TWI748985B - 拋光墊及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種拋光墊，包括：拋光層堆疊，其具有拋光表面、底表面及從拋光表面至底表面之孔洞。拋光層堆疊包括具有拋光表面的拋光層。不透流體層鋪展於孔洞及拋光墊。以第一黏著材料形成之第一黏著層與拋光層之底表面接觸，且將拋光層之底表面固定至不透流體層。第一黏著層鋪展於孔洞及拋光墊。透光主體定位於孔洞中，且具有下表面，下表面與第一黏著層接觸且固定至第一黏著層，且下表面透過間隙與孔洞之側壁分隔開。以不同的第二材料形成之黏著密封劑設置於間隙中且橫向填充於間隙。

Description

拋光墊及其製造方法

本發明描述一種具有窗的拋光墊、一種包含此拋光墊之系統、及用於製造及使用此拋光墊之程序。

積體電路通常藉由在矽晶圓上依序沉積導電、半導體或絕緣層而在基板上形成。一個製作步驟牽涉在非平坦表面上沉積填充層，且平坦化填充層。對於某些應用，填充層經平坦化直到暴露圖案化層的頂表面。舉例而言，導電填充層可沉積在圖案化的絕緣層上，以填充絕緣層中的溝槽或孔隙。在平坦化之後，遺留在絕緣層之浮現的圖案之間的金屬層的部分形成通道、插頭及線路，而提供基板上薄膜電路之間的導電路徑。對於諸如氧化拋光的其他應用，填充層經平坦化直到在非平坦表面上剩餘預定的厚度。此外，基板表面的平坦化對光蝕刻而言通常是必須的。

化學機械拋光(CMP)為一種認可的平坦化方法。此平坦化方法通常需要將基板安裝在承載或拋光頭上。基板暴露的表面通常置放成抵靠旋轉拋光墊。承載頭在基板上提供可控制的負載，以推擠基板抵靠拋光墊。研磨拋光漿料通常供應至拋光墊的表面。

一般而言，需要偵測何時達到所欲表面平坦度或層厚度，或何時暴露下方的層，以便決定是否停止拋光。已發展數種技術用於在CMP處理期間原位偵測終點。舉例而言，已利用一種光學監測系統用於在層的拋光期間原位量測基板上層的均勻度。光學監測系統可包括在拋光期間將光束導向基板的光源、量測從基板反射的光之偵測器、及分析來自偵測器之訊號且計算是否已偵測到終點的電腦。在某些CMP系統中，光束透過拋光墊中的窗而導向基板。

在一個態樣中，一種拋光墊包括：拋光層堆疊，其具有拋光表面、底表面及從拋光表面至底表面之孔洞。拋光層堆疊包括具有拋光表面的拋光層。不透流體層鋪展於孔洞及拋光墊。以第一黏著材料形成之第一黏著層與拋光層之底表面接觸，且將拋光層之底表面固定至不透流體層。第一黏著層鋪展於孔洞及拋光墊。透光主體定位於孔洞中，且具有下表面，下表面與第一黏著層接觸且固定至第一黏著層，且透光主體透過間隙與孔洞之側壁分隔開。以不同的第二材料形成之黏著密封劑佈置於間隙中且橫向填充於間隙。

實施方式可包括一或更多以下特徵。透光主體可比拋光層更軟。黏著密封劑可具有與透光主體大約相同的硬度。拋光層可具有約58-65蕭耳D的硬度，且透光主 體可具有約45-60蕭耳D的硬度。透光主體之頂表面相對於拋光表面可凹陷。

間隙可完全橫向圍繞透光主體。黏著密封劑可完全垂直地填充間隙。黏著密封劑可延伸以接觸第一黏著層，而不延伸至透光主體下方。第二黏著層可定位在不透流體層相對於第一黏著層之一側，且與不透流體層接觸。第一黏著材料可為感壓黏著劑且第二黏著材料可為固化的環氧樹脂或聚氨酯。穿過第二黏著層之孔洞可與透光主體對齊。

