TWI741348B - 光罩、產生光罩之方法及產生積體電路之方法 - Google Patents

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Abstract

一種光罩包括半透明基板及至少一個主要特徵。該半透明基板具有自該半透明基板之第一表面凹陷的凹陷區域。該至少一個主要特徵安置在該半透明基板上，且自該半透明基板之該第一表面突出。

Description

光罩、產生光罩之方法及產生積體電路 之方法
本揭示涉及一種具有凹陷區域的光罩，一種用於產生光罩之方法，及一種用於產生積體電路之方法。
在積體電路製造中，在光微影製程期間使用光罩將圖案成像至光阻劑層上。對增大積體電路中之電晶體密度的持續驅動需要增大光罩上之主要特徵之密度。隨著光罩之主要特徵之尺寸變得愈來愈小，光學臨近效應使成像至光阻劑層上之圖案變形。
本揭示案之一些實施例提供一種光罩，包含一種光罩、一半透明基板、及至少一個主要特徵。該半透明基板具有自該半透明基板之一第一表面凹陷的一凹陷區域。該至少一個主要特徵安置在該半透明基板上，且自該半透明基板之該第一表面突出。
本揭示案之一些實施例提供一種於產生一光罩之方法，包括：在一半透明基板上形成至少一個主要特徵；在該半透明基板上形成一光阻劑層；圖案化該光阻劑層以曝光該半透明基板之一部分；蝕刻該半透明基板之該已曝光部分以在該半透明基板上形成一凹陷區域；以及自該半透明基板移除該經圖案化之光阻劑層。
本揭示案之一些實施例提供一種用於產生一積體電路之方法，包括：在一晶圓上形成一光阻劑層；藉由使用一光罩曝光該晶圓之一部分來圖案化該光阻劑層，其中該光罩包括一半透明基板，其具有自該半透明基板之一第一表面凹陷的一凹陷區域，以及至少一個自該半透明基板之該第一表面突出的主要特徵；蝕刻該晶圓之該已曝光部分；以及自該晶圓移除該經圖案化之光阻劑層。
1:半透明基板
2:主要特徵
4:光阻劑層
5:光阻劑層
6:晶圓
11:第一表面
12:凹陷區域
20:不透明膜層
21:密集佈置之主要特徵
22:隔離主要特徵
23:主要特徵
24:主要特徵
25:主要特徵
26:主要特徵
27:主要特徵
41:線性圖案
42:圖案
43:圖案
51:圖案
60:基板
61:層
120:不透明填充物
D:深度
H:高度
L:切線
P:間距
P1:間距
P2:間距
P3:間距
P4:間距
P5:間距
P6:間距
P7:間距
P21:間距
P31:間距
P41:間距
P51:間距
P61:間距
P71:間距
S01:步驟
S02:步驟
S03:步驟
S04:步驟
S05:步驟
S06:步驟
S07:步驟
S11:步驟
S12:步驟
S13:步驟
S14:步驟
S15:步驟
S16:步驟
S17:步驟
W1:寬度
W2:寬度
W3:寬度
W4:寬度
當結合附圖閱讀時得以自以下詳細描述最佳地理解本揭示案之態樣。應注意，根據行業上之標準實務，各種主要特徵未按比例繪製。事實上，為了論述清楚可任意地增大或減小各種主要特徵之尺寸。
圖1圖示根據本揭示案之一些實施例的光罩之俯視圖。
圖2圖示根據本揭示案之一些實施例的光罩之橫截面圖。
圖3圖示根據本揭示案之一些實施例的光罩之俯視圖。
圖4圖示根據本揭示案之一些實施例的光罩之橫截面圖。
圖5圖示根據本揭示案之一些實施例的產生光罩之流程圖。
圖6A至圖6G圖示根據本揭示案之一些實施例的產生中之光罩的透視圖。
圖7A至圖7L圖示根據本揭示案之一些實施例的產生中之光罩的透視圖。
圖8A至圖8D圖示根據本揭示案之一些實施例的產生中之光罩的透視圖。
圖9圖示根據本揭示案之一些實施例的藉由施加光罩來產生積體電路之流程圖。
圖10A至圖10F圖示根據本揭示案之一些實施例的藉由施加光罩而產生於晶圓基板上之積體電路的透視圖。
以下揭示內容提供用於實施所提供標的之不同主要特徵的許多不同實施例或實例。以下描述部件及佈置之特定實例以簡化本揭示案之一些實施例。當然，此些僅為實例且並不意欲為限制性的。舉例而言，在以下描述中第一主要特徵在第二主要特徵之上或上方形成可包括其中第一主要特徵及第二主要特形成為直接接觸之實施例，且亦可包括其中額外主要特徵可在第一主要特徵與第二主要特徵之間形成而使得第一主要特徵與第二主要特徵可不直接接觸的 實施例。另外，本揭示案之一些實施例可在各種實例中重複元件符號及/或字母。此重複是出於簡化及清楚之目的，且其自身並不表示所論述之各種實施例及/或配置之間的關係。
另外，為了描述簡單起見，可在本文中使用諸如「在......之下」、「低於」、「下部」、「在......上方」、「上部」以及其類似術語之空間相對術語，以描述如諸圖中所圖示之一個元件或主要特徵與另一(其他)元件或主要特徵的關係。除了諸圖中所描繪之定向以外，該等空間相對術語意欲亦涵蓋設備在使用中或操作中之不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)，且可同樣相應地解釋本文中所使用之空間相對描述詞。
