TWI756732B - 帶電粒子線裝置 - Google Patents

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Abstract

減低在裝置間對於試料之帶電粒子線照射結果的誤差。 演算器，基於和校正試料(24)相對應之計算用元件模型而生成演算用網路連線表(netlist)，基於演算用網路連線表及光學條件而推定當藉由光學條件而帶電粒子線照射至校正試料(24)時之第1照射結果，比較第1照射結果與當藉由光學條件而帶電粒子線照射至校正試料時之第2照射結果，當第1照射結果與第2照射結果相異的情形下，進行光學條件的校正。

Description

帶電粒子線裝置
本發明有關帶電粒子線裝置。
電子顯微鏡或離子顯微鏡等的帶電粒子線裝置，被用於具有微細的構造之各式各樣的試料的觀察。例如，以半導體元件的製造工程中的製程管理為目的，帶電粒子線裝置的一種亦即掃描電子顯微鏡，被應用於形成於試料亦即半導體晶圓上的半導體元件圖樣的尺寸計測或缺陷檢查等測定。
運用電子顯微鏡之試料分析法的1種，已知有基於藉由將電子束對試料照射而得到的二次電子等來形成電位對比像，而基於電位對比像的分析來評估形成於試料上的元件的電阻之手法。
例如，專利文獻1中，揭示從電位對比算出電阻值，來判別缺陷之方法。專利文獻2中，揭示從電位對比作成記述包含電路元件的電氣特性及連接資訊之資訊的網路連線表(netlist)來作為等效電路，藉此預測電阻值等的缺陷的特性之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-100823號公報 [專利文獻2]日本特開2008-130582號公報
[發明所欲解決之問題]
半導體元件的檢查計測中，需要檢測製造工程中的元件的電氣特性不良。但，依專利文獻所揭示之技術，難以利用設計資料與檢查計測資料而推定將複數元件間的相互作用納入考量之電氣特性。此外，當運用複數個裝置進行電氣特性的推定的情形下，在裝置間推定結果恐發生誤差。
鑑此，本發明之目的在於減低在裝置間對於試料之帶電粒子線照射結果的誤差。 [解決問題之技術手段]
若要簡單說明本案中揭示的發明當中代表性者，則如以下所述。
依本發明的代表性實施形態之帶電粒子線裝置，具備：資料庫，存放用來推定試料或校正試料的電路之計算用元件模型及對試料或校正試料照射的帶電粒子線之光學條件；及帶電粒子線光學系統，基於光學條件控制對試料或校正試料照射的帶電粒子線；及檢測器，檢測藉由帶電粒子線的照射而從試料或校正試料放出的二次電子，輸出基於二次電子之檢測訊號；及演算器，基於和校正試料相對應之計算用元件模型而生成演算用網路連線表(netlist)，基於演算用網路連線表及光學條件而推定當藉由光學條件而帶電粒子線照射至校正試料時之第1照射結果，比較第1照射結果與基於當藉由光學條件而帶電粒子線照射至校正試料時的檢測訊號之第2照射結果，當第1照射結果與第2照射結果相異的情形下，進行光學條件的校正。 [發明之效果]
若要簡單說明藉由本案中揭示的發明當中代表性者而獲得之效果，則如以下所述。
也就是說，按照本發明的代表性實施形態，可減低在裝置間對於試料之帶電粒子線照射結果的誤差。
以下參照圖面，說明本發明之實施形態。以下說明的各實施形態，為用來實現本發明之一例，並非限定本發明之技術範圍。另，實施例中，對具有同一功能的構件標注同一符號，除特有必要的情形外省略其反覆說明。
(實施形態1) ＜帶電粒子線裝置的構成＞ 圖1為本發明的實施形態1之帶電粒子線裝置的構成的一例示意概略圖。圖2為本發明的實施形態1之帶電粒子線裝置的構成的一例示意方塊圖。如圖1及圖2所示，帶電粒子線裝置1，具備帶電粒子線裝置本體10、計算機30、輸出入器50。
＜帶電粒子線裝置本體＞ 帶電粒子線裝置本體10，構成為在收容有檢查用的試料23之試料室10B載置有鏡筒10A，在鏡筒10A及試料室10B的外側配置有控制部11。鏡筒10A中，收容有照射電子線(帶電粒子束)之電子源(帶電粒子源)12、進行電子線的脈波化之脈波電子產生器19、進行照射出的電子線的照射電流的調整之光圈13、控制電子線的照射方向之偏向器14、將電子線聚光之對物透鏡18等。此外，雖圖示省略，但鏡筒10A中設有聚光透鏡。另，若不進行電子線的脈波化，則亦可沒有脈波電子產生器19。
此外，鏡筒10A中收容有檢測器25等，其檢測藉由電子線的照射而從試料23或校正試料24放出的二次電子，輸出基於二次電子之檢測訊號。檢測訊號，被利用於SEM(Scanning Electron Microscopy)圖像的生成、試料23或校正試料24的尺寸的測定、電氣特性的計測、對試料23或校正試料24照射的電子線的光學條件的校正等。
試料室10B中，收容有平台21、試料23、校正試料24等。試料23及校正試料24，被載置於平台21上。試料23，例如為包含複數個半導體元件之半導體晶圓、或個別的半導體元件等。在平台21設有未圖示之平台驅動機構，藉由控制部11的控制而可在試料室10B內移動。
校正試料24，為用來進行在複數個帶電粒子線裝置間的光學條件的校正之試料。若要具體敍述，複數個帶電粒子線裝置中，即使對同一試料藉由同一光學條件照射帶電粒子線，仍有照射結果相異之情形。這樣的在複數裝置間的照射結果的差異，有時被稱為「機械誤差」。為了減低這樣的機械誤差，係運用示意電路構成或電氣特性等的計算用元件模型(詳細後述之)為已知之校正試料來進行光學條件的校正。
作為校正試料24，例如能夠運用具備電氣特性相異的複數個元件之TEG(Test Element Group；測試單元群)。或是，作為校正試料24，能夠運用天線TEG、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown；時間相依介電質崩潰)TEG。此外，除它們以外，用來評估PN接合的漏電流之TEG等亦能運用作為校正試料24。校正試料24，如圖1所示，亦可設置成和試料23不同個體。此外，校正試料24，例如亦可形成於為了管理裝置而事先準備的晶圓上，而作為試料23被搬送至裝置內。