可移除襯墊可覆蓋第二黏著層。拋光層堆疊可包括拋光層及背襯層。拋光層可為起絨的聚氨酯，且背襯層可為與拋光層不同的材料。背襯層及不透流體層之各者可為聚酯。拋光墊可具有小於約3mm的總厚度。

在另一態樣中，一種製造拋光墊之方法，包括以下步驟：形成孔洞，該孔洞從拋光表面穿過拋光層堆疊至拋光層的底表面，以暴露第一黏著層，該第一黏著層位於且接觸拋光層堆疊的底表面並鋪展於孔洞及拋光墊。拋光層堆疊包括具有拋光表面的拋光層。第一黏著層將拋光層堆疊的底表面固定至鋪展於孔洞及拋光墊的不透流體層。在拋光層堆疊之孔洞中定位預形成的透光主體，使得透光主體之下表面接觸且黏著至第一黏著層；配給黏著密封劑至間隙中以橫向填充間隙，該間隙將透光主體與孔洞之側壁分開；及固化黏著密封劑。

實施方式可包括一或更多以下特徵。可配給黏著密封劑而完全垂直地填充間隙。可移除第二黏著層之一部分，該第二黏著層定位在不透流體層相對於第一黏著層之一側，且與不透流體層接觸，其中該部分與透明主體對齊。形成孔洞之步驟可包括將拋光層堆疊之一部分從第一黏著層剝離，而在不透流體膜上於孔洞中留下一大塊第一黏著層。形成孔洞之步驟可包括將拋棄式蓋從第一黏著層剝離，而在不透流體膜上於孔洞中留下一大塊第一黏著層。拋棄式蓋可為與拋光層不同的材料。

實施方式可包括一或更多以下優點。可降低液體透過拋光墊中的窗而洩漏的風險。可降低窗的分層化之風險及/或可增加窗的尺寸而不會增加分層化的風險。可降低窗翹曲的風險。窗可為軟的，但透過從拋光表面凹陷，可降低調整程序刮傷窗表面並降低透明度之風險。

一或更多實施方式之細節在隨附圖式及以下描述中提及。其他態樣、特徵及優點從該描述及圖式且從申請專利範圍將為顯而易見的。

如第1圖中所圖示，CMP裝置10包括拋光頭12，用於保持半導體基板14在平台16上抵靠拋光墊18。CMP裝置可如美國專利第5,738,574號中所述而建構。

舉例而言，基板可為產品基板（例如，包括多重記憶體或處理器晶片）、測試基板、裸基板及閘基板（gating substrate）。基板可處於積體電路製造的任何階段，例如基板可為裸晶圓、或可包括一或更多沉積的及/或圖案化的層。術語基板可包括圓形碟及方形片狀。

拋光墊18可包括拋光層堆疊20。拋光層堆疊20具有拋光表面24以接觸基板，且包括藉由黏著結構28固定至平台16的底表面22。

參照第3圖，拋光層堆疊20包括一或更多層，包括提供拋光表面24的至少一拋光層70。拋光層70為在堆疊20中最上面的層。拋光層以適合用於化學機械拋光處理之耐磨材料形成。拋光層70可為起絨的聚合物材料。舉例而言，拋光層70可為碳粉填充的聚氨酯。拋光層70可具有約58-65（例如62）的蕭耳D（Shore D）硬度。

拋光層70可沉積於背襯層72上。拋光層70及背襯層72可以相同或不同的材料形成。背襯層72可為均質的片狀物或交織構造。背襯層72比拋光層70可具有更低的孔隙性及更低的可壓縮性。背襯層72可為聚酯，例如聚對苯二甲酸(PET)。

