TWI758742B - 用於電子電路之曲線型遮罩的遮罩規則檢查之系統及方法 - Google Patents

用於電子電路之曲線型遮罩的遮罩規則檢查之系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI758742B
TWI758742B TW109119105A TW109119105A TWI758742B TW I758742 B TWI758742 B TW I758742B TW 109119105 A TW109119105 A TW 109119105A TW 109119105 A TW109119105 A TW 109119105A TW I758742 B TWI758742 B TW I758742B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mask
geometry
distance
threshold
point
Prior art date
Application number
TW109119105A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202107200A (zh
Inventor
湯瑪士 克里斯多夫 塞席爾
Original Assignee
美商賽諾西斯公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商賽諾西斯公司 filed Critical 美商賽諾西斯公司
Publication of TW202107200A publication Critical patent/TW202107200A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI758742B publication Critical patent/TWI758742B/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/0006Industrial image inspection using a design-rule based approach
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/32Circuit design at the digital level
    • G06F30/327Logic synthesis; Behaviour synthesis, e.g. mapping logic, HDL to netlist, high-level language to RTL or netlist
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/32Circuit design at the digital level
    • G06F30/33Design verification, e.g. functional simulation or model checking
    • G06F30/3308Design verification, e.g. functional simulation or model checking using simulation
    • G06F30/331Design verification, e.g. functional simulation or model checking using simulation with hardware acceleration, e.g. by using field programmable gate array [FPGA] or emulation
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/60Analysis of geometric attributes
    • G06T7/68Analysis of geometric attributes of symmetry
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30172Centreline of tubular or elongated structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

一種系統對曲線型形狀執行遮罩規則檢查(MRC)。一曲線型形狀之寬度係沿著該形狀之不同部分而不同。判定用於一曲線型形狀之一中軸。修整該中軸以排除在距邊角一臨限距離內或距邊緣太遠之部分。該經修整中軸係用於針對遮罩規則執行寬度檢查。該系統產生幾何形狀之間的中軸且使用該中軸來判定兩個幾何形狀是否相距至少一臨限距離。該系統對尖銳邊角執行銳角檢查。該系統使用自頂點至該形狀之邊界上之處於一臨限距離之端點繪製之線來判定角度。此等角度係用於檢查銳角遮罩規則違反。

Description

用於電子電路之曲線型遮罩的遮罩規則檢查之系統及方法
本發明一般而言係關於電子設計自動化之領域,且更明確言之係關於用於電子電路之遮罩規則檢查。
電子設計自動化(EDA)程序包含一實體驗證階段,在該實體驗證階段期間,檢查佈局設計以確保製造限制係正確的,諸如設計規則檢查(DRC)限制、電氣限制及微影限制。一下線(tape-out)階段產生待用於產生微影遮罩之資料。在遮罩資料準備期間,下線資料係用於產生用於產生成品積體電路之微影遮罩。
執行一遮罩規則檢查以確保微影遮罩符合特定遮罩規則。遮罩寫入技術中之進步容許使用比曼哈頓(Manhattan)形狀更靈活之幾何形狀之曲線型遮罩。經設計用於曼哈頓遮罩之習知遮罩規則檢查技術無法處理包含曲線型形狀之遮罩。
揭示用於執行用於電子電路之遮罩之遮罩規則檢查之一組態(例如,系統、方法、包含可藉由一處理器執行之經儲存指令之非暫時性電腦可讀儲存媒體)。遮罩表示可包含非曼哈頓之幾何形狀(例如,多邊 形),例如,具有可依分段線性形式表示之彎曲邊緣之幾何形狀。
一遮罩規則檢查系統(亦被稱為一系統)接收用於一電子電路之一遮罩表示。遮罩規則包含需要幾何形狀具有至少一臨限寬度之一規則。一曲線型幾何形狀之寬度可在該幾何形狀之不同部分中不同。又,該幾何形狀包含其中寬度可低於由遮罩規則指定之一臨限寬度之邊角,然而,此等邊角並非違反遮罩規則,此係因為此等邊角表示有效遮罩。
對各幾何形狀執行以下步驟。針對該幾何形狀判定一中軸。該中軸表示幾何形狀內之具有幾何形狀之邊界上之至少兩個最接近點之點。因此,中軸上之各點係與幾何形狀之邊界上之最接近該點之至少兩個點等距。
系統識別中軸之接近幾何形狀之至少一邊角之部分。系統藉由排除接近幾何形狀之任何邊角之部分來修整中軸。系統使用幾何形狀之對應於經修整中軸之部分來執行遮罩規則檢查。系統可(例如)經由一使用者介面報告經偵測之任何遮罩規則違反。
在一項實施例中,如下般識別中軸之接近幾何形狀之一邊角之部分。系統識別中軸上之一點P及表示幾何形狀之邊界上之最接近點P之點之一對點(P1、P2)。系統判定該對點(P1、P2)之間的一周邊距離是否低於一周邊臨限值。若(P1、P2)之間的該周邊距離低於該周邊臨限值,則系統將點P標記為接近幾何形狀之至少一邊角。因此,當修整中軸時排除點P。
在一項實施例中,系統進一步識別中軸之遠離幾何形狀之邊緣之部分。藉由排除中軸之經判定為遠離幾何形狀之邊緣之部分來進一步修整中軸。經修整中軸之保留之部分表示幾何形狀之違反寬度遮罩規則 之部分。遮罩規則檢查系統識別幾何形狀之對應於經修整中軸之部分且將其等報告為遮罩規則違反。
在一項實施例中,系統如下般識別中軸之遠離幾何形狀之邊角之部分。系統識別中軸上之一點且判定該經識別點與幾何形狀之一邊緣上之最接近點之間的距離是否大於一最大間隙臨限值。若經識別點與幾何形狀之一邊緣上之最接近點之間的該距離大於一最大間隙臨限值,則系統將經識別點標記為遠離幾何形狀之邊緣之一點。因此,當修整中軸時排除該點。
本發明中所描述之一些實施例執行遮罩規則檢查以判定遮罩表示中之幾何形狀是否包含尖銳邊角。遮罩規則要求幾何形狀具有並非太尖銳之邊角。例如,遮罩規則防止幾何形狀包含小於一臨限值之銳角。一曲線型形狀可具有包含若干小線段之一分段線性表示。此等相鄰線段之間的角度可為鈍角,即使其等形成幾何形狀之一尖銳邊角。因此,比較此等個別角度與一臨限值並不容許偵測該尖銳邊角。
系統如下般對尖銳邊角執行遮罩規則檢查。系統選擇幾何形狀之邊界上之一點(例如,點P)。系統識別幾何形狀之邊界上之距該點P一臨限距離之一對端點。該臨限距離值可經預組態。系統判定藉由連接各端點至點P之線形成之一角度。系統判定該經判定角度是否低於由一銳角遮罩規則指定之一銳角臨限值。若系統識別具有小於該銳角臨限值之一角度之一或多個此點,則系統將該等經識別點報告為遮罩規則違反。
在一項實施例中,藉由自頂點開始沿著幾何形狀之邊界順時針行進而獲得用於基於頂點判定角度之端點之一者,且藉由自頂點開始沿著幾何形狀之邊界逆時針行進而獲得另一端點。
