TWI723892B

TWI723892B - 晶體摻雜裝置

Info

Publication number: TWI723892B
Application number: TW109118639A
Authority: TW
Inventors: 朱彥勳; 施英汝
Original assignee: 環球晶圓股份有限公司
Priority date: 2020-06-03
Filing date: 2020-06-03
Publication date: 2021-04-01
Also published as: CN213951411U; CN113755943A; TW202146718A

Abstract

一種晶體摻雜裝置包括一罩蓋、一容杯及一緩衝件，該晶體摻雜裝置是設置於一坩堝上方，該罩蓋內部具有一容置空間，且具有朝向該坩堝方向之一開口；該容杯設置於該容置空間中，且用以容置一摻雜物，該容杯底部呈錐形並具有一開孔；該緩衝件設置於該容置空間中且位於該容杯下方，該緩衝件具有一承接面及一出料部，該承接面呈傾斜設置且位於該開孔的正下方，該出料部連接於該承接面且位置低於該承接面。藉此，改善摻雜效率和避免摻雜物之熔液飛濺。

Description

晶體摻雜裝置

本發明係與晶體摻雜裝置有關；特別是指一種能改善摻雜效率和防止熔液噴濺的晶體摻雜裝置。

在CZ法(Czochralski)製程中，係將矽料置於坩堝內，並將矽料在約1414℃之溫度熔化為液態矽後，將具預定結晶取向之矽晶種下降以接觸液態矽之表面，在適當地溫度控制下，液態矽在矽晶種上形成具有與該矽晶種所具預定結晶取向之單晶，接著，旋轉並慢慢提拉矽晶種及坩堝，以在矽晶種下方形成矽晶棒。

已知於矽中摻入摻雜物（如硼、磷、銻、砷等）能改變矽的導電性能，習用之摻雜方法是將固態摻雜物與固態矽料一起放在石英坩堝內熔化，然而磷、銻、砷等摻雜物在矽熔點溫度附近時的飽和蒸氣壓很高，其揮發速度快造成只有少量摻雜物能夠進入矽晶體中，摻雜效率很低，如要達到目標摻雜濃度，則必須摻入很多的摻雜物。

另一種摻雜方法是待矽料在坩堝內熔化後，再將固態或液態之摻雜物加入坩堝內，以進行摻雜，然而此法容易有熔液飛濺及摻雜物擴散不勻的問題。因此，如何改善摻雜效率並避免於摻雜過程中產生熔液飛濺是亟待解決的問題。

有鑑於此，本發明之目的在於提供一種晶體摻雜裝置，以提高摻雜效率並避免於摻雜過程中產生熔液飛濺。

緣以達成上述目的，本發明提供的一種晶體摻雜裝置包括一罩蓋、一容杯及一緩衝件，該晶體摻雜裝置是設置於一坩堝上方，該罩蓋內部具有一容置空間，且具有朝向該坩堝方向之一開口；該容杯設置於該容置空間中，且用以容置一摻雜物，該容杯底部呈錐形並具有一開孔；該緩衝件設置於該容置空間中且位於該容杯下方，該緩衝件具有一承接面及一出料部，該承接面呈傾斜設置且位於該開孔的正下方，該出料部連接於該承接面且位置低於該承接面。

本發明之效果在於，該容杯內之固態摻雜物受熱熔化為液態時，液態之摻雜物能經該熔杯之開孔流出並落在該緩衝件之承接面上，再經由傾斜設置的該承接面之導引而流至該出料部，而後自該出料部進入該坩堝中，如此一來，藉由該緩衝件之承接面之緩衝，能改善習用晶體摻雜裝置直接將固態或液態摻雜物投入液態矽中，造成熔液飛濺的問題；除此之外，本發明之罩蓋的設計能將受熱揮發之氣態摻雜物限制於罩蓋內，使氣態的摻雜物也能擴散進入液態的矽料中，具有提升摻雜效率的功效。

為能更清楚地說明本發明，茲舉一較佳實施例並配合圖式詳細說明如後。請參圖１及圖２所示，為本發明一較佳實施例之單晶生長設備1，包含有一腔體10、一坩堝20、一晶體摻雜裝置30及一加熱模組40，該坩堝20、晶體摻雜裝置30及該加熱模組40皆設置於該腔體10中，且該晶體摻雜裝置30設置於該坩堝20上方，該加熱模組40用以提供該坩堝20及該晶體摻雜裝置30熱能，於本實施例中，該加熱模組40使該容杯34維持約700~1000℃之熱場分布，以熔化晶體摻雜裝置30內容置之摻雜物D，並使該坩堝20維持約1414℃以使矽料熔化為液態。