圖3為校正試料示例圖。圖3中，示意具備複數個元件的校正試料。圖3(a)為複數個元件24a、24b的電路(等效電路)，及藉由電子線的照射而放出的二次電子等之模型化示意圖。圖3(b)為複數個元件24a、24b的截面圖。元件24a的電路，為電阻值R1的電阻元件與電容值C1的電容器被並聯連接而成之RC並聯電路。另一方面，元件24b的電路，為電阻值R2的電阻元件與電容值C2的電容器被並聯連接而成之RC並聯電路。另，P1、P2例如為電極。
如圖3(b)所示，電極亦即導電膜的下層的絕緣膜的厚度薄之區域，係元件24a比元件24b來得廣。此外，配合此，電極的範圍亦是元件24a比元件24b來得廣。當設置複數個元件的情形下，校正試料中亦可包含類似的電路而使尺寸相異而成之複數個元件。
控制部11，為進行構成帶電粒子線裝置本體10的各部的控制之機能方塊(function block)。控制部11，例如基於從計算機30輸入的光學條件等，進行電子源12、脈波電子產生器19、光圈13、偏向器14、對物透鏡18等的動作控制。像這樣，控制部11、電子源12、脈波電子產生器19、光圈13、偏向器14、對物透鏡18等，構成控制電子線之帶電粒子線光學系統BS。
此外，控制部11，例如基於從計算機30輸入的光學條件等，進行平台驅動機構的控制，藉此令試料23往規定的位置移動。此外，控制部11進行對於檢測器25的電力供給或控制訊號的供給等控制，藉此進行檢測器25所做的二次電子的檢測處理之控制。
控制部11，例如藉由CPU等的處理器中執行的程式而實現。此外，控制部11，例如亦可由FPGA (Field-Programmable Gate Array；現場可程式閘陣列)或ASIC(Application Specific Integrated Circuit；特殊應用積體電路)等所構成。
＜計算機＞ 計算機30，如圖1所示，具備演算器31及記憶裝置41。演算器31，為進行試料23或校正試料24的電路(或等效電路)的推定之機能方塊。演算器31，例如如圖2所示，具有演算用網路連線表生成部32、電子線照射結果推定演算器33、比較器34、光學條件校正部35。演算用網路連線表生成部32，基於後述的計算用元件模型及光學條件，進行和試料23或校正試料24相對應的演算用網路連線表之生成。此外，演算用網路連線表生成部32，還進行基於比較器34中的比較結果之演算用網路連線表的更新。
電子線照射結果推定演算器33，進行基於演算用網路連線表生成部32中生成的演算用網路連線表之電子線照射結果的推定。比較器34，進行電子線照射結果推定演算器33中推定出的電子線照射結果(第1照射結果)與實際測定出的電子線照射結果(第2照射結果)之比較。
光學條件校正部35，基於比較器34中的第1照射結果與第2照射結果之比較結果，進行光學條件的校正。光學條件校正部35，例如對光學條件記憶部43中存放的光學條件進行。也就是說，光學條件的校正，對有關前次的電子線的照射之光學條件進行。
演算器31，除該些處理外，尚進行有關推定出的電子線照射結果、測定出的電子線照射結果、及對試料23鑑定出的網路連線表(以下亦稱「推定網路連線表」)的顯示之處理，有關基於檢測訊號之試料23的檢查圖像(SEM圖像等)的生成、試料23的尺寸的測定、試料23的電氣特性的計測等之處理。
演算器31，如同控制部11，可藉由CPU等的處理器中執行之程式而實現，亦可藉由FPGA或ASIC等而構成。
記憶裝置41，包含資料庫42、光學條件記憶部43、演算用網路連線表記憶部44、電子線照射結果記憶部45、推定照射結果記憶部46。資料庫42，存放演算用網路連線表的生成所使用之計算用元件模型(例如DM1、DM2)及光學條件(例如LC1、LC2)。另，計算用元件模型中，包括示意試料的缺陷之模型。
該些計算用元件模型及光學條件的登錄，可由使用者操作輸出入器50而進行，亦可將計算機30與外部裝置連接，藉由從外部裝置接收計算用元件模型而進行。資料庫42，將計算用元件模型及光學條件，例如存放作為LUT(Look Up Table；查找表)。
圖4為資料庫中存放的計算用元件模型示例圖。計算用元件模型中各自被附上固有的ID42a(例如DM1、DM2)，藉由ID42a識別各自的計算用元件模型。資料庫42中，各自存放用於試料23的檢查之計算用元件模型、及校正試料24之計算用元件模型。
各自的計算用元件模型中，例如包括模型42b、數式42c、參數種類別42d、參數值42e、其他資料42f等的資訊。另，各自的計算用元件模型中，亦可僅規定它們當中的一部分資訊。
模型42b，為規定元件的電路之資訊。例如規定RC並聯電路等的電路之資訊，被登錄作為模型42b。此電路可為表示正確的電路構成之模型，亦可為表示等效電路之模型。此外，元件的波形模型等亦可被登錄作為模型42b。數式42c，包括規定無法以電路表現的元件的電氣特性等之資訊。此數式42c亦可為表示電氣特性等的時間序列變化之式。參數種類別42d，例如為規定電阻(R)或電容(C)等元件中包括的電路元件的種類別之資訊。參數值42e，和參數種類別42d的各要素相對應，為規定和參數種類別42d相對應的電路元件的值之資訊。例如，若電阻(R)、電容(C)被登錄作為參數種類別，則相對應的參數值為電阻值、電容值。其他資料42f中，例如包括元件的形狀、元件的物性等之資訊。
圖5為資料庫中存放的光學條件示例圖。光學條件中各自被附上固有的ID42g(例如LC1、LC2)，藉由ID42g識別各自的光學條件。各自的光學條件中，例如包括照射能量42h、照射電流42i、掃描條件42j、參數值42k、其他資料42l等之資訊。另，各自的光學條件中，亦可僅規定它們當中的一部分資訊。另，資料庫中，亦可另外存放有運用了校正試料24之用於光學條件的校正用的基準光學條件。
照射能量42h，為規定照射至試料的帶電電子線的能量之資訊。照射能量中，例如包括電子的加速電壓或減速電壓等。此處，所謂減速(retarding)電壓，是指藉由對試料施加電壓，而在試料面前使電子線(帶電粒子線)的速度減速之電壓。照射電流42i，為規定電子線的電流之資訊。另，照射電流，亦被稱為探針電流。