具有此拋光層堆疊的拋光墊例如可來自日本東京的Fujibo公司，名為H7000HN的產品取得。

或者，拋光層堆疊20可僅具有單一層，亦即拋光層70。因此，拋光層堆疊可以單一層的均質材料形成。

黏著結構28可為雙面黏著膠帶。舉例而言，仍參照第3圖，黏著結構28可包括分別以上黏著層82及下黏著層84塗佈的實質上透明的不透流體層80。上黏著層82抵靠拋光層堆疊20，且將黏著結構28結合至拋光層堆疊20。在使用中，下黏著層84抵靠平台16且將拋光墊18結合至平台16。上黏著層82及下黏著層兩者可為感壓黏著材料。上黏著層82及下黏著層84可具有約0.5至5密耳(千分之一吋)的厚度。不透流體層80可為聚酯，例如聚對苯二甲酸(PET)，例如Mylar^TM。不透流體層80可具有約1至7密耳的厚度。不透流體層80可比拋光層20更不易壓縮。

參照第2圖，在某些實施方式中拋光墊18具有約15吋的半徑R。舉例而言，拋光墊18可具有15.0吋(381.00mm)之半徑，而具有相對應約30吋的直徑、15.25吋(387.35mm)之半徑，而具有相對應30.5吋的直徑、或15.5吋(393.70mm)之半徑，而具有相對應31吋的直徑。當然，窗可實施在更小的墊或更大的墊中，例如，在具有42.5吋直徑之墊中。

參照第3圖，在某些實施方式中，可在拋光表面24中形成溝槽26。溝槽可佈置成交錯圖案之垂直溝槽，而將拋光表面劃分成矩形（例如，方形）區域（第3圖之視角顯示透過一組平行溝槽的截面）。或者，溝槽可為同心圓。溝槽26之側壁可垂直於拋光表面24，或溝槽可具有傾斜的側壁。具有斜的側壁之交錯圖案之垂直溝槽可稱為「鬆餅（waffle）」圖案。

返回第1圖，通常拋光墊材料以可包括研磨顆粒的化學拋光液體30淋濕。舉例而言，漿料可包括KOH（氫氧化鉀）及氣相二氧化矽（fumed-silica）顆粒。然而，某些拋光程序「不具研磨物」。拋光液體30可透過定位於拋光墊18上的埠32傳送。

隨著平台圍繞其中心軸旋轉，拋光頭12施加壓力至基板14以抵靠拋光墊18。此外，拋光頭12通常圍繞其中心軸旋轉，且透過驅動桿或平移臂36在平台16之表面上平移。介於基板及拋光表面之間的壓力及相對移動與拋光溶液一起導致基板的拋光。

光學孔洞42在平台16之頂表面中形成。包括光源44（例如，雷射）及偵測器46（例如光偵測器）的光學監測系統40可定位於平台16之頂表面的下方。舉例而言，光學監測系統可定位於腔室中與光學孔洞42光連通的平台16之內側，且可與平台一起旋轉。光學孔洞42可以諸如石英塊之透明的固體塊填充，或可為空的孔隙。光源44可利用從紅外至紫外之任何波長，諸如紅光，但亦可使用例如白光的寬帶光譜，且偵測器可為光譜儀。光可從光源44送至光學孔洞42，且從光學孔洞42藉由光纖（例如，分叉的光纖48）返回至偵測器46。

在某些實施方式中，光學偵測系統40及光學孔洞42以模組之部件形成，而配合至平台中相對應的凹槽。或者，光學偵測系統可為定位於平台下方的固定系統，且光學孔洞可延伸穿過平台。

窗50形成於覆蓋於上方的拋光墊18中且與平台中的光學孔洞42對齊。窗50及孔洞42可經定位，使得在至少部分地平台旋轉期間，不論頭12的平移位置，窗50及孔洞42均可檢視藉由拋光頭12保持的基板14。

在某些實施方式中，光學孔洞42為在平台中單純的孔隙，且光纖48延伸穿過孔隙，而光纖48之一端非常靠近或接觸窗50。

光源44透過孔洞42及窗50投射光束，以至少於窗50接近基板14之時間期間衝擊覆蓋於上方之基板14的表面。光從基板14反射形成藉由偵測器46所偵測的合成光束。光源44及偵測器46耦合至未圖示的電腦，該電腦從偵測器接收量測的光強度，且用以決定拋光終點及/或控制拋光參數，以改善拋光均勻度。

