TWI746336B - 儲存裝置以及儲存裝置管理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供適用於儲存裝置的一種儲存裝置管理方法。所述方法包括經由所述儲存裝置的溫度感測器來週期性地獲得對應所述儲存裝置的當前裝置溫度；反應於判定所述當前裝置溫度大於第一溫度門檻值，累加第一計數值；反應於判定所述第一計數值大於第一計數門檻值，調整所述第一溫度門檻值；反應於判定所述當前裝置溫度大於第二溫度門檻值，累加第二計數值；反應於判定所述第二計數值大於第二計數門檻值，調整所述第二溫度門檻值；以及反應於判定所述當前裝置溫度非小於臨界溫度門檻值，控制所述儲存裝置進入目標系統狀態。

Description

儲存裝置以及儲存裝置管理方法
本發明是有關於一種儲存裝置，且特別是關於一種配置有可複寫式非揮發性記憶體模組的儲存裝置，以及所述儲存裝置所使用的儲存裝置管理方法。
隨著科技的進步，儲存裝置逐漸使用快閃記憶體等較高存取速度的可複寫式非揮發性記憶體模組來儲存資料。然而，此類型的可複寫式非揮發性記憶體模組會因為裝置的溫度升高而導致所存取的資料發生錯誤。
基此，如何避免儲存裝置因為溫度升高所導致的資料錯誤，為本領域人員致力發展的目標。
本發明提供一種儲存裝置以及所述儲存裝置所使用的儲存裝置管理方法，可動態地根據儲存裝置的當前裝置溫度來調整不同的溫度門檻值，以藉由所調整的溫度門檻值來更積極地控制儲存裝置的溫度。
本發明的一實施例提供一種儲存裝置。所述儲存裝置包括可複寫式非揮發性記憶體模組、連接介面電路、溫度感測器以及儲存控制器。所述連接介面電路用以電性連接至主機系統。所述溫度感測器用以偵測對應所述儲存裝置的當前裝置溫度。所述儲存控制器電性連接至所述可複寫式非揮發性記憶體模組、所述連接介面電路以及所述溫度感測器。此外，所述儲存控制器用以經由所述溫度感測器來週期性地獲得對應所述儲存裝置的所述當前裝置溫度，其中反應於判定所述當前裝置溫度大於第一溫度門檻值，所述儲存控制器更用以累加第一計數值。所述儲存控制器更用以判斷所述第一計數值是否大於第一計數門檻值，其中反應於判定所述第一計數值大於所述第一計數門檻值，所述儲存控制器更用以調整所述第一溫度門檻值。反應於判定所述當前裝置溫度大於第二溫度門檻值，所述儲存控制器更用以累加第二計數值，並且所述儲存控制器更用以判斷所述第二計數值是否大於第二計數門檻值，其中反應於判定所述第二計數值大於所述第二計數門檻值，所述儲存控制器更用以調整所述第二溫度門檻值。所述儲存控制器更用以判斷所述當前裝置溫度是否大於臨界溫度門檻值，其中反應於判定所述當前裝置溫度非小於所述臨界溫度門檻值，所述儲存控制器更用以控制所述儲存裝置進入目標系統狀態。
本發明的一實施例提供一種儲存裝置管理方法，適用於一儲存裝置。所述方法包括經由所述儲存裝置的溫度感測器來週期性地獲得對應所述儲存裝置的所述當前裝置溫度；反應於判定所述當前裝置溫度大於第一溫度門檻值，累加第一計數值；判斷所述第一計數值是否大於第一計數門檻值，其中反應於判定所述第一計數值大於所述第一計數門檻值，調整所述第一溫度門檻值；反應於判定所述當前裝置溫度大於第二溫度門檻值，累加第二計數值；判斷所述第二計數值是否大於第二計數門檻值，其中反應於判定所述第二計數值大於所述第二計數門檻值，調整所述第二溫度門檻值；以及判斷所述當前裝置溫度是否大於臨界溫度門檻值，其中反應於判定所述當前裝置溫度非小於所述臨界溫度門檻值，控制所述儲存裝置進入目標系統狀態。
在本發明的一實施例中，所述儲存裝置管理方法更包括:反應於判定所述第一計數值非大於所述第一計數門檻值，執行經由所述儲存裝置的所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的步驟；反應於判定所述第二計數值非大於所述第二計數門檻值，執行經由所述儲存裝置的所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的步驟；以及反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述臨界溫度門檻值，執行經由所述儲存裝置的所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的步驟。
在本發明的一實施例中，其中所述調整所述第一溫度門檻值的步驟包括設置一第一調整標記，其中所述第一調整標記用以指示所述第一溫度門檻值已被調整。此外，所述調整所述第二溫度門檻值的步驟包括設置一第二調整標記，其中所述第二調整標記用以指示所述第二溫度門檻值已被調整。
在本發明的一實施例中，其中所述目標系統狀態為一待機狀態或一睡眠狀態。
在本發明的一實施例中，其中所述調整所述第一溫度門檻值的步驟包括：調整所述第一溫度門檻值為一第一目標值，其中所述第一目標值小於對應所述第一溫度門檻值原本的第一預設值。所述調整所述第二溫度門檻值的步驟包括：所述儲存控制器調整所述第二溫度門檻值為一第二目標值，其中所述第二目標值小於對應所述第二溫度門檻值原本的第二預設值。
在本發明的一實施例中，所述儲存裝置管理方法更包括:當所述儲存裝置進入至一正常工作狀態時，判斷所述第一溫度門檻值與所述第二溫度門檻值是否已被調整，其中反應於判定所述第一溫度門檻值已被調整，將所述第一溫度門檻值設定為所述第一目標值，其中反應於判定所述第二溫度門檻值已被調整，將所述第二溫度門檻值設定為所述第二目標值，其中反應於判定所述第一溫度門檻值未被調整，將所述第一溫度門檻值設定為所述第一預設值，其中反應於判定所述第二溫度門檻值未被調整，將所述第二溫度門檻值設定為所述第二預設值。
在本發明的一實施例中，所述儲存裝置管理方法，更包括：將所述第一溫度門檻值設定為所述第一目標值且將所述第二溫度門檻值設定為所述第二目標值之後，判斷所述當前裝置溫度是否大於或等於一恢復溫度門檻值且小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值；反應於判定所述當前裝置溫度大於或等於所述恢復溫度門檻值且小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，累加第三計數值；判斷所述第三計數值是否大於第三計數門檻值；反應於判定所述第三計數值大於所述第三計數門檻值，調整所述第一溫度門檻值為一第一恢復值；反應於判定所述第三計數值非大於所述第三計數門檻值，判斷所述當前裝置溫度是否非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值；反應於判定述當前裝置溫度小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，調整所述第一溫度門檻值為所述第一恢復值；反應於判定述當前裝置溫度非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，判斷所述當前裝置溫度是非否小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值；反應於判定所述當前裝置溫度非小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值，累加第四計數值；判斷所述第四計數值是否大於第四計數門檻值；以及反應於判定所述第四計數值大於所述第四計數門檻值，調整所述第二溫度門檻值為一第二恢復值，其中所述第一恢復值大於所述第一目標值，所述第二恢復值大於所述第二目標值。