掃描條件42j，為規定電子線的照射方法之資訊。掃描條件42j中，例如包括掃描速度(掃描速度)、掃描間隔等之資訊。參數值42k，為規定有關電子線的照射的參數之資訊。參數值42k中，例如包括倍率、展開角、工作距離等之資訊。其他資料42l中，包括有關光學條件的除此以外之資訊。此外，其他資料42l中，亦可存放電子線脈波化條件(調變條件)。電子線脈波化條件中，例如包含脈波寬度、工作比、頻率、及脈波寬度或工作比時間性地變化之任意的形態等。
另，光學條件，亦被稱為電子光學條件等。
光學條件記憶部43，存放被選擇的電子線的光學條件，或藉由光學條件校正部35而被校正的光學條件。另，光學條件記憶部43中存放的光學條件，亦可為前述的基準光學條件或將基準光學條件校正後的光學條件。
演算用網路連線表記憶部44，存放演算用網路連線表生成部32中被生成的演算用網路連線表。電子線照射結果記憶部45，存放基於從檢測器25輸出的檢測訊號而實際測定的對於試料23之電子線照射結果。電子線照射結果記憶部45中存放的電子線照射結果，可為從檢測器25輸出的檢測訊號，亦可為基於檢測訊號而被處理之SEM圖像等。推定照射結果記憶部46，存放電子線照射結果推定演算器33中推定出的對於試料23或校正試料24之電子線照射結果。
記憶裝置41，例如由快閃記憶體等非揮發性記憶體所構成。此外，記憶裝置41中包括的各記憶部的一部分，例如亦可由DRAM(Dynamic Random Access Memory；動態隨機存取記憶體)或SRAM(Static Random Access Memory；靜態隨機存取記憶體)等的揮發性記憶體所構成。記憶裝置41中包括的各記憶部，可各自被設置成個別的元件，亦可構成為在1個記憶裝置當中設有各自的記憶區域。
＜輸出入器＞ 輸出入器50，為進行對於帶電粒子線裝置1的操作，計算用元件模型或光學條件的選擇，對於試料23的電子線照射結果、推定照射結果、及推定網路連線表的顯示等之機能方塊。輸出入器50，例如具備觸控面板方式的顯示器60。顯示器60中，例如顯示帶電粒子線裝置1的操作面板、選擇計算用元件模型或光學條件之選擇部51、推定網路連線表等52、推定照射結果53、電子線照射結果54等。
＜光學條件的校正方法＞ 接下來說明光學條件的校正方法。本實施形態中，進行運用了校正試料24之光學條件的校正。圖6為本發明的實施形態1之光學條件的校正方法的一例示意流程圖。圖6中，藉由步驟S10～S120進行光學條件的校正。
一旦開始光學條件的校正處理，便進行使用者所做的計算用元件模型的選擇(步驟S10)。圖7為計算用元件模型的選擇畫面的一例示意圖。圖7的計算用元件模型選擇畫面61中，例如示意資料庫42中登錄著的計算用元件模型的一覽表61a、及選擇決定按鈕61e。一覽表61a中，示意登錄著的計算用元件模型的ID顯示欄61b、計算用元件模型的選擇欄61c、各計算用元件模型的詳細顯示欄61d。
此處，從顯示器60中顯示的計算用元件模型選擇畫面61，選擇校正試料用的計算用元件模型。若要具體敍述，使用者在欲選擇的計算用元件模型的核取方塊(checkbox)核取後，觸碰選擇決定按鈕61e，藉此完成計算用元件模型的選擇。圖7中，示意ID為DMC1的校正試料用的計算用元件模型被選擇之情形。被選擇的計算用元件模型，被發送至圖2的演算用網路連線表生成部32。
步驟S10中，亦一併進行光學條件的選擇。圖8為光學條件的選擇畫面的一例示意圖。圖8的光學條件選擇畫面62中，例如示意資料庫42中登錄著的光學條件一覽表62a、及選擇決定按鈕62e。一覽表62a中，示意登錄著的光學條件的ID顯示欄62b、光學條件的選擇欄62c、各光學條件的詳細顯示欄62d。
使用者，從顯示器60中顯示的光學條件選擇畫面62選擇任意的光學條件。若要具體敍述，使用者在欲選擇的光學條件的核取方塊(checkbox)核取後，觸碰選擇決定按鈕62e，藉此完成光學條件的選擇。圖8中，示意ID為LC2的光學條件被選擇之情形。另，作為光學條件，亦可選擇已敍述的基準光學條件。被選擇的光學條件，被存放於圖2的光學條件記憶部43。
另，步驟S10中，亦可若選擇決定按鈕61e被觸碰而完成計算用元件模型的選擇，則計算用元件模型選擇畫面61被消除而顯示光學條件選擇畫面62。此外，亦可若完成計算用元件模型的選擇則在計算用元件模型選擇畫面61上重疊顯示光學條件選擇畫面62。亦可在光學條件選擇畫面62設有令計算用元件模型選擇畫面61再顯示之按鈕。
此外，光學條件的選擇中，視必要亦可一併選擇電子線脈波化條件。此外，電子線脈波化條件，可和光學條件併用，亦可僅電子線脈波化條件被設定作為光學條件。另，光學條件的選擇及往光學條件記憶部43的存放，亦可在後述的步驟S40為止前進行。
步驟S20中，基於使用者選擇的計算用元件模型而進行演算用網路連線表的生成。例如，演算用網路連線表生成部32，將被選擇的計算用元件模型中包括之模型42b、參數種類別42d、元件的形狀、元件的物性等之任一者與參數值42e組合而進行演算用網路連線表的生成。另，演算用網路連線表的生成方法不限定於此。
步驟S30中，步驟S20中生成的演算用網路連線表被存放於演算用網路連線表記憶部44。另，圖6中，雖將步驟S20與步驟S30區別，但步驟S30的處理亦可在步驟S20進行。
步驟S40中，進行電子線照射結果的推定。電子線照射結果推定演算器33，基於演算用網路連線表記憶部44中存放的演算用網路連線表、及光學條件記憶部43中存放的光學條件，進行對於校正試料24的電子線照射結果的推定。此處被推定的電子線照射結果，和步驟S80的照射結果相對應，例如為從檢測器25輸出的檢測訊號(訊號波形)、帶電量、檢查圖像、檢查圖像的亮度、檢查圖像中的每一像素的亮度等。
步驟S50中，步驟S40中推定出的電子線照射結果被存放於推定照射結果記憶部46。
步驟S60中，進行光學條件的設定。惟，圖6中，是在進行步驟S40的電子線照射結果的推定為止前選擇、設定光學條件。因此，最初的步驟S60中並未進行特別的處理。也就是說，步驟S60中，是進行在後述的步驟S120中被校正的光學條件的存放、設定。
