TWI724133B

TWI724133B - 氨水溶液的製造裝置及氨水溶液的製造方法

Info

Publication number: TWI724133B
Application number: TW106108436A
Authority: TW
Inventors: 小川祐一
Original assignee: 日商栗田工業股份有限公司
Priority date: 2017-02-09
Filing date: 2017-03-15
Publication date: 2021-04-11
Also published as: US20190367391A1; KR20190117499A; US11104594B2; CN110225891A; WO2018146824A1; TW201829320A; JP2018127383A

Abstract

本發明提供一種可以穩定的濃度製造氨水溶液，且相對於濃度的變更的追隨性優異的氨水溶液製造裝置。氨水溶液製造裝置藉由自氨供給裝置將氨供給至由超純水製造裝置所供給的超純水中並使其溶解，從而製造稀氨水溶液，並將該氨水溶液供給至使用點。此處，超純水製造裝置具有供給電阻值為18 MΩ·cm以上且金屬離子濃度為1 ng/L以下、尤其0.1 ng/L以下的超純水W的能力。然後，自氨供給裝置將氨添加於超純水W中而製造稀氨水。該氨水溶液製造裝置較佳為製造氨（銨離子）的濃度為100 mg/L以下、尤其50 mg/L以下的稀氨水。

Description

氨水溶液的製造裝置及氨水溶液的製造方法

本發明是有關於一種氨水溶液的製造裝置及製造方法，尤其是有關於一種對於獲得高純度的氨水溶液而言較佳的氨水溶液的製造裝置及製造方法。

半導體或液晶的製造製程中，使用雜質被高度去除的超純水來進行半導體晶圓或玻璃基板的洗滌。

使用此種超純水的半導體晶圓的洗滌中，超純水的比電阻值高，因此容易產生靜電，有導致絕緣膜的靜電破壞或微粒子的再附著之虞。因此，近年來，藉由使微量的氨溶解於超純水中，以使超純水的比電阻值變低的方式進行調整，並抑制靜電的產生。

使微量的氨溶解於該超純水中而成的稀氨水溶液例如是藉由以成為所期望的濃度的方式利用超純水對5%左右的氨水進行稀釋來製造，該稀氨水溶液用於洗滌半導體等的電子構件等，因此理想為極力不含雜質、尤其陽離子性的金屬離子。因此提出有：將氨添加於超純水中而形成所期望的濃度的稀氨水後，利用銨離子形的陽離子交換樹脂對該稀氨水進行處理(專利文獻1)。

[現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2016-76589號公報

然而，專利文獻1中所記載的氨水溶液的製造裝置中，利用陽離子交換樹脂對稀氨水進行處理，因此銨離子亦被吸附，因此有銨離子成為去除金屬離子的阻礙，而難以充分減低金屬離子濃度的問題點。尤其是氨的濃度越高，該傾向越顯著。另外，於使稀氨水溶液的濃度發生變動的情況下，陽離子交換裝置中的陽離子交換樹脂吸附銨離子，或者吐出所吸附的銨離子，因此有直至穩定為所期望的濃度為止花費時間的問題點。

本發明是鑒於所述課題而成者，其目的在於提供一種可以穩定的濃度製造氨水溶液，且相對於濃度的變更的追隨性優異的氨水溶液的製造裝置及製造方法。

為了達成所述目的，第一，本發明提供一種氨水溶液製造裝置，其製造氨水溶液，並將該氨水溶液供給至使用點，所述氨水溶液是自氨供給裝置將氨添加於原料水中並使其溶解而成，且使用金屬離子濃度為1ng/L以下的超純水作為所述原料水(第1發明)。

