TWI730216B - 疏水膜 - Google Patents
疏水膜 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI730216B TWI730216B TW107101594A TW107101594A TWI730216B TW I730216 B TWI730216 B TW I730216B TW 107101594 A TW107101594 A TW 107101594A TW 107101594 A TW107101594 A TW 107101594A TW I730216 B TWI730216 B TW I730216B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- hydrophobic
- layer
- electrode
- flexible substrate
- Prior art date
Links
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 title claims abstract description 163
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 222
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 152
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 152
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 148
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 21
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 17
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229920006302 stretch film Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005328 architectural glass Substances 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
- B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
- B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
- B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
- B32B9/007—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile comprising carbon, e.g. graphite, composite carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/04—Coating
- C08J7/06—Coating with compositions not containing macromolecular substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
- C08J7/12—Chemical modification
- C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/26—Polymeric coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/28—Multiple coating on one surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/107—Ceramic
- B32B2264/108—Carbon, e.g. graphite particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2305/00—Condition, form or state of the layers or laminate
- B32B2305/34—Inserts
- B32B2305/345—Heating elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/202—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
- B32B2307/302—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/51—Elastic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/73—Hydrophobic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/748—Releasability
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
- B32B2311/16—Tin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2313/00—Elements other than metals
- B32B2313/04—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2333/00—Polymers of unsaturated acids or derivatives thereof
- B32B2333/04—Polymers of esters