將正常大的方形窗（例如2.25吋乘以0.75吋之窗）置放於非常薄的拋光層的一個問題是拋光期間的分層化。特定而言，在拋光期間來自基板之橫向摩擦力可大於窗對墊之側壁的模製之黏著力。

返回第2圖，窗50沿著在拋光期間藉由基板施加之摩擦力的方向（在旋轉的拋光墊之情況中為正切於半徑）比垂直的方向（在旋轉的拋光墊之情況中為沿著半徑）更薄。舉例而言，窗50可使用1至25 mm寬（例如，約4 mm寬）及5至75 mm長（例如，約9.5 mm長）之面積。窗可置於距拋光墊18之中心6至12吋，例如約7.5吋（190.50 mm）的距離。

窗50可具有大約矩形的形狀，而較長的邊實質上平行於穿過窗之中心的拋光墊之半徑。在某些實施方式中，窗50具有不平整的周長52，例如周長可大於類似形狀之方形的周長。此舉增加用於將窗接觸至拋光墊之側壁的表面積，且因此可改善窗對拋光墊的黏著度。然而，在某些實施方式中，矩形窗45之周邊52的個別區段為光滑的。

窗50包括固體的透光主體60配合於拋光層堆疊20之孔洞54中。透光主體60為足夠地透明用於使來自光源的光穿過，使得可以偵測器偵測終點訊號。在某些實施方式中，透光主體對可見光為實質上透明的，例如對從400-700埃之波長為至少80%的可穿透。

透光主體可比拋光層70更軟。舉例而言，透光主體60可具有45-60蕭耳D的硬度，例如約50蕭耳D。透光主體60可以實質上純的聚氨酯形成。舉例而言，透光主體60可以「無色透明的」聚氨酯形成。

透光主體60座落於且結合至上黏著層82上。儘管上黏著層82描繪為主體60下方的連續層，可能有小面積的黏著物剝離。但一般而言，黏著物可覆蓋孔洞54中至少大部分的面積。

不透流體層80完全鋪展於孔洞54。在某些實施方式中，不透流體層80鋪展於整個拋光墊18。因為不透流體層80鋪展於孔洞54，所以可降低拋光液體洩漏的風險。

透光主體60之厚度比拋光層堆疊20些微地小。因此，透光主體60之頂表面64相對於拋光表面24些微地凹陷，例如差7.5至9.5密耳。藉由將透光主體60從拋光表面24凹陷，可降低調整程序刮傷窗表面且降低透明度之風險。

透光主體60比拋光墊堆疊20中的孔洞54些微地窄，而在透光主體60及拋光層20之間的所有側上留下小的間隙。密封劑64佈置於透光主體60之所有側上的間隙中。密封劑64橫向地填充於間隙（亦即，從透光主體60之側壁延伸至孔洞54之側壁）。然而，黏著密封劑64並不延伸於透光主體60下方，亦即介於透光主體60及不透流體層80之間。此外，黏著密封劑64不應延伸在透光主體60上方，亦即在頂表面62。然而，若某些黏著密封劑62在頂表面62上靠近透光主體60之周邊而未覆蓋來自光源之光束將穿過的中心區段，則此為可接受的。

在某些實施方式中，黏著密封劑64完全垂直地填充介於透光主體60及孔洞54之側壁之間的間隙。

然而，在某些實施方式中，黏著密封劑64無須完全垂直地填充間隙。舉例而言，如第9圖中所顯示，在介於上黏著層82及黏著密封劑64之間的垂直空間中可留下氣泡或空氣間隙66。

回到第3圖，黏著密封劑62可比拋光層70更軟。在某些實施方式中，黏著密封劑62為與透光主體60約相同的硬度，例如約50蕭耳D。黏著密封劑62可為UV或熱固化環氧樹脂。黏著密封劑62可為與上黏著層82之黏著物不同的黏著材料。

