TWI730277B - 顯示裝置製造方法 - Google Patents

顯示裝置製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI730277B
TWI730277B TW107146233A TW107146233A TWI730277B TW I730277 B TWI730277 B TW I730277B TW 107146233 A TW107146233 A TW 107146233A TW 107146233 A TW107146233 A TW 107146233A TW I730277 B TWI730277 B TW I730277B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display device
substrate
via hole
film transistor
manufacturing
Prior art date
Application number
TW107146233A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202025111A (zh
Inventor
洪文璋
鍾現
Original Assignee
華碩電腦股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 華碩電腦股份有限公司 filed Critical 華碩電腦股份有限公司
Priority to TW107146233A priority Critical patent/TWI730277B/zh
Priority to US16/713,076 priority patent/US11302574B2/en
Publication of TW202025111A publication Critical patent/TW202025111A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI730277B publication Critical patent/TWI730277B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一種顯示裝置製造方法包含：於基板上形成薄膜電晶體陣列，其中基板具有導通孔，其連通基板的相反兩側；以及於形成薄膜電晶體陣列後，於導通孔內填充導電填充物，以電性連接薄膜電晶體陣列。

Description

顯示裝置製造方法
本揭示係關於一種顯示裝置製造方法。
近年來，顯示裝置朝窄邊框設計發展，窄邊框設計不僅能減小顯示裝置的整體體積並且可提升屏占比。因此，如何提出一種窄邊框之顯示裝置製造方法，為目前急需努力的方向之一。
有鑑於此，本揭示之一目的在於提出一種顯示裝置製造方法。
為達成上述目的，依據本揭示的一實施方式，一種顯示裝置製造方法包含：於基板上形成薄膜電晶體陣列，其中基板具有導通孔，其連通基板的相反兩側；以及於形成薄膜電晶體陣列後，於導通孔內填充導電填充物，以電性連接薄膜電晶體陣列。
綜上所述，本揭示之顯示裝置製造方法先進行薄膜電晶體的沉積，接著再以低溫漿料填充的方式來填充導 通孔，解決現有技術中導通孔填充物滲入薄膜電晶體的問題。
以下將以實施方式對上述之說明作詳細的描述，並對本揭示之技術方案提供更進一步的解釋。
100、400、500、700‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧薄膜電晶體陣列
111‧‧‧顯示單元
112‧‧‧控制線路
120、720‧‧‧基板
121‧‧‧顯示區域
122‧‧‧邊緣區域
123‧‧‧第一導通孔
124、432‧‧‧導電填充物
130、430‧‧‧背光模組
140、540‧‧‧控制電路板
150、460、470、550‧‧‧軟性電路板
300‧‧‧顯示裝置製造方法
301~305‧‧‧步驟
431‧‧‧第二導通孔
725‧‧‧連接線路
為使本揭示之上述及其他目的、特徵、優點與實施方式能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖為繪示依據本揭示一實施方式之顯示裝置的俯視圖。
第2圖為繪示第1圖所示之顯示裝置的側視圖。
第3圖為繪示依據本揭示一實施方式之顯示裝置製造方法的流程圖。
第4圖為繪示依據本揭示另一實施方式之顯示裝置的側視透視圖。
第5圖為繪示依據本揭示另一實施方式之顯示裝置的側視圖。
第6圖為繪示依據本揭示另一實施方式之顯示裝置的俯視圖。
第7圖為繪示第6圖所示之顯示裝置的側視圖。
第8圖為繪示第6圖所示之顯示裝置的基板的仰視圖。
為使本揭示之敘述更加詳盡與完備，可參照所附之圖式及以下所述各種實施方式。圖式中之各元件未按比例繪製，且僅為說明本揭示而提供。以下描述許多實務上之細節，以提供對本揭示的全面理解，然而，相關領域具普通技術者應當理解可在沒有一或多個實務上之細節的情況下實施本揭示，因此，該些細節不應用以限定本揭示。
請參照第1圖以及第2圖。第1圖為繪示依據本揭示一實施方式之顯示裝置100的俯視圖，而第2圖為繪示第1圖所示的顯示裝置100的側視圖。顯示裝置100為一非自發光顯示裝置，例如是液晶顯示器。如第2圖所示，顯示裝置100包含薄膜電晶體陣列110、基板120、背光模組130、控制電路板140以及軟性電路板150。薄膜電晶體陣列110設置於基板120上，並且包含複數個顯示單元111以及連接於顯示單元111間的控制線路112。基板120具有複數個第一導通孔123，其連通基板120的相反兩側。第一導通孔123內填充有導電填充物124，其電性連接控制線路112。背光模組130位於基板120遠離薄膜電晶體陣列110的一側，而控制電路板140位於背光模組130下方。控制電路板140透過由背光模組130側邊繞過的軟性電路板150耦接至第一導通孔123。以下一併參照第3圖詳細介紹用以製造顯示裝置100的顯示裝置製造方法300，其包含步驟301~305。
於步驟301中，於基板120上形成複數個第一導通孔123(於第2圖中以虛線表示)，其連通基板120的相反兩側。基板120具有顯示區域121以及環繞顯示區域121的邊緣 區域122，第一導通孔123位於邊緣區域122。於一些實施方式中，第一導通孔123可利用微影蝕刻技術形成。在一實施例中，第一導通孔123具有5~10微米的孔徑，但本案不以此為限。
