TWI729737B - 晶圓交換技術 - Google Patents

晶圓交換技術 Download PDF

Info

Publication number
TWI729737B
TWI729737B TW109108954A TW109108954A TWI729737B TW I729737 B TWI729737 B TW I729737B TW 109108954 A TW109108954 A TW 109108954A TW 109108954 A TW109108954 A TW 109108954A TW I729737 B TWI729737 B TW I729737B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing chamber
blade
chamber
processing
Prior art date
Application number
TW109108954A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202030823A (zh
Inventor
道爾Ｒ 督波斯
君卡洛斯 羅莎亞凡利斯
卡希克 加納基拉曼
哈利Ｋ 波奈康提
桑傑夫 巴魯札
派瑞吉斯 威爾頓
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW202030823A publication Critical patent/TW202030823A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI729737B publication Critical patent/TWI729737B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00—Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02—Articles
    • B65G2201/0214—Articles of special size, shape or weigh
    • B65G2201/022—Flat

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明揭露一般係關於用於在處理腔室之間傳送半導體基板的半導體處理設備。更具體言之，本發明所述實施例係關於使用輸送裝置來傳送、或交換處理腔室間的半導體基板之系統與方法，該輸送裝置採用至少兩個葉片以用於在處理腔室間同時傳送基板。

