TWI760086B - 微型發光二極體顯示面板 - Google Patents

微型發光二極體顯示面板 Download PDF

Info

Publication number
TWI760086B
TWI760086B TW110103387A TW110103387A TWI760086B TW I760086 B TWI760086 B TW I760086B TW 110103387 A TW110103387 A TW 110103387A TW 110103387 A TW110103387 A TW 110103387A TW I760086 B TWI760086 B TW I760086B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
micro
emitting diode
display panel
miniature
Prior art date
Application number
TW110103387A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202230771A (zh
Inventor
孫聖淵
駱那登 穆魯根
邱柏崴
李允立
Original Assignee
錼創顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 錼創顯示科技股份有限公司 filed Critical 錼創顯示科技股份有限公司
Priority to TW110103387A priority Critical patent/TWI760086B/zh
Priority to US17/218,173 priority patent/US11923399B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI760086B publication Critical patent/TWI760086B/zh
Publication of TW202230771A publication Critical patent/TW202230771A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種微型發光二極體顯示面板，包括基板、至少一發光單元、反射層及吸光層。至少一發光單元設置於基板上，而定義出至少一畫素，各發光單元包括多個微型發光二極體。反射層設置於基板上，且位於各微型發光二極體之間，其中反射層具有環繞於這些微型發光二極體的多個凹腔，而使得反射層在靠近任一微型發光二極體的厚度大於遠離對應的微型發光二極體的厚度。吸光層至少設置於反射層的這些凹腔內。

Description

微型發光二極體顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種微型發光二極體顯示面板。
現有的微型發光二極體顯示面板為了拉高對比度，會在微型發光二極體之間的空隙填入黑色擋牆，但此設計會使面板的亮度大幅降低。
本發明提供一種微型發光二極體顯示面板，其具有高對比度及高亮度。
本發明的一種微型發光二極體顯示面板，包括：基板、至少一發光單元、反射層及吸光層。至少一發光單元設置於基板上，而定義出至少一畫素，各發光單元包括多個微型發光二極體。反射層設置於基板上，且位於各微型發光二極體之間，其中反射層具有環繞於這些微型發光二極體的多個凹腔，而使得反射層在靠近任一微型發光二極體的厚度大於遠離對應的微型發光二極體的厚度。吸光層至少設置於反射層的這些凹腔內。
在本發明的一實施例中，上述的各微型發光二極體包括遠離於基板的頂面，各這些凹腔的每一者的深度小於等於頂面至基板的距離。
在本發明的一實施例中，上述的反射層在任二相鄰的微型發光二極體之間的部分的寬度大於等於對應的吸光層的部分的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的吸光層的部分的寬度與反射層的部分的寬度的比值介於0.9至1之間。
在本發明的一實施例中，上述的這些微型發光二極體包括一第一微型發光二極體、一第二微型發光二極體及一第三微型發光二極體，且第一微型發光二極體、第二微型發光二極體及第三微型發光二極體所發出的光具有不同的波長。
在本發明的一實施例中，上述的第一微型發光二極體所發出的光的波長大於第二微型發光二極體及第三微型發光二極體所發出的光的波長，第一微型發光二極體的發光層被反射層環繞。
在本發明的一實施例中，上述的第一微型發光二極體、第二微型發光二極體及第三微型發光二極體分別包括多個第一側壁、多個第二側壁及多個第三側壁，且反射層接觸這些第一側壁的每一者的30%至100%、這些第二側壁的每一者的30%至100%及這些第三側壁的每一者的30%至100%。
在本發明的一實施例中，上述的反射層在這些第一側壁旁的部位的高度不同於反射層在這些第三側壁旁的部位的高度。
在本發明的一實施例中，上述的反射層接觸這些第一側壁的每一者的70%至100%、這些第二側壁的每一者的30%至100%及這些第三側壁的每一者的30%至100%。
在本發明的一實施例中，上述的吸光層接觸這些第一側壁的每一者的局部、這些第二側壁的每一者的局部及這些第三側壁的每一者的局部。
在本發明的一實施例中，上述的吸光層具有遠離於反射層的吸光表面，吸光表面為內凹弧面。
在本發明的一實施例中，上述的各微型發光二極體包括遠離於基板的一頂面，吸光層與基板之間的最大距離大於等於頂面與基板之間的距離。
在本發明的一實施例中，上述的反射層還包括連通於這些凹腔的多個貫穿槽，吸光層填入貫穿槽，而接觸基板。
在本發明的一實施例中，上述任二相鄰的微型發光二極體之間具有一第一間距，至少一發光單元包括兩發光單元，兩發光單元之間具有一第二間距，第二間距大於第一間距，且反射層在位於兩發光單元之間的部位中靠近兩發光單元處的厚度大於遠離兩發光單元處的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的第一間距介於1微米至50微米之間，第二間距介於50微米至300微米之間。