步驟S70中，以步驟S10等中被選擇的光學條件，進行對於校正試料24的電子線的照射。光學條件記憶部43中記憶的光學條件，被發送給帶電粒子線裝置本體10的控制部11。控制部11，基於接收到的光學條件，控制構成帶電粒子線光學系統BS之各部，令電子線對校正試料24照射。一旦受到電子線照射，從校正試料24便會放出二次電子。檢測器25，若檢測到從校正試料24放出的二次電子，則將和二次電子的個數或能量等相應之規定的檢測訊號輸出給計算機30(演算器31)。
步驟S80中，存放對於校正試料24的實際的電子線照射結果。演算器31，例如亦可將從檢測器25輸出的檢測訊號(訊號波形)存放於電子線照射結果記憶部45作為電子線照射結果。此外，演算器31亦可基於檢測訊號而生成檢查圖像(SEM圖像等)，將檢查圖像存放於電子線照射結果記憶部45作為電子線照射結果。此外，演算器31亦可基於檢測訊號而測定校正試料24的帶電量，將測定出的帶電量存放於電子線照射結果記憶部45。此外，演算器31亦可檢測檢查圖像的亮度、或每一像素的亮度，將檢測出的亮度存放於電子線照射結果記憶部45。
步驟S90中，比較對於校正試料24的實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果。比較器34，依電子線照射結果的每一項目，比較實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果。比較器34，例如依電子線的每一照射區域，或檢測圖像的每一像素進行檢測訊號的比較。此外，比較器34，例如進行帶電量、檢查圖像、檢查圖像的亮度、檢查圖像中的每一像素的亮度等之比較。比較器34，例如將該些照射結果數值化，依每一項目算出實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果之差分的大小，藉此生成比較結果。另，比較器34，可進行針對該些所有項目的比較，亦可僅進行一部分項目的比較。
步驟S100中，基於步驟S90中算出的比較結果，判定對於校正試料24的實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果是否一致。例如，將比較結果予以數值化，若比較結果的值為「0」，則比較器34判斷該些照射結果為一致。另一方面，若比較結果的值不為「0」，則比較器34判斷該些照射結果為不一致。惟，實際上料想該些照射結果幾乎不會完全一致，因此必須將規定的範圍內之測定誤差納入考量。
鑑此，比較器34亦可只要比較結果的值為規定的閾值以下便判斷該些照射結果為一致。規定的閾值，依每一項目各自設定。另，當針對複數項目進行比較的情形下，比較器34可僅當針對比較的所有項目比較結果為閾值以下的情形下才判斷該些照射結果為一致，亦可當規定的比例以上的項目中比較結果為閾值以下的情形下便判斷該些照射結果為一致。
步驟S100中，當比較器34判斷該些電子線照射結果為不一致的情形下(No)，進行步驟S110的處理。
步驟S110中，進行光學條件的校正。比較器34，例如將比較結果發送給光學條件校正部35，在光學條件校正部35進行光學條件的校正。光學條件校正部35，例如讀出光學條件記憶部43中存放的光學條件，基於比較結果進行讀出的光學條件的校正。
例如，光學條件校正部35針對設定好的光學條件的各項目，在和比較結果相應之規定的範圍內變更條件，藉此進行光學條件的校正。此外，光學條件校正部35，亦可事先設定光學條件的各項目當中可做條件變更的項目，而僅對可做變更的項目變更條件，藉此進行光學條件的校正。藉此，可容易地掌握在校正前後的電子線照射結果的比較結果的影響，而可短時間內進行光學條件的校正。
此外，光學條件校正部35，亦可基於對於電子線照射結果的複數項目之各自的比較結果而進行光學條件的校正。藉此，可使光學條件的校正精度提升。此外，光學條件校正部35，亦可基於對於複數個元件的各者的電子線照射結果而進行光學條件的校正。藉此，可使光學條件的校正精度提升。
被校正的光學條件，被存放於光學條件記憶部43(步驟S60)。運用被校正的光學條件，再度進行對於校正試料24之電子線的照射(步驟S70)，再度存放對於校正試料24之實際的電子線照射結果(步驟S80)。然後，再度進行運用校正前的光學條件而推定的電子線照射結果與依校正後的光學條件之實際的電子線照射結果之比較(步驟S90)。步驟S60～S110的處理，係被反覆執行直到推定出的電子線照射結果與實際的電子線照射結果一致為止。
像這樣，本實施形態中，電子線照射結果的推定，是運用校正前的光學條件而進行。換言之，訂為依校正前的光學條件之推定結果是正確的，而進行裝置中的光學條件的校正。
簡單地說，運用了計算用元件模型之演算用網路連線表的生成、運用了校正前的光學條件之電子線照射結果的推定結果，料想不管運用怎樣的裝置進行都會獲得相同結果。相對於此，即使藉由相同光學條件對校正試料24照射電子線，在裝置間電子線照射結果仍有發生誤差的可能性。是故，以料想在裝置間不變的推定結果作為基準，而校正光學條件使得實際的電子線照射結果契合推定結果，如此便可使在複數個裝置間的機械誤差減低。
另一方面，步驟S100中，當比較器34判斷該些電子線照射結果為一致的情形下(Yes)，進行步驟S120的處理。步驟S120中，進行資料庫42中存放的光學條件的更新。例如，光學條件校正部35，若從比較器34接收表達對於校正試料24的實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果為一致之比較結果，則判斷光學條件的校正完畢，將光學條件記憶部43中存放著的校正後的光學條件發送給資料庫42，與校正前的光學條件建立關連而往資料庫42存放。
或是，光學條件校正部35(演算器31的另一區塊)，亦可比較校正前後的各光學條件，算出每一項目的光學條件校正係數，建立關連至資料庫42中存放的校正前的光學條件，而將光學條件校正係數存放於資料庫42。在此情形下，被算出的光學條件校正係數，例如亦可存放作為相對應的光學條件的其他資料421。然後，當運用被更新的光學條件時，將光學條件的各項目的值各自變換成運用光學條件校正係數之值。