本揭示案之一些實施例中所描述之先進微影製程、方法及材料可用於許多應用中，包括鰭式場效應電晶體(FinFET)。舉例而言，可圖案化鰭片以在特徵之間產生相對緊密之間隔，以上揭示內容非常適合於此。另外，可根據以上揭示內容來處理用於形成FinFET之鰭片的間隔物。
本揭示案之一些實施例關於形成有凹陷區域之光罩，該凹陷區域經配置以在自上方照射時衍射輻射而不使圖案成像。本揭示案之一些實施例亦關於用於產生該光罩之方法，以及用於藉由使用該光罩而產生積體電路之方法。
圖1圖示根據本揭示案之一些實施例的光罩之俯視圖。該光罩包括半透明基板1，及安置在該半透明基板1上之主要特徵2。主要特徵2經設計以在自上方照射光罩時 使特定圖案成像至下方表面上(例如，光阻劑層之表面)。然而，由於主要特徵2之小尺寸，其邊緣周圍之輻射衍射顯著地增加了藉由主要特徵2成像之圖案中的不確定性。為了生成主要特徵2之較忠實影像，使用解析度增強技術(RET)。
主要特徵2中之每一者具有特定處理訊窗：可在對應RET之輔助下忠實再現主要特徵2的聚焦範圍及曝光程度範圍。為了同時一起處理所有主要特徵2，主要特徵2之處理訊窗重疊。間距為半透明基板1上之兩個元件之間的距離。密集佈置之主要特徵21由較小間距分離開，且隔離主要特徵22由較大間距分離開。由於間距之差異，因此密集佈置之主要特徵21及隔離主要特徵22具有不同之處理訊窗。為了使此些處理訊窗儘可能多地重疊，藉由減小將隔離主要特徵22分離開之間距，使隔離主要特徵22表現得更像密集佈置之主要特徵21。此可經由半透明基板1上之凹陷區域12之輔助而實現。
該凹陷區域12為線性的，且以大體上等於密集主要特徵21之間距的約0.7倍至1.3倍之間距沿著隔離主要特徵22之側佈置。此佈置減小了隔離主要特徵22與其相鄰元件(亦即，線性凹陷區域12)之間的間距。藉由凹陷區域12之輔助，隔離主要特徵22之效能匹配密集佈置之主要特徵21之效能，藉此增大了光罩之總體處理訊窗及聚焦深度。當在經選定用於密集佈置之主要特徵21的處理訊窗之下照射時，隔離主要特徵22在凹陷區域12之輔助下亦展示出良好聚焦。若凹陷區域12與隔離主要特徵22之間的間距 並非是密集主要特徵21之間的間距的約0.7倍至1.3倍，則隔離主要特徵22之效能將不匹配密集佈置之主要特徵21的效能，且因此當在經選定用於密集佈置之主要特徵21的處理訊窗之下進行照射時，隔離主要特徵22將不展圖示良好聚焦。
圖2圖示圖1中之光罩沿著切線L的橫截面圖。半透明基板1由半透明材料(諸如，石英或其他合適材料)製成。主要特徵2由不透明材料(諸如，鉻或其他合適材料)製成。主要特徵2自半透明基板1之第一表面11突出，且各自具有寬度W1及高度H。當自上方照射時，主要特徵2阻擋光入射於其上，且半透明基板1之不被主要特徵2覆蓋之區域允許光經過。藉此，主要特徵2中之每一者經配置以在自上方照射時將圖案51成像至下方材料(例如，安置在晶圓6上之光阻劑層5)上。經過主要特徵2之邊緣周圍的光被衍射。為了增大成像至光阻劑層5上之圖案51的清晰度，調整衍射圖案。
凹陷區域12形成在半透明基板1之第一表面11上，且具有寬度W2及深度D。凹陷區域12自第一表面11凹陷，且經配置以生成類似於密集佈置之主要特徵(例如，圖1的密集佈置之主要特徵21)之衍射圖案的衍射圖案。在圖2中圖示在經過半透明基板1並由突出之主要特徵2及凹陷區域12衍射之後入射在光阻劑層5上的輻射能量。凹陷區域12增大了成像至光阻劑層5上之圖案51的清晰度及聚焦。
再次參考圖2，藉由演算法來計算並視光罩之特定佈局來確定凹陷區域12之特定寬度W2及深度D。在一些實施例中，選定寬度W2及深度D，以使得凹陷區域12衍射經過凹陷區域12周圍並經過半透明基板1之輻射。此外，選定凹陷區域12之寬度W2及深度D，以使得無影像由凹陷區域12圖案化至下方光阻劑層5上。
亦藉由演算法來計算並視光罩之特定佈局來確定凹陷區域12之特定佈置。考慮以如圖3中所示之不同間距來佈置主要特徵2。主要特徵21為其間具有間距P1的密集佈置之主要特徵。主要特徵21及主要特徵22以間距P2分離開。主要特徵22及主要特徵23以間距P3分離開。主要特徵23及主要特徵24以間距P4分離開。主要特徵24及主要特徵25以間距P5分離開。主要特徵25及主要特徵26以間距P6分離開。主要特徵26及主要特徵27以間距P7分離開。為了達成元件之間的類似間距，將凹陷區域12佈置在主要特徵21與主要特徵22之間，佈置在主要特徵22與主要特徵23之間，佈置在主要特徵23與主要特徵24之間，佈置在主要特徵24與主要特徵25之間，佈置在主要特徵25與主要特徵26之間，以及佈置在主要特徵26與主要特徵27之間。為了在主要特徵21之間生成類似於間距P1之間距P21，在主要特徵21之間佈置具有寬度W3之凹陷區域12。主要特徵22與主要特徵23之間的間距P3略大於主要特徵21與主要特徵22之間的間距P2，因而在主要特徵22與主要特徵23之間佈置具有更大寬度W4之凹陷區域12，以便生成類似於間距P1 之間距P31。