如圖２所示，該晶體摻雜裝置30包含一罩蓋32、一容杯34及一緩衝件36，其中罩蓋32、容杯34及緩衝件36可以是由耐熱1500度以上且不會有汙染物析出如石英或是陶瓷等耐高溫材質製成，但不以前述之材料為限，該罩蓋32內部具有一容置空間S且具有朝向該坩堝20方向之一開口321，該容杯34與該緩衝件36皆設置於該容置空間S中，該容杯34底部呈錐形並具有一開孔341，該緩衝件36設置於該容杯34之下方，且該緩衝件36具有一承接面361及一出料部362，該承接面361呈傾斜設置且位於該容杯34開孔341的正下方，該出料部362連接於該承接面361且位置低於該承接面361。於本實施例中，容杯34與緩衝件36是分開設置的，實務上，不排除將容杯34部分或是完全設置於緩衝件36之內部容置空間中；除此之外，於本實施例中，緩衝件36是以一與容杯34相同之容杯為例說明，於其他實施例中，緩衝件36也可以是只具有承接面361及出料部362的物件，緩衝件36並不一定要具有容杯之杯身。

請配合圖３，該容杯34具有一中心軸線C，該緩衝件36具有一錐孔36a，該錐孔36a的一孔壁361a構成該承接面361，該錐孔36a具有一下開孔362a構成該出料部362，定義有一第一參考面F1垂直該中心軸線C，請再配合圖４，該容杯34之該開孔341具有投影於該第一參考面F1上之一第一投影面A1，該下開孔362a具有投影於該第一參考面F1上之第二投影面A2，其中該第一投影面A1與該第二投影面A2彼此不相交，也就是說，當液態摻雜物由該容杯34之開孔341落下後，不會直接穿過該緩衝件36之下開孔362a而落入坩堝20內之液態矽料的表面I，本發明之該第一投影面A1與該第二投影面A2彼此不相交的設計，能使液態摻雜物由該容杯34之開孔341落下後，先與該緩衝件36之孔壁361a接觸，再滑入該下開孔362a而落入坩堝20中之液態矽料表面I上，具有避免熔液噴濺的功效。

如圖３所示該容杯34之開孔341具有一第一中心點P1，該緩衝件36之錐孔36a的下開孔362a具有一第二中心點P2，該第一中心點P1與該第二中心點P2兩者中之至少一者與該中心軸線C具有一間距，且該間距大於等於3mm，較佳者，該間距大於等於4mm且小於等於10mm，優選為該間距大於等於5mm且小於等於10 mm，於本實施例中，該第一中心點P1與該中心軸線C間之間距定義為第一間距D1，該第二中心點P2與該中心軸線C間之間距定義為第二間距D2，其中該第一間距D1等於該第二間距D2，於其他實施例中，該第一間距D1與該第二間距D2也可以是彼此不相等。值得一提的是，於本實施例中，該間距大於等於該容杯34內半徑R1的8%且小於等於該容杯34內半徑R1的30%，所述該容杯34內半徑R1是自該容杯34內壁至該容杯34中心軸線C的最小距離，本實施例中選用該間距大於等於該容杯34內半徑的8%且小於等於該容杯34內半徑的30%之範圍是因為，當該間距小於該容杯34內半徑R1的8%時，由於該容杯34之開孔341與該緩衝件36之下開孔362a之間距太近，而使得自該容杯34之開孔341落至該緩衝件36之該承接面361的溶液太快由該下開孔362a流出，導致緩衝效果不佳；而當該間距大於該容杯34內半徑R1的30%時，則易因為該容杯34之開孔341與該緩衝件36之下開孔362a之間距太遠，導致溶液在該緩衝件36之該承接面361停留時間太久而有摻雜效果不佳的問題。於其他實施例中，該間距也能滿足大於等於該容杯34內半徑R1的11%且小於等於該容杯34內半徑R1的30%，或是滿足大於等於該容杯34內半徑R1的15%且小於等於該容杯34內半徑的25%之條件。