根據所述發明(第1發明)，可穩定地製造作為雜質的金屬離子少的氨水溶液，且可相對於由所供給的氨量引起的銨離子濃度的變更而發揮優異的追隨性。其是由以下理由所致。即，根據本發明者的研究，可知有如下情況：將氨添加於超純水中而製備稀氨水後，即便利用陽離子交換樹脂對該稀氨水進行處理，亦無法充分減低金屬離子濃度。因此，針對該對策進行了各種研究，結果可知：與利用陽離子交換樹脂對稀氨水進行處理而將金屬離子去除相比，使作為原料水的超純水中的金屬離子濃度減低的情況更有效，而且可相對於銨離子濃度的變更而發揮優異的追隨性。然後，具體而言，發現若使用金屬離子濃度為1ng/L以下的超純水，則可以半導體類的洗滌用的稀氨水溶液的形式充分發揮該些效果。基於該些想出本發明。

於所述發明(第1發明)中，較佳為所述原料水的流入部位與所述氨供給裝置中的所述氨的添加部位的間距為5m以下(第2發明)。

根據所述發明(第2發明)，藉由將氨迅速地添加於高度去除了陽離子的超純水中，可防止於超純水搬送過程中雜質的溶解，而獲得與所添加的氨的濃度相對應的稀氨水溶液。

於所述發明(第1發明、第2發明)中，較佳為所述氨水溶液的金屬離子濃度為10ng/L以下(第3發明)。

根據所述發明(第3發明)，藉由形成高純度的氨水溶液，可較佳地進行使用該氨水溶液的半導體晶圓的洗滌等處理。

另外，第二，本發明提供一種氨水溶液的製造方法，其製造氨水溶液，並將該氨水溶液供給至使用點，所述氨水溶液是將氨添加於原料水中並使其溶解而成，且使用金屬離子濃度為1 ng/L以下的超純水作為所述原料水(第4發明)。

根據所述發明(第4發明)，藉由使用作為原料水的超純水中的金屬離子濃度為1ng/L以下的超純水，可抑制由氨的添加引起的作為雜質的金屬離子的增加的影響，且相對於稀氨水溶液的濃度的變更的追隨性優異。

於所述發明(第4發明)中，較佳為所述氨水溶液的金屬離子濃度為10ng/L以下(第5發明)。

根據所述發明(第5發明)，藉由形成高純度的氨水溶液，可較佳地進行使用該氨水溶液的半導體晶圓的洗滌等處理。

根據本發明的氨水溶液製造裝置，使用作為原料水的超純水中的金屬離子濃度為1ng/L以下的超純水，將氨添加於該超純水中，因此可穩定地製造作為雜質的金屬離子少的氨水溶液，且可相對於由所供給的氨量引起的銨離子濃度的變更而發揮優異的追隨性。

1:氨水溶液製造裝置

2:陽離子交換裝置

3:氨供給裝置

11:主配管

12:供給管

21:入口取樣點

22:處理水取樣點

23:出口取樣點

W:超純水(原料水)

W1:氨水溶液(稀氨水)

圖1是表示本發明的第二實施形態的氨水溶液製造裝置的流程圖。

圖2是表示實施例1~實施例3的氨水溶液製造裝置的流程圖。

圖3是表示實施例4~實施例6的氨水溶液製造裝置的流程圖。

圖4是表示比較例1~比較例5的氨水溶液製造裝置的流程圖。

首先，對本發明的第一實施形態的氨水溶液製造裝置進行說明。

本實施形態藉由自氨供給裝置將氨供給至由超純水製造裝置所供給的超純水中並使其溶解，從而製造稀氨水溶液，並將該氨水溶液供給至使用點。

此處，超純水製造裝置具有供給電阻值為18MΩ．cm以上且金屬離子濃度為1ng/L以下、尤其0.1ng/L以下的超純水W的能力。若金屬離子濃度超過1ng/L，則無法將所獲得的稀氨水溶液中的金屬離子濃度設為充分低者，另外，相對於稀氨水溶液的銨離子濃度的變化的追隨性亦不充分。特佳為使用金屬離子濃度為0.1ng/L以下的超純水。

