TWI744874B - 軟磁性合金粉末、壓粉磁芯、磁性零件及電子機器 - Google Patents

軟磁性合金粉末、壓粉磁芯、磁性零件及電子機器 Download PDF

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Abstract

目的為提供矯頑力低的軟磁性合金粉末且可獲得高導磁率的壓粉磁芯的軟磁性合金粉末。解決手段為由組成式(Fe(1-(α+β)) X1α X2β )(1-(a+b+c+d+e+f)) Ma Bb Pc Sid Ce Sf 構成的軟磁性合金粉末。X1為選自Co及Ni所組成之族群中的一種以上，X2為選自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O及稀土類元素所組成之族群中的一種以上，M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti及V所組成之族群中的一種以上。各成分的含量為特定的範圍內。非晶質化率X(%)為85%以上。

Description

軟磁性合金粉末、壓粉磁芯、磁性零件及電子機器
本發明是關於軟磁性合金粉末、壓粉磁芯、磁性零件及電子機器。
在專利文獻1，揭露在將鐵系的結晶質合金磁性粉與鐵系的非晶質合金磁性粉混合而成的混合磁性粉再混合絕緣性黏結材之複合磁性材料。
在專利文獻2，揭露以熱硬化性樹脂被覆將Fe-Ni系合金磁粉混合於硬質的非晶質合金磁粉而得的混合磁性粉所含的個別的粒子之複合磁性材料。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2004-197218號公報 [專利文獻2] 日本特開2004-363466號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明是以提供矯頑力低的軟磁性合金粉末且可獲得高導磁率的壓粉磁芯的軟磁性合金粉末為目的。 [用以解決問題的手段]
為了達成上述的目的，本發明的軟磁性合金粉末為 由組成式(Fe(1-(α+β)) X1α X2β )(1-(a+b+c+d+e+f)) Ma Bb Pc Sid Ce Sf 構成的軟磁性合金粉末， X1為選自Co及Ni所組成之族群中的一種以上， X2為選自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O及稀土類元素所組成之族群中的一種以上， M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti及V所組成之族群中的一種以上， 0≤a≤0.150、 0≤b≤0.200、 0≤c≤0.200、 0≤d≤0.200、 0＜e≤0.200、 0＜f≤0.0200、 0.100≤a+b+c+d+e≤0.300、 0.0001≤e+f≤0.220、 α≥0、 β≥0、 0≤α＋β≤0.50， 示於下列式(1)的非晶質化率X(%)為85%以上： X=100-(Ic/(Ic+Ia))×100　…(1) Ic：結晶性散射積分強度、 Ia：非晶質性散射積分強度。
本發明的軟磁性合金粉末藉由具有上述的特徵，可使矯頑力HcJ充分變低。還有，使用本發明的軟磁性合金粉末，可以獲得導磁率高的壓粉磁芯等。
本發明的軟磁性合金粉末，將在使用體積基準的粒度分布的D50設為r，其粒徑為r以上2r以下的軟磁性合金粒子的平均圓形度可為0.70以上。
本發明的軟磁性合金粉末，將在使用體積基準的粒度分布的D50設為r，其粒徑為r以上2r以下的軟磁性合金粉末的平均圓形度可為0.90以上。
本發明的軟磁性合金粉末，其粒徑為25μm以上30μm以下的軟磁性合金粉末的平均圓形度為0.70以上。
本發明的軟磁性合金粉末，其粒徑為25μm以上30μm以下的軟磁性合金粉末的平均圓形度為0.90以上。
本發明的軟磁性合金粉末，其粒徑為5μm以上10μm以下的軟磁性合金粉末的平均圓形度為0.70以上。
本發明的軟磁性合金粉末，其粒徑為5μm以上10μm以下的軟磁性合金粉末的平均圓形度為0.90以上。
0.0001≤e+f≤0.051亦可。
0.080＜d＜0.100亦可。
0.030＜e≤0.050亦可。
0≤a＜0.020亦可。
本發明的軟磁性合金粉末亦可含有奈米結晶粒子。
本發明的壓粉磁芯包括上述之軟磁性合金粉末。
本發明的磁性零件包括上述之軟磁性合金粉末。
本發明的電子機器包括上述之軟磁性合金粉末。
[用以實施發明的形態]
以下，針對本發明的實施形態作說明。
為了達成上述的目的，本實施形態相關的軟磁性合金粉末為 由組成式(Fe(1-(α+β)) X1α X2β )(1-(a+b+c+d+e+f)) Ma Bb Pc Sid Ce Sf 構成的軟磁性合金粉末， X1為選自Co及Ni所組成之族群中的一種以上， X2為選自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O及稀土類元素所組成之族群中的一種以上， M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti及V所組成之族群中的一種以上， 0≤a≤0.150、 0≤b≤0.200、 0≤c≤0.200、 0≤d≤0.200、 0＜e≤0.200、 0＜f≤0.0200、 0.100≤a+b+c+d+e≤0.300、 0.0001≤e+f≤0.220、 α≥0、 β≥0、 0≤α＋β≤0.50， 示於下列式(1)的非晶質化率X(%)為85%以上： X=100-(Ic/(Ic+Ia))×100　…(1) Ic：結晶性散射積分強度、 Ia：非晶質性散射積分強度。
本實施形態相關的軟磁性合金粉末藉由具有上述的特徵，使矯頑力HcJ充分變低。還有，容易成為寬廣的粒度分布。其結果，使用本實施形態相關的軟磁性合金粉末，可以獲得導磁率μ高的壓粉磁芯等。還有，粒徑在特定的範圍內的軟磁性合金粉末的平均圓形度變高。其結果，可以獲得具有更良好的HcJ的軟磁性合金粉末。然後，可以獲得導磁率μ更高的壓粉磁芯等。
以下，針對本實施形態相關的軟磁性合金粉末的各成分作詳細說明。
M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti及V所組成之族群中的一種以上。