於步驟302中，如第1圖所示，於基板120上形成薄膜電晶體陣列110，其覆蓋顯示區域121，並包含複數個顯示單元111以及控制線路112。顯示單元111以等間距的方式排列，並且以控制線路112連接。薄膜電晶體陣列110的橫排與第一導通孔123對齊。於一些實施方式中，薄膜電晶體陣列110利用化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)形成。
每一個顯示單元111可能對應至一子像素，例如是一紅色子像素、一綠色子像素以及一藍色子像素，而相鄰的紅色子像素、綠色子像素以及藍色子像素可以共同形成一像素。舉例來說，顯示單元111包含薄膜電晶體、像素電極以及儲存電容，但本揭示不以此為限。圖中未詳細繪示出顯示單元111的結構，僅以方塊示意。另外，第1圖僅示意地畫出六個顯示單元111，然而，取決於顯示裝置100的解析度，薄膜電晶體陣列110可能包含數百萬個顯示單元111。
於基板120上形成薄膜電晶體陣列110後，接下來，於步驟303中，如第1圖與第2圖所示，於第一導通孔123內填充導電填充物124，導電填充物124電性連接薄膜電晶體陣列110的控制線路112。導電填充物124的材料可包含金屬漿料或奈米碳管。
其中，在步驟303中，填充第一導通孔123可以在小於或等於預設溫度下進行，其中預設溫度低於薄膜電晶體陣列110沉積過程的溫度。在一實施例中，預設溫度可為500℃。顯示裝置製造方法300採用先進行薄膜電晶體陣列110沉積，再進行第一導通孔123填充作法，以避免導通孔填充物滲入薄膜電晶體。
於步驟304中，將背光模組130設置於基板120遠離薄膜電晶體陣列110的一側，並使其對齊基板120的顯示區域121(請見第1圖)。於一些實施方式中，背光模組330為直下式背光模組。
於步驟305中，將控制電路板140設置於背光模組130遠離基板的一側，並使用軟性電路板150將控制電路板140耦接至第一導通孔123。軟性電路板150由背光模組130側邊繞過，其一端連接第一導通孔123的底端，並且與導電填充物124電性導通，另一端則電性連接控制電路板140。控制電路板140係用以對顯示單元111發送控制訊號，於第2圖所示的實施方式中，控制訊號係依序通過軟性電路板150、導電填充物124以及控制線路112傳送至顯示單元111。
請參照第4圖，其為繪示依據本揭示另一實施方式之顯示裝置400的側視透視圖。顯示裝置400包含薄膜電晶體陣列110、基板120、背光模組430、控制電路板140以及軟性電路板460、470，其中薄膜電晶體陣列110、基板120以及控制電路板140與第2圖所示的實施方式相同，可參照前文相關說明，在此不贅述。本實施方式與第2圖所示之實施方式的 一差異處，在於顯示裝置400的背光模組430具有第二導通孔431。第二導通孔431連通背光模組430的相反兩側，並且與第一導通孔123對齊。第二導通孔431內填充有導電填充物432，其材料可包含金屬漿料或奈米碳管。
第二導通孔431頂端透過軟性電路板460耦接至第一導通孔123的底端，控制電路板140則透過軟性電路板470耦接至第二導通孔431的底端。於本實施方式中，控制電路板140發送的控制訊號依序通過軟性電路板470、導電填充物432、軟性電路板460、導電填充物124以及控制線路112傳送至顯示單元111。
請參照第5圖，其為繪示依據本揭示一實施方式之顯示裝置500的側視透視圖。顯示裝置500為一自發光顯示裝置，例如是有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)顯示器或是微發光二極體(micro light-emitting diode，microLED)顯示器。舉例來說，有機發光二極體顯示器利用設置於薄膜電晶體上方的有機材料(圖未示)進行發光，因此不需要背光模組。顯示裝置500包含薄膜電晶體陣列110、基板120、控制電路板540以及軟性電路板550。基板120的材料可能包含玻璃、聚合物材料或其他合適的材料，舉例來說，若顯示裝置500為一可彎折顯示裝置，可使用聚醯亞胺(polyimide，PI)基板。
在不需背光模組下，控制電路板540可以直接設置於基板120後方，並透過軟性電路板550連接第一導通孔123的底端。應當理解利用軟性電路板550耦接控制電路板540與 第一導通孔123的做法僅為舉例，本揭示不以此為限。本領域技術人員可依據實務上的需求使用其他電連接手段來連接控制電路板540與第一導通孔123。
請參照第6圖以及第7圖。第6圖為繪示依據本揭示另一實施方式之顯示裝置700的俯視圖，而第7圖為繪示第6圖所示之顯示裝置700的側視透視圖。如第7圖所示，顯示裝置700包含薄膜電晶體陣列110、基板720、背光模組130、控制電路板140以及軟性電路板150，其中薄膜電晶體陣列110、背光模組130、控制電路板140以及軟性電路板150與第2圖所示的實施方式相同，可參照前文相關說明，在此不贅述。本實施方式與第1圖以及第2圖所示之實施方式之一差異處，在於本實施方式之基板720的第一導通孔123設置於薄膜電晶體陣列110的顯示單元111之間的區域。於基板720上方的濾光層(圖未示)中，對應至顯示單元111間區域的位置設置阻光物質，避免相鄰的顯示單元111出現混光的情形。因此，顯示單元111之間的區域可以用來設置導通孔或佈設線路。
請參照第8圖，其為繪示第6圖所示之顯示裝置700的基板720的仰視圖。由於第一導通孔123設置於顯示區域121內，進行控制電路板140的連接時，無法直接利用軟性電路板連接第一導通孔123底端。因此，基板620遠離薄膜電晶體陣列110的表面上設置有連接線路725。連接線路725連接第一導通孔123的底端，並且延伸至基板720的邊緣區域122。連接線路725位於基板720底面對應至顯示單元111間區域的佈線區域內，避免影響顯示裝置700顯示的內容。
藉由上述結構配置，控制電路板740可經由軟性電路板150於邊緣區域122連接連接線路725，控制電路板140所發送的控制訊號會依序通過軟性電路板150、連接線路725、導電填充物124以及控制線路112傳送至顯示單元111。