Description

晶圓交換技術
本發明揭露的實施例一般係關於半導體處理設備。更具體言之，本發明揭露的實施例係關於用於晶圓傳送的系統和方法。
使用多種處理腔室而將半導體元件通常形成在半導體基板上，其中每個處理腔室用於完成各種處理（如沉積）中的一或多個以形成半導體元件，如記憶體晶片。在半導體處理中有高效的基板產量始終是個挑戰。基板傳送系統通常用於在各處理腔室之間移動基板。處理腔室以及基板傳送系統可以維持於真空。用於基板傳送系統的兩個常用佈置包括叢集佈置與線性佈置。
使用叢集佈置的基板傳送系統包括由不同處理腔室包圍的中心區域。中心區域可以連接到負載鎖定腔室，以當供給基板與將基板從基板傳送系統移除時，維持基板傳送腔室系統內的真空環境。中心區域，或傳送腔室通常亦包括繞中心軸旋轉的機械臂，以將基板移動出入負載鎖定腔室以及將基板於處理腔室之間移動。這些傳統機械臂通常限於一次只能傳送一或兩個基板，且因為機械臂旋轉之需求以及為了將機械臂延伸到處理腔室內而機械臂不干擾其所放置的中心區域腔室的壁，而可能導致中心區域的佔用面積太大。這些類型的傳統機械臂亦可能是顆粒的來源，而這是所不希望的。
使用線性佈置的基板傳送系統通常包括具有矩形頂表面的輸送器，其處理腔室位於輸送器的一側或其相對側上。輸送器可以連接到負載鎖定腔室，為了當供給基板與將基板從基板傳送系統移除時，維持基板傳送腔室系統內的真空環境。一或多個機械臂可以定位於各個處理腔室附近以在輸送器和處理腔室之間傳送基板。在這些線性基板傳送系統中使用的輸送器可能是粒子產生源，且意味著定期維護活動以確保輸送器正確地施行。此外，輸送器一個時間只能在一個方向上移動，其可能限制輸送器上基板的移動而減少產量。
如上所述，用於維持減少站地面積與增加產量的處理腔室之間的基板交換之改良基板傳送系統係有所需求的。
本發明揭露一般係關於用於在處理腔室之間傳送半導體基板的半導體處理設備。更具體言之，本發明所述實施例係關於使用輸送裝置來傳送或交換處理腔室間的半導體基板之系統與方法，該輸送裝置採用至少兩個葉片以用於在處理腔室間同時傳送基板。
在一個實施例中，揭露一種用於處理基板的系統。用於處理基板的系統包括至少兩個處理腔室及傳送腔室系統，各處理腔室具有經配置以接收基板的狹縫閥，傳送腔室系統操作性地連接至少兩個處理腔室。傳送腔室系統包括第一腔室、第二腔室、設置於該第一腔室內的第一滑動組件、設置於該第二腔室內的第二滑動組件及複數個步進馬達，其中各步進馬達與至少一個滑動組件操作地連接。傳送腔室系統進一步包括第一雙軸機械臂葉片與第二雙軸機械臂葉片，該第一雙軸機械臂葉片與該第二雙軸機械臂葉片之各者耦接至該第一滑動組件，其中該第一雙軸機械臂葉片具有沿第一平面的旋轉運動方向以及該第二雙軸機械臂葉片具有沿第二平面的旋轉運動方向，以及其中該第一平面與該第二平面不相交。傳送腔室系統進一步包括第三雙軸機械臂葉片與第四雙軸機械臂葉片，該第三雙軸機械臂葉片與該第四雙軸機械臂葉片之各者耦接至該第二滑動組件，其中該第三雙軸機械臂葉片具有沿第三平面的旋轉運動方向以及該第四雙軸機械臂葉片具有沿第四平面的旋轉運動方向，以及其中該第三平面與該第四平面不相交。
在另一個實施例中，揭露一種用於傳送基板的系統。用於傳送基板的系統包括第一處理腔室與一第二處理腔室，基板傳送設備具有耦接於該第一處理腔室的第一側與相對於該第一側之第二側，該第二側耦接至該第二處理腔室，其中第一狹縫閥允許該基板傳送設備與該第一處理腔室之間的進出，及第二狹縫閥允許該基板傳送設備與該第二處理腔室之間的進出。用於傳送基板的系統進一步包括第一機械臂葉片與第二機械臂葉片，該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片設置於基板傳送設備內，其中該第一機械臂葉片到達靠近該第一基板支撐件的第一位置而到達靠近該第二基板支撐件的第二位置，及該第二機械臂葉片到達靠近該第二基板支撐件的該第二位置而到達靠近該第一基板支撐件的該第一位置，及其中該第一狹縫閥與該第二狹縫閥各自具有同時容納該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片之尺寸。用於傳送基板的系統亦包括至少一個伺服馬達，其中該伺服馬達操作性地與皮帶連接，其中該皮帶操作性地與螺絲連接，其中該螺絲經配置以移動與該第一機械臂葉片和該第二機械臂葉片操作性地連接的滑件。
在又另一個實施例中，揭露一種用於在第一處理腔室與第二處理腔室之間交換基板的方法。該方法包括經由第一複數個升舉銷將在該第一處理腔室中的第一基板自在第一加熱器上的第一位置舉升至一第二位置，以及經由第二複數個升舉銷將在該第二處理腔室中的第二基板自在第二加熱器上的第三位置舉升至第四位置。該方法進一步包括以第一機械臂葉片將該第一基板固定於該第二位置處，以第二機械臂葉片將該第二基板固定於該第四位置處，操作該第一機械臂葉片以將該第一基板自該第一處理腔室中的該第二位置移動到該第二處理腔室中的該第四位置，及操作該第二機械臂葉片以將該第二基板自該第二處理腔室中的該第四位置移動到該第一處理腔室中的該第二位置，其中該第二機械臂葉片的該操作與該第一機械臂葉片的該操作同時發生，及其中該第二機械臂葉片將第二基板移動至該第一機械臂葉片之下。該方法亦包括經由該第二複數個升舉銷將該第一基板自該第二處理腔室內的該第一機械臂葉片移除以及經由該第一複數個升舉銷將該第二基板自該第一處理腔室內的該第二機械臂葉片移除，將該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片收回至交換腔室中，及降低該第一複數個升舉銷與該第二複數個升舉銷。
本發明所述實施例一般係關於用於在處理腔室之間傳送半導體基板的半導體處理設備。更具體言之，本發明所述實施例係關於使用輸送裝置來傳送或交換處理腔室間的半導體基板之系統與方法，該輸送裝置採用至少兩個葉片以用於在處理腔室間同時傳送基板。
本文所用的術語「晶圓」包括，例如，術語「基板」。如此一來，晶圓或基板是半導體材料的薄片，例如使用於積體電路製造的電子元件中以及光伏（photovoltaics）中的結晶矽。可以預期的是，術語的「晶圓」和「基板」不是為了作為限制且可包括在該等所述之外的各式示範例。
傳統上，基板的傳送藉由以第一基板處理器將基板自第一處理腔室移除而於兩處理腔室之間發生。第一基板處理器傳統上將基板傳送於中間通孔（via）上以用於靜置基板，直到第二基板處理器將基板自中間通孔拾起。隨後，第二基板處理器會將基板傳送到第二處理腔室。
圖1是根據本發明揭露的一個實施例之基板處理系統100的前視截面圖。基板處理系統100具有去除了靜置基板用的通孔或地方之需求的傳送腔室系統104，使得基板處理器可以隨後將基板拾起以用於再定位，及利用不同水平平面中的機械臂葉片，使得可以同時交換多個基板，其提供提供了許多優點。首先，這樣的傳送腔室系統104能夠設計有減小的佔地面積，因為在乾淨空間底板中沒有通孔或空間之需要。此外，多個基板的同時傳遞允許每個葉片利用來自各個處理腔室的有效面積（real estate），因而減少傳送腔室系統104所需要的大小。減小的傳輸腔室尺寸進一步減少傳送腔室系統104的佔地面積。減少傳送腔室系統104的佔地面積可以降低資本成本、營運成本及並且系統的維護費用。此外，使用如本說明書所述的傳送腔室系統104除去了在兩個處理過程之間的單一腔室中清洗處理之需要，因為不同的處理可以通過不同的腔室來實現。
