TWI746847B - 用於刷具調節的流出物監控的方法及裝置 - Google Patents
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 title abstract description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 64
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 33
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 18
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 6
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 3
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000699666 Mus <mouse, genus> Species 0.000 description 1
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000001580 bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000010267 cellular communication Effects 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000002508 compound effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24D13/00—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor
- B24D13/14—Wheels having flexibly-acting working parts, e.g. buffing wheels; Mountings therefor acting by the front face
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
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- H01L21/02008—Multistep processes
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
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Abstract
提供了用於對刷具調節進行流出物監測的實施例的揭示內容,其中可以反饋所監測的資料以用於調節。
Description
本揭示涉及流出物監測,更具體地,涉及用於刷具調節的流出物監測的方法和裝置。
在半導體製造工業和其他工業中,刷具用於從表面去除污染物,例如從半導體晶圓中去除污染物。在立即使用的條件下,不從製造商處接收傳統的刷具。相反地,刷具通常在用於預期產品之前被調節(或「磨合」)。 可以收集在刷具調節期間使用的化學品(稱為流出物)而用於再循環和/或處置。
藉由將這些方法與本揭示的其餘部分中闡述的本方法和系統的一些態樣參考附圖而進行比較,對於調節刷具的流出物監測的傳統方法的限制和缺點對於本領域技術人員將變得顯而易見。
提供了用於刷具調節的流出物監測的方法和裝置,基本上如結合至少一幅附圖所示和描述的,且如申請專利範圍中更完整地闡述的。
各種應用和製程可受益於表面的物理清潔。例如,在半導體製造中,可以在晶圓上製造電子電路的一個或多個階段期間清潔半導體晶圓以去除潛在的破壞性污染物。清潔可以藉由例如與待清潔表面接觸的刷具來提供。在立即使用的條件下,不從製造商處接收常規刷具。例如,刷具可能具有會抵消物體清潔度的污染物。因此,可能需要對刷具進行調節(調節,磨合)以將污染物移除到可接受的程度以用於刷具的預期用途。附加地或替代地,可以將一種或多種物質施加到刷具上以調節刷具以用於特定的清潔應用。
雖然應該理解,本揭示的各種實施例可以用於不同的應用,但是將在本揭示中進行示例性參考以調節半導體晶圓的表面。
在半導體晶圓的製造處理中,可以在半導體晶圓表面上發現大量污染物,例如以有機和/或無機顆粒的形式呈現。這些污染物通常會導致設備故障和晶圓產量不佳。而且,對於每個新的半導體製程技術世代,半導體晶圓上的缺陷的臨界尺寸和半導體晶圓上的可容忍的缺陷數量變得更小。