本實施形態中，亦可對資料庫42中存放的各光學條件進行光學條件的校正處理。
若光學條件的校正結束，顯示器60中亦可顯示更新後的光學條件、光學條件校正係數。另，圖6中，雖依序說明演算用網路連線表的生成、電子線的照射所做的測定、電子線照射結果的推定等之處理，但該些處理亦可並行進行。例如，亦可一面進行演算用網路連線表的生成及電子線照射結果的推定的處理，一面進行電子線的照射所做的實際的電子線照射結果的測定。
此外，步驟S40中的電子線照射結果的推定、步驟S110中的光學條件的校正等處理中，亦可運用依機械學習或深度學習等的手法之AI(Artificial Intelligence；人工智慧)。
＜對於試料的電路推定方法＞ 接下來，說明對於試料23的電路推定方法。此處，對於各光學條件之校正處理訂為已經完畢。對於試料23的電路推定中，存在進行和光學條件的校正同樣的處理之步驟。因此，以下適宜省略說明。圖9為對於試料之電路的推定方法的一例示意流程圖。圖9中，藉由步驟S210～S330進行對於試料的電路的推定。
一旦電路推定處理開始，便進行計算用元件模型的選擇(步驟S210)。步驟S210的處理，如同圖6的步驟S10。計算用元件模型的選擇，例如從已敍述的圖7的計算用元件模型選擇畫面61進行。被選擇的計算用元件模型，被發送至圖2的演算用網路連線表生成部32。
步驟S220中，演算用網路連線表生成部32基於使用者選擇的計算用元件模型而進行演算用網路連線表的生成。步驟S220的處理，如同圖6的步驟S20。
步驟S230中，進行光學條件的選擇。步驟S230的處理，如同圖6的步驟S10。光學條件的選擇，例如從已敍述的圖8的光學條件選擇畫面62進行。被選擇的光學條件，被存放於圖2的光學條件記憶部43。此外，光學條件的設定中，視必要亦可一併使用電子線脈波化條件。
步驟S240中，以步驟S230中被選擇的光學條件，進行對於試料23的電子線的照射。步驟S240的處理，如同圖6的步驟S70。檢測器25，若檢測到從試料23放出的二次電子，則將和二次電子的個數或能量等相應之規定的檢測訊號輸出給計算機30(演算器31)。
步驟S250中，存放對於試料23的實際的電子線照射結果。步驟S250的處理，如同圖6的步驟S80。電子線照射結果，例如為檢測訊號、檢查圖像、帶電量、檢查圖像的亮度、每一像素的亮度等。
步驟S260中，步驟S220中生成的演算用網路連線表被存放於演算用網路連線表記憶部44。另，圖9中，雖將步驟S220與步驟S260區別，但步驟S260的處理亦可在步驟S220進行。
步驟S270中，進行電子線照射結果的推定。步驟S270的處理，如同圖6的步驟S40。
步驟S280中，步驟S270中推定出的電子線照射結果被存放於推定照射結果記憶部46。步驟S280的處理，如同圖6的步驟S50。
步驟S290中，比較實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果。步驟S290的處理，如同圖6的步驟S90。
步驟S300中，基於步驟S290中算出的比較結果，判定實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果是否一致。步驟S300的處理，如同圖6的步驟S100。步驟S200中，當比較器34判斷該些電子線照射結果為不一致的情形下(No)，進行步驟S310的處理。
步驟S310中，進行演算用網路連線表的更新。比較器34，例如將比較結果發送給演算用網路連線表生成部32，在演算用網路連線表生成部32進行演算用網路連線表的更新。演算用網路連線表生成部32，例如基於比較結果，變更前次的演算用網路連線表的生成中使用之參數值，而使用變更後的參數值來生成演算用網路連線表。像這樣，演算用網路連線表生成部32進行演算用網路連線表的更新。此時，演算用網路連線表生成部32亦可基於複數項目的比較結果來進行參數值的變更。此外，演算用網路連線表生成部32亦可事先設定可做參數值的變更之參數，僅將可變更的參數一面變更參數值一面更新演算用網路連線表。
被更新的演算用網路連線表，被存放於演算用網路連線表記憶部44(步驟S260)。運用被更新的演算用網路連線表及光學條件，再度進行電子線照射結果的推定(步驟S270)，推定出的電子線照射結果被存放於推定照射結果記憶部46(步驟S280)。然後，再度進行運用被更新的演算用網路連線表而推定的電子線照射結果與實際的電子線照射結果之比較(步驟S290)。
步驟S260～S310的處理，係被反覆執行直到推定出的電子線照射結果與實際的電子線照射結果一致為止。另，演算用網路連線表的更新，亦可在演算用網路連線表記憶部44進行。在此情形下，步驟S270～S310的處理係被反覆執行直到推定出的電子線照射結果與實際的電子線照射結果一致為止。
另一方面，步驟S300中，當比較器34判斷該些電子線照射結果為一致的情形下(Yes)，進行步驟S320的處理。步驟S320中，演算器31(比較器34)判斷能夠鑑定演算用網路連線表記憶部44中存放的演算用網路連線表就是記述試料23的電路的網路連線表，而將此演算用網路連線表存放到推定網路連線表記憶部47作為推定網路連線表。此外，令檢查圖像中的插塞(plug)電極的位置與推定網路連線表的各節點對應而成之對應表，亦可和推定網路連線表一起被存放於推定網路連線表記憶部47。
步驟S330中，推定結果及測定結果被輸出給輸出入器50。例如，推定網路連線表記憶部47中存放的推定網路連線表、推定照射結果記憶部46中存放著的推定出的電子線照射結果、電子線照射結果記憶部45中存放的實際的電子線照射結果被輸出給輸出入器50，而顯示於顯示器60。
圖10為電路推定後的結果顯示畫面的一例示意圖。圖10中，作為結果顯示畫面70，示意計算用元件模型指定部71、推定結果顯示部72、推定電子線照射結果顯示部73、電子線照射結果顯示部74。
計算用元件模型指定部71中，示意被選擇的計算用元件模型的內容、或被選擇的光學條件等。例如，使用者藉由觸碰計算用元件模型指定部71，便能確認所選擇的計算用元件模型或光學條件的內容。推定結果顯示部72中，顯示推定網路連線表的生成中使用之各自的參數值。此外，推定結果顯示部72中，參數是否可變更之資訊亦可和參數值一併顯示。另，在推定結果顯示部72等，亦可顯示光學條件的校正結果、或是光學條件校正係數。