應當注意的是，方向用語，如「上」、「下」、「之上」、「之下」、「垂直」、「水平」等不是絕對的方向，而是相對於腔室的定向，例如，相對於腔室的基準面，其可能是由腔室中的基板支撐件所界定的平面。
基板處理系統100可包括至少兩個處理腔室(第一處理腔室102A與第二處理腔室102B)之間，基板的傳送可發生於該等至少兩個處理腔室之間。處理腔室102A、102B的示範例可包括可全部自美國加州聖克拉拉的應用材料公司購得的PRODUCER®腔室、PRECISION®腔室與(或)APACHE®腔室。來自其他製造商的腔室亦可於基板處理系統100中使用。在某些實施例中，基板處理系統100可包括第一處理腔室102A、第二處理腔室102B、第三處理腔室102C及第四處理腔室102D(見如圖2)。每個處理腔室102A、102B、102C、102D可與傳送腔室系統104接口。另外，每個處理腔室102A、102B、102C、102D可(使用如螺栓機構或其他合適的連接)與傳送腔室系統104耦接。為了進一步說明，且僅作為示範例之方法，第一處理腔室102A可耦接至傳送腔室系統104。第二處理腔室102B可耦合至傳送腔室系統104。因此，第一處理腔室102A藉由與傳送腔室系統104的相互連接而耦接至第二處理腔室102B。
第一處理腔室102A和第二處理腔室102B可(使用如螺栓機構或其他合適的連接)耦接至傳送腔室系統104。來自第一處理腔室102A的基板可藉由傳送腔室系統104而傳送到第二處理腔室102B，(藉由本說明書所述的實施例)反之亦然。第三處理腔室102C及第四處理腔室102D亦可耦接至傳送腔室系統104。來自第三處理腔室102C的基板可藉由傳送腔室系統104而傳送到第四處理腔室102D，（藉由本說明書所揭露的實施例）反之亦然。為求簡單，本說明書描述了第一處理腔室102A和第二處理腔室102B之間基板的傳送，而本說明書不針對於第三處理腔室102C及第四處理室102D重複。讀者將理解，針對第一和第二處理腔室102A、102B的該等描述同樣適用於第三和第四處理腔室102C、102D，亦適用於可能被加至基板處理系統100的任何額外的成對處理腔室。
每個處理腔室102A、102B可具有至少一個狹縫閥116（見如針對狹縫閥116的額外示意圖之圖6），狹縫閥116經配置而允許基板傳送進入與（或）離開處理腔室102A、102B。基板處理系統100可進一步包括位於處理腔室102A、102B之間的傳送腔室系統104，以用於實現第一處理腔室102A和第二處理腔室102B之間（如藉由交換）的基板傳送。傳送腔室系統104可通過狹縫閥116而操作性地連接至處理腔室102A、102B，使得基板處理系統100保持在真空下。如此一來，可經由傳送腔室系統104而不需空氣隔斷（air break）也不需使用上述的中間通孔而將基板從第一處理腔室102A傳送至第二處理腔室102B，與（或）從第二處理腔室102B傳送至第一處理腔室102A。術語「操作地連接」涉及兩個物件之間的物理關係，並使兩個物件之間有所操作，但是各物件可耦接至另一個或彼此耦接。
多個處理腔室和多個傳送腔室系統可使用傳送腔室系統（如傳送腔室系統104）互連，使得全部在真空下的用於連續與依序處理基板之一連串的腔室可不需空斷且可減少乾淨空間的佔地面積。因此，兩個處理腔室之間的主動基板交遞可利於任何數量的順序沉積處理之模組化直列順序處理能力而沒有任何空斷。
傳送腔室系統104（如圖1和2中所示）可包括第一腔室106（如上腔室）和第二腔室108（如下腔室）於傳送腔室系統104之內。在操作期間，第一腔室106和第二腔室108可在真空下。第一腔室106可用於將基板在第一處理腔室102A和第二處理腔室102B之間傳送，而第二腔室108可用於將基板在第三處理腔室102C和第四處理腔室102D之間傳送。在一個實施例中，傳送腔室系統104可包括隔板192（見圖2），其中，隔板192將傳送腔室系統104分開並於傳送腔室系統104內界定第一腔室106和第二腔室108。在包括隔板192的實施例中，第一腔室106和第二腔室108實質上類似於以上所述之實施例。如此一來，第二腔室108可經由第三狹縫閥而與第三處理腔室耦接及第二腔室經由第四狹縫閥而與第四處理腔室耦接。
第一滑動組件110可設置在第一腔室106內，以及第二滑動組件112可設置在第二腔室108內。第一和第二滑動組件110、112的各者可以是線性滑動組件，並且可進一步被裝入波紋管內。波紋管可係用作真空密封件的焊接金屬波紋管。第一滑動組件110和第二滑動組件112可各自允許在X方向的運動。
雙軸機械臂葉片120、122可被容納在傳送腔室系統104的第一腔室106內。如圖2中所示，傳送腔室系統104可具有小於處理腔室102A、102B的基板支撐件的表面尺寸（如直徑D）之尺寸Q。尺寸Q（如傳送腔室系統104的寬度）可小於處理腔室102A、102B的基板支撐件的表面尺寸（如直徑D），使得傳送腔室系統104利用各處理腔室102A、102B內的空間以在第一處理腔室102A和第二處理腔室102B之間傳送基板。此外，尺寸Q（如傳送腔室系統104的寬度）可小於特定實施例中處理腔室102A、102B的基板支撐件的寬度或長度（未示出）。具有這樣的表面尺寸，基板將不會完全切合於傳送腔室系統104的範圍內而沒有在傳送期間利用各處理腔室102A、102B內的空間。基板的表面尺寸可以是基板的直徑、基板的長度、基板的寬度或基板的對角線。
在一個實施例中（如在圖1和2中所示），因為第一基板130和第二基板132各自利用傳送期間來自第一處理腔室102A和第二處理腔室102B的空間，且基板處理系統100缺少通孔，所以如果在第一處理腔室102A內的第一位置處的第一基板130與在第二處理腔室102B內的第二位置處的第二基板132交換，則此交換是同時且同步的（concurrent and simultaneous）。在這種情況下，當第二基板132由第二雙軸機械臂葉片122接收時，第一基板130由第一雙軸機械臂葉片120接收。此外，當第二雙軸機械臂葉片122將第二基板132從第二處理腔室102B中的第二位置移動至第一處理腔室102A中的第一位置時，第一雙軸機械臂葉片120同時且同步地將第一基板130從第一處理腔室102A中的第一位置移動至第二處理腔室102B中的第二位置。如此一來，第一基板130與第二基板132可瞬時對齊於傳送腔室系統104的實質垂直的軸。
