KR20100104117A - 포토마스크의 선폭 보정 방법 - Google Patents

포토마스크의 선폭 보정 방법 Download PDF

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KR20100104117A
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Abstract

투광 기판 상에 타겟 선폭보다 상대적으로 큰 선폭으로 위상반전 패턴들을 형성하고, 위상반전 패턴들의 CD를 측정하여 타겟 선폭과 위상반전 패턴들의 CD 편차를 나타내는 CD 맵(map)을 작성한다. CD 맵(map)을 평가하여 위상 반전 패턴들의 선폭 보정치 별로 선폭 보정 영역들을 구별하여 설정하고, 선폭 보정 영역 별로, 선폭 보정량에 따라 오존수를 분사하여 위상반전 패턴들의 선폭 및 균일도를 보정하는 단계를 포함한다.
위상 오버, 선폭, 보정, 오존수, 스캔, 위상반전 패턴, 균일도

Description

포토마스크의 선폭 보정 방법{Method for correcting critical dimension in photomask}
본 발명은 포토마스크의 보정 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 포토마스크의 선폭 보정 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하는 공정 중에는 반도체기판에 형성하고자 하는 패턴을 구현하고자 하는 방법으로 패턴이 형성된 포토마스크가 이용된다. 포토마스크 상에 구현된 패턴은 포토리소그라피(photolithography) 공정을 통해 웨이퍼 상으로 전사되므로, 포토마스크의 제조 공정은 매우 중요하게 인식되고 있다.
그런데, 포토마스크를 제조하는 과정에서 여러 가지 원인에 의하여 형성하고자 하는 타겟 패턴의 선폭(CD)보다 큰 선폭을 가진 패턴이 형성될 수 있다. 따라서, 포토마스크 제조 과정 중에 패턴의 선폭을 보정하는 CD 보정 공정을 수행하고 있다. 예컨대, 위상반전마스크의 CD 보정 공정은 먼저, 위상반전막 및 차광막이 형성된 투명기판 상에 포토리소그라피 과정을 통해 레지스트막 패턴을 형성한 후, 레지스트막 패턴을 식각마스크로 노출된 차광막을 식각하여 차광 패턴을 형성한다. 측정장비를 통해 차광 패턴의 CD를 측정하고, 식각 시간을 보강하여 차광 패턴을 원하는 타겟 선폭(target CD)으로 보정한다. 보정된 차광 패턴을 식각마스크로 노출된 위상반전막을 식각하여 위상반전 패턴을 형성한다.
이와 같이, 차광 패턴을 식각한 후, 차광 패턴 차광 패턴의 CD를 보정하는 CD 보정 공정의 경우, 원하는 타겟 선폭으로 형성하는 CD MTT(mean to target) 보정 공정은 가능하나, 선폭 균일도를 보정하는 CD 균일도 보정이 어려운 문제점이 있다. 즉, 포토마스크 패턴 형성 과정에서 패턴의 CD가 영역별로 부분적인 경향성을 갖게 될 수 있다. 따라서, CD 보정 공정을 수행하더라도, CD 균일도는 개선되지 않아 CD 균일도 저하되는 등 문제점이 발생되고 있다.
또한, 차광 패턴을 식각마스크로 노출된 위상반전막을 식각할 때, 오버 식각(over etch)이 유발되면, 위상반전패턴 사이의 노출된 기판 부분이 식각되어 위상이 달라지게 된다. 즉, 위상 반전 패턴 사이의 노출된 기판 부분이 식각되면서, 위상반전 패턴과, 투명기판과의 단차가 증가되어 위상이 변하여 위상값이 커지는 문제점이 발생되고 있다. 또한, 위상 반전 패턴을 형성하기 위한 식각 과정에서 위상반전 패턴이 균일하게 식각되지 못하여 위상이 영역별로 불균일한 문제점도 발생되고 있다.