半導體工業可以在半導體元件的製造中使用後化學機械平坦化(pCMP)清潔,其中諸如聚乙酸乙烯酯(PVAc)刷具可以與特定應用的清潔劑和/或化學品結合使用以從半導體晶圓表面除去顆粒。
各種刷具類型,包括PVAc刷具,根據材料本身的性質和/或刷具製造/運輸處理,當沖洗和/或暴露於流體時(例如去離子水(DIW)和/或清潔劑/化學品),將自然地釋放顆粒(有機和/或無機)。釋放的顆粒數量可能與刷具所接觸的流體(DIW,清潔劑等)的性質以及刷具所用的製程條件有關(例如,流體流速,刷具轉速等)。
雖然刷具可以由刷具製造商清潔以在輸送給最終使用者之前降低可釋放污染物的程度,但是個別最終使用者可能更喜歡刷具的基線位準程度的顆粒污染的不同閾值。
由於一些刷具通常使用保存劑來包裝,運輸和儲存於水合狀態,以防止細菌生長和產品失效。保存,包裝,運輸和儲存處理(例如,保質期)可能都對刷具的預期原始性質產生不利影響,並且增加可從刷具釋放的顆粒的數量。
刷具製造處理的性質,以及保存,包裝,運輸和/或保質期問題都可能是複合效應,需要最終使用者調整(或調整或磨合)刷具以移除一些在半導體製造設備生產工具中使用它們之前的顆粒。
正在處理的實際半導體層可以決定從刷具釋放的可接受顆粒的位準(和尺寸),並因此決定調節刷具 所需的時間。調理刷具所需的時間可以為10分鐘至24小時或更長。調節刷具的常規方法涉及使用擋片(dummy wafers)執行調節處理,以用於清潔系統上的刷具,該系統執行最終產品清潔。由此導致的生產力損失和最終更高的運行成本對最終使用者是有害的。
本揭示的各種實施方案可以描述監測流出物以優化調節刷具的處理。
用於監測離線刷具調節系統的流出物的污染位準的揭示的示例性系統包括第一儲存器和第二儲存器,第一儲存器配置成從離線刷具調節系統中的刷具的第一部分收集第一流出物,第二儲存器配置成從刷具的第二部分收集第二流出物。該第二部分不同於該第一部分,且第一和第二流出物來自於用於調節配置為清潔半導體晶圓的表面上的刷具的流體。該系統還包括流出物污染監測器,其配置成分別監測第一流出物和第二流出物的第一和第二污染位準。
用於監測離線刷具調節系統的流出物的污染位準的揭示的示例性方法涉及從第一儲存器中的離線刷具調節系統中的刷具的第一部分收集第一流出物並且從第二儲存器中的刷具的第二部分收集第二流出物,其中第二部分不同於第一部分,第一和第二流出物來自用於調節刷具的流體,該刷具配置成清潔半導體晶圓的表面。然後流出物污染監視器可以分別確定第一流出物與第二流出物中的第一和第二污染位準。
圖1A示出了根據本揭示的態樣的示例性離線刷具調節系統的圖。參照圖1A,示出了離線刷具調節系統100,其可包括一個或多個刷具站110,使用者介面120和狀態燈130。
可以有任何數量的單獨刷具站110,其可用於同時調節多個刷具。每個刷具站110可以接收一個用於調節的刷具,其中調節可以包括多步驟處理能力(例如,刷具的壓縮、刷具的旋轉速度、DIW沖洗和/或沖洗等)。多個刷具站110可以被設置為以相同的處理調節刷具和/或獨立地設置以調節具有不同處理的刷具。而且,儘管刷具站110已經被描述為調節一個刷具,但是在其他示例性中,多個刷具可以由一個刷具站110調節。
當刷具站110調節單個刷具時,該刷具可以與其他消耗品的交叉污染隔離。當刷具站110被配置為處理多個刷具時,可能存在將一個刷具與另一個刷具隔離以減少交叉污染的屏障。可以藉由污染監測器監測刷具中的污染量 。
使用者介面120(例如,觸碰螢幕,顯示面板,按鈕,鍵盤和滑鼠等)可以用於輸入命令以調節刷具站110中的刷具,並且還用於查看刷具的調節狀態。例如,使用者介面120可用於監視和控制在刷具被調節時用於旋轉刷具的扭矩/速度。
狀態燈130可以例如閃爍和/或顯示不同的顏色以警告最終使用者刷具的處理狀態。狀態燈130指示的狀態可以取決於設計。
在操作中,可以將一個或多個刷具放置在離線刷具調節系統100中並且開始調節處理。狀態指示燈130可以指示,例如,何時對於至少一個刷具的調節會結束。如果針對可能花費不同時間長度的不同調節處理設置不同的刷具站110,則使用者介面120可以給出每個刷具站110的狀態的進一步指示。
離線刷具調節系統100可以連接到流體輸送系統101,以便接收供離線刷具調節系統100使用的流體。離線刷具調節系統100還可以連接到流體排放系統103,以便將已被離線刷具調節系統100使用的流體返回。流體輸送系統101和流體排放系統103可以屬於例如最終使用者。
圖1B是根據本揭示的態樣的離線刷具調節系統的示例性實施方式的框圖。參照圖1B,示出了離線刷具調節系統100,其包括刷具站110,流體流入系統140,流體流出系統150,控制系統160,I/O介面170和馬達系統180。
刷具站110可以接收刷具,該刷具可以成形為例如圓柱形輥子。雖然本揭示的多個實施例可以具有用於接收刷具的固定軸,但是其他實施例可以允許在接收刷具之後接收不同角度的刷具和/或調整角度。這可以允許在調節刷具和/或用於容納不同形狀的刷具時具有更大的靈活性。