在一項實施例中,系統修改幾何形狀以修正一遮罩規則違反。例如,系統可增加違反一寬度遮罩規則之一幾何形狀之特定部分中之寬度,使得經修改幾何形狀符合該寬度遮罩規則。類似地,系統可增加與一頂點相關聯之角度,使得經修改幾何形狀符合銳角遮罩規則。
在一些實施例中,系統分析遮罩以識別要求幾何形狀維持幾何形狀之間的一最小距離之一距離遮罩規則之違反。系統判定用於遮罩表示中之幾何形狀之一中軸。該中軸包含若干部分,各部分包含與一對幾何形狀等距之點。系統選擇與一對幾何形狀相關聯之一部分。系統對該選定部分上之一組點進行取樣且針對各經取樣點執行以下步驟。系統判定點與來自該對幾何形狀之各幾何形狀之間的距離。系統判定點與該對幾何形狀之各者之間的該距離是否小於一臨限距離TD。若點與該對幾何形狀之各者之間的距離小於該臨限距離TD,則系統將該對幾何形狀標記為違反距離遮罩規則。系統可(例如)經由一使用者介面報告所有遮罩規則違反。
在一項實施例中,基於由一距離遮罩規則指定之介於幾何形狀之間的一最小距離臨限值來判定臨限距離TD
在一項實施例中,判定臨限距離TD實質上等於由距離遮罩規則指定之介於幾何形狀之間的該最小距離臨限值的一半。
在一項實施例中,系統增加該對幾何形狀之間的距離,使得該對幾何形狀係由距離遮罩規則指定之至少最小臨限距離。
在一項實施例中,系統修改遮罩以移除經判定之任何遮罩違反。系統可發送經修改遮罩用於製造,例如,基於對應於經處理之遮罩表示之電路設計來製造一晶片。
實施例包含一種儲存指令之非暫時性電腦可讀儲存器,該 等指令在藉由一電腦處理器執行時引起該電腦處理器執行如上文或本發明中別處所指定之方法之任一者之步驟。
實施例包含一種電腦系統,其包含一電腦處理器及儲存指令之一非暫時性電腦可讀儲存器,該等指令在藉由該電腦處理器執行時引起該電腦處理器執行如上文或本發明中別處所指定之方法之任一者之步驟。
[發明內容]及以下[實施方式]中所描述之特徵及優點並不全面。一般技術者鑑於圖式、說明書及其技術方案將明白許多額外特徵及優點。
110a:曲線型幾何形狀/形狀
110b:形狀
110c:曲線型形狀/形狀
120a:寬度
120b:寬度
120c:寬度
120d:寬度
130:銳角/角度
140a:角度
140b:角度
200:遮罩規則檢查系統
210:中軸產生組件
220:中軸修整組件
230:寬度檢查組件
240:角度檢查組件
250:距離檢查組件
260:遮罩表示儲存器
310:步驟
320:步驟
330:步驟
340:步驟
350:步驟
400:形狀/幾何形狀
410:邊緣
415:尖銳邊角
420:彎曲邊緣/邊緣
430:中軸
440a:區域
440b:區域
450:點
465:點
470:點
475a:幾何形狀/原始形狀
475b:幾何形狀/原始形狀
478a:幾何形狀
478b:幾何形狀
480:線/外部中軸
485:幾何形狀/形狀
488a:部分
488b:部分
488c:部分
490:內部中軸
492a:邊緣
492b:邊緣
492c:邊緣
492d:邊緣
495a:孔
495b:孔
510:點
520:點
530:點
540:周邊
550:周邊
610:區域
620:區域
630:邊角
810:線
820:線
830:邊緣
1010:步驟
1020:步驟
1030:步驟
1040:步驟
1050:步驟
1310:中軸部分/寬度違反
1410:修正/原始遮罩形狀
1420:在第一次反覆之後修改之形狀
1430:在第二次反覆之後修改之形狀
1510:步驟
1520:步驟
1530:步驟
1540:步驟
1550:步驟
1560:步驟
1600:程序
1610:產品理念
1612:電子設計自動化(EDA)程序
1614:系統設計
1616:邏輯設計及功能驗證
1618:用於測試之合成及設計
1620:網路連線表驗證
1622:設計規劃
1624:佈局或實體實施
1626:分析及提取
1628:實體驗證
1630:解析度增強
1632:遮罩資料準備
1634:下線
1636:製造
1638:封裝及組裝程序
1640:成品積體電路
1700:電腦系統
1702:處理器件
1704:主記憶體
1706:靜態記憶體
1708:網路介面器件
1710:視訊顯示單元
1712:字母數字輸入器件
1714:游標控制器件
1716:信號產生器件
1718:資料儲存器件
1720:網路
1722:圖形處理單元
1724:機器可讀儲存媒體
1726:指令/指令集
1728:視訊處理單元
1730:匯流排
1732:音訊處理單元
d1:周邊距離
d2:周邊距離
P:點
將自下文給出之詳細描述及自本發明之實施例之附圖更充分理解本發明。圖係用於提供本發明之實施例之知識及理解且並非將本發明之範疇限於此等特定實施例。此外,圖不一定按比例繪製。
圖1A繪示自遮罩之一像素化表示形成曲線型遮罩。
圖1B展示一實例性曲線型遮罩,其繪示使用典型邊緣至邊緣投影以定義用於一曲線型幾何形狀之寬度之難度。
圖1C展示一實例性曲線型遮罩,其繪示使用角度來定義用於一曲線型幾何形狀之尖銳邊角之難度。
圖2展示根據一實施例之一佈局分類系統之一系統架構的一方塊圖。
圖3描繪根據本發明之一些實施例之在設計及製造一積體電路期間使用之各種程序的一流程圖。
圖4A展示在一全角度多邊形之中心之延伸至凸邊角中之一 實例性中軸。
圖4B繪示根據一實施例產生中軸之與原始多邊形之兩個邊緣相關聯之一個別區段。
圖4C繪示中軸上之一點係與幾何形狀上之至少兩個點相關聯。
圖4D繪示根據一實施例可類似於一內部中軸處理一遮罩之一外部中軸。
圖4E繪示根據一實施例之對應於一遮罩之幾何形狀之一外部中軸。
圖5繪示根據一實施例如何修整一幾何形狀之一中軸上之一點。
圖6A繪示根據一實施例判定一周邊臨限值。
圖6B繪示根據一實施例之一幾何形狀之部分,針對該等部分量測或不量測寬度以用於執行遮罩規則檢查。
圖7繪示根據一實施例濾出中軸上之距幾何形狀之邊緣太遠而不被視為最小寬度或空間違反之點。
圖8展示根據一實施例之遮罩之表示遮罩規則之違反之部分。
圖9A展示根據一實施例之用於繪示尖角(或尖銳邊角)檢查之具有曲線型邊緣之一幾何形狀。
圖9B展示根據一實施例之用於繪示遮罩規則檢查之具有帶有小凹口之曲線型邊緣的另一幾何形狀。
圖10展示繪示根據一實施例之用於對曲線型形狀執行銳角 檢查之程序的一流程圖。
圖11繪示根據一實施例之用於具有圓形邊角之幾何形狀之參數。
圖12繪示根據一實施例之用於具有橢圓形邊角之幾何形狀之參數。
圖13繪示根據一實施例修改遮罩以修正寬度違反。
圖14A展示根據一實施例之其中修正一寬度違反之一經修改遮罩。
圖14B展示根據一實施例之實例性角度違反及修改遮罩以修正角度違反。
圖15展示繪示根據一實施例之用於對曲線型形狀執行距離檢查之程序的一流程圖。
圖16描繪根據本發明之一些實施例之在設計及製造一積體電路期間使用之各種程序的一流程圖。
圖17描繪其中本發明之實施例可操作之一實例性電腦系統之一抽象圖。
圖僅出於圖解說明目的描繪本發明中所描述之各項實施例。熟習此項技術者將自以下論述易於認識到,可在不脫離本文中所描述之本發明之原理之情況下採用本文中所繪示之結構及方法之替代實施例。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張於2019年6月7日申請之美國專利申請案第62/858,714 號之權利,該案之內容以引用的方式併入本文中。
EDA程序包含用於處理遮罩之步驟,包含用於確保遮罩符合特定規則之遮罩規則檢查(MRC)。遮罩規則檢查取決於用於製造一積體電路之設備及對應遮罩檢測能力。習知電路設計技術使用其中幾何形狀之邊緣平行於X軸及Y軸且幾何形狀係矩形之曼哈頓遮罩。此等規則通常檢查限制,諸如多邊形邊緣之間的最小寬度、多邊形之間所容許之最小空間及邊角之間的類似度量、最小區域等。對於亦可處置45度邊緣之遮罩寫入器,存在在邊緣與邊角之間指定之額外規則、銳角檢查等。
遮罩寫入技術之進步容許使用比曼哈頓形狀更靈活之幾何形狀之曲線型遮罩。例如,曲線型形狀可容許複雜多邊形或彎曲邊緣。經設計用於曼哈頓遮罩之習知遮罩規則檢查技術無法處理曲線型遮罩。例如,曼哈頓遮罩規則檢查針對曼哈頓形狀明確定義之寬度。然而,一曲線型形狀之一寬度未被明確定義,此係因為寬度在曲線型形狀之不同部分中變化以及隨著量測寬度所沿著之角度變化。作為另一實例,用於曼哈頓遮罩規則之遮罩規則檢查技術檢查銳角以找到尖點(即,尖銳邊角)。然而,一曲線型形狀可表示為具有大量小邊緣之一多邊形。此一形狀可包含一尖銳邊角,而不包含一銳角,此係因為可使用大量小邊緣表示尖點,其中各對相鄰邊緣形成一鈍角。
因此,習知遮罩規則檢查技術無法驗證曲線型形狀滿足遮罩規則檢查。曼哈頓遮罩規則檢查技術若被應用於曲線型形狀,則可返回偽陽性或偽陰性。例如,此等技術可返回有效曲線型遮罩之違反且無法找到實際違反。因此,習知遮罩規則檢查技術不足以處理曲線型遮罩。
遮罩寫入技術已進步且諸如多射束電子束遮罩寫入器之機 器容許全角度或曲線型遮罩。然而,曲線型遮罩具有針對當被給予該等機器時允許什麼幾何組態之特定限制及規則。
在遮罩合成流程期間,系統可具有處於各種中間階段之遮罩,該等中間階段可能滿足或可能不滿足由使用者指定之MRC要求。因此,根據各項實施例,系統檢查遮罩並修正找到之任何MRC違反。