請配合圖５，定義有一第二參考面F2通過該中心軸線C並垂直於該第一參考面F1，該容杯34底部與該第二參考面F2相交於兩第一線段L1，兩第一線段L1間之夾角θ1大於等於50度且小於等於70度，較佳者，夾角θ1滿足大於等於60度且小於等於65度，該緩衝件36之該承接面361與該第二參考面F2相交於兩第二線段L2，兩第二線段L2間之夾角θ2大於等於50度且小於等於70度，較佳者，夾角θ2滿足大於等於60度且小於等於65度，該容杯34及該緩衝件36之角度設計具有能順利導引液態摻雜物流出之功效，其中設計夾角θ1、夾角θ2大於等於50度且小於等於70度之原因在於，當夾角θ2小於50度時其緩衝效果不佳，容易因為夾角θ2過小於液態摻雜物由該容杯34落下至該緩衝件36時產生噴濺，而夾角θ1、夾角θ2大於70度時，則容易造成液態摻雜物流動速度太慢的問題。於本實施例中，是以夾角θ1與夾角θ2皆等於63度為例說明，實務上，夾角θ1與夾角θ2也可以是不同角度之設計，進一步來說也可以是夾角θ2大於等於夾角θ1之設計。

請配合圖６及圖３，該罩蓋32內壁設置有四個卡槽，各該卡槽具有一朝上的上開放端322a、323a，該些卡槽以兩個為一組，分別定義為第一卡槽322及第二卡槽323，該些第一卡槽322設置於高於該些第二卡槽323的位置，且各該第一卡槽322彼此於水平方向上相對設置、各該第二卡槽323彼此於水平方向上相對設置，該容杯34具有相對設置的二凸耳342，該緩衝件36具有相對設置的二凸耳363，該容杯34之凸耳342與該緩衝件36之凸耳363分別與該第一卡槽322及該第二卡槽323能拆離地連接，且各該凸耳342、363係由各該上開放端322a、323a進入各該卡槽，藉此，使用者於安裝該容杯34及該緩衝件36於該罩蓋32中時，能先將該容杯34由該罩蓋32開口321置入該容置空間S中後，將該容杯34之凸耳342設置於該罩蓋32之第一卡槽322中，而後再將該緩衝件36由該罩蓋32開口321置入該容置空間S中後，將該緩衝件36之凸耳363設置於該罩蓋32之第二卡槽323中，該容杯34之凸耳342與該緩衝件36之凸耳363分別與該第一卡槽322及該第二卡槽323能拆離地設置，具有方便拆裝之功效，除此之外，該容杯34與該緩衝件36之兩件式的設計，具有方便拆裝、清洗之效果。

值得一提的是，如圖２所示，於本實施例中，該容杯34與該緩衝件36是以兩個相同的燒杯為例說明，藉此，當使用者在安裝該容杯34與該緩衝件36時，能先將該容杯34之凸耳342設置於該罩蓋32之第一卡槽322中，而後再將該緩衝件36相對該容杯34設置的方向於水平旋轉180度，並將該緩衝件36之凸耳363設置於該罩蓋32之第二卡槽323中，如此一來，即可達成該容杯34之開孔341與該緩衝件36之下開孔362a彼此交錯的設置，具有方便安裝之功效。

請配合圖７，該罩蓋32於該開口321的周緣具有第一凹槽324及第二凹槽325，該第一凹槽324是自該開口321的周緣凹陷形成，該第一凹槽324之槽底距離該開口321之最小距離h1為大於等於5mm且小於等於15mm，選用該第一凹槽324之槽底距離該開口321之最小距離h1為大於等於5mm且小於等於15mm之範圍是因為，當該最小距離小於5 mm時，該坩堝20內之液態矽料會因虹吸效應被吸入該罩蓋32內，而當該最小距離h1大於15 mm時，則會因為該第一凹槽324之開口過大而導致過度揮發，進而影響摻雜效率，於其他實施例中，該第一凹槽324之槽底距離該開口321之最小距離h1為滿足大於等於8mm且小於等於15mm之條件，或是滿足大於等於5mm且小於等於10mm之條件。該第二凹槽325是自該第一凹槽324之槽底凹陷形成，該第二凹槽325之槽底距離該開口321之最小距離h2為大於該第一凹槽324之槽底距離該開口321之最小距離h1，且該第二凹槽325之槽底距離該開口321之最小距離h2大於等於10mm且小於等於20mm，藉此，該罩蓋32之開口321能更設置於接觸或是靠近該坩堝20內液態矽料表面I的位置以將受熱揮發之氣態摻雜物限制於罩蓋32內避免氣態摻雜物過度揮發，且當該罩蓋32之開口321接觸該坩堝20內液態矽料表面I時，該罩蓋32之容置空間S能透過該第一凹槽324及第二凹槽325與外部相連通，其可避免摻雜物進入液態矽料後，該罩蓋32內部壓力減小而將液態矽料吸入該罩蓋32內部，使得液面升高而使該罩蓋32之容置空間S形成一密閉空間，且當第一凹槽324被該坩堝20內液態矽料表面淹沒時，透過該第二凹槽325之設計，該罩蓋32之容置空間S還是能與罩蓋32外部空間相連通，於本實施例中，該罩蓋32於該開口321的周緣具有兩個相對設置的第一凹槽324，每個第一凹槽324之槽底兩側凹陷形成有兩個第二凹槽325。

