TWI752575B - 曝光裝置 - Google Patents

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日商日本顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可無光罩地進行曝光之曝光裝置。 曝光裝置具備：光源面板，其具有基板及複數個像素，該複數個像素2維地配置於上述基板之上方，且各自包含發光元件；驅動部，其獨立驅動上述複數個發光元件；偏光件；及固定構件。各個上述發光元件出射紫外光，且構成為俯視下最長之1邊之長度為500 μm以下。

Description

曝光裝置
本發明之實施形態係關於一種曝光裝置。
作為顯示面板開發有液晶顯示面板。一般而言，液晶顯示面板具有：陣列基板；對向基板，其與該陣列基板空出特定間隙而對向配置；密封材料，其將陣列基板及對向基板接合；及液晶層，其形成於由陣列基板、對向基板及密封材料包圍之區域。陣列基板及對向基板分別具有與液晶層相接之配向膜。有對配向膜實施配向處理之情形。
作為配向處理法，已知有光配向處理法作為無摩擦配向法。光配向處理法可藉由使用曝光裝置對配向膜照射直線偏光而進行。藉此，實施光配向處理後之配向膜可控制液晶分子之初始配向。
於密封材料之硬化亦使用曝光裝置。該情形時，可藉由使用曝光裝置對密封材料照射光而進行。
如上所述，曝光裝置用於液晶顯示面板之製造步驟等各種場景。
本實施形態提供一種可無光罩地曝光之曝光裝置。
一實施形態之曝光裝置具備： 光源面板，其具有基板及複數個像素，該複數個像素2維地配置於上述基板之上方，且各自包含發光元件；驅動部，其獨立驅動上述複數個發光元件；偏光件，其與上述複數個發光元件對向；及固定構件，其固定上述偏光件與上述光源面板之相對位置；且各個上述發光元件出射紫外光，且構成為俯視下最長之1邊之長度為500 μm以下。
又，一實施形態之曝光裝置具備： 光源面板，其具有基板及複數個像素，該複數個像素2維地配置於上述基板之上方，且各自包含發光元件；及驅動部，其獨立驅動上述複數個發光元件；且各個上述發光元件出射紫外光，且構成為俯視下最長之1邊之長度為500 μm以下。
以下，一面參照圖式一面對本發明之一實施形態、變化例、及比較例進行說明。另，揭示僅為一例，關於業者針對保持發明主旨之適當變更可容易想到者，當然包含於本發明之範圍。又，圖式係為了使說明更明確，與實際之態樣相比，有對各部之寬度、厚度、形狀等模式性表示之情形，但僅為一例，並非限定本發明之解釋。又，於本說明書與各圖中，對與已出現之圖中所述者相同之要素，有時標註相同之符號，並適當省略詳細說明。
(第1實施形態) 對第1實施形態進行說明。首先，對使用曝光裝置形成之液晶顯示面板之構成進行說明。圖1係顯示本實施形態之液晶顯示面板DP之一部分之立體圖。
如圖1所示，液晶顯示面板DP具備：陣列基板1；對向基板2，其與陣列基板空出特定間隙而對向配置；及密封材料51。圖中，對密封材料51標註有斜線。液晶顯示面板DP具有：陣列基板1與對向基板2重疊之顯示區域DA、及顯示區域DA外側之非顯示區域NDA。密封材料51位於非顯示區域NDA。
圖2係顯示液晶顯示面板DP之一部分之剖視圖。如圖2所示，於陣列基板1之外表面側，配置未圖示之背光單元。液晶顯示裝置由液晶顯示面板、上述背光單元等形成。
陣列基板1具有作為透明絶縁基板之玻璃基板11、陣列圖案1p、及配向膜28。陣列圖案1p形成於玻璃基板11上。配向膜28形成於陣列圖案1p上。陣列圖案1p及配向膜28不僅形成於顯示區域DA，亦形成於非顯示區域NDA。
對向基板2具備作為透明絕緣基板之玻璃基板41、對向圖案2p、複數個柱狀間隔件8、及配向膜43。對向圖案2p形成於玻璃基板41上。作為複數個間隔件之複數個柱狀間隔件8及配向膜43形成於對向圖案2p上。對向圖案2p、複數個柱狀間隔件8、及配向膜43不僅形成於顯示區域DA，亦形成於非顯示區域NDA。
配向膜43與配向膜28對向。配向膜28及配向膜43使用光分解型之配向膜材料形成。配向膜28及配向膜43由例如光分解型之聚醯亞胺樹脂形成。對配向膜28及配向膜43實施光配向處理。
柱狀間隔件8保持陣列基板1及對向基板2之間隙。液晶層3位於陣列基板1與對向基板2之間，形成於由陣列基板1、對向基板2、及密封材料51包圍之空間。於陣列基板1及對向基板2之外表面，分別配置有包含偏光板之光學構件。
圖3係顯示液晶顯示面板DP之俯視圖。如圖3所示，顯示區域DA具有矩形狀之形狀。非顯示區域NDA具有矩形框狀之形狀。密封材料51位於非顯示區域NDA內，設置於陣列基板1(配向膜28)及對向基板2(配向膜43)間，且連續形成為矩形框狀。密封材料51可利用丙烯酸或環氧樹脂等光硬化型之樹脂而形成。液晶顯示面板DP具備驅動器9。驅動器9設置於陣列基板1中未與對向基板2對向之區域。
圖4係顯示陣列基板1之一部分之俯視圖。如圖4所示，於顯示區域DA中，於玻璃基板11上配置有複數條掃描線15、複數條信號線21、及複數條輔助電容線17。複數條掃描線15於第1方向d1延伸，於與第1方向d1正交之第2方向d2空出間隔排列。複數條信號線21與複數條掃描線15交叉，於第2方向d2延伸，且於第1方向d1空出間隔排列。複數條輔助電容線17與複數條信號線21交叉，於第1方向d1延伸，且於第2方向d2空出間隔排列。
此處，陣列基板1及對向基板2於顯示區域DA中，具有矩陣狀配置之複數個像素20。各個像素20設置於由相鄰之2條信號線21及相鄰之2條輔助電容線17包圍之區域。
圖5係顯示陣列基板1之一部分之放大俯視圖，即顯示陣列基板1之配線構造之圖。如圖5所示，各個像素20具備作為開關元件之TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)19、像素電極26、輔助電容電極13等。
TFT19設置於掃描線15與信號線21之交叉部附近。TFT19具有半導體層12、及將掃描線15之一部分延伸而成之閘極電極16。半導體層12由非晶矽、多晶矽等半導體形成。閘極電極16與半導體層12交叉。
信號線21與半導體層12之源極區域連接。接觸電極22分別連接於半導體層12之汲極區域、與像素電極26。各像素電極26之周緣部重疊於輔助電容線17及信號線21。輔助電容電極13重疊於輔助電容線17，與輔助電容線17一起構成輔助電容元件24。
圖6係顯示液晶顯示面板DP之一部分之放大剖視圖，即顯示液晶顯示面板DP之構造之圖。如圖6所示，於顯示區域DA中，於玻璃基板11上形成有輔助電容電極13。另，於玻璃基板11上，亦形成有上述半導體層12。
於形成有輔助電容電極13之玻璃基板11上，設置有閘極絕緣膜14。於閘極絕緣膜14上，形成有輔助電容線17。另，於閘極絕緣膜14上，亦形成有掃描線15及閘極電極16。輔助電容線17及輔助電容電極13隔著閘極絕緣膜14對向配置。於閘極絕緣膜14、輔助電容線17等之上，成膜有層間絕緣膜18。