參考回圖1的實施例，圖示了四個雙軸機械臂葉片120、122、124、126。如此一來，四個基板可以在同一個時間交換。例如，位於第一處理腔室102A中的第一基板130可與位於第二處理腔室102B的第二基板132交換。第一基板130可利用第一雙軸機械臂葉片120以用於第一處理腔室102A與第二處理腔室102B之間的整個傳送。第二基板132可利用第二雙軸機械臂葉片122以用於第二處理腔室102B與第一處理腔室102A之間的整個傳送。位於第三處理腔室102C中的第三基板134可與位於第四處理腔室102D中的第四基板136交換。第三基板134可利用第三雙軸機械臂葉片124以用於第三處理腔室102C與第四處理腔室102D之間的整個傳送。第四基板136可利用第四雙軸機械臂葉片126以用於第四處理腔室102D與第三處理腔室102C之間的整個傳送。
圖3繪示滑動組件110、112的放大示意圖。如圖3所示，傳送腔室系統104可進一步包括複數個伺服馬達140。複數個伺服馬達140可以是真空兼容伺服馬達。各伺服馬達140可位於傳送腔室系統104之外，並且在大氣壓下操作。各伺服馬達140可控制一個或多個滑動組件110、112的X軸運動。伺服馬達140可與傳送腔室系統104耦接。在某些實施例中，可利用四個真空兼容伺服馬達140。第一滑動組件110可包括第一組兩個伺服馬達140，及第二滑動組件112可包括第二組兩個伺服馬達140。各伺服馬達140可以是皮帶驅動的伺服馬達。
如圖3進一步所示，滑動支撐件114可支撐傳送腔室系統104內的滑動組件110、112。滑動支撐件可以是支撐桿（如鋼支撐桿或任何其它合適材料的支撐桿），其在滑動組件110、112的第一端與第二端處支撐滑動組件110、112。滑動支撐件亦可藉由防止波紋管以不受控制的方式移動而限制波紋管的運動。滑動組件110、112可進一步包括皮帶驅動160、皮帶蓋162、螺絲164（如密封螺絲或導螺桿）以及軸台（pillow block）166（示於圖4中）。皮帶驅動160、螺絲164和軸台166可各自與伺服馬達140耦接。如此一來，伺服馬達140可耦接至皮帶驅動160（作為皮帶驅動伺服馬達），皮帶驅動160可為了操作螺絲164而耦接至螺絲164，以及螺絲164可耦接至軸台166以移動滑動組件110、112。當伺服馬達140操作時，皮帶驅動160旋轉，轉動螺絲164並移動軸台。如此一來，滑件在X方向上向前移動與（或）向後移動。
圖4繪示滑動組件110、112的放大正面截面圖。滑動組件110、112可進一步包括沿擋板170的內壁定位之波紋管線性滑動組件凸緣168。擋板可圍繞滑動組件110、112的線性滑件172。複數個軸承194（以虛線表示），諸如螺母和球軸承，可支持線性滑件172，使得線性滑件可沿滑動組件110、112內的X方向移動。複數個軸承194可將線性滑件172自線性滑件172之下支撐。
傳送腔室系統104可包括複數個步進馬達150，如圖4所示。滑動組件110、112可操作性地與步進馬達150連接。例如，第一滑動組件110可操作地與第一步進馬達150連接，及第二滑動部件112可操作性地與第二步進馬達150連接。步進馬達150可以是五面步進馬達。步進馬達150可允許theta方向（如-90度或+90度）上的旋轉運動。步進馬達150可將整個旋轉分成數個相等步（step），例如五個步。可控制步進馬達150的位置以移動與維持一步（step）而不需反饋感測器。
第一滑動組件110和第二滑動組件112可各自耦接到至少兩個雙軸（如線性軸和旋轉軸）的機械臂葉片120、122。如此一來，第一腔室106可包括第一雙軸機械臂葉片120和第二雙軸機械臂葉片122，第二腔室108可包括第三雙軸機械臂葉片124和第四雙軸機械臂葉片126。機械臂葉片120、122、124、126可移動以在處理腔室102A、102B之間的物理傳送基板。第一雙軸機械臂葉片120可具有沿第一平面的旋轉運動方向。第二雙軸機械臂葉片122可具有沿第二平面的旋轉運動方向。在一個實施例中，第一雙軸機械臂葉片120與（或）第二雙軸機械臂葉片122兩者之一的旋轉運動可能導致第一雙軸機械臂葉片120與（或）第二雙軸機械臂葉片122兩者之一的部分在圓形路徑中移動。第一雙軸機械臂葉片120的圓形路徑可界定第一平面。第二雙軸機械臂葉片122的圓形路徑可界定第二平面。第一平面和第二平面可以是平行的，且因此可以不相交。第一雙軸機械臂葉片120可設置在第二雙軸機械臂葉片之上，使得一旦同時移動時，避免第一雙軸機械臂葉片120與第二雙軸機械臂葉片122碰撞。步進馬達150可操作以在各自的平面的theta方向上移動機械臂葉片120、122。
圖5繪示具有伺服馬達140與安裝硬體（為求清楚已去除）的滑動組件110、112之頂視圖。波紋管線性滑動組件凸緣168可包括可於原始位置（home position）180與裝載位置182之間移動的波紋管。如此一來，滑件可裝入於手風琴形狀（accordion-like）的波紋管內。一旦滑動組件110、112沿X軸的位置之間移動時，波紋管可擴展或落下以協助滑動組件110、112的移動。波紋管的內部區域可保持在大氣壓下，而波紋管的外部區域同時保持在真空。
圖6繪示葉片安裝於傳送腔室系統104內的實施例。具體言之，圖6繪示處理腔室102A、102B的狹縫閥116相對於雙軸機械臂葉片120、122、124、126的位置。每個狹縫閥116可具有容納雙軸機械臂葉片120、122、124、126的尺寸。
基板處理系統可於第一腔室106中傳送或交換兩個基板且可用如下相同方式於第二腔室108中傳送或交換兩個基板。為了同時將第一基板130從第一處理腔室102A傳送到第二處理腔室102B，以及將第二基板132從第二處理腔室102B傳送到第一處理腔室102A，某些發生於第一基板130的動作同時相對於第二基板132發生。個別位於第一和第二處理腔室102A、102B內的升舉銷將相應的基板130、132舉升離開相應的加熱器151、152（示於圖2中）而到達基板交遞位置。基板交遞位置可以是升舉銷所延伸且基板130、132不再位於相應的加熱器151、152、154、156上的位置。在雙軸機械臂葉片120、122、124、126自原始位置（如完全位於傳送腔室系統104內的位置）移動之前，升舉銷將基板130、132舉升到交遞位置，而同時狹縫閥116保持於關閉位置。當第一處理腔室102A內的升舉銷位於交遞位置時，第一處理腔室102A內的升舉銷可延伸到第一長度，當第二處理腔室102B內的升舉銷位於交遞位置時，第二處理腔室102B內的升舉銷可延伸到第二長度，其中第一長度與第二長度不相等。第一長度可容納經設置以接收來自第一處理腔室102A的基板130、132之雙軸機械臂葉片120、122，以及第二長度可容納經設置以接收來自第二處理腔室102B的基板130、132之雙軸機械臂葉片120、122。可基於個別處理腔室102A、102B內的雙軸機械臂葉片120、122調整升舉銷。