본 발명에 일 실시예에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 투광 기판 상에 타겟 선폭보다 상대적으로 큰 선폭으로 위상반전 패턴들을 형성하는 단계; 상기 위상반전 패턴들의 CD를 측정하여 타겟 선폭과 위상반전 패턴들의 CD 편차를 나타내는 CD 맵(map)을 작성하는 단계; 상기 CD 맵(map)을 평가하여 위상 반전 패턴들의 선폭 보정치 별로 선폭 보정 영역들을 구별하여 설정하는 단계; 및 상기 선폭 보정 영역 별로, 선폭 보정량에 따라 오존수를 분사하여 위상반전 패턴들의 선폭 및 균일도를 보정하는 단계를 포함한다.
상기 선폭 및 균일도를 보정하는 단계는, 상기 선폭 보정 영역들이 설정된 기판을 스테이지에 장착하는 단계; 상기 선폭 보정 영역들 중 어느 하나의 선폭 보정 영역과 오존수를 공급하는 노즐이 매치되게 마스크기판을 90°씩 회전시키는 단계; 및 상기 선폭 보정 영역에 오존수를 스캔방식으로 분사하여 선폭 보정을 수행하는 단계로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예에 다른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 투광 기판 상에 위상반전 패턴들을 형성하는 단계; 상기 위상반전 패턴들의 선폭을 측정하고, 상기 위상 반전 패턴과 투광 기판 사이의 위상을 측정하는 단계; 상기 측정된 선폭 및 위상을 분석하여 상기 위상반전패턴들의 선폭 편차 및 위상 편차를 나타내는 CD 맵을 작성하는 단계; 상기 CD 맵을 평가하여 선폭 및 위상 보정 영역을 설정하는 단계; 및 상기 설정된 선폭 및 위상 보정 영역 별로, 오존수를 스캔방식으로 분사하여 위상반전 패턴들의 두께 및 선폭을 축소하여 선폭 및 위상을 보정하는 단계를 포함한다.
상기 위상 반전 패턴들은 몰리브덴실리콘나이트라이드막을 포함하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 선폭 보정 영역들의 설정은 상기 위상반전 패턴들과 타겟 선폭과의 CD 차이를 비교하여 보정치를 산출한 후, CD MTT 및 필요 보정치를 분석하여 필요 보정량에 따라 CD 보정 영역들을 구별하여 설정하는 것이 바람직하다. '
상기 오존수는 스캔 방식으로 분사하는 노즐을 이용해 분사하는 것이 바람직하다.
상기 위상 및 선폭을 보정하는 단계는, 상기 보정 영역들이 설정된 기판을 스테이지에 장착하는 단계; 상기 보정 영역들 중 어느 하나의 보정 영역과 오존수를 공급하는 노즐이 매치되게 마스크기판을 90°씩 회전시키는 단계; 및 상기 보정 영역에 오존수를 스캔방식으로 분사하여 상기 위상 반전패턴의 두께를 낮추고 선폭을 축소하여 위상 및 선폭을 보정하는 단계로 이루어지는 것이 바람직하다. '
본 발명에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 포토마스크의 식각(etching) 공정이 완료 된 후, 선폭 MTT(Mean To Target) 및 선폭 균일도(uniformity)를 개선하기 위해, 포토마스크 상에 식각공정이 완료된 패턴들의 선폭을 측정하여 CD 맵을 작성한 후, CD 맵을 평가하여 위치에 따라 선폭 보정이 필요한 영역을 설정한다. 설정된 영역 별로 필요한 보정량에 따라 오존수를 스캔방식으로 분사하여 해당 영역 별로 선폭을 보정하는 단계를 제시한다.