在本發明的一實施例中，所述儲存裝置管理方法更包括:反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第一溫度門檻值且小於所述第二溫度門檻值，控制所述儲存裝置於第一抑制模式，其中在所述第一抑制模式中，所述儲存裝置以第一功率運行；以及反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第二溫度門檻值且小於所述臨界溫度門檻值，控制所述儲存裝置於第二抑制模式，其中在所述第二抑制模式中，所述儲存裝置以第二功率運行；以及反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，控制所述儲存裝置於正常工作狀態，其中在所述正常工作狀態中，所述儲存裝置以正常功率運行，其中所述正常功率大於所述第一功率，並且所述第一功率大於所述第二功率。
在本發明的一實施例中，所述儲存裝置管理方法更包括:反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，重置所述第一計數值；以及反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第二溫度門檻值，重置所述第二計數值。
基於上述，本發明的實施例所提供的儲存裝置及儲存裝置管理方法，可反應於儲存裝置的溫度提升，而動態地調降對應的一或多個溫度門檻值，以讓儲存裝置可進一步地根據所調整的所述一或多個溫度門檻值來降低所述儲存裝置所運作的功率，進而更積極地抑制所述儲存裝置因運作所導致的溫度上升，而避免了所述儲存裝置因溫度過高而導致的資料錯誤。如此一來，本發明的實施例所提供的儲存裝置及儲存裝置管理方法，可有效率地改善增進所述儲存裝置的可靠度及所儲存的資料的正確性。
在本實施例中，儲存裝置包括可複寫式非揮發性記憶體模組(rewritable non-volatile memory module)與儲存裝置控制器(亦稱，儲存控制器或儲存控制電路)。此外，儲存裝置是與主機系統一起使用，以使主機系統可將資料寫入至儲存裝置或從儲存裝置中讀取資料。
圖1A是根據本發明的一實施例所繪示的儲存裝置與主機系統的方塊示意圖。圖1B是根據本發明的一實施例所繪示的儲存控制器的方塊示意圖。
請參照圖1，主機系統(Host System)10包括處理器(Processor)110、主機記憶體(Host Memory)120及資料傳輸介面電路(Data Transfer Interface Circuit)130。在本實施例中，資料傳輸介面電路130耦接(亦稱，電性連接)至處理器110與主機記憶體120。在另一實施例中，處理器110、主機記憶體120與資料傳輸介面電路130之間利用系統匯流排(System Bus)彼此耦接。
儲存裝置20包括儲存控制器(Storage Controller)210、可複寫式非揮發性記憶體模組(Rewritable Non-Volatile Memory Module)220、連接介面電路(Connection Interface Circuit)230以及溫度感測器240(Temperature sensor/ Thermal sensor)。其中，儲存控制器210包括處理器211、資料管理電路(Data Management Circuit)212、記憶體介面控制電路(Memory Interface Control Circuit)213、錯誤檢查與校正電路214、緩衝記憶體215以及電源管理電路216。應注意的是，儲存控制器210各部件所執行的操作亦可視為儲存控制器210所執行的操作。
在本實施例中，主機系統10是透過資料傳輸介面電路130與儲存裝置20的連接介面電路230耦接至儲存裝置20來進行資料的存取操作。例如，主機系統10可經由資料傳輸介面電路130將資料儲存至儲存裝置20或從儲存裝置20中讀取資料。
在本實施例中，處理器110、主機記憶體120及資料傳輸介面電路130可設置在主機系統10的主機板上。資料傳輸介面電路130的數目可以是一或多個。透過資料傳輸介面電路130，主機板可以經由有線或無線方式耦接至儲存裝置20。儲存裝置20可例如是隨身碟、記憶卡、固態硬碟(Solid State Drive，SSD)或無線記憶體儲存裝置。
在本實施例中，資料傳輸介面電路130與連接介面電路230是相容於高速周邊零件連接介面(Peripheral Component Interconnect Express, PCI Express)標準的介面電路。並且，資料傳輸介面電路130與連接介面電路230之間是利用快速非揮發性記憶體介面標準(Non-Volatile Memory express，NVMe)通訊協定來進行資料的傳輸。
然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，資料傳輸介面電路130與連接介面電路230亦可以是符合並列先進附件(Parallel Advanced Technology Attachment，PATA)標準、電氣和電子工程師協會(Institute of Electrical and Electronic Engineers，IEEE)1394標準、序列先進附件(Serial Advanced Technology Attachment，SATA)標準、通用序列匯流排(Universal Serial Bus，USB)標準或其他適合的標準。
在本實施例中，主機記憶體120用以暫存處理器110所執行的指令或資料。例如，在本範例實施例中，主機記憶體120可以是動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）、靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory，SRAM)等。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，主機記憶體120也可以是其他適合的記憶體。
儲存控制器210用以執行以硬體型式或韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令並且根據主機系統10的指令在可複寫式非揮發性記憶體模組220中進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