流體流入系統140可包括各種固定裝置,其用於將流體引入離線刷具調節系統100,以用於調節刷具和/或用於其他目的。例如,可以存在用於流體(例如用於調節的化學品)的連接到流體輸送系統101的固定裝置。本揭示的各種實施例可以允許例如耦接到由流體輸送系統101提供的多個流體管道。因此,這可以允許在離線刷具調節系統100的使用期間快速改變流體。流體流入系統140還可以包括分配系統,用於將所接收的流體輸送到刷具以調節刷具。一些實施例還可以具有作為流體流入系統140的一部分的可用於儲存流體的容器。這可以用於在例如流體流入的壓力下降的情況下提供緩衝器。例如,這也可以用於允許在未連接到最終使用者流體供應管線時使用離線刷具調節系統100。
流體流出系統150可包括各種固定裝置和裝置,用於移除已經在調節刷具(即流出物)的處理中使用的流體。在一些實施例中,流體流出系統150可具有對應於刷具站110的特定區域的專用流出管道。這可以允許例如監測用於刷具的特定部分的特徵的流出物。因此,流體流出系統150可因此包括可以確定流出物的特定特徵的監測裝置。
控制系統160可包括控制離線刷具調節系統100的操作的各種模組。例如,可以存在一個或多個處理器(微處理器,微控制器等),其執行儲存在儲存器中的編碼並處理從外部設備或藉由I/O介面170接收的資料。然後,處理器可以控制刷具調節處理的操作,包括刷具的旋轉速度和刷具對調節板的壓縮。這可以允許例如控制施加到刷具上的調節位準(例如,壓力、強度、持續時間、化學等)。
如果離線刷具調節系統100被連接以從最終使用者接收不同類型的流體,或者如果容器可用則可能使用容器,則處理器還可以控制多種流體之間的切換。
控制系統160還可以控制例如諸如化學品和/或超純水(UPW)的流體的流速。UPW的特性將不再描述,因為它們可能因應用而異。因此,應該理解,UPW是指被認為對於所討論的應用具有合適的「UPW」特性的水。控制系統160還可以例如使用來自容器的流體(如果容器可用)或來自另一個最終使用者管道來控制稀釋化學品。
I/O介面170可以包括各種設備,其可以允許將信息和命令輸入到離線刷具調節系統100,以及顯示和/或與外部設備通訊。例如,使用者介面120可以是I/O介面170的一部分。I/O介面170還可以包括例如各種按鈕、開關、LED/燈、鍵盤、滑鼠、軌跡球等中的一個或多個,用於輸入輸入以及顯示輸出。I/O介面170還可以包括用於有線通訊的各種端口,例如USB端口,乙太網端口等。I/O介面170還可以支持無線通訊技術和協定,例如蜂巢式通訊、藍芽通訊、近場通訊、Wi-Fi通訊、RFID通訊等。
I/O介面170可用於允許狀態顯示成處於遠端站或設備處和/或允許遠端控制離線刷具調節系統100。I/O介面170還可以允許經由有線或無線連接更新離線刷具調節系統100中的各種軟體/韌體和應用程式。另外,I/O介面170可以允許遠端控制離線刷具調節系統100。
馬達系統180可包括一個或多個馬達,其用於旋轉一個或多個刷具以進行調節。馬達系統180中的馬達 可包括適當的馬達,用於在刷具被調節時旋轉馬達。可以控制馬達系統180中的馬達以具有可變的速度和/或扭矩。各種實施例還可以包括能夠提供關於當前扭矩的信息的馬達系統。該信息可用於確定例如調節是否按預期進行。各種實施例可以提供一個馬達來驅動一個刷具,而其他實施例可以允許一個馬達驅動多個刷具。其他實施例可以允許一個馬達驅動單個刷具或多個刷具。
圖2是示出缺陷和調節時間之間的示例性關係的曲線圖。在圖2中,示出了曲線圖200,其示出了Y軸上的缺陷和X軸上的時間。在刷具調節首次開始的時間T0,可能存在不可接受的「缺陷」的位準:UL,其中缺陷是指釋放的顆粒量和/或刷具釋放的顆粒尺寸。可以藉由例如檢查流出物來監測缺陷。隨著調節持續一段時間,缺陷位準可在時間T1降低到可接受的位準:AL。時間T1可以根據所需的缺陷位準而變化。用於藉由離線刷具調節系統100調節刷具的任何時間量是生產系統可以繼續操作以生產半導體晶圓的時間量,從而節省最終使用者寶貴的生產時間和金錢。在某些情況下,可以很好地表徵特定類型的刷具,使得可以將調節設定一段時間而不必監測缺陷。
圖3示出了根據本揭示的態樣的用於調節刷具的刷具和調節板的示例性佈置。參照圖3,示出了圖300,其示出了刷具站110中的調節板(調節表面)310和刷具320。刷具320包括軸向開口322。當刷具320用於清潔例如半導體晶圓的表面時,軸向開口322的一端可用於保持刷具320。當刷具320被調節時,刷具支撐件330可用於保持刷具320。示例性刷支撐件330可包括支架、柱和/或任何其他類型的支撐件。刷支撐件330可以連接到馬達系統180。用於調節刷具的流體可以經由軸向開口的未連接到刷具支撐件330的端部引入到刷具320中。可以將刷支撐件330調節到不同的尺寸,以允許不同刷具可具有的不同尺寸的軸向開口。可以使用各種其他部件將刷具320牢固地緊固到耦接部件322,但是在本揭示中將不描述這些部件,因為存在將諸如刷具 320 的結構緊固到刷具支撐件330的公知方法 。