在本發明的一實施例中，上述的吸光層的吸光值(optical density)大於1，且反射層的反射率大於50%。
基於上述，本發明的微型發光二極體顯示面板將反射層設置於基板上，且位於各微型發光二極體之間，反射層具有環繞於這些微型發光二極體的多個凹腔，且反射層在靠近任一微型發光二極體的厚度大於遠離對應的微型發光二極體的厚度。吸光層至少設置於反射層的這些凹腔內。這樣的設計使得反射層在靠近微型發光二極體處較厚，而可增加反射比率，使得微型發光二極體的側向光能夠幾乎被反射，而提高發光效率。反射層在遠離微型發光二極體處較薄，而使得吸光層在此部位較厚，而可增加環境光的吸光率，以提高色光對比。也就是說，本發明的微型發光二極體顯示面板藉由在微型發光二極體旁設置反射層與吸光層的雙層結構設計，而可具有高對比度與高亮度。
圖1是依照本發明的一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖1，在本實施例中，微型發光二極體顯示面板100包括基板105、至少一發光單元108、反射層140及吸光層150。
至少一發光單元108設置於基板105上，而定義出至少一畫素。在圖1中以一組發光單元108為示意，而定義出一個畫素，但不限制發光單元108的數量，在其他實施例中，發光單元108可為多組，且這些發光單元108所構成的多個畫素可以陣列的方式排列。
各發光單元108包括多個微型發光二極體，例如是第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130。第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130所發出的光具有不同的波長。
具體地說，在本實施例中，第一微型發光二極體110所發出的光的波長大於第二微型發光二極體120所發出的光的波長，且第二微型發光二極體120所發出的光的波長大於第三微型發光二極體130所發出的光的波長。舉例來說，第一微型發光二極體110例如是紅光微型發光二極體，第二微型發光二極體120例如是綠光微型發光二極體，第三微型發光二極體130例如是藍光微型發光二極體。當然，第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130的種類不以此為限制。
如圖1所示，第一微型發光二極體110包括遠離於基板105的第一頂面114及多個第一側壁112。第二微型發光二極體120包括遠離於基板105的第二頂面124及多個第二側壁122。第三微型發光二極體130包括遠離於基板105的第三頂面134及多個第三側壁132。
反射層140設置於基板105上，且覆蓋這些第一側壁112的每一者的至少部分、這些第二側壁122的每一者的至少部分及這些第三側壁132的每一者的至少部分。
反射層140可使得第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130的側向光能夠幾乎被反射，而提高發光效率。在本實施例中，反射層140的材料包括混有反射粒子的光阻，且反射層140的反射率大於50%。當然，反射層140的材料與反射率不以此為限制。
如圖1所示，反射層140具有環繞於第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130的多個凹腔142，而使得反射層140在靠近第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130處的厚度T1大於遠離第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130處(也就是兩微型發光二極體之間的中央處)的厚度T2。
在本實施例中，反射層140的這些凹腔142的每一者呈內凹弧狀，但凹腔142的形狀不以此為限制。在本實施例中，凹腔142的深度D1小於第一微型發光二極體110的第一頂面114至基板105的距離D2，也小於第二微型發光二極體120的第二頂面124至基板105的距離及第三微型發光二極體130的第三頂面134至基板105的距離。當然，凹腔142的深度不以此為限制。
吸光層150至少設置於反射層140的這些凹腔142內，而環設於第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130外。吸光層150可用來吸收環境光，以提高對比度。
在本實施例中，吸光層150的材料包括光阻，吸光層150的吸光值(optical density)大於1。吸光層150具有遠離於反射層140的吸光表面152，吸光表面152例如為內凹弧面，可使側向出光幾乎被反射，而提高發光效率。製造者可依據吸光層150材料的吸收率來決定吸光表面152內凹的幅度(深度)。當然，吸光層150的材料與吸光值不以此為限制。
要說明的是，在本實施例中，由於吸光層150設置於反射層140的這些凹腔142內，由於凹腔142中央的深度較深，而使得吸光層150在遠離第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130的部位較厚，較厚的吸光層150而可增加環境光的吸光率，以更進一步地提高色光對比。特別說明的是，此較厚的厚度可以大於等於1微米，可增加吸光率。
微型發光二極體顯示面板100還包括透光蓋160，設置在發光單元108、反射層140及吸光層150上。透光蓋160具有高穿透率，而可使發光單元108所發出的光穿出。
本實施例的微型發光二極體顯示面板100透過吸光層150的設計可具有高對比度，且透過在第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130旁設有反射層140，而可將第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130的側向光反射回去，藉此提升微型發光二極體顯示面板100的亮度，而可同時兼具高亮度與高對比度。