推定電子線照射結果顯示部73中，顯示推定出的電子線照射結果。推定電子線照射結果顯示部73中，示意橫軸為電子線的照射條件(光學條件)及縱軸為明度(亮度)之圖表。若要具體敍述，推定電子線照射結果顯示部73中，顯示對於複數個節點(插塞電極)推定出的電子線照射結果。另，推定電子線照射結果顯示部73中，亦可不僅顯示運用了推定網路連線表之推定結果，還一併顯示運用鑑定前的演算用網路連線表之推定結果。
電子線照射結果顯示部74中，顯示實際測定出的電子線照射結果。電子線照射結果顯示部74中同樣地，示意橫軸為電子線的照射條件及縱軸為明度之圖表。電子線照射結果顯示部74中，顯示對於複數個節點的電子線照射結果。
另，推定電子線照射結果顯示部73、電子線照射結果顯示部74的圖表可任意地設定。例如，亦可示意將縱軸訂為二次電子檢測量之圖表。此外，推定電子線照射結果顯示部73、電子線照射結果顯示部74中亦可各自示意檢測訊號的波形或檢查圖像等。
此外，亦可配合推定電子線照射結果顯示部73及電子線照射結果顯示部74，將推定結果與測定結果重疊顯示。
圖11為電路推定後的結果顯示畫面的另一例示意圖。結果顯示畫面70中，除圖10以外，例如亦可各自顯示圖11所示圖像。圖11(A)為在檢查圖像插入了插塞電極的座標之圖像。圖11(B)為推定網路連線表。圖11(C)為令檢查圖像中的插塞電極的位置與推定網路連線表的各節點對應而成之對應表。此外，基於推定網路連線表之電路圖亦可顯示於結果顯示畫面70。
另，圖9中，雖依序說明演算用網路連線表的生成、電子線的照射所做的測定、電子線照射結果的推定等之處理，但該些處理亦可並行進行。例如，亦可一面進行演算用網路連線表的生成及電子線照射結果的推定的處理，一面進行電子線的照射所做的測定。
此外，步驟S270中的電子線照射結果的推定、步驟S310中的演算用網路連線表的更新等處理中，亦可運用依機械學習或深度學習等的手法之AI。
＜依本實施形態之主要效果＞ 按照本實施形態，藉由比較對於校正試料24之推定出的電子線照射結果與實際照射電子線時的電子線照射結果，而進行光學條件的校正。按照此構成，可使在裝置間的對於試料23或校正試料24之電子線照射結果的誤差，亦即機械誤差減低。
此外，按照本實施形態，演算器31針對光學條件的各項目，在和第1照射結果與第2照射結果之比較結果相應之規定的範圍變更條件，藉此進行光學條件的校正。按照此構成，能夠適當地進行光學條件的校正，可縮短光學條件的更新所需的時間。
此外，按照本實施形態，演算器31事先設定光學條件的各項目當中可做條件變更的項目，而僅對可做變更的項目變更條件，藉此進行光學條件的校正。按照此構成，能夠刪減可變更條件的項目，可縮短光學條件的更新所需的時間。此外，按照此構成，能夠查明對電子線照射結果的差異造成影響之光學條件，而實現光學條件的有效率的校正、更新。
此外，按照本實施形態，校正試料24具備複數個元件，演算器31基於對於複數個元件的各者之第1照射結果與第2照射結果而進行光學條件的校正。按照此構成，可入手更多光學條件校正用的資訊，可使光學條件的校正精度提升。
此外按照本實施形態，演算器31進行複數個光學條件的校正。按照此構成，可運用最佳化後的複數個光學條件。此外，可更詳細地進行對於試料23之測定。
此外，按照本實施形態，演算器31，當第1照射結果與第2照射結果一致的情形下，將校正後的光學條件和資料庫42中存放的校正前的光學條件建立關連而存放。按照此構成，可使用校正前後的光學條件。
此外，按照本實施形態，演算器31，比較校正前的光學條件與校正後的光學條件，算出每一項目的光學條件校正係數，建立關連至校正前的光學條件而將光學條件校正係數存放於資料庫42。按照此構成，不需另外存放校正後的光學條件，可減低資料庫42中存放的資訊量。
此外，按照本實施形態，計算用元件模型包括示意試料23的缺陷之模型。按照此構成，可進行對於具有試料23的缺陷構造之試料23或校正試料24的測定。可容易地檢測試料23的缺陷(製造不良)，可使電路推定的精度提升。
此外，按照本實施形態，基於計算用元件模型而生成演算用網路連線表，基於演算用網路連線表及光學條件而推定當電子線照射至試料時之電子線照射結果。此外，比較推定出的電子線照射結果與基於光學條件而電子線照射至試料23時的電子線照射結果。
按照此構成，便不需將從外部輸入的外部網路連線表變換成演算用網路連線表，故可短時間內進行對於試料23的電氣特性的推定，可使產量提升。此外，不受到外部網路連線表的構成所影響，可自由地進行試料23的電氣特性或電路的推定，而可達成將複數元件間的相互作用納入考量之電氣特性的推定。
此外，按照本實施形態，當推定出的電子線照射結果與實際的電子線照射結果相異的情形下，進行計算用元件模型的更新。具體而言，演算器31變更計算用元件模型中包括的參數值，運用變更後的參數值再度作成演算用網路連線表，藉此進行演算用網路連線表的更新。按照此構成，便可抑制演算量同時做演算用網路連線表的更新，可抑制演算器31的負荷。
此外，按照本實施形態，電子線照射結果包含檢測訊號、基於檢測訊號的檢查圖像、檢查圖像的亮度、檢查圖像中的每一像素的亮度之任一者。按照此構成，可藉由以檢測訊號為基礎的各式各樣的形態而比對照射結果。
此外，按照本實施形態，計算用元件模型，包含規定元件的電路的模型、規定元件的電氣特性的數式、元件的形狀、及元件的物性之任一者。按照此構成，不僅是電路構成，還可從電氣特性、形狀、物性等來推定試料23的電路，可使電路推定的精度提升。
此外，按照本實施形態，演算器31，生成令檢查圖像中的插塞電極的位置與鑑定出的演算用網路連線表(推定網路連線表)的各節點對應而成之對應表。按照此構成，便容易掌握網路連線表與檢查圖像之對應關係。
此外，按照本實施形態，基於光學條件及脈波化條件而推定電子線照射結果。按照此構成，藉由複雜地變化之電子線，可使試料23的電氣特性的推定精度提升。