於本實施例中，如圖8所示，第一凹槽324是以兩個一組且各該第一凹槽324呈相對設置為例說明，其中該些第一凹槽324以彼此相對的方式設置，具有使該罩蓋32之容置空間S與罩蓋32外部空間之間的氣流流動穩定之功效，實務上，該第一凹槽324之數量也可以是大於一組，一樣具有使該罩蓋32之容置空間S與外部相連通，以避免該罩蓋32之內部容置空間S與外部產生壓差之功效。

值得一提的是，於本實施例中，是以該些第二凹槽325設置於該第一凹槽324之槽底兩側說明，也就是該第二凹槽325a、325b是自該第一凹槽324之槽底凹陷形成，於其他實施例中，如圖9所示，該第二凹槽325a、325b也可以是與各該第一凹槽324相分離的設置，也就是該第二凹槽325a、325b是自該開口321的周緣凹陷形成，且該第二凹槽325a、325b之槽底距離該開口321之最小距離ha2、hb2能選用ha2不等於hb2之設置（如圖9）或是ha2等於hb2之設置，除此之外，該第二凹槽325a、325b之槽寬wa2、wb2能選用wa2不等於wb2之設置或是wa2等於wb2（如圖9）之設置，一樣能達成當第一凹槽324被該坩堝20內液態矽料表面淹沒時，透過該第二凹槽325a、325b之設計，該罩蓋32之容置空間S能與罩蓋32外部空間相連通之效果，此外，於上述該第二凹槽325a、325b與各該第一凹槽324相分離的設置之實施例中，第二凹槽之數量也可以是兩個或是大於兩個。

除此之外，於本實施例中，該第一凹槽324之槽寬w1滿足大於等於該罩蓋32內直徑R2（配合圖3）之25%且小於等於50%，該第二凹槽325之槽寬w2滿足大於等於該罩蓋32內直徑R2之5%且小於等於10%之條件，所述該罩蓋32內直徑R2為該罩蓋32內壁之橫向圓形切面之直徑，選用該第一凹槽324之槽寬w1滿足大於等於該罩蓋32內直徑R2之25%且小於等於50%之條件是因為，當該第一凹槽324之槽寬w1小於罩蓋32內直徑R2之25%時，該坩堝20內液態矽料會因虹吸效應被吸入該罩蓋32內，而當該第一凹槽324之槽寬w1大於罩蓋32內直徑R2之50%時，則會造成氣態摻雜物過度揮發，因此，選用本發明之該第一凹槽324之槽寬w1滿足大於等於該罩蓋32內直徑R2之25%且小於等於50%之條件，可有效地將受熱揮發之氣態摻雜物限制於罩蓋32內並避免氣態摻雜物過度揮發。於其他實施例中，該第一凹槽324之槽寬w1滿足大於等於該罩蓋內直徑R2之30%且小於等於50%之條件或該第一凹槽324之槽寬w1滿足大於等於該罩蓋內直徑R2之35%且小於等於50%之條件。實務上，第一凹槽與第二凹槽也可以是其他例如弧形、倒V形或是任何形狀，並不以本發明之實施例為限。