主要特徵23與主要特徵24之間的間距P4大於主要特徵22與主要特徵23之間的間距P3，因而在主要特徵23與主要特徵24之間佈置具有寬度W3之凹陷區域12，以便生成類似於間距P1之間距P41。主要特徵24與主要特徵25之間的間距P5大於主要特徵23與主要特徵24之間的間距P4，因而在主要特徵24與主要特徵25之間佈置具有更大寬度W4之凹陷區域12，以便生成類似於間距P1之間距P51。類似地，主要特徵25與主要特徵26之間的間距P6大於間距P5，且主要特徵26與主要特徵27之間的間距P7大於間距P6，因而在主要特徵25與主要特徵26之間佈置具有寬度W3之三個凹陷區域12以達成類似於間距P1之所需間距P61，且在主要特徵26與主要特徵27之間佈置具有更大寬度W4之三個凹陷區域12以達成類似於間距P1之所需間距P71。
再次參考圖2，隨著晶圓6上之元件以及光罩上之主要特徵2的尺寸變得愈來愈小，凹陷區域12之寬度W2亦變得更小。若凹陷區域12為突出結構，則其亦可衍射輻射，但容易被剝離或塌陷，尤其是在光罩製造製程、光罩清潔以及在光微影期間施加光罩期間。然而，因為凹陷區域12為半透明基板1自身之凹陷部分，所以凹陷區域12不會塌陷或自半透明基板1剝離。
換言之，凹陷區域12用以改變更加隔離之主要特徵2之衍射圖案，以便匹配密集佈置之主要特徵2的衍射圖案，且具有防止其塌陷或被剝離之結構完整性。選定凹陷區域12之佈置及尺寸，以使得凹陷區域12衍射經過半透明 基板1之輻射，而不會使圖案成像至下方表面上。在一些實施例中，凹陷區域12之寬度W2小於主要特徵2之寬度W1的約1/5，且凹陷區域12之深度D小於主要特徵2之高度H的約1/3。若凹陷區域12之寬度W2大於主要特徵2之寬度W1的約1/5或若凹陷區域12之深度D大於主要特徵2之高度H的約1/3，則凹陷區域12可能使圖案成像至光阻劑層5上。另外，可選定凹陷區域12之寬度W2連同位置，以調整凹陷區域12與隔離主要特徵2之間的間距。在一些實施例中，凹陷區域12之寬度W2大於主要特徵2之寬度W1的約1/15，且凹陷區域12之深度D大於主要特徵2之高度H的約1/10。若凹陷區域12之寬度W2小於主要特徵2之寬度W1的約1/15或若凹陷區域12之深度D小於主要特徵2之高度H的約1/10，則凹陷區域12可能沒有足夠大小來改變衍射圖案。
圖4圖示根據本揭示案之一些實施例的光罩之橫截面圖。圖4之光罩類似於圖3之光罩，且不同之處在於不透明填充物120被安置在凹陷區域12中。不透明填充物120可為與主要特徵2相同之材料，且進一步輔助阻擋輻射。類似地，藉由演算法來計算並視光罩之特定佈局來確定凹陷區域12之特定寬度W2及深度D。在一些實施例中，選定寬度W2及深度D，以使得凹陷區域12及安置於其中之不透明填充物120衍射經過凹陷區域12周圍並經過半透明基板1之輻射。此外，在一些實施例中選定凹陷區域12之寬度W2及深度D，以使得無影像由凹陷區域12及其上之不透明填充物圖案化至下方光阻劑層5上。
圖5圖示根據本揭示案之一些實施例的用於產生光罩之方法的流程圖。在步驟S01中，提供半透明基板1，如圖6A中所示。該半透明基板1可由石英材料或其類似者製成。
在步驟S02中，在半透明基板1上形成主要特徵2，如圖6B中所示。半透明基板1可由石英材料或其類似者製成。特定而言，在半透明基板1上安置不透明層，且在該不透明層上安置光阻劑層。接著，藉由將光阻劑層曝光於輻射圖案來圖案化該光阻劑層，且根據曝光圖案來移除光阻劑層之部分。接著蝕刻不透明層之已曝光部分，藉此在半透明基板1上形成至少一個主要特徵2，且移除剩餘之光阻劑層。主要特徵2為不透明的，且可由鉻或其類似者製成。主要特徵2自半透明基板1之第一表面11突出。主要特徵2阻擋輻射入射於其上，且半透明基板1之不被主要特徵2覆蓋之區域允許輻射經過。藉此，主要特徵2中之每一者經配置以在自上方照射時使圖案成像至下方表面上。由於衍射效應，藉由光學臨近校正特徵來調整主要特徵2，以便在自上方照射時使所需圖案成像。
在步驟S03中，將光阻劑層4安置在半透明基板1上，如圖6C中所示。可藉由將光阻劑之液體溶液塗覆至半透明基板1上並旋轉半透明基板1以產生光阻劑層4而達成此步驟。
在步驟S04中，藉由直寫技術(諸如，電子束(e-beam)曝光或雷射曝光)來圖案化光阻劑層4。特定而 言，如圖6D中所示，在下一步驟中，光阻劑層4上之圖案41經配置以在半透明基板1上生成線性凹陷區域。線性圖案41具有對應於半透明基板1上之凹陷區域之寬度的寬度W2，該半透明基板1經配置以在曝光於輻射時衍射輻射而不使圖案成像。線性圖案41被佈置成以間距P遠離在步驟S02中生成之隔離主要特徵2，其中間距P類似於密集地佈置在半透明基板上之主要特徵(諸圖中未圖示)之間的間距。
在步驟S05中，如圖6E中所示，移除光阻劑層4之部分。藉由塗覆顯影劑溶液，根據在步驟S04中生成之圖案41來部分地移除光阻劑層4。若光阻劑層4為正性光阻劑，則藉由顯影劑溶液來移除光阻劑層4之曝光於輻射之部分。若光阻劑層4為負性光阻劑，則藉由顯影劑溶液來移除光阻劑層4之未曝光於輻射之部分。在任一情形下，根據步驟S04中之圖案化來生成剩餘之光阻劑層4。剩餘之光阻劑層4充當保護罩用於下一步驟。