(實施形態2) 接下來說明實施形態2。本實施形態中，作為校正試料24，運用在其他的帶電粒子線裝置已進行了電路、或電氣特性的推定之外部試料23a(參照圖1等)。
外部試料23a，例如是為了管理裝置而事先準備之晶圓。此外，外部試料23a不同於主要由TEG等所構成之校正試料24，例如亦可運用可出貨作為製品之水準的元件。外部試料23a的電路或電氣特性等，訂為已藉由其他的帶電粒子線裝置等而辨明。又，資料庫42中，訂為存放著和外部試料23a相對應之計算用元件模型。是故，本實施形態中，不需要圖1、圖2所示的校正試料24，試料室10B內僅配置外部試料23a(試料23)。
＜光學條件的校正＞ 圖12為本發明的實施形態2之光學條件的校正方法的一例示意流程圖。圖12和圖6類似，除了進行光學條件之對象試料從校正試料24變更成外部試料23a以外和圖6相同。是故，圖12的各步驟中使用和圖6相同符號。
步驟S10中，選擇和外部試料23a相對應之計算用元件模型。另，計算用元件模型或光學條件的選擇方法，如同實施形態1。步驟S40中，推定對於外部試料23a的電子線照射結果。如已敍述般，外部試料23a的特性已經辨明，因此訂為對於外部試料23a的電子線照射結果的推定值是正確的，而執行往後的處理。
步驟S70中，基於被選擇的光學條件對外部試料23a照射電子線。步驟S90中，比較對於外部試料23a的電子線照射結果的推定值與實際的電子線照射結果。若它們不一致(步驟S100、No)則進行光學條件的校正(步驟S110)。
＜依本實施形態之主要效果＞ 按照本實施形態，除了依前述的實施形態之各效果外，還獲得以下的效果。按照本實施形態，進行運用了外部試料23a之光學條件的校正。按照此構成，即使不準備校正試料24，仍可減低在裝置間的電子線照射結果的差異。此外，不需要校正試料24的管理。
(實施形態3) 接下來說明實施形態3。校正試料24，基本上是成為一直放置在試料室10B內的狀態，但可能隨時間而有電氣特性劣化的情形。鑑此，本實施形態中，說明配合校正試料24的劣化而更新計算用元件模型的方法。
圖13為本發明的實施形態3中的計算用元件模型的更新處理的一例示意流程圖。圖13和圖9類似。圖13中進行步驟S410～S530的處理。首先，步驟S410中進行和校正試料24相對應之計算用元件模型的選擇。步驟S410的處理，如同圖9的步驟S210。
步驟S420中，進行光學條件的選擇。另，此處被選擇的光學條件，理想是已經校正。步驟S420的處理，如同圖9的步驟S230。步驟S430中，以步驟S420等中被選擇的光學條件，進行對於校正試料24的電子線的照射。步驟S430的處理，如同圖9的步驟S240。步驟S440中，存放對於校正試料24的實際的電子線照射結果(第3照射結果)。步驟S440，如同圖9的步驟S250。
步驟S450中，基於步驟S410中被選擇的計算用元件模型，生成演算用網路連線表。步驟S450，如同圖9的步驟S220。
步驟S460中，步驟S450中生成的演算用網路連線表被存放於演算用網路連線表記憶部44。步驟S460，如同圖9的步驟S260。步驟S470中，進行電子線照射結果的推定。步驟S470，如同圖9的步驟S270。
步驟S480中，步驟S470中推定出的電子線照射結果被存放於推定照射結果記憶部46。步驟S480，如同圖9的步驟S280。步驟S490中，比較實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果。步驟S490的處理，如同圖9的步驟S290。
步驟S500中，基於步驟S490中算出的比較結果，判定實際的電子線照射結果與推定出的電子線照射結果是否一致。步驟S500的處理，如同圖9的步驟S300。步驟S500中，當比較器34判斷該些電子線照射結果為不一致的情形下(No)，進行步驟S510的處理。
首先，步驟S510中進行和校正試料24相對應之計算用元件模型的更新。演算器31，基於比較器34中的比較結果而更新計算用元件模型。演算器31，例如可藉由變更規定元件的電路之模型、規定元件的電氣特性之數式、元件的形狀、及元件的物性等而進行計算用元件模型的更新，亦可藉由變更各參數種類別42d的參數值42e而進行計算用元件模型的更新。計算用元件模型的更新，例如可由演算用網路連線表生成部32進行，亦可直接存取資料庫42而進行。
步驟S450～S510的處理，係被反覆執行直到推定出的電子線照射結果與實際的電子線照射結果一致為止。
另一方面，步驟S500中，當比較器34判斷該些電子線照射結果為一致的情形下(Yes)，進行步驟S520的處理。步驟S520中，演算器31(比較器34)判斷能夠鑑定演算用網路連線表記憶部44中存放的演算用網路連線表就是記述校正試料24的電路的網路連線表，而將此演算用網路連線表存放到推定網路連線表記憶部47作為推定網路連線表。此外，令檢查圖像中的插塞(plug)電極的位置與推定網路連線表的各節點對應而成之對應表，亦可和推定網路連線表一起被存放於推定網路連線表記憶部47。步驟S520的處理，如同圖9的步驟S320。
此外，步驟S520中，步驟S510中被更新的計算用元件模型被存放於資料庫42。此時，更新前的計算用元件模型亦可維持被存放於資料庫42。
步驟S530中，推定結果及測定結果被輸出給輸出入器50。步驟S530的處理，如同圖9的步驟S330。另，顯示器60中，亦可顯示示意計算用資料庫被更新之圖像。
＜依本實施形態之主要效果＞ 按照本實施形態，校正了光學條件後，比較第1照射結果與基於前述光學條件而對校正試料24照射帶電粒子線時之第3照射結果。當第1照射結果與第3照射結果相異的情形下，更新和校正試料24相對應之計算用元件模型。按照此構成，可準備和校正試料24的劣化程度相應之計算用元件模型。藉此，可長期間使用校正試料24。
另，本發明並不限定於上述實施形態，而包含各種變形例。此外，可將某一實施形態的一部分置換成其他實施形態之構成，又，亦可於某一實施形態之構成追加其他實施形態之構成。此外，針對各實施形態的構成的一部分，可追加、刪除、置換其他構成。另，圖面記載之各構件或相對的尺寸，係簡化、理想化以便易於說明而瞭解本發明，組裝上可能會成為更複雜的形狀。