在基板傳送處理期間（如交換處理）或當沒有基板在個別處理腔室102A、102B、102C、102D內時，個別處理腔室102A、102B、102C、102D的升舉銷可改變高度以容納對應的處理腔室102A、102B、102C、102D內的雙軸機械臂葉片。例如，當第一雙軸機械臂葉片120進入第一處理腔室102A時，升舉銷可將第一基板130舉升到第一高度，以為了使雙軸機械臂葉片120接收第一基板130。然而，一旦第一基板130已經被第一處理腔室102A內的第一雙軸機械臂葉片120接收時，第一處理腔室102A內的升舉銷可上升或下降到第二高度以接收來自第二雙軸機械臂葉片122的第二基板132。藉由接續的實施例，當第二雙軸機械臂葉片122進入第二處理腔室102B時，升舉銷可將第二基板132舉升到第一高度以為了使第二雙軸機械臂葉片122接收第二基板132。然而，一旦第二基板132已經被第二處理腔室102B內的第二雙軸機械臂葉片122接收時，第二處理腔室102B內的升舉銷可上升或下降到第二高度以接收來自第一雙軸機械臂葉片120的第一基板130。如此一來，控制器190（見圖1和6）可以協助個別處理腔室102A、102B、102C、102D內升舉銷的上升與（或）下降。
一旦各基板130、132到達交遞位置（升降銷延伸）時，位於個別處理腔室102A、102B內的感測器（未示出）可允許各狹縫閥116打開。一旦每個狹縫閥116已經打開時，感測器可允許伺服馬達140和步進馬達150以作為上面/下面的基板處理器操作。
第一腔室106和第二腔室108可各包括雙軸機械臂葉片120、122、124、126中的至少兩個。在第一腔室106和第二腔室108的各者內，第一雙軸機械臂葉片120、124可在第二雙軸機械臂葉片122、126之上操作。由於伺服馬達140的啟動，各雙軸機械臂葉片120、122、124、126可同時沿著X軸移動，且由於步進馬達150的啟動，各雙軸機械臂葉片120、122、124、126可旋轉移動+/-90度。沿X軸的運動可介於約4.0英寸到約15.0英寸之間。為了接收基板130、132、134、136，各雙軸機械臂葉片120、122、124、126可靜置於交遞位置中。藉由在X軸方向上移動與同時旋轉的theta方向，雙軸機械臂葉片120、122、124、126到達交遞位置。一旦雙軸機械臂葉片120、122、124、126到達交遞位置時，可收回升舉銷。一旦收回升舉銷時，基板130、132、134、136沉積於設置在交遞位置中的個別雙軸機械臂葉片120、122、124、126上。基板處理系統100中全部的基板130、132、134、136可在相同時間同時沉積於相應的雙軸機械臂葉片120、122、124、126上。
在基板130、132、134、136已經被接收於對應的雙軸機械臂葉片120、122、124、126之後，各雙軸機械臂葉片120、122、124、126經由對應的滑動組件110、112的伺服馬達140而沿X軸收回。藉由對應的滑動組件110、112的步進馬達150將各雙軸機械臂葉片120、122、124、126旋轉移動到原始位置，該旋轉運動與沿著X軸的運動同步。為了將第一基板130與第二基板132同時傳送，第一腔室106的第一雙軸機械臂葉片120和第二雙軸機械臂葉片122同時移動。第一雙軸機械臂葉片120可移動至第二雙軸機械臂葉片122的上方，使得第一雙軸機械臂葉片120和第二雙軸機械臂葉片122相對於theta旋轉運動不是共平面。為了傳送在第一基板130，第一雙軸機械臂葉片120自原始位置移動（如(0,0)）沿著X軸而到達靠近第一處理腔室102A的第一加熱器151處的交遞位置（約在如(9,0)，其中(9,0)係沿著X軸距離原始位置九個單位的位置，其中單位可以是任何適當之距離單位）。當如上所述沿著X軸到靠近第一處理腔室102A的第一加熱器151處的交遞位置時，第一雙軸機械臂葉片120亦在此沿著X軸的運動期間從0度theta移動到-90度theta。在接收了第一基板130之後，第一雙軸機械臂葉片120從靠近第一處理腔室102A的第一加熱器151處的交遞位置（約在如(9,0)）移動到原始位置（0,0）。當如上述沿著X軸移動時，在沿X軸移動直到滑動組件到達原始位置(0,0)期間，第一雙軸機械臂葉片120亦從-90度theta移動至0度theta。
為了完成傳送，第一雙軸機械臂葉片120接著從原始位置(0,0)沿著X軸移動到靠近第二處理腔室102B的第二加熱器152處的交遞位置（約在如(9,0)）。當如上述沿著X軸移動時，在沿X軸移動期間，第一雙軸機械臂葉片120亦從0度theta移動至+90度theta。一旦第一雙軸機械臂葉片120已經到達第二處理腔室102B，基板將被第一雙軸機械臂葉片120釋放到對應的第二處理腔室102B的加熱器152上。在釋放第一基板130之後，第一雙軸機械臂葉片120可從靠近第二處理腔室102B的第二加熱器152處的交遞位置（約在如(9,0)）移動到原始位置(0,0)。當如上述沿著X軸移動時，在沿X軸移動直到滑動組件到達原始位置(0,0)期間，第一雙軸機械臂葉片120亦可自+90度theta移動，在此時第一雙軸機械臂葉片120將會具有0度theta。如此一來，各雙軸機械臂葉片120、122能夠有至少大約180度的旋轉運動。
一旦各基板已達到其新的交換位置，升舉銷可延伸以將基板自對應的雙軸機械臂葉片移除。一旦基板已經被升舉銷接收且雙軸機械臂葉片已經回到傳送腔室系統104內的原始位置時，各腔室內的感測器（如設置於各加熱器151、152、154、156（示於圖2中）中的電容感測器以感測基板接近）可允許個別狹縫閥116接近以為了基板處理。
在一些實施例中，且如圖7所示，基板處理系統200進一步包括與第一傳送腔室204的第一側210耦接之處理腔室的第一佈置202A。具有第一側206和第二側208的處理腔室的第二佈置202B可具有與第一傳送腔室204的第二側212耦接之處理腔室的第二佈置202B的第一側206。處理腔室的第二佈置202B可具有與第二傳送腔室214的第一側216耦接之處理腔室的第二佈置202B的第二側208。具有第一側220和第二側222的處理腔室的第三佈置202C可具有與第二傳送腔室214的第二側218耦接之處理腔室的第三佈置202C的第一側220。處理腔室的第三佈置202C可具有與第三傳送腔室224的第一側226耦接之處理腔室的第二佈置202C的第二側222。具有第一側F和第二側G的處理腔室的第N佈置202N可具有與第N傳送腔室（未示出）的第二側耦接之處理腔室的第N佈置202N的第一側F。N可表示當基板可快速於處理腔室間交換而帶有對系統佔地面積最小影響時，用於處理基板而不需離開真空環境的系統中之處理腔室與（或）傳送腔室之任何數量。如此一來，產生了模組化直列順序的處理能力，其允許任何數量的連續沉積處理發生而不需空斷且不需在兩處理腔室間進行長淨化處理。
