TWI755770B - 用於帶電粒子束成像系統之可程式化相位板、使帶電粒子束成像之系統及方法 - Google Patents
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Abstract
在其他態樣中，本發明揭示一種帶電粒子檢測系統，其包括一相位板，該相位板經組態及配置以修改一射束中之帶電粒子之局部相位以減小透鏡像差之效應。該相位板係由一孔徑陣列組成，其中該等孔徑之電壓及/或一遮蔽程度被個別地或以群組控制。
Description
本文中所描述之實施例係關於一種具有一或多個帶電粒子束之帶電粒子器件，諸如利用一或多個電子束之電子顯微法裝置。
藉由在晶圓(亦被稱為基板)上產生圖案來製造積體電路。晶圓被支撐於設備中之晶圓載物台上以用於產生圖案。用於製造積體電路之程序之一個部分涉及查看或「檢測」晶圓之部分。此可藉由諸如掃描電子顯微鏡或SEM之帶電粒子系統來進行。
傳統顯微鏡使用可見光及一或多個透明透鏡或反射鏡以致使小至約一微米之物件可見。此顯微鏡之解像力受到用於照明之光之波長限制。帶電粒子系統使用帶電粒子束來代替光，且使用電磁或靜電透鏡以聚焦粒子。其可以小至一奈米之十分之一的精度來量測位置。
帶電粒子系統包括具有與光顯微鏡之元件類似的元件的柱。光顯微鏡之光源係用建置至柱中之帶電粒子源替換。代替玻璃透鏡，帶電粒子系統具有電磁或靜電透鏡。可藉由改變通過透鏡線圈之電流或藉
由改變電極之電壓來改變此等透鏡之功率(焦距)。類似於以光為基礎之顯微鏡，用以例如藉由塑形射束、聚焦射束或準直射束而操控射束之配置被稱作光學的。
更特定言之，可藉由柱之底部之樣本處的雙透鏡光學系統而使帶電粒子源成像。運用理想透鏡，帶電粒子將通過透鏡且一起聚集於影像平面(或更一般而言，影像表面)中之單個點處。然而，真實透鏡並不確切聚焦至單個點。舉例而言，第二透鏡可使帶電粒子束之波前失真。與理想化透鏡效能之此等偏差被稱為透鏡之像差。像差致使由透鏡形成之影像模糊或失真。需要最小化像差使得樣本上之帶電粒子源之影像儘可能地聚焦，使得樣本之影像清晰且聚焦。
下文呈現一或多個實施例之簡化概述以便提供對實施例之基本理解。此概述並非所有預期實施例之廣泛綜述，且既不意欲識別所有實施例之關鍵或重要要素，亦不意欲描繪任何或所有實施例之範疇。其唯一目的為將一或多個實施例之一些概念以簡化形式呈現為稍後呈現之更詳細描述的序言。
根據一實施例之一態樣，揭示一種用於減小帶電粒子系統中之透鏡像差之效應的裝置及方法。
下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此類實施例。基於本文中含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。
10:電子束檢測(EBI)系統
11:主腔室
19:控制器
20:裝載/鎖定腔室
30:設備前端模組(EFEM)
30a:第一裝載埠
30b:第二裝載埠
100:電子束工具/裝置
110:電子源
120:第一透鏡
130:第二透鏡/物鏡
140:樣本
150:樣本表面
200:裝置
210:相位板
300:相位板
310:孔徑/六邊形孔徑
320:板部件/板/相位板/六邊形相位板
600:射束
610:射束限制孔徑
620:韋恩濾光器
630:偵測器
640:透鏡
650:第二板
660:小透鏡
670:微偏轉器
700:彎曲片段
710:彎曲片段
720:彎曲片段
730:內側電極
740:外側電極
750:光軸
760:環形段
E:電場
S10:第一步驟
S20:步驟
S30:步驟
S40:步驟
S50:步驟
S60:步驟
S70:步驟
S80:步驟
S90:步驟
S100:步驟
S110:步驟
S120:步驟
V1:第一電壓
V2:第二電壓
併入本文中且形成本說明書之部分之隨附圖式說明本發明，且連同[實施方式]一起進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本發明。
圖1為根據一實施例之一態樣的帶電粒子成像系統之方塊圖。
圖2A及圖2B為說明一實施例之一態樣所隱含之原理的圖解。
圖3A、圖3B、圖3C及圖3D為根據實施例之態樣的相位板之部分示意性平面圖。
圖4A及圖4B為根據實施例之態樣的相位板之部分示意性平面圖。
圖5A及圖5B為根據實施例之態樣的相位板之部分示意性平面圖。
圖6為根據一實施例之一態樣的粒子成像系統之示意圖。
圖7為根據一實施例之一態樣的粒子成像系統之示意圖。
圖8為根據一實施例之一態樣的粒子成像系統之示意圖。
圖9為根據一實施例之一態樣的粒子成像系統之示意圖。
圖10為根據一實施例之一態樣的粒子成像系統之示意圖。
圖11為根據一實施例之一態樣的粒子成像系統之示意圖。
圖12為說明根據一實施例之一態樣的使用帶電粒子成像系統之方法的流程圖。
圖13為說明根據一實施例之一態樣的使用帶電粒子成像系統之方法的流程圖。
圖14為說明根據一實施例之一態樣的使用帶電粒子成像系統之方法的流程圖。
圖15A、圖15B及圖15C為根據實施例之態樣的相位板之部分示意性平面圖。
現在將詳細參考例示性實施例，在隨附圖式中說明該等例示性實施例之實例。以下描述參考隨附圖式，其中除非另外表示，否則不同圖式中之相同編號表示相同或相似元件。例示性實施例之以下描述中所闡述之實施並不表示符合本發明之所有實施。取而代之，其僅僅為符合關於所附申請專利範圍中所敍述之本發明的態樣之系統、裝置及方法之實例。出於清楚起見，圖式中之組件的相對尺寸可被誇示。
電子器件係由形成於被稱為基板之矽塊上的電路構成。許多電路可一起形成於同一矽塊上且被稱為積體電路或IC。此等電路之大小已顯著地減小，使得電路中之許多電路可安裝於基板上。舉例而言，智慧型手機中之IC晶片可與拇指甲一樣小且仍可包括超過20億個電晶體，每一電晶體之大小不到人類毛髮之大小的1/1000。