M的含量(a)滿足0≤a≤0.150。即本實施形態相關的軟磁性合金粉末亦可不含M。從使HcJ下降的觀點，以滿足0≤a≤0.070為佳。隨著a的增加，變得容易降低飽和磁化。
滿足0≤a＜0.020為更佳。亦可滿足0≤a≤0.019。藉由a為上述的數值範圍內，可以更加提升飽和磁化。
B的含量(b)滿足0≤b≤0.200。即本實施形態相關的軟磁性合金粉末亦可不含B。又，0.060≤b≤0.200亦可。在b過大時，變得容易降低飽和磁化。
P的含量(c)滿足0≤c≤0.200。即本實施形態相關的軟磁性合金粉末亦可不含P。又，0≤c≤0.150亦可。在c過大時，與b過大時同樣，變得容易降低飽和磁化。
Si的含量(d)滿足0≤d≤0.200。即本實施形態相關的軟磁性合金粉末亦可不含Si。0.080＜d＜0.100亦可，0.085≤d≤0.095亦可。在d過大時，變得容易降低軟磁性合金粉末的圓形度。
C的含量(e)滿足0＜e≤0.200。即本實施形態相關的軟磁性合金粉末一定包括C。又，0.001≤e≤0.150亦可，0.030＜e≤0.050亦可。本實施形態相關的軟磁性合金粉末藉由包括C，變得容易使HcJ變小。在e過大時，與b過大時及c過大時同樣，變得容易降低飽和磁化。
S的含量(f)滿足0＜f≤0.0200。即本實施形態相關的軟磁性合金粉末一定包括S。又，0.0001≤f≤0.0200亦可。本實施形態相關的軟磁性合金粉末藉由包括S，變得容易成為寬廣的粒度分布，使用軟磁性合金粉末製作的壓粉磁芯等的導磁率μ變得容易上升。不過，在本實施形態相關的軟磁性合金粉末不含C而含有S的情況，HcJ會變得過大。又，亦變得容易降低壓粉磁芯等的導磁率μ。在f過大時，軟磁性合金粉末變得容易包含結晶粒徑超過100nm的結晶。然後，在軟磁性合金粉末包含結晶粒徑超過100nm的結晶時，HcJ顯著上升，變得容易降低使用軟磁性合金粉末的壓粉磁芯等的導磁率μ。
又，本實施形態相關的軟磁性合金粉末，滿足0.100≤a+b+c+d+e≤ 0.300。又，0.240≤a+b+c+d+e≤0.300亦可。藉由a+b+c+d+e為上述的範圍內，變得容易提升各種特性。在a+b+c+d+e過小時，軟磁性合金粉末變得容易包含結晶粒徑超過100nm的結晶。在a+b+c+d+e過大時，變得容易降低飽和磁化。
又，本實施形態相關的軟磁性合金粉末，滿足0.0001≤e+f≤0.220。0.0001≤e+f≤0.051亦可。藉由e+f為上述的範圍內，變得容易提升各種特性。
根據以上，C與S之中，在僅含有C而不含S時，軟磁性合金粉末的粒度分布變尖。其結果，HcJ變得良好，但是使用此軟磁性合金粉末的壓粉磁芯等的導磁率μ並未提升。C與S之中，在僅含有S而不含C時，HcJ惡化，使用此軟磁性合金粉末的壓粉磁芯等的導磁率μ的提升效果小。又，在包括C與S二者的軟磁性合金粉末的e+f過大時，軟磁性合金粉末變得容易成為包含結晶粒徑超過100nm的結晶之結晶。
針對Fe的含量(1-(a+b+c+d+e+f))，並無特別設限，但0.699≤1-(a+b+c+d+e+f)≤0.8999亦可。將1-(a+b+c+d+e+f)設定為上述的範圍內，軟磁性合金粉末變得難以包含結晶粒徑超過100nm的結晶。又，Fe的含量(1-(a+b+c+d+e+f))亦可為0.740以上。將1-(a+b+c+d+e+f)設定為0.740以上，變得容易使飽和磁化變大。
又，在本實施形態的軟磁性合金粉末，亦可以X1及/或X2置換Fe的一部分。
X1為選自Co及Ni所組成之族群中的一種以上。關於X1的含量，α=0亦可。即亦可不含X1。又，將組成全體的原子數設為100at%，X1的原子數亦可為40at%以下。即亦可滿足0≤α{1-(a+b+c+d+e+f)}≤0.400。
X2為選自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O及稀土類元素所組成之族群中的一種以上。又，特別從使HcJ降低的觀點，X2亦可為選自Al、Zn、Sn、Cu、Cr、Bi所組成之族群中的一種以上。關於X2的含量，β=0亦可。即亦可不含X2。又，將組成全體的原子數設為100at%，X2的原子數亦可為3.0at%以下。即亦可滿足0≤β{1-(a+b+c+d+e+f)}≤0.030。
將Fe置換為X1及/或X2的置換量的範圍，以原子數基準為Fe的一半以下。即設為0
Figure 109113790-A0305-02-0009-3
α+β
Figure 109113790-A0305-02-0009-4
0.50。
另外，本實施形態的軟磁性合金粉末亦可包括上述以外的元素作為不可避免的不純物。例如，相對於軟磁性合金粉末100重量%，可包括0.1重量%以下。
又，本實施形態的軟磁性合金粉末具有由非晶質構成的構造。具體而言，示於下列式(1)的非晶質化率X(%)為85%以上。
X=100-(Ic/(Ic+Ia))×100...(1)
Ic：結晶性散射積分強度
Ia：非晶質性散射積分強度
非晶質化率X(%)高的軟磁性合金粉末，其結晶磁性異向性變小。因此，使用非晶質化率X(%)高的軟磁性合金粉末的壓粉磁芯的磁性損失變小。
非晶質化率X(%)，是藉由X光繞射(XRD)對軟磁性合金粉末實施X光結晶構造解析，進行相的識別，讀取結晶化的Fe或化合物的尖峰(Ic：結晶性散射積分強度、Ia：非晶質性散射積分強度)，從其尖峰強度導出結晶化率，而從上列式(1)計算出。以下，更具體說明計算方法。
藉由XRD針對本實施形態相關的軟磁性合金粉末進行X光結晶構造解析，得到如第1圖所示的線圖。對其使用下列式(2)的羅倫茲函數(Lorentzian function)進行波形分析，得到如第2圖所示的顯示結晶性散射積分強度的結晶成分圖案αc、顯示非晶質性散射積分強度的非晶成分圖案αa以及結合二者的圖案αc+a。根據所得的圖案的結晶性散射積分強度及非晶質性散射積分強度，根據上列式(1)求出非晶質化率X(%)。另外，測定範圍設為源自非晶質的暈輪(halo)所可以確認的繞射角2θ=30°~60°的範圍。在此範圍，使從XRD實測的積分強度與使用羅倫茲函數計算出來的積分強度的誤差在1%以內。
Figure 109113790-A0305-02-0010-1