또한, 본 발명에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 투광 기판 상에 위상반전 패턴들을 형성하고, 상기 위상반전 패턴들의 선폭을 측정하고, 상기 위상 반전 패턴과 투광 기판 사이의 위상을 측정한다. 상기 측정된 선폭 및 위상을 분석하여 상기 위상반전패턴들의 선폭 편차 및 위상 편차를 나타내는 CD 맵을 작성하고, 상기 CD 맵을 평가하여 선폭 및 위상 보정 영역을 설정한다. 그리고 상기 설정된 선폭 및 위상 보정 영역 별로, 오존수를 스캔방식으로 분사하여 위상반전 패턴들의 두께 및 선폭을 축소하여 선폭 및 위상을 보정하는 단계를 제시한다.
본 발명에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 위상반전마스크 구조에서 칩 영역의 차광 패턴을 제거하고, 프레임 영역의 차광 패턴은 선택적으로 잔존시키는 제2 패터닝 과정 이후에 도입될 수 있다. 또한, 차광 패턴을 식각마스크로 한 식각공정으로 위상반전막을 식각하여 위상반전막 패턴을 형성하는 제1 패터닝 과정 이후에 도입될 수도 있다. 또한, 본 발명에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 위상반전 패턴의 선폭이 타겟 선폭보다 상대적으로 큰 선폭으로 보정되고, 위상 반전 패턴의 위상차가 상대적으로 크게 측정된 위상 반전마스크 구조일 경우 수행하는 것이 바람직하다.
(실시예 1)
도 1을 참조하면, 석영과 같은 투광 기판(100) 위에 위상반전막(110) 및 차광막(120)을 형성하고, 차광막(120) 위에 차광막(120)을 선택적으로 노출시키는 레지스트 패턴(130)을 형성한다. 위상반전막은 투과되는 광의 위상을 반전시킬 수 있는 물질 예컨대, 몰리브덴실리콘나이트라이드막을 포함하여 형성할 수 있다. 차광 막(120)은 투과되는 광을 차단할 수 있는 물질 예컨대, 크롬막을 포함하여 형성할 수 있다. 레지스트 패턴(130)은 전자빔 노광 공정 및 현상공정을 수행하여 형성될 수 있다. 이때, 레지스트 패턴(130)은 위상반전마스크의 설계 시의 타겟 선폭(target CD)보다 상대적으로 큰 선폭을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 2를 참조하면, 레지스트 패턴(130)을 식각마스크로 노출된 차광막을 식각하여 차광 패턴(121)을 형성하고, 차광 패턴(121) 및 레지스트 패턴(130)을 식각마스크로 노출된 위상반전막을 식각하여 위상반전 패턴(111)을 형성한다. 이때, 레지스트 패턴(130)의 선폭은 차광 패턴(121)의 선폭에 영향을 미치고, 차광 패턴(121)의 선폭은 위상반전 패턴(111)의 선폭에 영향을 미치게 된다. 따라서, 차광 패턴(121) 및 위상반전 패턴(111)은 형성하고자 하는 타겟 선폭(target CD)보다 상대적으로 큰 선폭으로 형성될 수 있다.
위상반전마스크 구조에서 차광 패턴(121)의 선폭은 위상반전 패턴(111)의 선폭을 결정하는 요인으로 작용한다. 따라서, 노광, 현상 공정, 및 식각 공정에서 유발되는 차광 패턴(121)의 선폭 균일도는 위상 반전 패턴(111)의 선폭 균일도에 영향을 미치게 된다. 그런데, 위상반전 패턴(111) 또는 차광 패턴(121)을 형성하기 위한 식각공정을 수행한 후, 선폭 보정을 수행할 때, 패턴의 선폭이 타겟 선폭에 일치할 경우 CD MTT(Mean To Target) 보정은 가능하나 선폭 균일도(uniformity) 보정이 불가능한 단점이 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에서는 차광 패턴(121) 또는 위상반전 패턴(111)이 선폭 균일도 보정이 가능하도록 설계 시의 타겟선폭보다 상대적으로 큰 선폭을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 위상 반전 패턴(111) 위의 차광 패턴(121) 및 레지스트막 패턴(130)을 스트립(Strip)하여 제거하고, 다음에 위상반전 패턴(111)들의 선폭을 측정하여 타겟 선폭과 위상반전 패턴(111)들의 선폭 편차를 나타내는 CD 맵을 작성한다. 위상반전 패턴(111)들의 선폭 측정은 SEM 을 이용하여 측정할 수 있다. SEM 측정 결과, 위상 반전 패턴(111)들의 선폭은 타겟 선폭(d1)에 일치하거나, 타겟 선폭(d1)보다 상대적으로 큰 선폭(d2)으로 측정될 수 있다. 또한, 위상 반전 패턴(111)들은 마스크 제조 과정에서 마스크 기판 위치 별로 서로 다른 선폭으로 형성될 수 있어, 부분적인 경향성을 갖는 CD 맵이 작성될 수 있다.