基板處理系統100亦可包括控制器190。控制器190一般設計為利於本發明所述的處理技術之控制和自動化。控制器190可耦接至或操作性地連接至一或多個伺服馬達140、步進馬達150、滑動組件110、112、傳送腔室系統104、感測器、升舉銷及雙軸機械臂葉片120、122、124、126。傳送腔室系統104可向控制器190提供關於基板處理和基板傳送之資訊。例如，傳送腔室系統104可提供資訊給控制器190，以提醒控制器190基板處理已經完成或者基板已經被成功傳送。進一步舉例，傳送腔室系統104可向控制器190提供資訊，以提醒控制器190基板正在傳送。藉由提供此等資訊，控制器190可向相應的處理腔室102A、102B、102C、102D提供關於雙軸機械臂葉片120、122、124、126進入或離開各處理腔室102A、102B、102C、102D的資訊，以便指示各處理腔室102A、102B、102C、102D適當地調整對應的升舉銷的高度。
控制器190可包括中央處理單元（CPU）（未示出）、記憶體（未示出）與支援電路（或I/O）（未示出）。此CPU可係在工業裝置中使用的任何形式之電腦處理器，以用於控制各式處理與硬體（如圖案產生器、馬達與其他硬體）並監控處理（如處理時間與基板定位或位置）。記憶體（未示出）與CPU連接且可係一或多個容易取得之記憶體，如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟，或任何其他的數位儲存格式，本地端的或是遠端的。軟件指令和資料可被編碼且存儲於用於指示CPU的記憶體內。支援電路（未示出）亦與CPU連接而用傳統方式支援處理器。這些支援電路可包括傳統快取、電源供應器、時脈電路、輸入/輸出電路與子系統以及類似物。可由控制器讀取的程式（或電腦指令）決定哪些任務可於基板上執行。此程式可係可由控制器讀取的軟體且可包括監控與控制如處理時間與基板定位或位置的程式碼。
圖8概要地繪示用於第一處理腔室與第二處理腔室之間交換基板的方法800之操作。在操作810，經由第一複數個升舉銷將在第一處理腔室中的第一基板自在第一加熱器上的第一位置舉升至第二位置。在操作820，經由第二複數個升舉銷將在第二處理腔室中的第二基板自在第二加熱器上的第三位置舉升至第四位置。第二基板的舉升可與第一基板的舉升同時發生。
在操作830，以第一機械臂葉片將第一基板固定於第二位置處。在操作840，以第二機械臂葉片將第二基板固定於第四位置處。第二基板的固定可與第一基板的固定同時發生。
在操作850，操作第一機械臂葉片以將第一基板自第一處理腔室中的第二位置移動到第二處理腔室中的第四位置。在操作860，操作第二機械臂葉片以將第二基板自第二處理腔室中的第四位置移動到第一處理腔室中的第二位置，其中該第二機械臂葉片的該操作與該第一機械臂葉片的該操作同時發生，及其中該第二機械臂葉片將該第二基板移動至該第一機械臂葉片之下。
在操作870，經由第二複數個升舉銷將第一基板自第二處理腔室內的第一機械臂葉片移除，以及經由第一複數個升舉銷將第二基板自第一處理腔室內的第二機械臂葉片移除。第一基板與第二基板的移除可同時發生。在操作880，將第一機械臂葉片與第二機械臂葉片收回至交換腔室中。此等收回可同時發生。在操作890，降低第一複數個升舉銷與第二複數個升舉銷。
本發明揭露的基板傳送系統提供了於至少兩個處理腔室之間至少兩個基板的同步快速傳送，該等至少兩個處理腔室設計於執行不同的處理。不同的處理可依序執行且不需空斷。此實施例允許對於系統佔地空間有最小的影響。如此一來，可以執行任意數量的處理於基板上而無需在處理間作長時間的淨化處理，其最小化了處理之間的交叉污染，因為淨化處理耗時且常導致無法接受的基板產率。此外，所揭露的系統允許至少兩個不同處理腔室之間的主動基板交遞，其利於任何數量的順序沉積處理之模組化直列順序處理能力而沒有任何空斷。此外，去除了中間通孔的需求，且保持了乾淨的室空間。
發明所屬領域具有通常知識者將理解到前述實施例為示例性而不是作為限制。本發明之置換、改進、等效物與改良包含於本發明揭露的真實精神與範圍內，發明所屬領域具有通常知識者一旦研讀了本說明書與圖式，本發明之置換、改進、等效物與改良將對其彰顯。因此，以下所附的申請專利範圍包括所有此等的變化、置換與等效物亦落於此等教示的真實精神與範圍內。
100:基板處理系統 102A:第一處理腔室 102B:第二處理腔室 102C:第三處理腔室 102D:第四處理腔室 104:傳送腔室系統 106:第一腔室 108:第二腔室 110:第一滑動組件 112:第二滑動組件 114:滑動支撐件 116:狹縫閥 120:第一雙軸機械臂葉片 122:第二雙軸機械臂葉片 124:第三雙軸機械臂葉片 126:第四雙軸機械臂葉片 130:第一基板 132:第二基板 134:第三基板 136:第四基板 140:伺服馬達 150:步進馬達 151:第一加熱器 152:第二加熱器 154:第三加熱器 156:第四加熱器 160:皮帶驅動 162:皮帶蓋 164:螺絲 166:軸台 168:波紋管線性滑動組件凸緣 170:擋板 172:線性滑件 180:原始位置 182:裝載位置 190:控制器 192:隔板 194:軸承 200:基板處理系統 202A:處理腔室的第一佈置 202B:處理腔室的第二佈置 202C:處理腔室的第三佈置 202N:處理腔室的第N佈置 204:第一傳送腔室 206:第一側 208:第二側 210:第一側 212:第二側 214:第二傳送腔室 216:第一側 218:第二側 220:第一側 222:第二側 224:第三傳送腔室 226:第一側 800:方法 810:操作 820:操作 830:操作 840:操作 850:操作 860:操作 870:操作 880:操作 890:操作
本發明揭露之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考附圖中繪示之本發明實施例以作瞭解。然而，值得注意的是，附圖只繪示了本發明揭露的示範實施例，而由於本發明揭露可應用於其他等效之實施例，所附圖式並不會視為本發明範圍之限制。
圖1是可受惠於本發明揭露的實施例之系統的截面前視圖。
圖2是根據一個實施例的圖1之系統的截面頂視圖。
圖3是根據一個實施例的X軸驅動之放大截面頂視圖。
圖4是根據一個實施例的圖3之X軸驅動的放大截面前視圖。
圖5是根據一個實施例的帶有伺服馬達與安裝支架之圖3的X軸驅動組件的截面頂視圖。
圖6是根據一個實施例的葉片安裝之截面前視圖。
圖7是根據一個實施例的晶圓傳送系統之前視圖。
圖8概要地繪示用於第一處理腔室與第二處理腔室之間交換基板的方法之操作。
為便於理解，在可能的情況下，使用相同的數字編號代表圖示中相同的元件。可以預期，一個實施例中的元件與特徵可有利地用於其它實施例中而無需贅述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:基板處理系統
102B:第二處理腔室
104:傳送腔室系統
106:第一腔室
108:第二腔室
110:第一滑動組件
112:第二滑動組件
120:第一雙軸機械臂葉片
122:第二雙軸機械臂葉片
124:第三雙軸機械臂葉片
130:第一基板
132:第二基板
134:第三基板
136:第四基板
190:控制器