更詳細來說，儲存控制器210中的處理器211為具備運算能力的硬體，其用以控制儲存控制器210的整體運作。具體來說，處理器211具有多個控制指令，並且在儲存裝置20運作時，此些控制指令會被執行以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
值得一提的是，在本實施例中，處理器110與處理器211例如是中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)、微處理器(micro-processor)、或是其他可程式化之處理單元(Programmable processing unit)、數位訊號處理器(Digital Signal Processor，DSP)、可程式化控制器、可程式化邏輯裝置(Programmable Logic Device，PLD)或其他類似電路元件，本發明並不限於此。
在一實施例中，儲存控制器210還具有唯讀記憶體(未繪示)及隨機存取記憶體(未繪示)。特別是，此唯讀記憶體具有開機碼(boot code)，並且當儲存控制器210被致能時，處理器211會先執行此開機碼來將儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組220中之控制指令/程式碼/韌體載入至儲存控制器210的隨機存取記憶體中。之後，處理器211會運轉此些控制指令/程式碼/韌體以進行資料的寫入、讀取與抹除等資料存取運作以及相關於儲存裝置的管理運作。
其中，資料管理電路212耦接至處理器211、記憶體介面控制電路213與連接介面電路230。資料管理電路212用以接受處理器211的指示來進行資料的傳輸。例如，經由連接介面電路230從主機系統10(如，主機記憶體120)讀取資料，並且將所讀取的資料經由記憶體介面控制電路213寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組220中（如，根據來自主機系統10的寫入指令來進行寫入操作）。又例如，經由記憶體介面控制電路213從可複寫式非揮發性記憶體模組220的一或多個實體單元中讀取資料，並且將所讀取的資料經由連接介面電路230寫入至主機系統10(如，主機記憶體120)中（如，根據來自主機系統10的讀取指令來進行讀取操作）。在另一實施例中，資料管理電路212亦可整合至處理器211中。
記憶體介面控制電路213用以接受處理器211的指示，配合資料管理電路212來進行對於可複寫式非揮發性記憶體模組220的寫入(亦稱，程式化，Programming)操作、讀取操作或抹除操作。此外，欲寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組220的資料會經由記憶體介面控制電路213轉換為可複寫式非揮發性記憶體模組220所能接受的格式。
可複寫式非揮發性記憶體模組220是耦接至儲存控制器210（記憶體介面控制電路213）並且用以儲存主機系統10所寫入之資料。可複寫式非揮發性記憶體模組220可以是單階記憶胞(Single Level Cell，SLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存1個位元的快閃記憶體模組)、多階記憶胞(Multi Level Cell，MLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存2個位元的快閃記憶體模組)、三階記憶胞(Triple Level Cell，TLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存3個位元的快閃記憶體模組)、四階記憶胞(Quadruple Level Cell，QLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存4個位元的快閃記憶體模組)、三維NAND型快閃記憶體模組（3D NAND flash memory module）或垂直NAND型快閃記憶體模組（Vertical NAND flash memory module）等其他快閃記憶體模組或其他具有相同特性的記憶體模組。可複寫式非揮發性記憶體模組220中的記憶胞是以陣列的方式設置。
在本實施例中，可複寫式非揮發性記憶體模組220具有多個字元線，其中所述多個字元線的每一個字元線耦接至多個記憶胞。同一條字元線上的多個記憶胞會組成一或多個實體程式化單元。此外，多個實體程式化單元可組成一個實體單元（實體區塊或實體抹除單元）。
在本實施例中，錯誤檢查與校正電路214是耦接至處理器211並且用以執行錯誤檢查與校正程序以確保資料的正確性。具體來說，當處理器211從主機系統10中接收到寫入指令時，錯誤檢查與校正電路214會為對應此寫入指令的資料產生對應的錯誤更正碼(error correcting code，ECC)及/或錯誤檢查碼(error detecting code，EDC)，並且處理器211會將對應此寫入指令的資料與對應的錯誤更正碼及/或錯誤檢查碼寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組220中。之後，當處理器211從可複寫式非揮發性記憶體模組220中讀取資料時會同時讀取此資料對應的錯誤更正碼及/或錯誤檢查碼，並且錯誤檢查與校正電路214會依據此錯誤更正碼及/或錯誤檢查碼對所讀取的資料執行錯誤檢查與校正程序。此外，在錯誤檢查與校正程序完成後，若成功解碼所讀取之資料，錯誤檢查與校正電路214可獲得分別對應所述多個實體頁面的多個錯誤位元數。錯誤檢查與校正電路214可回傳分別對應所述多個實體頁面的所述多個錯誤位元數給處理器211。
在一實施例中，儲存控制器210還包括緩衝記憶體215與電源管理電路216。緩衝記憶體215(如，動態隨機存取記憶體)耦接至處理器211並且用以暫存來自於主機系統10的資料與指令、來自於可複寫式非揮發性記憶體模組220的資料或其他用以管理儲存裝置20的系統資料，以讓處理器211可快速地從緩衝記憶體215中存取所述資料、指令或系統資料。電源管理電路216耦接至處理器211並且用以提供及管理儲存裝置20的電源。
在本實施例中，溫度感測器240用以偵測對應所述儲存裝置20的溫度資訊(亦稱，裝置溫度)，所述溫度資訊包括:(1) 儲存裝置20整體的溫度；(2)所述可複寫式非揮發性記憶體模組220的溫度；(3)儲存控制器210的溫度。溫度感測器240可將當前所偵測的溫度資訊傳送給處理器211。
以下會配合多個圖式來詳細說明本發明的實施例所提供的儲存裝置及所述儲存裝置所使用的儲存裝置管理方法。
圖2是根據本發明的一實施例所繪示的儲存裝置管理方法的流程圖。請參照圖2，在步驟S210中，處理器211週期性地獲得對應儲存裝置20的當前裝置溫度。具體來說，如上述，所述儲存控制器210(如，處理器211)可從溫度感測器240來週期性地獲得儲存裝置20當前的裝置溫度(即，當前裝置溫度)。應注意的是，本發明並不限定獲得裝置溫度的週期長度。