도 4를 참조하면, CD 맵을 평가하여 필요 보정치 별로 선폭 보정이 필요한 영역들을 구별하고, 스캔(scan) 방식으로 오존수를 분사(dispense)하여 위상반전 패턴(111)들의 선폭을 보정한다. 이때, 오존수는 오존(O3)이 첨가된 순수(DIWater)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 마스크 전체 영역에 대한 CD 맵을 평가하여 위상반전 패턴(111)들 타겟 선폭과의 CD 차이를 비교하여 보정치를 산출한 후, CD MTT 및 필요 보정치을 분석하여 필요 보정량에 따라 CD 보정 영역들을 구별하여 설정한다. 다음에, 구별된 CD 보정 영역 별로 오존수를 분사하기 위해, 마스크 스테이지(stage)에 선폭 보정이 필요한 마스크 기판(100)을 장착한 후, 노즐(nozzel)(140)을 이동시키는 스캔(scan) 방식으로 CD 보정 영역 별로 필요 보정량 만큼 오존수를 분사한다.
이때, CD 보정 영역마다 필요 보정량이 다르므로, 각각의 CD 보정 영역들과 노즐(140)이 서로 매치되게 마스크 기판을 90°씩 회전시키면서 오존수의 분사 시간을 조절하여 필요 보정량으로 선폭 보정을 수행한다. 선폭 보정 공정은 CD 맵 평가 결과, CD 균일도를 보정하기 위해 위치별, 부분별로 오존수를 분사하여 수행될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 포토마스크의 식각(etching) 공정이 완료 된 후, 선폭 MTT(Mean To Target) 및 선폭 균일도(uniformity)를 개선하기 위해, 포토마스크 상에 식각공정이 완료된 패턴들의 선폭을 측정하여 CD 맵을 작성한 후, CD 맵을 평가하여 위치에 따라 선폭 보정이 필요한 영역을 설정한다. 설정된 선폭 보정 영역 별로, 해당 영역에만 오존수를 스캔방식으로 분사하고, 해당 영역의 선폭 보정량만큼 분사시간을 조절함으로써, 부분별 영역별로 선폭 보정을 수행하면서, 동시에 선폭 균일도를 개선할 수 있다.
(실시예 2)
도 5를 참조하면, 석영과 같은 투광 기판(100) 위에 위상반전막(110) 및 차광막(120)을 형성하고, 차광막(120) 위에 차광막(120)을 선택적으로 노출시키는 레지스트 패턴(130)을 형성한다. 위상반전막은 투과되는 광의 위상을 반전시킬 수 있는 제1 두께(d1)로 형성되고, 몰리브덴실리콘화합물을 포함하여 형성될 수 있다. 차광막(120)은 투과되는 광을 차단할 수 있는 물질 예컨대, 크롬막을 포함하여 형성될 수 있다. 레지스트 패턴(130)은 전자빔 노광 공정 및 현상공정을 수행하여 형성될 수 있다. 이때, 레지스트 패턴(130)은 위상반전마스크의 설계 시의 타겟 선 폭(target CD)보다 상대적으로 큰 제1 선폭(CD1)을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
도 6을 참조하면, 레지스트 패턴(130)을 식각마스크로 노출된 차광막을 식각하여 차광 패턴(121)을 형성하고, 차광 패턴(121) 및 레지스트 패턴(130)을 식각마스크로 노출된 위상반전막을 식각하여 투광 기판(100)을 선택적으로 노출시키는 위상반전 패턴(111)을 형성한다. 이때, 차광 패턴(121) 및 위상반전 패턴(111)은 형성하고자 하는 타겟 선폭(target CD)보다 상대적으로 큰 제1 선폭(CD1)으로 형성된다.