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的系統，包括：至少兩個處理腔室，各處理腔室具有一狹縫閥及一基板支撐件，該狹縫閥及該基板支撐件經配置以接收一基板；及一傳送腔室，該傳送腔室與該等至少兩個處理室操作性地連接，並具有小於該基板支撐件的一表面尺寸的一最大寬度，該傳送腔室包含：一滑動組件，設置於該傳送腔室內；一步進馬達，該步進馬達與各滑動組件可操作地連接；及兩個機械臂葉片，該兩個機械臂葉片耦接至該滑動組件。
  2. 如請求項1所述之系統，其中各處理腔室包含一個機械臂葉片。
  3. 如請求項1所述之系統，其中一個機械臂葉片設置於另一機械臂葉片之上。
  4. 如請求項1所述之系統，其中該步進馬達將各機械臂葉片的一完整旋轉分成一數量的相等步(step)。
  5. 如請求項4所述之系統，其中該完整旋轉係為90度。
  6. 如請求項4所述之系統，其中相等步的該數量係為5個步。
  7. 如請求項1所述之系統，進一步包括一伺服馬達，其中該伺服馬達控制該滑動組件的線性運動。
  8. 一種用於處理一基板的系統，包括：一第一處理腔室與一第二處理腔室；一基板傳送腔室，該基板傳送腔室具有耦接於該第一處理腔室的一第一側與相對於該第一側之一第二側，該第二側耦接至該第二處理腔室；一線性滑件，該線性滑件與該基板傳送腔室可操作地連接；一第一機械臂葉片與一第二機械臂葉片，該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片係與該線性滑件可操作地連接，並設置於該基板傳送腔室內，其中該第一機械臂葉片係在靠近一第一基板支撐件的一第一位置與靠近一第二基板支撐件的一第二位置之間延伸，以及該第二機械臂葉片係在靠近該第二基板支撐件的該第二位置與靠近該第一基板支撐件的該第一位置之間延伸，其中該基板傳送腔室具有小於該第一基板支撐件與該第二基板支撐件的一表面尺寸的一最大寬度；及一伺服馬達，其中該伺服馬達與該線性滑件可操作地連接，以移動該滑件。
  9. 如請求項8所述之系統，其中該第一基板支撐件係在該第一處理腔室內，而該第二基板支撐件係在該第二處理腔室內。
  10. 如請求項8所述之系統，其中一步進馬達係 與該線性滑件、該第一機械臂葉片、及該第二機械臂葉片可操作地連接。
  11. 如請求項8所述之系統，其中該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片中的一個機械臂葉片係設置於該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片的另一機械臂葉片之上。
  12. 如請求項10所述之系統，其中該步進馬達將該機械臂葉片的一完整旋轉分成一數量的相等步。
  13. 如請求項12所述之系統，其中該完整旋轉係為90度。
  14. 如請求項12所述之系統，其中相等步的該數量係為5個步。
  15. 如請求項8所述之系統，進一步包括一控制器，該控制器經配置而：控制該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片的定位；及控制該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片的旋轉運動。
  16. 如請求項8所述之系統，進一步包括一第三處理腔室與一第四處理腔室，該第三處理腔室耦接至該基板傳送腔室與該第一處理腔室相鄰的該第一側，而該第四處理腔室耦接至該基板傳送腔室與該第二處理腔室相鄰的該第二側。
  17. 如請求項16所述之系統，其中一第三基板 支撐件係在該第三處理腔室內，而一第四基板支撐件係在該第四處理腔室內。
  18. 一種用於處理一基板的系統，包括：一第一處理腔室與一第二處理腔室；一基板傳送腔室，該基板傳送腔室具有耦接於該第一處理腔室的一第一側與相對於該第一側之一第二側，該第二側耦接至該第二處理腔室；一滑件，該滑件與該基板傳送腔室可操作地連接；一第一機械臂葉片與一第二機械臂葉片，該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片係與該滑件可操作地連接，並設置於該基板傳送腔室內，其中該第一機械臂葉片係在靠近一第一基板支撐件的一第一位置與靠近一第二基板支撐件的一第二位置之間延伸，以及該第二機械臂葉片係在靠近該第二基板支撐件的該第二位置與靠近該第一基板支撐件的該第一位置之間延伸，其中該基板傳送腔室具有小於該第一基板支撐件與該第二基板支撐件的一表面尺寸的一最大寬度；及一伺服馬達，其中該伺服馬達與該滑件可操作地連接，以移動該滑件。
  19. 如請求項18所述之系統，其中一步進馬達係與該滑件、該第一機械臂葉片、及該第二機械臂葉片可操作地連接。
  20. 一種用於在一第一處理腔室與一第二處理腔室之間交換一基板的方法，包括以下步驟： 將在該第一處理腔室中的一第一基板從一第一基板支撐件的一第一位置舉升至該第一基板支撐件之上的一第二位置；將在該第二處理腔室中的一第二基板從一第二基板支撐件的一第三位置舉升至該第二基板支撐件之上的一第四位置；利用一第一機械臂葉片將該第一基板固定於該第二位置處；利用一第二機械臂葉片將該第二基板固定於該第四位置處；操作該第一機械臂葉片以將該第一基板從該第一處理腔室中的該第二位置移動到該第二處理腔室中的該第四位置；操作該第二機械臂葉片以將該第二基板從該第二處理腔室中的該第四位置移動到該第一處理腔室中的該第二位置，其中該第二機械臂葉片的該操作與該第一機械臂葉片的該操作同時發生，及其中該第二機械臂葉片將該第二基板移動至該第一機械臂葉片之下；將該第一基板從該第二處理腔室內側的該第一機械臂葉片移除，以及將該第二基板從該第一處理腔室內側的該第二機械臂葉片移除；及將該第一機械臂葉片與該第二機械臂葉片收回至一傳送腔室中，其中該傳送腔室具有小於該第一基板支撐件與該第二基板支撐件的一表面尺寸的一最大寬度。
TW109108954A 2015-04-24 2016-02-18 晶圓交換技術 TWI729737B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562152300P 2015-04-24 2015-04-24
US62/152,300 2015-04-24
US14/972,366 US9889567B2 (en) 2015-04-24 2015-12-17 Wafer swapper
US14/972,366 2015-12-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202030823A TW202030823A (zh) 2020-08-16
TWI729737B true TWI729737B (zh) 2021-06-01