接著，在步驟S220中，反應於判定所述當前裝置溫度大於第一溫度門檻值，儲存控制器210累加第一計數值。具體來說，儲存控制器210可判斷所獲得的所述當前裝置溫度是否大於所述第一溫度門檻值。所述第一溫度門檻值初始地被設定為一第一預設值(如，攝氏75度)。在一實施例中，反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，所述儲存控制器重置所述第一計數值。也就是說，所述第一計數值用以指示連續的所獲得的多個當前裝置溫度超過所述第一溫度門檻值的次數。
接著，在步驟S230中，儲存控制器210判斷所述第一計數值是否大於第一計數門檻值。反應於判定所述第一計數值大於所述第一計數門檻值，執行步驟S240；反應於判定所述第一計數值非大於所述第一計數門檻值，繼續再次執行步驟S210(即，獲取下個週期的當前裝置溫度)。
在步驟S240中，儲存控制器210調整所述第一溫度門檻值。具體來說，所述儲存控制器210調整所述第一溫度門檻值為一第一目標值，其中所述第一目標值小於對應所述第一溫度門檻值原本的所述第一預設值。例如，所述第一目標值可設定為小於所述第一預設值1度(攝氏)的值。此外，在一實施例中，在調整所述第一溫度門檻值的運作中，所述儲存控制器210更設置一第一調整標記，其中所述第一調整標記用以指示所述第一溫度門檻值已被調整。
接著，在步驟S250中，反應於判定所述當前裝置溫度大於第二溫度門檻值，儲存控制器210累加第二計數值。具體來說，儲存控制器210可判斷所獲得的所述當前裝置溫度是否大於所述第二溫度門檻值。所述第二溫度門檻值初始地被設定為一第二預設值。在一實施例中，反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第二溫度門檻值，所述儲存控制器重置所述第二計數值。也就是說，所述第二計數值用以指示連續的所獲得的多個當前裝置溫度超過所述第二溫度門檻值的次數。
接著，在步驟S260中，儲存控制器210判斷所述第二計數值是否大於第二計數門檻值。反應於判定所述第二計數值大於所述第二計數門檻值，執行步驟S270；反應於判定所述第二計數值非大於所述第二計數門檻值，繼續再次執行步驟S210(即，獲取下個週期的當前裝置溫度)。
在步驟S270中，儲存控制器210調整所述第二溫度門檻值。具體來說，所述儲存控制器210調整所述第二溫度門檻值為一第二目標值，其中所述第二目標值小於對應所述第二溫度門檻值原本的所述第二預設值(如，攝氏78度)。例如，所述第二目標值可設定為小於所述第二預設值1度(攝氏)的值。此外，在一實施例中，在調整所述第二溫度門檻值的運作中，所述儲存控制器210更設置一第二調整標記，其中所述第二調整標記用以指示所述第二溫度門檻值已被調整。
接著，在步驟S280中，儲存控制器210判斷所述當前裝置溫度是否小於臨界溫度門檻值。
具體來說，所述臨界溫度門檻值用以保護儲存裝置所儲存的資料因高溫所導致的嚴重錯誤。所述臨界溫度門檻值為對應所述可複寫式非揮發性記憶體模組220的物理特性(如，可複寫式非揮發性記憶體模組220中的記憶胞儲存電荷的能力會因為特定的高溫而減弱)而預先設定的值，如，攝氏85度。
反應於判定所述當前裝置溫度非小於臨界溫度門檻值，執行步驟S290；反應於判定所述當前裝置溫度小於臨界溫度門檻值，繼續再次執行步驟S210(即，獲取下個週期的當前裝置溫度)。
在步驟S290中，儲存控制器210控制儲存裝置20進入目標系統狀態。所述目標系統狀態為一待機狀態或一睡眠狀態。例如，進階組態與電源介面（Advanced Configuration and Power Interface，ACPI）規範中的多個全域系統狀態(Global System States)中的S3(Suspend to RAM)系統狀態。
值得一提的是，上述的儲存裝置管理方法著重在第一溫度門檻值以及第二溫度門檻值的動態設定方式與條件，可動態地調整溫度頻繁升高的儲存裝置所使用的第一溫度門檻值與第二溫度門檻值。
在本實施例中，儲存控制器210可依據所獲得的當前裝置溫度、第一溫度門檻值與第二溫度門檻值來管理儲存裝置20的整體效能/功率，以達到控制儲存裝置的溫度的效用。以下利用圖3來說明。
圖3是根據本發明的另一實施例所繪示的儲存裝置管理方法的流程圖。在儲存裝置20進入正常工作狀態後，儲存控制器210可根據判斷第一溫度門檻值(如，步驟S310)及第二溫度門檻值(如，步驟S340)是否已被調整以做出對應的處理程序。
更具體來說，在步驟S310中，儲存控制器210判斷第一溫度門檻值是否已被調整。反應於判定第一溫度門檻值已被調整，執行步驟S320；反應於判定第一溫度門檻值未被調整，執行步驟S330。在步驟S330中，儲存控制器210設定所述第一溫度門檻值為第一預設值。在步驟S320中，儲存控制器210設定所述第一溫度門檻值為第一目標值。
例如，在一實施例中，儲存控制器210可根據第一調整標記是否被記錄為第一數值(如，真值或1)來判斷第一溫度門檻值是否已被調整。例如，當儲存控制器210辨識第一調整標記從“0”被設定為“1”時，儲存控制器210可判定第一溫度門檻值已被調整，並且執行步驟S320。
另一方面，在步驟S340中，儲存控制器210判斷第二溫度門檻值是否已被調整。反應於判定第二溫度門檻值已被調整，執行步驟S350；反應於判定第二溫度門檻值未被調整，執行步驟S360。在步驟S360中，儲存控制器210設定所述第二溫度門檻值為第二預設值。在步驟S350中，儲存控制器210設定所述第二溫度門檻值為第二目標值。
在一實施例中，儲存控制器210可根據第二調整標記是否被記錄為第一數值(如，真值或1)來判斷第二溫度門檻值是否已被調整。例如，當儲存控制器210辨識第二調整標記從“0”被設定為“1”時，儲存控制器210可判定第二溫度門檻值已被調整，並且執行步驟S350。
應注意的是，本發明並不限定於上述的第一調整標記及第二調整標記的設置方式。例如，在另一實施例中，儲存控制器可利用單一標記(如，二位元值)來同時辨識第一溫度門檻值及第二溫度門檻值是否曾被調整。
接著，在步驟S370中，儲存控制器210辨識當前裝置溫度。具體來說，儲存控制器210從溫度感測器240辨識最新的所獲得的當前裝置溫度，並且儲存控制器210會比較所辨識的所述當前裝置溫度與第一溫度門檻值、第二溫度門檻值及臨界溫度門檻值之間的大小關係。
更具體來說，反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，儲存控制器210執行步驟S380；反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第一溫度門檻值且小於所述第二溫度門檻值，儲存控制器210執行步驟S390；反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第二溫度門檻值且小於臨界溫度門檻值，儲存控制器210執行步驟S410；反應於判定所述當前裝置溫度非小於臨界溫度門檻值儲存控制器210執行步驟S420。
