‧目標710B‧‧‧目標710D‧‧‧目標720A‧‧‧片段720B‧‧‧片段720C‧‧‧片段720D‧‧‧片段722‧‧‧片段724‧‧‧片段726‧‧‧片段728‧‧‧片段730‧‧‧片段732‧‧‧片段734‧‧‧片段736‧‧‧片段750A‧‧‧多段發光裝置(LED)750B‧‧‧多段發光裝置(LED)1100‧‧‧方法1110‧‧‧量測待拍攝場景1120‧‧‧產生場景之照明輪廓1130‧‧‧控制驅動器以定址一或多個多段LED之特定片段而基於照明輪廓施加特定電流至經定址片段
圖1A係提供跨三個可定址片段取得之在全部片段上方具有一單一完全轉換波長轉換層的一例示性多段LED之一橫截面之一視圖之一圖； 圖1B係提供跨三個可定址片段取得之具有未完全光學密封且分別安置於一或多個片段上方之個別完全轉換波長轉換層的一例示性多段LED之一橫截面之一視圖之一圖； 圖1C係提供跨三個可定址片段取得之具有部分分段且安置於全部片段上方之一單一完全轉換波長轉換層的一例示性多段LED之一橫截面之一視圖之一圖； 圖1D係提供跨三個可定址片段取得之具有一散射或關閉狀態白層覆疊的一例示性多段LED之一橫截面之一視圖之一圖； 圖1E係提供跨三個可定址片段取得之具有一部分分段散射或關閉狀態白層覆疊的一例示性多段LED之一橫截面之一視圖之一圖； 圖1F係提供跨三個可定址片段取得之一例示性多段直射藍色LED之一橫截面之一視圖之一圖； 圖2係一例示性智慧型電話之背部之一圖； 圖3A及圖3B係包含雙多段LED之例示性閃光燈模組之圖； 圖3C係包含三個多段LED之一例示性閃光燈模組之一圖； 圖4係於一相機(諸如一智慧型電話相機)中使用之一例示性成像系統之一方塊圖； 圖5係操作一或多個多段LED之一例示性方法之一流程圖，其中在距一或多個LED之一短距離處混合由片段輸出之光或光功率； 圖6A、圖6B、圖6C及圖6D係展示用於將一或多個多段LED之一或多個影像投影至一待拍攝場景上的菲涅耳透鏡(Fresnel lens)之不同配置之例示性成像系統之圖； 圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10A及圖10B係繪示可用一單一電流或不同電流定址一或多個多段LED之片段以不同地照明一場景中之一目標物件的不同方式之實例之圖；及 圖11係操作一或多個多段LED之一例示性方法之一流程圖，其中將由片段輸出之光投影至場景上。
100A‧‧‧多段發光裝置(LED)/光功率發射裝置
110‧‧‧基板/生長基板
120a‧‧‧完全轉換波長轉換層
125‧‧‧磷光體粒子/磷光體
126‧‧‧透明黏結劑/基質
127‧‧‧射線
130‧‧‧n型層/n型區
135‧‧‧發光作用區/光功率發射作用區
140‧‧‧p型層/p型區
145‧‧‧接觸件/p接觸件
150‧‧‧接觸件/n接觸件
160a‧‧‧片段
160b‧‧‧片段
160c‧‧‧片段
165‧‧‧電路板
170a‧‧‧溝槽
170b‧‧‧溝槽

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，其包括：一晶粒，其包括由複數個溝槽分離的複數個可個別定址之片段(segments)，各片段包括一經組態以發射輻射之半導體結構；耦合至該晶粒之一波長轉換層，該波長轉換層具有包含一磷光體之一黏合劑材料，該磷光體之一密度將未轉換之出射(exiting)該波長轉換層之該輻射之能量對衝擊(impinging)該波長轉換層之該輻射之能量之比例限制為小於10%；及安置於該波長轉換層上方之一散射層，該散射層包括分離(separations)，其未完全切穿該散射層並且經實質垂直對準該等溝槽而使該等分離係安置在該等片段之間。
  2. 如請求項1之裝置，其中在該黏合劑中之該磷光體之一濃度係介於每體積(per volume)10%至80%。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該磷光體之一顆粒大小具有一自1μm至50μm之中值。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中該波長轉換層包括不同個磷光體，其一同產生一所要(desired)色點或該經轉換光之目標光譜，其將出射該波長轉換層之輻射的一數量列入考量。
  5. 如請求項1或2之裝置，其中該波長轉換層之一厚度係少於大約該等片段之一之一長度之1/3。
  6. 如請求項1或2之裝置，其中該波長轉換層包括形成於該波長轉換層中之一表面之多個分離，該表面相對於(opposing)面對該晶粒之該波長轉換層之一表面。
  7. 如請求項1或2之裝置，其中：該散射層包括安置於一光學透明材料中一關閉狀態白色材料之粒子，以提供由該複數個可個別定址之片段發射之光之散射且在該複數個可個別定址之片段關閉時提供一白色外觀。
  8. 如請求項1或2之裝置，其中該等分離係形成於該散射層中之一表面，該表面相對於面對該波長轉換層之該散射層之一表面。
  9. 如請求項1或2之裝置，其進一步包括：一基板，該等可個別定址之片段係被安置於其上，其中該波長轉換層係透過該基板與該等可個別定址之片段耦合，其中可個別定址之片段之各者包括一n層、一p層及一作用層，其中該等可個別定址之片段係由複數個接觸件所電驅動而使對可個別定址之片段之各者而言一唯一的n接觸件接觸該n層及一唯一的p接觸件接觸該p，及其中該等溝槽經形成穿過該p層、該作用層及該n層之至少一部分。