在某些實施方式中，下黏著層84在透光主體60之下方區域86中被移除。若存在下黏著層84，則存在來自藉由光源44所產生之光束的熱量將造成下黏著層84液化的風險，而可能增加窗組件的不透明度。

參照第4圖，在安裝於平台上之前，拋光墊18亦可包括襯墊90鋪展於拋光墊之底表面22上的黏著層28。襯墊可為不可壓縮且大致不透流體層，舉例而言，聚酯膜，例如聚對苯二甲酸(PET)、例如Mylar^TM。在使用中，將襯墊從拋光墊手動地剝離，且拋光層20以感壓黏著劑28施加至平台。在某些實施方式中，襯墊90鋪展於窗50，但在某些其他實施方式中，襯墊並非鋪展於窗40且立即從窗50的四周區域移除。

拋光墊18非常薄，例如小於3 mm、例如小於1 mm之厚度。舉例而言，拋光層堆疊20、黏著結構28及襯墊90之總厚度可為約0.9 mm。拋光層20可為約0.8 mm之厚度，而黏著物28及襯墊90提供剩餘的0.1 mm厚度。溝槽26可為拋光墊約一半之深度，例如粗略為0.5 mm。

因為透光主體60藉由上黏著層82（將主體60結合至不透流體層80）及黏著密封劑64（將主體60結合至拋光層20的側壁）兩者保持在拋光墊18之中，所以主體60可穩固地附著。因此，即使拋光墊很薄，仍可降低窗分層化的風險及/或可增加窗的尺寸而不會增加分層化的風險。

為了製造拋光墊，如藉由第5圖顯示，初始形成拋光層堆疊20，且拋光層20的底表面以黏著結構28及襯墊90覆蓋。可在拋光層20中形成溝槽26作為墊模塑程序之部分，或在形成拋光層堆疊20之後切割至拋光層堆疊20中。可在黏著結構28（及襯墊）附接至拋光層堆疊20之前或之後形成溝槽。

孔洞80穿過整個拋光層堆疊20而形成，但未穿至不透流體層80中，舉例而言，在多層黏著結構28附接至拋光層堆疊20之後，可以孔洞54的形狀作成精準地切割至拋光層堆疊20中。接著拋光層堆疊20之切除部分可從不透流體層80剝離，留下孔洞54且暴露至少部分的上黏著層82。理想地，當剝離切除部分時，上黏著層82維持附接至不透流體層80且不與切除部分一起剝離。所以孔洞54不延伸至上黏著層82中。然而，若上黏著層82之某些小補片被剝離，此仍為可接受的。

參照第7圖，固體透光主體60定位於孔洞54中而與上黏著層82接觸。固體透光主體60為預形成的，亦即在放置於孔洞54中之前以固體主體製作。相對於在孔洞中固化液體聚合物而定位，使用預形成的透光主體之潛在優點為獲得之窗及拋光墊的圍繞區域較不易遭受翹曲或失真。

在定位透光主體60之後，可從一端至另一端按壓且滾動滾子橫跨於主體60之頂表面62，而按壓主體60均勻地抵靠上黏著層82。此舉亦可將介於透光主體60及上黏著層82之間的任何空氣氣泡擠壓出。

透光主體60定位於孔洞54中，使得透光主體60藉由間隙68與孔洞54之側壁分離開來。參照第8圖，接著配給液體密封劑64至間隙68中。密封劑64可以注射器或吸管配給。藉由選擇具有足夠窄管道的注射器或吸管，管道可配合入間隙68中，使得液體密封劑從間隙的底部配給，且完全垂直地填充間隙68。

如第2圖中所顯示，密封劑64可完全地圍繞透光主體60。接著例如以熱或UV輻射固化密封劑64。

因此，穿過拋光墊的窗50藉由透光主體60及透光主體60下方的透光黏著結構28的部分之結合而提供。

若溝槽24與孔洞54相交，則當配給液體密封劑64至孔洞54中時，部分的液體密封劑可沿著溝槽24流動。因此，某些密封劑64可延伸穿過孔洞84之邊緣，以在溝槽中形成突起。當固化時，此等突起可進一步增加透光主體60對拋光墊之結合。