在步驟S380中，儲存控制器210控制所述儲存裝置於正常工作狀態。在所述正常工作狀態中，所述儲存裝置以正常功率運行。例如，所述儲存裝置20被控制在以100%功率及效能運行。
在步驟S390中，儲存控制器210控制所述儲存裝置於第一抑制模式。例如，所述儲存裝置20被控制在以50%功率及效能運行。
在步驟S410中，儲存控制器210控制所述儲存裝置於第二抑制模式。在所述第二抑制模式中，所述儲存裝置以第二功率運行。例如，所述儲存裝置20被控制在以5%功率及效能運行。
在步驟S420中，儲存控制器210控制所述儲存裝置進入至目標系統狀態。
值得一提的是，本發明也可省略步驟S310~S360。舉例來說，在另一實施例中，儲存控制器210可記錄已調整第一溫度門檻值及已調整第二溫度門檻值於韌體中。當儲存裝置20進入至正常工作狀態時，儲存控制器210可直接讀取所記錄的所述已調整第一溫度門檻值及所述已調整第二溫度門檻值以設定當前欲使用的第一溫度門檻值及第二溫度門檻值。
圖4A是根據本發明的一實施例所繪示的根據溫度門檻值管理儲存裝置的效能/功率的示意圖。請參照圖4A，舉例來說，假設對應第一溫度門檻值TTH1的第一預設值為攝氏75度；對應第二溫度門檻值TTH2的第二預設值為攝氏78度；臨界溫度門檻值CTH被預先設定為攝氏85度。如圖4A所示，反應於判定當前裝置溫度非大於第一溫度門檻值TTH1，儲存控制器210控制儲存裝置20於正常工作狀態，即，儲存裝置20運行於100%的效能/功率。所述正常工作狀態也可稱為進階組態與電源介面規範中的G0或S0狀態。
反應於判定當前裝置溫度大於所述第一溫度門檻值TTH1且非大於所述第二溫度門檻值TTH2，如箭頭A41所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式，即，儲存裝置20運行於50%的效能/功率。
反應於判定當前裝置溫度大於所述第二溫度門檻值TTH2且小於所述臨界溫度門檻值CTH，如箭頭A42所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第二抑制模式，即，儲存裝置20運行於5%的效能/功率。
反應於判定當前裝置溫度非小於所述臨界溫度門檻值CTH，如箭頭A43所示，儲存控制器210控制儲存裝置20進入目標系統狀態，即，儲存裝置20進入待命模式或睡眠模式。
在一實施例中，所述第一抑制模式又可根據當前裝置溫度的大小被分為第一階段、第二階段及第三階段。例如，反應於判定當前裝置溫度大於所述第一溫度門檻值TTH1且非大於所述第一階段溫度門檻值TTH1.1，如箭頭A41所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式中的第一階段，即，儲存裝置20運行於50%的效能/功率。反應於判定當前裝置溫度大於所述第一階段溫度門檻值TTH1.1且非大於所述第二階段溫度門檻值TTH1.2，如箭頭A411所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式中的第二階段，即，儲存裝置20運行於40%的效能/功率。反應於判定當前裝置溫度大於所述第二階段溫度門檻值TTH1.2且非大於所述第二溫度門檻值TTH2，如箭頭A412所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式中的第三階段，即，儲存裝置20運行於25%的效能/功率。應注意的是，所述第一階段溫度門檻值TTH1.1與所述第二階段溫度門檻值TTH1.2也可經由相似於調整所述第一溫度門檻值及所述第二溫度門檻值的方式來被調整為已調整第一階段溫度門檻值TTH1.1’與已調整第二階段溫度門檻值TTH1.2’。
圖4B是根據本發明的一實施例所繪示的根據溫度門檻值管理儲存裝置的效能/功率的示意圖。相似於圖4A的例子，在此例子中，儲存控制器210判定第一溫度門檻值TTH1已被調整及第二溫度門檻值TTH2已被調整。基此，儲存控制器210將第一溫度門檻值TTH1設定為第一目標值TTH1’(已調整第一溫度門檻值)，並且將第二溫度門檻值TTH2設定為第二目標值TTH2’(已調整第二溫度門檻值)。接著，儲存控制器210可經由比較所獲得的當前裝置溫度與已調整第一溫度門檻值TTH1’、已調整第二溫度門檻值TTH2’及臨界溫度門檻值CTH之間的大小關係來控制儲存裝置20的效能/功率。
例如，反應於判定當前裝置溫度非大於已調整第一溫度門檻值TTH1’，儲存控制器210控制儲存裝置20於正常工作狀態，即，儲存裝置20運行於100%的效能/功率。
反應於判定當前裝置溫度大於所述已調整第一溫度門檻值TTH1’且非大於所述已調整第二溫度門檻值TTH2’，如箭頭A44所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式，即，儲存裝置20運行於50%的效能/功率。
反應於判定當前裝置溫度大於所述已調整第二溫度門檻值TTH2’且小於所述臨界溫度門檻值CTH，如箭頭A45所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第二抑制模式，即，儲存裝置20運行於5%的效能/功率。
反應於判定當前裝置溫度非小於所述臨界溫度門檻值CTH，如箭頭A43所示，儲存控制器210控制儲存裝置20進入目標系統狀態，即，儲存裝置20進入待命模式或睡眠模式。
此外，在一實施例中，反應於判定當前裝置溫度大於所述已調整第一溫度門檻值TTH1’且非大於所述已調整第一階段溫度門檻值TTH1.1’，如箭頭A441所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式中的第一階段，即，儲存裝置20運行於50%的效能/功率。反應於判定當前裝置溫度大於所述已調整第一階段溫度門檻值TTH1.1’且非大於所述第二階段溫度門檻值TTH1.2，如箭頭A411所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式中的第二階段，即，儲存裝置20運行於40%的效能/功率。反應於判定當前裝置溫度大於所述已調整第二階段溫度門檻值TTH1.2’且非大於所述已調整第二溫度門檻值TTH2，如箭頭A442所示，儲存控制器210控制儲存裝置20於第一抑制模式中的第三階段，即，儲存裝置20運行於25%的效能/功率。
應注意的是，上述多個溫度門檻值的具體數值皆為示例性，並不用以限制本發明。
圖5是根據本發明的一實施例所繪示的恢復已調整之溫度門檻值的儲存裝置管理方法的流程圖。
值得一提的是，在本發明的一實施例中，儲存控制器210更用以執行一恢復機制以在儲存裝置20進入至正常工作狀態或第一抑制模式中持續一段穩定時間後，分別恢復已調整第一溫度門檻值與已調整第二溫度門檻值為第一預設值與第二預設值。具體而言，請參照圖5，在步驟S510中，儲存控制器210可從溫度感測器240週期性地獲得對應儲存裝置20的當前裝置溫度。