在步驟S06中，蝕刻半透明基板1之至少一個已曝光部分，藉此如圖6F中所示在半透明基板1上形成凹陷區域12。被剩餘之光阻劑層4覆蓋之區域受保護且因此不受蝕刻。為了減少保護性光阻劑層4之底切且藉此較佳地控制待形成之凹陷區域12的寬度W2，可使用各向異性蝕刻。凹陷區域12之寬度W2類似於或小於凹陷區域12之深度D，且各向異性蝕刻避免了底切光阻劑層4。凹陷區域12被佈置成以間距P遠離隔離主要特徵2，對應於在步驟S04中在光阻劑層4上生成之線性圖案41與隔離主要特徵2之間的間距P。凹陷 區域12之寬度W2對應於在步驟S04中在光阻劑層4上生成之線性圖案41的寬度W2，且經配置以在曝光於輻射時衍射輻射而不使圖案成像。將凹陷區域12蝕刻至深度D，其亦經配置以在曝光於輻射時衍射輻射而不使圖案成像。在一些實施例中，凹陷區域12之寬度W2小於主要特徵2之寬度W1的約1/5，且凹陷區域12之深度D小於主要特徵2之高度H的約1/3。若凹陷區域12之寬度W2大於主要特徵2之寬度W1的約1/5或若凹陷區域12之深度D大於主要特徵2之高度H的約1/3，則凹陷區域12可能使圖案成像至光阻劑層上。另外，可選定凹陷區域12之寬度W2連同位置，以調整凹陷區域12與隔離主要特徵2之間的間距P。
在步驟S07中，如圖6G所示，自半透明基板1移除剩餘之光阻劑層，留下其上形成有至少一個凹陷區域12之半透明基板1。再次參考圖6F，當在本揭示案之一些實施例中移除了剩餘之光阻劑層4時，凹陷區域12無被剝離之危險，因為凹陷區域12為中空元件，且亦因為凹陷區域12並未附接至被移除之光阻劑4。凹陷區域12為線性的，且被佈置成以間距P遠離隔離主要特徵2，以使得隔離主要特徵2表現得更像密集主要特徵。此外，凹陷區域12具有經配置以衍射輻射而不使圖案成像之深度D及寬度W2。
在一些實施例中，步驟S02可在步驟S07之後發生。換言之，可在形成凹陷區域之前或之後在半透明基板上形成主要特徵。舉例而言，用於產生光罩之本揭示案之一些實施例依次包括以下步驟。
如圖7A中所示提供由石英或其他合適材料製成之半透明基板1。接下來，如圖7B中所示將光阻劑層4安置在半透明基板1上。藉由直寫技術(諸如，電子束(e-beam)曝光或雷射曝光)來圖案化光阻劑層4，且在光阻劑層4上生成線性圖案41，如圖7C中所示。將顯影劑溶液塗覆至光阻劑層4，且移除光阻劑層4之部分，如圖7D中所示。藉由各向異性蝕刻來蝕刻半透明基板1之已曝光的區域，以防止底切剩餘之光阻劑層4，如圖7E中所示。保護半透明基板1之被剩餘之光阻劑層4覆蓋的區域不受蝕刻。接著移除剩餘之光阻劑層4，留下形成有至少一個凹陷區域12之半透明基板1，如圖7F中所示。
在製造製程之此點處，若在半透明基板1上不準確地形成了凹陷區域12，則由於在半透明基板1上不存在主要特徵因而糾正不準確性更為便利。舉例而言，若對凹陷區域12之蝕刻過淺，則凹陷區域12可被重新蝕刻，而不覆蓋現有主要特徵上之光阻劑層，藉此減少了幹擾半透明基板1上之主要特徵的機會。或者，若要將半透明基板1作為有缺陷單元丟棄，則由於主要特徵尚未形成因此浪費較少時間及材料，藉此減小了丟棄有缺陷單元之成本。
繼續製造製程，在形成了凹陷區域12之後，為了在半透明基板上形成主要特徵，將不透明膜層20安置在半透明基板1上，如圖7G中所示。接著，如圖7H中所示將光阻劑層4安置在膜層20上。藉由直寫技術(諸如，電子束(e-beam)曝光或雷射曝光)來圖案化光阻劑層4，如圖7I 中所示。入射於光阻劑層4上之輻射導致光阻劑中之化學變化，且在光阻劑層4上生成圖案42。將顯影劑溶液塗覆至光阻劑層4，且移除光阻劑層4之部分，如圖7J中所示。藉由各向異性蝕刻來蝕刻膜層20之已曝光的區域，以防止底切剩餘之光阻劑層4，如圖7K中所示。保護膜層20之被剩餘之光阻劑層4覆蓋的區域不受蝕刻。接著移除剩餘之光阻劑層4，留下膜層之形成光罩之主要特徵2的部分，如圖7L中所示。
用於產生光罩之本揭示案之一些實施例類似於上述方法，但不同之處在於凹陷區域12中之不透明膜層20之部分經圖案化在凹陷區域12中形成不透明填充物120。
參考圖8A。類似於上述實施例，半透明基板1形成為具有凹陷區域12，將不透明膜層20安置在半透明基板1上，且接著將光阻劑層4安置在膜層20上。
接下來，圖案化光阻劑層4以生成主要特徵之圖案42及不透明填充物120之圖案43，如圖8A中所示。入射於光阻劑層4上之輻射導致光阻劑中之化學變化，且在光阻劑層4上生成圖案42及圖案43。將顯影劑溶液塗覆至光阻劑層4，且移除光阻劑層4之部分，如圖8B中所示。藉由各向異性蝕刻來蝕刻膜層20之已曝光的區域，以防止底切剩餘之光阻劑層4，如圖8C中所示。保護膜層20及120之被剩餘之光阻劑層4覆蓋的區域不受蝕刻。接著移除剩餘之光阻劑層4，留下膜層之在光罩之凹陷區域12中形成主要特徵2及不透明填充物120的部分，如圖8D中所示。