製造此等極小IC為常常涉及數百個個別步驟之複雜、耗時且昂貴之程序。甚至一個步驟中之錯誤亦有可能導致成品IC中之缺陷，該等缺陷使得成品IC為無用的。因此，製造程序之一個目標為避免此類缺陷以使在程序中製造之功能性IC的數目最大化，亦即改良程序之總體良率。
改良良率之一個組分為監測晶片製造程序，以確保其正生產足夠數目個功能積體電路。監測該程序之一種方式為在晶片電路結構形成之各個階段處檢測晶片電路結構。可使用掃描電子顯微鏡(SEM)來進行
檢測。SEM可用以實際上將此等極小結構成像，從而獲取該等結構之「圖像」。影像可用以判定結構是否適當形成，且亦判定結構是否形成於適當部位中。若結構為有缺陷的，則程序可經調整，使得缺陷不大可能再現。
顧名思義，SEM使用電子束，此係因為此類射束可用以看見過小而無法由使用光之顯微鏡看見之結構。然而，由於透鏡並不真正地能夠將帶電粒子束聚焦至樣本上之點，因此看見較小結構之能力受到限制。替代地，歸因於透鏡像差，透鏡將使射束失真。需要藉由最小化此類透鏡像差之效應而實現SEM之增加之解析度的全部潛力。本申請案中之若干揭示案中之一者為一種系統及方法，其中藉由在射束路徑中引入可局部地(亦即，在射束橫截面中之一或多個部位處)調整射束之一或多個器件來控制透鏡像差之效應。此等調整可使透鏡像差之效應偏移。當然，此為近似描述，且下文更完整及精確地闡述實際細節。
在不限制本發明之範疇的情況下，實施例之描述及圖式可被例示性地稱作使用電子束。然而，實施例並未用以將本發明限制至特定帶電粒子。舉例而言，用於射束成形之系統及方法可適用於光子、x射線及離子等。此外，術語「射束」可指初級電子束、初級電子小射束、二次電子束或二次電子小射束以及其他。
如本文中所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋所有可能組合，除非不可行。舉例而言，若陳述組件可包括A或B，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或A及B。作為第二實例，若陳述組件可包括A、B或C，則除非另外特定陳述或不可行，否則組件可包括A，或B，或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B及C。
在[實施方式]中及在[申請專利範圍]中，可使用術語「向上」、「向下」、「頂部」、「底部」、「豎直」、「水平」及類似術語。除非另外如所指示所預期，否則此等術語僅意欲展示相對定向且並非展示任何絕對定向，諸如相對於重力之定向。相似地，諸如左、右、前、後等之術語意欲僅給出相對定向。
現在參看圖1，其說明符合本發明之實施例的呈例示性電子束檢測(EBI)系統10之形式的帶電粒子系統。如圖1中所展示，EBI系統10包括主腔室11、裝載/鎖定腔室20、電子束工具100及設備前端模組(EFEM)30。電子束工具100位於主腔室11內。
EFEM 30包括第一裝載埠30a及第二裝載埠30b。EFEM 30可包括額外裝載埠。第一裝載埠30a及第二裝載埠30b可例如收納含有待檢測之晶圓(例如，半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)或樣本的晶圓前開式單元匣(FOUP)(晶圓及樣本可在下文中被集體地稱作「晶圓」)。EFEM 30中之一或多個機器人臂(圖中未繪示)可將晶圓運送至裝載/鎖定腔室20。
裝載/鎖定腔室20連接至裝載/鎖定真空泵系統(圖中未繪示)，該裝載/鎖定真空泵系統移除裝載/鎖定腔室20中之氣體分子以達到低於大氣壓力之第一壓力。在達到第一壓力之後，一或多個機器人臂(圖中未繪示)可將晶圓自裝載/鎖定腔室20運送至主腔室11。主腔室11連接至主腔室真空泵系統(圖中未繪示)，該主腔室真空泵系統移除主腔室11中之氣體分子以達到低於第一壓力之第二壓力。在達到第二壓力之後，晶圓經受電子束工具100之檢測。電子束工具100可為單射束系統或多射束系統或多柱系統。控制器19電子地連接至電子束工具100。雖然控制器19在圖1
中被展示為在包括主腔室11、裝載/鎖定腔室20及EFEM 30之結構之外，但應瞭解，控制器19可為該結構之部分。
雖然本發明提供容納電子束檢測系統之主腔室11的實例，但應注意，本發明之態樣在其最廣泛意義上而言不限於容納電子束檢測系統之腔室。實情為，應瞭解，亦可將本文中所論述之原理應用於在第二壓力下操作之其他工具。
圖2A說明可為圖1之EBI系統之部分的例示性電子束工具100。電子束工具100(在本文中亦被稱作「裝置100」)包含電子源110、第一透鏡120及第二透鏡130。出於清晰之目的，諸如孔徑及偏轉器之通常存在之其他組件在圖2A中未展示。具有樣本表面150之樣本140可提供於可移動載物台(圖中未繪示)上。電子源110、透鏡120及透鏡130可與裝置100之主光軸160對準。
電子源110可包含陰極(圖中未繪示)及提取器或陽極(圖中未繪示)，其中在操作期間，電子源110經組態以發射來自陰極之初級電子且由提取器或陽極提取或加速初級電子以形成初級電子束，該初級電子束被展示為一系列波前，亦即，多個表面、表面、實的或虛的，在該等波前下振盪相位相同。如可看到，由源110發射之射束之波前為基本上球形。充當聚光透鏡之透鏡120致使波前係大體上平面的。理想地，充當物鏡之第二透鏡將把波前聚焦至表面150上，因此使源110成像。然而，第二透鏡130之像差使波前之形狀失真以偏離理想形狀，從而造成表面150上之影像模糊。
圖2B展示一配置或裝置200，其中一元件被引入至射束路徑中以補償像差。特定言之，在透鏡之間引入相位板210以預塑形波前使
