TWI742915B - 用於電路板製程的對位方法及複合靶點 - Google Patents

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TWI742915B
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孫可可
張濤
楊海
孫奇
呂政明
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Abstract

本發明公開一種用於電路板製程的對位方法及複合靶點，所述用於電路板製程的對位方法包括一前置步驟，提供一經過壓合的內層電路板結構；一銑靶步驟，於所述經過壓合的內層電路板結構形成多個對位靶孔；一雷射步驟，於所述經過壓合的內層電路板結構形成多個雷射環狀紋路；一鑽孔步驟，於所述經過壓合的內層電路板結構形成多個對位鑽孔，每個所述雷射環狀紋路及其所對應的對位鑽孔共同定義為一複合靶點；一外層對位曝光步驟，參考多個所述複合靶點而對所述經過壓合的內層電路板結構進行對位及外層曝光。

Description

用於電路板製程的對位方法及複合靶點
本發明涉及一種對位方法及靶點結構，特別是涉及一種用於電路板製程的對位方法及複合靶點。
現有的電路板製程的對位方法中，通常是僅以雷射孔或是僅以機械鑽孔的位置進行對位，以進行後續製程。雷射孔的位置會對應於電路板的外形，也就是說，當電路板具有一形變量時(例如因電路板冷卻不均勻而產生形變)，雷射孔的位置會對應偏移。由於機械鑽孔非對應於電路板的外形，因此機械鑽孔的位置不會受電路板的形變而偏移。因此，不論是以雷射孔的位置或是以機械鑽孔的位置進行對位，皆會有對位不精準的問題，進而影響電路板製程的良率。
故，如何提供一種用於電路板製程的對位方法及複合靶點，來克服上述的缺陷，已成為該項事業所欲解決的重要課題之一。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種用於電路板製程的對位方法及複合靶點，以改善現有的電路板製程的對位方法因為僅以雷射孔或機械鑽孔的位置進行對位，而有對位不精準的問題。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種用於電路板製程的對位方法，其包括：實施一前置步驟，其包含：提供一經過壓合的內層電路板結構，並且所述經過壓合的內層電路板結構的一側表面定義有一產品區域及環繞所述產品區域的一周圍區域；實施一銑靶步驟，其包含：於所述經過壓合的內層電路板結構的所述周圍區域形成多個對位靶孔；實施一雷射步驟，其包含：於所述經過壓合的內層電路板結構的所述周圍區域形成多個雷射環狀紋路，並且多個所述雷射環狀紋路分別鄰近於多個所述對位靶孔且分別與多個所述對位靶孔間隔地設置；其中，每個所述雷射環狀紋路定義有一第一中心點；實施一鑽孔步驟，其包含：於所述經過壓合的內層電路板結構的所述周圍區域形成多個對位鑽孔；其中，多個所述對位鑽孔分別位於多個所述雷射環狀紋路中，每個所述對位鑽孔定義有一第二中心點，並且每個所述雷射環狀紋路及其所對應的所述對位鑽孔共同定義為一複合靶點；其中，於每個所述複合靶點中，所述雷射環狀紋路的所述第一中心點及所述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一誤差距離不大於80微米；以及實施一外層對位曝光步驟，其包含：參考多個所述複合靶點而對所述經過壓合的內層電路板結構進行對位及外層曝光。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種複合靶點，形成於一經過壓合的內層電路板結構的一周圍區域，其包括：一雷射環狀紋路，定義有一第一中心點；以及一對位鑽孔，位於所述雷射環狀紋路中，並且所述對位鑽孔定義有一第二中心點；其中，所述雷射環狀紋路的所述第一中心點及所述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一誤差距離不大於80微米；其中，所述雷射環狀紋路的所述第一中心點與所述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一座標中點定義為一補償中點，所述補償中點位於所述雷射環狀紋路中，並且所述補償中點能用以執行一外層對位曝光作 業。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的用於電路板製程的對位方法及複合靶點，其能通過“所述用於電路板製程的對位方法包含所述前置步驟、所述銑靶步驟、所述雷射步驟、所述鑽孔步驟、及所述外層對位曝光步驟”、“每個所述雷射環狀紋路及其所對應的對位鑽孔共同定義為所述複合靶點”、以及“參考多個所述複合靶點而對所述經過壓合的內層電路板結構進行對位及外層曝光”的技術方案，以提升電路板製程中的對位精準度，進而提升電路板製程的良率。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