圖9圖示根據本揭示案之一些實施例的用於產生積體電路之方法的流程圖。在步驟S11中，提供晶圓6，如圖10A中所示。晶圓6可包括基板60及在該基板60之上的層61。
在步驟S12中，將光阻劑層5安置在層61之上，如圖10B中所示。可藉由將光阻劑之液體溶液塗覆至層61上並旋轉晶圓6以產生均勻厚度之光阻劑層5而達成此步驟。
在步驟S13中，如圖10C中所示，提供光罩，該光罩包括半透明基板1、形成於半透明基板1之第一表面11上的至少一個凹陷區域12，及在半透明基板1之第一表面11上突出的主要特徵2。半透明基板1可由石英材料或其他合適材料製成。主要特徵2由不透明材料(諸如，鉻或其他合適材料)製成。
在步驟S14中，藉由使用光罩來圖案化光阻劑層5，如圖10C中所示。在此步驟中，將光罩置放在光阻劑層5與輻射源之間。光罩上之主要特徵2(其為不透明的)阻擋輻射入射於其上，而半透明基板1之未被主要特徵2覆蓋的區域允許輻射經過並到達光阻劑層5。經過主要特徵2之邊緣周圍的輻射被衍射。
主要特徵2中之一些密集地佈置在半透明基板1上，而主要特徵2中之一些較為隔離。密集佈置之主要特徵2由較小間距分離開，且隔離主要特徵2由較大間距分離開。由於間距之差異，因此密集佈置之主要特徵2及隔離主 要特徵2具有不同的衍射圖案及不同的處理訊窗。為了使此些處理訊窗儘可能多地重疊，藉由減小將隔離主要特徵2分離開之間距，使隔離主要特徵2表現得更像密集主要特徵2。此是經由半透明基板1上之至少一個凹陷區域12的輔助實現。
凹陷區域12為線性的，且以間距P沿著隔離主要特徵2之側佈置，該間距P緊密匹配佈置在半透明基板1上的主要特徵2(諸圖中未圖示)之間的間距。此佈置減小了隔離主要特徵2與其相鄰元件(亦即，線性凹陷區域)之間的間距。藉由凹陷區域12之輔助，隔離主要特徵2之效能匹配密集佈置的主要特徵2之效能，藉此增大了光罩之總體處理訊窗及聚焦深度。
凹陷區域12自第一表面11凹陷，且具有經配置以生成類似於密集佈置之主要特徵2之衍射圖案的衍射圖案的寬度W2及深度D。藉由演算法來計算並視光罩之特定佈局來確定凹陷區域12之特定寬度W2及深度D。在一些實施例中，選定寬度W2及深度D，以使得凹陷區域12衍射經過凹陷區域12周圍並經過半透明基板1之輻射。此外，選定凹陷區域12之寬度W2及深度D，以使得在下一步驟中無影像由凹陷區域12圖案化至光阻劑層5上。通常，凹陷區域12之寬度W2小於主要特徵2之寬度W1的約1/5，且凹陷區域12之深度D小於主要特徵2之高度H的約1/3。若凹陷區域12之寬度W2大於主要特徵2之寬度W1的約1/5或若凹陷區域12之深度D大於主要特徵2之高度H的約1/3，則凹陷區域12 可能使圖案成像至光阻劑層5上。另外，可選定凹陷區域12之寬度W2連同位置，以調整凹陷區域12與隔離主要特徵2之間的間距P。
在本揭示案之一些實施例中，可將不透明填充物安置在凹陷區域12中並進一步輔助阻擋輻射。
在圖2中圖示在經過半透明基板1並由突出之隔離主要特徵2及凹陷區域12衍射之後入射在光阻劑層5上的輻射能量。凹陷區域12增大了成像至光阻劑層5上之圖案51的清晰度及聚焦。
曝光於輻射導致光阻劑中之化學變化，從而允許光阻劑層5選擇性地被顯影劑溶液移除。該選擇性曝光於輻射圖案化光阻劑層5，並確定在下一步驟中移除哪些部分。凹陷區域12並不成像至光阻劑層上，而是藉由主要特徵2輔助增大成像至光阻劑層5上之圖案51的清晰度，如圖10C中所示。
在步驟S15中，如圖10D中所示，移除光阻劑層5之部分。藉由塗覆顯影劑溶液，根據在步驟S14中生成之圖案51來部分地移除光阻劑層5。若光阻劑層5為正性光阻劑，則藉由顯影劑溶液來移除光阻劑層5之曝光於輻射之部分。若光阻劑層5為負性光阻劑，則藉由顯影劑溶液來移除光阻劑層5之未曝光於輻射之部分。在任一情形下，根據步驟S04中之圖案化來生成剩餘之光阻劑層5。剩餘之光阻劑層5充當保護罩用於下一步驟。
在步驟S16中，蝕刻層61之至少一個已曝光部分，藉此形成電路元件之零件，如圖10E中所示。被剩餘之光阻劑層5覆蓋之區域受保護且因此不受蝕刻。
在步驟S17中，自晶圓6移除剩餘之光阻劑層，留下其上之已圖案化層61，如圖10F中所示。
根據本揭示案之態樣，在光罩之半透明基板上形成凹陷區域。該凹陷區域不會在光罩製造製程、光罩清潔以及在光微影期間施加光罩期間剝離或塌陷，且經配置以衍射經過半透明基板之輻射，以使得增大光罩之景深度。
根據本揭示案之一些實施例，一種光罩包括半透明基板，該半透明基板具有自該半透明基板之第一表面凹陷的凹陷區域；以及至少一個主要特徵，該至少一個主要特徵是安置在該半透明基板上，且自該半透明基板之該第一表面突出。在一些實施例中，該凹陷區域之一縱向方向大體上平行於該至少一個主要特徵之一縱向方向。在一些實施例中，該凹陷區域經配置以衍射輻射而不使一圖案成像。在一些實施例中，該凹陷區域之一寬度小於該至少一個主要特徵之一寬度的約五分之一。在一些實施例中，該凹陷區域之一深度小於該至少一個主要特徵之一高度的約三分之一。在一些實施例中，該至少一個主要特徵包括一第一主要特徵、一第二主要特徵及一第三主要特徵，該凹陷區域在該第一主要特徵與該第二主要特徵之間，該第一主要特徵與該凹陷區域之間的一第一間距大體上與該第二主要特徵與該第三主要特徵之間的一第二間距相同。在一些實施例中，該半透明基 板包括一石英材料。在一些實施例中，該至少一個主要特徵包括鉻。在一些實施例中，該光罩進一步包括安置在該凹陷區域中之一不透明填充物。