接觸電極22穿過形成於閘極絕緣膜14及層間絕緣膜18之接觸孔而連接於輔助電容電極13。此處，輔助電容線17係除去輔助電容電極13與接觸電極22之連接部而形成。
於層間絕緣膜18、信號線21、及接觸電極22之上，形成有保護絕緣膜23。保護絕緣膜23亦發揮作為將因基板上之配線等產生之凹凸平坦化之平坦化膜之作用。保護絕緣膜23不僅覆蓋顯示區域DA，亦覆蓋非顯示區域NDA。
於保護絕緣膜23上，藉由ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等透明導電材料分別形成有像素電極26。於與接觸電極22重疊之保護絕緣膜23形成有接觸孔25。各像素電極26穿過接觸孔25連接於接觸電極22。
於顯示區域DA中，陣列圖案1p係積層於玻璃基板11與像素電極26之間者。配向膜28覆蓋保護絕緣膜23及像素電極26。
另一方面，於對向基板2中，於玻璃基板41上設置有彩色濾光片4。彩色濾光片4具有遮光部31、周邊遮光部、及複數個著色層。複數個著色層具有例如紅色之著色層30R、綠色之著色層30G、藍色之著色層30B。
遮光部31點陣狀形成。遮光部31與輔助電容線17及信號線21對向而形成。周邊遮光部32形成為矩形框狀，且形成於非顯示區域NDA之全體。
著色層30R、30G、30B形成於玻璃基板41及遮光部31上。著色層30R、30G、30B沿第2方向d2帶狀延伸。著色層30R、30G、30B於第1方向d1彼此相鄰，且交替排列。著色層30R、30G、30B之周緣部重疊於遮光部31。
另，於彩色濾光片4上，亦可配置未圖示之保護層。藉此，可緩和遮光部31及彩色濾光片4表面之凹凸之影響。於彩色濾光片4(保護層)上，藉由ITO等透明導電膜形成有對向電極42。於顯示區域DA中，對向圖案2p積層於玻璃基板41與對向電極42之間。配向膜43覆蓋對向電極42。
圖7係顯示沿圖3之線VII-VII之液晶顯示面板DP之周緣部之放大剖視圖。如圖7所示，密封材料51接著於配向膜28與配向膜43。
如上所述形成液晶顯示面板DP。
接著，作為製造上述液晶顯示面板DP時使用之曝光裝置，對第1曝光裝置EX1及第2曝光裝置EX2進行說明。
首先，對第1曝光裝置EX1進行說明。圖8係顯示第1曝光裝置EX1之俯視圖。第1曝光裝置EX1為發出直線偏光之偏光曝光裝置。
如圖8所示，第1曝光裝置EX1具備光源面板LP、及偏光件PO。光源面板LP具有基板SUB、及複數個像素PX。複數個像素PX於基板SUB之上方2維地配置。各個像素PX包含後述之發光元件。偏光件PO與複數個發光元件(複數個像素PX)對向。
光源面板LP具備複數個像素群PXG。複數個像素群PXG分別於列方向X延伸，於與列方向正交之行方向Y排列。各個像素群PXG由複數個像素PX中於列方向排列X之複數個像素PX構成。於各個像素群PXG中，複數個像素PX於列方向X空出間隙g1而排列。於本實施形態中，光源面板LP具備4個像素群PXG，但亦可具備2個、3個、或5個以上之像素群PXG。
關注於行方向Y上相鄰之一對像素群PXG之情形時，一像素群PXG之各個間隙g1與另一像素群PXG之像素PX於行方向Y對向，另一像素群PXG之各個間隙g1與一像素群PXG之像素PX於行方向Y對向。例如，關注於第1列像素群PXG1、與第2列像素群PXG2之情形時，像素群PXG1之間隙g1與像素群PXG2之像素PX於行方向Y對向，像素群PXG2之間隙g1與像素群PXG1之像素PX於行方向Y對向。
於本實施形態中，另一像素群PXG之像素PX於行方向Y上不僅與一像素群PXG之間隙g1對向，亦與一像素群PXG之複數個像素PX中之上述間隙g1之相鄰兩側之一對像素PX對向。且，一像素群PXG之像素PX於行方向Y上不僅與另一像素群PXG之間隙g1對向，亦與另一像素群PXG之複數個像素PX中之上述間隙g1之相鄰兩側之一對像素PX對向。
例如，關注於第1列像素群PXG1、與第2列像素群PXG2之情形時，像素群PXG2之像素PX與像素群PXG1之間隙g1及上述間隙g1之相鄰兩側之一對像素PX於行方向Y對向。像素群PXG1之像素PX與像素群PXG2之間隙g1及上述間隙g1之相鄰兩側之一對像素PX於行方向Y對向。
如上所述，複數個像素PX於列方向X對齊，但於行方向Y未對齊。複數個像素PX於行方向Y鋸齒狀配置。
一像素群PXG之複數個像素PX、與另一像素群PXG之複數個像素PX於行方向Y空出間隙g2而配置。例如，關注於行方向Y上相鄰之像素群PXG1、與像素群PXG2之情形時，像素群PXG1之複數個像素PX、與像素群PXG2之複數個像素PX於行方向Y空出間隙g2而配置。
圖9係顯示第1曝光裝置EX1之剖視圖。如圖9所示，第1曝光裝置EX1進而具備固定構件AL。固定構件AL以固定偏光件PO與光源面板LP之相對位置之方式構成。於本實施形態中，固定構件AL由接著層構成，位於偏光件PO與光源面板LP之間，將偏光件PO接著於光源面板LP。
偏光件PO與發光元件之發光面對向。偏光件PO以使自光源面板LP(發光元件)出射之光為直線偏光之方式構成。偏光件PO具有與列方向X平行之吸收軸、及與行方向Y平行之易透射軸。透射偏光件PO之直線偏光之偏光面與Y-Z平面平行。此處，方向Z正交於列方向X及行方向Y之各者。
圖10係顯示第1曝光裝置EX1之光源面板LP、第1電路基板6、第2電路基板7、及面板驅動器5之立體圖。另，於圖10中，省略上述偏光件PO及固定構件AL之圖示。
如圖10所示，第1曝光裝置EX1除光源面板LP外，亦進而具備第1電路基板6、第2電路基板7、及面板驅動器5。光源面板LP於一例中為矩形狀。於圖示之例中，光源面板LP之第1邊SX與列方向X平行，光源面板LP之第2邊SY與行方向Y平行。方向Z相當於光源面板LP之厚度方向。光源面板LP之主面平行於由列方向X與行方向Y定義之X-Y平面。
光源面板LP具有發光區域LA、及發光區域LA外側之非發光區域NLA。非發光區域NLA具有端子區域MT。於圖示之例中，非發光區域NLA包圍發光區域LA。發光區域LA為選擇性出射光之區域，即配置有複數個像素PX之區域。端子區域MT沿光源面板LP之第1邊SX設置，包含用以將光源面板LP與外部裝置等電性連接之端子。
第1電路基板6安裝於端子區域MT之上，與光源面板LP連結。第1電路基板6係例如可撓性印刷電路基板。第1電路基板6具備驅動光源面板LP之面板驅動器5(驅動IC(Integrated Circuit：積體電路)晶片)等。第2電路基板7係例如可撓性印刷電路基板。第2電路基板7於第1電路基板6之例如下方與第1電路基板6連接。另，於圖示之例中，面板驅動器5配置於第1電路基板6之上，但亦可配置於第1電路基板6之下。又，面板驅動器5亦可安裝於第1電路基板6以外者，可安裝於例如第2電路基板7。
上述之面板驅動器5經由例如第2電路基板7與控制基板(未圖示)連接。藉由面板驅動器5基於自例如控制基板輸出之驅動信號驅動複數個像素PX而執行使光源面板LP選擇性出射光之控制。