下面將介紹其他態樣的微型發光二極體顯示面板，在下面的實施例中，僅說明不同實施例之間的主要差異之處，相同之處不多加贅述。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖2，圖2的微型發光二極體顯示面板100a與圖1的微型發光二極體顯示面板100的主要差別在於，在圖1中，凹腔142a的深度D1小於第一微型發光二極體110的第一頂面114至基板105的距離D2。在本實施例中，凹腔142的深度D3與第一微型發光二極體110的第一頂面114至基板105的距離的比值大於等於0.9。這樣的設計可使吸光層150a在遠離第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130的部位更厚，以更進一步地提高色光對比。更佳的，凹腔142的深度D3等於第一微型發光二極體110的第一頂面114至基板105的距離，能有更佳的色光對比。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖3，圖3的微型發光二極體顯示面板100b與圖1的微型發光二極體顯示面板100的主要差別在於，在本實施例中，反射層140在第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130中相鄰的任兩者之間的部分的寬度W1大於吸光層150b在第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130中相鄰的任兩者之間的部分的寬度W2，而使得吸光層150b不會直接接觸到第一微型發光二極體110的第一側壁112、第二微型發光二極體120的第二側壁122及第三微型發光二極體130的第三側壁132。
換句話說，在本實施例中，反射層140會包覆第一微型發光二極體110的整個第一側壁112、第二微型發光二極體120的整個第二側壁122及第三微型發光二極體130的整個第三側壁132，而提高第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130的側向光的反射率。
在本實施例中，吸光層150b在第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130中相鄰的任兩者之間的部分的寬度W2與反射層140在第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130中相鄰的任兩者之間的部分的寬度W1的比值(W2/W1)介於0.9至1之間。過小會使對比效果降低，這樣的比值可確保微型發光二極體顯示面板100b具有足夠的對比度。
圖4與圖5分別是依照本發明的其他實施例的多種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請先參閱圖4，圖4的微型發光二極體顯示面板100c與圖1的微型發光二極體顯示面板100的主要差別在於，在圖1中，凹腔142呈內凹弧狀。在本實施例中，反射層140的凹腔142c的形狀為局部的倒角錐狀(不具有尖端)，而在剖面上呈現出梯形的形狀。請參閱圖5，在本實施例的微型發光二極體顯示面板100d中，反射層140的凹腔142d呈倒圓錐狀，而在剖面上呈現出倒三角形的形狀。凹腔透過形狀的設計，增加或減少吸光層150的吸光，適用於不同的微型發光二極體顯示面板。凹腔在任兩微型發光二極體間的形狀也可以不同，在此並不為限。
同樣地，圖4與圖5所繪示的凹腔142c、142d形狀也可使得反射層140在靠近第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130處的厚度T1大於遠離第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130處的厚度T2。當然，反射層140的凹腔142的形狀不以此為限制。
圖6是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖6，圖6的微型發光二極體顯示面板100e與圖1的微型發光二極體顯示面板100的主要差別在於，在本實施例中，吸光層150的吸光表面152e為非周期性圖案的粗化表面，可具有抗眩光的功能。但在未繪出的實施例中，粗化表面也可以是周期性圖案。粗化表面可透過電漿轟擊而形成，但粗化的方式不以此為限制。
圖7是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖7，圖7的微型發光二極體顯示面板100f與圖1的微型發光二極體顯示面板100的主要差別在於，在本實施例中，吸光層150f接觸第一微型發光二極體110的第一側壁112的局部、第二微型發光二極體120的第二側壁122的局部及第三微型發光二極體130的第三側壁132的局部。
換句話說，在本實施例中，反射層140僅包覆第一微型發光二極體110的第一側壁112的局部、第二微型發光二極體120的第二側壁122的局部及第三微型發光二極體130的第三側壁132的局部。
特別說的是，在本實施例中，第一微型發光二極體110的第一發光層116低於第二微型發光二極體120的第二發光層126及第三微型發光二極體130的第三發光層136，此處反射層140包覆到第一微型發光二極體110的第一側壁112的30%，第一微型發光二極體110的第一發光層116便可被反射層140包覆。因此，第一微型發光二極體110所發出的側向光便可被反射層140反射回來。當第一微型發光二極體110是發光效率較差的紅光時，第一發光層116便被反射層140包覆，可有效增加紅光的發光效率，進而使得紅光的發光效率能夠接近於藍光與綠光的發光效率，而可減少色偏。
圖8是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖8，圖8的微型發光二極體顯示面板100g與圖1的微型發光二極體顯示面板100的主要差別在於，在本實施例中，反射層140在第一微型發光二極體110的第一側壁112旁的部位的高度H12不同於反射層140在第二微型發光二極體120的第二側壁122旁的部位的高度H22及反射層140在第三微型發光二極體130的第三側壁132旁的部位的高度H32。