得預塑形及像差之淨效應為適當聚焦之射束。應理解，如下文更詳細地描述，相位板210在裝置200中之置放僅僅係一實例，且可將相位板210置放於裝置200中之其他位置中。
又，在以下所描述之實例中，主要在校正由透鏡產生之像差方面來描述相位板。然而，相位板亦可或替代地用以塑形帶電粒子束。舉例而言，相位板可用以使在樣本上之射束橫截面輪廓為環形而非點狀。在某些應用中，此可提供諸如用於使接觸孔之側壁成像之優點。作為另一實例，可使射束輪廓在晶圓處較少地發散以產生較大聚焦深度。對於一些應用，運用相位板之全像差校正不可能與運用相位板之特殊射束塑形同時進行，但可針對給定應用調諧相位板以實現最佳取捨。
透鏡110可為可經組態以使得其第一主面之位置可移動的可移動聚光透鏡。可移動聚光透鏡可經組態為磁性的或靜電的或電磁的(例如化合物)。美國專利第9,922,799號及美國專利申請公開案第2017/0025243號中進一步描述了可移動聚光透鏡，該兩者之全文係併入本文中。在一些實施例中，聚光透鏡可為反旋轉透鏡，其可保持離軸小射束之旋轉角不變同時使小射束之電流變化。在一些實施例中，聚光透鏡可為可移動反旋轉聚光透鏡，其涉及具有可移動第一主平面之反旋轉透鏡。全文係以引用方式併入之國際申請案第PCT/EP2017/084429號中進一步描述了反旋轉或可移動反旋轉聚光透鏡。
圖3A說明相位板300的例示性實施例，諸如可用於圖2B之裝置200中。如所展示，相位板300經組態為板部件320中之孔徑310之陣列。圖3A中之陣列為35個孔徑310之配置，其經配置為具有6個、12個及16個孔徑310之同心環的中心孔徑。應顯而易見的是，可使用包括正方形
陣列、六方陣列或隨機陣列或此等陣列之組合之其他配置。對於一些實施，孔徑圖案在方位角方向上具有至少四重對稱性可能係有利的。舉例而言，對於包含同心圓之圖案，每同心圓孔徑之數目可為至少四個的倍數。
孔徑310可為如所展示之圓形，或為另一合適形狀，諸如橢圓形或矩形。形狀彼此不同的孔徑310，諸如圓形孔徑及橢圓形孔徑之組合，可配置於同一板部件320上。在所展示之實例中之板部件320可為正方形及平面的，如所展示，或可為另一合適形狀，諸如圓形，且板部件320不必為平面的，例如板部件320可彎曲以與波前之曲率對應。
相位板300中之孔徑310之孔徑中的每一者具有分開的電壓控制件330，該電壓控制件經組態以在孔徑中建立電壓。相位板300因此可程式化，此係因為可向每一孔徑310或孔徑群組不同地設定電壓且可視需要改變該等電壓。對電壓之調整會局部地改變電子波之相位。若希望具有較少電壓控制件330，則此可藉由提供較少但較大孔徑310，或藉由將孔徑310之群組連接至共同電壓控制件330來達成。如下文所闡述，根據另一態樣，可以類似方式控制孔徑之開放程度，在此狀況下，電壓控制件330亦可或替代地控制孔徑之開放性。
對於一些實施，可能有利的是使相位板之孔徑或片段之大小與射束直徑匹配，其中最小孔徑可撞擊於相位板上。以具有用於相位板之孔徑或片段之3個環及約為20μm之最小射束直徑為例，則孔徑直徑或片段間隙應為大約1μm或幾μm。具有小尺寸的孔徑或片段之導線佈線設計更具有挑戰性，但所需之電壓係小的，且當使用片段來代替孔徑時，所需之導線之總數目將更少。
圖3B展示孔徑310經塑形為環形段的配置。在圖3B之特定
實例中，每環存在一個片段(亦即一個支撐件)。在圖3C之特定實例中，每環存在兩個片段(亦即兩個支撐件)。該等支撐件可用以承載至孔徑中之電極之電連接，該等電極用以在孔徑中建立電場。在某些實施中，使用片段而非環可提供減低所需之電壓控制件330之數目(例如供與軸向對稱像差一起使用)之優點且可藉由使用用於相位板開口之較少支撐材料而增加透射。片段開口可經配置為圍繞光軸(板320之中心)之同心環，如所展示。
環可劃分成1個、2個或多於2個片段開口，其中在其之間具有機械支撐件。在環與環之間的環寬度(在徑向方向上之範圍)可能不同。一或多個環中之片段開口可具有相同電壓以進一步限制所需之電壓控制件之數目。可在使用期間旋轉相位板320以平均化旋轉不對稱貢獻(例如歸因於片段開口之間的機械支撐件)。圖3D展示在六邊形相位板320上具有六邊形孔徑310之配置。
相位板之機械穩定性主要由其幾何設計判定。最終機械設計將為最大開放性(高透射)與環之間的足夠機械互連(出於剛度及熱原因，且亦出於導線佈線原因)之組合。對於未定位於焦平面中或接近於焦平面之相位板，SEM系統效能將對相位板之機械振動不是很敏感。
在使用期間，使經聚焦電子束橫越樣本之表面進行掃描。在經聚焦電子束遍及大視場之掃描期間，樣本之表面上之源之影像的形狀及強度分佈(光點輪廓)可改變。使用可程式化相位板會提供校正或減小吾人希望動態地控制可程式化相位板之此等掃描效應之能力。如上文所闡述，可程式化相位板可經組態為具有孔徑之板，其中每一孔徑具有一分開的電壓控制件。使用電壓控制件以調整孔徑處之電壓會局部地改變電子波之相位，亦即，電子波之部分通過孔徑會實現對電子光點(探針)形成之控
制的控制。作為一特定實例，使相位板電壓與電子束遍及樣本之掃描同步會實現對遍及整個經掃描視場之探針形成之動態控制。
藉由使用偏轉器來執行掃描，該等偏轉器改變射束方向，因此射束被依序瞄準於樣本之不同部分處。偏轉器受到與掃描同步之時脈信號控制。在一項實施例中，可使用用於掃描之相同時脈信號以用於使相位板電壓與掃描系統射束偏轉器同步。動態控制可被限制至相位板之孔徑之子集之電壓。用於動態控制之電壓可為用於相位板上之孔徑之偏壓電壓之外的電壓，或在使用多個電子束之系統(被稱為多射束系統)之狀況下用於相位板之外的電壓。