圖11係顯示光源面板LP及面板驅動器5之俯視圖，即顯示光源面板LP之電路構成之圖。如圖11所示，光源面板LP具有電絕緣性之基板SUB。於該基板SUB上，配置有複數個像素PX、各種配線、閘極驅動器GD1及GD2、及選擇電路SD。
上述之各種配線於發光區域LA中延伸，並被拉出至非發光區域NLA。於圖11中，作為各種配線之一部分，例示有複數條控制配線SSG、及複數條信號線VL。於發光區域LA中，控制配線SSG及信號線VL連接於像素PX。控制配線SSG於非發光區域NLA中連接於閘極驅動器GD1及GD2。信號線VL於非發光區域NLA中連接於選擇電路SD。
閘極驅動器GD1及GD2、與選擇電路SD位於非發光區域NLA。對閘極驅動器GD1、GD2、及選擇電路SD，自面板驅動器5施加各種信號或電壓。面板驅動器5與閘極驅動器GD1、GD2、及選擇電路SD一起構成驅動部DR。上述驅動部DR以獨立驅動複數個像素PX之複數個發光元件之方式構成。
接著，參照圖12，對光源面板LP中之像素PX之電路構成(像素電路)之一例進行說明。圖12係顯示光源面板LP之像素PX之一例之電路圖。於本實施形態中，複數個像素PX同樣地構成。因此，此處為方便起見，以複數個像素PX中之一像素PX為代表進行說明。
如圖12所示，像素PX具備：發光元件LED(Light Emitting Diode：發光二極體)；及像素電路，其用以對發光元件LED供給驅動電流，而驅動該發光元件。上述像素電路具有驅動電晶體DRT、輸出電晶體BCT、像素電晶體SST、初始化電晶體IST、重設電晶體RST、保持電容Cs、及輔助電容Cad。於本實施形態中，發光元件LED及上述像素電路對每像素PX配置。
圖12所示之各電晶體為n通道型電晶體。另，輸出電晶體BCT、像素電晶體SST、初始化電晶體IST、及重設電晶體RST各者亦可不由電晶體構成。輸出電晶體BCT、像素電晶體SST、初始化電晶體IST及重設電晶體RST只要分別作為輸出開關、像素開關、初始化開關、重設開關發揮功能即可。
於以下之說明中，將電晶體之源極電極及汲極電極之一者設為第1電極，另一者設為第2電極。又，將電容元件之一電極設為第1電極，另一電極設為第2電極。
驅動電晶體DRT、後述之像素電極及發光元件LED於第1電源線PVH與第2電源線PVL之間串聯連接。第1電源線PVH保持在恆定電位，第2電源線PVL保持在與第1電源線PVH之電位不同之恆定電位。於本實施形態中，第1電源線PVH之電位PVDD高於第2電源線PVL之電位PVSS。具體而言，第1電源線PVH之電位PVDD為例如9 V，第2電源線PVL之電位PVSS為例如0 V。
驅動電晶體DRT之第1電極連接於發光元件LED之第1電極(陽極)、保持電容Cs之第1電極、及輔助電容Cad之第1電極。驅動電晶體DRT之第2電極連接於輸出電晶體BCT之第1電極。驅動電晶體DRT亦可控制對發光元件LED供給之電流(電流值)。
輸出電晶體BCT之第2電極連接於第1電源線PVH。又，發光元件LED之第2電極(陰極)連接於第2電源線PVL。
像素電晶體SST之第1電極連接於驅動電晶體DRT之閘極電極、初始化電晶體IST之第1電極、及保持電容Cs之第2電極。像素電晶體SST之第2電極連接於信號線VL。初始化電晶體IST之第2電極連接於初始化電源線BL。
保持電容Cs電性連接於驅動電晶體DRT之閘極電極與第1電極(源極電極)之間。
輔助電容Cad之第2電極保持在恆定電位。於本實施形態中，輔助電容Cad之第2電極連接於例如第1電源線PVH，且保持在與第1電源線PVH之電位相同之恆定電位(PVDD)。另，輔助電容Cad之第2電極可保持在與第2電源線PVL之電位相同之恆定電位(PVSS)，亦可保持在與不同於第1電源線PVH及第2電源線PVL之電源線(第3電源線)相同之恆定電位。作為第3電源線，可列舉初始化電源線BL或重設電源線RL作為保持在恆定電位之配線。
重設電晶體RST之第1電極連接於驅動電晶體DRT之第1電極。重設電晶體RST之第2電極連接於重設電源線RL。
對信號線VL供給驅動信號Vsig。驅動信號Vsig為寫入至像素PX之信號，該驅動信號Vsig之最小值為例如0 V，該驅動信號Vsig之最大值為例如3 V。
對初始化電源線BL供給初始化電位Vini。初始化電位Vini為例如1.2 V。
重設電源線RL設定為重設電源電位Vrst。重設電源電位Vrst被施加相對於PVSS具有如發光元件LED不發光之電位差之電位，例如-2 V。
輸出電晶體BCT之閘極電極連接於控制配線SBG。對該控制配線SBG，供給輸出控制信號BG。
像素電晶體SST之閘極電極連接於控制配線SSG。對該控制配線SSG，供給驅動控制信號SG。
初始化電晶體IST之閘極電極連接於控制配線SIG。對該控制配線SIG，供給初始化控制信號IG。
重設電晶體RST之閘極電極連接於控制配線SRG。對該控制配線SRG，供給重設控制信號RG。
另，圖12所示之元件電容Cled為發光元件LED之第1電極(陽極)與第2電極(陰極)之間之電容。
於圖12中，已以上述所有電晶體皆為NchTFT進行說明，但例如驅動電晶體DRT以外之電晶體可全部為PchTFT，亦可為NchTFT及PchTFT混存。
又，驅動電晶體DRT亦可為PchTFT。該情形時，只要構成為發光元件LED中電流沿與本實施形態相反方向流動即可。於任一情形時，輔助電容Cad皆耦合於發光元件LED之電極中之驅動電晶體DRT側之電極即可。
又，如圖11中所說明，由於光源面板LP具備2個閘極驅動器GD1及GD2，故可自兩側之閘極驅動器GD1及GD2對1個像素PX供電。此處，對上述之控制配線SSG採用兩側供電方式，對其他控制配線採用單側供電方式。但，光源面板LP亦可不具備2個閘極驅動器GD1及GD2，而只要具備至少1個閘極驅動器即可。
另，圖12中說明之電路構成為一例，只要為包含上述之驅動電晶體DRT、保持電容Cs、及輔助電容Cad者，則光源面板LP之電路構成亦可為其他構成。例如，可省略圖12中說明之電路構成中之一部分，亦可追加其他構成。
接著，參照圖13，對光源面板LP之剖面構造進行說明。圖13係顯示光源面板LP之構造之一例之剖視圖。於圖13中，主要對光源面板LP之3個像素PX及非發光區域NLA之剖面構造進行說明。
如圖13所示，光源面板LP之陣列基板AR具備基板SUB。作為基板SUB，主要可使用石英、無鹼玻璃等玻璃基板、或聚醯亞胺等樹脂基板。另，作為樹脂基板，不限於聚醯亞胺，亦可使用其他樹脂材料。藉此，基板SUB亦可稱為有機絕緣層、樹脂層等。
於基板SUB上，設置有三層積層構造之底塗層62。底塗層62具有由氧化矽(SiO2 )形成之第1層62a、由氮化矽(SiN)形成之第2層62b、及由氧化矽(SiO2 )形成之第3層62c。最下層之第1層62a係為了提高與基材即基板SUB之密接性而設置，中層之第2層62b係作為阻擋來自外部之水分及雜質之阻擋膜而設置。又，最上層之第3層62c係作為防止第2層62b中含有之氫原子擴散至後述之半導體層SC側之阻擋膜而設置。