根據本揭示案之一些實施例，在一種用於產生光罩之方法中，在半透明基板上形成至少一個主要特徵。在該半透明基板上形成光阻劑層。圖案化該光阻劑層以形成線性圖案。移除該光阻劑層之該線性圖案以曝光該半透明基板之部分。蝕刻該半透明基板之已曝光部分以在該半透明基板上形成凹陷區域。自該半透明基板移除經圖案化之光阻劑層。在一些實施例中，蝕刻該半透明基板之該已曝光部分包括各向異性地蝕刻該半透明基板之該已曝光部分。在一些實施例中，在該半透明基板上形成該至少一個主要特徵是在蝕刻半透明基板之該已曝光部分以在該半透明基板上形成該凹陷區域之前執行。在一些實施例中，在該半透明基板上形成該至少一個主要特徵是在蝕刻半透明基板之該已曝光部分以在該半透明基板上形成該凹陷區域之後執行。在一些實施例中，用於產生光罩之方法中進一步包括在該凹陷區域中形成一不透明填充物。在一些實施例中，該凹陷區域經形成而具有小於該至少一個主要特徵之一寬度的約五分之一的一寬度。在一些實施例中，該凹陷區域經形成而具有小於該至少一個主要特徵之一高度的約三分之一的一深度。
根據本揭示案之一些實施例，在一種用於產生積體電路之方法中，在晶圓上形成光阻劑層。設置光罩，其中該光罩具有半透明基板；凹陷區域，該凹陷區域自該半透 明基板之第一表面凹陷且經配置以衍射輻射而不使圖案成像；主要特徵，該主要特徵自該基板之該第一表面突出。藉由使用光罩來圖案化光阻劑層。根據該圖案化來移除光阻劑層之部分。蝕刻晶圓之已曝光部分。自該晶圓移除經圖案化之光阻劑層。在一些實施例中，該至少一個主要特徵包括一第一主要特徵、一第二主要特徵及一第三主要特徵，該凹陷區域在該第一主要特徵與該第二主要特徵之間，該第一主要特徵與該凹陷區域之間的一第一間距大體上與該第二主要特徵與該第三主要特徵之間的一第二間距相同。在一些實施例中，該光罩之該凹陷區域的一寬度小於該光罩之該至少一個主要特徵之一寬度的約五分之一。在一些實施例中，該光罩之該凹陷區域的一深度小於該光罩之該至少一個主要特徵之一高度的約三分之一。
前文概述了若干實施例之主要特徵，使得熟習此項技藝者可較佳理解本揭示案之態樣。熟習此項技藝者應瞭解，他們可容易地使用本揭示案之一些實施例作為設計或修改用於實現相同目的及/或達成本文中所介紹之實施例之相同優勢的其它製程及結構的基礎。熟習此項技藝者亦應認識到，此等等效構造不脫離本揭示案之精神及範疇，且他們可在不脫離本揭示案之精神及範疇的情況下於本文中進行各種改變、代替及替換。
1:半透明基板
2:主要特徵
5:光阻劑層
6:晶圓
11:第一表面
12:凹陷區域
51:圖案
D:深度
H:高度
W1:寬度
W2:寬度

Claims (9)

  1. 一種光罩，包括：一半透明基板，該半透明基板具有自該半透明基板之一第一表面凹陷的一凹陷區域；以及至少一個主要特徵，該至少一個主要特徵安置在該半透明基板上，且自該半透明基板之該第一表面突出，其中該凹陷區域之一深度小於該至少一個主要特徵之一高度的約三分之一，且由俯視觀之，該凹陷區域為長條狀。
  2. 如請求項1所述之光罩，其中該凹陷區域經配置以衍射輻射而不使一圖案成像。
  3. 如請求項2所述之光罩，其中該凹陷區域之一寬度小於該至少一個主要特徵之一寬度的約五分之一。
  4. 如請求項1所述之光罩，進一步包括安置在該凹陷區域中之一不透明填充物。
  5. 一種用於產生一光罩之方法，包括：在一半透明基板上形成至少一個主要特徵；在該半透明基板上形成一光阻劑層；圖案化該光阻劑層以曝光該半透明基板之一部分；蝕刻該半透明基板之該已曝光部分以在該半透明基板上形成一凹陷區域，其中在該半透明基板上形成該至少一 個主要特徵是在蝕刻半透明基板之該已曝光部分以在該半透明基板上形成該凹陷區域之後執行，且該凹陷區域之一深度小於該至少一個主要特徵之一高度的約三分之一；以及自該半透明基板移除該經圖案化之光阻劑層。
  6. 如請求項5所述之方法，其中蝕刻該半透明基板之該已曝光部分包括各向異性地蝕刻該半透明基板之該已曝光部分。
  7. 如請求項5所述之方法，其中在該半透明基板上形成該至少一個主要特徵使該至少一個主要特徵之一縱向方向大體上平行於該凹陷區域之一縱向方向。