具體而言，超純水較佳為電阻率：18.1MΩ．cm以上、微粒子：粒徑為50nm以上且1000個/L以下、活菌：1個/L以下、總有機碳(Total Organic Carbon，TOC)：1μg/L以下、總矽：0.1μg/L以下、金屬類：0.1ng/L以下、離子類：10ng/L以下、過氧化氫：30μg/L以下、水溫：25±2℃者。

氨供給裝置是將氨添加於超純水中而生成稀氨水溶液者。此處，作為所添加的氨，可使用氣體狀的氨，但較佳為以規定濃度的氨水的形式添加，較佳為使用日本標準中特級等級以上純度的氨水。關於該氨水，可使用如下方法：使用往複式定量泵或針筒泵添加儲存於罐中的該水溶液的方法，或藉由將加壓惰性氣體導入至罐內而壓送所述水溶液的壓送方法等。

該氨供給裝置中的氨的添加位置較佳為與超純水製造裝置的出口(原料水的流入部位)相距5m以下。藉由如上所述般將與超純水製造裝置的出口的間距設為5m以下，可抑制自陽離子交換裝置2搬送處理水的過程中的離子的混入等，並將氨添加於高純度的超純水中。

繼而，對使用具有如上所述的構成的本實施形態的氨水溶液製造裝置的氨水溶液的製造方法進行說明。

首先，自氨供給裝置將氨添加於作為原料水的超純水W中。此處，於本實施形態中，超純水的金屬離子濃度為1ng/L以下，因此氨的添加量迅速反映於銨離子濃度，而可穩定地製造所期望的濃度的稀氨水溶液。而且，金屬離子濃度為1ng/L以下，因此亦起到相對於由氨的添加量的變動引起的銨離子濃度的變更的追隨性優異的效果。即，為了變更稀氨水溶液的濃度，藉由變更氨的添加量，可使其迅速變動為所期望的濃度的稀氨水溶液。尤其是藉由將超純水的金屬離子濃度減低至0.1ng/L以下的極低的位準為止，可抑制所添加的氨水中所含的金屬離子的影響而較佳。

進而，根據氨供給裝置中的氨的添加量，可大致把握氨水溶液的濃度。因此，為了將所期望的水質的氨水溶液穩定地供給至使用點，較佳為持續性監視氨水溶液的濃度。此種本實施形態的氨水溶液的製造方法中，較佳為製造氨(銨離子)的濃度為100mg/L以下、尤其50mg/L以下的稀氨水。如上所述的本實施形態的氨水溶液製造裝置中，於添加氨後無須設置陽離子交換裝置，而起到可使裝置簡略化的效果。

繼而，基於圖1對本發明的第二實施形態的氨水溶液製造裝置進行說明。於圖1中，氨水溶液製造裝置1具有：陽離子交換裝置2，設置於供給作為原料水的超純水W的主配管11的中途；供給管12，於該主配管11的較陽離子交換裝置2更靠下游側合流；及氨供給裝置3，連通於該供給管12。再者，未進行圖示，亦可於氨水溶液製造裝置1中視需要而適宜設置各種過濾器或閥。

於本實施形態中，如上所述的氨水溶液製造裝置1為將氨即銨離子(NH₄ ⁺)溶解者，因此需要將作為雜質的金屬離子去除，因此使用陽離子交換裝置2。於該陽離子交換裝置2中填充有作為陽離子交換體的陽離子交換樹脂。作為該陽離子交換樹脂的離子形，並無特別限定，若為Na形之類的鹽形，則Na等鹽類包含於氨水溶液中，藉此有半導體晶圓被污染之虞，因此較佳為H形或銨離子形。

氨供給裝置3為將氨添加於經陽離子交換裝置2處理的超純水(以下，設為處理水)中而生成氨水溶液者，若為可將氨添加於處理水中者，則該方法並無特別限定。例如，於將氣體狀的氨添加於處理水中而使其溶解的情況下，可使用如下方法：使用中空絲製造的氣體透過膜而使其溶解的方法，或於配管內直接起泡的方法等。另外，於將使氨高濃度地溶解於純水或超純水中而成的水溶液添加於處理水中而進行稀釋的情況下，可使用如下方法：使用往複式定量泵或針筒泵添加儲存於罐中的該水溶液的方法，或藉由將加壓惰性氣體導入至罐內而壓送所述水溶液的壓送方法等。