h：尖峰高度
u：尖峰位置
w：半高寬
b：背景高度
另外，本實施形態的軟磁性合金粉末，若其非晶質化率X(%)為85%以上則亦可包括奈米結晶粒子。奈米結晶粒子是指包括結晶粒徑為50nm以下的奈米結晶的粒子。又，軟磁性合金粉末是否包括奈米結晶粒子，可藉由XRD來確認。在軟磁性合金粉末包括奈米結晶粒子的情況，變得容易地更加降低HcJ，變得容易提升使用軟磁性合金粉末的壓粉磁芯等的導磁率μ。
另外，在奈米結晶粒子，通常包含多個奈米結晶。即後文敘述的軟磁性合金粉末的粒徑與奈米結晶的結晶粒徑為不同。
又，本實施形態的軟磁性合金粉末亦可為球形度高的軟磁性合金粉末。藉由具有上述的組成，可以獲得近似球形的粒子形狀的軟磁性合金粉末，即球形度高的軟磁性合金粉末。
一般而言，軟磁性合金粉末的非晶質化率X(%)愈高，有塑性變形的產生變難的傾向。因此，在壓粉磁芯等的成形時，變得充填率難以提升。使軟磁性合金粉末的粒子形狀近似球形，可以使使用此軟磁性合金粉末的壓粉磁芯等的充填率提升，而可以提升矯頑力HcJ及導磁率μ等的各種特性。
還有，本實施形態的軟磁性合金粉末，以粒徑大的粉末的球形度高為佳。藉由粒徑大的粉末的球形度高，變得可以使使用此軟磁性合金粉末的壓粉磁芯等的充填率的更加上升，變得容易使導磁率μ上升。
以下，針對在本實施形態相關的軟磁性合金粉末的粒子形狀及粒徑(粒度分布)的評價方法作說明。
如上述，粒子形狀愈接近球形，可以使使用此軟磁性合金粉末的壓粉磁芯等的充填率上升，而可以使矯頑力等的各種特性提升。
一般而言，關於軟磁性合金粉末的粒度分布的基準，有體積基準與個數基準。體積基準的粒度分布是以將橫軸設為粒徑、將縱軸設為以體積基準的頻率的圖形表示。個數基準的粒度分布是以將橫軸設為粒徑、將縱軸設為以個數基準的頻率的圖形表示。將二者合併，成為例如如第3圖的圖形。實線為體積基準的粒度分布，虛線為個數基準的粒度分布。將使用體積基準的粒徑的D50設為r，將r及2r的位置記載於第3圖。
依體積基準的粒度分布與依個數基準的粒度分布的不同，是依一個個粒子反映於數據的程度的不同。在體積基準，一個個粒子反映於數據的程度是與其體積成比例。也就是，小型粒子反映於數據的程度小。另一方面，在個數基準，一個個粒子反映於數據的程度為同等。即小型粒子反映於數據的程度變大。因此，產生上述的粒度分布的不同。
如上述，本實施形態的軟磁性合金粉末，以粒徑大的粉末的球形度高為佳。具體而言，使用個數基準的粒徑為r以上2r以下的粒子的平均圓形度可以是0.70以上，0.90以上亦可。又，相對於全體軟磁性合金粉末，粒徑為r以上2r以下的粒子之使用個數基準的含有比例可以是1%以上25%以下。另外，使用個數基準的粒度分布中，僅將粒徑為r以上2r以下的部分的粒度分布摘錄於第4圖。
本實施形態的軟磁性合金粉末，使用個數基準的粒徑為25μm以上30μm以下的粒子的平均圓形度可以是0.70以上，0.90以上亦可。此時，使用個數基準的粒徑的D50可以是0.5μm以上25μm以下。又，相對於全體軟磁性合金粉末，粒徑為25μm以上30μm以下的粒子之使用個數基準的含有比例可以是0.1%以上10%以下。
本實施形態的軟磁性合金粉末，使用個數基準的粒徑為5μm以上10μm以下的粒子的平均圓形度可以是0.70以上，0.90以上亦可。此時，使用個數基準的粒徑的D50可以是0.5μm以上5μm以下。又，相對於全體軟磁性合金粉末，粒徑為5μm以上10μm以下的粒子之使用個數基準的含有比例可以是0.1%以上10%以下。
在本實施形態，使用體積基準的粒度分布及粒徑的D50(r)的評價方法並未特別設限。例如，可以藉由利用夫朗和斐的繞射(Fraunhofer diffraction)理論的雷射繞射式的粒度分布測定裝置來評價。
在本實施形態，針對使用個數基準的粒度分布，使用Morphologi G3(Malvern Panalytical公司)來評價。Morphologi G3是藉由空氣使粉末分散而可以將各個粒子形狀投影、評價的裝置。以光學顯微鏡或雷射顯微鏡，可以評價粒徑約為0.5μm~數mm的範圍內的粒子形狀。具體而言，如根據示於第5圖的粒子形狀測定結果1所理解，可以將多個粒子形狀一次投影而作評價。然而，實際上可以一次投影遠多於記載於第5圖所示的粒子形狀測定結果1的數量的粒子形狀而作評價。
由於Morphologi G3可以一次製作多個粒子的投影圖而作評價，與習知的使用SEM(掃描式電子顯微鏡)觀察等的評價方法比較，可以在短時間評價多個粒子的形狀。例如在後文敘述的實施例，是針對20000個粒子製作投影圖，自動計算出各個粒子的粒徑及圓形度，計算出粒徑為特定的範圍內的粒子的平均圓形度。相對於此，在習知的SEM觀察，使用SEM影像針對一個一個的粒子計算圓形度，因此難以在短時間評價多個粒子的形狀。
粒子的圓形度是將投影圖中的面積設為S、將投影圖中的周長設為L，以4πS/L2 表示。圓的圓形度為1，粒子的投影圖的圓形度愈接近1，則粒子的球形度愈高。
又，本實施形態的軟磁性合金粉末是否具有寬廣的粒度分布，可以藉由使用個數基準的粒徑的標準差σ的大小作評價。
另外，在評價包含於壓粉磁芯等的軟磁性合金粉末的各種粒度分布的情況，可以使用依習知的SEM觀察的方法。亦可針對包含於壓粉磁芯等的任意的剖面的一個一個的粒子，從SEM影像計算出粒徑及圓形度而作評價。
本案諸位發明人發現藉由控制軟磁性合金粉末的組成，可以獲得具有寬廣的粒度分布的軟磁性合金粉末。又，藉由控制軟磁性合金粉末的組成，可以控制全體軟磁性合金粉末的HcJ。
然後，本案諸位發明人發現使用全體軟磁性合金粉末的HcJ為合適且具有寬廣的粒度分布的軟磁性合金粉末之壓粉磁芯等的導磁率μ變得良好。
又，為了使全體軟磁性合金粉末的HcJ及使用軟磁性合金粉末之壓粉磁芯等的導磁率μ及耐電壓特性等更為良好，控制粒徑大的軟磁性合金粉末的球形度比控制全體軟磁性合金粉末的球形度還要重要，此為本案諸位發明人所發現。具體而言，使用個數基準的粒徑為r以上2r以下的粒子的平均圓形度及使用個數基準的粒徑為25μm以上30μm以下的粒子的平均圓形度愈高，導磁率μ及耐電壓特性愈容易變好。
另外，全體軟磁性合金粉末的球形度，亦可藉由控制製造方法而變化。然而即使僅控制製造方法，與粒徑小的軟磁性合金粉末比較，粒徑大的軟磁性合金粉末的球形度較為難以變化。也就是，發現了為了控制粒徑大的軟磁性合金粉末的球形度，控制軟磁性合金粉末的組成來容易使全體軟磁性合金粉末的粒子形狀變化，比控制製造方法還重要。