掃描輪廓，亦即射束對樣本進行掃描之圖案，可為許多選擇中之任一者。掃描輪廓可為不連續的(例如鋸齒形)光柵或打字機類型掃描，其中使射束在橫越樣本之一系列線上進行掃描。為了動態相位板電壓控制，可使用此掃描輪廓。對於一些實施，可能有利的是將動態相位板電壓控制與連續掃描輪廓(諸如曲折狀、蛇形的或用於射束之其他相似掃描輪廓)組合，以限制相位板上之電壓改變速率。亦即，此掃描圖案降低對改變電壓之需要，此係因為掃描基本上係連續的而非不連續的，因此需要較少的電壓突變。
相位板電壓與掃描之同步可限於射束之僅一個掃描方向。又，如下文更充分地描述，有可能不僅控制孔徑處之電壓而且控制孔徑之遮蔽程度，亦即，孔徑是自由地准許射束之一部分通過其抑或部分或完全阻礙射束通過實體障壁或其他構件。相位板電壓之同步可與相位板孔徑之敞開/部分敞開/封閉分佈(透射分佈)之同步組合。
相位板電壓之動態控制亦可用以在掃描位於距光軸相對較
大距離處的不同位置周圍的相對較小視場時控制電子探針形成。對於距光軸相對較大距離的一個位置，當掃描此位置周圍之相對較小視場時可使用相同的相位板電壓分佈。相位板電壓分佈可僅在射束已移動至下一位置以用於掃描相對較小視場時發生改變。在此情境下，每小視場將改變一次相位板電壓分佈。
圖4A及圖4B展示用於兩個不同電子束位置之可程式化相位板之可能相位分佈的實例。圖4A展示視場之中心處的可能相位分佈，且圖4B展示視場之隅角處的可能相位分佈，其中灰色之四個灰度等級表示四個不同相位，例如0、π/2、π及3π/2。在一些實施中，此可提供如下優點：藉由校正或減小致使探針大小遍及視場發生改變之像差而改良遍及視場之影像品質的均一性，且因此藉由校正或減小遍及視場之像差而增大最大可允許視場。
如所提及，為了增強電子束校正，在一些實施中，除了藉由僅控制孔徑處之電壓來控制相位以外或代替藉由僅控制孔徑處之電壓來控制相位，局部控制電子波之振幅亦可能係有利的。對於一些實施，運用相位板中之僅相位控制可能無法完全校正全部像差。局部振幅控制改變了射束輪廓之形狀及對稱性。添加振幅控制會允許更大的應用領域。可能有利的是藉由組合及/或平均化封閉、部分封閉及敞開孔徑而添加了局部地調整電子波之振幅之功能性。藉由變化遍及相位板之封閉及敞開孔徑之分佈，亦即開放性或透射分佈，振幅係可程式化的。此可獨立於或結合相位之局部電壓控制來完成。
可使用各種構件來實現對射束遮蔽之局部控制，相反地實現射束透射。舉例而言，可將射束消隱器或偏轉器添加至相位板或整合至
相位板中以部分地、完全地或根本不遮蔽孔徑。作為另一實例，可將機械遮光片添加至相位板或整合至相位板中以部分地、完全地或根本不遮蔽孔徑。作為另一實例，可將電鏡添加至相位板或整合至相位板中以部分地、完全地或根本不遮蔽孔徑。
作為另一實例，具有孔徑以及此等器件中之任一者或組合之額外板可經定位於相位板之上游(比相位板更接近源)或下游(比相位板更遠離源)。該額外板與相位板相比可具有更多的孔徑以用於更佳地調諧用於特定相位板孔徑之振幅。與相位板一樣，該額外板中之孔徑可以多種圖案中之任一者配置，諸如(例如)以圍繞光軸之同心圓、圍繞光軸之六邊形圖案或圍繞光軸之矩形圖案配置。又，孔徑可具有任何形狀或不同形狀之組合，諸如(例如)圓形或橢圓形。亦與相位板一樣，對於一些實施，孔徑圖案在方位角方向上具有至少四重對稱性可能係有利的。舉例而言，對於包含同心圓之圖案，每同心圓孔徑之數目可為至少四個的倍數。圖5A及圖5B為產生不同的電子波改變但具有相同的總透射率之兩個不同孔徑分佈之實例。在圖5A及圖5B兩者中，35個孔中的八個已封閉。
因此，具有孔徑之板代替控制相位分佈或除了控制相位分佈以外，亦可用以使波前之振幅分佈衰減。為簡單起見，代替控制相位分佈或除了控制相位分佈以外亦用以使波前之振幅分佈衰減的具有孔徑之板亦被稱作相位板。
在單射束或多射束SEM系統中併有相位板可存在幾種選項。可藉由各種技術考慮因素來告知選項之選擇。舉例而言，關於相位板相對於系統之其他組件之部位，對於某些實施，可能有利的是將相位板定位於系統之射束限制孔徑之後，此係因為此部位為由源產生之將在樣本上
成像之射束之部分，且此部分將藉由如此定位之相位板而最佳化。對於某些實施，可能有利的是將相位板定位於自樣本至偵測器之二次(或反向散射)電子之路徑外，以避免因二次電子在到達偵測器之前撞擊相位板而造成的信號損失。對於某些實施，可能有利的是在相位板之易用性方面模型化及控制以配置相位板使得平行射束照射於相位板上。若定位有相位板之射束之部分會聚或發散，則出於實際原因(例如可用體積)將相位板定位成遠離(虛擬)焦平面可能係有利的。舉例而言，相位板可位於光學系統之共軛平面處或附近。
在圖6之組態中，相位板210定位於射束限制孔徑610與韋恩濾光器620之間，該韋恩濾光器620使二次電子偏離至偵測器630。此意謂射束600在相位板210處發散。為了控制射束電流及開度角，孔徑大小在SEM中通常係可變的。此意謂若希望針對整個電流範圍使用相位板210，則在射束600在最大可選擇的射束限制孔徑大小處離開射束限制孔徑610時，相位板210之側向尺寸應大到足夠跨越射束600之整個寬度。若針對在考慮中之特定應用，僅將在某些條件下(例如針對較低射束電流)使用相位板210，則可僅在彼等條件下使該相位板可縮回或摺疊及展開。亦將有可能針對不同射束大小使用不同相位板設計，且藉由使用電動條帶使其係可選擇的，正如通常在SEM中運用孔徑完成一樣。
圖7展示用於相位板置放之第二組態，其中相位板210另外執行射束界定元件之功能，從而去除對分開之射束限制孔徑之需求。在此狀況下，可藉由針對不同射束大小使用不同相位板設計或藉由在需要時關閉相位板之孔或片段(例如在想要小的射束直徑的狀況下關閉外環之孔或片段)來變化射束直徑及電流。