接著，在步驟S520中，反應於判定所述當前裝置溫度大於或等於恢復溫度門檻值且小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，儲存控制器210累加第三計數值。在此，所述恢復溫度門檻值例如為攝氏70度，而設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值例如為在前述範例實施例中，設定為小於所述第一預設值(如，攝氏75度)1度(攝氏)的值，即，攝氏74度。在一實施例中，反應於判定所述當前裝置溫度小恢復溫度門檻值或大於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，所述儲存控制器會重置所述第三計數值。也就是說，所述第三計數值用以指示連續的所獲得的多個當前裝置溫度介於所述恢復溫度門檻值與第一目標值之間的次數。
接著，在步驟S530中，儲存控制器210判斷所述第三計數值是否大於第三計數門檻值，在此範例中，第三計數值例如為20。反應於判定所述第三計數值大於所述第三計數門檻值，執行步驟S540，亦即，當所獲得的多個當前裝置溫度介於所述恢復溫度門檻值與第一目標值之間的次數達到第三計數門檻值時，可判定儲存裝置20進入至正常工作狀態中已持續一段穩定時間，因此可執行用以恢復第一溫度門檻值至第一預設值的步驟S540；反應於判定所述第三計數值非大於所述第三計數門檻值，則再次獲取當前裝置溫度並執行步驟S550。
在步驟S540中，儲存控制器210調整所述第一溫度門檻值為一第一恢復值，並且所述第一恢復值大於已調整的第一溫度門檻值(即，第一目標值，如，攝氏74度)。例如，所述第一恢復值可設定為大於已調整的第一溫度門檻值1度(攝氏)的值。也就是說，在此範例中，儲存控制器210會將所述第一溫度門檻值調整為攝氏75度的第一恢復值。換言之，第一溫度門檻值會被恢復為如同初始被設定時的第一預設值(即，攝氏75度)。
在步驟S550中，儲存控制器210會再次獲取當前裝置溫度，並判斷所述當前裝置溫度是否非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值。反應於當前裝置溫度非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，執行步驟S560；反應於判定所述第一計數值小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，執行用以恢復第一溫度門檻值至第一預設值的步驟S540，步驟S540已於前述說明，在此不再贅述。
在步驟S560中，儲存控制器210會再次獲取當前裝置溫度，並判斷所述當前裝置溫度是否非小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值。反應於當前裝置溫度非小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值，繼續再次執行步驟S510(即，獲取下個週期的當前裝置溫度)；反應於當前裝置溫度小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值，執行步驟S570。在此，設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值例如為在前述範例實施例中，設定為小於所述第二預設值(如，攝氏78度)1度(攝氏)的值，即，攝氏77度。
接著，在步驟S570中，反應於判定所述當前裝置溫度非小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值，儲存控制器210累加第四計數值。在一實施例中，反應於判定所述當前裝置溫度小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值，所述儲存控制器會重置所述第四計數值。也就是說，所述第四計數值用以指示連續的所獲得的多個當前裝置溫度小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值的次數。
接著，在步驟S580中，儲存控制器210判斷所述第四計數值是否大於第四計數門檻值，在此範例中，第四計數值例如為300。反應於判定所述第四計數值大於所述第四計數門檻值，執行步驟S590，亦即，當所獲得的多個當前裝置溫度小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值時，可判定儲存裝置20進入至第一抑制模式中已持續一段穩定時間，因此可執行用以恢復第二溫度門檻值至第二預設值的步驟S590；反之，反應於判定所述第四計數值非大於所述第四計數門檻值，則繼續再次執行步驟S510(即，獲取下個週期的當前裝置溫度)。
在步驟S590中，儲存控制器210調整所述第二溫度門檻值為一第二恢復值，並且所述第二恢復值大於已調整的第二溫度門檻值(即，第二目標值，如，攝氏77度)。例如，所述第二恢復值是被設定為大於已調整的第二溫度門檻值1度(攝氏)的值。也就是說，在此範例中，儲存控制器210會將所述第二溫度門檻值調整為攝氏78度的第二恢復值。換言之，第二溫度門檻值會被恢復為如同初始被設定時的第二預設值(即，攝氏78度)。
綜上所述，本發明的實施例所提供的儲存裝置及儲存裝置管理方法，可反應於儲存裝置的溫度提升，而動態地調降對應的一或多個溫度門檻值，以讓儲存裝置可進一步地根據所調整的所述一或多個溫度門檻值來降低所述儲存裝置所運作的功率，進而更積極地抑制所述儲存裝置因運作所導致的溫度上升，而避免了所述儲存裝置因溫度過高而導致的資料錯誤。另一方面，本發明的實施例更提供一恢復機制來在儲存裝置溫度達到穩定時，恢復已調整的一或多個溫度門檻值，進而維持儲存裝置的運作效能。如此一來，本發明的實施例所提供的儲存裝置及儲存裝置管理方法，可有效率地改善增進所述儲存裝置的可靠度及所儲存的資料的正確性，並且同時兼顧儲存裝置的整體運作效能。
10:主機系統 20:儲存裝置 110、211:處理器 120:主機記憶體 130:資料傳輸介面電路 210:儲存控制器 212:資料傳輸管理電路 213:記憶體介面控制電路 214:錯誤檢查與校正電路 215:緩衝記憶體 216:電源管理電路 220:可複寫式非揮發性記憶體模組 230:連接介面電路 240:溫度感測器 S210、S220、S230、S240、S250、S260、S270、S280、S290:儲存裝置管理方法的流程步驟 S310、S320、S330、S340、S350、S360、S370、S380、S390、S410、S420:儲存裝置管理方法的流程步驟 A41、A42、A43、A44、A45、A411、A412、A441、A442:箭頭 TTH1、TTH1’、TTH2、TTH2’、CTH、TTH1.1、TTH1.1’、TTH1.2、TTH1.2’:溫度門檻值 S510,S520,S530,S540,S550,S560,S570,S580,S590:儲存裝置管理方法的流程步驟
