TWI755996B - 用以產生均勻溫度的晶圓承載盤及應用該晶圓承載盤的薄膜沉積裝置 - Google Patents

Abstract

本發明為一種用以產生均勻溫度的晶圓承載盤，主要包括一承載單元、一加熱單元、一冷卻單元、一溫度感測單元及一控制單元。加熱單元包括一第一及一第二加熱線圈，分別位於晶圓承載盤的一徑向靠內側區及一徑向靠外側區。冷卻單元則包括一第一及一第二冷卻管線，分別位於晶圓承載盤的徑向靠內側區及徑向靠外側區。控制單元依據溫度感測單元感測的溫度調整第一及第二冷卻管線輸送的冷卻流體的流量，與第一及第二加熱線圈的加熱效率，以改變晶圓承載盤的徑向靠內側區及徑向靠外側區的溫度，使得晶圓承載盤產生均勻且準確的溫度。

Description

用以產生均勻溫度的晶圓承載盤及應用該晶圓承載盤的薄膜 沉積裝置

本發明有關於一種可用以產生均勻溫度的晶圓承載盤，尤指一種應用該晶圓承載盤的薄膜沉積裝置，可依據量測的溫度分別調整晶圓承載盤的徑向靠外側區及徑向靠內側區的溫度，使得晶圓承載盤可產生均勻且準確的溫度。

化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及原子層沉積(ALD)皆是常用的薄膜沉積設備，並普遍被使用在積體電路、發光二極體及顯示器等製程中。

沉積的設備主要包括一腔體及一晶圓承載盤，其中晶圓承載盤位於腔體內，並用以承載至少一晶圓。以物理氣相沉積為例，腔體內需要設置一靶材，其中靶材面對晶圓承載盤上的晶圓。在進行物理氣相沉積時，可將惰性氣體及/或反應氣體輸送至腔體內，並分別對靶材及晶圓承載盤施加偏壓，其中晶圓承載盤還會加熱承載的晶圓。腔體內的惰性氣體會因為高壓電場的作用，形成離子化的惰性氣體。離子化的惰性氣體會受到靶材 上的偏壓吸引而轟擊靶材。從靶材濺出的靶材原子或分子會受到晶圓承載盤上的偏壓吸引，並沉積在加熱的晶圓的表面，以在晶圓的表面形成薄膜。

具體而言，晶圓承載盤產生的偏壓及溫度的穩定度會對晶圓表面的薄膜沉積品質造成相當大的影響，為此如何使得晶圓承載盤產生穩定的溫度及偏壓，是薄膜沉積製程中重要的課題之一。

如先前技術所述，在進行沉積製程時通常需要透過加熱晶圓承載盤，以在晶圓的表面沉積薄膜，並提高沉積在晶圓表面的薄膜的均勻度。為此本發明提出一種新穎的晶圓承載盤，主要依據溫度感測單元量測的晶圓承載盤溫度，分別調整晶圓承載盤不同區域的溫度，使得晶圓承載盤可快速且準確的達到預設溫度，以提高晶圓表面形成的薄膜的均勻度。

本發明的一目的，在於提出一種用以產生均勻溫度的晶圓承載盤，主要包括至少一加熱單元、至少一冷卻單元及至少一溫度感測單元，其中加熱單元較靠近晶圓承載盤承載的晶圓，並用以提高晶圓的溫度，而冷卻單元則離晶圓承載盤承載的晶圓較遠，並用以降低晶圓的溫度。

此外透過溫度感測單元量測晶圓承載盤的溫度，並由量測的溫度調整加熱單元的加熱效率及/或冷卻單元的冷卻效率，使得晶圓承載盤及承載的晶圓快速且準確地到達預設的溫度。

本發明的一目的，在於提出一種用以產生均勻溫度的晶圓承載盤，主要包括至少一加熱單元、至少一冷卻單元及至少一溫度感測單元，其中冷卻單元包括兩個冷卻管線，分別設置在晶圓承載盤的徑向內側區及 徑向外側區。加熱單元包括兩個加熱線圈，分別設置在晶圓承載盤的徑向內側區及徑向外側區。