值得一提的是，於本實施例中，是以該罩蓋32之開口321接觸該坩堝20內液態矽料表面I為例說明，以有效的將受熱揮發之氣態摻雜物限制於罩蓋32內避免氣態摻雜物過度揮發，實務上，如圖10所示該罩蓋32之開口321與液態矽料表面I間之最小距離h3以滿足小於等於10mm之條件為佳，於其他實施例中，該罩蓋32之開口321與液態矽料表面I間之最小距離h3能滿足小於等於 5 mm或小於等於1mm，一樣可達成避免氣態摻雜物擴散之效果。

續請參閱下列表1，其中實驗組是使用本發明之晶體摻雜裝置30進行摻雜之實驗數據，對照組是使用習用晶體摻雜裝置之摻雜數據，所述習用之晶體摻雜裝置係將固態矽料置放於坩堝中熔化為液態矽料後，將燒結於晶種上之固態摻雜物透過吊線垂降至液態矽料中，使得上述固態摻雜物與液態矽料接觸而進行摻雜。其中，根據量測摻雜完成之產品的電阻值，可計算出實際摻入產品之摻雜物的量，而透過計算實際摻入產品之摻雜物的量及投入之摻雜物總量之比例關係可得出摻雜效益，根據表1所示，可知使用本發明之晶體摻雜裝置30進行摻雜相較對照組能得到具有較高摻雜效益之產品，也就是說，使用本發明之晶體摻雜裝置30進行氣態與液態摻雜，能有效減少氣態摻雜物擴散揮發，其摻雜效率較對照組使用固態摻雜之摻雜效率更佳。

表1

	摻雜物狀態	投入之摻雜物總量(g)	電阻值(ohm-cm)	摻入產品之摻雜物 (g)	摻雜效率(%)
對照組	固態	410.00	0.01869	181.10	44.17
實驗組	氣態與液態	380.00	0.01849	184.80	48.63

據上所述，當該容杯34中容置之固態摻雜物D受熱熔化為液態後，液態之摻雜物能經該容杯34之開孔341流出並落在該緩衝件36之承接面361上，再經由傾斜設置的該承接面361之導引而流至該出料部362，而後自該出料部362進入該坩堝20中。藉由該緩衝件36之承接面361之緩衝，能改善習用晶體摻雜裝置直接將固態或液態之摻雜物投入液態矽中，造成熔液飛濺的問題。除此之外，本發明之罩蓋32的設計能將受熱揮發之氣態摻雜物限制於罩蓋32內，使氣態的摻雜物也能由液態的矽料之液面擴散進入矽料中，具有提升摻雜效率的功效。

以上所述僅為本發明較佳可行實施例而已，舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所為之等效變化，理應包含在本發明之專利範圍內。

［本發明］ 1:單晶生長設備 10:腔體 20:坩堝 30:晶體摻雜裝置 32:罩蓋 321:開口 322:第一卡槽 322a、323a:上開放端 323:第二卡槽 324:第一凹槽 325:第二凹槽 34:容杯 341:開孔 342:凸耳 36:緩衝件 361:承接面 362:出料部 363:凸耳 36a:錐孔 361a:孔壁 362a:下開孔 40:加熱模組 A1:第一投影面 A2:第二投影面 C:中心軸線 D:摻雜物 D1:第一間距 D2:第二間距 F1:第一參考面 F2:第二參考面 I:表面 L1:第一線段 L2:第二線段 P1:第一中心點 P2:第二中心點 S:容置空間 θ1、θ2:夾角 R1:內半徑 R2:內直徑 h1,h2,h3,ha2,hb2:距離 w1,w2,wa2,wb2:槽寬Ａ,B:剖視方向

圖1為本發明一較佳實施例之單晶生長設備的示意圖。圖2為上述較佳實施例之晶體摻雜裝置的Ａ－Ａ方向剖面圖。圖3為上述較佳實施例之晶體摻雜裝置的Ａ－Ａ方向剖面圖。圖4為上述較佳實施例之晶體摻雜裝置於投影於第一參考面之示意圖。圖5為上述較佳實施例之容杯、緩衝件與第二參考面之示意圖。圖6為上述較佳實施例之晶體摻雜裝置的剖面圖。圖7為上述較佳實施例之罩蓋與液態矽料液面之示意圖。圖8為圖1的B－B方向剖面圖。圖9為另一較佳實施例之罩蓋與液態矽料液面之示意圖。圖10為另一較佳實施例之罩蓋與液態矽料液面之示意圖。