1:經過壓合的內層電路板結構
11:側表面
11a:產品區域
11b:周圍區域
12:內層圖案化線路
2:對位靶孔
3:雷射環狀紋路
31:第一中心點
32:雷射點
4:對位鑽孔
41:第二中心點
A:內層靶點
C:複合靶點
C1:補償中點
D:誤差距離
P1:平行四邊形輪廓
P2:平行四邊形輪廓
P3:矩形輪廓
S110:前置步驟
S120:銑靶步驟
S130:雷射步驟
S140:鑽孔步驟
S150:外層對位曝光步驟
圖1為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的步驟流程圖。
圖2為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的前置步驟的示意圖。
圖3為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的銑靶步驟的示意圖。
圖4為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的雷射步驟的示意圖(一)。
圖5為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的雷射步驟的示意圖(二)。
圖6為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的鑽 孔步驟的示意圖。
圖7為圖6中區域VII的放大示意圖。
圖8為本發明的第一實施例的多個對位靶孔、多個雷射環狀紋路、及多個對位鑽孔連線所形成的輪廓的示意圖。
圖9為本發明的第二實施例的複合靶點的示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“用於電路板製程的對位方法及複合靶點”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
請參閱圖1所示，圖1為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的步驟流程圖。本發明實施例提供一種用於電路板製程的對位方法。所述用於電路板製程的對位方法包含有一前置步驟S110、一銑靶步驟 S120、一雷射步驟S130、一鑽孔步驟S140、及一外層對位曝光步驟S150。此外，本發明於實現上述所述用於電路板製程的對位方法時，不以上述各個步驟的內容以及順序為限。
請參閱圖2所示，圖2為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的前置步驟的示意圖。所述前置步驟S110包含：提供一經過壓合的內層電路板結構1，並且所述經過壓合的內層電路板結構1的一側表面11定義有一產品區域11a及環繞所述產品區域11a的一周圍區域11b。所述經過壓合的內層電路板結構1具有一內層圖案化線路12，並且所述內層圖案化線路12是位於所述產品區域11a內。此外，本發明實施例提供的所述用於電路板製程的對位方法的特色在於在所述周圍區域11b以不同的方式進行對位靶點的加工以提供較佳的對位效果。
請參閱圖3並搭配於圖8所示，圖3為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的銑靶步驟的示意圖，圖8為本發明的第一實施例的多個對位靶孔、多個雷射環狀紋路、及多個對位鑽孔連線所形成的輪廓的示意圖。所述銑靶步驟S120包含：於所述經過壓合的內層電路板結構1的所述周圍區域11b形成多個對位靶孔2。於本實施例中，多個所述對位靶孔2的數量為四個，並且四個所述對位靶孔2分別位於所述周圍區域11b的四個角落。於所述銑靶步驟S120中，多個所述對位靶孔2可以是通過一X-ray銑靶機進行掃描、定位、及鑽孔後形成，並且多個所述對位靶孔2可以是參考所述內層圖案化線路12的位置而形成，但本發明不受限於此。