在圖8所展示之組態中，在射束限制孔徑610與相位板210之間添加額外透鏡以在相位板210上產生平行射束。在此狀況下，相位板210處之射束直徑與物鏡130中之射束直徑相同，此意謂相位板較大且孔直徑或片段間隙可較大。透鏡640之功能之全部或部分亦可藉由在相位板210上使用大的偏壓電壓來達成，該相位板210因此充當靜電透鏡之部分。由透鏡640產生之可能額外像差可藉由相位板功能性而再次減小。
如所提及，對於一些實施，可能有利的是將第二板配置於系統中以用於局部控制透射率。圖9中展示此配置，其中第二板650被置放於相位板210上方(上游)。因此，第二板650控制局部透射率，而相位板210控制局部相位，從而提供對射束形狀及輪廓之額外程度之控制。如亦提及，第二板650可具有與相位板210之孔徑組態匹配或不同的孔徑組態。
上文所描述之原理亦可應用於多射束系統。歸因於離軸像差，對於更遠離光軸之小射束，多射束系統中之小射束之解析度變差。此限制了可針對給定解析度規格所產生的小射束之最大數目。可程式化相位板可針對多射束系統中之每一小射束使用分開之孔徑或孔徑群組，從而使能夠針對每一小射束個別地校正或減小像差(例如離軸像差)。
用於所有小射束之相位板之孔徑可遍及機械分離之板而分佈或可遍及一個大的板而分佈。該等分離板可處於沿著電子束系統之光軸之不同位置處(亦即沿著電子之通用行進方向之不同位置處)。
該等分離板可相對於彼此成不同角度。用於振幅控制之該(該等)板可為分開之板，且可定位於用於相位控制之板上方或下方。舉例而言，該(該等)板可位於電子束光學系統之共軛平面處或附近。
針對向一特定小射束指派之每一孔徑群組或針對每一板，遍及孔徑之電壓分佈可能不同。針對某些孔徑群組或板之電壓分佈可能相同，以限制所需之分開之電壓控制之數目。針對每一板針對向一特定小射束指派之每一孔徑群組，遍及敞開、封閉及部分封閉孔徑之孔徑透射分佈可能不同。針對不同小射束之孔徑分佈可經選擇使得針對所有小射束，其個別孔徑分佈之總透射率係相同的，使得針對所有小射束之小射束電流可為相同的。
可依據小射束之導降能量來調整遍及孔徑之電壓分佈及敞開/封閉孔徑透射分佈，以使能夠校正或減小與不同導降能量相關的不同電子束系統設定下之像差。可依據小射束在樣本上之位置來調整遍及孔徑之電壓及敞開/封閉孔徑分佈。舉例而言，小射束之位置可為小射束是否離軸或小射束在多大程度上離軸的量度，以最佳化小射束之各個離軸位置處之像差的校正或減小。
可依據小射束之射束電流來調整遍及孔徑之電壓及透射分佈，以使能夠校正或減小與不同小射束電流相關之不同電子束系統設定下之像差。可依據小射束在樣本處之導降角度來調整遍及孔徑之電壓分佈及敞開/封閉孔徑分佈，以使能夠校正或減小與不同導降角度相關的不同電子束系統設定下之像差。
可依據樣本處之電場來調整遍及孔徑之電壓分佈及敞開/封閉孔徑(振幅)分佈，以使能夠校正或減小與樣本處之不同電場相關的不同電子束系統設定下之像差。
亦可及/或替代地依據針對單一射束之導降能量、射束電流、導降角度及電場來調整電壓及振幅分佈。
針對個別小射束使用可程式化相位板控制會允許針對每一小射束進行像差校正或減小。與僅運用相位控制相比，使用相位板相位及振幅控制會考慮到更大的應用領域。
圖10展示在多射束SEM系統中併有相位板的一個可能配置作為一實例。因為針對不同小射束之像差可不同(歸因於離軸像差)，所以所描繪之實施針對每一小射束提供個別相位板功能性。在圖10之系統中，相位板210定位於射束限制孔徑610與小透鏡660及微偏轉器670之組合之間，小透鏡660及微偏轉器670用以產生多射束系統之小射束且使其轉向。以此方式，可將相位板製造併入至用於多射束孔徑陣列之整個MEMS製造程序中。其亦具有以下優點：平行束照射於用於不同小射束之相位板210上。
在圖11中所展示之系統中，相位板210定位於小透鏡660及具有射束限制孔徑610及微偏轉器670之MEMS孔徑陣列下方。以此方式，相位板210可形成機械獨立之元件群組，其與小射束產生之MEMS陣列相比可以分開及可能不同的方式被製造。針對一些應用在並非必需時，相位板群組可為可縮回的或摺疊的，或可移動以能夠在較大板上之相位板幾何結構之不同集合之間進行選擇。
以上關於相位板之全部描述，包括幾何形狀、孔徑處之電壓控制、孔徑處之透射率控制、孔徑之分組、多個板之使用，適用於在多射束系統中相位板之部署。
根據一實施例之另一態樣，揭示一種使用相位板以對帶電粒子束之橫截面之部分施加局部控制之方法。參看圖12，在第一步驟S10中，產生帶電粒子束。接著，在步驟S20中，使射束通過第一透鏡。接
著，在步驟S30中，使用相位板以執行對射束相位之局部控制，從而本質上預塑形射束。在一步驟中「限幅」，亦即通過孔徑。在步驟S40中，使預塑形射束通過第二透鏡。射束經預塑形且通過物鏡之最終結果為，預塑形校正了物鏡之像差。在步驟S50中，使用射束以照明樣本。
圖13為描述依據樣本之哪一區域被掃描而動態地組態相位板之方法的流程圖。在步驟S60中，將相位板組態為具有相位、透射率或此兩者之第一分佈。在步驟S70中，運用已通過具有第一分佈之相位板之帶電粒子束對樣本之第一區域進行掃描。在步驟S80中，將相位板組態為具有相位、透射率或此兩者之第二分佈。在步驟S90中，運用已通過具有第二分佈之相位板之帶電粒子束對樣本之第二區域進行掃描。
圖14為展示使用經組態以用於對相位及透射率進行局部控制之相位板以掃描樣本之方法的流程圖。在步驟S100中，將相位板組態為具有所要孔徑電壓分佈。在步驟S110中，將相位板組態為具有所要孔徑透射分佈。對於一般熟習此項技術者將顯而易見，此兩個步驟之次序可反轉。在步驟S120中，藉由使帶電粒子束通過相位板來掃描樣本。
上述描述係關於具有孔徑之相位板，例如呈圍繞中心孔之圓形孔或彎曲片段之環的形式，其中針對每一孔或片段具有分開的電壓及/或遮光片控制。在電壓控制之狀況下，描述向每一孔或片段供應單一電壓之配置。然而，根據特定應用之需求，可能有利的是向每一孔徑供應兩個或多於兩個電壓。以此方式，可遍及孔或片段之開口產生具有梯度之電場，從而得到較佳局部地調諧波前形狀之機會，而非藉由使用具有具單一電壓之電場的若干離散小孔或片段來達成此。