  8. 一種用於產生一積體電路之方法，包括：在一晶圓上形成一光阻劑層；藉由使用一光罩曝光該晶圓之一部分來圖案化該光阻劑層，其中該光罩包括：一半透明基板，該半透明基板具有自該半透明基板之一第一表面凹陷的一凹陷區域；至少一個主要特徵，該至少一個主要特徵自該半透明基板之該第一表面突出，其中該凹陷區域之一深度小於該至少一個主要特徵之一高度的約三分之一；以及 一不透明填充物，位於該凹陷區域中，且該不透明填充物的材料與該至少一個主要特徵的材料相同；蝕刻該晶圓之該已曝光部分；以及自該晶圓移除該經圖案化之光阻劑層。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該至少一個主要特徵包括一第一主要特徵、一第二主要特徵及一第三主要特徵，該凹陷區域在該第一主要特徵與該第二主要特徵之間，該第一主要特徵與該凹陷區域之間的一第一間距大體上與該第二主要特徵與該第三主要特徵之間的一第二間距相同。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5242770A (en) * 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
US5437947A (en) * 1994-03-04 1995-08-01 Goldstar Electron Co., Ltd. Phase shifting mask and method of manufacturing the same
US20050064304A1 (en) * 2001-04-17 2005-03-24 Kim Byeong-Soo Mask for correcting optical proximity effect and method of manufacturing the same
US7563547B2 (en) * 2003-12-20 2009-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photomask and method of manufacturing the same
KR20100104117A (ko) * 2009-03-16 2010-09-29 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 선폭 보정 방법
JP4741627B2 (ja) * 2007-05-25 2011-08-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． デバイス製造方法、マスク作成方法及びマスク
TW201324029A (zh) * 2011-12-15 2013-06-16 Yao-Ching Tseng 光罩
CN103186030A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 无锡华润上华科技有限公司 光学邻近修正方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5821014A (en) * 1997-02-28 1998-10-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask
US6251217B1 (en) * 1999-01-27 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Reticle adapter for a reactive ion etch system
KR100585127B1 (ko) * 2004-02-11 2006-06-01 삼성전자주식회사 투명 기판에 형성된 스캐터링 바아를 포함하는 포토 마스크
US20070111109A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography scattering bar structure and method
US8048590B2 (en) * 2005-11-14 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography mask having a scattering bar structure that includes transverse linear assist features
US9367655B2 (en) 2012-04-10 2016-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Topography-aware lithography pattern check
US8631360B2 (en) 2012-04-17 2014-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methodology of optical proximity correction optimization
US8762900B2 (en) 2012-06-27 2014-06-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for proximity correction