在此，相對於全體軟磁性合金粉末的體積分布，針對彼此相同的合計體積比例之粒徑小的軟磁性合金粉末及粒徑大的軟磁性合金粉末來考慮。若為彼此相同的合計體積比例，相對於粒徑大的軟磁性合金粉末，粒徑小的軟磁性合金粉末的粒子數變得非常多。例如，若為彼此相同的合計體積比例，在粒徑10μm的軟磁性合金粉末的粒子數，為在粒徑1μm的軟磁性合金粉末的粒子數的約1/1000。
即全體軟磁性合金粉末的球形度，對粒徑大而粒子數少的軟磁性合金粉末的球形度賦予的影響小。然後，無論粒徑大的軟磁性合金粉末的球形度為何，可以變化全體軟磁性合金粉末的球形度。
以下，針對本實施形態的軟磁性合金粉末的製造方法作說明。
本實施形態的軟磁性合金粉末的製造方法並未特別限定。例如可列舉霧化法。霧化法的種類亦為任意，可列舉水霧化法、氣體霧化法等。
以下，針對依水霧化法的軟磁性合金粉末的製造方法作記載。首先，準備原料。所準備的原料可以是金屬等的單體，亦可以是合金。關於原料的形態亦無特別設限。例如，可列舉錠(ingot)、塊(chunk)或粒(shot)。
接下來，秤量所準備的原料並混合。此時，以為了獲得作為最終目的的組成的軟磁性合金粉末來秤量。然後，將已混合的原料熔融、混合而得到熔融金屬。用於熔融、混合的器具並未特別設限。例如可使用坩堝等。熔融金屬的溫度，考慮各金屬元素的熔點決定即可，但例如可設為1200~1600℃。
然後，以水霧化法從熔融金屬製作軟磁性合金粉末。具體而言，以噴嘴等將熔融金屬噴出，使高壓水流撞擊已噴出的熔融金屬而急冷，藉此可以製作軟磁性合金粉末。另外，熔融金屬與軟磁性合金粉末的的組成實質上一致。
在此，為了獲得設為目的的軟磁性合金粉末的粒徑，控制高壓水流的壓力、熔融金屬的噴出量等，而可以控制粒徑。然後，得到具有設為目的的粒度分布的軟磁性合金粉末。
高壓水流的壓力可為例如50MPa以上100MPa以下。針對熔融金屬的噴出量，可為例如1kg/min以上20kg/min以下。
又，亦可對所得到的非晶質的軟磁性合金粉末進行熱處理，在軟磁性合金粉末析出奈米結晶粒子。熱處理的條件為例如350℃以上800℃以下、0.1分鐘以上120分鐘以下。
以下，針對依氣體霧化法的軟磁性合金粉末的製造方法作記載。
在本案諸位發明人使用示於第6A圖及第6B圖的霧化裝置作為霧化裝置的情況，容易製作粒徑大的軟磁性合金粉末，還變得容易獲得非晶質的軟磁性合金粉末。
如第6A圖所示，霧化裝置10具有熔融金屬供應部20與配置在熔融金屬供應部20的鉛直方向的下方的冷卻部30。在圖式中，鉛直方向是沿著Z軸的方向。
熔融金屬供應部20具有收容熔融金屬21的耐熱性容器22。在耐熱性容器22，藉由加熱用線圈24將為了成為最終獲得的軟磁性合金粉末的組成而秤量後的各金屬元素的原料熔融，成為熔融金屬21。熔融時的溫度，即熔融金屬21的溫度，考慮各金屬原料的熔點而決定即可，但可設為例如1200~1600℃。
熔融金屬21作為滴下熔融金屬21a，被從釋出口23朝向冷卻部30釋出。從氣體噴射噴頭26將高壓氣體向已被釋出的滴下熔融金屬21a噴射，滴下熔融金屬21a成為多數的熔滴，被沿著氣流向筒體32的內面輸送。
作為從氣體噴射噴頭26噴射的氣體，以非活性氣體或還原性氣體為佳。作為非活性氣體，可使用例如氮氣、氬氣、氦氣等。作為還原性氣體，可使用例如氨分解氣體等。然而，在熔融金屬21為難以氧化的金屬的情況，從 氣體噴射噴頭26噴射的氣體為空氣亦可。
向筒體32的內面輸送的滴下熔融金屬21a，撞擊先在筒體32的內部形成為倒圓錐狀的冷卻液流50，被進一步斷開而微細化的同時被冷卻固化，成為固狀的合金粉末。筒體32的軸心O，以既定角度θ1相對於鉛直線Z傾斜。作為既定角度θ1，並未特別設限，但以0~45度為佳。設為這樣的角度範圍，變得使來自釋出口23的滴下熔融金屬21a容易向先在筒體32的內部形成為倒圓錐狀的冷卻液流50釋出。
沿著筒體32的軸心O在下方設置排出部34，使包含於冷卻液流50的合金粉末可以一起與冷卻液排出至外部。與冷卻液一起排出的合金粉末在外部的貯留槽等，與冷卻液分離而被取出。另外，作為冷卻液，並未特別設限，可使用冷卻水。
在本實施形態，由於滴下熔融金屬21a撞擊先形成為倒圓錐狀的冷卻液流50，與冷卻液流沿著筒體32的內面33的情況比較，縮短滴下熔融金屬21a的熔滴的飛行時間。一旦縮短飛行時間，則促進急冷效果，提升所獲得的軟磁性合金粉末的非晶質化率X(%)。進一步，變得容易使粒徑大的軟磁性合金粉末的球形度變大。又，由於一旦縮短飛行時間則滴下熔融金屬21a難以被氧化，亦促進所得到的軟磁性合金粉末的微細化的同時，亦提升軟磁性合金粉末的品質。
在本實施形態，為了在筒體32的內部將冷卻液流行成為倒圓錐狀，控制冷卻液在用於將冷卻液導入至筒體32的內部的冷卻液導入部(冷卻液導出部)36的流動。在第6B圖，顯示冷卻液導入部36的構成。
如第6B圖所示，藉由框體38，規範位於筒體32的徑向的外側的外側部(外側空間部)44與位於筒體32的徑向的內側的內側部(內側空間部)46。外側部44與內側部46是被以區隔部40所區隔，外側部44與內側部46以形成在區隔部40的軸心O方向的上部的通路部42而連通著，使冷卻液可以流通。
在外側部44，連接有單一或複數個噴頭37，使冷卻液從噴頭37進入至外側部44。又，在內側部46的軸心O方向的下方，形成有冷卻液釋出部52，使內側部46內的冷卻液從冷卻液釋出部52釋出(導出)至筒體32的內部。
框體38的外周面，成為導引內側部46內的冷卻液的流動的流路內周面38b，在框體38的下端38a，從框體38的流路內周面38b連續，形成有突出於半徑方向的外側的外方凸部38a1。因此，外方凸部38a1的前端與筒體32的內面33之間的環狀的間隙成為冷卻液釋出部52。在外方凸部38a1的流路側上表面，形成有流路偏向面62。
如第6B圖所示，藉由外方凸部38a1，冷卻液釋出部52的徑向寬度D1，比在內側部46的主要部的徑向寬度D2還窄。藉由D1比D2還窄，在內側部46的內部沿著流路內周面38b下降至軸心O的下方的冷卻液，接著沿著框體38的流路偏向面62流動而撞擊筒體32的內面33並反射。其結果如第6A圖所示，冷卻液從冷卻液釋出部52以倒圓錐狀被釋出於筒體32的內部，形成冷卻液流50。另外在D1=D2的情況，從冷卻液釋出部52釋出的冷卻液，沿著筒體32的內面33而形成冷卻液流。