另，底塗層62並非限定於該構造者。底塗層62可進而積層，亦可為單層構造或雙層構造。例如，基板SUB為玻璃之情形時，由於氮化矽膜之密接性相對較佳，故可於該基板SUB上直接形成氮化矽膜。
遮光層63配置於基板SUB之上。遮光層63之位置與後續要形成TFT之部位對準。於本實施形態中，遮光層63由例如金屬形成，但只要由黑色層等具有遮光性之材料形成即可。
又，於本實施形態中，遮光層63設置於第1層62a之上，由第2層62b覆蓋。另，遮光層63亦可設置於基板SUB之上，由第1層62a覆蓋。
根據此種遮光層63，可抑制光向TFT通道背面侵入，因此可抑制起因於可能自基板SUB側入射之光之TFT特性之變化。又，於由導電層形成遮光層63之情形時，亦可藉由對該遮光層63施加特定電位，而對TFT賦予背閘極效應。
於上述之底塗層62上，形成有驅動電晶體DRT等TFT。作為TFT，舉例對半導體層SC利用多晶矽之多晶矽TFT。於本實施形態中，利用低溫多晶矽形成有半導體層SC。此處，驅動電晶體DRT為N通道型之TFT(NchTFT)。
NchTFT之半導體層SC具有第1區域、第2區域、第1區域及第2區域之間之通道區域、及分別設置於通道區域及第1區域之間以及通道區域及第2區域之間之低濃度雜質區域。第1及第2區域之一者作為源極區域發揮功能，第1及第2區域之另一者作為汲極區域發揮功能。
作為閘極絕緣膜GI，使用氧化矽膜。閘極電極GE由MoW(鉬/鎢)形成。另，閘極電極GE等形成於閘極絕緣膜GI之上之配線或電極稱為第1配線或第1金屬。閘極電極GE除作為TFT之閘極電極之功能外，亦具有作為後述之保持電容電極之功能。此處以頂閘極型之TFT為例進行說明，但TFT亦可為底閘極型之TFT。
於閘極絕緣膜GI及閘極電極GE之上，設置有層間絕緣膜64。層間絕緣膜64係於閘極絕緣膜GI及閘極電極GE之上，依序積層例如氮化矽膜及氧化矽膜而構成。
於層間絕緣膜64之上，設置有第1電極E1、第2電極E2、及引繞配線LL。第1電極E1、第2電極E2、及引繞配線LL分別採用三層積層構造(Ti系/Al系/Ti系)。於該三層積層構造中，下層包含Ti(鈦)、含Ti之合金等以Ti為主成分之金屬材料。中層包含Al(鋁)、含Al之合金等以Al為主成分之金屬材料。上層包含Ti、含Ti之合金等以Ti為主成分之金屬材料。另，第1電極E1等形成於層間絕緣膜64之上之配線或電極稱為第2配線或第2金屬。
第1電極E1連接於半導體層SC之第1區域。第2電極E2連接於半導體層SC之第2區域。例如，半導體層SC之第1區域作為源極區域發揮功能之情形時，第1電極E1為源極電極，第2電極E2為汲極電極。該情形時，第1電極E1與層間絕緣膜64及TFT之閘極電極(保持電容電極)GE一起形成保持電容Cs。
引繞配線LL延伸至基板SUB周緣之端部，形成連接第1電路基板6或面板驅動器5之端子。
平坦化膜65以覆蓋TFT及引繞配線LL之方式，形成於層間絕緣膜64、第1電極E1、第2電極E2、及引繞配線LL之上。作為平坦化膜65，較多使用感光性丙烯酸等有機絕緣材料。與藉由CVD(Chemical Vapor deposition：化學氣相沈積)等形成之無機絕緣材料相比，配線階差之覆蓋性或表面之平坦性優異。平坦化膜65於像素接觸部及周邊區域被去除。
於平坦化膜65之上，設置有包含導電層66a及66b之導電層。該導電層作為氧化物導電層，由例如ITO(氧化銦錫)形成。
導電層66a被覆例如因去除平坦化膜65而露出第1電極E1之部位。導電層66a之目的之一在於，成為用以於製造步驟中防止第1電極E1或引繞配線LL之露出部分遭受損傷的障壁膜。
另，導電層66b等形成於平坦化膜65上之配線或電極稱為第3配線或第3金屬。又，作為形成端子部之表面之導電層，亦可形成有圖4所示之導電層66c。
平坦化膜65及導電層(導電層66a及66b)由絕緣層67被覆。絕緣層67由例如氮化矽膜形成。於絕緣層67之上，形成有像素電極68。像素電極68經由絕緣層67之開口與導電層66a接觸，而電性連接於第1電極E1。此處，像素電極68成為用以安裝發光元件LED之連接端子。像素電極68由單一之導電層、包含雙層以上之導電層之積層體形成。於像素電極68中，採用例如雙層積層構造(Al系/Mo系)。於該雙層積層構造中，下層包含Mo、含Mo之合金等以Mo為主成分之金屬材料。上層包含Al、含Al之合金等以Al為主成分之金屬材料。
導電層66b、絕緣層67、及像素電極68形成上述之輔助電容Cad。
於絕緣層67及像素電極68之上，設置有絕緣層69。絕緣層69由例如氮化矽形成。絕緣層69將像素電極68之端部等絕緣，且具有用以於像素電極68表面之一部分安裝發光元件LED之開口。絕緣層69之開口大小考慮發光元件LED之安裝步驟中之安裝偏移量等，而設為較發光元件LED大一圈之開口。
於發光區域LA中，於陣列基板AR(像素電極68)之上，安裝有發光元件LED。發光元件LED具有陽極AN、陰極CA、及發出光之發光層LI。陽極AN及陰極CA配置於介隔發光層LI對向之位置。
發光元件LED之陽極側端子接觸並固定於對應之像素電極68。發光元件LED之陽極AN與像素電極68之間之接合只要可確保兩者間良好之導通，且避免陣列基板AR之形成物破損，則未特別限定。可採用例如使用低溫熔融之焊料之回焊步驟、或經由導電膏將發光元件LED載置於陣列基板AR上後焙燒耦合等方法、或對像素電極68之表面與發光元件LED之陽極AN使用同系材料，並進行超音波接合等固相接合之方法。
各個發光元件LED以出射紫外光之方式構成。於本實施形態中，第1曝光裝置EX1係用以對配向膜實施光配向處理之偏光曝光裝置。因此，期望發光元件LED出射之紫外光於280 nm以下之波長範圍內(200-280 nm)具有主峰值。另，上述紫外光亦可於上述以外之波長範圍內具有主峰值。
各個發光元件LED由發光二極體(LED)構成。各個發光元件LED構成為俯視下最長之1邊之長度為500 μm以下。本實施形態之發光元件LED具有俯視下1邊之長度為500 μm之正方形之形狀。
但，發光元件LED之尺寸並非限定於本實施形態者，而可進行各種變化。發光元件LED可為俯視下最長之1邊之長度超過100 μm且小於300 μm之迷你LED。或，發光元件LED亦可為俯視下最長之1邊之長度為100 μm以下之微型LED。或，發光元件LED又可為俯視下最長之1邊之長度為300 μm以上且500 μm以下之LED。
於安裝有發光元件LED之陣列基板AR之上，設置有元件絕緣層70。元件絕緣層70由填充於發光元件LED之間之空隙部之樹脂材料形成於陣列基板AR之上。另，元件絕緣層70使發光元件LED中之陰極CA之表面露出。
對向電極71配置於介隔發光元件LED與像素電極68對向之位置。對向電極71形成於對向電極71之陰極CA之表面與元件絕緣層70之上，並與陰極CA接觸，藉此與該陰極CA電性連接。對向電極71為了提取來自發光元件LED之出射光，需要形成為透明電極。對向電極71使用例如ITO作為透明導電材料而形成。對向電極71將安裝於發光區域LA之複數個發光元件LED之陰極CA共通地連接。雖未圖示，但對向電極71在設置於例如發光區域LA外側之陰極接觸部與設置於陣列基板AR側之配線連接。