US8850366B2 (en) 2012-08-01 2014-09-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for making a mask by forming a phase bar in an integrated circuit design layout
US8954899B2 (en) 2012-10-04 2015-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contour alignment system
US8906595B2 (en) 2012-11-01 2014-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for improving resist pattern peeling
US9093530B2 (en) 2012-12-28 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fin structure of FinFET
US8812999B2 (en) 2013-01-02 2014-08-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system of mask data preparation for curvilinear mask patterns for a device
US8796666B1 (en) 2013-04-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MOS devices with strain buffer layer and methods of forming the same
US9548303B2 (en) 2014-03-13 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. FinFET devices with unique fin shape and the fabrication thereof

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5242770A (en) * 1992-01-16 1993-09-07 Microunity Systems Engineering, Inc. Mask for photolithography
US5437947A (en) * 1994-03-04 1995-08-01 Goldstar Electron Co., Ltd. Phase shifting mask and method of manufacturing the same
US20050064304A1 (en) * 2001-04-17 2005-03-24 Kim Byeong-Soo Mask for correcting optical proximity effect and method of manufacturing the same
US7378196B2 (en) * 2001-04-17 2008-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing mask for correcting optical proximity effect
US7563547B2 (en) * 2003-12-20 2009-07-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photomask and method of manufacturing the same
JP4741627B2 (ja) * 2007-05-25 2011-08-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． デバイス製造方法、マスク作成方法及びマスク
KR20100104117A (ko) * 2009-03-16 2010-09-29 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 선폭 보정 방법
TW201324029A (zh) * 2011-12-15 2013-06-16 Yao-Ching Tseng 光罩
CN103186030A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 无锡华润上华科技有限公司 光学邻近修正方法

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