本發明之優點包含(但不限於)對使用曲線型形狀之遮罩執行遮罩規則檢查,包含諸如曲線型形狀之寬度檢查、曲線型形狀之間的最小距離檢查及用於偵測曲線型形狀中之尖銳邊角之檢查的遮罩規則檢查。
對於一些遮罩合成求解器,遮罩可以一像素化形式表示。例如,系統可儲存表示遮罩透射之一灰階遮罩或一水平集函數或另一表示。系統將該像素化形式轉換為一多邊形格式且將輸出遮罩寫入至一GDS(圖形設計系統)或oasis(開放原圖系統交換標準)檔案。
圖1A繪示自遮罩之一像素化表示形成曲線型遮罩。系統藉由在一指定高度切割像素化網格而自像素化網格提取分段線性多邊形,來輪廓化像素化表示,從而執行提取。此導致形成曲線型遮罩。
對於此等曲線型遮罩,習知遮罩規則定義失效。如此係因為曲線型形狀可能不具有明確定義之邊角。又,曲線型遮罩可能不具有平行邊緣。因此,平行邊緣之間的典型邊緣至邊緣投影距離係不相關的。因此,基於邊緣至邊緣距離指定寬度之遮罩規則難以應用於曲線型遮罩。此外,可使用具有大量邊緣之一分段線性形式來表示曲線型遮罩。曲線型遮罩中之邊緣數目可遠超一曼哈頓MRC程序。因此,習知曼哈頓MRC程序通常返回太多遮罩規則違反或無法找到實際遮罩規則違反。
圖1B展示一實例性曲線型遮罩,其繪示使用典型邊緣至邊 緣投影以定義用於一曲線型幾何形狀之寬度之難度。曲線型幾何形狀110a並不遵循曼哈頓規則。因此,形狀110a之邊緣可以各種角度轉彎或形成一平滑曲線。因此,曲線型幾何形狀之寬度120可在曲線型幾何形狀之不同部分中不同。例如,在一部分中,寬度係120a,在另一部分中,寬度係120b,且在另一部分中,寬度係120c。此外,在其中曲率較高之特定部分中,形狀之寬度可取決於判定寬度所依之角度。例如,即使彼此接近獲取,寬度120c及120d仍為不同的。驗證用於遮罩之寬度限制之一系統必須判定在何處量測寬度且哪一定向應用於量測計。對於一曲線型幾何形狀,此等量測未經明確定義。此使得習知遮罩規則檢查難以處置曲線型形狀。
另一實例繪示習知曼哈頓檢查在識別尖銳邊角時,如何針對曲線型形狀失效。一邊角表示一幾何形狀之其中兩點之間的實體距離顯著小於該等點之間的周邊距離(即,兩點之間的實體距離與該等點之間的周邊距離之一比率係低於用於邊角之一臨限值)之一部分。
圖1B展示一實例性曲線型遮罩,其繪示使用角度來定義用於一曲線型幾何形狀之尖銳邊角之難度。曼哈頓遮罩規則檢查藉由識別形狀中之銳角來識別尖銳邊角。典型的基於多邊形之銳角檢查使用一多邊形頂點處之相鄰邊緣來定義角度。然而,對於曲線型遮罩,可使用具有大量小邊緣之一分段線性形式來表示尖銳邊角。此等相鄰邊緣均未形成一銳角。因此,此等銳角檢查不能判定曲線型遮罩之具有有效尖銳邊角(例如,一修圓之橢圓形尖銳邊角)之部分。
圖1C繪示表示為形狀110b中之一銳角130之一尖銳邊角在一曲線型形狀110c中使用多個角度140a及140b表示。即使形狀110b之角 度130係一銳角,角度140a及140b之各者仍為鈍角,儘管形狀110b及110c皆具有一尖銳邊角。因此,實施例使用基於自一頂點X在兩個方向上延伸之相鄰邊緣鏈之一擴展角度定義來定義X處之角度,而非使用此相鄰者至相鄰者角度檢查。
此外,實施例使用骨架來定義MRC寬度及空間,即,尺寸檢查。更明確言之,系統根據一實施例執行以下步驟。系統產生用於幾何形狀之一中軸(或一骨架),可自該中軸量測距離以偵測尺寸違反。系統修整該骨架以排除特定部分。系統使用骨架執行寬度檢查。
圖1A、圖1B、圖1C及其他圖使用相同元件符號來識別相同元件。在一元件符號之後之一字母(諸如「110a」)指示該文字具體係指具有該特定元件符號之元件。文字中無跟隨字母之一元件符號(諸如「110」)係指圖中帶有該元件符號之任何或所有元件(例如,文字中之「110」係指圖中之元件符號「110a」及/或「110b」)。
遮罩規則檢查系統之架構
圖2展示根據一實施例之一遮罩規則檢查系統之一系統架構的一方塊圖。該遮罩規則檢查系統200實施用於對曲線型形狀執行特定指定類型之遮罩規則檢查之程序。可自曼哈頓遮罩規則概括其他遮罩規則(諸如區域檢查)。遮罩規則檢查系統200包含一中軸產生組件210、一中軸修整組件220、一寬度檢查組件230、一角度檢查組件240、距離檢查組件250及一遮罩表示儲存器260。其他實施例可包含多於或少於本文中所指示之組件之組件。本文中指示為藉由一特定組件執行之功能性可藉由除本文中所指示之組件以外之其他組件執行。
中軸產生組件210產生用於遮罩之幾何形狀之中軸。在一 項實施例中,中軸產生組件210判定表示遮罩之輸入幾何形狀之一沃羅諾伊(Voronoi)圖。各幾何形狀之中軸變換係線段沃羅諾伊圖之位於幾何形狀內之部分。一幾何形狀之中軸在本文中亦被稱為該幾何形狀之骨架。中軸產生組件210判定並儲存幾何形狀之負責形成中軸之部分之對應邊緣。中軸產生組件210亦可判定並儲存中軸上之點與幾何形狀之邊緣上之最接近中軸上之該等點之對應點之間的距離。
位於幾何形狀內之一中軸被稱為一內部中軸。該內部中軸表示一幾何形狀內之具有幾何形狀之邊界上之至少兩個最接近點之點。類似地,可判定在幾何形狀之外之一中軸。在幾何形狀之外之該中軸被稱為一外部中軸。該外部中軸表示在幾何形狀之外之具有幾何形狀之邊界上之兩個或兩個以上最接近點之點。該兩個或兩個以上最接近點可在相同幾何形狀上或在不同幾何形狀上。然而,若假定將變換整個遮罩,使得其在一幾何形狀內且各原始幾何形狀被視為該幾何形狀內之一孔,則一外部中軸可被視為與一內部中軸相同。因此,原始遮罩之外部中軸成為經變換遮罩之一內部中軸。圖4D及圖4E進一步闡述外部中軸與內部中軸之間的關係。
圖4A至圖4C繪示如藉由中軸產生組件210執行之產生用於一實例性幾何形狀之中軸。中軸產生組件210藉由在多邊形之各頂點處開始且用將兩個相鄰邊緣之間的角度平分之一邊緣向內生長骨架而產生用於各多邊形之中軸。該等平分邊緣在一內部頂點處交會。此頂點表示與鄰近於頂點之線段等距之一點。在自該內部頂點形成兩個片段之一平分線時,消除平分邊緣之圍封於一單元內之一者。重複此程序直至所有邊緣終止於頂點。
在其他實施例中,中軸產生組件210藉由執行形態纖細化來判定一中軸,該形態纖細化自邊界連續地移除像素,同時保留線段之端點。中軸產生組件210重複此程序直至不再可能纖細化為止。剩餘之點形成輸入形狀之骨架。
作為另一實例,中軸產生組件210判定指定為一影像之一輸入之一距離變換。該距離變換產生類似於該輸入影像之一影像,惟區域內部之點之強度係根據其等自各點至最接近邊界之距離除外。中軸產生組件210識別經變換影像中之奇異點(即,曲率不連續)。幾何形狀之中軸位於沿著經變換影像中之奇異點。
中軸修整組件220執行各種程序來修整中軸之部分。圖6中展示修整中軸以移除接近邊角之部分。圖7中繪示修整中軸以移除遠離幾何形狀之邊界之部分。
寬度檢查組件230執行遮罩之幾何形狀之寬度檢查。遮罩規則指定一寬度臨限值,使得要求幾何形狀具有大於該經指定寬度臨限值之一寬度值。在一些實施例中,寬度檢查組件230執行圖3之流程圖中所繪示之程序以執行遮罩之幾何形狀之寬度檢查。
角度檢查組件240判定幾何形狀之任何邊角是否違反要求幾何形狀之所有角度大於一銳角臨限值之角度遮罩規則。在一項實施例中,角度檢查組件240藉由執行圖10中所繪示之程序來執行角度檢查。
距離檢查組件250判定遮罩表示中之幾何形狀是否維持一最小距離臨限值。在一項實施例中,距離檢查組件250藉由執行圖15中所繪示之程序來執行距離檢查。
遮罩表示儲存器260儲存用於電子電路之遮罩之表示。一 電子電路之遮罩表示包含幾何形狀。在一項實施例中,幾何形狀係多邊形。遮罩規則檢查系統200對包含曲線型形狀之幾何形狀執行遮罩規則檢查。
在一項實施例中,遮罩規則檢查系統200經由一使用者介面向一使用者呈現遮罩規則檢查之結果。遮罩規則檢查系統200組態該使用者介面且經由一用戶端器件發送以向一使用者呈現。由一使用者用於與遮罩規則檢查系統200互動之該用戶端器件可為執行一作業系統(例如,Microsoft Windows®相容作業系統(OS)、Apple OS X®及/或Linux發行版)之一個入電腦(PC)、一桌上型電腦、一膝上型電腦、一筆記型電腦、一平板PC。
用戶端器件與遮罩規則檢查系統200之間的互動通常經由一網路(例如,經由網際網路)執行。該網路實現用戶端器件與遮罩規則檢查系統200之間的通信。在一項實施例中,該網路使用標準通信技術及/或協定。可使用包含超文字標示語言(HTML)、可擴展標示語言(XML)等之技術及/或格式來表示經由網路交換之資料。
遮罩規則檢查程序
圖3展示繪示根據一實施例之用於曲線型遮罩之遮罩規則檢查之整個程序的一流程圖。圖3之流程圖中所展示之步驟可依不同於流程圖中所指示之順序之一順序執行。例如,特定步驟可與其他步驟並行執行。此外,可使用一平行或分散式系統執行流程圖中所展示之各種步驟。
遮罩規則檢查系統200接收310用於一電子電路之遮罩之一表示作為輸入。該遮罩表示可包含曲線型形狀。遮罩規則檢查系統200針對遮罩表示之各幾何形狀執行以下步驟320、330、340。遮罩規則檢查系 統200判定320幾何形狀之一中軸。該中軸表示幾何形狀內之具有幾何形狀之邊界中之至少兩個最接近點之點。結合圖4A至圖4C描述用於判定一幾何形狀之中軸之程序之細節。