於另一些實施方式中，顯示裝置700可取而代之地採用第4圖所示的手段，於背光模組130上設置導通孔來協助控制電路板140連接至基板720的第一導通孔123。
應當理解的是，若上述將導通孔設置於顯示單元之間的手段被應用於第5圖所示之自體發光顯示裝置500，進行控制電路板540的連接時，可直接利用軟性電路板550連接基板的第一導通孔底端，基板底面上連接線路的設置非必要。
綜上所述，本揭示之顯示裝置製造方法先進行薄膜電晶體的沉積，接著再以低溫漿料填充的方式來填充導通孔，以避免導通孔填充物滲入薄膜電晶體的問題。
儘管本揭示已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭示，任何熟習此技藝者，於不脫離本揭示之精神及範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭示之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
300‧‧‧顯示裝置製造方法
301~305‧‧‧步驟

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置製造方法，包含：於一基板上形成一薄膜電晶體陣列，其中該基板具有一第一導通孔連通該基板的相反兩側；以及於形成該薄膜電晶體陣列後，於該第一導通孔內填充一導電填充物以電性連接該薄膜電晶體陣列，其中於該第一導通孔內填充該導電填充物是在一預設溫度進行，該預設溫度低於該薄膜電晶體陣列的沉積過程的溫度。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置製造方法，其中該導電填充物的材料包含金屬漿料以及奈米碳管中的至少其一。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置製造方法，進一步包含：將一控制電路板耦接至該第一導通孔。
  4. 如請求項1所述之顯示裝置製造方法，其中該基板具有一顯示區域以及一邊緣區域，該邊緣區域環繞該顯示區域，該第一導通孔位於該邊緣區域內。
  5. 如請求項1所述之顯示裝置製造方法，其中該薄膜電晶體陣列包含多個顯示單元，該第一導通孔位於該些顯示單元其中兩相鄰者之間。
  6. 如請求項5所述之顯示裝置製造方法，進一步包含：於該基板遠離該薄膜電晶體陣列之一表面上形成一連接線路，該連接線路連接該第一導通孔，其中該基板遠離該薄膜電晶體陣列之該表面上具有對應至該些顯示單元間區域的一佈線區域，該連接線路部分位於該佈線區域內。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置製造方法，進一步包含：將一控制電路板耦接至該連接線路。
  8. 如請求項1所述之顯示裝置製造方法，進一步包含：於一背光模組上形成一第二導通孔，該第二島通孔連通該背光模組的相反兩側；於該第二導通孔內填充另一導電填充物；以及將該第一導通孔耦接至該第二導通孔面向該基板的一端。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置製造方法，進一步包含：將一控制電路板耦接至該第二導通孔的另一端。
TW107146233A 2018-12-20 2018-12-20 顯示裝置製造方法 TWI730277B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107146233A TWI730277B (zh) 2018-12-20 2018-12-20 顯示裝置製造方法
US16/713,076 US11302574B2 (en) 2018-12-20 2019-12-13 Method of manufacturing a display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107146233A TWI730277B (zh) 2018-12-20 2018-12-20 顯示裝置製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202025111A TW202025111A (zh) 2020-07-01
TWI730277B true TWI730277B (zh) 2021-06-11

Family

ID=71098837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107146233A TWI730277B (zh) 2018-12-20 2018-12-20 顯示裝置製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11302574B2 (zh)
TW (1) TWI730277B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI291313B (en) * 2003-12-09 2007-12-11 Samsung Techwin Co Ltd Flexible printed circuit board
TWM466355U (zh) * 2013-04-22 2013-11-21 Azotek Co Ltd 可撓性基板
TW201741835A (zh) * 2016-02-26 2017-12-01 鴻海精密工業股份有限公司 觸控顯示裝置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7153016B2 (en) * 2003-04-24 2006-12-26 Waltop International Corp. Package for the display module with the electromagnetic module
US8288778B2 (en) * 2007-08-07 2012-10-16 Panasonic Corporation Semiconductor device having semiconductor elements formed inside a resin film substrate