- B32B2333/12—Polymers of methacrylic acid esters, e.g. PMMA, i.e. polymethylmethacrylate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2367/00—Polyesters, e.g. PET, i.e. polyethylene terephthalate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2379/00—Other polymers having nitrogen, with or without oxygen or carbon only, in the main chain
- B32B2379/08—Polyimides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2383/00—Polysiloxanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2419/00—Buildings or parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/14—Semiconductor wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2367/00—Characterised by the use of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Derivatives of such polymers
- C08J2367/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K2201/00—Specific properties of additives
- C08K2201/001—Conductive additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
- C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本發明涉及一種疏水膜，包括一柔性襯底；一疏水層，所述疏水層包
括一基底以及設置於該基底表面上的圖案化的凸起，所述疏水層設置於所述柔性襯底的表面。
Description
本發明涉及一種疏水結構，尤其涉及一種疏水膜。
疏水結構在現實生活中有重要的應用，如窗戶、鏡子等。現有的疏水窗戶是在玻璃上直接蝕刻形成疏水槽達到疏水的目的。當所述疏水窗戶的疏水性能減弱或所述疏水槽損壞時，往往需要更換玻璃，但是更換玻璃比較費時費力以及增加成本。
有鑒於此，確有必要提供一種能夠更換的疏水膜。
一種疏水膜，包括一柔性襯底；一疏水層，所述疏水層包括一基底以及設置於該基底表面上的圖案化的凸起，所述疏水層設置於所述柔性襯底的表面。
相較於先前技術，本發明所提供的疏水膜具有以下優點，第一，採用柔性襯底製備得到的疏水膜具有一定的柔韌性，可設置於曲面上並與曲面貼合。第二，所製備的疏水層表面的奈米結構的圖案化的凸起可以提高疏水膜的疏水性能。第三，所述柔性襯底遠離疏水層的表面設置一粘結劑層和一保護層，便於儲存和使用。第四，所述疏水膜還可以進行通電加熱實現加熱除冰/霜/霧/雨。
13:粘結劑層
130:保護層
14，24，34，44:疏水膜
15，45:柔性襯底
16:疏水預製層
160:表面
17:疏水層
170:基底
172:圖案化的凸起
176:孔洞
110:奈米碳管結構
111:純奈米碳管結構
112:奈米碳管複合結構
114:預製層
116:微孔
240:加熱層
18:第一電極
19:第二電極
圖1為本發明第一實施例提供的疏水膜的結構示意圖。
圖2為本發明第一實施例提供的疏水膜沿II-II方向的剖視圖。
圖3為本發明第一實施例提供的疏水膜的表面設置粘結劑層的結構示意圖。
圖4為本發明第一實施例提供的疏水膜的製備方法流程圖。
圖5為圖4的奈米碳管複合結構的沿線V-V的截面圖。
圖6為本發明第一實施例採用的奈米碳管拉膜的掃描電鏡照片。
圖7為本發明第一實施例採用的非扭轉的奈米碳管線的掃描電鏡照片。
圖8為本發明第一實施例採用的扭轉的奈米碳管線的掃描電鏡照片。
圖9為本發明第一實施例提供的奈米碳管複合結構的掃描電鏡照片。
圖10為本發明第一實施例提供的奈米碳管複合結構的包覆三氧化二鋁層的單根奈米碳管的掃描電鏡照片。
圖11為本發明第一實施例提供的疏水膜的掃描電鏡照片。
圖12為本發明第一實施例提供的疏水膜的性能測試圖。
圖13為本發明第二實施例提供的疏水膜的結構示意圖。
圖14為本發明第三實施例提供的疏水膜的結構示意圖。
圖15為本發明第四實施例提供的疏水膜的結構示意圖。
下面將結合具體實施例及附圖對本發明作進一步的詳細說明。
參見圖1和圖2，本發明提供一種疏水膜14，該疏水膜14包括一柔性襯底15和一疏水層17，所述疏水層17設置於所述柔性襯底15的表面，所述疏水層17包括一基底170以及設置於該基底170表面上的圖案化的凸起172。
參見圖1(A)和圖2(A)，所述圖案化的凸起172可以包括複數個凸條，所述複數個凸條交叉設置形成網狀結構，所述複數個凸條的交叉處為一體結構，從而定義複數個孔洞176。參見圖1(B)和圖2(B)，所述圖案化的凸起172也可以包括複數個凸塊，所述複數個凸塊間隔設置呈二維陣列，從而定義複數個凹槽177。本實施例以圖1(A)和圖2(A)為例進行說明。
請一併參見圖3，所述疏水膜14可以藉由透明的粘結劑層13設置於需要疏水的物體的表面(圖未示)。是以所述疏水膜14可以隨時更換，當所述疏水膜14受到損壞時，可以僅更換疏水膜14而不需要更換整個物體，進而可以節約成本。
所述柔性襯底15為一柔性透明薄膜，該柔性襯底15可以賦予所述疏水膜14一定的柔韌性，進而可以將所述疏水膜14貼合於曲面上。具體地，該柔性襯底15的材料可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醯亞胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基矽氧烷(PDMS)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。本實施例中，所述柔性襯底15的材料為聚對苯二甲酸乙二醇酯。所述柔性襯底15的形狀、大小及厚度不限，可根據需要選擇。本實施例中，所述柔性襯底15的形狀為一矩形，厚度為600奈米-8毫米，優選地，所述厚度為800奈米-800微米，更優選地，所述厚度為60微米-300微米。