遮罩規則檢查系統200識別330中軸之太接近(即,靠近)幾何形狀中之邊角之部分。例如,可識別中軸之在幾何形狀之一邊角之一臨限距離內之部分。中軸之在該臨限距離內之一部分可被視為接近幾何形狀中之該邊角。結合圖6描述步驟330之細節。在一項實施例中,遮罩規則檢查系統進一步識別340中軸之距幾何形狀之邊角太遠之部分。例如,可識別中軸之不在幾何形狀之一邊角之一臨限距離內之部分。中軸之不在幾何形狀之一邊角之一臨限距離內之一部分可被視為距幾何形狀中之該邊角太遠。結合圖7描述步驟340之細節。
遮罩規則檢查系統200藉由排除中軸之經判定為接近邊角之部分及中軸之經判定為距邊角太遠之部分來修整中軸。遮罩規則檢查系統200對經修整中軸執行350遮罩規則檢查。結合圖8描述步驟350之細節。
遮罩規則檢查系統200排除中軸之太接近邊角之部分,此係因為預期此等部分憑藉靠近邊角而具有較小寬度。此等並不表示遮罩規則之違反。處理此等遮罩之系統包含對此等部分之容差。
在一項實施例中,遮罩規則檢查系統200藉由排除中軸之兩種類型之部分之任一者(例如,接近邊角之部分或遠離邊緣之部分)來修整中軸且對經修整中軸執行遮罩規則檢查。
在一項實施例中,遮罩規則檢查系統200自經修整中軸選擇候選點。遮罩規則檢查系統200檢查選自經修整中軸之各候選點是否違 反距幾何形狀之邊緣之一最小距離。若遮罩規則檢查系統200偵測到遮罩規則違反,則遮罩規則檢查系統200可報告該等違反,例如,作為可經由遮罩規則檢查系統200之一使用者介面顯示之一報告。
執行遮罩規則檢查
系統藉由應用一中軸變換而產生一遮罩之一骨架表示。系統修整該骨架之特定部分,此係因為該等部分對於執行特定遮罩規則檢查並非必要的。
圖4A展示在一全角度多邊形之中心之延伸至凸邊角中之一實例性中軸。形狀400具有尖銳邊角415及彎曲邊緣420。可使用線性化一彎曲邊緣之多個片段來表示該彎曲邊緣。因此,可將彎曲之一幾何形狀表示為具有大量邊緣之一多邊形。中軸430形成幾何形狀400之一骨架表示。
中軸將曲線型形狀劃分成表示曲線型形狀內之接近特定邊緣之點之各種區域。例如,區域440a係接近邊緣410,區域440b係接近邊緣420等等。
遮罩規則檢查系統200判定用於形成一電子電路之輸入遮罩之幾何形狀之中軸。圖4B繪示根據一實施例之產生中軸之與原始多邊形之兩個邊緣相關聯之一個別區段。
圖4C繪示中軸上之一點係與幾何形狀上之至少兩個點相關聯。一幾何形狀之中軸上之各點係與該幾何形狀之至少兩個點等距。例如,點450係在中軸上且與位於幾何形狀上之點465及470等距。如圖4C中所繪示,點450係由點465及470引發。用於判定一中軸之程序亦儲存幾何形狀之邊緣之與中軸之對應部分相關聯之部分。此等表示幾何形狀之邊緣 之最接近中軸上之點之點。
圖4D繪示根據一實施例可類似於一內部中軸處理一遮罩之一外部中軸。假定一輸入遮罩包括幾何形狀475a及475b。輸入遮罩之一外部中軸可展示為線480。可藉由將幾何形狀圍封於一大幾何形狀485內而變換遮罩。變換輸入遮罩之原始形狀475a及475b,使得輸入遮罩中之各幾何形狀對應於幾何形狀485內之一孔。因此,輸入遮罩之原始形狀475a變為經變換遮罩之一孔495a且輸入遮罩之原始形狀475b變為經變換遮罩之一孔495b。因此,經變換遮罩之內部中軸490係等效於輸入遮罩之外部中軸。在此項實施例中,系統忽略中軸之由形狀485引發之部分,此係因為此形狀並非輸入遮罩之部分。
因此,可將基於一內部中軸之任何遮罩規則檢查程序調適為使用一外部中軸之一等效遮罩規則檢查且反之亦然。例如,可藉由如上所述變換遮罩且執行使用內部中軸490之一寬度檢查來判定內部中軸490係距幾何形狀邊界至少一最小寬度臨限值,而執行檢查幾何形狀是否為輸入遮罩中之至少一最小距離臨限值之基於一外部中軸之一遮罩規則檢查。替代性地,可取而代之藉由對外部中軸執行檢查幾何形狀是否遠離輸入遮罩中之外部中軸480至少一最小距離臨限值之一最小距離檢查而執行使用內部中軸490來判定內部中軸490係距幾何形狀邊界至少一最小寬度臨限值之一寬度檢查。
圖4E繪示根據一實施例之對應於一遮罩之幾何形狀之一外部中軸。該外部中軸可具有由兩個或兩個以上幾何形狀引發之點。若一中軸之一點係與一些幾何形狀上之點等距,則該點係由該等幾何形狀引發。遮罩包含兩個幾何形狀478a及478b。中軸之部分488a係由幾何形狀478a 之邊緣492a及幾何形狀478b之邊緣492b引發。中軸之部分488b係由幾何形狀478a之邊緣492c及幾何形狀478b之邊緣492d引發。然而,部分488c係由兩者皆屬於相同幾何形狀478a之邊緣492a及492c引發。因此,一中軸上之一點可由一或多個幾何形狀引發。
使用周邊臨限值修整中軸
圖5繪示根據一實施例之用於判定是否修整一幾何形狀之一中軸上之一點的一方法。例如,根據一實施例,若一幾何形狀之一中軸上之一點太接近該幾何形狀之一邊角,則可修整該點。遮罩規則檢查系統200判定是否自中軸修整一點P或在修整之後容許該點P保持為中軸之部分。
遮罩規則檢查系統200判定一周邊臨限值。對於一幾何形狀之中軸上之一點510,遮罩規則檢查系統200判定該幾何形狀上之最接近點510之點520及530。遮罩規則檢查系統200在兩個方向上量測幾何形狀之介於點510與點530之間的周邊距離。一幾何形狀之邊界上之兩點之間的周邊距離係自一點沿著該幾何形狀之邊界到達另一點需要行進之距離。例如,沿著一個方向,幾何形狀之周邊540具有一周邊距離d1,且沿著另一個方向,幾何形狀之周邊550具有周邊距離d2。
遮罩規則檢查系統200判定兩個周邊距離d1及d2之最小值。若兩個周邊距離之最小值小於一周邊臨限值,則遮罩規則檢查系統200判定點510太接近幾何形狀之一邊角且被標記用於修整。替代性地,若兩個周邊距離之最小值大於該周邊臨限值,則遮罩規則檢查系統200判定點510不太靠近幾何形狀之一邊角且被標記用於保持於中軸中以用於進一步執行遮罩規則檢查。
其他實施例可判定一點是否太接近幾何形狀之一邊角。在一些實施例中,遮罩規則檢查系統基於遮罩規則之寬度及空間檢查之尺寸來判定周邊。若兩點在不同多邊形上,則遮罩規則檢查系統200將該兩點之間的距離設定為無限大。
圖6A繪示根據一實施例判定一周邊臨限值。遮罩規則檢查系統將該邊臨限值判定為與如由遮罩規則指定之用於幾何形狀之一最小寬度成比例之一值。例如,對於具有圓形邊角之多邊形,遮罩規則檢查系統可判定周邊臨限值為πW/2,其中W係如由遮罩規則指定之用於幾何形狀之最小寬度。因此,若幾何形狀上之最接近中軸上之一點P之一對點(P1、P2)彼此相距小於πW/2周邊距離,則修整該點P。
遮罩規則檢查系統200可針對不同類型之幾何形狀設定不同周邊臨限值。因此,周邊臨限值取決於幾何形狀之類型。更明確言之,遮罩規則檢查系統200可基於遮罩之一幾何形狀之一邊角之一所允許形狀來判定周邊臨限值。例如,用於具有圓形邊角之幾何形狀之周邊臨限值係不同於用於具有橢圓形邊角或三角形邊角之幾何形狀之周邊臨限值。應注意,即使幾何形狀被視為圓形或橢圓形,仍使用多個小相鄰邊緣線性化此等幾何形狀。
圖6B繪示根據一實施例之一幾何形狀之部分,針對該等部分量測或不量測寬度以用於執行遮罩規則檢查。明確言之,在經判定為接近一邊角630之一區域610中不量測寬度以用於遮罩規則檢查且在經判定為不接近任何邊角之一區域620中量測寬度以用於遮罩規則檢查。
在一些實施例中,遮罩規則檢查系統200使用周邊臨限值結合角度檢查以在容許具有不同橢圓率之邊角之情況下指定將在何處執行 遮罩規則檢查。
圖7繪示根據一實施例濾出中軸上之距幾何形狀之邊緣太遠而不被視為最小寬度或空間違反之點。圖7展示中軸上之距幾何形狀之邊緣一距離d處之一點P。遮罩規則檢查系統200將一參數(最大間隙臨限值)定義為中軸上之任何點可具有之距中軸中所包含之遮罩之幾何形狀之邊緣之最大距離。例如,遮罩規則檢查系統200可將該最大間隙臨限值設定為W2,其中W係如由遮罩規則指定之用於幾何形狀之最小寬度。
遮罩規則檢查系統200識別中軸上之一點且判定該經識別點與幾何形狀之一邊緣上之最接近點之間的距離是否大於最大間隙臨限值。若經識別點與幾何形狀之邊緣上之最接近點之間的距離大於最大間隙臨限值,則遮罩規則檢查系統200將經識別點標記為遠離幾何形狀之邊緣。遮罩規則檢查系統200排除幾何形狀之經識別點。遮罩規則檢查系統200排除中軸之由遮罩之彼此相距超過一距離W之部分界定之部分。
在一項實施例中,遮罩規則檢查系統200對中軸之點進行取樣且執行檢查以判定是否可排除該等點。遮罩規則檢查系統200對彼此接近(例如,小於一臨限距離)之點進行取樣。因此,若中軸之彼此接近之兩個點被標記為自中軸排除,則遮罩規則檢查系統200排除中軸之介於該兩點之間的整個部分。
遮罩規則檢查系統藉由排除中軸之經識別為太接近邊角或太遠離遮罩之幾何形狀之邊緣之部分而修整中軸。遮罩規則檢查系統200對經修整中軸執行遮罩規則檢查。經修整中軸之剩餘部分同時滿足圖5及圖7之要求。
圖8展示根據一實施例之遮罩中表示遮罩規則之違反之部 分。線820表示經修整中軸。線810表示遮罩之幾何形狀之邊緣。遮罩規則檢查系統200識別幾何形狀之表示最接近經修整中軸之點之點之部分。此等部分在圖8中展示為邊緣830。遮罩規則檢查系統200將幾何形狀之經識別部分(即,邊緣830)標記為遮罩規則之違反。