調節板310可以是平的或具有其他形狀,例如彎曲表面。表面可以是例如平坦的,凹的,凸的,管狀的,網狀的和/或偏置的(例如,從左到右)等,以改變刷具320的調節特性。調節板310可以由適當的材料製成,例如玻璃,石英,二氧化矽,多晶矽,氮化矽,碳化矽,鎢,鈦,氮化鈦,鋁,氧化鋁,鉭,氮化鉭,銅,釕,鈷等,取決於被調節刷清潔的表面的性質(例如,Si,SiO2
,SiC,SiOC,SiN,W,TiW,TiN,TaN,Cu,Ru,GaAs,GaP,InP,藍寶石,這些材料的任何組合等)。
調節板310的表面312可以具有調節刷具320所需的不同特性。例如,調節板310 可以具有光滑,粗糙或含有研磨材料的表面312,例如SiO2
,SiC,Al2
O3
,CeO2
等。因此,為了為表面312提供不同的特性,可以適當地更換表面312,或者可以更換調節板310。 用於調節刷具320的表面312可以接觸整個刷具或僅接觸刷具320的一部分。
不同的刷具320可以具有不同尺寸的長度、軸向開口322的直徑和/或外徑。可以調節和/或更換刷支撐件330和調節板310以適應不同的尺寸和/或調節要求。當控制馬達速度/扭矩和/或引入流體以調節刷具320時,控制系統160還可以考慮不同的尺寸 。
調節板310可以藉由連接到例如一個或多個支腿314的馬達(未示出)來移動。馬達可以是例如步進馬達,其可以向前移動調節板310以接觸刷具320,其中刷具320可以是靜止的或旋轉的。調節板310和刷具320之間的接觸程度可以藉由距離(例如,0~5mm的壓縮) 和刷具馬達轉矩輸出來監控和控制。監視和控制可以由例如控制系統160執行。
各種實施例可以藉由例如在調節板310中的嵌入或黏附的觸覺壓力傳感器來表徵(映射)由刷具320施加在調節板310上的壓力。
扭矩資料可用於直接或間接地驗證刷具320的質量(例如,同心度,刷具均勻性等)。各種實施例還可以基於各種反饋資料(例如,可以由各種壓力傳感裝置收集的接觸面積,壓力,力等)來對調節處理進行調節。
如圖3所示,刷具320在左側連接到刷具支撐件330,以允許馬達以各種速度(例如,高達1000RPM)旋轉刷具320,並在刷具320被調節時監控馬達的扭矩輸出。刷具320的右側可以允許將流體(化學品,UPW等)輸送到刷具320的內部。流體(化學和/或UPW)的輸送可以是輸送到刷具320的外表面。各種實施例可以將流體輸送到刷具320的內部和刷具320的外表面。流體到刷具320的流動可以藉由例如一個或多個閥門來控制,這些閥門可以由操作員手動控制或由控制系統160自動控制。流量可以變化到不同的範圍,例如, 0~5GPM的示例性範圍。
此外,還可以將流體輸送到調節板310。將流體輸送到調節板310可以在適當的時間用於調節刷具320。另外,一些實施例可以允許將不同的流體輸送到刷具320和調節板310。
圖4A示出了根據本揭示的態樣的用於收集來自離線刷具調節系統的流出物的示例性配置。參照圖4A,示出了具有刷具320的刷具站110,用於收集流出物的儲存器系統430,以及用於運送來自儲存器系統430的流出物的排出系統432。儲存器系統430可以是單個儲存器或多個儲存器。圖4A描繪了四個儲存器430a,430b,430c和430d,其他實施例可以具有不同數量的儲存器。儲存器可以由材料製成,以最小化來自儲存器本身的交叉污染。例如,用於儲存器的材料可以是石英,全氟烷氧基鏈烷(PFA),聚偏二氟乙烯(PVDF),聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等中的一種或多種。
列車系統432可以具有用於不同實施例的各種排水配置。例如,每個儲存器可能有一個排放口,可能有一個處理多個儲存器的單個排放口,或處理單個儲存器的多個排放口。圖4A描繪了分別從儲存器430a,430b,430c和430d輸送流出物的四個排放口432a,432b,432c和432d的示例。
如先前關於圖3所述,刷支撐件330可用於將刷具320保持在一端。例如,套管332可以用於幫助將刷具320連接到刷具支撐件330和/或用作密封件,或者包括單獨的密封件,以防止輸送到刷具320的軸向開口322的流體410的洩漏。因此,在刷具320的調節處理中,經由導管420輸送的流體410可以從刷具320的內部流到刷具320的表面。然後,來自刷具320的流體(可稱為流出物412)由各個儲存器430a,430b,430c和430d收集。因此,可以看出,每個單獨的儲存器將從刷具320的特定部分(區域)收集流出物412。