所述疏水層17包括一基底170及設置於該基底170上的圖案化的凸起172，且所述圖案化的凸起172設置於所述基底170遠離柔性襯底15的表面上。所述圖案化的凸起172可包括複數個凸條交叉設置形成網狀結構，從而定義複數個孔洞176。所述複數個凸條的交叉處為一體結構。所述圖案化的凸起
172也可包括複數個凸塊呈陣列式排布，該複數個凸塊間的凹槽交叉呈網狀分佈。
所述基底170的形狀不限，只需具有兩個相對設置的表面即可。所述基底170的大小不限，厚度為70奈米-280奈米。優選地，該基底170的厚度為120奈米-180奈米。當所述基底170的厚度太薄，如小於50奈米，會增加製作工藝的難度，而且降低疏水膜14的機械強度，影響疏水膜14的使用壽命；當所述基底170的厚度太厚，如大於300奈米，會使得所述疏水膜14整體柔韌度降低。所述基底170與所述圖案化的凸起172可以是材料相同的一體結構，也可以是材料不同的多層結構。所述基底170與所述圖案化的凸起172的材料可為二氧化矽、氮化矽等絕緣材料，或氮化鎵、砷化鎵等半導體材料。本實施例中，所述基底170與所述圖案化的凸起172是由二氧化矽形成的一體結構。所述圖案化的凸起172設置於所述基底170遠離柔性襯底15的表面上。
本發明所述圖案化的凸起172包括複數個凸條，定義一部分沿著第一方向延伸的凸條為第一凸條，另一部分沿著第二方向延伸的凸條為第二凸條。所述第一方向和第二方向的夾角大於0度小於等於90度，優選地，大於等於30度。所述複數個第一凸條基本平行，且所述複數個第二凸條基本平行。本發明的凸條基本平行的特徵是由於其製備方法中採用的奈米碳管掩模中奈米碳管的延伸方向基本平行的特徵決定的。每個凸條的長度不限，每個凸條的寬度為25奈米-600奈米，優選地，每個凸條的寬度為30奈米-135奈米；高度為75奈米-800奈米，優選地，為80奈米-400奈米；平行且相鄰的凸條之間的間距為15奈米-800奈米，優選地，所述間距為30奈米-350奈米。是以，所述孔洞176的開口尺寸為15奈米-800奈米，優選地，所述開口尺寸為30奈米-350奈米。更優選地，每個凸條的寬度為50奈米-80奈米，高度為220奈米-300奈米，間距為45奈米-60奈米。本實施例中，所述複數個第一凸條垂直於複數個第二凸
條。所述凸條從所述基底170的一邊延伸至另一邊。所述凸條的高度為250奈米。所述圖1(A)所示的圖案化的凸起172與圖1(B)所示的圖案化的凸起172的結構互補。
請一併參閱圖4和圖5，本發明第一實施例提供一種製備前述疏水膜14的方法，其包括以下步驟：步驟S11，在一柔性襯底15上設置一疏水預製層16；步驟S12，提供一具有複數個微孔116的奈米碳管結構110，該奈米碳管結構110包括複數個交叉設置的奈米碳管；步驟S13，將所述奈米碳管結構110設置於所述疏水預製層16的一表面160上，從而使所述疏水預製層16的表面160部分暴露；步驟S14，以該奈米碳管結構110為掩模幹法蝕刻所述疏水預製層16，從而得到一具有圖案化的凸起172的疏水層17，且該圖案化的凸起172包括複數個交叉設置的凸條；步驟S15，去除所述奈米碳管結構110。
在步驟S11中，所述疏水預製層16的材料可為二氧化矽、氮化矽等絕緣材料，或矽、氮化鎵、砷化鎵等半導體材料。所述疏水預製層16直接設置於所述柔性襯底15的表面上。本實施例中，所述疏水預製層16藉由等離子化學氣相沉積法形成於所述柔性襯底15的表面。可以理解，在所述柔性襯底15上形成該疏水預製層16的方法不限於此，任何可將該疏水預製層16設置於所述柔性襯底15的方法都可以。
在步驟S12中，所述奈米碳管結構110包括複數個有序排列的奈米碳管，從而形成複數個開口，該複數個開口從所述奈米碳管結構110的厚度方向貫穿所述奈米碳管結構110。所述開口可以為微孔或間隙。所述尺寸是指所述微孔的孔徑或所述間隙的寬度方向的間距。所述開口的尺寸為2奈米-500微
米、或20奈米-60微米、或80奈米-5微米、或200奈米-1.5微米。所述奈米碳管結構110可以為純奈米碳管結構111或奈米碳管複合結構112。所述純奈米碳管結構111指奈米碳管結構110中僅包括複數個奈米碳管，不包括其它成分。所述奈米碳管複合結構112包括一純奈米碳管結構111以及一包覆於該純奈米碳管結構111表面的預製層114。所述預製層114包覆於該複數個奈米碳管的表面。優選地，所述預製層114包覆於每個奈米碳管的整個表面。所述奈米碳管包括單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或多種。所述奈米碳管平行於所述純奈米碳管結構111的表面。所述單壁奈米碳管的直徑為0.5奈米-10奈米，雙壁奈米碳管的直徑為1.0奈米-15奈米，多壁奈米碳管的直徑為1.5奈米-500奈米。所述奈米碳管的長度大於50微米。優選地，該奈米碳管的長度為200微米-900微米。
所述純奈米碳管結構111包括複數個有序排列且交叉設置的奈米碳管從而形成複數個微孔，所述預製層114包覆於該複數個奈米碳管的表面。優選地，所述預製層114包覆於每個奈米碳管的整個表面。所述複數個奈米碳管藉由凡得瓦力緊密連接從而使該純奈米碳管結構111及奈米碳管複合結構112形成一自支撐結構。所謂自支撐結構是指該結構可以無需一支撐體而保持一特定的膜狀結構。因而，所述奈米碳管複合結構112具有自支撐性而可部分懸空設置。
所述純奈米碳管結構111包括至少一奈米碳管膜、至少一奈米碳管線或其組合。所述奈米碳管膜包括複數個均勻分佈的奈米碳管。該奈米碳管膜中的複數個奈米碳管沿一個方向延伸，該複數個奈米碳管組成複數個奈米碳管束，所述奈米碳管的延伸方向平行於所述奈米碳管膜的表面。具體地，該奈米碳管膜可包括一奈米碳管拉膜。該奈米碳管線可以為一非扭轉的奈米碳管線或扭轉的奈米碳管線。當所述純奈米碳管結構111包括複數個奈米碳管線時，
該複數個奈米碳管線相互平行間隔且呈一定角度交叉排列而形成一層狀的奈米碳管結構。該層狀的奈米碳管結構包括複數個微孔，該微孔為一貫穿該層狀的奈米碳管結構的厚度方向的通孔。該微孔的尺寸為1奈米-0.5微米。