1:單晶生長設備

10:腔體

20:坩堝

30:晶體摻雜裝置

32:罩蓋

321:開口

324:第一凹槽

325:第二凹槽

40:加熱模組

C:中心軸線

I:表面

A,B:剖視方向

Claims

一種晶體摻雜裝置，設置於一坩堝上方，包括：一罩蓋，內部具有一容置空間，且具有朝向該坩堝方向之一開口；一容杯，設置於該容置空間中，且用以容置一摻雜物，該容杯底部呈錐形並具有一開孔；以及一緩衝件，設置於該容置空間中且位於該容杯下方，該緩衝件具有一承接面及一出料部，該承接面呈傾斜設置且位於該開孔的正下方，該出料部連接於該承接面且位置低於該承接面。
如請求項1所述之晶體摻雜裝置，其中該容杯具有一中心軸線，該緩衝件具有一錐孔，該錐孔的一孔壁構成該承接面，該錐孔具有一下開孔構成該出料部，定義有一第一參考面垂直該中心軸線，該容杯之該開孔具有投影於該第一參考面上之一第一投影面，該下開孔具有投影於該第一參考面上之第二投影面，其中該第一投影面與該第二投影面彼此不相交。
如請求項2所述之晶體摻雜裝置，其中該開孔具有一第一中心點，該錐孔的下開孔具有一第二中心點，該第一中心點與該第二中心點兩者中之至少一者與該中心軸線具有一間距。
如請求項3所述之晶體摻雜裝置，其中該第一中心點與該中心軸線間具有一第一間距，該第二中心點與該中心軸線間具有一第二間距，該第一間距等於該第二間距。
如請求項3所述之晶體摻雜裝置，其中該間距大於等於3mm。
如請求項3所述之晶體摻雜裝置，其中該間距大於等於該容杯內半徑的8%且小於等於容杯內半徑的30%。
如請求項2所述之晶體摻雜裝置，其中定義有一第二參考面通過該中心軸線並垂直於該第一參考面，該容杯底部與該第二參考面相交於兩第一線段，各該第一線段間之夾角大於等於50度且小於等於70度。
如請求項7所述之晶體摻雜裝置，其中該緩衝件之該承接面與該第二參考面相交於兩第二線段，各該第二線段間之夾角大於等於50度且小於等於70度。
如請求項1所述之晶體摻雜裝置，其中該罩蓋內壁具有相對設置的二卡槽，該容杯具有相對設置的二凸耳，該容杯之凸耳能拆離地設置於該罩蓋之卡槽中。
如請求項9所述之晶體摻雜裝置，其中各該卡槽具有一朝上的上開放端，各該凸耳係由各該上開放端進入各該卡槽。
如請求項1所述之晶體摻雜裝置，其中該罩蓋內壁具有相對設置的二卡槽，該緩衝件具有相對設置的二凸耳，該緩衝件之凸耳能拆離地設置於該罩蓋之卡槽中。
如請求項11所述之晶體摻雜裝置，其中各該卡槽具有一朝上的上開放端，各該凸耳係由各該上開放端進入各該卡槽。
如請求項1所述之晶體摻雜裝置，其中該罩蓋於該開口的周緣具有相對設置的至少二第一凹槽，該至少二第一凹槽是自該開口的周緣凹陷形成。
如請求項13所述之晶體摻雜裝置，其中該至少二第一凹槽之槽底距離該開口之最小距離大於等於5mm且小於等於15mm。
如請求項13所述之晶體摻雜裝置，其中該至少二第一凹槽之槽寬滿足大於等於該罩蓋內直徑之25%且小於等於50%之條件。
如請求項13所述之晶體摻雜裝置，其中該罩蓋於該開口的周緣具有至少二第二凹槽，該至少二第二凹槽是自該開口的周緣凹陷形成，該至少二第二凹槽之槽底距離該開口之最小距離大於該至少二第一凹槽之槽底距離該開口之最小距離。
如請求項16所述之晶體摻雜裝置，其中該至少二第二凹槽之槽寬滿足大於等於該罩蓋內直徑之5%且小於等於10%之條件。
如請求項16所述之晶體摻雜裝置，其中該至少二第二凹槽之槽底距離該開口之最小距離大於等於10mm且小於等於20mm。
如請求項1所述之晶體摻雜裝置，其中該罩蓋之該開口與該坩堝中之液態矽料表面間之最小距離滿足小於等於10mm之條件。