對向電極71以俯視下覆蓋發光區域LA之方式形成，且延伸至非發光區域NLA，並與導電層66d電性連接。導電層66d連通於第2電源線PVL。
另一方面，發光元件LED之側壁部分被保護膜等絕緣之情形時，未必需要以樹脂材料等填充間隙，樹脂材料只要至少可將陽極AN、與自陽極AN露出之像素電極68之表面絕緣即可。該情形時，對向電極71只要可不斷開而連續覆蓋複數個發光元件LED即可。
如上所述，陣列基板AR具有基板SUB至對向電極71之構造。另，上述偏光件PO與複數個發光元件LED對向，位於對向電極71之上方。
接著，對第2曝光裝置EX2進行說明。圖14係顯示上述第2曝光裝置之俯視圖。第2曝光裝置EX2與第1曝光裝置EX1不同，係發出無偏光之曝光裝置。
如圖14所示，第2曝光裝置EX2與上述第1曝光裝置EX1之不同點在於，無偏光件PO及固定構件AL地構成。
本實施形態之第2曝光裝置EX2之光源面板LP除發光元件LED以外，與上述第1曝光裝置EX1之光源面板LP同樣地構成。光源面板LP具有：基板SUB；及複數個像素PX，其等2維地配置於基板SUB之上方，且分別包含發光元件。驅動部DR以獨立驅動複數個發光元件LED之方式構成(圖11至13)。各個發光元件LED出射紫外光，且構成為俯視下最長之1邊之長度為500 μm以下。
於本實施形態中，第2曝光裝置EX2為以無偏光曝光密封材料51用之曝光裝置。密封材料51藉由紫外線區域之無偏光而硬化。因此，期望發光元件LED出射之紫外光於315 nm以上之波長範圍內(315-400 nm)具有主峰值。另，上述紫外光亦可於上述以外之波長範圍內具有主峰值。
接著，說明使用第1曝光裝置EX1及第2曝光裝置EX2之液晶顯示面板DP之製造方法。圖15係說明液晶顯示面板DP之製造步驟之圖，即顯示在母玻璃101上形成有陣列圖案之狀態之俯視圖。
如圖1至圖7、及圖15所示，首先，準備尺寸大於陣列基板1之作為第1母基板之母玻璃101作為透明絶縁基板。根據該實施形態，母玻璃101具有用以形成陣列基板1之6個矩形狀之陣列基板形成區域R6、及偏離陣列基板形成區域R6之非有效區域R7。母玻璃101具有重疊於陣列基板形成區域R6周緣之第1分斷預定線e1。
於準備之母玻璃101上，藉由重複成膜及圖案化等通常之製造步驟，而形成包含TFT19、輔助電容元件24、像素電極26等之陣列圖案1p。
接著，於母玻璃101之配向膜材料塗佈區域上塗佈光分解型之配向膜材料，而於母玻璃101上形成包含配向膜材料之配向膜28。例如，可於形成有陣列圖案1p之母玻璃101上，使用旋塗法塗佈配向膜材料，而形成配向膜28。利用旋塗法之情形時，配向膜材料塗佈區域為母玻璃101上全體。
另，可以替代上述旋塗法而使用噴墨工藝塗佈配向膜材料。利用噴墨工藝之情形時，配向膜材料塗佈區域可限定為陣列基板形成區域R6。
圖16係接續於圖15，顯示於液晶顯示面板DP之製造步驟中，對上述母玻璃101上之配向膜28實施光配向處理之狀態之圖。圖17係顯示包含圖16所示之母玻璃101、陣列圖案1p、及配向膜28之被處理基板110、載物台ST、及第1曝光裝置EX1之剖視圖。
如圖16及圖17所示，接著，以配向膜28朝向第1曝光裝置EX1側之方式，將被處理基板110載置於載物台ST之上。此時，使被處理基板110之第1方向d1、與第1曝光裝置EX1之列方向X平行，使被處理基板110之第2方向d2、與第1曝光裝置EX1之行方向Y平行。第1曝光裝置EX1之偏光件PO與配向膜28對向。
此處，於方向Z，將偏光件PO之與光源面板LP對向之側之面至被處理基板110之與偏光件PO對向之側之面的距離設為DI1。將偏光件PO之厚度設為T。將偏光件PO之與被處理基板110對向之側之面至被處理基板110之與偏光件PO對向之側之面的距離設為DI2。距離DI1設定為2 mm以下。厚度T為0.5 mm以下。距離DI2設定為1.0 mm以下。藉此，可抑制自第1曝光裝置EX1照射至被處理基板110之光擴散。
於本實施形態中，厚度T為0.5 mm，距離DI2為1.0 mm。因此，距離DI1設定為1.5 mm。
接著，對被處理基板110之配向膜28，一面於與行方向Y平行之方向掃描，一面照射行方向Y之直線偏光並曝光。此時，一面使載物台ST於與行方向Y平行之方向定速移動，一面由驅動部DR切換發光元件LED之接通/斷開。如上所述，可無光罩地對配向膜28實施光配向處理(照射偏光UV)。
光配向處理之對象至少為配向膜28中之顯示區域DA全域。關於配向膜28中與密封材料51相接之區域，設為非光配向處理之對象。藉此，可抑制經由密封材料51接著之陣列基板1與對向基板2之接著強度降低。
複數個像素PX於行方向Y鋸齒狀配置。因此，可抑制光照射量之不均。
藉此，以1塊母玻璃101完成6塊陣列基板1。
圖18係顯示液晶顯示面板DP之製造步驟中，於母玻璃102上形成對向圖案2p之狀態之俯視圖。
如圖1、圖2、圖3、圖6及圖7、以及圖18所示，另一方面，於對向基板2之製造方法中，首先，準備尺寸大於對向基板2之作為第2母基板之母玻璃102作為透明絶縁基板。根據該實施形態，母玻璃102具有用以形成對向基板2之6個矩形狀之對向基板形成區域R8、及偏離對向基板形成區域R8之非有效區域R9。母玻璃102具有重疊於對向基板形成區域R8周緣之第2分斷預定線e2。
於準備之母玻璃102上，藉由通常之製造步驟，形成對向圖案2p。接著，使用旋轉器，將例如感光性丙烯酸性之透明樹脂塗佈於母玻璃102上全面。接著，使透明樹脂乾燥。其後，使用特定之光罩，對透明樹脂進行曝光而圖案化。接著，將經曝光之透明樹脂顯影後，焙燒並使其硬化。藉此，形成柱狀間隔件8。
其後，於形成有對向圖案2p之母玻璃102上形成配向膜43，並對配向膜43實施光配向處理。此時，使用第1曝光裝置EX1等，對配向膜43實施與對配向膜28實施之光配向處理同樣之光配向處理。光配向處理之對象至少為配向膜43中之顯示區域DA全域。於配向膜43中，關於與密封材料51相接之區域，亦設為非光配向處理之對象。藉此，可抑制經由密封材料51接著之陣列基板1與對向基板2之接著強度降低。
藉此，以1塊母玻璃102完成6個對向基板2。
圖19係顯示液晶顯示面板DP之製造步驟中，形成6塊陣列基板1之母玻璃101與形成6塊對向基板2之母玻璃102經由密封劑貼合之狀態之俯視圖。
接著，如圖7及圖19所示，於母玻璃101及母玻璃102之任一者之配向膜(28、43)之非顯示區域NDA上設置密封劑51a。此處，於陣列基板1之配向膜28之非顯示區域NDA上，遍及整周，藉由印刷法塗佈密封劑51a。對密封劑51a，利用紫外線硬化型之密封劑。藉此，框狀地形成密封劑51a。
其後，於由密封劑51a包圍之區域滴下液晶材料。接著，以配向膜28及配向膜43對向之方式，將母玻璃101及母玻璃102對向配置，且藉由複數個柱狀間隔件8將陣列基板1及對向基板2保持特定之間隙而對向配置，並藉由密封劑51a將陣列基板1及對向基板2之周緣部彼此貼合。