請參閱圖6，具體地，該奈米碳管拉膜包括複數個連續且定向排列的奈米碳管束。該複數個奈米碳管束藉由凡得瓦力首尾相連。每一奈米碳管束包括複數個相互平行的奈米碳管，該複數個相互平行的奈米碳管藉由凡得瓦力緊密結合。該奈米碳管束的直徑為10奈米-200奈米，優選的，10奈米-100奈米。該奈米碳管拉膜中的奈米碳管沿同一方向擇優取向排列。所述奈米碳管拉膜包括複數個微孔。該微孔為一貫穿該層狀的奈米碳管結構的厚度方向的通孔。該微孔可為孔隙和/或間隙。當所述純奈米碳管結構111僅包括單層奈米碳管拉膜時，該奈米碳管拉膜中相鄰的奈米碳管片段之間具有間隙，其中，該間隙的尺寸為1奈米-0.5微米。可以理解，在由多層奈米碳管拉膜組成的純奈米碳管結構111中，相鄰兩個奈米碳管拉膜中的奈米碳管的排列方向有一夾角α，且0°<α≦90°，從而使相鄰兩層奈米碳管拉膜中的奈米碳管相互交叉組成一網狀結構，該網狀結構包括複數個孔隙，該複數個孔隙均勻且規則分佈於純奈米碳管結構111中，其中，該孔隙直徑為1奈米-0.5微米。所述奈米碳管拉膜的厚度為0.01微米-100微米。所述奈米碳管拉膜可以藉由拉取一奈米碳管陣列直接獲得。所述奈米碳管拉膜的結構及其製備方法請參見范守善等人於2007年2月12日申請的，於2010年7月11日公告的第I327177號台灣公告專利“奈米碳管薄膜結構及其製備方法”，申請人：鴻海精密工業股份有限公司。為節省篇幅，僅引用於此，但前述申請所有技術揭露也應視為本發明申請技術揭露的一部份。
請參閱圖7，該非扭轉的奈米碳管線包括複數個沿該非扭轉的奈米碳管線長度方向排列的奈米碳管。具體地，該非扭轉的奈米碳管線包括複數個奈米碳管片段，該複數個奈米碳管片段藉由凡得瓦力首尾相連，每一奈米碳管
片段包括複數個相互平行並藉由凡得瓦力緊密結合的奈米碳管。該奈米碳管片段具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該非扭轉的奈米碳管線長度不限，直徑為0.5奈米-100微米。該非扭轉的奈米碳管線為將奈米碳管拉膜藉由有機溶劑處理得到。具體地，將有機溶劑浸潤所述奈米碳管拉膜的整個表面，在揮發性有機溶劑揮發時產生的表面張力的作用下，奈米碳管拉膜中的相互平行的複數個奈米碳管藉由凡得瓦力緊密結合，從而使奈米碳管拉膜收縮為一非扭轉的奈米碳管線。該有機溶劑為揮發性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷或氯仿，本實施例中採用乙醇。藉由有機溶劑處理的非扭轉的奈米碳管線與未經有機溶劑處理的奈米碳管膜相比，比表面積減小，粘性降低。
所述扭轉的奈米碳管線為採用一機械力將所述奈米碳管拉膜兩端沿相反方向扭轉獲得。請參閱圖8，該扭轉的奈米碳管線包括複數個繞該扭轉的奈米碳管線軸向螺旋排列的奈米碳管。具體地，該扭轉的奈米碳管線包括複數個奈米碳管片段，該複數個奈米碳管片段藉由凡得瓦力首尾相連，每一奈米碳管片段包括複數個相互平行並藉由凡得瓦力緊密結合的奈米碳管。該奈米碳管片段具有任意的長度、厚度、均勻性及形狀。該扭轉的奈米碳管線長度不限，直徑為0.5奈米-100微米。進一步地，可採用一揮發性有機溶劑處理該扭轉的奈米碳管線。在揮發性有機溶劑揮發時產生的表面張力的作用下，處理後的扭轉的奈米碳管線中相鄰的奈米碳管藉由凡得瓦力緊密結合，使扭轉的奈米碳管線的比表面積減小，密度及強度增大。
所述奈米碳管線狀結構及其製備方法請參見范守善等人於2002年11月5日申請的，於2008年11月21日公告的第I303239號台灣公告專利“一種奈米碳管繩及其製造方法”，申請人：鴻海精密工業股份有限公司，以及於2005年12月16日申請的，於2009年7月21日公告的第I312337號台灣公告專利申請“奈米碳管絲及其製作方法”，申請人：鴻海精密工業股份有限公司。
為節省篇幅，僅引用於此，但前述申請所有技術揭露也應視為本發明申請技術揭露的一部份。
本實施例中用奈米碳管複合結構112作掩模，其中所述純奈米碳管結構111為兩層垂直交叉設置的奈米碳管拉膜，所述奈米碳管拉膜直接從生長好的奈米碳管陣列拉取得到，該純奈米碳管結構111中的複數個奈米碳管藉由凡得瓦力首尾相連且沿同一方向排列。
所述預製層114的材料可為金、鎳、鈦、鐵、鋁、鉻等金屬、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化鉿等金屬氧化物、或者金屬硫化物等中的至少一種。可以理解，所述預製層114的材料不限於前述列舉材料，還可以為二氧化矽等非金屬氧化物、碳化矽等非金屬碳化物或氮化矽等非金屬氮化物等，只要可以物理性的沉積於所述純奈米碳管結構111的表面，且在後續的蝕刻所述疏水預製層16過程中不被蝕刻即可。所述物理性的沉積是指所述預製層114不與所述純奈米碳管結構111發生化學反應，而是藉由凡得瓦力與所述純奈米碳管結構111緊密結合，並附於所述純奈米碳管結構111中奈米碳管的表面。所述預製層114的厚度不限，可為5奈米~150奈米。為了得到奈米級尺寸的奈米線陣列，以及避免所述純奈米碳管結構111中的微孔過多的被所述預製層114覆蓋，所述預製層114的厚度優選為8奈米~45奈米。所述奈米碳管複合結構112的微孔116孔徑小於所述純奈米碳管結構111中的微孔孔徑。
所述奈米碳管複合結構112可以藉由以下方法製備：首先，將所述純奈米碳管結構111至少部分懸空設置；然後，在所述純奈米碳管結構111表面沉積預製層114。
所述純奈米碳管結構111具有相對的兩個表面，所述純奈米碳管結構111可藉由一框架固定，位於框架內部的部分懸空設置，從而使得純奈米碳管結構111充分暴露，以利於後續的在純奈米碳管結構111相對的兩個表面同
時形成所述預製層114。所述框架為一中空的結構，具有一通孔。所述純奈米碳管結構111的邊緣可固定於所述框架中，位元於中間的部分藉由所述通孔暴露出來且懸空設置。藉由所述框架，使得所述純奈米碳管結構111的邊緣能夠牢固的固定，並保持位於通孔位置處的純奈米碳管結構111充分暴露。本實施例中，所述框架為一“口”字形的邊框，所述純奈米碳管結構111的邊緣藉由所述邊框固定。可以理解，所述純奈米碳管結構111懸空設置的方式也可以為其他手段，比如金屬網柵、具有中空結構的環狀體等，只要實現使該純奈米碳管結構111懸空即可。可藉由電子束蒸鍍法將所述預製層114沉積於所述純奈米碳管結構111的表面。可以理解，所述沉積的方法不限於前述列舉的方法，還可以為磁控濺射法、原子層沉積法等氣相沉積法，只要保證所述預製層114在沉積的過程中不破壞所述純奈米碳管結構111的形態和結構即可。