該氨供給裝置3中的氨的添加位置較佳為與陽離子交換裝置2的出口相距5m以下。藉由如上所述般將與陽離子交換裝置2的出口的間距設為5m以下，可抑制自陽離子交換裝置2搬送處理水的過程中的離子的混入等，並將氨添加於高純度的處理水中。

繼而，對使用具有如上所述的構成的本實施形態的氨水溶液製造裝置1的氨水溶液的製造方法進行說明。

首先，自主配管11供給由超純水製造裝置(未圖示)所製造的超純水W作為原料水，使其接觸於陽離子交換裝置2內的離子交換樹脂。作為此處使用的超純水W，比電阻值為18MΩ．cm以上，金屬離子濃度為10ng/L以下且超過1ng/L。於陽離子交換裝置2中，自該超純水W將陽離子成分去除。藉此，將陽離子交換裝置2的處理水的金屬離子濃度設為1ng/L以下、較佳為0.1ng/L以下。只要自氨供給裝置3將氨經由供給管12添加於經該陽離子交換裝置2處理的超純水W(以下，設為處理水) 中即可。

於如本實施形態般超純水W的金屬離子濃度超過1ng/L的情況下，只要於主配管11的中途設置陽離子交換裝置2而將金屬離子濃度設為1ng/L以下即可。於該情況下，亦可構成為於陽離子交換裝置2的出口側設置測定金屬離子的感測器以監視處理水中的金屬離子濃度。

以上，基於所述實施形態對本發明的氨水溶液的製造裝置及氨水溶液的製造方法進行了說明，但本發明可不限定於所述實施形態地進行各種變形實施。例如，亦可連通於氨供給裝置而設置預備稀釋儲槽，將氨與超純水供給至該預備稀釋儲槽而進行預備稀釋後，再次利用超純水進行稀釋。另外，亦可於該氨供給裝置及預備稀釋儲槽中設置氮氣等惰性氣體的沖洗功能。進而，亦可於氨供給裝置或預備稀釋儲槽中設置氨的濃度感測器，並且於較氨供給點更靠後段處亦設置濃度感測器，以控制氨的添加量。

[實施例]

以下示出實施例及比較例，對本發明進行更具體說明。其中，本發明並不受該些記載的任何限定。

[實施例1]

使用圖2所示的氨水溶液製造裝置1，製造稀氨水作為氨水溶液W1。此處，圖2所示的氨水溶液製造裝置1中，於圖1所示的氨水溶液製造裝置中，於陽離子交換裝置2的上游及下游設置入口取樣點21及處理水取樣點22，並且於氨供給裝置3的氨水的添加部位的下游設置出口取樣點23以用於試驗。

於此種氨水溶液製造裝置中，利用陽離子交換裝置2對金屬離子濃度為10ng/L的超純水W進行處理後，以氨濃度成為35mg/L的方式進行初期設定，自氨供給裝置3注入氨而製造初期氨水溶液。於該初期氨水的濃度穩定的時間點在出口取樣點23取樣初期氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為35mg/L、金屬離子濃度為10ng/L。

其後，以氨濃度成為1mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨的注入量而製造稀氨水W1。對自設定變更經過1分鐘後的出口水進行取樣而對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為10mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)及陽離子交換裝置2的處理水的金屬離子濃度一起示於表1中。

[實施例2]

於實施例1中，以氨濃度成為0.1mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨的注入量，除所述以外，同樣地製造稀氨水W1。然後，自設定變更經過1分鐘後，於出口取樣點23採取氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為0.1mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)及陽離子交換裝置2的處理水的金屬離子濃度一起合併示於表1中。

[實施例3]