因此，如圖15A中所展示，相位板中之孔徑配置可包含例
如兩個彎曲片段700及710，其中第一電壓V1被施加至彎曲片段700且可能不同於或可能相同與V1之第二電壓V2被施加至片段710。如圖15B中所展示，相位板中之孔徑配置可包含例如彎曲片段720，其中第一電壓V1被施加至彎曲片段720之內側電極730且不同於第一電壓V1之第二電壓V2被施加至彎曲片段720之外側電極740，以遍及電極之間的片段產生電場E之徑向梯度。該彎曲片段可與成像系統之光軸750同心。一般而言，可存在相對於光軸750對稱地配置之另一環形段760。
波前之徑向變化通常為對帶電粒子成像系統中之像差之相當大的貢獻因素，且藉由使用可調整徑向梯度，可運用在徑向方向上平滑地變化之電場來較佳控制波前。對於一些應用，此可減少對具有小的徑向開口之多個彎曲同心片段之需求，從而產生在徑向波形狀上之離散步階。其亦可減小相位板設計之複雜度且允許透射增加，此係因為可需要較少材料且較大開口係或許有可能的。彎曲片段上之兩個電壓可在其外端處分離，如所展示。對於一些應用，可能有利的是避免電分離部件充電(如在用於多射束系統之MEMS結構中)。
可使用以下條項進一步描述實施例：
1.一種用於一帶電粒子束成像系統之可程式化相位板，該相位板包含：一板形部件；配置於該板形部件中之複數個孔徑；及分別與該複數個孔徑中之每一者相關聯的複數個孔徑控制部件，每一孔徑控制部件經配置以控制該關聯孔徑與該孔徑處之帶電粒子的一相互作用。
2.如條項1之可程式化相位板，其中該複數個孔徑包含該板形部件中之複數個弓形孔徑。
3.如條項1之可程式化相位板，其中該複數個孔徑包含該板形部件中之複數個環形段孔徑。
4.如條項1之可程式化相位板，其中該等環形段孔徑係由被機械支撐件分離之複數個片段形成，且其中該等機械支撐件包含用於將電壓提供至該等孔徑處之電極之電接點。
5.如條項1之可程式化相位板，其中該複數個孔徑包含該板形部件中以至少兩個同心圓配置的複數個圓段形孔徑。
6.如條項1之可程式化相位板，其中每同心圓之一孔徑數目為至少4個之倍數。
7.如條項1之可程式化相位板，其中該孔徑之徑向寬度係在約10微米至小於一微米之範圍內。
8.如條項1之可程式化相位板，其中該等孔徑之一徑向寬度在環與環之間變化。
9.如條項1之可程式化相位板，其中連接至該等孔徑中之至少一者以用於與該帶電粒子束相互作用之構件包含電連接至該至少一個孔徑以用於變更該孔徑處之一電場之構件。
10.如條項1之可程式化相位板，其中該等孔徑之一子集具有一共同電壓。
11.如條項1之可程式化相位板，其中連接至該等孔徑中之至少一者以用於與該帶電粒子束相互作用之該構件包含連接至該至少一個孔徑以用於選擇性地阻礙該帶電粒子束之通過該孔徑的構件。
12.如條項11之可程式化相位板，其中用於選擇性地阻礙該孔徑之該構件係可控制的以完全阻斷該孔徑、部分阻斷該孔徑，或使該孔徑未阻斷。
13.如條項11之可程式化相位板，其中一可用阻礙度係在0%至100%之範圍內。
14.如條項11之可程式化相位板，其中孔徑阻礙之一分佈包含封閉、部分封閉及敞開孔徑之一分佈。
15.如條項11之可程式化相位板，其中一電子波之一振幅在該射束之一橫截面中藉由控制孔徑阻礙之一分佈而變化。
16.如條項1之可程式化相位板，其中該相位板具有一對稱軸且進一步包含用於使該相位板圍繞該對稱軸旋轉之構件。
17.如條項1之可程式化相位板，其中該等孔徑為圓形。
18.如條項1之可程式化相位板，其中該等孔徑為橢圓形。
19.如條項1之可程式化相位板，其中該等孔徑為矩形。
20.如條項1之可程式化相位板，其中該等孔徑形狀遍及該相位板而變化。
21.如條項1或條項20之可程式化相位板，其中該等孔徑大小遍及該相位板而變化。
22.如條項1之可程式化相位板，其中一孔徑圖案包含一圓形圖案。
23.如條項1之可程式化相位板，其中一孔徑圖案包含一正方形圖案。
24.如條項1之可程式化相位板，其中一孔徑圖案包含一多邊形圖
案。
25.一種用於使一帶電粒子束成像之系統，其包含一帶電粒子束之一源；及經配置以接收該射束之一可程式化相位板。
26.如條項25之系統，其中該相位板位於該系統之一共軛平面處或附近。
27.如條項25之系統，其中該可程式化相位板包含圍繞該系統之一光軸以同心環配置的複數個片段形孔徑。
28.如條項25之系統，其中該等孔徑圍繞該系統之一光軸以一六邊形圖案配置。
29.如條項25之系統，其中該相位板可移入及移出該射束之一路徑。
30.如條項25之系統，其中該相位板包括整合至該相位板中之複數個射束消隱器，該等射束消隱器經配置成使得每一射束消隱器能夠在一各別孔徑處消隱該帶電粒子束之一部分。
31.如條項25之系統，其進一步包含複數個MEMS孔徑陣列，該等MEMS孔徑陣列包括射束限制孔徑、透鏡及偏轉器，其中該相位板定位於該等MEMS孔徑陣列之下游。
32.如條項25之系統，其中該相位板包括整合至該相位板中之複數個偏轉器，該等偏轉器經配置成使得每一偏轉器能夠在一各別孔徑處使該帶電粒子束之一部分偏轉。
33.如條項25之系統，其中該相位板包括整合至該相位板中之複數個機械遮光片，該等遮光片經配置成使得每一遮光片能夠在一各別孔徑處
至少部分地阻礙該帶電粒子束之一部分。
34.如條項25之系統，其中該相位板包含整合至該相位板中之複數個電鏡，該等電鏡經配置成使得每一電鏡能夠在一各別孔徑處反射該帶電粒子束之至少一部分。
35.如條項25之系統，其進一步包含在該相位板上游的一額外消隱器板、偏轉器板、遮光片板或鏡面板中之至少一者。