由於所述純奈米碳管結構111懸空設置，因而所述純奈米碳管結構111的兩個表面均被所述預製層114覆蓋。具體的，該預製層114包覆所述純奈米碳管結構111中複數個奈米碳管的至少部分表面。所述純奈米碳管結構111包括複數個微孔結構，可以理解，所述微孔結構中也可分佈有所述預製層114。所述純奈米碳管結構111中的奈米碳管與所述預製層114緊密結合，形成一整體的奈米碳管複合結構112。其中，所述純奈米碳管結構111對所述預製層114起到支撐作用。所述奈米碳管複合結構112包括複數個微孔116。所述微孔116為貫穿所述奈米碳管複合結構112的厚度方向的凹陷空間，該凹陷空間可為間隙或者微孔。
本實施例中，藉由電子束蒸鍍法在所述純奈米碳管結構111的表面設置預製層114得到所述奈米碳管複合結構112，所述預製層114的材料為氧化鋁，所述預製層114的厚度為5奈米。所述純奈米碳管結構111中的每個奈米碳管被所述預製層114完全包覆。參見圖9，為本實施例採用的奈米碳管複合結
構112的掃描電鏡照片。請參閱圖10，為本實施例採用的奈米碳管複合結構112中包覆氧化鋁層的單根奈米碳管的掃描電鏡照片。
在步驟S13中，所述奈米碳管複合結構112可以直接設置於所述疏水預製層16的表面160。具體的，可先將所述框架和所述奈米碳管複合結構112一起轉移至所述疏水預製層16的表面160，再移除所述框架。由於所述奈米碳管複合結構112具有複數個微孔116，因而所述疏水預製層16的表面160部分藉由該複數個微孔116暴露出來。所述奈米碳管複合結構112與所述疏水預製層16的表面160之間並非完全緊密接觸，部分的奈米碳管複合結構112與所述疏水預製層16的表面160之間可能存在空氣。
將所述奈米碳管複合結構112設置於所述疏水預製層16的表面160之後，進一步還可以包括一藉由溶劑對所述奈米碳管複合結構112進行處理，使所述奈米碳管複合結構112貼附在所述疏水預製層16的表面160的步驟。當向所述奈米碳管複合結構112的表面滴加溶劑，所述溶劑會浸潤所述奈米碳管複合結構112，軟化所述奈米碳管複合結構112，並將所述奈米碳管複合結構112與所述疏水預製層16的表面160之間的空氣排出。當所述溶劑被去除後，所述奈米碳管複合結構112與所述疏水預製層16的表面160的表面形成緊密的接觸。所述溶劑可為水、有機溶劑等。所述有機溶劑為揮發性有機溶劑，如乙醇、甲醇、丙酮、二氯乙烷及氯仿。本實施例中，所述溶劑為乙醇，藉由將所述乙醇滴加於所述奈米碳管複合結構112的表面，然後自然風乾，使得所述奈米碳管複合結構112緊密貼附於所述疏水預製層16的表面160。
在步驟S14中，所述幹法蝕刻是指通入一氣體在電場作用下得到一等離子體，該等離子體可與被蝕刻物質發生反應而得到揮發性物質，比如：反應性離子蝕刻(RIE)、電感耦合等離子體蝕刻(ICPE)。本實施例中，藉由反應性離子蝕刻法蝕刻所述被暴露的疏水預製層16的表面160。具體的，藉由向一
等離子體系統通入一氣體，所述氣體可以為氧氣、氯氣、氫氣、氯氣、氬氣、四氟化碳等。所述氣體不限於前述列舉氣體，只要該氣體可與疏水預製層16發生反應即可。優選的，採用氯氣和氬氣的反應性離子蝕刻法蝕刻所述疏水預製層16，其中，所述等離子體系統的功率是20瓦~70瓦，氯氣等離子體的通入速率為10標況毫升每分鐘(standard-state cubic centimeter per minute，sccm)，氬氣等離子體的通入速率為40sccm，形成的氣壓為2帕，蝕刻時間為10秒~400秒。藉由反應性離子蝕刻法蝕刻被暴露的疏水預製層16的部分表面，由於等離子體充分與疏水預製層16反應，故，該過程反應時間短，效率較高。
在蝕刻所述疏水預製層16的過程中，所述蝕刻氣體與被暴露的疏水預製層16的部分發生化學反應，而並不與所述奈米碳管複合結構112的預製層114發生化學反應或者與預製層114發生化學反應的速度和程度遠遠小於蝕刻氣體與疏水預製層16發生的化學反應。即，所述奈米碳管複合結構112起到掩模的作用。所述蝕刻氣體與疏水預製層16的材料以及預製層114的材料可參見下表1。
在蝕刻的過程中，由於選擇的蝕刻氣體與預製層114不發生化學反應，而是與疏水預製層16發生化學反應，因而被暴露的疏水預製層16的表面會逐漸被蝕刻，而該疏水預製層16被所述奈米碳管複合結構112覆蓋的表面不會有變化。並且，由於所述奈米碳管複合結構112與所述疏水預製層16的表面緊密結合，因而該疏水預製層16被所述奈米碳管複合結構112覆蓋的表面所形
成的圖形，與所述奈米碳管複合結構112懸空時向所述疏水預製層16的正向投影所形成的圖形一致。即最後得到的圖案化的凸起172的整體圖案與所述奈米碳管複合結構112的整體圖案基本相一致。所述疏水預製層16被蝕刻後即得到疏水層17。
本實施例中，採用多層交叉的奈米碳管拉膜，藉由改變相鄰的奈米碳管拉膜的交叉角度可以得到具有不同圖案的圖案化的凸起172。當採用正向交叉的奈米碳管拉膜作為奈米碳管結構時，得到的所述圖案化的凸起172包括複數個沿兩個垂直方向交叉排列的凸條。
所述圖案化的凸起172的凸條為類條狀或條狀結構。所述凸條的寬度為25奈米-600奈米，優選地，所述凸條寬度為30奈米-135奈米。在垂直于奈米碳管的延伸方向上相鄰的兩個寬度之間的間距為15奈米-800奈米，優選地，所述間距為30奈米-200奈米。所述圖案化的凸起172的凸條在垂直於所述疏水預製層16的表面的方向上的尺寸定義為凸條的高度。所述凸條的高度不限，可根據具體蝕刻的時間而定，可為75奈米-800奈米，優選地，為80奈米-400奈米。所述複數個凸條相互垂直交叉分佈呈一網狀結構。本實施例中，所述凸條的寬度為30奈米-80奈米，間距為40奈米-80奈米，高度為120奈米-300奈米。
參見圖11，由於所述奈米碳管複合結構112中的奈米碳管包覆預製層114之後複合結構的直徑、間距均在奈米級範圍，是以，製備得到的圖案化的凸起172的凸條寬度和間距也在奈米級範圍。是以，所述疏水層17表面的圖案化的凸起172和複數個孔洞176均為奈米結構。所述疏水層17表面上相鄰凸條的間距和相鄰孔洞176的間距均為幾十奈米，是以，大大提高了所述疏水層17表面的奈米結構的密度，從而提高了疏水性能。例如，當相鄰凸條的間距和相鄰孔洞176的間距均為25奈米，在1微米的寬度範圍內，所述凸條和孔洞