於實施例1中，利用陽離子交換裝置2對作為原料水的金屬離子濃度為10ng/L的超純水W進行處理後，以氨濃度成為0.1mg/L的方式進行初期設定，自氨供給裝置3注入氨而製造初期氨水。於該初期氨水的濃度穩定的時間點在出口取樣點23取樣初期氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為0.1mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。

其後，以氨濃度成為35mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨的注入量而製造稀氨水W1。自設定變更經過1分鐘後，於出口取樣點23採取氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為35mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。將該些結果與陽離子交換裝置2的處理水的金屬離子濃度一起示於表1中。

[實施例4]

使用圖3所示的氨水溶液製造裝置1，製造稀氨水W1。此處，圖3所示的氨水溶液製造裝置1為自氨供給裝置3將氨水供給至超純水W中的構成，進而，於氨的添加部位的上游設置入口取樣點21，並且於氨的添加部位的下游設置出口取樣點23以用於試驗。

於此種氨水溶液製造裝置中，以氨濃度成為35mg/L的方式進行初期設定而自氨供給裝置3將氨注入至金屬離子濃度小於0.1ng/L的超純水W中而製造初期氨水。於該初期氨水的濃度穩定的時間點在出口取樣點23取樣初期氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為35mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。

其後，以氨濃度成為10mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨水溶液的注入量而製造稀氨水W1。自設定變更經過1分鐘後，於出口取樣點23採取氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為10mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)及陽離子交換裝置2的處理水的金屬離子濃度一起合併示於表1中。

[實施例5]

於實施例4中，以氨濃度成為0.1mg/L的方式變更設定，變更自氨供給裝置3的氨水溶液的注入量，除所述以外，同樣地製造稀氨水W1。然後，自設定變更經過1分鐘後，於出口取樣點23採取氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為0.1mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)及陽離子交換裝置2的處理水的金屬離子濃度一起合併示於表1中。

[實施例6]

於實施例4中，以氨濃度成為0.1mg/L的方式進行初期設定而自氨供給裝置3將氨注入至金屬離子濃度小於0.1ng/L的超純水W中而製造初期氨水。於該初期氨水的濃度穩定的時間點在出口取樣點23取樣初期氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為0.1mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。

其後，以氨濃度成為35mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨水溶液的注入量而製造稀氨水W1。自設定變更經過1分鐘後，於出口取樣點23採取氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為35mg/L、金屬離子濃度小於0.1ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)及陽離子交換裝置2的處理水的金屬離子濃度一起合併示於表1中。

[比較例1]

使用圖4所示的氨水溶液製造裝置1，製造稀氨水W1。再者，圖4所示的氨水溶液製造裝置1為自氨供給裝置3將氨水供給至超純水W，並且其後利用填充有陽離子交換樹脂的陽離子交換裝置2進行處理的構成，進而，於氨的添加部位的上游設置入口取樣點21，並且於陽離子交換裝置2的下游設置出口取樣點23以用於試驗。

於此種氨水溶液製造裝置中，以氨濃度成為35mg/L的方式進行初期設定而自氨供給裝置3將氨注入至金屬離子濃度為10ng/L的超純水W後，利用陽離子交換裝置2進行處理而製造初期氨水。於該初期氨水的濃度穩定的時間點在出口取樣點23取樣初期氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為35mg/L、金屬離子濃度為10ng/L。

其後，以氨濃度成為10mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨的注入量而製造稀氨水W1。對自設定變更經過1分鐘後的出口水進行取樣而對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為15mg/L、金屬離子濃度為3ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)的金屬離子濃度一起合併示於表1中。

[比較例2]

於比較例1中，以氨濃度成為25mg/L的方式變更設定，變更自氨供給裝置3的氨水溶液的注入量，除所述以外，同樣地製造稀氨水W1。然後，對自設定變更經過1分鐘後的出口水進行取樣而對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為29mg/L、金屬離子濃度小於4ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)的金屬離子濃度一起合併示於表1中。