遮罩規則檢查系統200可發送描述幾何形狀之標記為遮罩規則之違反之經識別部分之資訊以(例如)經由遮罩規則檢查系統200之一使用者介面顯示。遮罩規則檢查系統200可將描述遮罩規則違反之資訊儲存於(例如)一檔案中且提供該檔案用於檢視。遮罩規則檢查系統可自使用者接收一經修改遮罩,使得經修改遮罩並不違反任何遮罩規則。遮罩規則檢查系統可自動地修改遮罩以移除遮罩規則違反。遮罩規則檢查系統可發送經修改遮罩以用於製造基於電子電路之一晶片。
尖角遮罩規則檢查
本發明中所描述之實施例可執行無法使用習知曼哈頓遮罩規則檢查偵測之曲線型形狀之尖角(或尖銳邊角)檢查。
圖9A展示根據一實施例之用於繪示尖角(或尖銳邊角)檢查之具有曲線型邊緣之一幾何形狀。圖9B展示根據一實施例之用於繪示遮罩規則檢查之具有帶有小凹口之曲線型邊緣的另一幾何形狀。
如本文中所描述,可使用可包含許多小相鄰邊緣之一分段線性表示來表示一遮罩之幾何形狀之曲線型邊緣。因此,任何兩個相鄰片段之間的角度有可能為鈍角,即使幾何形狀形成類似於如圖1B中所展示之一銳角之一尖銳邊角。即使無特定頂角本身係銳角或表示一尖銳邊角,一遮罩規則檢查亦預期此等幾何形狀展示一違反。一曼哈頓遮罩規則檢查簡單地比較相鄰邊緣之間的角度與臨限值以判定一幾何形狀是否包含尖 角。因此,曼哈頓遮罩規則檢查無法偵測遮罩表示之幾何形狀中之此等尖銳邊角。
在具有(例如)如圖9B中所展示之一銳角之幾何形狀中可能存在非常小的凸塊或尖銳邊緣。遮罩規則檢查應忽略邊緣之此等粗糙部分,即使其等包含尖角,此係因為實際違反之尺度大於邊緣中之此等微小凸塊。習知遮罩規則檢查可將此等部分標記為遮罩規則違反,此係因為該等部分比較各角度與一臨限值。然而,實施例能夠在無需將此等微小凸塊標記為遮罩規則違反之情況下執行遮罩規則檢查。
圖10展示繪示根據一實施例之用於對曲線型形狀執行銳角檢查之程序的一流程圖。遮罩規則檢查系統200接收一電子電路之一遮罩表示用於執行遮罩規則檢查。遮罩規則檢查系統200處理該遮罩表示之幾何形狀。
遮罩規則檢查系統200自遮罩表示識別1010一幾何形狀用於銳角檢查。遮罩規則檢查系統200檢查該幾何形狀中之邊角是否形成低於由一銳角檢查遮罩規則定義之一銳角臨限值T之一有效角度。
遮罩規則檢查系統200可針對幾何形狀之多個點執行步驟1020、1030、1040及1050。遮罩規則檢查系統200選擇1020一點V用於執行銳角檢查。該選定點V被稱為一頂點。遮罩規則檢查系統200判定1030幾何形狀之邊界上之一對點(Q、R)。來自該對點之各點Q、R係與頂點V相距一臨限距離A。遮罩規則檢查系統200判定藉由片段或線(例如,藉由連接Q及R之各者與頂點V所獲得之割線)形成之一角度X。因此,一條割線連接Q與V且另一條割線連接R與V。
遮罩規則檢查系統200判定1040經判定角度X是否低於一 銳角臨限值T。若遮罩規則檢查系統200將與用上文割線形成之一角度相關聯之頂點識別為小於該銳角臨限值T,則遮罩規則檢查系統200將經識別頂點報告1040為遮罩規則違反。
如圖9B中所展示,可設定角度檢查參數,使得可偵測非常小凹口。例如,將臨限距離T設定為作為用於表示一多邊形之系統中最小距離之一分率之一非常小值,即,dbu(資料庫單位)。例如,將臨限距離A設定為一值0.1*dbu。可將銳角臨限值T設定為任何所要值(例如,90度)。
遮罩規則檢查系統能夠執行圖10之程序以判定此等小凹口。此檢查將識別此等凹口但將不標記幾何形狀之任何其他區域,此係因為該等其他區域係使用臨限距離A之一不同值進行檢查。因此,遮罩規則檢查系統200能夠藉由針對臨限距離A設定不同值而對相同銳角臨限值T執行不同類型之銳角檢查。
組合角度與尺寸檢查
圖3中所繪示之程序自寬度檢查排除幾何形狀之部分(例如,幾何形狀之邊角)。因此,此等部分可能不會被檢查寬度違反。然而,在此等部分中可存在其他類型之遮罩規則檢查,諸如銳角違反。除了圖3中之程序之外亦可運行圖10中所繪示之程序以確保捕獲兩種類型之違反。
若遮罩規則檢查容許特定類型之幾何形狀,則遮罩規則檢查系統200基於幾何形狀之類型判定用於兩個程序(圖3及圖10)之參數。
圖11繪示根據一實施例之用於具有圓形邊角之幾何形狀之參數。遮罩規則檢查系統200選擇周邊臨限值為值πW/2。此外,遮罩規則 檢查系統200判定臨限距離值A為W
Figure 109119105-A0305-02-0026-1
/2,即,具有斜邊W之一直角三角形之一邊。遮罩規則檢查系統200基於邊角之一圓形形狀判定銳角臨限值T為90度(一直角)。遮罩規則檢查系統200可依據一因子按比例調整此等參數以引入某一容差,使得將允許實質上圓形之形狀,但將把與圓形形狀太不同之形狀標記為遮罩規則違反。
圖12繪示根據一實施例之用於具有橢圓形邊角之幾何形狀之參數。對於橢圓形邊角,遮罩規則檢查系統200判定周邊臨限值為KπW/2,其中K係大於1之一因子且取決於用於邊角之遮罩規則所允許之橢圓形形狀之曲率。例如,對於表示非常尖銳邊角之橢圓,K之值較高,且對於較不尖銳之橢圓(即,幾乎圓形邊角),K之值較接近1。臨限距離A之值經判定為0.5W/sin(θ/2),其中銳角臨限值係θ。對於表示尖銳邊角之橢圓形形狀,θ之值小於90度。所允許橢圓之曲率判定銳角臨限值之值係θ。因此,高度彎曲橢圓之尖銳邊角具有θ之小值且較不彎曲橢圓之較不尖銳邊角具有θ之較高值。
修正違反遮罩規則之幾何形狀
在一些實施例中,遮罩規則檢查系統200(例如)經由一使用者介面或經由一訊息報告違反之位置。可向一使用者呈現描述遮罩規則違反之報告以用於手動檢視。報告可呈現突顯各種違反(例如,一幾何形狀之邊緣之展示如圖8中所繪示之寬度違反之各種部分或幾何形狀之表示違反角度檢查之邊角之部分)之遮罩之一影像。
在一些實施例中,遮罩規則檢查系統200修改幾何形狀以便移除遮罩違反。遮罩規則檢查系統200可將經修改遮罩發送給一使用者以用於手動檢視或發送遮罩用於製造對應於遮罩之電子電路之晶片。
圖13繪示根據一實施例修改遮罩以修正寬度違反。如圖8中所展示,遮罩規則檢查系統200識別中軸之部分及幾何形狀之具有寬度違反之對應邊界。遮罩規則檢查系統200將與寬度違反相關聯之中軸部分1310之大小增加至經指定寬度(即,W2)。遮罩規則檢查系統200調整遮罩之幾何形狀且移除經擴展中軸以獲得並不具有寬度違反之幾何形狀。
圖14A展示根據一實施例之其中修正1410如圖13中所展示之一寬度違反1310之經修改遮罩。遮罩規則檢查系統200可使用各種技術修正角度違反。用於修正一角度違反之技術取決於角度及臨限距離A之大小。圖14B展示根據一實施例之實例性角度違反及修改遮罩以修正角度違反。對於如圖14B中所展示之小違反,遮罩規則檢查系統200移除在邊角之點處之頂點。如圖14B中所展示,原始遮罩形狀係1410,如在第一次反覆之後修改之形狀係1420,且如在第二次反覆之後修改之形狀係1430。
對於由於移除(例如,如圖12中所展示在一多邊形端部處)而可能不利於微影效能之角度違反,遮罩規則檢查系統200藉由使用多個頂點來代替一非相容頂點而將多邊形邊角重建為遮罩規則檢查相容的。該多個頂點產生並不具有一有效銳角且因此未違反角度遮罩規則之一平滑邊角。
幾何形狀之間的最小距離檢查
遮罩規則包含要求幾何形狀之間的一最小距離D m 之一距離遮罩規則。彼此平行之兩個相鄰曼哈頓形狀在其等之間具有相同距離,而與在何處量測距離無關。因此,檢查距離遮罩規則之違反對於曼哈頓形狀而言為簡單的。然而,兩個相鄰曲線型形狀之間的距離取決於在何處量測距離。例如,兩個曲線型形狀若在一個位置處量測則可具有一個距離值且 若在另一個位置處量測則可具有另一個距離值。因此,針對曼哈頓形狀偵測距離遮罩規則之違反之習知技術不適用於曲線型形狀。實施例執行曲線型形狀之距離檢查以判定遮罩表示是否維持任兩個幾何形狀之間的最小距離D m
圖15展示繪示根據一實施例之用於對曲線型形狀執行距離檢查之程序的一流程圖。可藉由距離檢查組件250或藉由任何其他組件執行步驟。
遮罩規則檢查系統200接收1510包含曲線型形狀之一遮罩表示用於執行遮罩規則檢查。遮罩規則檢查系統200判定1520該遮罩表示之幾何形狀之間的一中軸。該中軸包含幾何形狀之間的點。中軸之各點係與至少兩個幾何形狀等距。中軸表示表示遮罩之輸入幾何形狀之一沃羅諾伊圖。中軸產生組件210判定並儲存一對幾何形狀之負責形成中軸之各部分之邊緣且可儲存中軸之點或部分距幾何形狀之距離。
遮罩規則檢查系統200對中軸之與一對幾何形狀相關聯之各部分重複以下步驟。遮罩規則檢查系統200對中軸之該部分之一組點進行取樣且針對各經取樣點重複步驟1530、1540、1550及1560。
在步驟1530,遮罩規則檢查系統200選擇中軸上之與兩個點Px1及Px2相關聯之一點Px,使得Px1係在一幾何形狀S1上且Px2係在幾何形狀S2上。該點Px係與兩個點Px1及Px2等距。在步驟1540,遮罩規則檢查系統200判定點Px與兩個點Px1及Px2之間的距離D,該距離D表示中軸上之點Px與幾何形狀S1及S2之間的距離。