一控制單元電性連接溫度感測單元，並依據溫度感測單元量測的溫度及一預設溫度，分別調整兩個冷卻管線輸送的冷卻流體的流量，以及調整輸入兩個加熱線圈的電源訊號的大小，使得晶圓承載盤的徑向內側區及徑向外側區快速達到預設溫度。

本發明的一目的，在於提出一種用以產生均勻溫度的晶圓承載盤，主要包括複數個加熱線圈、複數個冷卻管線及複數個溫度感測單元。加熱線圈、冷卻管線及溫度感測單元分別設置在晶圓承載盤對應的區域，例如徑向靠內側區及徑向靠外側區，而控制單元可依據各個區域的溫度感測單元所量測的溫度，分別調整對應區域的加熱線圈的加熱效率及冷卻管線的冷卻效率，使得晶圓承載盤的各個區域皆可快速地達到相近及預設的溫度。

為了達到上述的目的，本發明提出一種用以產生均勻溫度的晶圓承載盤，包括：一承載單元，包括一承載面用以承載至少一晶圓；至少一加熱單元，包括至少一第一加熱線圈及至少一第二加熱線圈，其中第一加熱線圈設置於晶圓承載盤的一徑向靠內側區，而第二加熱線圈則設置於晶圓承載盤的一徑向靠外側區，且第一加熱線圈及第二加熱線圈為獨立加熱；至少一冷卻單元，包括至少一第一冷卻管線及至少一第二冷卻管線，分別用以輸送一冷卻流體，其中第一冷卻管線設置於晶圓承載盤的徑向靠內側區，而第二冷卻管線則設置於晶圓承載盤的徑向靠外側區，其中加熱單元及冷卻單元層疊設置，且加熱單元較冷卻單元靠近承載單元的承載 面；至少一溫度感測單元，設置於承載單元，並用以量測承載單元的溫度；及一控制單元，電性連接溫度感測單元，並依據溫度感測單元量測的溫度，調整第一冷卻管線及第二冷卻管線輸送的冷卻流體的流量。

本發明提供一種薄膜沉積裝置，包括：一腔體，包括一容置空間；一晶圓承載盤，位於容置空間內，包括：一承載單元，包括一承載面用以承載至少一晶圓；至少一加熱單元，包括至少一第一加熱線圈及至少一第二加熱線圈，其中第一加熱線圈設置於晶圓承載盤的一徑向靠內側區，而第二加熱線圈則設置於晶圓承載盤的一徑向靠外側區，且第一加熱線圈及第二加熱線圈為獨立加熱；至少一冷卻單元，包括至少一第一冷卻管線及至少一第二冷卻管線，分別用以輸送一冷卻流體，其中第一冷卻管線設置於晶圓承載盤的徑向靠內側區，而第二冷卻管線則設置於晶圓承載盤的徑向靠外側區，其中加熱單元及冷卻單元層疊設置，且加熱單元較冷卻單元靠近承載單元的承載面；至少一溫度感測單元，設置於承載單元，並用以量測承載單元的溫度；及一控制單元，電性連接溫度感測單元，並依據溫度感測單元量測的溫度，調整第一冷卻管線及第二冷卻管線輸送的冷卻流體的流量；及至少一進氣口，流體連接腔體的容置空間，並用以將一製程氣體輸送至容置空間。

所述的晶圓承載盤及薄膜沉積裝置，包括至少一第一流量控制閥及至少一第二流量控制閥分別流體連接第一冷卻管線及第二冷卻管線，而控制單元依據溫度感測單元量測的溫度分別控制第一流量控制閥及第二流量控制閥，以分別調整輸送至第一冷卻管線及第二冷卻管線的冷卻流體的流量。

所述的晶圓承載盤及薄膜沉積裝置，其中控制單元依據溫度感測單元感測的溫度，分別調整輸入第一加熱線圈及第二加熱線圈的一電源訊號的大小。

所述的晶圓承載盤及薄膜沉積裝置，其中溫度感測單元包括一第一溫度感測單元及一第二溫度感測單元，分別設置於晶圓承載單元的徑向靠內側區及徑向靠外側區，控制單元依據第一溫度感測單元量測的溫度，調整輸入第一加熱線圈的電源訊號及輸送至第一冷卻管線的冷卻流體的流量，並依據第二溫度感測單元量測的溫度，調整輸入第二加熱線圈的電源訊號及輸送至第二冷卻管線的冷卻流體的流量。