流出物412將由排水系統432運送到流體排放系統103以進行處置和/或再循環。雖然未示出,但離線刷具調節系統100可具有一個或多個流出容器,用於臨時儲存流出物412。例如,在流體排放系統103中存在暫時停止的情況下,這可能是有用的。各種實施方案還可以使用流出物容器來儲存流出物412以用於非實時監測,以及用於其他目的。
多個儲存器430a,430b,430c和430d可用於監控例如刷具320的每個區域的流出物412的體積,以確定流體410沿著刷具320的長度的輸送是否是均勻的。多個儲存器430a,430b,430c和430d還可以用於獨立地或相對於其他區域評估和量化刷具320的特定區域。例如,可以使用區域之間的刷具流速變化來確定刷具320的流量變化。例如,這可以(允許)確定施加到將由刷具320清潔的基板的使用點化學濃度(變化)以及特定缺陷模式(例如刮擦)的減少。
圖4B示出了根據本揭示的態樣的用於來自離線刷具調節系統的流出物的示例性監測系統。參照圖4B,示出了示例性監測系統440,其包括污染監測器,例如液體顆粒計數器(LPC)442,pH值量測單元444和電阻率量測單元446,以及資料儲存設備460。LPC 442可以使用例如雷射光散射量測技術和/或用於粒子計數的任何其他技術。泵450位於LPC 442的下游,以確保流出物的流動。泵450可以是例如葉輪泵,離心泵,蠕動泵等。
LPC442計算每體積流出物412的顆粒數。因此,流出物412中的顆粒數量的減少可以指示刷具320的調節的進展。pH值量測單元444量測流出物412的pH值。被輸送以調節刷具320的流體的pH值可能受到刷具320在其調節期間釋放的顆粒的影響。因此,流出物412的pH值可指示刷具320的調節處理進程。藉由電阻率量測單元446量測流出物412的電阻率。被輸送以調節刷具320的流體的電阻率可能受到刷具320在其調節期間釋放的顆粒的影響。因此,流出物412的電阻率可以指示刷具320的調節進度。
來自量測單元的量測的資料可以實時或非實時地記錄在資料儲存設備460中。資料儲存設備460可包括適當的電路,以便能夠儲存由該量測單元所提供的資料(例如,LPC 442,pH值量測單元444,並且在這個例子中,電阻率量測單元446)。資料可以儲存在揮發性和/或非揮發性記憶體中,包括例如快閃記憶體,硬碟驅動器,CD/DVD碟,可移除記憶體設備,例如USB記憶棒等。
資料儲存設備460可以是例如控制系統160的一部分或離線刷具調節系統100中的單獨單元。儲存在資料儲存設備460中的量測資料可以經由使用者介面120顯示。儲存的量測資料還可以藉由I/O介面170中的有線或無線連接顯示在遠端顯示器(未示出)上。類似地,可以經由有線或無線連接將量測資料上載到服務器 (未示出)。
雖然圖4B示出了本揭示的實施例的示例性配置,其他配置可以僅具有LPC 442,pH值量測單元444和電阻率量測單元446中的一個或兩個。各種實施例可以具有(作為如圖4B中所示的任何量測單元的補充或替代的)其他量測單元,其可以使用來表徵流出物412。
此外,各種實施例可具有用於儲存器系統的一個特定量測單元,或用於每個儲存器或用於多個儲存器的一個量測單元。當共享量測單元時,可以對量測進行時間多工。例如,當使用單個LPC442時,LPC442可以使用允許來自每個儲存器430a,430b,430c和430d的流出物412由LPC 442取樣以進行週期性實時量測的系統。然而,如果對於每個儲存器430a,430b,430c和430d存在LPC 442,則每個LPC可以對其相應的儲存器進行連續的實時量測。
泵450可以提供流出物412的連續流動,以藉由各種量測單元進行實時量測。當離線刷具調節系統100未用於調節刷具320時,泵450還可用於在空閒模式期間泵送流體,例如UPW。在空閒模式期間,LPC 442可以或可以不在操作中。各種實施例還可以使用多個泵來從多個儲存器泵送流出物412。一些實施例可以使用泵,該泵可以是例如流體排放系統103的一部分。
在各種實施例中,離線刷具調節系統100的操作,包括LPC 442,pH值量測單元444,電阻率量測單元446,泵450,儲存量測資料等,可以藉由例如控制系統160來控制。
圖5是根據本揭示的態樣的監測來自離線刷具調節系統的流出物的示例性方法的流程圖。在流程圖500描述的示例性中,存在刷具320的多個區域,並且多工至少一個量測單元以收集多個區域的資料。
參考圖5的流程圖500,在502處,控制系統160可以將區域指針初始化為第一區域,該區域指針可以是硬體寄存器或軟體變量,並且可以在刷具320被調節時收集流出物412。
在504處,量測單元可以生成各種量測資料,例如,液體顆粒計數,pH值和由區域指針指示的特定區域的流出物的電阻率。量測資料可以儲存在資料儲存設備460中。量測資料可以與時間相關聯,以進一步分析調節處理。例如,該調節處理可以表徵為在調理處理開始後在不同時間偵測到的顆粒的數量。例如,這可以用於生成諸如圖2中所示的缺陷圖之類的缺陷圖,將來自不同量測單元的量測資料相互關聯以及調節處理等。