在步驟1550,遮罩規則檢查系統200比較距離D與一距離臨限值T D 。在步驟1560,若遮罩規則檢查系統200判定距離D小於該距離 臨限值T D ,則遮罩規則檢查系統200報告兩個幾何形狀S1與S2之間的一遮罩規則違反。若對於每個經取樣點,遮罩規則檢查系統200判定距離D係至少距離臨限值T D ,則遮罩規則檢查系統200可儲存指示兩個幾何形狀之間不存在距離違反之資訊。
基於如由距離遮罩規則指定之介於幾何形狀之間的最小距離D m 判定距離臨限值T D 。在一項實施例中,距離臨限值T D 係等於(或實質上等於)如由距離遮罩規則指定之最小距離D m 的一半,即,距離臨限值TD=D m /2。
遮罩規則檢查系統200可(例如)經由一訊息或一使用者介面向一使用者呈現遮罩規則違反。在一項實施例中,遮罩規則檢查系統200藉由移除幾何形狀而修改遮罩以消除距離遮罩規則違反。因此,遮罩規則檢查系統200增加一對幾何形狀之間的距離,使得該組點之各點與來自該對幾何形狀之幾何形狀之間的距離係至少臨限距離。
遮罩規則檢查系統200可能無法在不違反另一遮罩規則(例如,一對不同幾何形狀之間的距離遮罩規則)之情況下移動幾何形狀。若遮罩規則檢查系統200無法移動幾何形狀以移除違反,則遮罩規則檢查系統200(例如)經由一使用者介面向一使用者呈現描述違反之資訊,使得該使用者可手動地修改遮罩,使得不存在遮罩違反。
在一些實施例中,如結合圖4D所描述藉由添加涵蓋遮罩之幾何形狀之一幾何形狀且倒轉幾何形狀以將其等視為該經添加幾何形狀中之孔來變換遮罩,從而執行最小距離檢查。遮罩規則檢查系統200藉由執行如藉由圖3之流程圖繪示之使用一內部中軸之寬度檢查來執行幾何形狀之間的最小距離檢查。
電子設計自動化程序
圖16繪示在設計、驗證及製造一製品(諸如一積體電路)期間用於變換及驗證表示該積體電路之設計資料及指令之一組例示性程序1600。此等程序之各者可作為多個模組或操作結構化及啟用。術語「EDA」表示術語「電子設計自動化」。此等程序以用由一設計者供應之資訊形成一產品理念1610開始,該資訊經變換以形成使用一組EDA程序1612之一製品。當設計完成時,將設計下線1634,其係將用於積體電路之原圖(例如,幾何圖案)發送至一製造設施以製造遮罩組,接著將該遮罩組用於製造積體電路。在下線之後,製造1636一半導體晶粒並執行封裝及組裝程序1638以產生成品積體電路1640。
一電路或電子結構之規範可在從低階電晶體材料佈局至高階描述語言之範圍內。使用諸如VHDL、Verilog、SystemVerilog、SystemC、MyHDL或OpenVera之一硬體描述語言(「HDL」),可將一高層級抽象用於設計電路及系統。可將該HDL描述變換為一邏輯級暫存器轉移層級(「RTL」)描述、一閘級描述、一佈局級描述或一遮罩級描述。各較低抽象層級(其係較不抽象描述)將更多有用細節(例如,包含描述之用於模組之更多細節)添加至設計描述中。較低層級抽象(其等係較不抽象描述)可藉由一電腦產生、自一設計程式庫導出或由另一設計自動化程序形成。用於指定更詳細描述之一較低層級抽象語言之一規範語言之一實例係SPICE,其係用於具有許多類比組件之電路之詳細描述。啟用各抽象層級之描述以供該層之對應工具(例如,一形式驗證工具)使用。一設計程序可使用圖16中所描繪之一序列。所描述之程序可由EDA產品(或工具)啟用。
在系統設計1614期間,指定待製造之一積體電路之功能 性。可針對所要特性(諸如電力消耗、效能、面積(實體及/或碼行)及成本降低等)最佳化設計。在此階段,可發生將設計分割成不同類型之模組或組件。
在邏輯設計及功能驗證1616期間,用一或多個描述語言指定電路中之模組或組件,且檢查規範之功能準確性。例如,可驗證電路之組件以產生匹配經設計之電路或系統之規範要求之輸出。功能驗證可使用模擬器及其他程式(諸如測試平台(testbench)產生器、靜態HDL檢查器及形式驗證器)。在一些實施例中,使用被稱為「模擬器」或「原型設計系統」之組件之特殊系統來加速功能驗證。
在用於測試之合成及設計1618期間,將HDL程式碼變換為一網路連線表。在一些實施例中,一網路連線表可為一圖形結構,其中該圖形結構之邊緣表示一電路之組件且其中該圖形結構之節點表示組件如何互連。HDL程式碼及網路連線表兩者皆為可由一EDA產品用於驗證積體電路在被製造時根據經指定設計執行之階層式製品。可針對一目標半導體製造技術最佳化網路連線表。此外,可測試成品積體電路以驗證該積體電路滿足規範要求。
在網路連線表驗證1620期間,針對遵守時序限制及對應於HDL程式碼而檢查網路連線表。在設計規劃1622期間,可針對時序及頂層佈線建構及分析積體電路之一總體平面圖。
在佈局或實體實施1624期間,發生實體放置(諸如電晶體或電容器之電路組件的定位)及佈線(由多個導體連接電路組件),且可執行自一程式庫選擇單元以啟用特定邏輯功能。如本文中所使用,術語「單元」可指定提供布林邏輯功能(例如,AND、OR、NOT、XOR)或一儲存 功能(諸如一正反器或鎖存器)之一組電晶體、其他組件及互連件。如本文中所使用,一電路「區塊」可係指兩個或兩個以上單元。一單元及一電路區塊皆可被稱為一模組或組件且皆作為實體結構及在模擬中啟用。針對選定單元(基於「標準單元」)指定參數(諸如大小)且使該等參數在一資料庫中可存取以供EDA產品使用。
在分析及提取1626期間,可按佈局層級驗證電路功能,此允許細化佈局設計。在實體驗證1628期間,檢查佈局設計以確保製造限制(諸如DRC限制、電氣限制、微影限制)係正確的且電路功能匹配HDL設計規範。在解析度增強1630期間,變換佈局之幾何結構以改良如何製造電路設計。
在下線期間,形成(若適用,則在應用微影增強之後)待用於產生微影遮罩之資料。在遮罩資料準備1632期間,將「下線」資料用於產生微影遮罩,該等微影遮罩係用於產生成品積體電路。
一電腦系統之一儲存子系統可用於儲存由本文中所描述之一些或所有EDA產品以及用於開發程式庫之單元及用於使用程式庫之實體及邏輯設計之產品所使用之程式及資料結構。
實施例可用於在電子設計自動化程序之執行佈局及遮罩之檢查之階段期間(例如,在執行遮罩規則檢查時之下線期間)處理電路設計。
電腦架構
圖17繪示一電腦系統1700之一實例性機器,在該機器內可執行用於引起該機器執行本文中所論述之方法論之任一或多者之一指令集。在替代實施方案中,機器可連接(例如,網路連結)至一LAN、一內部 網路、一外部網路及/或網際網路中之其他機器。該機器可在用戶端-伺服器網路環境中以一伺服器或一用戶端機器之身份操作,在一同級間(或分散式)網路環境中作為一同級機器操作,或在一雲端運算基礎設施或環境中作為一伺服器或一用戶端機器操作。
機器可為一個人電腦(PC)、一平板PC、一機上盒(STB)、一個人數位助理(PDA)、一蜂巢式電話、一網路設備、一伺服器、一網路路由器、一交換器或橋接器,或能夠執行指定藉由該機器採取之行動之一指令集(循序或以其他方式)之任何機器。此外,雖然繪示一單個機器,但術語「機器」亦應被視為包含個別或聯合執行一(或多個)指令集以執行本文中所論述之方法論之任一或多者之機器之任何集合。
實例性電腦系統1700包含一處理器件1702、一主記憶體1704(例如,唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM),諸如同步DRAM(SDRAM))、一靜態記憶體1706(例如,快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)及一資料儲存器件1718,其等經由一匯流排1730彼此通信。
處理器件1702表示一或多個處理器,諸如一微處理器、一中央處理單元或類似者。更特定言之,處理器件可為複雜指令集運算(CISC)微處理器、精簡指令集運算(RISC)微處理器、超長指令字(VLIW)微處理器,或實施其他指令集之一處理器,或實施指令集之一組合之處理器。處理器件1702亦可為一或多個專用處理器件,諸如一特定應用積體電路(ASIC)、一場可程式化閘陣列(FPGA)、一數位信號處理器(DSP)、網路處理器或類似者。處理器件1702可經組態以執行用於執行本文中所描述之操作及步驟之指令1726。
電腦系統1700可進一步包含經由網路1720通信之一網路介面器件1708。電腦系統1700亦可包含一視訊顯示單元1710(例如,一液晶顯示器(LCD)或一陰極射線管(CRT))、一字母數字輸入器件1712(例如,一鍵盤)、一游標控制器件1714(例如,一滑鼠)、一信號產生器件1716(例如,一揚聲器)、一圖形處理單元1722、視訊處理單元1728及音訊處理單元1732。
資料儲存器件1718可包含其上儲存體現本文中所描述之方法論或功能之任一或多者之一或多個指令集1726或軟體之一機器可讀儲存媒體1724(亦被稱為一非暫時性電腦可讀媒體)。指令1726亦可完全或至少部分駐留於主記憶體1704內及/或在指令1726由電腦系統1700執行期間駐留於處理器件1702內,主記憶體1704及處理器件1702亦構成機器可讀儲存媒體。
在一些實施方案中,指令1726包含實施對應於本發明之功能性之指令。雖然機器可讀儲存媒體1724在一實例性實施方案中被展示為一單個媒體,但術語「機器可讀儲存媒體」應被視為包含儲存一或多個指令集之一單個媒體或多個媒體(例如,一集中式或分散式資料庫,及/或相關聯快取區及伺服器)。術語「機器可讀儲存媒體」亦應被視為包含能夠儲存或編碼藉由機器執行且引起機器及處理器件1702執行本發明之方法論之任一或多者之一指令集之任何媒體。術語「機器可讀儲存媒體」應相應地被視為包含(但不限於)固態記憶體、光學媒體及磁性媒體。