如上所述，下黏著層84之部分86在透光主體下方的區域可被移除，同時留下在拋光墊18之底表面22剩餘部分上的下黏著層84（見第3圖）。此部分86可在附接襯墊90之前移除。或者，此部分86可在附接襯墊90之後移除。舉例而言，在某些實施方式中，可附接襯墊90，且接著一起切除且移除襯墊90及下黏著層84之部分。作為另一範例，在某些實施方式中，可剝離窗四周的襯墊90之區域，移除下黏著層84之部分86，且接著將襯墊90之部分放回而與下黏著層84接觸。

刻畫以界定拋光層堆疊20的切除部分可由第一製造商實行，且墊與此刻畫一起運送，且接著由另一製造商或最終使用者移除拋光層堆疊20之切除部分且安裝透光主體60。或者，第一製造商可移除拋光層堆疊20之切除部分並在孔洞中安裝拋棄式蓋，且接著可藉由另一製造商或最終使用者移除拋棄式蓋且安裝透光主體60。此方式的優點在於當從一個製造商運送墊至另一者時，可保護上黏著層82不受污染。拋棄式蓋可為不同的材料，例如比拋光層更低成本的材料。

儘管已說明某些實施例，將理解可做出各種修改。舉例而言，儘管說明具有矩形周邊的窗，但窗可為其他形狀，例如橢圓形。因此，其他實施例仍在以下申請專利範圍之範疇之中。

10‧‧‧CMP裝置12‧‧‧拋光頭14‧‧‧半導體基板16‧‧‧平台18‧‧‧拋光墊20‧‧‧拋光層堆疊22‧‧‧底表面24‧‧‧拋光表面26‧‧‧溝槽28‧‧‧黏著結構30‧‧‧化學拋光液體32‧‧‧埠36‧‧‧平移臂40‧‧‧光學監測系統42‧‧‧光學孔洞44‧‧‧光源46‧‧‧偵測器48‧‧‧光纖50‧‧‧窗52‧‧‧周長54‧‧‧孔洞60‧‧‧透光主體62‧‧‧頂表面64‧‧‧黏著密封劑66‧‧‧空氣間隙68‧‧‧間隙72‧‧‧背襯層80‧‧‧不透流體層82‧‧‧上黏著劑84‧‧‧下黏著劑86‧‧‧部分90‧‧‧襯墊

第1圖為包含拋光墊之CMP裝置的截面視圖。

第2圖為具有窗之拋光墊的實施例之俯視圖。

第3圖為第2圖之拋光墊的截面視圖。

第4圖至第8圖圖示一種形成拋光墊之方法。

第9圖為拋光墊之另一實施方式的截面視圖。

類似的元件符號在各種圖式中表示類似的元件。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

(請換頁單獨記載) 無

18‧‧‧拋光墊

50‧‧‧窗

52‧‧‧周長

64‧‧‧密封劑

Claims (20)