具體地說，在本實施例中，反射層140接觸第一微型發光二極體110的第一側壁112的70%至100%、第二微型發光二極體120的第二側壁122的30%至100%及第三微型發光二極體130的第三側壁132的30%至100%。
由於第一微型發光二極體110是發出發光效率較低的紅光時，反射層140接觸第一微型發光二極體110的第一側壁112的比例越高，透過接觸比例大於等於70%，可提升紅光的發光效率，進而提升微型發光二極體顯示面板100的整體發光表現。
圖9是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板100的局部剖面示意圖。請參閱圖9，圖9的微型發光二極體顯示面板100h與圖1的微型發光二極體顯示面板100的主要差別在於，在圖1中，吸光層150與基板105之間的最大距離L1大致等於第一微型發光二極體110的第一頂面114與基板105之間的距離D2。也就是說，吸光層150並不會超出於第一微型發光二極體110的第一頂面114。
在本實施例中，吸光層150h與基板105之間的最大距離L2大於第一微型發光二極體110的第一頂面114與基板105之間的距離D2。因此，吸光層150h超出於第一微型發光二極體110的第一頂面114。設計者可依照對比度的需求來調整吸光層150h的高度，以得到最佳化的對比度效果。特徵說明的，吸光層150h超出第一微型發光二極體110的第一頂面114的距離可以小於等於10微米，避免過高的吸光層150h過於吸光，影響出光效率。
圖10是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖10，圖10的微型發光二極體顯示面板100i以繪示出兩組發光單元108為示意。
在本實施例中，各發光單元108的第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130中相鄰的兩者之間具有第一間距I1。兩發光單元108之間具有第二間距I2，第二間距I2大於第一間距I1。在本實施例中，第一間距I1介於1微米至50微米之間，第二間距I2介於50微米至300微米之間。當然，第一間距I1與第二間距I2的尺寸不以此為限制。
反射層140在位於兩發光單元108之間的部位中靠近兩發光單元108處的厚度T3大於遠離兩發光單元108處的厚度T4，而使得兩發光單元108的側向光可較佳地被反射，且吸光層150可在兩發光單元108中間具有較大的厚度，而提高對比度。較佳的，厚度T1可以大於等於厚度T3，厚度T2可以大於等於厚度T4，可以在兩微型發光二極體間與發光單元間有更佳的對比度。
具體地說，以反射層140的位於兩發光單元108之間的凹腔143來說，位於兩發光單元108之間的凹腔143具有遠離於基板105的反射表面146，反射表面146包括靠近兩發光單元108的第一部分147及遠離兩發光單元108的第二部分148，其中第一部分的曲率大於第二部分的曲率，兩發光單元108的側向光可較佳地被反射。此處，第一部分147呈內凹弧狀或是斜面狀，第二部分148呈平面狀。
圖11是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖11，圖11的微型發光二極體顯示面板100j與圖10的微型發光二極體顯示面板100i的主要差別在於，在本實施例中，反射層140還包括連通於兩發光單元108之間的凹腔143的貫穿槽144，吸光層150填入貫穿槽144，而接觸基板105。這樣的設計可使得兩發光單元108之間的吸光層150可較厚，而更能提高對比度。
圖12是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。請參閱圖12，圖12的微型發光二極體顯示面板100k與圖11的微型發光二極體顯示面板100j的主要差別在於，在本實施例中，反射層140在各發光單元108內還包括連通於這些凹腔142的多個貫穿槽144k，而使反射層140分隔出獨立的多個區塊，第一微型發光二極體110、第二微型發光二極體120及第三微型發光二極體130分別被不同區塊的反射層140圍繞。吸光層150填入貫穿槽144k，而接觸基板105。這樣的設計可提高畫素內的對比度，而有更佳的對比度效果。
綜上所述，本發明的微型發光二極體顯示面板將反射層設置於基板上，且位於各微型發光二極體之間，反射層具有環繞於這些微型發光二極體的多個凹腔，且反射層在靠近任一微型發光二極體的厚度大於遠離對應的微型發光二極體的厚度。吸光層至少設置於反射層的這些凹腔內。這樣的設計使得反射層在靠近微型發光二極體處有較厚，而可增加反射比率，使得微型發光二極體的側向光能夠幾乎被反射，而提高發光效率。反射層在遠離微型發光二極體處較薄，而使得吸光層在此部位較厚，而可增加環境光的吸光率，以提高色光對比。也就是說，本發明的微型發光二極體顯示面板藉由在微型發光二極體旁設置反射層與吸光層的雙層結構設計，而可具有高對比度與高亮度。
D1:深度 D2、D3:距離 H12、H22、H32:高度 I1:第一間距 I2:第二間距 L1、L2:距離 T1、T2、T3、T4:厚度 W1、W2:寬度 100、100a~100k:微型發光二極體顯示面板 105:基板 108:發光單元 110:第一微型發光二極體 112:第一側壁 114:第一頂面 116:第一發光層 120:第二微型發光二極體 122:第二側壁 124:第二頂面 126:第二發光層 130:第三微型發光二極體 132:第三側壁 134:第三頂面 136:第三發光層 140:反射層 142、142a、142b、142c、143:凹腔 144、144k:貫穿槽 145、146:反射表面 147:第一部分 148:第二部分 150、150a、150b、150f、150h:吸光層 152、152e:吸光表面 160:透光蓋