D1/D2以2/3以下為佳、以1/2以下為更佳、以1/10以上為最佳。
另外，從冷卻液釋出部52流出的冷卻液流50，是從冷卻液釋出部52向軸心O一直前進的倒圓錐流，但亦可為漩渦狀的倒圓錐流。
又，熔融金屬的噴出量、氣體噴射壓、筒體32內的壓力、冷卻液釋出壓、D1/D2等，根據設為目的的軟磁性合金粉末的粒徑作適當設定即可。熔融金屬的噴出量可以是例如1kg/min以上20kg/min以下。氣體噴射壓可以是例如0.5MPa以上19MPa以下。筒體32內的壓力可以是例如0.5MPa以上19MPa以下。冷卻液釋出壓可以是例如0.5MPa以上19MPa以下。
熔融金屬的噴出量愈少則粒徑變小，而有容易製作非晶質的軟磁性合金粉末的傾向。
氣體噴射壓、筒體32內的壓力及冷卻液釋出壓愈高則粒徑變小，亦有粒子的圓形度變小的傾向。
另外，針對粒徑，藉由例如篩分級、氣流分級等而可以調整粒度。以下，針對藉由篩分級進行粒度調整的方法作說明。
以篩分級，使例如每一回的粉末入料量、分級時間及/或網目尺寸變化，而可以調整粒度。然後適當地控制每一回的粉末入料量、分級時間及/或網目尺寸，可以獲得具有所欲的粒度的軟磁性合金粉末。
每一回的粉末入料量愈多，則變得容易降低粒子的平均圓形度。分級時間愈短，則變得容易降低粒子的平均圓形度。網目尺寸愈大，則變得容易降低粒子的平均圓形度。
作為其他的粒度調整的方法，有使粉末通過網目的次數變化的方法。即使同一網目尺寸，使粉末通過網目的次數變多，而可以抽出較多的變異形狀粒子。抽出較多的變異形狀粒子，亦可能提升粉末的平均圓形度。
亦可摻合複數種類的軟磁性合金粉末，進行粒度調整。
關於本實施形態相關的軟磁性合金粉末的用途，並未特別設限。例如，可列舉壓粉磁芯。在使用本實施形態相關的軟磁性合金粉末的情況，即使使壓粉磁芯製作時的壓力較低，仍變得容易獲得適當的導磁率μ。這是因為粒度分布變寬廣，即使使壓粉磁芯製作時的壓力較低，仍變得容易獲得的壓粉磁芯緻密化。具體而言，可以將壓粉磁芯製作時的壓力設為例如98MPa以上1500MPa以下。
又，本實施形態相關的壓粉磁芯，可以適用於電感用、特別是功率電感(power inductor)用的壓粉磁芯。還有，亦可適用於將壓粉磁芯與線圈部一體成形後的電感。
又，亦可適用於使用軟磁性合金粉末的磁性零件，例如薄膜電感、磁頭。還有，使用此軟磁性合金粉末的壓粉磁芯、磁性零件等，亦可適用於電子機器。
[實施例]
以下，基於實施例具體地說明本發明。
(實驗例1)
為了獲得記載於示於以下的表1的組成的母合金而準備、秤量各種材料錠。然後，收容於配置在水霧化裝置內的坩堝。接下來，在非活性氛圍中，使用設於坩堝外部的工作線圈(work coil)，藉由高頻感應將坩堝加熱至1500℃，將坩堝中的錠熔融、混合而獲得熔融金屬(熔湯)。
接下來，從設於坩堝的噴頭，將坩堝內的熔湯噴出的同時，使噴出後的熔湯撞擊100MPa的高壓水流而急冷，藉此製作示於表1的各實施例及比較例的軟磁性合金粉末。又，已藉由ICP分析確認母合金的組成與軟磁性合金粉末的組成約略一致。
針對所得到的各軟磁性合金粉末，進行篩分級。篩分級的條件設為每一回的入料量0.5kg、分級時間1分鐘。還有，網目尺寸設為篩孔38μm。
確認所得到的各軟磁性合金粉末為由非晶質構成或由結晶構成。使用XRD測定各薄帶的非晶質化率X(%)，在X(%)為85%以上的情況設為由非晶質構成，在X(%)為不到85%的情況設為由結晶構成。將結果示於表1。
對所得到的各軟磁性合金粉末測定HcJ及Bs。HcJ是使用Hc計(Hc meter)來測定。將結果示於表1。在實驗例1，將HcJ為2.4Oe以下設為良好、1.0Oe以下設為更良好。將Bs為0.70T以上設為良好、1.40T以上設為更良好。
評價在所得到的各軟磁性合金粉末的粉末粒子的形狀。具體而言，評價使用體積基準的D50(r)、使用個數基準的D50、使用個數基準的σ以及使用個數基準的在粒徑r以上2r以下的平均圓形度。將結果示於表1。
在實驗例1，使用體積基準的D50(r)成為10~11μm、使用個數基準的D50成為4~5μm。
使用體積基準的D50(r)，是使用雷射繞射式的粒度分布測定裝置(HELOS&RODOS、Sympatec公司)所測定。
使用個數基準的D50及σ是使用Morphologi G3(Malvern Panalytical公司)在倍率10倍觀察20000個粉末粒子的形狀而測定。具體而言，將體積3cc份量的軟磁性合金粉末以1~3bar的空氣壓分散而拍攝來自雷射顯微鏡的投影像。藉由各粉末粒子的粒徑，計算出使用個數基準的D50及σ。另外，各粉末粒子的粒徑是設為圓當量直徑(equivalent circle diameter)。
在實驗例1，將σ為2.5μm以上的情況設為良好。
使用個數基準的在粒徑r以上2r以下的平均圓形度，是分別測定20000個粒子之中的粒徑r以上2r以下的粉末粒子的圓形度並將其平均而計算出來。
接下來，從各軟磁性合金粉末製作環形鐵心(toroidal core)。具體而言，對於各軟磁性合金粉末，以成為絕緣黏結劑的酚樹脂量成為全體的3質量%而混合，使用一般性的行星式攪拌機作為攪拌機造粒而成為500μm左右的造粒粉。接下來，將所得到的造粒粉以面壓4噸/cm2 (392MPa)成形，製作外形13mmϕ、內徑8mmϕ、高度6mm的環形形狀的成形體。將所得到的成形體在150℃硬化，製作環形鐵心。
然後，將UEW線捲線於環形鐵心，使用4284A PRECISION LCR METER(惠普)而在100kHz測定μ(導磁率)。在實驗例1，以μ為25以上的情況設為良好。
[表1]
Figure 02_image003
根據表1，在全部的實施例及比較例，在使用個數基準的粒徑r以上2r以下的平均圓形度為0.70以上。
根據表1，不含C及Si的比較例之試樣編號1的軟磁性合金粉末的HcJ高、σ低。然後，環形鐵心的μ亦低。
組成為在試樣編號1的軟磁性合金粉末僅添加S之試樣編號5~7的軟磁性合金粉末，與試樣編號1的軟磁性合金粉末比較，藉由S的添加使HcJ變得更高。然後，與試樣編號1同樣，環形鐵心的μ亦低。