1. 一種拋光墊，包含：一拋光層堆疊，該拋光層堆疊具有一拋光表面、一底表面及從該拋光表面至該底表面之一孔洞，該拋光層堆疊包括具有該拋光表面的一拋光層；一不透流體層，該不透流體層鋪展於該孔洞且鋪展於該拋光墊；以一第一黏著材料形成之一第一黏著層，該第一黏著層與該拋光層堆疊之該底表面接觸且將該拋光層堆疊之該底表面固定至該不透流體層，該第一黏著層鋪展於該孔洞及該拋光墊；一透光主體，該透光主體定位於該孔洞中且藉由一間隙與該孔洞之一側壁分隔開，該透光主體具有一下表面，該下表面與該第一黏著層接觸且固定至該第一黏著層；以一第二黏著材料形成之一黏著密封劑，該黏著密封劑設置於該間隙中且橫向填充於該間隙，該第二黏著材料與該第一黏著材料不同；及溝槽，在該拋光表面中形成該等溝槽，其中該黏著密封劑延伸穿過該孔洞的一邊緣以在該等溝槽中形成突起。
2. 如請求項1所述之拋光墊，其中該透光主體 比該拋光層更軟。
3. 如請求項2所述之拋光墊，其中該黏著密封劑具有與該透光主體大約相同的硬度。
4. 如請求項2所述之拋光墊，其中該拋光層具有約58-65蕭耳D(Shore D)的一硬度，且該透光主體具有約45-60蕭耳D的一硬度。
5. 如請求項1所述之拋光墊，其中該透光主體之一頂表面相對於該拋光表面而凹陷。
6. 如請求項1所述之拋光墊，其中該間隙完全橫向圍繞該透光主體。
7. 如請求項1所述之拋光墊，其中該黏著密封劑延伸以接觸該第一黏著層，而不延伸至該透光主體下方。
8. 如請求項7所述之拋光墊，其中該黏著密封劑完全垂直地填充於該間隙。
9. 如請求項1所述之拋光墊，包含一第二黏著層，該第二黏著層定位在該不透流體層相對於該第一黏著層之一側上，且與該不透流體層接觸。
10. 如請求項9所述之拋光墊，包含穿過該第二黏著層之一孔洞，該孔洞與該透光主體對齊。
11. 如請求項9所述之拋光墊，進一步包含一可移除襯墊，該可移除襯墊覆蓋該第二黏著層。
12. 如請求項1所述之拋光墊，其中該第一黏著材料包含一感壓黏著劑，且該第二黏著材料包含固化環氧樹脂或聚氨酯。
13. 如請求項1所述之拋光墊，其中該拋光層堆疊包含該拋光層及一背襯層，且其中該拋光層為一起絨的聚氨酯，且該背襯層為與該拋光層不同的一材料。
14. 如請求項13所述之拋光墊，其中該背襯層及該不透流體層之各者為聚酯。
15. 如請求項1所述之拋光墊，其中該拋光墊具有小於約3mm的一總厚度。
16. 一種製造一拋光墊之方法，包含以下步驟：形成一孔洞，該孔洞從一拋光表面穿過一拋光層堆疊至該拋光層堆疊的一底表面，以暴露一第一黏著層，該第一黏著層位於該拋光層堆疊的該底表面上且接觸該拋光層堆疊的該底表面並鋪展於該孔洞及該拋光墊，該拋光層堆疊包括具有該拋光表面的一拋光層，其中該第一黏著層將該拋光層堆疊的該底表面固定至鋪展於該孔洞及該拋光墊的一不透流體層；在該拋光層堆疊之該孔洞中定位預形成的一透光主體，使得該透光主體之一下表面接觸且黏著至該第一 黏著層；配給一黏著密封劑至將該透光主體與該孔洞之側壁分開的一間隙中以橫向填充該間隙，其中該黏著密封劑延伸穿過該孔洞的一邊緣以在溝槽中形成突起，在該拋光表面中形成該等溝槽；及固化該黏著密封劑。
17. 如請求項16所述之方法，其中配給該黏著密封劑之步驟完全垂直地填充該間隙。
18. 如請求項16所述之方法，包含以下步驟：移除一第二黏著層之一部分，該第二黏著層定位在該不透流體層相對於該第一黏著層之一側上，且與該不透流體層接觸，其中該部分與該透光主體對齊。
19. 如請求項16所述之方法，其中形成該孔洞之步驟包含以下步驟：將該拋光層堆疊之一部分從該第一黏著層剝離，而在該不透流體層上於該孔洞中留下一大塊該第一黏著層。
20. 如請求項16所述之方法，其中形成該孔洞之步驟包含以下步驟：將一拋棄式蓋從該第一黏著層剝離，而在該不透流體層上於該孔洞中留下一大塊該第一黏著層，其中該拋棄式蓋為與該拋光層不同的一材料。

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