[比較例3]

於比較例1中，以氨濃度成為0.1mg/L的方式變更設定，變更自氨供給裝置3的氨水溶液的注入量，除所述以外，同樣地製造稀氨水W1。然後，對自設定變更經過1分鐘後的出口水進行取樣而對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為10mg/L、金屬離子濃度小於2ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)的金屬離子濃度一起合併示於表1中。

[比較例4]

於比較例1中，以氨濃度成為0.1mg/L的方式進行初期設定而自氨供給裝置3將氨注入至金屬離子濃度為10ng/L的超純水W後，利用陽離子交換裝置2進行處理而製造初期氨水。於該初期氨水的濃度穩定的時間點在出口取樣點23取樣初期氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為0.1mg/L、金屬離子濃度為10ng/L。

其後，以氨濃度成為35mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨的注入量而製造稀氨水W1。對自設定變更經過1分鐘後的出口水進行取樣而對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為29mg/L、金屬離子濃度為4ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)的金屬離子濃度一起示於表1中。

[比較例5]

於比較例1中，以氨濃度成為35mg/L的方式進行初期設定而自氨供給裝置3將氨注入至金屬離子濃度為100ng/L的超純水W後，利用陽離子交換裝置2進行處理而製造初期氨水。於該初期氨水的濃度穩定的時間點在出口取樣點23取樣初期氨水溶液，對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為35mg/L、金屬離子濃度為10ng/L。

其後，以氨濃度成為10mg/L的方式變更設定，伴隨於此，變更自氨供給裝置3的氨的注入量而製造稀氨水W1。對自設定變更經過1分鐘後的出口水進行取樣而對氨濃度與金屬離子濃度進行測定，結果氨濃度為14mg/L、金屬離子濃度為27ng/L。將該些結果與入口水(超純水W)的金屬離子濃度一起示於表1中。

[表1]

根據表1明確：於使用金屬離子濃度小於0.1ng/L的超純水W作為原料水且將氨水添加於其中的實施例1~實施例6的氨水溶液製造裝置中，與自氨濃度的設定變更經過1分鐘後的氨濃度的設定值的偏離率小，所獲得的稀氨水W1中的金屬離子濃度亦小於0.1ng/L。相對於此，於將氨添加於超純水W後經陽離子交換樹脂處理的比較例1~比較例5的氨水溶液製造裝置中，自氨濃度的設定變更經過1分鐘後的氨濃度的追隨性差，所獲得的稀氨水W1中的金屬離子濃度因氨水的濃度的影響而大。根據該些結果，實施例1~實施例6的氨水溶液製造裝置中，於添加氨後亦可不設置陽離子交換裝置，尤其是實施例4~實施例6中，起到可使裝置大幅度簡略化的效果。

Claims

一種氨水溶液製造裝置，其製造氨水溶液，並將所述氨水溶液供給至使用點，所述氨水溶液是自氨供給裝置將氨添加於原料水中並使其溶解而成，且於所述氨供給裝置的前段處包括陽離子交換裝置，所述原料水是於所述陽離子交換裝置中陽離子成分被去除的金屬離子濃度為1ng/L以下的超純水。
如申請專利範圍第1項所述的氨水溶液製造裝置，其中所述原料水的流入部位與所述氨供給裝置中的所述氨的添加部位的間距為5m以下。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的氨水溶液製造裝置，其中所述氨水溶液的金屬離子濃度為10ng/L以下。
一種氨水溶液的製造方法，其製造氨水溶液，並將所述氨水溶液供給至使用點，所述氨水溶液是自氨供給裝置將氨添加於原料水中並使其溶解而成，且於所述氨供給裝置的前段處包括陽離子交換裝置，所述原料水是於所述陽離子交換裝置中陽離子成分被去除的金屬離子濃度為1ng/L以下的超純水。
如申請專利範圍第4項所述的氨水溶液的製造方法，其中所述氨水溶液的金屬離子濃度為10ng/L以下。