圖1A是根據本發明的一實施例所繪示的儲存裝置與主機系統的方塊示意圖。 圖1B是根據本發明的一實施例所繪示的儲存控制器的方塊示意圖。 圖2是根據本發明的一實施例所繪示的儲存裝置管理方法的流程圖。 圖3是根據本發明的另一實施例所繪示的儲存裝置管理方法的流程圖。 圖4A是根據本發明的一實施例所繪示的根據溫度門檻值管理儲存裝置的效能/功率的示意圖。 圖4B是根據本發明的一實施例所繪示的根據溫度門檻值管理儲存裝置的效能/功率的示意圖。 圖5是根據本發明的一實施例所繪示的恢復已調整之溫度門檻值的儲存裝置管理方法的流程圖。
S210、S220、S230、S240、S250、S260、S270、S280、S290:儲存裝置管理方法的流程步驟

Claims (18)

  1. 一種儲存裝置，包括： 一可複寫式非揮發性記憶體模組； 一連接介面電路，用以電性連接至主機系統； 一溫度感測器，用以偵測對應所述儲存裝置的當前裝置溫度；以及 一儲存控制器，電性連接至所述可複寫式非揮發性記憶體模組、所述連接介面電路以及所述溫度感測器，其中 所述儲存控制器用以經由所述溫度感測器來週期性地獲得對應所述儲存裝置的所述當前裝置溫度， 其中反應於判定所述當前裝置溫度大於第一溫度門檻值，所述儲存控制器更用以累加第一計數值， 其中所述儲存控制器更用以判斷所述第一計數值是否大於第一計數門檻值， 其中反應於判定所述第一計數值大於所述第一計數門檻值，所述儲存控制器更用以調整所述第一溫度門檻值， 其中反應於判定所述當前裝置溫度大於第二溫度門檻值，所述儲存控制器更用以累加第二計數值， 其中所述儲存控制器更用以判斷所述第二計數值是否大於第二計數門檻值， 其中反應於判定所述第二計數值大於所述第二計數門檻值，所述儲存控制器更用以調整所述第二溫度門檻值， 其中所述儲存控制器更用以判斷所述當前裝置溫度是否大於臨界溫度門檻值， 其中反應於判定所述當前裝置溫度非小於所述臨界溫度門檻值，所述儲存控制器更用以控制所述儲存裝置進入目標系統狀態。
  2. 如請求項1所述的儲存裝置，其中反應於判定所述第一計數值非大於所述第一計數門檻值，所述儲存控制器接續執行經由所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的運作， 其中反應於判定所述第二計數值非大於所述第二計數門檻值，接續執行經由所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的運作， 其中反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述臨界溫度門檻值，接續執行經由所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的運作。
  3. 如請求項1所述的儲存裝置，其中 在調整所述第一溫度門檻值的運作中，所述儲存控制器更設置一第一調整標記，其中所述第一調整標記用以指示所述第一溫度門檻值已被調整， 在調整所述第二溫度門檻值的運作中，所述儲存控制器更設置一第二調整標記，其中所述第二調整標記用以指示所述第二溫度門檻值已被調整。
  4. 如請求項1所述的儲存裝置，其中所述目標系統狀態為一待機狀態或一睡眠狀態。
  5. 如請求項1所述的儲存裝置，其中在調整所述第一溫度門檻值的運作中， 所述儲存控制器調整所述第一溫度門檻值為一第一目標值，其中所述第一目標值小於對應所述第一溫度門檻值原本的第一預設值， 其中在調整所述第二溫度門檻值的運作中，所述儲存控制器調整所述第二溫度門檻值為一第二目標值，其中所述第二目標值小於對應所述第二溫度門檻值原本的第二預設值。
  6. 如請求項5所述的儲存裝置，其中當所述儲存裝置進入至一正常工作狀態時，所述儲存控制器判斷所述第一溫度門檻值與所述第二溫度門檻值是否已被調整， 其中反應於判定所述第一溫度門檻值已被調整，所述儲存控制器將所述第一溫度門檻值設定為所述第一目標值， 其中反應於判定所述第二溫度門檻值已被調整，所述儲存控制器將所述第二溫度門檻值設定為所述第二目標值， 其中反應於判定所述第一溫度門檻值未被調整，所述儲存控制器將所述第一溫度門檻值設定為所述第一預設值， 其中反應於判定所述第二溫度門檻值未被調整，所述儲存控制器將所述第二溫度門檻值設定為所述第二預設值。
  7. 如請求項6所述的儲存裝置，所述儲存控制器將所述第一溫度門檻值設定為所述第一目標值，且將所述第二溫度門檻值設定為所述第二目標值之後，所述儲存控制器更用以判斷所述當前裝置溫度是否大於或等於一恢復溫度門檻值且小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值， 其中反應於判定所述當前裝置溫度大於或等於所述恢復溫度門檻值且小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，所述儲存控制器更用以累加第三計數值， 其中所述儲存控制器更用以判斷所述第三計數值是否大於第三計數門檻值， 其中反應於判定所述第三計數值大於所述第三計數門檻值，所述儲存控制器更用以調整所述第一溫度門檻值為一第一恢復值， 其中反應於判定所述第三計數值非大於所述第三計數門檻值，所述儲存控制器更用以判斷所述當前裝置溫度是否非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值， 其中反應於判定述當前裝置溫度小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，所述儲存控制器更用以調整所述第一溫度門檻值為所述第一恢復值， 其中反應於判定述當前裝置溫度非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，所述儲存控制器更用以判斷所述當前裝置溫度是否非小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值， 其中反應於判定所述當前裝置溫度非小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值，所述儲存控制器更用以累加第四計數值， 其中所述儲存控制器更用以判斷所述第四計數值是否大於第四計數門檻值， 其中反應於判定所述第四計數值大於所述第四計數門檻值，所述儲存控制器更用以調整所述第二溫度門檻值為一第二恢復值， 其中所述第一恢復值大於所述第一目標值，所述第二恢復值大於所述第二目標值。