圖20係接續於圖19，顯示於液晶顯示面板DP之製造步驟中，對密封劑51a照射紫外光之狀態之圖。圖21係顯示圖20所示之載物台ST、第2曝光裝置EX2、及被處理基板120之剖視圖。被處理基板120包含母玻璃101、102、陣列圖案1p、對向圖案2p、配向膜28、43、密封劑51a、及液晶層3。
如圖20及圖21所示，接著，於載物台ST之上載置被處理基板120。第2曝光裝置EX2以可向被處理基板120照射無偏光之方式配置。
此處，於方向Z，將光源面板LP之與被處理基板120對向之側之面至被處理基板120之與光源面板LP對向之側之面的距離設為DI3。距離DI3設定為1.0 mm以下。藉此，可抑制自第2曝光裝置EX2照射至被處理基板120之光擴散。
於本實施形態中，距離DI3為1.0 mm。
接著，對被處理基板120之密封劑51a，一面於與行方向Y平行之方向掃描，一面照射無偏光並曝光。此時，一面使載物台ST於與行方向Y平行之方向定速移動，一面由驅動部DR切換發光元件LED之接通/斷開。如上所述，可無光罩地對密封劑51a進行曝光而圖案化。曝光之對象至少為密封劑51a之全域。關於液晶材料，設為非曝光之對象。藉此，可抑制液晶層3之品質降低。
如上所述，可自外部對密封劑51a照射紫外光而使密封劑51a硬化。亦可根據需要，對密封劑51a進而實施熱硬化處理，而進一步使其硬化。藉由形成由將密封劑51a硬化而成之密封材料51，而經由密封材料51將母玻璃101及母玻璃102接合。
又，藉由將母玻璃101及母玻璃102貼合，可於由母玻璃101、母玻璃102及密封材料51包圍之空間形成液晶層3。
接著，沿第1分斷預定線e1分割母玻璃101，且沿第2分斷預定線e2分割母玻璃102。分割時，例如沿第1分斷預定線e1及第2分斷預定線e2繪製劃線而分割。藉此，分別自母玻璃101切出陣列基板1，自母玻璃102切出對向基板2。
藉此，如圖3所示，自經分斷之母玻璃101及母玻璃102，取出6組液晶顯示面板DP，6個液晶顯示面板DP便各自完成。
根據如上述構成之實施形態之第1曝光裝置EX1及第2曝光裝置EX2，第1曝光裝置EX1可無光罩地對配向膜28、43實施光配向處理。第2曝光裝置EX2可無光罩地對密封劑51a進行曝光。因此，可獲得能無光罩地進行曝光之第1曝光裝置EX1及第2曝光裝置EX2。
接著，對上述第1實施形態中之詳細尺寸進行探討。圖22係顯示本實施形態之第1曝光裝置EX1之複數個發光元件LED之接通/斷開、與光之照射範圍IA之關係的圖。
如圖22所示，於第1曝光裝置EX1中，光源面板LP之複數個像素PX於列方向X排列100個，於行方向Y排列100個。圖中，選取100列及100行像素PX中複數個像素PX而記載。於圖22中，複數個像素PX於列方向X及行方向Y配置成矩陣狀，但實際上，如圖8所示，於行方向各偏移半個間距而配置。各個像素PX具有正方形之形狀，於列方向X及行方向Y具有500 μm之長度。於發光區域LA中，列方向X及行方向Y之長度分別為50 mm。
第1曝光裝置EX1之發光元件LED出射之紫外光於365 nm具有主峰值。偏光件PO由石英板形成，偏光件PO之厚度T為0.2 mm。被處理基板110與偏光件PO間之距離DI2為0.5 mm。形成配向膜28及配向膜43時，塗佈由紫外光進行光分解之聚醯亞胺，且該紫外光於365 nm具有主峰值。
全點亮(使所有像素PX之發光元件LED發光)時之照度為0.5 mW/cm2 。使載物台ST(被處理基板110)以0.5 mm/s之定速於如上所述之第1曝光裝置EX1之下方移動。將該掃描實施合計30次(單程30次)，照射量為1.5 J/cm2 。
於上述第1曝光裝置EX1中，為了獲得如圖示之照射範圍IA，於某期間如圖示般切換複數個發光元件LED之接通/斷開，而對配向膜賦予圖案。複數個發光元件LED之接通/斷開根據搬送之被處理基板110與第1曝光裝置EX1之相對位置而進行。雖配向膜上之照射範圍IA自期望之範圍擴大1像素PX量，但未自期望之範圍擴大2像素PX以上。且，確認未對配向膜中之照射範圍IA以外之區域實施光配向處理。換言之，可避免經由密封材料51接著之陣列基板1與對向基板2之接著強度降低。
於本實施形態中，複數個發光元件LED獨立受驅動，距離DI2為0.5 mm。因此，可無光罩地對配向膜照射直線偏光，可抑制自第1曝光裝置EX1照射至被處理基板110之光擴散。
(比較例1) 接著，對比較例1進行說明。圖23係顯示本比較例1之第1曝光裝置EX1之複數個發光元件LED之接通/斷開、與光之照射範圍IA之關係的圖。
於本比較例1之第1曝光裝置EX1中，光源面板LP之構成與第1實施形態相同。
又，第1曝光裝置EX1之發光元件LED出射之紫外光、或偏光件PO亦與第1實施形態相同。與第1實施形態之不同點在於，被處理基板110與偏光件PO間之距離DI2被設定為1.5 mm。
自第1曝光裝置EX1向被處理基板110照射直線偏光係於與上述第1實施形態相同之條件下進行。
於上述第1曝光裝置EX1中，為了獲得如圖示之照射範圍IA，於某期間如圖示般切換複數個發光元件LED之接通/斷開，而對配向膜賦予圖案。結果，配向膜上之照射範圍IA自期望之範圍擴大3像素PX量。
藉此，結果，於顯示區域DA之周緣，因配向不足產生圖像之殘像。
又，結果，配向膜中與密封材料51相接之區域亦被照射光。於液晶顯示面板DP進行拉伸強度試驗時，可確認陣列基板1與對向基板2容易剝離。又，即便不進行上述試驗，於完成液晶顯示面板DP後以丙酮清洗液晶顯示面板DP時，亦可確認被照射光之配向膜溶解，密封材料51剝離之情況。
於上述第1實施形態與比較例1中，顯示藉由設定被處理基板110與偏光件PO間之間隔DI2，光配向順利進行之例與未順利進行之例，但本發明者等人進一步研究，結果發現偏光件PO之厚度T為0.5 mm以下之情形時，期望將距離DI2設定為1.0 mm以下。
(第2實施形態) 接著，對第2實施形態進行說明。於進行尺寸較大之母玻璃之曝光之情形時，第1曝光裝置EX1及第2曝光裝置EX2亦可排列複數個光源面板LP而構成。此處，代表第1曝光裝置EX1及第2曝光裝置EX2而對第1曝光裝置EX1進行說明。圖22係顯示本實施形態之第1曝光裝置EX1之俯視圖。
如圖22所示，第1曝光裝置EX1進而具備第1曝光單元EU1及第2曝光單元EU2。第1曝光單元EU1及第2曝光單元EU2分別由光源面板LP、偏光件PO、及上述固定構件(AL)之集合體構成。另，第2曝光裝置EX2之情形時，第1曝光單元EU1及第2曝光單元EU2分別由光源面板LP構成即可。
上述驅動部(DR)構成為獨立驅動第1曝光單元EU1之複數個發光元件(LED)、與第2曝光單元EU2之複數個發光元件(LED)。
於本實施形態之例中，第1曝光單元EU1與第2曝光單元EU2如下配置：於行方向Y偏移配置，於列方向X，第1曝光單元EU1之光源面板LP之右側端部、與第2曝光單元EU2之光源面板LP之左側端部重疊。