在506處,可以確定污染位準是否可以低於閾值位準。污染位準可為特定的量測裝置的量測結果,諸如,例如,LPC 442,或基於兩個或多個量測裝置量測的分數。如果污染位準不低於閾值位準,則區域指針在512處遞增以繼續監測下一個區域。
如果污染位準低於閾值位準,則可以在508處將當前區域標記為清潔。在510處,可以確定是否所有區域都被標記為清潔。如果是這樣,則離線刷具調節系統100可以在514處指示刷具320已經被適當地調節。
如果沒有將所有區域標記為清潔,則區域指針在512處遞增到下一個區域,並且該處理在504處繼續進行,以進一步調節刷具320。
在一些實施例中,即使在所有區域都被標記為清潔之後,也可以存在至少多一輪的流出物監測以驗證所有區域的污染位準低於閾值位準。在一些實施例中,可以控制流向刷具320的流體流動以允許流體基本上仍然需要調節刷具320的那些部分。這可以藉由分配裝置來完成,該分配裝置可以在例如控制系統160的控制下在各個區域提供流體輸送。
本方法和系統可以用硬體,軟體和/或硬體和軟體的組合來實現。本方法和/或系統可以例如以集中方式在至少一個計算系統中實現控制系統160,或者以分佈式方式實現,分佈式方式中不同元件分佈在若干互連計算系統上。適於執行本文描述的方法的任何類型的計算系統或其他裝置都是適合的。硬體和軟體的典型組合可以包括具有程式或其他編碼的通用計算系統,該程式或其他編碼在被加載和執行時控制計算系統,使得其執行本文描述的方法。另一典型實現可包括一個或多個特殊應用積體電路或晶圓。一些實現可以包括非暫時性機器可讀(例如,計算機可讀)媒體(例如,快閃記憶體,光碟,磁性儲存碟等),其上儲存有可由機器執行的一行或多行編碼,從而使機器執行如本文所述的處理。如本文所使用的,術語「非暫時性機器可讀媒體」被定義為包括所有類型的機器可讀儲存媒體並且排除傳播信號。
如本文所使用的,術語「電路」和「電路系統」是指物理電子組件(即硬體)和任何軟體和/或韌體(「編碼」),其可以配置硬體,由硬體執行,或者以其他方式與硬體關聯。如這裡所使用的,例如,特定處理器和記憶體可以在執行第一行或多行編碼時包括第一「電路」,並且在執行第二行或多行編碼時可以包括第二「電路」。如這裡所使用的,「和/或」表示由「和/或」連接的列表中的任何一個或多個項目。作為示例,「x和/或y」表示三元素集{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。換句話說,「x和/或y」表示「x和y中的一個或兩個」。作為另一個例子,「x,y和/或z」表示七元素集{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。換句話說,「x,y和/或z」表示「x,y和z中的一個或多個」。如本文所使用的,術語「示例性」意味著用作非限制性示例,實例或說明。如這裡所使用的,術語「例如」和「舉例而言」引出一個或多個非限制性示例,實例或圖示的列表。如本文所使用的,電路「可操作」以在電路包括必要的硬體和編碼(如果有必要的話)來執行功能時執行功能,而不管是否禁用或不啟用功能的性能(例如,藉由使用者可配置的設置,工廠修剪等)。
雖然已經參考某些實施方式描述了本方法和/或系統,但是本領域技術人員將理解,可以進行各種改變並且可以替換等同物而不脫離本方法的範圍和/或系統。另外,在不脫離本揭示的範圍的情況下,可以進行許多修改以使特定情況或材料適應本揭示的教導。因此,本方法和/或系統不限於所揭示的特定實施方式。相反,本方法和/或系統將包括在落入字面上和在等同原則下的所附請求項範圍內的所有實施方式。
100‧‧‧離線刷具調節系統101‧‧‧流體輸送系統103‧‧‧流體排放系統110‧‧‧刷具站120‧‧‧使用者介面130‧‧‧狀態燈140‧‧‧流體流入系統150‧‧‧流體流出系統160‧‧‧控制系統170‧‧‧I/O介面180‧‧‧馬達系統200‧‧‧曲線圖300‧‧‧圖310‧‧‧調節板312‧‧‧表面314‧‧‧支腿320‧‧‧刷具322‧‧‧軸向開口330‧‧‧刷具支撐件332‧‧‧套管410‧‧‧流體412‧‧‧流出物420‧‧‧導管422‧‧‧耦接裝置424‧‧‧耦接裝置430‧‧‧儲存器430a‧‧‧儲存器430b‧‧‧儲存器430c‧‧‧儲存器430d‧‧‧儲存器432‧‧‧排出系統432a‧‧‧排放口432b‧‧‧排放口432c‧‧‧排放口432d‧‧‧排放口440‧‧‧監測系統442‧‧‧液體顆粒計數器444‧‧‧pH值量測單元450‧‧‧泵446‧‧‧電阻率量測單元460‧‧‧資料儲存設備500‧‧‧流程圖502‧‧‧流程圖504‧‧‧流程圖506‧‧‧流程圖508‧‧‧流程圖510‧‧‧流程圖512‧‧‧流程圖514‧‧‧流程圖