於本實施例中，所述經過壓合的內層電路板結構1具有一形變量，以使得多個所述對位靶孔2的連線形成為一平行四邊形輪廓P1(如圖8所示，也就是說，於本實施例中的四個所述對位靶孔2的連線形成為所述平行四邊形輪廓P1)。需要說明的是，一般的電路板會被設置於一高溫環境以進行 壓合時，並且在經壓合後，所述電路板會經過冷卻以利進行後續製程。在冷卻的過程中，所述電路板通常會因為冷卻速率不均而變形。因此，所述經過壓合的內層電路板結構1具有所述形變量，並且由於多個所述對位靶孔2是通過所述X-ray銑靶機進行掃描、定位、及鑽孔後形成，因此多個所述對位靶孔2的連線形成為所述平行四邊形輪廓P1。具體來說，多個所述對位靶孔2的連線是形成為非矩形的所述平行四邊形輪廓P1。換個角度來說，所述平行四邊形輪廓P1可以是大致對應於所述經過壓合的內層電路板結構1的外形，但本發明不受限於此。
請參閱圖4及圖5所示，圖4為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的雷射步驟的示意圖(一)，圖5為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的雷射步驟的示意圖(二)。如圖5所示，所述雷射步驟S130包含：於所述經過壓合的內層電路板結構1的所述周圍區域11b形成多個雷射環狀紋路3，並且多個所述雷射環狀紋路3分別鄰近於多個所述對位靶孔2且分別與多個所述對位靶孔2間隔地設置。每個所述雷射環狀紋路3定義有一第一中心點31(如圖7所示)。
於本實施例中，多個所述雷射環狀紋路3不與多個所述對位靶孔2接觸，並且多個所述雷射環狀紋路3的多個所述第一中心點31的連線形成為一平行四邊形輪廓P2(如圖8所示)。此外，於本實施例中，所述雷射環狀紋路3的數量為四個，並且四個所述雷射環狀紋路3的四個所述第一中心點31連線形成為所述平行四邊形輪廓P2。具體來說，四個所述雷射環狀紋路3的的四個所述第一中心點31連線是形成為非矩形的所述平行四邊形輪廓P2。
如圖4所示，於本實施例的所述雷射步驟S130中，在形成多個所述雷射環狀紋路3之前，還先於所述經過壓合的內層電路板結構1的所述周圍區域11b形成多個內層靶點A。多個內層靶點A分別對應於多個所述對位靶孔 2，並且如圖5所示，每個所述雷射環狀紋路3位於對應的一個所述內層靶點A及對應的一個所述對位靶孔2之間。此外，多個所述雷射環狀紋路3是分別參考多個所述內層靶點A的位置而形成。
請參閱圖6及圖7所示，圖6為本發明的第一實施例的用於電路板製程的對位方法的鑽孔步驟的示意圖，圖7為圖6中區域VII的放大示意圖。所述鑽孔步驟S140包含：於所述經過壓合的內層電路板結構1的所述周圍區域11b形成多個對位鑽孔4。多個所述對位鑽孔4分別位於多個所述雷射環狀紋路3中，並且每個所述對位鑽孔4定義有一第二中心點41。每個所述雷射環狀紋路3及其所對應的所述對位鑽孔4共同定義為一複合靶點C，並且多個複合靶點C是位於所述周圍區域11b。
於每個所述複合靶點C中，所述雷射環狀紋路3的所述第一中心點31及所述對位鑽孔4的所述第二中心點41之間的一誤差距離D不大於80微米(μm)、且優選不大於50微米。當所述經過壓合的內層電路板結構1的形變量不為零時，於每個所述複合靶點C中，所述雷射環狀紋路3的所述第一中心點31可以是與所述對位鑽孔4的所述第二中心點41不重合(或不重疊)，也就是說，第一中心點31及第二中心點41之間的所述誤差距離D通常不為零。此外，於所述鑽孔步驟S140中，多個所述對位鑽孔4是分別參考多個所述對位靶孔2的位置而形成。
於所述鑽孔步驟S140中，多個所述對位鑽孔4的多個所述第二中心點41的連線形成為一矩形輪廓P3(如圖8所示)。於本實施例中，所述對位鑽孔4的數量為四個，並且四個所述對位鑽孔4的連線形成為所述矩形輪廓P3。需要說明的是，由於多個所述對位鑽孔4通常是通過一鑽孔機(圖未示)而形成，因此多個所述第二中心點41連線形成為所述矩形輪廓P3。
所述外層對位曝光步驟S150包含：參考多個所述複合靶點C而 對所述經過壓合的內層電路板結構1進行對位及外層曝光。如上所述，由於多個所述雷射環狀紋路3的多個所述第一中心點31的連線形成為所述平行四邊形輪廓P2，並且多個所述對位鑽孔4的多個所述第二中心點41的連線形成為所述矩形輪廓P3，因此，不論是僅以多個所述雷射環狀紋路3或是僅以多個所述對位鑽孔4進行對位皆會導致對位不精準的問題。相對地，本發明的所述用於電路板製程的對位方法中的所述外層對位曝光步驟S150，是以多個所述雷射環狀紋路3及其所對應的多個所述對位鑽孔4形成的多個所述複合靶點C進行對位以避免導致對位不精準的問題。