於此種配置中，配置成第1曝光單元EU1中之像素PX間之間隙g1、第2曝光單元EU2中之像素PX間之間隙g1、及列方向X上之第1曝光單元EU1之右端之像素PX與第2曝光單元EU2之左端之像素PX之間隙g3為相同間隔。
例如，關注於第1曝光單元EU1之第1列像素群PXG1、與第2曝光單元EU2之第1列像素群PXG1。第1曝光單元EU1中之間隙g1、第2曝光單元EU2中之間隙g1、及第1曝光單元EU1之像素群PXG1之右端之像素PX與第2曝光單元EU2之像素群PXG1之左端之像素PX的間隙g3相同。
藉由調整為此種間隙，即便於曝光單元EU之接合部，掃描處理中被處理基板110之累計照射量亦不變化，而可實現均勻之照射。又，於不同曝光單元間存在偏光軸差之情形時，作為掃描時之累計照射量，將來自不同曝光單元各者之末端像素PX之照射量混合而累計，因此使液晶顯示面板以中間調顯示時，亦可抑制因接合部之偏光軸角度偏移所致之亮度不均。
如上所述，亦可根據被處理基板110之第1方向d1之長度，將複數個曝光單元EU於列方向X排列而構成第1曝光裝置EX1。另，第1曝光裝置EX1亦可於列方向X排列3個以上之曝光單元EU而構成。藉此，可縮短第1曝光裝置EX1之照射期間。
或，第1曝光裝置EX1亦可於行方向Y排列3個以上之曝光單元EU而構成。該情形時，亦可縮短第1曝光裝置EX1之照射期間。
於如上所述構成之第2實施形態之曝光裝置EX中，亦可獲得與上述實施形態相同之效果。
(第3實施形態) 接著，對第3實施形態進行說明。圖25係顯示本實施形態之第1曝光裝置EX1之俯視圖。
如圖25所示，於第1曝光裝置EX1中，偏光件PO由複數塊偏光板PP構成。複數塊偏光板PP分別實體獨立，於列方向X及行方向Y彼此不重疊地於列方向X排列。於本實施形態中，偏光件PO具備2塊偏光板PP，但未限於此，亦可於列方向X排列3塊以上之偏光板PP而構成。
複數塊偏光板PP與複數個像素PX中彼此不同之複數個像素PX對向。因此，重疊於一偏光板PP之像素PX未重疊於另一偏光板PP。
此處，關注於複數塊偏光板PP中於列方向X相鄰之一對偏光板PP之邊界部B。像素群PXG1～PXG4於行方向Y排列時，於列方向X各偏移一個像素PX之半個間距量而配置。本變化例2之偏光板PP之列方向X之端部根據該像素群PXG1～PXG4之偏移而形成為階差狀。因此，邊界部B重疊於列方向X上之間隙g1、與行方向Y上之間隙g2，而未重疊於像素PX。因此，即便使第1曝光裝置EX1接近於被處理基板110，將距離DI2設定為1.0 mm以下，亦可抑制光照射量之不均及偏光軸之不均。
於如上所述構成之第3實施形態之曝光裝置EX中，亦可獲得與上述第1及第2實施形態相同之效果。
(比較例2、比較例3、及比較例4) 接著，對第2及第3實施形態之比較例進行說明。圖26係顯示比較例2之第1曝光裝置EX1之俯視圖。圖27係顯示比較例3之第1曝光裝置EX1之俯視圖。圖28係顯示比較例4之第1曝光裝置EX1之俯視圖。
於圖26之比較例2中，偏光板PP之列方向X之端部無關於像素群PXG1～4之偏移之配置，而於行方向Y形成為直線狀。因此，偏光板PP之邊界部B之一部分與像素PX交叉。因此，使用比較例2之第1曝光裝置EX1之情形時，於邊界部B，產生偏光軸之不均。
此處，於圖29顯示使用圖26之例時之第1曝光裝置EX1之複數個發光元件LED之接通/斷開、與光之照射範圍IA之關係。
於圖29之第1曝光裝置EX1中，對光源面板LP如圖26所示使用複數個偏光件PP，圖26B所示之偏光件之邊界相當於圖29中之x座標51之部位。
然而，圖29中之x座標51之位置相當於圖24之偏光件之邊界B左右處配向軸不同之像素，因此使液晶顯示面板DP以中間調顯示時，於製造時與邊界部B對向之位置，產生第2方向d2(行方向Y)之直線狀之顯示不均。
於圖27之比較例3中，於偏光板PP之間形成有間隙。邊界部B具有寬度。於比較例3中，邊界部B之一部分亦與像素PX交叉。因此，使用比較例3之第1曝光裝置EX1之情形時，於邊界部B，產生光照射量之不均。
於圖28之比較例4中，複數個像素PX間之間隙g1中邊界部B位於其之間之間隙g1大於其他間隙g1。與上述之實施形態、以及比較例2及3不同，於比較例4中，雖不存在重疊於偏光板PP之端部之像素PX，但像素PX間之間隙g1並非固定。因此，使用比較例4之第1曝光裝置EX1之情形時，於邊界部B之附近，產生光照射量之不均。
雖已說明本發明之實施形態及變化例，但該等實施形態及變化例係作為例子而提示者，並未意圖限定發明之範圍。上述新穎之實施形態及變化例可以其他各種形態實施，於不脫離發明主旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。上述實施形態或其之變化包含於發明範圍或主旨內，且包含於申請專利範圍所記載之發明及與其均等之範圍內。
本申請案以日本專利申請案第2019-164875(申請日：2019年9月10日)為基礎，享受該申請案之優先權。本申請案藉由參照該申請案而包含該申請案之全部內容。
1:陣列基板 1p:陣列圖案 2:對向基板 2p:對向圖案 3:液晶層 4:彩色濾光片 5:面板驅動器 6:第1電路基板 7:第2電路基板 8:柱狀間隔件 9:驅動器 11:玻璃基板 12:半導體層 13:輔助電容電極 14:閘極絕緣膜 15:掃描線 16:閘極電極 17:輔助電容線 18:層間絕緣膜 19:TFT 20:像素 21:信號線 22:接觸電極 23:保護絕緣膜 24:輔助電容元件 25:接觸孔 26:像素電極 28:配向膜 30B:著色層 30G:著色層 30R:著色層 31:遮光部 32:周邊遮光部 41:玻璃基板 42:對向電極 43:配向膜 51:密封材料 51a:密封劑 62:底塗層 62a:第1層 62b:第2層 62c:第3層 63:遮光層 64:層間絕緣膜 65:平坦化膜 66a:導電層 66b:導電層 66c:導電層 66d:導電層 67:絕緣層 68:像素電極 69:絕緣層 70:元件絕緣層 71:對向電極 101:母玻璃 102:母玻璃 110:被處理基板 120:被處理基板 AL:固定構件 AN:陽極 AR:陣列基板 B:邊界部 BCT:輸出電晶體 BG:輸出控制信號 BL:初始化電源線 CA:陰極 Cad:輔助電容 Cled:元件電容 Cs:保持電容 DA:顯示區域 DI1:距離 DI2:距離 DI3:距離 DP:液晶顯示面板 DR:驅動部 DRT:驅動電晶體 e1:第1分斷預定線 e2:第2分斷預定線 E1:第1電極 E2:第2電極 EU1:第1曝光單元 EU2:第2曝光單元 EX1:第1曝光裝置 EX2:第2曝光裝置 g1:間隙 g2:間隙 g3:間隙 GD1:閘極驅動器 GD2:閘極驅動器 GE:閘極電極 GI:閘極絕緣膜 IA:照射範圍 IG:初始化控制信號 IST:初始化電晶體 LA:發光區域 LED:發光元件 LI:發光層 LL:引繞配線 LP:光源面板 MT:端子區域 NDA:非顯示區域 NLA:非發光區域 PO:偏光件 PP:偏光板 PVDD:電位 PVH:第1電源線 PVL:第2電源線 PVSS:電位 PX:像素 PXG1～PXG4:像素群 R6:陣列基板形成區域 R7:非有效區域 R8:對向基板形成區域 R9:非有效區域 RG:重設控制信號 RL:重設電源線 RST:重設電晶體 SBG:控制配線 SC:半導體層 SD:選擇電路 SG:驅動控制信號 SIG:控制配線 SRG:控制配線 SSG:控制配線 SST:像素電晶體 ST:載物台 SUB:基板 SX:第1邊 SY:第2邊 T:厚度 Vini:初始化電位 VL:信號線 Vrst:重設電源電位 Vsig:驅動信號