圖1是依照本發明的一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖2是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖3是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖4與圖5分別是依照本發明的其他實施例的多種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖6是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖7是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖8是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖9是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖10是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖11是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。 圖12是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部剖面示意圖。
D1:深度
D2:距離
L1:距離
T1、T2:厚度
W1:寬度
100:微型發光二極體顯示面板
105:基板
108:發光單元
110:第一微型發光二極體
112:第一側壁
114:第一頂面
120:第二微型發光二極體
122:第二側壁
124:第二頂面
130:第三微型發光二極體
132:第三側壁
134:第三頂面
140:反射層
142:凹腔
145:反射表面
150:吸光層
152:吸光表面
160:透光蓋

Claims (16)

  1. 一種微型發光二極體顯示面板，包括：基板；至少一發光單元，設置於所述基板上，而定義出至少一畫素，各所述發光單元包括多個微型發光二極體，其中所述多個微型發光二極體分別包括遠離於所述基板的多個頂面和連接所述多個頂面的多個側壁；反射層，設置於所述基板上，且位於所述多個微型發光二極體的所述多個側壁之間，其中所述反射層具有環繞位於所述多個微型發光二極體的所述多個側壁之間的多個凹腔，而使得所述反射層在靠近任一所述微型發光二極體的厚度大於遠離對應的所述微型發光二極體的厚度；以及吸光層，至少設置於所述反射層的所述多個凹腔內。
  2. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中各所述多個凹腔的每一者的深度小於等於所述多個頂面至所述基板的距離。
  3. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述反射層在任二相鄰的所述微型發光二極體之間的部分的寬度大於等於對應的所述吸光層的部分的寬度。
  4. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述吸光層的寬度與所述反射層的寬度的比值介於0.9至1之間。
  5. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述多個微型發光二極體包括一第一微型發光二極體、一第二微型發光二極體及一第三微型發光二極體，且所述第一微型發光二極體、所述第二微型發光二極體及所述第三微型發光二極體所發出的光具有不同的波長。
  6. 如請求項5所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述第一微型發光二極體所發出的光的波長大於所述第二微型發光二極體及所述第三微型發光二極體所發出的光的波長，所述第一微型發光二極體的發光層被所述反射層環繞。
  7. 如請求項5所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述多個側壁分別包括所述第一微型發光二極體的多個第一側壁、所述第二微型發光二極體的多個第二側壁及所述第三微型發光二極體的多個第三側壁，且所述反射層接觸所述多個第一側壁的每一者的30%至100%、所述多個第二側壁的每一者的30%至100%及所述多個第三側壁的每一者的30%至100%。
  8. 如請求項7所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述反射層在所述多個第一側壁旁的部位的高度不同於所述反射層在所述多個第三側壁旁的部位的高度。
  9. 如請求項8所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述反射層接觸所述多個第一側壁的每一者的70%至100%、所述多個第二側壁的每一者的30%至100%及所述多個第三側壁的每一者的30%至100%。
  10. 如請求項7所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述吸光層接觸所述多個第一側壁的每一者的局部、所述多個第二側壁的每一者的局部及所述多個第三側壁的每一者的局部。
  11. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述吸光層具有遠離於所述反射層的吸光表面，所述吸光表面為內凹弧面。
  12. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述吸光層與所述基板之間的最大距離大於等於所述多個頂面與所述基板之間的距離。
  13. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述反射層還包括連通於所述多個凹腔的多個貫穿槽，所述吸光層填入所述貫穿槽，而接觸所述基板。
  14. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中任二相鄰的所述微型發光二極體之間具有一第一間距，所述至少一發光單元包括兩發光單元，所述兩發光單元之間具有一第二間距，所述第二間距大於所述第一間距，且所述反射層在位於所述兩發光單元之間的部位中靠近所述兩發光單元處的厚度大於遠離所述兩發光單元處的厚度。