所述的晶圓承載盤及薄膜沉積裝置，包括一導熱板位於加熱單元及冷卻單元之間，承載單元包括一設置空間用以容置加熱單元及冷卻單元，承載單元用以連接一底盤，使得加熱單元及冷卻單元位於承載單元及底盤之間。

所述的薄膜沉積裝置，包括一支撐件連接晶圓承載盤，並於支撐件內設置第一冷卻管線、第二冷卻管線及複數個導電線路，其中導電線路分別連接第一加熱線圈及第二加熱線圈，並分別輸入一電源訊號至第一加熱線圈及第二加熱線圈。

10:晶圓承載盤

101:徑向靠內側區

103:徑向靠外側區

11:承載單元

110:設置空間

111:承載面

115:底盤

12:晶圓

13:加熱單元

131:第一加熱線圈

133:第二加熱線圈

14:導熱盤

15:冷卻單元

151:第一冷卻管線

153:第二冷卻管線

161:第一流量控制閥

163:第二流量控制閥

17:溫度感測單元

171:第一溫度感測單元

173:第二溫度感測單元

18:導熱氣體輸送管線

19:控制單元

20:薄膜沉積設備

21:腔體

211:進氣口

212:進出料口

213:頂板

215:下腔體

217:絕緣部

23:支撐件

24:靶材

25:蓋環

26:容置空間

27:擋件

271:環形凸緣

28:驅動單元

[圖1]為本發明用以產生均勻溫度的晶圓承載盤一實施例的剖面示意圖。

[圖2]為本發明用以產生均勻溫度的晶圓承載盤一實施例的剖面分解示意圖。

[圖3]為本發明用以產生均勻溫度的晶圓承載盤一實施例的俯視透視圖。

[圖4]為本發明應用晶圓承載盤的薄膜沉積裝置一實施例的剖面示意圖。

請參閱圖1至圖3，分別為本發明用以產生均勻溫度的晶圓承載盤一實施例的剖面示意圖、剖面分解示意圖及俯視透視圖。如圖所示，晶圓承載盤10用以承載至少一晶圓12，主要包括一承載單元11、至少一加熱單元13、至少一冷卻單元15、至少一溫度感測單元17及一控制單元19，其中承載單元11包括一承載面111用以承載晶圓12，例如承載單元11可以是鈦盤。加熱單元13及冷卻單元15層疊設置，其中加熱單元13較冷卻單元15靠近承載單元11的承載面111及承載的晶圓12。

在本發明一實施例中，加熱單元13包括至少一第一加熱線圈131及至少一第二加熱線圈133，其中第一加熱線圈131及第二加熱線圈133可以是加熱絲。在使用時可分別將一電流輸入第一加熱線圈131及第二加熱線圈133，並透過第一加熱線圈131及第二加熱線圈133以電阻加熱的方式加熱晶圓承載盤10及/或承載單元11。在本發明另一實施例中，第一及第二加熱線圈131/133可以是感應線圈，並將一交流電流輸入第一及第二加熱線圈 131/133，使得第一及第二加熱線圈131/133產生感應磁場，並透過感應磁場加熱晶圓承載盤10及/或承載單元11。

在本發明一實施例中，晶圓承載盤10可為圓盤狀，其中第一加熱線圈131設置在晶圓承載盤10的一徑向靠內側區101，而第二加熱線圈133則設置在晶圓承載盤10的一徑向靠外側區103。本發明實施例所述的徑向靠內側區101及徑向靠外側區103分別表示靠近晶圓承載盤10的中央區域及邊緣區域，其中徑向靠外側區103環繞設置在徑向靠內側區101的周圍，且徑向靠內側區101及徑向靠外側區103的外觀並不一定圓形或圓環狀。