圖1係顯示使用第1實施形態之第1曝光裝置及第2曝光裝置形成之液晶顯示面板之一部分之立體圖。 圖2係顯示上述液晶顯示面板之一部分之剖視圖。 圖3係顯示上述液晶顯示面板之俯視圖。 圖4係顯示圖1至圖3所示之陣列基板之一部分之俯視圖。 圖5係顯示上述陣列基板之一部分之放大俯視圖，即顯示陣列基板之配線構造之圖。 圖6係顯示上述液晶顯示面板之一部分之放大剖視圖，即顯示液晶顯示面板之構造之圖。 圖7係顯示沿圖3之線VII-VII之上述液晶顯示面板之周緣部之放大剖視圖。 圖8係顯示上述第1曝光裝置之俯視圖。 圖9係顯示上述第1曝光裝置之剖視圖。 圖10係顯示上述第1曝光裝置之光源面板、第1電路基板、第2電路基板、及面板驅動器之立體圖。 圖11係顯示上述光源面板及面板驅動器之俯視圖，即顯示上述光源面板之電路構成之圖。 圖12係顯示上述光源面板之像素之一例之電路圖。 圖13係顯示上述光源面板之構造之一例之剖視圖。 圖14係顯示上述第2曝光裝置之俯視圖。 圖15係說明使用上述第1曝光裝置及第2曝光裝置之液晶顯示面板之製造步驟之圖，即顯示在母玻璃上形成有陣列圖案之狀態之俯視圖。 圖16係接續於圖15，顯示於上述液晶顯示面板之製造步驟中，對上述母玻璃上之配向膜實施光配向處理之狀態之圖。 圖17係顯示包含圖16所示之母玻璃、陣列圖案、及配向膜之被處理基板、載物台、及上述第1曝光裝置之剖視圖。 圖18係顯示上述液晶顯示面板之製造步驟中，於母玻璃上形成有對向圖案之狀態之俯視圖。 圖19係接續於圖16及圖18，顯示於上述液晶顯示面板之製造步驟中，將形成有6塊陣列基板之母玻璃與形成有6塊對向基板之母玻璃經由密封劑貼合之狀態之俯視圖。 圖20係接續於圖19，顯示於上述液晶顯示面板之製造步驟中，對密封劑照射紫外光之狀態之圖。 圖21係顯示圖20所示之載物台、上述第2曝光裝置、及被處理基板之剖視圖。 圖22係顯示上述第1實施形態之第1曝光裝置之複數個發光元件之接通/斷開、與光之照射範圍之關係的圖。 圖23係顯示比較例1之第1曝光裝置之複數個發光元件之接通/斷開、與光之照射範圍之關係的圖。 圖24係顯示第2實施形態之第1曝光裝置之俯視圖。 圖25係顯示第3實施形態之第1曝光裝置之俯視圖。 圖26係顯示比較例2之第1曝光裝置之俯視圖。 圖27係顯示比較例3之第1曝光裝置之俯視圖。 圖28係顯示比較例4之第1曝光裝置之俯視圖。 圖29係顯示使用圖26之例時之第1曝光裝置之複數個發光元件之接通/斷開、與光之照射範圍之關係的圖。
EX1:第1曝光裝置
g1:間隙
g2:間隙
LP:光源面板
PO:偏光件
PX:像素
PXG1~PXG4:像素群
SUB:基板

Claims (5)

  1. 一種曝光裝置，其具備：光源面板，其具有基板、複數個像素及複數個像素群，該複數個像素2維地配置於上述基板之上方且各自包含發光元件，該複數個像素群分別於列方向延伸且排列於與上述列方向正交之行方向；驅動部，其獨立驅動上述複數個發光元件；偏光件，其與上述複數個發光元件對向；及固定構件，其固定上述偏光件與上述光源面板之相對位置；且各個上述像素群由上述複數個像素中排列於上述列方向之複數個像素構成；各個上述像素群之上述複數個像素於上述列方向空出間隙而排列，且若關注於上述行方向上相鄰之一對上述像素群，一上述像素群之各個上述間隙與另一上述像素群之上述像素於上述行方向對向，上述另一上述像素群之各個上述間隙與上述一上述像素群之上述像素於上述行方向對向；各個上述發光元件出射紫外光，且構成為俯視下最長之1邊之長度為500μm以下；上述偏光件由各自實體獨立且互不重疊地排列於上述列方向之複數塊偏光板構成，且上述複數塊偏光板與上述複數個像素中互不相同之複數個像素對 向，若關注於上述行方向上相鄰之一對上述像素群，上述一上述像素群之上述複數個像素與上述另一上述像素群之上述複數個像素於上述行方向空出間隙而配置，關注於上述複數塊偏光板中於上述列方向相鄰之一對偏光板之邊界部之情形時，上述邊界部重疊於上述列方向上之上述間隙、與上述行方向上之上述間隙，而未重疊於上述像素。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其中上述紫外光於280nm以下之波長範圍內具有主峰值。
  3. 如請求項1之曝光裝置，其中上述另一上述像素群之上述像素於上述行方向不僅與上述一上述像素群之上述間隙對向，且亦與上述一上述像素群之上述複數個像素中之上述間隙之相鄰兩側的一對像素對向，上述一上述像素群之上述像素於上述行方向不僅與上述另一上述像素群之上述間隙對向，且亦與上述另一上述像素群之上述複數個像素中之上述間隙之相鄰兩側的一對像素對向。
  4. 如請求項3之曝光裝置，其進而具備第1曝光單元及第2曝光單元，且上述第1曝光單元及上述第2曝光單元各自由上述光源面板、上述偏光件、及上述固定構件之集合體構成，上述驅動部獨立驅動上述第1曝光單元之上述複數個發光元件、及上 述第2曝光單元之上述複數個發光元件，若將上述列方向設為與左右方向平行，則上述第1曝光單元之上述光源面板之右側端部、與上述第2曝光單元之上述光源面板之左側端部於上述行方向對向，若關注於上述第1曝光單元之複數個像素群中第n列像素群、與上述第2曝光單元之複數個像素群中上述第n列像素群，上述第1曝光單元中之上述間隙、上述第2曝光單元中之上述間隙、及上述列方向上之上述第1曝光單元之右端像素與上述第2曝光單元之左端像素之間隙相同。
  5. 如請求項1之曝光裝置，其進而具備第1曝光單元及第2曝光單元，且上述第1曝光單元及上述第2曝光單元各自由上述光源面板、上述偏光件、及上述固定構件之集合體構成，上述驅動部獨立驅動上述第1曝光單元之上述複數個發光元件、及上述第2曝光單元之上述複數個發光元件，若將上述列方向設為與左右方向平行，則上述第1曝光單元之上述光源面板之右側端部、與上述第2曝光單元之上述光源面板之左側端部於上述行方向對向，若關注於上述第1曝光單元之複數個像素群中第n列像素群、與上述第2曝光單元之複數個像素群中上述第n列像素群，上述第1曝光單元中之上述間隙、上述第2曝光單元中之上述間隙、及 上述列方向上之上述第1曝光單元之右端像素與上述第2曝光單元之左端像素之間隙相同。
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