從以下結合附圖對示例性實施例的描述中,這些和/或其他態樣將變得顯而易見並且更容易理解。
圖1A示出了根據本揭示的態樣的示例性離線刷具調節系統的圖。
圖1B是根據本揭示的態樣的離線刷具調節系統的示例性實施方式的框圖。
圖2是示出缺陷和調節時間之間的示例性關係的曲線圖。
圖3示出了根據本揭示的態樣的用於調節刷具的刷具和調節板的示例性佈置。
圖4A示出了根據本揭示的態樣的用於收集來自離線刷具調節系統的流出物的示例性配置。
圖4B示出了根據本揭示的態樣的用於來自離線刷具調節系統的流出物的示例性監測系統。
圖5是根據本揭示的態樣的監測來自離線刷具調節系統的流出物的示例性方法的流程圖。
這些圖不一定按比例。在適當的情況下,相似或相同的元件符號用於表示相似或相同的組件。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
500‧‧‧流程圖
502‧‧‧流程圖
504‧‧‧流程圖
506‧‧‧流程圖
508‧‧‧流程圖
510‧‧‧流程圖
512‧‧‧流程圖
514‧‧‧流程圖
Claims (20)
- 一種用於監測一離線刷具調節系統的流出物的污染位準的系統,該系統包括: 一第一儲存器,該第一儲存器配置成從一離線刷具調節系統中的一刷具的一第一部分收集一第一流出物; 一第二儲存器,該第二儲存器配置成從該刷具的一第二部分收集一第二流出物,其中該第二部分與該第一部分不同,並且該第一和該第二流出物來自用於調節一刷具的一流體,該刷具配置成清潔一半導體晶圓的一表面;和 一流出物污染監測器,該流出物污染監測器配置成分別監測該第一流出物和該第二流出物的一第一和一第二污染位準。
- 根據請求項1所述的系統,還包括一控制系統,該控制系統被配置為基於該第一和該第二污染位準來控制該刷具的調節。
- 根據請求項1所述的系統,其中用於該第一儲存器或該第二儲存器中的至少一個的一材料包括石英、 全氟烷氧基鏈烷 (PFA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)中的至少一種。
- 根據請求項1所述的系統,其中該經量測的第一和第二污染位準中的每一個包括以下中的至少一個:液體顆粒計數、pH值位準或電阻率。
- 根據請求項4所述的系統,其中該流出物污染監測器包括一液體顆粒計數器(LPC),該液體顆粒計數器配置成量測該液體顆粒計數。
- 根據請求項5所述的系統,其中該LPC被配置為使用一雷射光散射量測系統。
- 根據請求項4所述的系統,其中該第一和第二污染位準的至少一部分是實時記錄的。
- 根據請求項1所述的系統,進一步包括在該第一和第二儲存器下游的一泵系統,該泵系統配置成泵送該第一和該第二流出物。
- 根據請求項1所述的系統,進一步包括一輸送系統,該輸送系統配置成將該流體提供給該刷具。
- 根據請求項1所述的系統,其中在該離線刷具調節系統的空閒模式期間而未監測該第一和第二污染位準時,該流體是超純水。
- 如請求項1所述的系統,還包括將該第一污染位準或該第二污染位準中的至少一個與時間相關聯。
- 根據請求項1所述的系統,其中該第一流出物的一第一流速和該第二流出物的一第二流速用於估計該刷具的一流速變化。
- 一種用於監測一離線刷具調節系統的流出物的污染位準的方法,該方法包括: 在一第一儲存器中的該離線刷具調節系統中從一刷具的一第一部分收集一第一流出物; 在一第二儲存器中從該刷具的一第二部分收集一第二流出物,其中該第二部分與該第一部分不同,並且該第一和該第二流出物來自用於調節一刷具的一流體,該刷具配置成清潔一半導體晶圓的一表面;和 用一流出物污染監測器分別確定該第一流出物和該第二流出物的一第一和一第二污染位準。
- 根據請求項13所述的方法,進一步包括基於該第一和該第二污染位準來控制該刷具的調節。
- 根據請求項13所述的方法,其中用於該第一儲存器或該第二儲存器中的至少一個的材料包括石英、全氟烷氧基鏈烷(PFA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)中的至少一種。
- 根據請求項13所述的方法,其中該第一和該第二污染位準中的每一個包括以下中的至少一個:液體顆粒計數、pH值位準或電阻率。
- 根據請求項13所述的方法,其中該流出物污染監測器包括一液體顆粒計數器(LPC),該液體顆粒計數器配置成確定該第一和該第二流出物中的每一個的分別的一液體顆粒計數。
- 根據請求項13所述的方法,包括實時地記錄該第一和該第二污染位準的至少一部分。
- 根據請求項13所述的方法,包括將該第一污染位準或該第二污染位準中的至少一個與時間相關聯。