組成為在試樣編號1的軟磁性合金粉末僅添加C之試樣編號2~4的軟磁性合金粉末，與試樣編號1的軟磁性合金粉末比較，HcJ降低了而σ亦降低。然後，與試樣編號1比較，環形鐵心的μ亦降低。
組成為在試樣編號2的軟磁性合金粉末以特定的範圍內添加S之試樣編號8~12的軟磁性合金粉末，HcJ及σ為良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。另外，S的含量(f)過多的試樣編號13，軟磁性合金粉末包括結晶粒徑100nm以上的結晶，非晶質化率X(%)未達85%。然後，HcJ顯著上升。又，環形鐵心的μ亦低。
試樣編號14~17為不含M、Si及S且使P的含量(c)及C的含量(e)變化之比較例的軟磁性合金粉末。試樣編號14~17的σ低、環形鐵心的μ亦低。又，C的含量大的試樣編號17的HcJ亦上升。
試樣編號18~21是具有S的含量(f)相對於試樣編號14~17從0變化到0.0010的組成之實施例的軟磁性合金粉末，HcJ及σ為良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
試樣編號22~24是具有不含M、P及S且使B的含量(b)、Si的含量(d)及C的含量(e)變化的組成之比較例的軟磁性合金粉末。試樣編號22~24的σ低、環形鐵心的μ亦低。
試樣編號25~27是具有S的含量(f)相對於試樣編號22~24從0變化到0.0010的組成之實施例的軟磁性合金粉末，HcJ及σ為良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
試樣編號25~27的各實施例與試樣編號8~12、18~21的各實施例比較，Bs較小。這是因為Fe的含量較小。
試樣編號28~30、28a~28d與上述的實施例不同，為包括Nb作為M之實施例的軟磁性合金粉末。與不含M的實施例同樣，HcJ及σ為良好。又，滿足0≤a＜0.020的實施例的Bs比滿足a≥0.020的實施例的Bs還要良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
另外，針對實驗例1的各實施例，在使用個數基準的粒徑25μm以上30μm以下的平均圓形度及在使用個數基準的粒徑5μm以上10μm以下的平均圓形度，亦同樣地計算出來。其結果，在全部的實施例，在使用個數基準的粒徑25μm以上30μm以下的平均圓形度為0.70以上，在使用個數基準的粒徑5μm以上10μm以下的平均圓形度為0.90以上。
(實驗例2) 在實驗例2，在將霧化方法由水霧化法變更為氣體霧化法這一點以及篩分級的條件以外，與實驗例1同樣地實施。使用示於第6A圖及第6B圖的霧化裝置。
為了獲得記載於示於以下的表2的組成的母合金而準備、秤量各種材料錠。
接下來，將母合金收容於配置在霧化裝置10內的耐熱性容器22。接下來，將筒體32內抽真空後，使用設於耐熱性容器22外部的加熱用線圈24，藉由高頻感應將耐熱性容器22加熱，將耐熱性容器22中的原料金屬熔融、混合而獲得1500℃的熔融金屬(熔湯)。
將所得到的熔湯在1500℃噴射至冷卻部30的筒體32，藉由以7MPa的噴射氣壓噴射氬氣，成為多數的熔滴。熔滴撞擊藉由以泵壓(冷卻液釋出壓)10MPa供應的冷卻水形成的倒圓錐狀的冷卻水流，成為微細的粉末，其後將其回收。另外，筒體32的壓力設為0.5MPa。
又，在示於第6圖的霧化裝置10，筒體32的內面的內徑為300mm、D1/D2為1/2、角度θ1為20度。
針對所得到的各軟磁性合金粉末，進行篩分級。篩分級的條件設為每一回的入料量0.05kg、分級時間5分鐘。網目尺寸設為篩孔63μm。
在實驗例2與實驗例1不同，使用體積基準的D50(r)成為22~27μm、使用個數基準的D50成為8~9μm。又，在實驗例2，在全部的實施例及比較例，使用個數基準的在粒徑r以上2r以下的平均圓形度成為0.90以上。又，在實驗例2，將σ為7.0μm以上設為良好。又，將環形鐵心的導磁率μ為33以上設為良好。將結果示於表2。
[表2]
Figure 02_image005
根據表2，在全部的實施例及比較例，在使用個數基準的粒徑r以上2r以下的平均圓形度為0.90以上。
根據表2，不含C及S的比較例之試樣編號31的軟磁性合金粉末的HcJ高、σ低。然後，環形鐵心的μ亦低。
組成為在試樣編號31的軟磁性合金粉末僅添加S之試樣編號35~37的軟磁性合金粉末，與試樣編號31的軟磁性合金粉末比較，藉由S的添加使HcJ變得更高。然後，與試樣編號31同樣，環形鐵心的μ亦低。
組成為在試樣編號31的軟磁性合金粉末僅添加C之試樣編號32~34的軟磁性合金粉末，與試樣編號31的軟磁性合金粉末比較，HcJ降低了而σ亦降低。然後，與試樣編號31比較，環形鐵心的μ亦降低。
組成為在試樣編號32的軟磁性合金粉末以特定的範圍內添加S之試樣編號38~42的軟磁性合金粉末，HcJ及σ為良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。另外，S的含量(f)過多的試樣編號43，軟磁性合金粉末包括結晶粒徑100nm以上的結晶，HcJ顯著上升。又，環形鐵心的μ亦低。
試樣編號44~47為不含M、Si及S且使P的含量(c)及C的含量(e)變化之比較例的軟磁性合金粉末。試樣編號44~47的σ低、環形鐵心的μ亦低。又，C的含量大的試樣編號47的HcJ亦上升。
試樣編號48~51是具有S的含量(f)相對於試樣編號44~47從0變化到0.0010的組成之實施例的軟磁性合金粉末，HcJ及σ為良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
試樣編號52~54是具有不含M、P及S且使B的含量(b)、Si的含量(d)及C的含量(e)變化的組成之比較例的軟磁性合金粉末。試樣編號52~54的σ低、環形鐵心的μ亦低。
試樣編號55~57是具有S的含量(f)相對於試樣編號52~54從0變化到0.0010的組成之實施例的軟磁性合金粉末，HcJ及σ為良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
試樣編號55~57的各實施例與試樣編號38~42、48~51的各實施例比較，Bs較小。這是因為Fe的含量較小。