36.如條項25之系統，其進一步包含該相位板下游的一額外消隱器板、偏轉器板、遮光片板或鏡面板中之至少一者。
37.如條項25之系統，其包含一第一相位板及一第二相位板，該第一相位板經組態以提供對該射束之一橫截面振幅分佈及該射束之一橫截面相位分佈中之一者之控制，且該第二相位板經組態以提供對該射束之一橫截面振幅分佈及該射束之一橫截面相位分佈中之另一者之控制。
38.如條項37之系統，其中該第一相位板具有與該第二相位板不同數目個孔徑。
39.如條項37之系統，其中該第一相位板上之該等孔徑具有一第一形狀且該第二相位板上之該等孔徑具有不同於該第一形狀之一第二形狀。
40.如條項37之系統，其中該第一相位板上之該等孔徑具有一第一大小且該第二相位板上之該等孔徑具有不同於該第一形狀之一第二形狀。
41.如條項37之系統，其中該第一相位板上之該等孔徑具有一第一分佈且該第二相位板上之該等孔徑具有不同於該第一分佈之一第二分佈。
42.一種用於使一帶電粒子束成像之系統，其包含一帶電粒子束之一源；一射束限制孔徑，其經配置以接收及塑形該帶電粒子束；及
一可程式化相位板，其配置於該射束限制孔徑之下游且在該射束已由該射束限制孔徑塑形之後接收該射束。
43.一種用於使一帶電粒子束成像之系統，該系統包含：一帶電粒子束之一源；用於將該射束塑形成一成形射束之一透鏡；及一可程式化相位板，其配置於該透鏡構件之下游以接收該成形射束。
44.如條項43之系統，其中該相位板處之射束直徑與該透鏡上之射束直徑相同。
45.一種用於使一帶電粒子束成像之系統，該系統包含一帶電粒子束之一源；及一相位板，其經組態為用作一射束界定元件及用於控制該射束之一橫截面之部分之相對相位的一元件。
46.如條項45之系統，其進一步包含配置於該射束限制孔徑與該相位板之間以控制該相位板上之射束發散度的一透鏡。
47.如條項45之系統，其中該相位板包含複數個受控孔徑元件，每一孔徑元件包含一孔徑及經配置以控制該孔徑處之一電場之一電壓控制件。
48.一種用於使複數個帶電粒子小射束成像之系統，該系統包含複數個帶電粒子小射束之一源；及一可程式化相位板，其經配置以接收該等小射束中之至少一者。
49.如條項48之系統，其中該可程式化相位板經配置以接收多個小射束且具有複數個受控孔徑元件，且其中每一小射束具有一關聯的受控孔
徑元件群組。
50.如條項48之系統，其中每一小射束具有一關聯相位板。
51.如條項50之系統，其中該等關聯相位板沿著該系統之一光軸配置於不同位置處。
52.如條項50之系統，其中該等關聯相位板沿著小射束傳播之一方向配置於不同位置處。
53.如條項50之系統，其中該等關聯相位板相對於彼此成不同角度。
54.如條項50之系統，其包含第一複數個相位板及第二複數個相位板，該第一複數個相位板經組態以提供對該等小射束之橫截面振幅分佈之控制，且該第二複數個相位板經組態以提供對該等小射束之橫截面相位分佈之控制。
55.如條項54之系統，其中該第一複數個相位板定位於該第二複數個相位板之上游。
56.如條項54之系統，其中該第一複數個相位板定位於該第二複數個相位板之下游。
57.如條項48之系統，其進一步包含至少一個射束限制孔徑；及至少一個微偏轉器；且其中該可程式化相位板定位於該至少一個射束限制孔徑與該至少一個微偏轉器之間。
58.如條項50之系統，其中一孔徑圖案在相位板與相位板之間變化。
59.如條項50之系統，其中孔徑之一數目在相位板與相位板之間變化。
60.如條項50之系統，其中針對向一特定小射束指派之每一孔徑群組，遍及該等孔徑之一電壓分佈係不同的。
61.如條項50之系統，其中針對每一相位板，遍及該等孔徑之一電壓分佈係不同的。
62.如條項50之系統，其中針對一第一孔徑群組之一電壓分佈係相同的。
63.如條項50之系統，其中針對一第一板群組之一電壓分佈係相同的。
64.如條項50之系統，其中該複數個孔徑包含具有一第一開放程度之一第一孔徑集合及具有一第二開放程度之一第二孔徑群組，該第一群組配置於一第一小射束之一路徑中且該第二群組在一第二小射束之一路徑中。
65.如條項50之系統，其中該第一孔徑群組配置於一第一小射束之一路徑中且一第二孔徑群組配置於一第二小射束之路徑中，且其中該第一群組中之該等孔徑之一第一開放性分佈及該第二群組中之該等孔徑之一第二開放性分佈經選擇使得該第一小射束之一第一射束電流之一量值與該第二小射束之一第二射束電流之一量值相同。
66.如條項52之系統，其中遍及該等孔徑之電壓分佈及開放性孔徑分佈係至少部分地基於該等小射束之導降能量而調整。
67.如條項52之系統，其中一電壓分佈及一開放性孔徑分佈係至少部分地基於小射束之間的一距離或一小射束至一光軸之一距離中的至少一
者而調整。
68.如條項52之系統，其中遍及該等孔徑的一電壓分佈及一開放性分佈中之至少一者係至少部分地基於該等小射束之一射束電流而調整。
69.如條項52之系統，其中一電壓分佈及一開放性孔徑分佈中之至少一者係依據該等小射束在該樣本處之一導降角度而調整。
70.如條項52之系統，其中一電壓分佈及一開放性孔徑分佈中之至少一者係依據該樣本處之一電場之一量值而調整。
71.一種用於使一帶電粒子束成像之系統，該系統包含：一相位板，其包含複數個孔徑，該等孔徑中之至少一者具有一電壓控制件以判定一孔徑電壓；及用於使該等孔徑電壓或振幅與至少一個帶電粒子束遍及一樣本之掃描同步以動態地控制一整個經掃描視場上方之探針形成的構件。
72.如條項71之系統，其進一步包含用於產生一時脈信號之時脈構件，該時脈信號經施加以使該等孔徑電壓與經施加以使該射束進行掃描之電壓同步。
73.如條項71之系統，其中該射束係使用一不連續掃描輪廓進行掃描。
74.如條項71之系統，其中該射束係使用一連續掃描輪廓進行掃描。