위상반전마스크 구조에서 차광 패턴(121)의 선폭은 위상반전 패턴(111)의 선폭을 결정하는 요인으로 작용한다. 따라서, 노광, 현상 공정, 및 식각 공정에서 유발되는 차광 패턴(121)의 선폭 균일도는 위상 반전 패턴(111)의 선폭 균일도에 영향을 미치게 된다. 그런데, 위상반전 패턴(111) 또는 차광 패턴(121)을 형성하기 위한 식각공정을 수행한 후, 선폭 보정을 수행할 때, 패턴의 선폭이 타겟 선폭에 일치할 경우 CD MTT(Mean To Target) 보정은 가능하나 선폭 균일도(uniformity) 보정이 불가능한 단점이 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에서는 차광 패턴(121) 또는 위상반전 패턴(111)이 선폭 균일도 보정이 가능하도록 설계 시의 타겟선폭보다 상대적으로 큰 선폭을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 위상반전 패턴을 형성하기 위한 식각 과정에서 오버 식각되어 노출된 투광 기판(100) 부분이 제1 깊이(h1)로 식각될 수 있다. 이로 인해, 위상반전 패턴 의 제1 두께(d1)와 투광기판 부분이 식각된 제1 깊이(h) 만큼 단차가 커져 위상값이 커지는 위상 오버(phase over)가 유발될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서 위상 반전 패턴의 선폭 및 위상을 보정하기 위해 다음과 같은 방법을 수행한다.
도 7을 참조하면, 위상 반전 패턴(111) 위의 차광 패턴(121) 및 레지스트막 패턴(130)을 스트립(Strip)하여 제거하고, 다음에 위상반전 패턴(111)들의 선폭을 측정한다. 이때, 위상반전 패턴(111)들의 선폭은 타겟 선폭보다 상대적으로 큰 제1 선폭(CD1)으로 측정된다.
다음에, 위상반전 패턴(111)들의 위상차를 측정하고, 위상반전 패턴(111)들의 선폭 편차 및 위상 편차를 나타내는 CD맵을 작성한다. 이때, 위상반전 패턴(111)들의 위상차는 투광기판(100) 부분이 식각된 제1 깊이(h)만큼 위상반전 패턴(111)과의 단차가 커져 위상값이 크게 측정된다. CD 맵은 위상 반전 패턴(111)들이 마스크 기판 위치 별로 서로 다른 선폭 또는 위상차를 갖는 불균일한 맵이 작성될 수 있다.
도 8을 참조하면, CD 맵을 평가하여 필요 보정치 별로 선폭 및 위상 보정이 필요한 영역들을 구별하고, 스캔(scan) 방식으로 오존수를 분사(dispense)하여 위상반전 패턴(111)들의 선폭을 타겟 선폭에 일치하도록 제2 선폭(CD2)으로 축소하고,위상반전 패턴(111)의 두께를 위상값이 줄어들도록 제2 두께(d2)를 갖도록 보정한 다. 이때, 오존수는 오존(O3)이 첨가된 순수(DIWater)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 마스크 전체 영역에 대한 CD 맵을 평가하여 위상반전 패턴(111)들 타겟 선폭과의 CD 차이를 비교하여 보정치를 산출하고, 산출된 CD 보정치와, 측정된 위상값을 분석하여 보정 영역들을 구별하여 설정한다. 다음에, 구별된 보정 영역 별로 오존수를 분사하기 위해, 마스크 스테이지(stage)에 마스크 기판(100)을 장착한 후, 노즐(nozzel)(140)을 이동시키는 스캔(scan) 방식으로 보정 영역 별로 필요 보정량만큼 오존수를 분사한다. 그러면, 위상반전 패턴(111)의 선폭은 타겟 선폭과 일치되도록 제2 선폭(CD2)으로 줄어들고, 위상반전 패턴(111)들의 두께는 투광기판 부분이 식각된 깊이(h)만큼 줄어들어 제2 두께(d2)로 낮아지게 된다. 이에 따라, 위상반전 패턴(111)들의 선폭이 보정되고, 위상반전 패턴(111)과 투광기판(100) 부분의 단차가 줄어들어 위상차가 보정된다.