試樣編號58~60、58a~58d與上述的實施例不同，為包括Nb作為M之實施例的軟磁性合金粉末。與不含M的實施例同樣，HcJ及σ為良好。又，滿足0≤a＜0.020的實施例的Bs比滿足a≥0.020的實施例的Bs還要良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
試樣編號60a及60b是具有Fe的含量比試樣編號31~60還高的組成之實施例的軟磁性合金粉末。即使提高Fe的含量，HcJ及σ為良好。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
又，在使M的種類變化的這一點以外，以與試樣編號58同條件製作試樣編號61~70的各種軟磁性合金粉末。又，在使M的種類變化的這一點以外，以與試樣編號58b同條件製作試樣編號61b~70b的各種軟磁性合金粉末。將結果示於表3。
[表3]
Figure 02_image007
根據表3，使M的種類變化的試樣編號61~70，成為與試樣編號58同等程度良好的試驗結果。又，使M的種類變化的試樣編號61b~70b，成為與試樣編號58b同等程度良好的試驗結果。
(實驗例3) 在實驗例3，製作滿足a=0.000、b=0.120、c=0.090、d=0.030、e=0.010、f=0.0010的試樣編號71的軟磁性合金粉末。還有，實施使X1及/或X2的種類從試樣編號71適當變化的試樣編號72~125。在實驗例3的軟磁性合金粉末的製造條件，在軟磁性合金粉末的組成以外，設為與實驗例2同條件。將結果示於表4。
[表4]
Figure 02_image009
根據表4，具有本案發明的範圍內的組成的試樣編號71~125的軟磁性合金粉末，具有適當的HcJ、Bs及σ。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
(實驗例4) 在實施例4，針對試樣編號71改變在篩分級的每一回的粉末入料量而使軟磁性合金粉末的個數基準的平均圓形度變化這一點以外，以與實驗例3相同條件製作試樣編號126~128的軟磁性合金粉末。將結果示於表5。另外，在表5，亦顯示使用個數基準的在粒徑25μm以上30μm以下的平均圓形度的具體數值。
又在實驗例4，將耐電壓特性與環形鐵心的導磁率一起測定。首先，在垂直於環形鐵心的厚度方向的二面形成In-Ga電極。接下來，使用電源量測設備(SourceMeter)施加電壓，測定1mA的電流流動時的電壓。然後藉由將此電壓除以環形鐵心的厚度，測定耐電壓特性。
[表5]
Figure 02_image011
根據表5，改變軟磁性合金粉末的平均圓形度後的試樣編號126~128的軟磁性合金粉末，與試樣編號71同樣地具有適當的HcJ及σ。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
又，環形鐵心的耐電壓特性，在r以上2r以下的平均圓形度及在25μm以上30μm以下的平均圓形度愈高，則有容易變得良好的傾向。
(實驗例5) 在實施例5，針對試樣編號8，改變在篩分級的每一回的粉末入料量及分級時間而使軟磁性合金粉末的平均圓形度變化這一點以外，以與實驗例1相同條件製作試樣編號130~136的軟磁性合金粉末。又，與實驗例4同樣測定使用各試樣的軟磁性合金粉末的環形鐵心的導磁率及耐電壓特性。將結果示於表6。另外，在表6，亦顯示使用個數基準的在粒徑25μm以上30μm以下的平均圓形度以及使用個數基準的在粒徑5μm以上10μm以下的平均圓形度的具體數值。
[表6]
Figure 02_image013
根據表6，改變軟磁性合金粉末的平均圓形度後的試樣編號8、130~136的軟磁性合金粉末，與實驗例1的各實施例同樣地具有適當的HcJ及σ。還有，使用此軟磁性合金粉末的環形鐵心的μ亦為良好。
又，環形鐵心的耐電壓特性，在r以上2r以下的平均圓形度及在25μm以上30μm以下的平均圓形度愈高，則有容易變得良好的傾向。
(實驗例6) 在實驗例6，在2MPa以上15MPa以下的範圍改變氣體噴霧法的噴射氣壓，製造粒度及形狀互異的六種試樣A~F。摻合試樣A~F而製作試樣編號71、137、138。試樣137、138為將使用個數基準的在粒徑r以上2r以下的平均圓形度與使用個數基準的在粒徑25μm以上30μm以下的平均圓形度設為近於試樣71的值且使包含於軟磁性合金粉末的全部粒子的平均圓形度變化的試樣。將試樣A~F的噴射氣壓、使用個數基準的D50及全部粒子的平均圓形度示於表7B。又，將試樣A~F的摻合比(質量比)示於表7C。又，試樣C與試樣編號71為同一個，試樣A~F之氣體噴霧法的噴射氣壓以外的製造條件與試樣編號71相同。然後，測定使用各試樣的軟磁性合金粉末的環形鐵心的導磁率及耐電壓特性。將結果示於表7A。
[表7A]
Figure 02_image015
[表7B]
Figure 02_image017
[表7C]
Figure 02_image019
根據表7A，可確認：即使改變全部粒子的平均圓形度，若使組成、使用個數基準的在粒徑r以上2r以下的平均圓形度以及使用個數基準的在粒徑25μm以上30μm以下的平均圓形度顯示與改變前同樣高的值，可以得到與改變前同樣良好的結果。
(實驗例7) 在實驗例7，使P的含量(c)及Si的含量(d)從試樣編號71適當改變的這一點以外，以相同條件製造試樣編號139、139a、140、140a的軟磁性合金粉末。將結果示於表8。
[表8]
Figure 02_image021
根據表8，滿足0.080＜d＜0.100的試樣編號71、139a、140a與未滿足0.080＜d＜0.100的試樣編號139、140比較，HcJ降低，成為具有良好的HcJ的結果。
(實驗例8) 在實驗例8，使B的含量(b)及C的含量(c)從試樣編號71適當改變的這一點以外，以相同條件製造試樣編號141a、141~143的軟磁性合金粉末。將結果示於表9。
[表9]
Figure 02_image023
根據表9，滿足0.0001
Figure 109113790-A0305-02-0040-5
e+f
Figure 109113790-A0305-02-0040-7
0.051的試樣編號71、141a、141、142與未滿足0.0001