176的數量均為40。而現有技術中，微結構的製備通常採用光刻技術，由於受到解析度限制，凸起和孔洞的奈米結構尺度難以全部控制在幾十奈米範圍內。請一併參見圖12，其中W和D分別代表靜態接觸角和動態滾動角。
在步驟S15中，去除奈米碳管複合結構112的方法不限，可為超聲法、撕除法、氧化法等。本實施例中，採用超聲法去除所述奈米碳管複合結構112。具體地，將帶有所述奈米碳管複合結構112的疏水層17置於一N-甲基吡咯烷酮的溶液中超聲數分鐘，由於N-甲基吡咯烷酮的極性較大，因而可容易將所述奈米碳管複合結構112與疏水層17分離。
本發明提供的疏水膜14的製備方法具有以下優點：採用柔性襯底15製備得到的疏水膜14具有一定的柔韌性，可設置於曲面上並與曲面貼合；所製備的疏水層17中奈米結構的網路凸條可以提高疏水膜14的疏水性能。而且，採用奈米碳管結構作為骨架，奈米碳管結構具有複數個微孔，因而得到的掩模層也相應的具有複數個微孔，該方法可輕易的實現圖案化的掩模層。該製備方法簡單、效率高，且易於產業化。
參見圖13，本發明第二實施例提供一種疏水膜24，所述疏水膜24包括一柔性襯底15；一疏水層17，所述疏水層17包括一基底170以及設置於該基底170表面上的圖案化的凸起172，所述圖案化的凸起172包括複數個凸條，所述複數個凸條交叉設置形成網路結構，從而定義複數個孔洞176；一粘結劑層13，所述粘結劑層13設置於所述柔性襯底15遠離該疏水層17的表面；一保護層130，所述保護層130設置於所述粘結劑層13遠離所述柔性襯底15的表面。
本發明第二實施例提供的疏水膜24與本發明第一實施例提供的疏水膜14基本相同，其區別在於，本發明第二實施例提供的疏水膜24進一步包括一粘結劑層13以及一保護層130。如是在使用時可以直接去除保護層130直接
在需要疏水的物體的表面貼膜，避免在使用時臨時在需要疏水的物體的表面設置粘結劑層13，便於儲存和使用。
參見圖14，本發明第三實施例提供一種疏水膜34，所述疏水膜34包括一柔性襯底15；一疏水層17，所述疏水層17包括一基底170以及設置於該基底170表面上的圖案化的凸起172，所述圖案化的凸起172包括複數個凸條，所述複數個凸條交叉設置形成網路結構，從而定義複數個孔洞176；一加熱層240，所述加熱層240設置於所述柔性襯底15遠離該疏水層17的表面；一第一電極18和一第二電極19，所述第一電極18及第二電極19間隔設置並與所述加熱層240電連接；一粘結劑層13，所述粘結劑層13設置於所述柔性襯底15遠離該疏水層17的表面；一保護層130，所述保護層130設置於所述粘結劑層13遠離所述柔性襯底15的表面。
本發明第三實施例提供的疏水膜34與本發明第二實施例提供的疏水膜24基本相同，其區別在於，本發明第三實施例提供的疏水膜34進一步包括一第一電極18及一第二電極19和一加熱層240，該第一電極18及第二電極19間隔設置並與所述加熱層240電連接。所述柔性襯底15和所述疏水層17具有良好的導熱性能。所述加熱層240可以為透明導電層，如氧化銦錫(ITO)、奈米碳管層，本發明實施例中，所述加熱層240為奈米碳管層。
所述第一電極18和第二電極19由透明導電材料組成，該第一電極18和第二電極19為長條形，該第一電極18和第二電極19的厚度為0.5奈米~100微米。該第一電極18和第二電極19的材料可以為金屬、合金、銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)、導電銀膠、導電聚合物或導電性奈米碳管等。該金屬或合金材料可以為鋁、銅、鎢、鉬、金、鈦、釹、鈀、銫或其任意組合的合金。本實施例中，所述第一電極18和第二電極19的材料為銦錫氧化物，第一電極18及第二電極19為透明電極。
由於奈米碳管層本身有很好的粘附性，故第一電極18和第二電極19可以直接與所述奈米碳管層粘附在一起。當然，所述第一電極18和第二電極19也可藉由一導電粘結劑(圖未示)設置於該奈米碳管層的表面上，導電粘結劑在實現第一電極18和第二電極19與所述奈米碳管層電接觸的同時，還可以將所述第一電極18和第二電極19更好地固定于奈米碳管層的表面上。可以理解，第一電極18和第二電極19的結構和材料均不限，其設置目的是為了使所述奈米碳管層中流過電流。是以，所述第一電極18和第二電極19只需要導電，並與所述奈米碳管層之間形成良好的電接觸都在本發明的保護範圍內。
使用時，將第一電極18和第二電極19連接到電源，藉由給所述第一電極18和第二電極19通電，那麼在第一電極18和第二電極19之間形成相同的電勢差，由於所述奈米碳管層與所述第一電極18和第二電極19電連接，該奈米碳管層被加熱，該熱量可以快速傳遞至疏水層17，從而升溫將形成于疏水膜24表面的水除去。由於奈米碳管具有良好的導電性能，熱穩定性以及較高的電熱轉換效率，從而本第三實施例中的疏水膜34也具有較高的電熱轉換效率。
所述疏水膜34也可以應用於汽車玻璃，由於下雨時，即使汽車玻璃具有疏水功能，但是水珠滾落的速度有限，雨點是連續落在玻璃上，靠自然滾落仍會阻擋視線。使用帶加熱功能的疏水玻璃可以起到雙重作用，一方面可以避免水在玻璃上連成一片，另一方面將來不及滾落的水珠藉由加熱的功能蒸發掉。
本發明第三實施例提供的疏水膜34具有以下優點：第一，所述疏水膜34包括一加熱層240，藉由給該加熱層240通電的方式實現加熱除冰/霜/霧/雨。第二，由於奈米碳管層具有良好的導電性能以及熱穩定性，具有比較高的電熱轉換效率，從而所述疏水膜24也具有較高的電熱轉換效率。第三，奈米碳管層為透明膜，不影響視覺效果，當使用透明導電膜作為第一電極18及第二
電極19的時候，整體上是一個全透明的結構，可以應用於汽車的各個車窗，並不局限於汽車後窗。
此外，所述奈米碳管層可以防止玻璃爆碎，傷及他人；該奈米碳管層還可以擋光，提供一個隱秘的空間；而且該奈米碳管層還能吸收紅外線，防止紅外線照射到屋內，起到隔熱的作用，給屋內的人提供一個舒適的環境。
參見圖15，本發明第四實施例提供一種疏水膜44，所述疏水膜44包括一柔性襯底45、一疏水層17、一第一電極18和一第二電極19。所述疏水層17包括一基底170以及設置於該基底170表面上的圖案化的凸起172；所述圖案化的凸起172包括複數個凸條，所述複數個凸條交叉設置形成網路結構，從而定義複數個孔洞176。該柔性襯底45具有導電導熱性能；所述第一電極18及第二電極19間隔設置並與所述柔性襯底45電連接；一粘結劑層13，所述粘結劑層13設置於所述柔性襯底15遠離該疏水層17的表面；一保護層130，所述保護層130設置於所述粘結劑層13遠離所述柔性襯底15的表面。