이때, 보정 영역마다 필요 보정량이 다르므로, 각각의 보정 영역들과 노즐(140)이 서로 매치되게 마스크 기판을 90°씩 회전시키면서 오존수의 분사 시간을 조절하여 선폭 및 위상을 보정한다. 선폭 보정 공정은 CD 맵 평가 결과, CD 균일도를 보정하기 위해 위치별, 부분별로 오존수를 분사하여 수행될 수 있다.
다음은 실시예 1 및 실시예 2의 오존수 분사 방법을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 예컨대, 위상 반전 패턴의 선폭 및 위상차를 측정하여 도 9에 제시된 바와 같이, A와 같은 CD 맵(200)이 작성되어 부분별로 보정량을 분석한 결과, CD 맵 일부분에 보정 영역(210)이 설정되면, [1단계]로 노즐(140)과 설정된 보정 영 역(210)이 매치되게 마스크 기판을 90도 회전시킨 후, 노즐라인(140)을 통해 마스크를 스캔(scan)하면서 해당 보정 영역(210)에만 필요한 보정량만큼 오존수를 분사하여 선폭를 보정하거나, 선폭 또는 위상을 보정한다. 이에 따라, 선폭 보정이 필요한 영역 또는 선폭과 위상차 보정이 필요한 영역에만 오존수를 분사하여 부분별 선폭 보정을 수행할 수 있다.
다른 예를 들어 도 10에 제시된 바와 같이, B와 같은 CD 맵(300)이 작성되어 CD 맵을 분석한 결과, 마스크 위치에 따라 각각의 보정 영역들을 구별하여 제1 영역(310), 제2 영역(320), 제3 영역(330)으로 설정되면, 먼저 마스크 기판을 마스크 스테이지에 장착한다. 다음에 [1단계]로 설정된 제1 영역(310)이 노즐(140)과 매치시킨 후, 해당되는 보정량만큼 제1 영역(310)에 오존수를 분사하여 제1 영역에 포함된 위상반전 패턴(111)들의 선폭을 보정하거나, 선폭 및 위상을 보정하고, [2단계]로 제2 영역(320)이 노즐(140)과 매치되게 마스크 기판(100)을 90도로 회전시킨 상태에서 제2 영역(320)에 해당되는 보정량만큼 제2 영역(320)에 오존수를 분사하여 선폭 또는 선폭과 위상을 동시에 보정한다. 그리고 [3단계]로 제3 영역(330)이 노즐(140)과 매치되게 마스크 기판(100)을 다시 90도로 회전시킨 상태에서 제3 영역(330)에 해당되는 보정량만큼 제3 영역(330)에 오존수를 분사하여 선폭 또는 선폭과 위상을 보정한다.
또 다른 예를 들어, CD 맵을 평가한 결과, 도 11에 제시된 바와 같이 C와 같은 CD 맵(400)이 작성되어, 위치에 따른 보정 영역이 제1 영역(410) 및 제2 영역(420)으로 설정되면, 먼저 [1단계]로 설정된 제1 영역(410)이 노즐(140)과 매치 되게 마스크 기판(100)을 45° 회전시킨 상태에서 제1 영역(410)에 해당되는 선폭 보정량 만큼 오존수를 분사하여 선폭 및 위상을 보정하고, [2단계]로 제2 영역(420)이 노즐(140)과 매치되게 마스크 기판(100)을 180도 회전시킨 상태에서 제2 영역(420)에만 선택적으로 선폭 보정량만큼 오존수를 분사하여 제2 영역에 포함된 위상반전 패턴들의 선폭 및 위상을 보정한다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
도 1 내지 도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법을 설명하기 위해 나타낸 도면들이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 도면들이다.