Figure 109113790-A0305-02-0040-8
e+f
Figure 109113790-A0305-02-0040-10
0.051的試樣編號143比較，σ變大，環形鐵心的導磁率μ亦變大。
根據表9，滿足0.030<e
Figure 109113790-A0305-02-0040-11
0.050的試樣編號141a、142與未滿足0.030<e
Figure 109113790-A0305-02-0040-12
0.050的試樣編號71、141、143比較，環形鐵心的導磁率μ變大。
(實驗例9)
在實驗例9，製造對試樣編號59的軟磁性合金粉末進行熱處理而在軟磁性合金析出奈米結晶後的試樣編號151的軟磁性合金粉末。熱處理條件設為在520℃60分鐘。又，藉由XRD確認在試樣編號151的軟磁性合金粉末析出有30nm以下且結晶構造為體心立方(bcc)的奈米結晶粒子以及試樣編號151的軟磁性合金粉末的非晶質化率X(%)為85%以上。將結果示於表10。
Figure 109113790-A0305-02-0040-2
根據表10，藉由熱處理析出奈米結晶粒子後的試樣編號151與熱處理前的試樣編號59比較，HcJ降低，環形鐵心的導磁率μ亦變大。
1:粒子形狀測定結果
10:霧化裝置
20:熔融金屬供應部 21:熔融金屬 21a:滴下熔融金屬 22:耐熱性容器 23:釋出口 26:氣體噴射噴頭 30:冷卻部 32:筒體 33:內面 34:排出部 36:冷卻液導入部 37:噴頭 38:框體 38a:下端 38a1:外方凸部 38b:流路內周面 40:區隔部 42:通路部 44:外側部 46:內側部 50:冷卻液流 52:冷卻液釋出部 62:流路偏向面 D1,D2:徑向寬度 O:軸心 Z:鉛直線 θ1:既定角度
第1圖是藉由X光結晶構造解析獲得的線圖之一例。 第2圖是藉由對第1圖的線圖作波形分析(profile fitting)獲得的圖案之一例。 第3圖是顯示粒度分布的圖形。 第4圖是顯示粒度分布的圖形。 第5圖是根據Morphologi G3的觀察結果。 第6A圖是霧化裝置的示意圖。 第6B圖是第6A圖的主要部份放大示意圖。

Claims (9)

  1. 一種軟磁性合金粉末，為由組成式(Fe(1-(α+β))X1αX2β)(1-(a+b+c+d+e+f))MaBbPcSidCeSf構成的軟磁性合金粉末，X1為選自Co及Ni所組成之族群中的一種以上，X2為選自Al、Mn、Ag、Zn、Sn、As、Sb、Cu、Cr、Bi、N、O及稀土類元素所組成之族群中的一種以上，M為選自Nb、Hf、Zr、Ta、Mo、W、Ti及V所組成之族群中的一種以上，0
    Figure 109113790-A0305-02-0043-13
    a
    Figure 109113790-A0305-02-0043-14
    0.150、0
    Figure 109113790-A0305-02-0043-15
    b
    Figure 109113790-A0305-02-0043-16
    0.200、0
    Figure 109113790-A0305-02-0043-17
    c
    Figure 109113790-A0305-02-0043-18
    0.200、0
    Figure 109113790-A0305-02-0043-19
    d
    Figure 109113790-A0305-02-0043-20
    0.200、0<e
    Figure 109113790-A0305-02-0043-21
    0.200、0<f
    Figure 109113790-A0305-02-0043-22
    0.0200、0.100
    Figure 109113790-A0305-02-0043-23
    a+b+c+d+e
    Figure 109113790-A0305-02-0043-24
    0.300、0.0001
    Figure 109113790-A0305-02-0043-25
    e+f
    Figure 109113790-A0305-02-0043-26
    0.220、α
    Figure 109113790-A0305-02-0043-27
    0、β
    Figure 109113790-A0305-02-0043-28
    0、0
    Figure 109113790-A0305-02-0043-29
    α+β
    Figure 109113790-A0305-02-0043-30
    0.50，示於下列式(1)的非晶質化率X(%)為85%以上，且將在使用體積基準的粒度分布的D50設為r，粒徑為r以上2r以下的軟磁性合金粒子的平均圓形度為0.70以上：X=100-(Ic/(Ic+Ia))×100...(1) Ic：結晶性散射積分強度、Ia：非晶質性散射積分強度。
  2. 如請求項1之軟磁性合金粉末，其中粒徑為25μm以上30μm以下的軟磁性合金粉末的平均圓形度為0.70以上。
  3. 如請求項1之軟磁性合金粉末，其中粒徑為5μm以上10μm以下的軟磁性合金粉末的平均圓形度為0.70以上。
  4. 如請求項1至3任一項之軟磁性合金粉末，其中0.0001
    Figure 109113790-A0305-02-0044-32
    e+f
    Figure 109113790-A0305-02-0044-33
    0.051。
  5. 如請求項1至3任一項之軟磁性合金粉末，其中0
    Figure 109113790-A0305-02-0044-31
    a<0.020。
  6. 如請求項1至3任一項之軟磁性合金粉末，其中上述軟磁性合金粉末含有奈米結晶粒子。
  7. 一種壓粉磁芯，包括如請求項1至6任一項之軟磁性合金粉末。
  8. 一種磁性零件，包括如請求項1至6任一項之軟磁性合金粉末。
  9. 一種電子機器，包括如請求項1至6任一項之軟磁性合金粉末。
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