本發明第四實施例所提供的疏水膜44與本發明第二實施例提供的疏水膜24結構基本相同，其區別在於，本發明第四實施例提供的疏水膜44中，所述柔性襯底45具有導電導熱性能。所述柔性襯底45包括一高分子基體以及分散到該高分子基體中的奈米碳管結構，所述奈米碳管結構包括複數個沿同一方向擇優取向排列或沿不同方向擇優取向排列的奈米碳管。由於高分子基體可以消除奈米碳管結構中的奈米碳管之間的短路現象，使奈米碳管結構的電阻呈較好的線性關係。
可以理解，本發明實施例提供的疏水膜並不僅限於在汽車玻璃內應用，還可以應用於建築玻璃，以及其他需要疏水功能的領域。
本發明實施例的疏水膜具有以下優點：第一，採用柔性襯底製備得到的疏水膜具有一定的柔韌性，可設置於曲面上並與曲面貼合。第二，所製
備的疏水層表面的奈米結構的圖案化的凸起可以提高疏水膜的疏水性能。第三，所述疏水膜還可以進行通電加熱實現加熱除冰/霜/霧/雨。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
14:疏水膜
15:柔性襯底
17:疏水層
170:基底
172:圖案化的凸起
176:孔洞
177:凹槽
Claims (10)
- 一種疏水膜，包括：一柔性襯底；以及一疏水層，所述疏水層設置於所述柔性襯底的表面，所述疏水層包括一基底以及設置於該基底表面上的圖案化的凸起，所述基底與所述圖案化的凸起具有相同的材料，所述疏水層的材料為二氧化矽、氮化矽、氮化鎵或砷化鎵。
- 如請求項1所述的疏水膜，其中，所述圖案化的凸起包括複數個凸條，所述複數個凸條交叉設置形成網狀之網路結構，從而定義複數個孔洞。
- 如請求項2所述的疏水膜，其中，所述複數個凸條包括複數個沿第一方向延伸的第一凸條和複數個沿第二方向延伸的第二凸條，所述第一方向和第二方向的夾角大於等於30度小於等於90度，每個凸條的寬度為25奈米-600奈米，高度為75奈米-800奈米，且相鄰的兩平行凸條之間的間距為15奈米-800奈米。
- 如請求項1所述的疏水膜，其中，所述圖案化的凸起包括複數個凸塊，所述複數個凸塊間隔設置呈二維陣列，從而定義複數個凹槽。
- 如請求項1所述的疏水膜，其中，所述基底與所述圖案化的凸起是一體結構。
- 如請求項1所述的疏水膜，其中，進一步包括一粘結劑層設置於所述柔性襯底遠離所述疏水層的表面，以及一保護層設置於所述粘結劑層遠離所述柔性襯底的表面。
- 如請求項1所述的疏水膜，其中，進一步包括一加熱層，以及一第一電極和一第二電極；所述加熱層設置於所述柔性襯底遠離該疏水層的表面，所述第一電極及第二電極間隔設置並與所述加熱層電連接。
- 如請求項7所述的疏水膜，其中，所述加熱層為氧化銦錫膜和奈米碳管層中的一種或多種。
- 如請求項1所述的疏水膜，其中，進一步包括一第一電極和一第二電極，所述柔性襯底具有導電導熱性能，所述第一電極及第二電極間隔設置並與所述柔性襯底電連接。
- 如請求項9所述的疏水膜，其中，所述柔性襯底包括一高分子基體以及分散到該高分子基體中的奈米碳管結構。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ??201711436950.9 | 2017-12-26 | ||
| CN201711436950.9 | 2017-12-26 | ||
| CN201711436950.9A CN109957131B (zh) | 2017-12-26 | 2017-12-26 | 疏水膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201927536A TW201927536A (zh) | 2019-07-16 |
| TWI730216B true TWI730216B (zh) | 2021-06-11 |
Family
ID=67022694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107101594A TWI730216B (zh) | 2017-12-26 | 2018-01-16 | 疏水膜 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20190210318A1 (zh) |
| CN (1) | CN109957131B (zh) |
| TW (1) | TWI730216B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109958380B (zh) * | 2017-12-26 | 2021-04-02 | 清华大学 | 疏水窗户以及使用该疏水窗户的房子和汽车 |
| CN110510102B (zh) * | 2019-08-16 | 2022-06-17 | 南京航空航天大学 | 一种可贴式自阻加热/超疏水一体化梯度薄膜材料 |
| CN113080683B (zh) * | 2019-12-23 | 2023-02-28 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 疏水层及应用与锅具及其制备方法和煮食设备 |
| CN115178122B (zh) * | 2022-07-21 | 2024-02-06 | 四川大学 | 一种用超浸润材料快速乳化的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105860870A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 超疏水透明薄膜及制备方法、柔性有机电致发光显示基板 |
| CN106276778A (zh) * | 2015-05-21 | 2017-01-04 | 清华大学 | 一种金属纳米线膜的制备方法以及导电元件 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1031691A (zh) * | 1988-08-09 | 1989-03-15 | 谢文焕 | 带加热膜的防水玻璃 |