- 根據請求項13所述的方法,其中使用該第一流出物的一第一流速和該第二流出物的一第二流速來估計該刷具的一流速變化。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/600,021 US10410936B2 (en) | 2017-05-19 | 2017-05-19 | Methods and apparatuses for effluent monitoring for brush conditioning |
US15/600,021 | 2017-05-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201901328A TW201901328A (zh) | 2019-01-01 |
TWI746847B true TWI746847B (zh) | 2021-11-21 |
Family
ID=62235999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107116369A TWI746847B (zh) | 2017-05-19 | 2018-05-15 | 用於刷具調節的流出物監控的方法及裝置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10410936B2 (zh) |
EP (1) | EP3625820B1 (zh) |
JP (1) | JP7104725B2 (zh) |
KR (1) | KR102421566B1 (zh) |
CN (2) | CN117637535A (zh) |
TW (1) | TWI746847B (zh) |
WO (1) | WO2018212970A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2017-05-19 US US15/600,021 patent/US10410936B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-30 WO PCT/US2018/030092 patent/WO2018212970A1/en active Application Filing
- 2018-04-30 CN CN202311401721.9A patent/CN117637535A/zh active Pending
- 2018-04-30 CN CN201880046914.8A patent/CN110914968B/zh active Active
- 2018-04-30 EP EP18726875.0A patent/EP3625820B1/en active Active
- 2018-04-30 JP JP2019563834A patent/JP7104725B2/ja active Active
- 2018-04-30 KR KR1020197036642A patent/KR102421566B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-15 TW TW107116369A patent/TWI746847B/zh active
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- 2019-09-09 US US16/564,175 patent/US11205582B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN110914968A (zh) | 2020-03-24 |
US11205582B2 (en) | 2021-12-21 |
CN117637535A (zh) | 2024-03-01 |
JP7104725B2 (ja) | 2022-07-21 |
KR20200009033A (ko) | 2020-01-29 |
US20200006162A1 (en) | 2020-01-02 |
EP3625820A1 (en) | 2020-03-25 |
EP3625820B1 (en) | 2021-06-02 |
JP2020522126A (ja) | 2020-07-27 |
US10410936B2 (en) | 2019-09-10 |
KR102421566B1 (ko) | 2022-07-14 |
TW201901328A (zh) | 2019-01-01 |
WO2018212970A1 (en) | 2018-11-22 |
CN110914968B (zh) | 2023-11-17 |
US20180337102A1 (en) | 2018-11-22 |
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