在實際應用時可將一第一電源訊號傳送至第一加熱線圈131，並將一第二電源訊號傳送到第二加熱線圈133，其中第一電源訊號及第二電源訊號可以是獨立的訊號，並可分別調整第一加熱線圈131及第二加熱線圈133的加熱效率，以改變晶圓承載盤10靠外側(外圈)的徑向靠外側區103及靠內側(內圈)的徑向靠內側區101的溫度。

在本發明一實施例中，第一加熱線圈131及第二加熱線圈133約略以環狀方式設置。此外第一加熱線圈131及第二加熱線圈133可具有多個彎折部，可增加第一加熱線圈131及第二加熱線圈133與晶圓承載盤10的徑向靠內側區101及徑向靠外側區103的接觸面積，以提高對晶圓承載盤10及/或承載單元11的加熱效率及均勻度，使得放置在晶圓承載盤10及/或承載單元11上的晶圓12亦具有均勻的溫度。

在實際應用時，部分的第一加熱線圈131可能會延伸到徑向靠外側區103，而部分的第二加熱線圈133則可能會延伸到徑向靠內側區101。因此本發明的權利範圍並不侷限在第一加熱線圈131全部位於徑向靠內側區 101，或第二加熱線圈133全部位於徑向靠外側區103。本發明的權利範圍為大部分的第一加熱線圈131位於徑向靠內側區101，而大部分的第二加熱線圈133位於徑向靠外側區103。

冷卻單元15包括第一冷卻管線151及第二冷卻管線153，其中第一冷卻管線151位於晶圓承載盤10的徑向靠內側區101，而第二冷卻管線153則位於晶圓承載盤10的徑向靠外側區103。第一冷卻管線151及第二冷卻管線153為管體，並用以輸送冷卻流體，例如水。

此外第一冷管線151及第二冷卻管線153可為流體分離，可分別控制輸入第一冷卻管線151及第二冷卻管線153的冷卻流體的流量，以調整第一冷卻管線151及第二冷卻管線153的冷卻效率，並降低晶圓承載盤10靠內側(內圈)的徑向靠內側區101的溫度及靠外側(外圈)的徑向靠外側區103。

在本發明中主要在晶圓承載盤10上同時設置加熱單元13及冷卻單元15，因此可以較快的速度調整晶圓承載盤10的溫度，不論是升溫或降溫。此外加熱單元13透過第一及第二加熱線圈131/133分別加熱晶圓承載盤10不同區域的溫度，而冷卻單元15則透過第一及第二冷卻管線151/153分別冷卻晶圓承載盤10不同區域的溫度，可使得晶圓承載盤10的溫度更均勻及準確。

本發明的第一加熱線圈131及第一冷卻管線151雖然都是設置在徑向靠內側區101，但設置第一加熱線圈131及第一冷卻管線151的徑向靠內側區101並不一定是完全相同的區域，換言之，第一加熱線圈131及第一冷卻管線151可以是部分重疊，而非完全重疊。此外，設置第二加熱線圈133 及第二冷卻管線153的徑向靠外側區103亦不一定是完全相同的區域，其中第二加熱線圈133及第二冷卻管線153可以是部分重疊，而非完全重疊。

在本發明一實施例中，晶圓承載盤10可包括至少一導熱盤14位於冷卻單元15及加熱單元13之間，其中冷卻單元15可經由導熱盤14降低加熱單元13及/或承載單元11的溫度。導熱盤14可以是熱導率較高的材質，例如金屬。

溫度感測單元17設置在晶圓承載盤10內，並用以量測晶圓承載盤10的溫度。具體而言，溫度感測單元17可設置在承載單元11上，並靠近承載單元11的承載面111，以正確量測晶圓12的溫度。

控制單元19電性連接溫度感測單元17，並接收溫度感測單元17量測的溫度，其中控制單元19可以是電腦、微處理器等。此外控制單元19可依據溫度感測單元17量測的溫度，調整第一冷卻管線151及第二冷卻管線153的冷卻流體的流量，以降低徑向靠內側區101及徑向靠外側區103的溫度。