75.如條項71之系統，其中該孔徑電壓分佈在該射束之僅一個掃描方向上同步。
76.如條項71之系統，其進一步包含一電壓源，該電壓源經配置以除了提供由該電壓控制件施加之一電壓之外亦提供施加之一偏壓電壓，以
用於與該射束之掃描同步。
77.如條項71之系統，其中該等相位板電壓或振幅之同步與該等相位板孔徑之一開放性分佈之同步組合來執行。
78.一種使一帶電粒子束進行成像之方法，該方法包含以下步驟：在位於距一帶電粒子束系統之一光軸各別相對較大距離處的複數個不同位置周圍掃描視場；及動態地控制一相位板之孔徑中之電壓或孔徑之振幅以控制電子探針形成。
79.一種使一帶電粒子束進行成像之方法，該方法包含以下步驟運用一相位板之孔徑電壓或振幅之一分佈對在一帶電粒子束系統之一光軸處或偏離一光軸的一第一位置處的一樣本之一第一部分進行掃描；及運用一相位板之孔徑電壓或振幅之一第二分佈對在偏離該光軸之一第二位置處的該樣本之一第二部分進行掃描。
80.如條項79之方法，其中至少部分地基於小射束之導降能量而調整遍及孔徑之電壓分佈及開放性孔徑分佈。
81.如條項79之方法，其中至少部分地基於小射束之一射束電流而調整遍及孔徑的一電壓分佈及一開放性分佈中之至少一者。
82.如條項79之方法，其中依據小射束在該樣本處之一導降角度而調整一電壓分佈及一開放性孔徑分佈中之至少一者。
83.如條項79之方法，其中依據該樣本處之電場之一量值而調整一電壓分佈及一開放性孔徑分佈中之至少一者。
84.一種用於一帶電粒子束成像系統之可程式化相位板，該相位板
包含：一板形部件；界定配置於該板形部件中之一孔徑之結構，該結構具有一第一導電部分及與該第一導電部分電絕緣之一第二導電部分；一第一電壓源，其經配置以將一第一電壓施加至該第一導電部分；及一第二電壓源，其經配置以將不同於該第一電壓之一第二電壓施加至該第二導電部分。
85.如條項84之可程式化相位板，其中界定一孔徑之該結構包含界定具有一內邊緣及一外邊緣之一環形半圓形片段的結構。
86.如條項85之可程式化相位板，其中該環形半圓形片段與該帶電粒子束成像系統之一光軸同心。
87.如條項85之可程式化相位板，其中該第一導電部分包含該內邊緣且該第二導電部分包含該外邊緣。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
110:電子源
120:第一透鏡
130:第二透鏡/物鏡
140:樣本
210:相位板
600:射束
610:射束限制孔徑
620:韋恩濾光器
630:偵測器
Claims (15)
- 一種用於一帶電粒子束成像系統之可程式化相位板，該相位板包含：一板形部件(plate-shaped member)；配置於該板形部件中之複數個孔徑(apertures)，其中該板形部件中之該複數個孔徑係以至少兩個同心圓(concentric circles)來配置；及分別與該複數個孔徑中之每一者相關聯的複數個孔徑控制部件，每一孔徑控制部件經配置以控制該關聯孔徑與該孔徑處之帶電粒子的一相互作用。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中該複數個孔徑包含該板形部件中之複數個弓形孔徑。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中該複數個孔徑包含該板形部件中之複數個環形段孔徑。
- 如請求項3之可程式化相位板，其中該等環形段孔徑係由被機械支撐件分離之複數個片段形成，且其中該等機械支撐件包含用於將電壓提供至該等孔徑處之電極之電接點。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中該複數個孔徑包含複數個圓段形孔徑。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中該至少兩個同心圓之各者之一孔徑數目為至少4個之倍數。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中該孔徑之徑向寬度係在約10微米至小於一微米之範圍內。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中該等孔徑之一徑向寬度在環與環之間變化。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中連接至該等孔徑中之至少一者以用於與該帶電粒子束相互作用之構件包含電連接至該至少一個孔徑以用於變更該孔徑處之一電場之構件。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中該等孔徑之一子集具有一共同電壓。
- 如請求項1之可程式化相位板，其中連接至該等孔徑中之至少一者以用於與該帶電粒子束相互作用之構件包含連接至該至少一個孔徑以用於選擇性地阻礙該帶電粒子束之通過該孔徑的構件。
- 如請求項11之可程式化相位板，其中用於選擇性地阻礙該帶電粒子束之通過該孔徑之該構件係可控制的以完全遮蔽該孔徑、部分遮蔽該孔 徑，或使該孔徑未遮蔽。
- 如請求項11之可程式化相位板，其中一可用阻礙度係在0%至100%之範圍內。
- 一種用於使一帶電粒子束成像之系統，其包含一帶電粒子束之一源；及如請求項1之一可程式化相位板，其經配置以接收該帶電粒子束。
- 一種使一帶電粒子束進行成像之方法，該方法包含以下步驟：在位於距一帶電粒子束系統之一光軸各別相對較大距離處的複數個不同位置周圍掃描視場(fields-of-view)；及動態地控制如請求項1之一可程式化相位板在該孔徑處之電壓或該帶電粒子束之振幅以控制電子探針形成。
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