已依據對一電腦記憶體內之資料位元之操作之演算法及符號表示呈現前文詳細描述之一些部分。此等演算法描述及表示係由熟習資料處理技術者用於更有效地向其他熟習此項技術者傳達其等工作之主旨之 方式。一演算法可為導致一所要結果之一操作序列。該等操作係需要實體操縱物理量之操作。此等量可採用能夠被儲存、組合、比較及以其他方式操縱之電信號或磁信號之形式。此等信號可被稱為位元、值、元件、符號、字元、術語、數字或類似者。
然而,應牢記,所有此等及類似術語應與適當物理量相關聯且僅為應用於此等量之方便標記。除非明確說明,否則如自本發明明白,應暸解,貫穿描述之特定術語係指將表示為電腦系統之暫存器及記憶體內之物理(電子)量之資料操縱且變換成類似地表示為電腦系統記憶體或暫存器或其他此等資訊儲存器件內之物理量之其他資料之電腦系統或類似電子運算器件之動作及程序。
本發明亦係關於用於執行本文中之操作之一裝置。此裝置可專門為預期目的而建構,或其可包含藉由儲存於電腦中之一電腦程式選擇性啟動或重新組態之一電腦。此一電腦程式可儲存於一電腦可讀儲存媒體中,諸如(但不限於)任何類型之碟片(包含軟碟、光碟、CD-ROM及磁光碟)、唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡,或適於儲存電子指令之任何類型之媒體,上述各者耦合至一電腦系統匯流排。
本文中呈現之演算法及顯示並非固有地與任何特定電腦或其他裝置有關。各種其他系統可根據本文中之教示搭配程式使用,或其可證實建構一更專門裝置來執行方法係方便的。另外,本發明並非參考任何特定程式設計語言描述。將瞭解,各種程式設計語言可用於實施如本文中所描述之本發明之教示。
本發明可被提供為可包含其上儲存有指令之一機器可讀媒 體之一電腦程式產品或軟體,該等指令可用於程式化一電腦系統(或其他電子器件)以執行根據本發明之一程序。一機器可讀媒體包含用於儲存呈可藉由一機器(例如,一電腦)讀取之一形式之資訊之任何機構。例如,一機器可讀(例如,電腦可讀)媒體包含一機器(例如,一電腦)可讀儲存媒體,諸如一唯讀記憶體(「ROM」)、隨機存取記憶體(「RAM」)、磁碟儲存媒體、光學儲存媒體、快閃記憶體器件等。
在前文揭示內容中,本發明之實施方案已參考其之特定實例性實施方案進行描述。將顯而易見的是,可在不脫離如在以下發明申請專利範圍中所闡述之本發明之實施方案之更寬廣精神及範疇之情況下對本發明進行各種修改。在本發明以單數時態指代一些元件之情況下,在圖中可描繪一個以上元件且用相同數字標記相同元件。因此,本發明及圖式應被視為具闡釋性意義而非限制性意義。
310:步驟
320:步驟
330:步驟
340:步驟
350:步驟

Claims (20)

  1. 一種用於對一電子電路之一遮罩表示執行遮罩規則檢查之方法,該方法包括:接收該電子電路之該遮罩表示,該遮罩表示包括複數個幾何形狀;及對於該遮罩表示之該複數個幾何形狀之一幾何形狀:判定該幾何形狀之一中軸;識別該幾何形狀之一邊角,該邊角表示具有低於一臨限寬度之一寬度之該幾何形狀之一部分;識別該中軸之在至該幾何形狀之該邊角之一臨限距離內之一部分;藉由排除該中軸之經識別為在至該幾何形狀之該邊角之該臨限距離內之該部分而修整該中軸;及藉由一處理器件基於該幾何形狀之對應於該幾何形狀之該經修整中軸之一部分而執行該等遮罩規則檢查。
  2. 如請求項1之方法,其中識別該中軸之在至該幾何形狀之該邊角之該臨限距離內之部分包括:識別該中軸上之一點;識別該幾何形狀上之表示該幾何形狀之最接近該經識別點之點的一對點;判定該對點之間的一周邊距離是否低於一周邊臨限值;及 回應於判定該對點之間的該周邊距離低於該周邊臨限值,將該經識別點標記為在至該幾何形狀之該邊角之該臨限距離內。
  3. 如請求項1之方法,其進一步包括:識別該中軸之遠離該幾何形狀之邊緣之部分;及藉由排除該中軸之經判定為遠離該幾何形狀之該等邊緣之該等部分而修整該中軸。
  4. 如請求項3之方法,其中識別該中軸之遠離該幾何形狀之邊角之部分包括:識別該中軸上之一點;判定該經識別點與該幾何形狀之一邊緣上之該最接近點之間的該距離是否大於一間隙臨限值;及回應於判定該經識別點與該幾何形狀之一邊緣上之該最接近點之間的該距離大於一間隙臨限值,將該經識別點標記為遠離該幾何形狀之邊緣。
  5. 如請求項4之方法,其進一步包括:基於由該等遮罩規則檢查允許之該等幾何形狀之一寬度判定該間隙臨限值。
  6. 如請求項5之方法,其進一步包括:將該間隙臨限值判定為實質上等於如由一寬度遮罩規則指定之幾 何形狀之一經允許寬度的一半之一值。
  7. 如請求項6之方法,其中使用該遮罩表示之該複數個幾何形狀之該等經修整中軸執行該等遮罩規則檢查包括:識別該等幾何形狀之表示最接近該經修整中軸之該等點之點的該等部分;及將該等幾何形狀之該等經識別部分標記為遮罩規則之違反。
  8. 如請求項1之方法,其中使用該遮罩表示之該複數個幾何形狀之該等經修整中軸執行遮罩規則檢查包括:自該經修整中軸選擇一或多個點;及對於選自該經修整中軸之該一或多個點之各點,檢查該點是否違反距該幾何形狀之邊緣之一最小距離。
  9. 如請求項1之方法,其中使用該遮罩表示之該複數個幾何形狀之該等經修整中軸執行遮罩規則檢查包括:判定該經修整中軸之該等點是否違反一遮罩規則;及發送描述遮罩規則之該違反之資訊用於顯示。
  10. 如請求項1之方法,其進一步包括:回應於識別違反指定幾何形狀之寬度之一遮罩規則之一幾何形狀,修改該幾何形狀以增加該幾何形狀之在經判定為違反該寬度遮罩規則之該等部分中之該寬度,使得該經修改幾何形狀符合該寬度 遮罩規則。
  11. 一種儲存指令之非暫時性電腦可讀媒體,該等指令在藉由一電腦處理器執行時引起該電腦處理器執行用於對一電子電路之一遮罩表示執行遮罩規則檢查之步驟,該等步驟包括:接收該電子電路之該遮罩表示,該遮罩表示包括複數個幾何形狀;對於該複數個幾何形狀之一幾何形狀,執行遮罩規則檢查,其中該等遮罩規則指定一銳角臨限值,該執行包括:選擇該幾何形狀之一邊界上之一頂點;識別該幾何形狀之該邊界上之一對端點,其中各端點係與該頂點等距;判定藉由連接各端點至該頂點之線形成之一角度;及判定該經判定角度是否低於該銳角臨限值;及回應於判定該經判定角度低於該銳角臨限值,藉由一處理器件將該選定頂點報告為一遮罩規則違反。
  12. 如請求項11之非暫時性電腦可讀媒體,其中該頂點與一端點之間的該距離係沿著該頂點與該端點之間的一直線量測。
  13. 如請求項11之非暫時性電腦可讀媒體,其中:該等端點之一者係藉由自該頂點開始沿著該幾何形狀之該邊界順時針行進而獲得,且 該另一端點係藉由自該頂點開始沿著該幾何形狀之該邊界逆時針行進而獲得。
  14. 如請求項11之非暫時性電腦可讀媒體,其中該銳角臨限值係藉由一銳角遮罩規則指定,該方法進一步包括:回應於判定一幾何形狀違反一銳角遮罩規則,修改該幾何形狀以增加與該頂點相關聯之該角度,使得該經修改幾何形狀符合該銳角遮罩規則。
  15. 如請求項11之非暫時性電腦可讀媒體,其進一步包括:發送該遮罩表示用於製造該電子電路之晶片。
  16. 如請求項11之非暫時性電腦可讀媒體,其中各端點與該頂點之間的該臨限距離係基於由該等遮罩規則允許之幾何形狀之一類型而判定。
  17. 一種用於對一電子電路之一遮罩表示執行遮罩規則檢查之方法,該方法包括:接收該電子電路之該遮罩表示,該遮罩表示包括複數個幾何形狀;判定用於該複數個幾何形狀之一中軸,其中該中軸之一部分包含與包括一第一幾何形狀及一第二幾何形狀之一對幾何形狀等距之一組點;及對於來自該中軸之該部分上之該組點之各點: 判定該點與來自該對幾何形狀之各幾何形狀之間的一距離,其中該點與該第一幾何形狀之距離匹配(matches)該點與該第二幾何形狀之距離;藉由判定該點與該對幾何形狀之各者之間的該距離是否小於一臨限距離來判定該第一幾何形狀是否在該第二幾何形狀之該臨限距離內;及回應於判定該點與該對幾何形狀之各者之間的該距離小於該臨限距離,將該對幾何形狀報告為一遮罩規則之一違反。
  18. 如請求項17之方法,其中基於由一遮罩規則指定之介於幾何形狀之間的一最小距離臨限值來判定該臨限距離。
  19. 如請求項17之方法,其中將該臨限距離判定為實質上等於由一距離遮罩規則指定之介於幾何形狀之間的一最小距離臨限值的一半。
  20. 如請求項17之方法,其進一步包括:增加該對幾何形狀之間的該距離,使得該對幾何形狀之間的該距離係由該距離遮罩規則指定之至少該最小距離臨限值。
TW109119105A 2019-06-07 2020-06-05 用於電子電路之曲線型遮罩的遮罩規則檢查之系統及方法 TWI758742B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962858714P 2019-06-07 2019-06-07
US62/858,714 2019-06-07
US16/892,252 2020-06-03