  10. 一種照明裝置，其包括：一第一發光結構，該結構包括：一第一晶粒，其包括由複數個第一溝槽分離的複數個第一可個別定址之片段，該複數個第一可個別定址之片段之各者包括經組態以發射第一輻射之一第一半導體結構；及與該第一晶粒耦合之一第一波長轉換層，該第一波長轉換層具有包含一磷光體之一黏合劑材料，該磷光體之一密度將未轉換之出射該第一波長轉換層之該第一輻射之能量對衝擊該第一波長轉換層之該第一輻射之能量之比例限制為小於10%；一第二發光結構，該結構包括一第二晶粒，其包括由複數個第二溝槽分離的複數個第二可個別定址之片段，該複數個第二可個別定址之片段之各者包括經組態以發射第二輻射之一第二半導體結構；與該第二晶粒耦合之一第二波長轉換層；及安置於至少該第一及第二波長轉換層之一之上之第一散射層，該第一散射層由散射層分離成部分分段，該散射層分離形成在該第一散射層之一表面中，該表面相對於面對該至少該第一及第二波長轉換層之一之該第一散射層之一表面且未完全切穿該第一散射層，且該散射層分離形成於至少該等第一及第二複數個可個別定址之片段之一之相鄰片段之間。
  11. 如請求項10之照明裝置，其中：該第二波長轉換層與該第二晶粒耦合，該第二波長轉換層具有包含一磷光體之一黏合劑材料，該第二波長轉換層之該磷光體之一密度將出射 該第二波長轉換層之該第二輻射之能量對衝擊該第二波長轉換層之該第二輻射之能量之比例限制為小於10%，且由第一及第二波長轉換層發出之光係屬不同。
  12. 如請求項11之照明裝置，其中至少該第一或第二波長轉換層之一包括不同個磷光體，其一同產生一所要色點或從中出射之光之目標光譜，其將通過其中之輻射之一數量列入考量。
  13. 如請求項10或11之照明裝置，其中：至少該第一或第二波長轉換層之一包括波長轉換層分離，該等分離形成於該至少該第一或第二波長轉換層之一中之一表面，該表面相對於面對一關聯晶粒之該至少該第一或第二波長轉換層之一之表面，該等波長轉換層分離未完全切穿該至少該第一或第二波長轉換層之一，及該波長轉換層分離係垂直對準於該等溝槽而使該波長轉換層分離係安置於該等片段之間。
  14. 如請求項10或11之照明裝置，其中：該第一散射層包括安置於一光學透明材料中一關閉狀態白色材料之粒子，以提供由與該第一或第二波長轉換層之一關聯之該第一或第二複數個可個別定址之片段之一發射之光之散射且在該第一或第二複數個可個別定址之片段之一關閉時提供該第一或第二複數個可個別定址之片段之一一白色外觀。
  15. 如請求項14之照明裝置，其進一步包括：安置於該第一或第二波長轉換層之另一者上方之一第二散射層，其中該第二散射層包括安置於該光學透明材料中該關閉狀態白色材料之粒子，以提供由與該第一或第二波長轉換層之另一者關聯之該第一或第二複數個可個別定址之片段之該另一者發射之光之散射且在該第一或第二複數個可個別定址之片段之該另一者關閉時提供該第一或第二複數個可個別定址之片段之該另一者一白色外觀。
  16. 如請求項10、11或12之照明裝置，其中在該黏合劑中之該磷光體之一濃度係介於每體積10%至80%。
  17. 一種照明裝置，其包括：第一及第二獨立發光結構，該第一及第二發光結構之各者包括：複數個可個別定址之片段，其由複數個溝槽分離且經組態以發射特定波長之輻射；在關聯片段上方之一波長轉換層，該波長轉換層具有包含一磷光體之一黏合劑材料，該磷光體之一密度將未轉換之出射該波長轉換層之該輻射之能量對衝擊該波長轉換層之該輻射之能量之比例限制為小於10%；及安置於該波長轉換層上方之一散射層，該散射層包括未完全切穿該散射層之散射層分離，該等散射層分離實質垂直對準該等溝槽而使該散射層分離係安置於該等片段之間。
  18. 如請求項17之照明裝置，其中：波長轉換層之各者包括波長轉換層分離，其形成在未完全切穿該波長轉換層之該波長轉換層之一表面中，及該波長轉換層分離係垂直對準於該等溝槽而使該波長轉換層分離係安置於該等片段之間。
  19. 如請求項17或18之照明裝置，其中：該散射層包括安置於一光學透明材料中一關閉狀態白色材料之粒子，以提供由該等片段發射之光之散射且在該等片段關閉時提供一白色外觀。
  20. 如請求項17或18之照明裝置，其中該第一及第二發光結構係經組態以發射不同波長。
TW106138487A 2016-11-07 2017-11-07 具有完全轉換波長轉換材料的多段發光裝置或光功率發射裝置及其操作方法 TWI761387B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662418447P 2016-11-07 2016-11-07
US62/418,447 2016-11-07
US15/803,803 US10222681B2 (en) 2016-11-07 2017-11-05 Segmented light or optical power emitting device with fully converting wavelength converting material and methods of operation
US15/803,803 2017-11-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201834272A TW201834272A (zh) 2018-09-16
TWI761387B true TWI761387B (zh) 2022-04-21

Family

ID=62063885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106138487A TWI761387B (zh) 2016-11-07 2017-11-07 具有完全轉換波長轉換材料的多段發光裝置或光功率發射裝置及其操作方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10222681B2 (zh)