Family

ID=57143343

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105202348U TWM529933U (zh) 2015-04-24 2016-02-18 晶圓交換技術
TW105104784A TWI692051B (zh) 2015-04-24 2016-02-18 晶圓交換技術
TW109108954A TWI729737B (zh) 2015-04-24 2016-02-18 晶圓交換技術

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105202348U TWM529933U (zh) 2015-04-24 2016-02-18 晶圓交換技術
TW105104784A TWI692051B (zh) 2015-04-24 2016-02-18 晶圓交換技術

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9889567B2 (zh)
JP (1) JP2018513564A (zh)
KR (1) KR102365626B1 (zh)
CN (2) CN107534008B (zh)
TW (3) TWM529933U (zh)
WO (1) WO2016171782A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9889567B2 (en) 2015-04-24 2018-02-13 Applied Materials, Inc. Wafer swapper
CN111312638A (zh) * 2019-10-25 2020-06-19 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 一种能够进行原料暂存的自动化上下料装置
CN115516657A (zh) * 2020-01-22 2022-12-23 应用材料公司 Oled层厚度和掺杂剂浓度的产线内监测
JP7522837B2 (ja) 2020-01-22 2024-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｏｌｅｄ層の厚さ及びドーパント濃度のインライン監視

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020029936A1 (en) * 1996-02-28 2002-03-14 Mcclintock William Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers
US20060039781A1 (en) * 2004-08-17 2006-02-23 Leszek Niewmierzycki Advanced low cost high throughput processing platform
US20060134330A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Cluster tool architecture for processing a substrate
TW200922852A (en) * 2007-05-18 2009-06-01 Brooks Automation Inc Load lock fast pump vent
US20140003890A1 (en) * 2010-12-24 2014-01-02 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Transfer robot, its substrate transfer method and substrate transfer relay device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR32538E (fr) * 1926-11-16 1928-01-24 Perfectionnements apportés aux briquets de poche
WO1985003404A1 (en) * 1984-01-23 1985-08-01 Dyna/Pert - Precima Limited Head for handling electrical components
JP3539814B2 (ja) * 1995-10-05 2004-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR970061464A (ko) * 1997-02-28 1997-09-12 조셉 스위니 다수 독립 로봇 조립체 및 반도체 웨이퍼 이송과 처리용 장치
US6506994B2 (en) * 2001-06-15 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Low profile thick film heaters in multi-slot bake chamber
KR100814238B1 (ko) * 2006-05-03 2008-03-17 위순임 기판 반송 장치 및 이를 이용한 기판 처리 시스템
KR101364583B1 (ko) * 2006-12-18 2014-02-18 위순임 기판 처리 시스템
KR100847888B1 (ko) * 2006-12-12 2008-07-23 세메스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR100851819B1 (ko) * 2007-04-25 2008-08-13 주식회사 아토 반도체 웨이퍼 이송 로봇
CN101801615A (zh) * 2007-09-10 2010-08-11 株式会社爱发科 基板搬送机械手、真空处理装置
JP2012028659A (ja) 2010-07-27 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US9862554B2 (en) * 2011-10-26 2018-01-09 Brooks Automation, Inc. Semiconductor wafer handling and transport
TW202203356A (zh) * 2012-02-10 2022-01-16 美商布魯克斯自動機械公司 基材處理設備
WO2014035768A1 (en) 2012-08-30 2014-03-06 Orbotech Lt Solar, Inc. System, architecture and method for simultaneous transfer and process of substrates
US9889567B2 (en) * 2015-04-24 2018-02-13 Applied Materials, Inc. Wafer swapper

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020029936A1 (en) * 1996-02-28 2002-03-14 Mcclintock William Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers
US20060039781A1 (en) * 2004-08-17 2006-02-23 Leszek Niewmierzycki Advanced low cost high throughput processing platform
US20060134330A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Cluster tool architecture for processing a substrate
TW200922852A (en) * 2007-05-18 2009-06-01 Brooks Automation Inc Load lock fast pump vent
US20140003890A1 (en) * 2010-12-24 2014-01-02 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Transfer robot, its substrate transfer method and substrate transfer relay device

Also Published As

Publication number Publication date
CN107534008A (zh) 2018-01-02
KR102365626B1 (ko) 2022-02-18
CN107534008B (zh) 2021-11-05
US10518418B2 (en) 2019-12-31
TWI692051B (zh) 2020-04-21
TW202030823A (zh) 2020-08-16
US9889567B2 (en) 2018-02-13
TW201639065A (zh) 2016-11-01
TWM529933U (zh) 2016-10-01
KR20160126907A (ko) 2016-11-02
CN114038771A (zh) 2022-02-11
US20160314995A1 (en) 2016-10-27
WO2016171782A1 (en) 2016-10-27
JP2018513564A (ja) 2018-05-24
US20180117771A1 (en) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102379269B1 (ko) 통합된 얼라이너를 갖는 로봇
TWI729737B (zh) 晶圓交換技術
JP5265343B2 (ja) デカルトロボットクラスタツール構築
US7651306B2 (en) Cartesian robot cluster tool architecture
US8066466B2 (en) Substrate processing sequence in a Cartesian robot cluster tool
CN111566796A (zh) 具有附加旋转轴的旋转分度器
US20060182535A1 (en) Cartesian robot design
JP2005197752A (ja) 基板製造装置及びそれに使用される基板移送モジュール
JP2008016815A (ja) 基板搬送装置及びこの基板搬送装置を用いた基板処理設備
JP2007288029A (ja) 基板搬送処理装置
JP7344887B2 (ja) 移動式基板搬送チャンバ
JP2010225895A (ja) 基板交換機構及び基板交換方法
JP2020107803A (ja) 基板処理装置、搬送モジュール、および連結モジュール
JP3418379B2 (ja) 縦型熱処理装置
CN118511269A (zh) 用于高产能的嵌套式大气机械臂
TW202405992A (zh) 具有機器人的淺深度設備前端模組
JP3514725B2 (ja) 縦型熱処理装置
Tice et al. Endura XP: enabling high 300 mm semiconductor productivity and reliability for manufacturing excellence