US16/892,252 US11222160B2 (en) 2019-06-07 2020-06-03 Mask rule checking for curvilinear masks for electronic circuits

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202107200A TW202107200A (zh) 2021-02-16
TWI758742B true TWI758742B (zh) 2022-03-21

Family

ID=73651606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109119105A TWI758742B (zh) 2019-06-07 2020-06-05 用於電子電路之曲線型遮罩的遮罩規則檢查之系統及方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US11222160B2 (zh)
EP (1) EP3980966A1 (zh)
KR (1) KR102638150B1 (zh)
CN (1) CN114008620A (zh)
TW (1) TWI758742B (zh)
WO (1) WO2020247655A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220020580A (ko) * 2020-08-12 2022-02-21 삼성전자주식회사 곡선 모양을 갖는 마스크 제작 방법 및 반도체 소자 형성 방법
CN113642286B (zh) * 2021-08-12 2023-10-24 长鑫存储技术有限公司 测试图形的验证方法、装置、设备及存储介质
WO2023141080A1 (en) * 2022-01-19 2023-07-27 D2S, Inc. Using machine-trained network to perform drc check
CN117308794B (zh) * 2023-11-30 2024-04-19 杭州汇萃智能科技有限公司 一种线宽量测方法、系统及计算机存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0246145A2 (en) * 1986-05-10 1987-11-19 Fujitsu Limited Pattern inspection system
CN102918464A (zh) * 2010-06-04 2013-02-06 Asml荷兰有限公司 衬底上结构的测量
CN107111237A (zh) * 2014-10-02 2017-08-29 Asml荷兰有限公司 辅助特征的基于规则的部署
TW201804265A (zh) * 2016-05-25 2018-02-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 藉由修改圖案化器件來增進聚焦及疊對

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7796801B2 (en) 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US8108803B2 (en) * 2009-10-22 2012-01-31 International Business Machines Corporation Geometry based electrical hotspot detection in integrated circuit layouts
WO2013101118A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intel Corporation Photolithography mask design simplification
JP6349113B2 (ja) * 2013-03-13 2018-06-27 ディー・ツー・エス・インコーポレイテッドD2S, Inc. 半導体装置レイアウトデザインのフラクチャリングまたはマスクデータ準備のための方法およびシステム、ならびにレチクル上に半導体レイアウトパターンを形成するための方法
US10331842B2 (en) * 2014-12-16 2019-06-25 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for automated design of semiconductor photonic devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0246145A2 (en) * 1986-05-10 1987-11-19 Fujitsu Limited Pattern inspection system
CN102918464A (zh) * 2010-06-04 2013-02-06 Asml荷兰有限公司 衬底上结构的测量
CN107111237A (zh) * 2014-10-02 2017-08-29 Asml荷兰有限公司 辅助特征的基于规则的部署
TW201804265A (zh) * 2016-05-25 2018-02-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 藉由修改圖案化器件來增進聚焦及疊對

Also Published As

Publication number Publication date
US20220277130A1 (en) 2022-09-01
KR20220019023A (ko) 2022-02-15
US20200387660A1 (en) 2020-12-10
CN114008620A (zh) 2022-02-01
EP3980966A1 (en) 2022-04-13
US11222160B2 (en) 2022-01-11
US11568127B2 (en) 2023-01-31
TW202107200A (zh) 2021-02-16
US20230129457A1 (en) 2023-04-27
US11748553B2 (en) 2023-09-05
KR102638150B1 (ko) 2024-02-16
WO2020247655A1 (en) 2020-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI758742B (zh) 用於電子電路之曲線型遮罩的遮罩規則檢查之系統及方法
TWI836186B (zh) 使用佈局的骨架表示開發微影遮罩之方法、系統、及非暫時性電腦可讀媒體
CN114365042A (zh) 用于集成电路的基于神经网络的掩模综合
US11762283B2 (en) Inverse lithography and machine learning for mask synthesis
US11977327B2 (en) Enforcing mask synthesis consistency across random areas of integrated circuit chips
US8677300B2 (en) Canonical signature generation for layout design data
US9378327B2 (en) Canonical forms of layout patterns
JPH11184064A (ja) フォトマスクパターン設計装置および設計方法ならびにフォトマスクパターン設計プログラムを記録した記録媒体
US9626474B2 (en) Expanded canonical forms of layout patterns
US11720015B2 (en) Mask synthesis using design guided offsets
US11449659B2 (en) Lithography-based pattern optimization
US11416661B2 (en) Automatic derivation of integrated circuit cell mapping rules in an engineering change order flow
US11860531B2 (en) Skeleton representation of layouts for the development of lithographic masks
US11836423B2 (en) Machine learning-based clustering for curvilinear layout designs
CN116187253A (zh) 使用图案匹配的布局与原理图比对(lvs)器件提取
CN113255280A (zh) 用于表示集成电路的布局的系统和方法