EP (2) EP3535784B1 (zh)
JP (1) JP2020501343A (zh)
KR (1) KR20190089909A (zh)
CN (5) CN116666530A (zh)
TW (1) TWI761387B (zh)
WO (1) WO2018106373A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6724634B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10222681B2 (en) 2016-11-07 2019-03-05 Limileds LLC Segmented light or optical power emitting device with fully converting wavelength converting material and methods of operation
KR102418120B1 (ko) * 2017-11-01 2022-07-07 삼성전자 주식회사 복수의 발광부 및 복수의 수광부를 포함하는 전자 장치
US10854794B2 (en) 2017-12-20 2020-12-01 Lumileds Llc Monolithic LED array structure
US10957820B2 (en) * 2017-12-21 2021-03-23 Lumileds Llc Monolithic, segmented light emitting diode array
US10910433B2 (en) * 2018-12-31 2021-02-02 Lumileds Llc Pixelated LED array with optical elements
US10903266B2 (en) * 2018-12-31 2021-01-26 Lumileds Llc Ultra-smooth sidewall pixelated array LEDs
JP7305970B2 (ja) * 2019-01-28 2023-07-11 市光工業株式会社 車両用前照灯
US11680696B2 (en) 2019-12-13 2023-06-20 Lumileds Llc Segmented LED arrays with diffusing elements
US11489005B2 (en) 2019-12-13 2022-11-01 Lumileds Llc Segmented LED arrays with diffusing elements
GB2595715B (en) * 2020-06-04 2022-08-17 Plessey Semiconductors Ltd Enhanced colour conversion and collimation of micro-LED devices
WO2023086633A1 (en) * 2021-11-15 2023-05-19 Lumileds Llc Multiple led arrays with non-overlapping segmentation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101939854A (zh) * 2008-01-04 2011-01-05 克里公司 具有高效率荧光结构的光发射器件
TW201321672A (zh) * 2011-10-13 2013-06-01 Intematix Corp 用於實施具有遠端波長轉換之可調式的發光裝置之方法和設備
US20150311407A1 (en) * 2012-12-12 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component
TW201606981A (zh) * 2013-01-25 2016-02-16 晶元光電股份有限公司 發光二極體封裝結構

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898185A (en) 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US6734465B1 (en) 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
US6956247B1 (en) * 2004-05-26 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material
US7404652B2 (en) 2004-12-15 2008-07-29 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Light-emitting diode flash module with enhanced spectral emission
JP2009509326A (ja) * 2005-09-19 2009-03-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 可変色の発光装置及びその制御方法
DE102006061175A1 (de) * 2006-12-22 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren
TWI440210B (zh) * 2007-01-22 2014-06-01 Cree Inc 使用發光裝置外部互連陣列之照明裝置及其製造方法
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR101525274B1 (ko) 2007-10-26 2015-06-02 크리, 인코포레이티드 하나 이상의 루미퍼를 갖는 조명 장치, 및 이의 제조 방법
US20110012147A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength-converted semiconductor light emitting device including a filter and a scattering structure
US8614539B2 (en) * 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
WO2013112435A1 (en) 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
US9257617B2 (en) 2012-02-10 2016-02-09 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
KR102180388B1 (ko) 2013-07-08 2020-11-19 루미리즈 홀딩 비.브이. 파장 변환 반도체 발광 디바이스
WO2015092696A1 (en) * 2013-12-19 2015-06-25 Koninklijke Philips N.V. Led module with uniform phosphor illumination
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
WO2015184019A1 (en) * 2014-05-27 2015-12-03 Innosys, Inc. Lighting systems
JPWO2016063930A1 (ja) * 2014-10-24 2017-08-03 デンカ株式会社 波長変換体、それを用いた発光装置及び波長変換体の製造方法
CN108369364B (zh) 2015-11-10 2021-07-16 亮锐控股有限公司 自适应光源
US10529696B2 (en) * 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
US10222681B2 (en) * 2016-11-07 2019-03-05 Limileds LLC Segmented light or optical power emitting device with fully converting wavelength converting material and methods of operation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101939854A (zh) * 2008-01-04 2011-01-05 克里公司 具有高效率荧光结构的光发射器件
TW201321672A (zh) * 2011-10-13 2013-06-01 Intematix Corp 用於實施具有遠端波長轉換之可調式的發光裝置之方法和設備
US20150311407A1 (en) * 2012-12-12 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component
TW201606981A (zh) * 2013-01-25 2016-02-16 晶元光電股份有限公司 發光二極體封裝結構

Also Published As

Publication number Publication date
US10222681B2 (en) 2019-03-05
EP3535784B1 (en) 2023-01-04
CN110291640A (zh) 2019-09-27
US20190324350A1 (en) 2019-10-24
CN116666531A (zh) 2023-08-29
US10895800B2 (en) 2021-01-19
WO2018106373A1 (en) 2018-06-14
CN116666530A (zh) 2023-08-29
CN116666534A (zh) 2023-08-29
JP2020501343A (ja) 2020-01-16
CN116685021A (zh) 2023-09-01
TW201834272A (zh) 2018-09-16
CN110291640B (zh) 2023-06-20
KR20190089909A (ko) 2019-07-31
US20180129121A1 (en) 2018-05-10
EP4163979A1 (en) 2023-04-12
EP3535784A1 (en) 2019-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI761387B (zh) 具有完全轉換波長轉換材料的多段發光裝置或光功率發射裝置及其操作方法
JP7341202B2 (ja) 適応光源
US10924686B2 (en) Optoelectronic lighting device, method of illuminating a scene, camera and mobile terminal