進一步來說，於每個所述複合靶點C中，所述雷射環狀紋路3的所述第一中心點31與所述對位鑽孔4的所述第二中心點41之間的一座標中點定義為一補償中點C1，所述補償中點C1位於所述雷射環狀紋路3中，並且所述補償中點C1能用以執行一外層對位曝光作業。具體來說，於每個所述複合靶點C中，所述座標中點是決定自所述第一中心點31的位置座標及所述第二中心點41的位置座標之間的中心座標。較佳地，於所述外層對位曝光步驟S150中，是參考所述複合靶點C的所述補償中點C1而對所述經過壓合的內層電路板結構1進行對位及外層曝光(也就是所述外層對位曝光作業)。
如圖7所示，於本實施例的每個所述複合靶點C中，所述雷射環狀紋路3是連續不間斷的環形，並且所述雷射環狀紋路3環繞於所述對位鑽孔4的周圍。此外，每個所述雷射環狀紋路3的深度或是每個所述內層靶點A的深度是小於任一個所述對位靶孔2的深度或是所述對位鑽孔4的深度，但本發明不受限於此。
在所述外層對位曝光步驟S150後，所述用於電路板製程的對位方法還可以依序包含一顯影步驟、一蝕刻步驟、及一去乾膜步驟，以於所述經過壓合的內層電路板結構1上形成一外層圖案化線路。由於所述顯影步 驟、所述蝕刻步驟、及所述去乾膜步驟為本領域的習知技藝，並且非本發明所欲保護的重點技述，因此不加以詳述。
[第二實施例]
請參閱圖9所示，圖9為本發明的第二實施例的複合靶點的示意圖。本實施例類似於上述第一實施例，所以兩個實施例的相同處則不再加以贅述，而兩個實施例的差異處大致說明如下：於本實施例的每個所述複合靶點C中，所述雷射環狀紋路3是由多個雷射點32彼此間隔地排列成環形而形成，多個所述雷射點32環繞於所述對位鑽孔4的周圍，並且多個所述雷射點32的數量為介於18個至30個之間。也就是說，只要每個所述雷射環狀紋路3能環繞對應的一個所述對位鑽孔4而共同形成一複合靶點C，本發明不對每個所述雷射環狀紋路3的排列方式或外形加以限制。於本實施例中，每個所述雷射點32及所述對位鑽孔4皆呈圓形，每個所述雷射點32的直徑小於所述對位鑽孔4的直徑，並且每個所述雷射點32的深度小於任一個所述對位靶孔2的深度或是所述對位鑽孔4的深度，但本發明不受限於此。
[本發明實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的用於電路板製程的對位方法及複合靶點，其能通過“所述用於電路板製程的對位方法包含所述前置步驟、所述銑靶步驟、所述雷射步驟、所述鑽孔步驟、及所述外層對位曝光步驟”、“每個所述雷射環狀紋路及其所對應的對位鑽孔共同定義為所述複合靶點”、以及“參考多個所述複合靶點而對所述經過壓合的內層電路板結構進行對位及外層曝光”的技術方案，以提升電路板製程中的對位精準度，進而提升電路板製程的良率。
更進一步來說，本發明所提供的用於電路板製程的對位方法， 其能通過“於所述外層對位曝光步驟中，是參考所述補償中點而對所述經過壓合的內層電路板結構進行對位及外層曝光”的技術方案，以更有效地提升電路板製程中的對位精準度。
本發明所提供的複合靶點，其能通過“所述雷射環狀紋路的所述第一中心點與所述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一座標中點定義為一補償中點，所述補償中點位於所述雷射環狀紋路中，並且所述補償中點能用以執行一外層對位曝光作業”的技術方案，以有效地提高對位的精準度。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
S110:前置步驟
S120:銑靶步驟
S130:雷射步驟
S140:鑽孔步驟
S150:外層對位曝光步驟

Claims (10)

  1. 一種用於電路板製程的對位方法，其包括：實施一前置步驟，其包含：提供一經過壓合的內層電路板結構，並且所述經過壓合的內層電路板結構的一側表面定義有一產品區域及環繞所述產品區域的一周圍區域；實施一銑靶步驟，其包含：於所述經過壓合的內層電路板結構的所述周圍區域形成多個對位靶孔；實施一雷射步驟，其包含：於所述經過壓合的內層電路板結構的所述周圍區域形成多個雷射環狀紋路，並且多個所述雷射環狀紋路分別鄰近於多個所述對位靶孔且分別與多個所述對位靶孔間隔地設置；其中，每個所述雷射環狀紋路定義有一第一中心點；實施一鑽孔步驟，其包含：於所述經過壓合的內層電路板結構的所述周圍區域形成多個對位鑽孔；其中，多個所述對位鑽孔分別位於多個所述雷射環狀紋路中，每個所述對位鑽孔定義有一第二中心點，並且每個所述雷射環狀紋路及其所對應的所述對位鑽孔共同定義為一複合靶點；其中，於每個所述複合靶點中，所述雷射環狀紋路的所述第一中心點及所述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一誤差距離不大於80微米；以及實施一外層對位曝光步驟，其包含：參考多個所述複合靶點而對所述經過壓合的內層電路板結構進行對位及外層曝光。