  8. 如請求項1所述的儲存裝置，其中 反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第一溫度門檻值且小於所述第二溫度門檻值，所述儲存控制器控制所述儲存裝置於第一抑制模式，其中在所述第一抑制模式中，所述儲存裝置以第一功率運行， 其中反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第二溫度門檻值且小於所述臨界溫度門檻值，所述儲存控制器控制所述儲存裝置於第二抑制模式，其中在所述第二抑制模式中，所述儲存裝置以第二功率運行， 其中反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，所述儲存控制器控制所述儲存裝置於正常工作狀態，其中在所述正常工作狀態中，所述儲存裝置以正常功率運行， 其中所述正常功率大於所述第一功率，並且所述第一功率大於所述第二功率。
  9. 請求項1所述的儲存裝置，其中 反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，所述儲存控制器重置所述第一計數值， 反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第二溫度門檻值，所述儲存控制器重置所述第二計數值。
  10. 一種儲存裝置管理方法，適用於一儲存裝置，所述方法包括： 經由所述儲存裝置的溫度感測器來週期性地獲得對應所述儲存裝置的所述當前裝置溫度； 反應於判定所述當前裝置溫度大於第一溫度門檻值，累加第一計數值； 判斷所述第一計數值是否大於第一計數門檻值，其中反應於判定所述第一計數值大於所述第一計數門檻值，調整所述第一溫度門檻值； 反應於判定所述當前裝置溫度大於第二溫度門檻值，累加第二計數值； 判斷所述第二計數值是否大於第二計數門檻值，其中反應於判定所述第二計數值大於所述第二計數門檻值，調整所述第二溫度門檻值；以及 判斷所述當前裝置溫度是否大於臨界溫度門檻值，其中反應於判定所述當前裝置溫度非小於所述臨界溫度門檻值，控制所述儲存裝置進入目標系統狀態。
  11. 如請求項10所述的儲存裝置管理方法，更包括： 反應於判定所述第一計數值非大於所述第一計數門檻值，執行經由所述儲存裝置的所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的步驟； 反應於判定所述第二計數值非大於所述第二計數門檻值，執行經由所述儲存裝置的所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的步驟；以及 反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述臨界溫度門檻值，執行經由所述儲存裝置的所述溫度感測器來週期性地獲得所述當前裝置溫度的步驟。
  12. 如請求項10所述的儲存裝置管理方法，其中 所述調整所述第一溫度門檻值的步驟包括設置一第一調整標記，其中所述第一調整標記用以指示所述第一溫度門檻值已被調整， 其中所述調整所述第二溫度門檻值的步驟包括設置一第二調整標記，其中所述第二調整標記用以指示所述第二溫度門檻值已被調整。
  13. 如請求項10所述的儲存裝置管理方法，其中所述目標系統狀態為一待機狀態或一睡眠狀態。
  14. 如請求項10所述的儲存裝置管理方法，其中所述調整所述第一溫度門檻值的步驟包括： 調整所述第一溫度門檻值為一第一目標值，其中所述第一目標值小於對應所述第一溫度門檻值原本的第一預設值， 其中所述調整所述第二溫度門檻值的步驟包括： 所述儲存控制器調整所述第二溫度門檻值為一第二目標值，其中所述第二目標值小於對應所述第二溫度門檻值原本的第二預設值。
  15. 如請求項14所述的儲存裝置管理方法，更包括： 當所述儲存裝置進入至一正常工作狀態時，判斷所述第一溫度門檻值與所述第二溫度門檻值是否已被調整， 其中反應於判定所述第一溫度門檻值已被調整，將所述第一溫度門檻值設定為所述第一目標值， 其中反應於判定所述第二溫度門檻值已被調整，將所述第二溫度門檻值設定為所述第二目標值， 其中反應於判定所述第一溫度門檻值未被調整，將所述第一溫度門檻值設定為所述第一預設值， 其中反應於判定所述第二溫度門檻值未被調整，將所述第二溫度門檻值設定為所述第二預設值。
  16. 如請求項15所述的儲存裝置管理方法，更包括： 將所述第一溫度門檻值設定為所述第一目標值且將所述第二溫度門檻值設定為所述第二目標值之後，判斷所述當前裝置溫度是否大於或等於一恢復溫度門檻值且小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值； 反應於判定所述當前裝置溫度大於或等於所述恢復溫度門檻值且小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，累加第三計數值； 判斷所述第三計數值是否大於第三計數門檻值； 反應於判定所述第三計數值大於所述第三計數門檻值，調整所述第一溫度門檻值為一第一恢復值； 反應於判定所述第三計數值非大於所述第三計數門檻值，判斷所述當前裝置溫度是否非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值； 反應於判定述當前裝置溫度小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，調整所述第一溫度門檻值為所述第一恢復值； 反應於判定述當前裝置溫度非小於設為所述第一溫度門檻值的所述第一目標值，判斷所述當前裝置溫度是非否小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值； 反應於判定所述當前裝置溫度非小於設為所述第二溫度門檻值的所述第二目標值，累加第四計數值； 判斷所述第四計數值是否大於第四計數門檻值；以及 反應於判定所述第四計數值大於所述第四計數門檻值，調整所述第二溫度門檻值為一第二恢復值， 其中所述第一恢復值大於所述第一目標值，所述第二恢復值大於所述第二目標值。
  17. 如請求項10所述的儲存裝置管理方法，更包括： 反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第一溫度門檻值且小於所述第二溫度門檻值，控制所述儲存裝置於第一抑制模式，其中在所述第一抑制模式中，所述儲存裝置以第一功率運行；以及 反應於判定所述當前裝置溫度大於所述第二溫度門檻值且小於所述臨界溫度門檻值，控制所述儲存裝置於第二抑制模式，其中在所述第二抑制模式中，所述儲存裝置以第二功率運行；以及 反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，控制所述儲存裝置於正常工作狀態，其中在所述正常工作狀態中，所述儲存裝置以正常功率運行， 其中所述正常功率大於所述第一功率，並且所述第一功率大於所述第二功率。
  18. 請求項10所述的儲存裝置管理方法，更包括： 反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第一溫度門檻值，重置所述第一計數值；以及 反應於判定所述當前裝置溫度非大於所述第二溫度門檻值，重置所述第二計數值。
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