1:帶電粒子線裝置 10:帶電粒子線裝置本體 23:試料 23a:外部試料 24:校正試料 25:檢測器 30:計算機 31:演算器 41:記憶裝置 42:資料庫 50:輸出入器 60:顯示器
[圖1]本發明的實施形態1之帶電粒子線裝置的構成的一例示意概略圖。 [圖2]本發明的實施形態1之帶電粒子線裝置的構成的一例示意方塊圖。 [圖3]校正試料示例圖。 [圖4]資料庫中存放的計算用元件模型示例圖。 [圖5]資料庫中存放的光學條件示例圖。 [圖6]本發明的實施形態1之光學條件的校正方法的一例示意流程圖。 [圖7]計算用元件模型的選擇畫面的一例示意圖。 [圖8]光學條件的選擇畫面的一例示意圖。 [圖9]對於試料之電路的推定方法的一例示意流程圖。 [圖10]電路推定後的結果顯示畫面的一例示意圖。 [圖11]電路推定後的結果顯示畫面的另一例示意圖。 [圖12]本發明的實施形態2之光學條件的校正方法的一例示意流程圖。 [圖13]本發明的實施形態3中的計算用元件模型的更新處理的一例示意流程圖。
1:帶電粒子線裝置
10:帶電粒子線裝置本體
11:控制部
12:電子源
14:偏向器
23:試料
23a:外部試料
24:校正試料
25:檢測器
30:計算機
32:演算用網路連線表生成部
33:電子線照射結果推定演算器
34:比較器
35:光學條件校正部
42:資料庫
43:光學條件記憶部
44:演算用網路連線表記憶部
45:電子線照射結果記憶部
46:推定照射結果記憶部
47:推定網路連線表記憶部
50:輸出入器
51:選擇部
52:推定網路連線表等
53:推定照射結果
54:電子線照射結果
60:顯示器

Claims (14)

  1. 一種帶電粒子線裝置，具備：資料庫，存放用來推定試料或校正試料的電路之計算用元件模型及對前述試料或前述校正試料照射的帶電粒子線之光學條件；及帶電粒子線光學系統，基於前述光學條件控制對前述試料或前述校正試料照射的前述帶電粒子線；及檢測器，檢測藉由前述帶電粒子線的照射而從前述試料或前述校正試料放出的二次電子，輸出基於前述二次電子之檢測訊號；及演算器，基於和前述校正試料相對應之前述計算用元件模型而生成演算用網路連線表(netlist)，基於前述演算用網路連線表及前述光學條件而推定以前述光學條件而前述帶電粒子線照射至前述校正試料時之第1照射結果，比較前述第1照射結果與基於以前述光學條件而前述帶電粒子線照射至前述校正試料時的前述檢測訊號之第2照射結果，當前述第1照射結果與前述第2照射結果相異的情形下，以前述第2照射結果契合於前述第1照射結果之方式進行前述光學條件的校正。
  2. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述演算器，針對前述光學條件的各項目，在和前述第1照射結果與前述第2照射結果之比較結果對應之規定的範圍變更條件，藉此進行前述光學條件的校正。
  3. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述演算器，事先設定前述光學條件的各項目當中可變更的項目，而僅對可變更的項目變更條件，藉此進行前述光學條件的校正。
  4. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述校正試料，具備複數個元件，前述演算器，基於對於前述複數個元件的各者之前述第1照射結果與前述第2照射結果而進行前述光學條件的校正。
  5. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述演算器，進行複數個前述光學條件的校正。
  6. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述演算器，當前述第1照射結果與前述第2照射結果一致的情形下，將校正後的前述光學條件和前述資料庫中存放的校正前的前述光學條件建立關連而存放。
  7. 如請求項6記載之帶電粒子線裝置，其中，前述演算器，比較校正前的前述光學條件與校正後的前述光學條件，算出每一項目的光學條件校正係數，建立關連至校正前的前述光學條件而將前述光學條件校正係數 存放於前述資料庫。
  8. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述計算用元件模型，包含示意元件的缺陷之模型。
  9. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述計算用元件模型，包含規定元件的電路的模型、規定前述元件的電氣特性的數式、前述元件的形狀、前述元件的物性之任一者。
  10. 如請求項9記載之帶電粒子線裝置，其中，前述計算用元件模型，包含前述元件的前述電路中包括的電路元件的參數值。
  11. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述資料庫，存放前述帶電粒子線的脈波化條件，前述帶電粒子線光學系統，基於前述光學條件及前述脈波化條件而控制對前述試料照射的前述帶電粒子線，前述演算器，基於前述光學條件及前述脈波化條件而推定前述第1照射結果。
  12. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述校正試料，為藉由其他的前述帶電粒子線裝置而已進行了電路的推定之外部試料， 前述資料庫，存放和前述外部試料相對應之前述計算用元件模型。
  13. 如請求項1記載之帶電粒子線裝置，其中，前述演算器，校正了前述光學條件後，比較前述第1照射結果與基於前述校正後之光學條件而對前述校正試料照射前述帶電粒子線時之第3照射結果，當前述第1照射結果與前述第3照射結果相異的情形下，進行和前述校正試料相對應之前述計算用元件模型的更新。
  14. 如請求項13記載之帶電粒子線裝置，其中，前述演算器，變更和前述校正試料相對應之前述計算用元件模型中包括的參數值，運用變更後的前述參數值進行前述演算用網路連線表的更新。
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