  15. 如請求項14所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述第一間距介於1微米至50微米之間，所述第二間距介於50微米至300微米之間。
  16. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示面板，其中所述吸光層的吸光值(optical density)大於1，且所述反射層的反射率大於50%。
TW110103387A 2021-01-29 2021-01-29 微型發光二極體顯示面板 TWI760086B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110103387A TWI760086B (zh) 2021-01-29 2021-01-29 微型發光二極體顯示面板
US17/218,173 US11923399B2 (en) 2021-01-29 2021-03-31 Micro light emitting diode display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110103387A TWI760086B (zh) 2021-01-29 2021-01-29 微型發光二極體顯示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI760086B true TWI760086B (zh) 2022-04-01
TW202230771A TW202230771A (zh) 2022-08-01

Family

ID=82199067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110103387A TWI760086B (zh) 2021-01-29 2021-01-29 微型發光二極體顯示面板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11923399B2 (zh)
TW (1) TWI760086B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024007324A1 (zh) * 2022-07-08 2024-01-11 京东方科技集团股份有限公司 发光面板及其制备方法、发光装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115359732B (zh) * 2022-08-26 2024-03-12 深圳康佳电子科技有限公司 Micro LED保护膜、Micro LED结构、显示装置及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150003040A1 (en) * 2011-09-16 2015-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, display apparatus, illumination apparatus, and electricity-generating apparatus
WO2020157149A1 (de) * 2019-01-29 2020-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh µ-LED, µ-LED ANORDNUNG, DISPLAY UND VERFAHREN ZU SELBEN
US20200319391A1 (en) * 2019-04-04 2020-10-08 Sergiy Vasylyev Wide-area solid-state illumination devices and systems

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5622494B2 (ja) * 2010-09-09 2014-11-12 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US10886337B2 (en) * 2014-08-20 2021-01-05 Sony Corporation Display device and electronic apparatus
CN106684108B (zh) 2015-11-05 2019-10-08 群创光电股份有限公司 发光二极管显示设备
DE102016119002B4 (de) * 2016-10-06 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
US10700121B2 (en) 2017-02-13 2020-06-30 Sct Ltd. Integrated multilayer monolithic assembly LED displays and method of making thereof
CN110323213B (zh) * 2018-03-30 2024-05-03 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法
US11056618B2 (en) 2018-08-03 2021-07-06 Lumileds Llc Light emitting device with high near-field contrast ratio
KR20200070901A (ko) 2018-12-10 2020-06-18 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 모듈 제조 방법
JP7282620B2 (ja) 2019-07-04 2023-05-29 シャープ福山レーザー株式会社 画像表示素子