在本發明一實施例中，第一冷卻管線151流體連接一第一流量控制閥161，而第二冷卻管線153則流體連接一第二流量控制閥163。控制單元19可連接並分別控制第一流量控制閥161及第二流量控制閥163，並分別調整第一冷卻管線151及第二冷卻管線153的冷卻流體的流量。具體而言，控制單元19可依據溫度感測單元17量測的溫度，控制第一流量控制閥161及第二流量控制閥163，以調整輸入第一冷卻管線151及第二冷卻管線153的冷卻流體的流量。

此外控制單元19亦可依據溫度感測單元17量測的溫度，調整輸入第一加熱線圈131及第二加熱線圈133的電源訊號的大小，以分別調整第一加熱線圈131及第二加熱線圈133的加熱效率。

在實際應用時可對控制單元19輸入一預設溫度，而控制單元19可依據預設溫度及溫度感測單元17量測的溫度，調整第一冷卻管線151及第二冷卻管線153的冷卻效率，並調整第一加熱線圈131及第二加熱線圈133的加熱效率，使得晶圓承載盤10、承載單元11及晶圓12快速達到預設溫度。

在本發明一實施例中，溫度感測單元17的數量可為複數個，例如溫度感測單元17的數量可為兩個，分別為一第一溫度感測單元171及一第二溫度感測單元173。第一及第二溫度感測單元171/173分別設置在晶圓承載盤10及/或承載單元11的徑向靠內側區101及徑向靠外側區103，並分別用以量測徑向靠內側區101及徑向靠外側區103的溫度。

控制單元19可依據設置在徑向靠內側區101的第一溫度感測單元171所量測的溫度，調整位在徑向靠內側區101的第一冷卻管線151的流量及/或第一加熱線圈131的電源訊號大小，並改變徑向靠內側區101的溫度。此外控制單元19還可以依據設置在徑向靠外內側區103的第二溫度感測單元173量測的溫度，調整位在徑向靠外側區103的第二冷卻管線153的流量及/或第二加熱線圈133的電源訊號大小，並改變徑向靠外側區103的溫度。

上述溫度感測單元17的數量為兩個僅為本發明一實施例，並非本發明權利範圍的限制，在實際應用時溫度感測單元17的數量可大於兩個。此外本發明主要以一個徑向靠內側區101、一個徑向靠外側區103、一個第一冷卻管線151、一個第二冷卻管線153、一個第一加熱線圈131及一個第二 加熱線圈133作為說明的實施例，然而上述元件的數量並非本發明權利範圍的限制，在實際應用時上述元件的數量亦可為兩個以上，可進一步提高晶圓承載盤10的溫度均勻度及溫度調整的速率。

在本發明一實施例中，晶圓承載盤10可包括至少一導熱氣體輸送管線18，流體連接承載單元11的承載面111。承載單元11的承載面111上可設置至少一凹槽通道，當晶圓12放置在承載單元11的承載面111時，凹槽通道會位於晶圓12下方。導熱氣體輸送管線18可將導熱氣體輸送至承載面111的凹槽通道，例如導熱氣體的溫度低於晶圓12，導熱氣體可與凹槽通道上方的晶圓12接觸，以平衡晶圓12與承載單元11的溫度。

在本發明一實施例中，承載單元11的外觀可為罩體，並包括一設置空間110。加熱單元13、導熱盤14及/或冷卻單元15可設置在承載單元11的設置空間110內，承載單元11可連接一底盤115，用以覆蓋承載單元11的設置空間110，並將加熱單元13、導熱盤14及/或冷卻單元15限制在承載單元11及底盤115之間的設置空間110內。

在本發明另一實施例中，晶圓承載盤10可於加熱單元13及冷卻單元15的下方設置一導電部，其中導電部可以是盤狀的導體。導電部可連接一偏壓電源，並透過偏壓電源在導電部上形成偏壓，以吸引晶圓12上方的電漿。偏壓電源可以是交流電源或直流電源，並用以在導電部上形成交流偏壓或直流偏壓。在不同實施例中，亦可於導電部及加熱單元13之間設置一絕緣導熱單元，以電性隔離加熱單元13及導電部。

請參閱圖4，為本發明應用晶圓承載盤的薄膜沉積裝置一實施例的剖面示意圖。如圖所示，薄膜沉積裝置20主要包括至少一晶圓承載盤10 及一腔體21，其中腔體21包括一容置空間26，而晶圓承載盤10則位於容置空間26內，並用以承載至少一晶圓12。