도 9 내지 도 11은 본 발명에 따른 오존수 분사 방법을 보다 구체적으로 설명하기 위해 나타낸 보인 도면들이다.

Claims (10)

  1. 투광 기판 상에 타겟 선폭보다 상대적으로 큰 선폭으로 위상반전 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 위상반전 패턴들의 CD를 측정하여 타겟 선폭과 위상반전 패턴들의 CD 편차를 나타내는 CD 맵(map)을 작성하는 단계;
    상기 CD 맵(map)을 평가하여 위상 반전 패턴들의 선폭 보정치 별로 선폭 보정 영역들을 구별하여 설정하는 단계; 및
    상기 선폭 보정 영역 별로, 선폭 보정량에 따라 오존수를 분사하여 위상반전 패턴들의 선폭 및 균일도를 보정하는 단계를 포함하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 위상반전 패턴들은 몰리브덴실리콘나이트라이드막을 포함하여 형성하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 선폭 보정 영역들의 설정은 상기 위상반전 패턴들과 타겟 선폭과의 CD 차이를 비교하여 보정치를 산출한 후, CD MTT 및 필요 보정치를 분석하여 필요 보정량에 따라 CD 보정 영역들을 구별하여 설정하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 오존수는 스캔 방식으로 분사하는 노즐을 이용해 분사하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 오존수는 분사 시간을 조절하여 상기 선폭 보정 영역 별로 해당되는 선폭 보정량 만큼 분사하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 선폭 및 균일도를 보정하는 단계는,
    상기 선폭 보정 영역들이 설정된 기판을 스테이지에 장착하는 단계;
    상기 선폭 보정 영역들 중 어느 하나의 선폭 보정 영역과 오존수를 공급하는 노즐이 매치되게 마스크기판을 90°씩 회전시키는 단계; 및
    상기 선폭 보정 영역에 오존수를 스캔방식으로 분사하여 선폭 보정을 수행하는 단계로 이루어지는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  7. 투광 기판 상에 위상반전 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 위상반전 패턴들의 선폭을 측정하고, 상기 위상 반전 패턴과 투광 기판 사이의 위상을 측정하는 단계;
    상기 측정된 선폭 및 위상을 분석하여 상기 위상반전패턴들의 선폭 편차 및 위상 편차를 나타내는 CD 맵을 작성하는 단계;
    상기 CD 맵을 평가하여 선폭 및 위상 보정 영역을 설정하는 단계; 및
    상기 설정된 선폭 및 위상 보정 영역 별로, 오존수를 스캔방식으로 분사하여 위상반전 패턴들의 두께 및 선폭을 축소하여 선폭 및 위상을 보정하는 단계를 포함하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 위상 반전 패턴들은 몰리브덴실리콘나이트라이드막을 포함하여 형성하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 오존수는 스캔 방식으로 분사하는 노즐을 이용해 분사하는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 위상 및 선폭을 보정하는 단계는,
    상기 보정 영역들이 설정된 기판을 스테이지에 장착하는 단계;
    상기 보정 영역들 중 어느 하나의 보정 영역과 오존수를 공급하는 노즐이 매치되게 마스크기판을 90°씩 회전시키는 단계; 및
    상기 보정 영역에 오존수를 스캔방식으로 분사하여 상기 위상 반전패턴의 두께를 낮추고 선폭을 축소하여 위상 및 선폭을 보정하는 단계로 이루어지는 포토마스크의 선폭 보정 방법.
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