TWI686566B (zh) 2019-09-09 2020-03-01 均豪精密工業股份有限公司 發光模組及其製造方法
CN110970546B (zh) 2019-12-19 2021-10-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、拼接显示装置
KR20210083875A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈을 포함하는 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN111370560B (zh) 2020-02-12 2021-09-28 上海天马微电子有限公司 微型led显示面板、制作方法、母版及显示装置
CN111490061A (zh) 2020-06-01 2020-08-04 深圳市奥视微科技有限公司 一种防串扰Micro-LED显示屏及其制造方法
CN112133734B (zh) * 2020-09-29 2022-08-30 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150003040A1 (en) * 2011-09-16 2015-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, display apparatus, illumination apparatus, and electricity-generating apparatus
WO2020157149A1 (de) * 2019-01-29 2020-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh µ-LED, µ-LED ANORDNUNG, DISPLAY UND VERFAHREN ZU SELBEN
US20200319391A1 (en) * 2019-04-04 2020-10-08 Sergiy Vasylyev Wide-area solid-state illumination devices and systems

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024007324A1 (zh) * 2022-07-08 2024-01-11 京东方科技集团股份有限公司 发光面板及其制备方法、发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11923399B2 (en) 2024-03-05
US20220246671A1 (en) 2022-08-04
TW202230771A (zh) 2022-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI760086B (zh) 微型發光二極體顯示面板
US8328406B2 (en) Low-profile illumination device
TWI418746B (zh) 發光二極體燈具
US9134007B2 (en) Light source device
JP4665832B2 (ja) 発光装置ならびにそれを用いる白色光源および照明装置
JP6422636B2 (ja) 光源装置
US9960330B2 (en) Flip-chip side emitting LED with top reflector, peripheral wavelength conversion element, and optical element between light emitting element and lightguide element
US20110025190A1 (en) Luminous device
KR20170018417A (ko) 유기 전계 발광 소자, 기재 및 발광 장치
JP2006309242A (ja) 光学レンズ及びこれを用いた発光素子パッケージ及びバックライトユニット
US8253154B2 (en) Lens for light emitting diode package
WO2007015844A2 (en) Light emitting diodes with improved light extraction and reflectivity
TWI711864B (zh) 光源模塊及顯示裝置
CN104124239A (zh) 发光二极管模组
TW202109161A (zh) 發光元件、發光模組以及背光模組
US20160033704A1 (en) Light guide and lighting assembly having light redirecting features
EP3092522B1 (en) Color mixing output for high brightness led sources
KR100692432B1 (ko) 측면 발광용 렌즈 및 발광 소자
US20200393109A1 (en) Lighting Device Having a 3D Scattering Element and Optical Extractor With Convex Output Surface
JP2014502011A (ja) 照明ユニット
CN112786765A (zh) 微型发光二极管显示面板
US20100124055A1 (en) Side-emitting optical elements and methods thereof
CN104296068A (zh) 用于照明装置的透镜和具有该透镜的照明装置
TWI392125B (zh) 發光裝置
US10378715B2 (en) Solid-state vehicle headlamp having spherodial reflector optic and clamshell reflector