CN102318073A (zh) * 2009-03-31 2012-01-11 松下电器产业株式会社 挠性半导体装置及其制造方法
DE102012020475B4 (de) * 2011-10-27 2016-04-07 Lg Display Co., Ltd. Organische elektrolumineszenz-anzeigevorrichtungen
US9214507B2 (en) * 2012-08-17 2015-12-15 Apple Inc. Narrow border organic light-emitting diode display
KR102180037B1 (ko) * 2013-11-06 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106773415A (zh) 2017-01-16 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
US10340387B2 (en) * 2017-09-20 2019-07-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Low temperature poly-silicon thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate
CN108155220B (zh) 2018-01-29 2019-08-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置的制造方法
CN108493198B (zh) * 2018-04-11 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置
KR102546769B1 (ko) * 2018-06-08 2023-06-22 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 표시 장치
WO2020211087A1 (zh) * 2019-04-19 2020-10-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制备方法及显示装置
CN110600482B (zh) * 2019-08-09 2022-02-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
US11081473B2 (en) * 2019-08-23 2021-08-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI291313B (en) * 2003-12-09 2007-12-11 Samsung Techwin Co Ltd Flexible printed circuit board
TWM466355U (zh) * 2013-04-22 2013-11-21 Azotek Co Ltd 可撓性基板
TW201741835A (zh) * 2016-02-26 2017-12-01 鴻海精密工業股份有限公司 觸控顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200203223A1 (en) 2020-06-25
TW202025111A (zh) 2020-07-01
US11302574B2 (en) 2022-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102567001B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN105182646B (zh) 阵列基板、显示装置
US10897019B2 (en) Display device
US10976848B2 (en) Display apparatus with touch sensor
WO2018126759A1 (zh) 像素结构及显示面板
WO2020259030A1 (zh) 显示面板及其制造方法和显示装置
CN104835416A (zh) 显示装置
US10976870B2 (en) Display device with inorganic film and method of fabricating the same
KR20150095988A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11176898B2 (en) Display panel and electronic apparatus
KR20070005965A (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치
CN110737351A (zh) 触摸显示面板和触摸显示设备
CN104835420A (zh) 显示装置及其制造方法
US11694953B2 (en) Circuit board and method for manufacturing the same
US20220005910A1 (en) Flexible display panel and fabricating method thereof
JP5431993B2 (ja) 表示装置
WO2021051641A1 (zh) 显示面板及显示装置
WO2020224168A1 (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
US20210033900A1 (en) Modular flat panel display
TWI730277B (zh) 顯示裝置製造方法
WO2023201816A1 (zh) 显示面板和显示装置
TWI744678B (zh) 電子裝置及其製作方法
CN110649045B (zh) 有机发光显示面板及显示装置
WO2020098021A1 (zh) 一种扇出线结构及显示装置
US20210167120A1 (en) Display device structure