| EP1730531B1 (en) * | 2004-03-24 | 2014-01-15 | Technion Research and Development Foundation, Limited | Electrode |
| EP1814713A4 (en) * | 2004-11-09 | 2017-07-26 | Board of Regents, The University of Texas System | The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns |
| US20090011222A1 (en) * | 2006-03-27 | 2009-01-08 | Georgia Tech Research Corporation | Superhydrophobic surface and method for forming same |
| CN101090586B (zh) | 2006-06-16 | 2010-05-12 | 清华大学 | 纳米柔性电热材料及包括该纳米柔性电热材料的加热装置 |
| KR20110139228A (ko) * | 2009-02-17 | 2011-12-28 | 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 | 플렉서블 마이크로구조화 초소수성 재료 |
| KR101680061B1 (ko) | 2010-02-08 | 2016-11-28 | 더블유.알. 그레이스 앤드 캄파니-콘. | 방수막 |
| TWI481545B (zh) * | 2011-01-11 | 2015-04-21 | Univ Nat Cheng Kung | 超疏水性微結構 |
| KR102132235B1 (ko) * | 2013-11-28 | 2020-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| JP6031146B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2016-11-24 | ツィンファ ユニバーシティ | ナノチューブフィルム及びその製造方法 |
| KR102287289B1 (ko) | 2014-07-08 | 2021-08-06 | 주식회사 동진쎄미켐 | 투명 전극 복합체 |
| CN106276718B (zh) | 2016-09-28 | 2018-09-11 | 荣成中磊石材有限公司 | 一种叉车的旋转货叉 |
-
2017
- 2017-12-26 CN CN201711436950.9A patent/CN109957131B/zh active Active
-
2018
- 2018-01-16 TW TW107101594A patent/TWI730216B/zh active
- 2018-12-17 US US16/221,955 patent/US20190210318A1/en not_active Abandoned
-
2021
- 2021-08-09 US US17/397,031 patent/US11904586B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106276778A (zh) * | 2015-05-21 | 2017-01-04 | 清华大学 | 一种金属纳米线膜的制备方法以及导电元件 |
| CN105860870A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 超疏水透明薄膜及制备方法、柔性有机电致发光显示基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109957131B (zh) | 2020-09-29 |
| US11904586B2 (en) | 2024-02-20 |
| US20220032574A1 (en) | 2022-02-03 |
| CN109957131A (zh) | 2019-07-02 |
| TW201927536A (zh) | 2019-07-16 |
| US20190210318A1 (en) | 2019-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI677478B (zh) | 疏水窗戶以及使用該疏水窗戶的房子和汽車 | |
| TWI593549B (zh) | 一種金屬奈米線膜的製備方法以及導電元件 | |
| TWI679273B (zh) | 疏水鏡子以及使用該疏水鏡子的汽車 | |
| TWI730216B (zh) | 疏水膜 | |
| TWI674442B (zh) | 疏水鏡子以及使用該疏水鏡子的汽車 | |
| TWI464111B (zh) | 奈米碳管膜的製備方法 | |
| TWI478865B (zh) | 奈米碳管膜 | |
| CN104681688B (zh) | 一种微结构层及发光二极管 | |
| TWI673168B (zh) | 疏水膜 | |
| TWI395708B (zh) | 奈米碳管膜的拉伸方法 | |
| TWI478866B (zh) | 奈米碳管膜 | |
| TW201600454A (zh) | 一種奈米級微結構的製備方法 | |
| TWI694002B (zh) | 疏水窗戶以及使用該疏水窗戶的房子和汽車 | |
| CN104681418A (zh) | 一种纳米级微结构的制备方法 | |
| TWI393669B (zh) | 奈米碳管複合材料及其製備方法 | |
| TWI780298B (zh) | 光催化結構及其製備方法 | |
| TWI413150B (zh) | 透射電鏡微柵及其製備方法 | |
| TWI438150B (zh) | 親水性奈米碳管複合結構 | |
| TWI557062B (zh) | 承載結構以及承載有奈米碳管膜狀結構的承載結構 | |
| TWI452007B (zh) | 奈米碳管膜承載結構及其使用方法 | |
| TWI444325B (zh) | 奈米碳管膜承載結構及其使用方法 |