在本發明一實施例中，薄膜沉積裝置20可以是物理氣相沉積裝置，並於腔體21內設置一靶材24，其中靶材24面對晶圓承載盤10及/或晶圓12。在本新型一實施例中，腔體21可包括一頂板213及一下腔體215，其中頂板213透過一絕緣部217連接下腔體215，以在兩者之間形成容置空間26，而靶材24則設置在頂板213並面對晶圓承載盤10及/或晶圓12。

腔體21設置至少一進氣口211，其中進氣口211流體連接腔體21的容置空間26，並用以將一製程氣體輸送至容置空間26內，以進行沉積製程，例如製程氣體可以是惰性氣體或反應氣體。此外亦可於腔體21上設置一抽氣口，並透過幫浦經由抽氣口將腔體21內的氣體抽出。

擋件27設置在腔體21的容置空間26內，並位於晶圓承載盤10的周圍區域。具體而言，擋件27的一端連接腔體21，而另一端則形成一開口。在本發明一實施例中，擋件27未連接腔體21的一端可形成一環形凸緣271，其中環形凸緣271位於擋件27的開口周圍，並可將蓋環25設置在擋件27的環形凸緣271上。

腔體21可包括一進出料口212，用以輸送晶圓12。晶圓承載盤10可連接一支撐件23，其中驅動單元28透過支撐件23連接並驅動晶圓承載盤10相對於擋件27位移。在本發明一實施例中，可於支撐件23內設置複數個導電線路、第一冷卻管線151、第二冷卻管線153、訊號傳輸線路及/或導熱氣體輸送管線18，其中導電線路分別連接及輸入電源訊號給第一加熱線圈 131及第二加熱線圈133，而訊號傳輸線路則連接溫度感測單元17及控制單元19。

在本發明實施例中，以物理氣相沉積裝置作為發明的實施例，但物理氣相沉積裝置並非本發明權利範圍的限制，在實際應用時本發明所述的晶圓承載盤10亦可應用在化學氣相沉積裝置或原子層沉積裝置上，基本上只要薄膜沉積裝置的晶圓承載盤10需要加熱及產生偏壓，都適用本發明所述晶圓承載盤10。

以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。

10:晶圓承載盤

11:承載單元

111:承載面

115:底盤

12:晶圓

13:加熱單元

131:第一加熱線圈

133:第二加熱線圈

14:導熱盤

15:冷卻單元

151:第一冷卻管線

153:第二冷卻管線

161:第一流量控制閥

163:第二流量控制閥

17:溫度感測單元

18:導熱氣體輸送管線

19:控制單元

Claims (10)