  2. 如請求項1所述的用於電路板製程的對位方法，其中，多個所述複合靶點的數量為四個，並且四個所述複合靶點分別位於所述周圍區域的四個角落。
  3. 如請求項1所述的用於電路板製程的對位方法，其中，於每個所述複合靶點中，所述雷射環狀紋路的所述第一中心點與所 述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一座標中點定義為一補償中點，並且所述補償中點位於所述雷射環狀紋路中；其中，於所述外層對位曝光步驟中，是參考所述補償中點而對所述經過壓合的內層電路板結構進行對位及外層曝光。
  4. 如請求項1所述的用於電路板製程的對位方法，其中，在每個所述複合靶點中，所述雷射環狀紋路是由多個雷射點彼此間隔地排列成環形而形成，多個所述雷射點環繞於所述對位鑽孔的周圍，並且多個所述雷射點的數量為介於18個至30個之間。
  5. 如請求項1所述的用於電路板製程的對位方法，其中，在每個所述複合靶點中，所述雷射環狀紋路是連續不間斷的環形，並且所述雷射環狀紋路環繞於所述對位鑽孔的周圍。
  6. 如請求項1所述的用於電路板製程的對位方法，其中，所述經過壓合的內層電路板結構具有一形變量，以使得多個所述對位靶孔的連線形成為一平行四邊形輪廓。
  7. 如請求項1所述的用於電路板製程的對位方法，其中，於所述雷射步驟中，在形成多個所述雷射環狀紋路之前，還先於所述經過壓合的內層電路板結構的所述周圍區域形成多個內層靶點，多個內層靶點分別對應於多個所述對位靶孔，並且每個所述雷射環狀紋路位於其對應的一個所述內層靶點及對應的一個所述對位靶孔之間。
  8. 如請求項7所述的用於電路板製程的對位方法，其中，於所述雷射步驟中，多個所述雷射環狀紋路是分別參考多個所述內層靶點的位置而形成，並且多個所述雷射環狀紋路的多個所述第一中心點的連線形成為一平行四邊形輪廓。
  9. 如請求項1所述的用於電路板製程的對位方法，其中，於所述鑽孔步驟中，多個所述對位鑽孔是分別參考多個所述對位 靶孔的位置而形成，並且多個所述對位鑽孔的多個所述第二中心點的連線形成為一矩形輪廓。
  10. 一種複合靶點，形成於一經過壓合的內層電路板結構的一周圍區域，其包括：一雷射環狀紋路，定義有一第一中心點；以及一對位鑽孔，位於所述雷射環狀紋路中，並且所述對位鑽孔定義有一第二中心點；其中，所述雷射環狀紋路的所述第一中心點及所述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一誤差距離不大於80微米；其中，所述雷射環狀紋路的所述第一中心點與所述對位鑽孔的所述第二中心點之間的一座標中點定義為一補償中點，所述補償中點位於所述雷射環狀紋路中，並且所述補償中點能用以執行一外層對位曝光作業。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201509263A (zh) * 2013-08-29 2015-03-01 Unimicron Technology Corp 多層電路板的製作方法
TW201509247A (zh) * 2013-08-27 2015-03-01 Unimicron Technology Corp 線路板與其製作方法
CN109561605A (zh) * 2018-12-14 2019-04-02 深圳市景旺电子股份有限公司 一种多层板压合涨缩数据的抓取方法及多层板的制作方法
TW202025867A (zh) * 2018-12-20 2020-07-01 特豪科技股份有限公司 具有增強靶位對位的印刷電路板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201509247A (zh) * 2013-08-27 2015-03-01 Unimicron Technology Corp 線路板與其製作方法
TW201509263A (zh) * 2013-08-29 2015-03-01 Unimicron Technology Corp 多層電路板的製作方法
CN109561605A (zh) * 2018-12-14 2019-04-02 深圳市景旺电子股份有限公司 一种多层板压合涨缩数据的抓取方法及多层板的制作方法
TW202025867A (zh) * 2018-12-20 2020-07-01 特豪科技股份有限公司 具有增強靶位對位的印刷電路板

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