1. 一種用以產生均勻溫度的晶圓承載盤，包括：一承載單元，包括一承載面用以承載至少一晶圓；至少一加熱單元，包括至少一第一加熱線圈及至少一第二加熱線圈，其中該第一加熱線圈設置於該晶圓承載盤的一徑向靠內側區，而該第二加熱線圈則設置於該晶圓承載盤的一徑向靠外側區，且該第一加熱線圈及該第二加熱線圈為獨立加熱；至少一冷卻單元，包括至少一第一冷卻管線及至少一第二冷卻管線，分別用以輸送一冷卻流體，其中該第一冷卻管線設置於該晶圓承載盤的該徑向靠內側區，而該第二冷卻管線則設置於該晶圓承載盤的該徑向靠外側區，其中該加熱單元及該冷卻單元層疊設置，且該加熱單元較該冷卻單元靠近該承載單元的該承載面；至少一溫度感測單元，設置於該承載單元，並用以量測該承載單元的溫度；及一控制單元，電性連接該溫度感測單元，並依據該溫度感測單元量測的溫度，調整該第一冷卻管線及該第二冷卻管線輸送的該冷卻流體的流量。
2. 如請求項1所述的晶圓承載盤，包括至少一第一流量控制閥及至少一第二流量控制閥分別流體連接該第一冷卻管線及該第二冷卻管線，而該控制單元依據該溫度感測單元量測的溫度分別控制該第一流量控制閥及該第二流量控制閥，以分別調整輸送至該第一冷卻管線及該第二冷卻管線的該冷卻流體的流量。
3. 如請求項1所述的晶圓承載盤，其中該控制單元依據該溫度感測單元感測的溫度，分別調整輸入該第一加熱線圈及該第二加熱線圈的一電源訊號的大小。
4. 如請求項3所述的晶圓承載盤，其中該溫度感測單元包括一第一溫度感測單元及一第二溫度感測單元，分別設置於該晶圓承載單元的該徑向靠內側區及該徑向靠外側區，該控制單元依據該第一溫度感測單元量測的溫度，調整輸入該第一加熱線圈的該電源訊號及輸送至該第一冷卻管線的該冷卻流體的流量，並依據該第二溫度感測單元量測的溫度，調整輸入該第二加熱線圈的該電源訊號及輸送至該第二冷卻管線的該冷卻流體的流量。
5. 如請求項1所述的晶圓承載盤，包括一導熱板位於該加熱單元及該冷卻單元之間，該承載單元包括一設置空間用以容置該加熱單元及該冷卻單元，該承載單元用以連接一底盤，使得該加熱單元及該冷卻單元位於該承載單元及該底盤之間。
6. 一種薄膜沉積裝置，包括：一腔體，包括一容置空間；一晶圓承載盤，位於該容置空間內，包括：一承載單元，包括一承載面用以承載至少一晶圓；至少一加熱單元，包括至少一第一加熱線圈及至少一第二加熱線圈，其中該第一加熱線圈設置於該晶圓承載盤的一徑向靠內側區，而該第二加熱線圈則設置於該晶圓承載盤的一徑向靠外側區，且該第一加熱線圈及該第二加熱線圈為獨立加熱；至少一冷卻單元，包括至少一第一冷卻管線及至少一第二冷卻管線，分別用以輸送一冷卻流體，其中該第一冷卻管線設置於該晶圓承載盤的該徑向靠內側區，而該第二冷卻管線則設置於該晶圓承載盤的該徑向靠外側區，其中該加熱單元及該冷卻單元層疊設置，且該加熱單元較該冷卻單元靠近該承載單元的該承載面； 至少一溫度感測單元，設置於該承載單元，並用以量測該承載單元的溫度；及一控制單元，電性連接該溫度感測單元，並依據該溫度感測單元量測的溫度，調整該第一冷卻管線及該第二冷卻管線輸送的該冷卻流體的流量；及至少一進氣口，流體連接該腔體的該容置空間，並用以將一製程氣體輸送至該容置空間。
7. 如請求項6所述的薄膜沉積裝置，包括一支撐件連接該晶圓承載盤，並於該支撐件內設置該第一冷卻管線、該第二冷卻管線及複數個導電線路，其中該導電線路分別連接該第一加熱線圈及該第二加熱線圈，並分別輸入一電源訊號至該第一加熱線圈及該第二加熱線圈。
8. 如請求項6所述的薄膜沉積裝置，其中該控制單元依據該溫度感測單元感測的溫度，分別調整輸入該第一加熱線圈及該第二加熱線圈的一電源訊號的大小。
9. 如請求項8所述的薄膜沉積裝置，其中該溫度感測單元包括一第一溫度感測單元及一第二溫度感測單元，分別設置於該晶圓承載單元的該徑向靠內側區及該徑向靠外側區，該控制單元依據該第一溫度感測單元量測的溫度，調整輸入該第一加熱線圈的該電源訊號及輸送至該第一冷卻管線的該冷卻流體的流量，並依據該第二溫度感測單元量測的溫度，調整輸入該第二加熱線圈的該電源訊號及輸送至該第二冷卻管線的該冷卻流體的流量。
10. 如請求項6所述的薄膜沉積裝置，其中該晶圓承載盤包括一導熱板位於該加熱單元及該冷卻單元之間，該承載單元包括一設置空間用以容 置該加熱單元及該冷卻單元，該承載單元用以連接一底盤，使得該加熱單元及該冷卻單元位於該承載單元及該底盤之間。

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