TWI721787B - 三維光子晶體的自組裝裝置及自組裝方法 - Google Patents
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Abstract
一種三維光子晶體自組裝的自組裝裝置,包含一震盪產生單元、一電極單元,及一控制單元。該震盪產生單元包括一由壓電材料構成的第一基板、一形成於該第一基板的第二面且非由壓電材料構成的第二基板。該電極單元位於該第一基板的第一面,具有彼此平行且間隔設置的一正電極及一負電極,該控制單元與該電極單元電連接用以提供電壓至該電極單元,並可透過該電極單元激發該第一基板以產生震盪訊號。此外,本發明還提供一種利用該自組裝裝置進行三維光子晶體自組裝的方法。
Description
本發明是有關於一種自組裝裝置及自組裝方法,特別是指一種三維光子晶體的自組裝裝置及自組裝方法。
光子晶體是由具不同折射率之介質經由規則性排列後所得的一維、二維或三維光學結構,此類光學結構因具有不同的光子能隙而可阻止特定頻率波段傳遞從而影響光子運動,故近年來已被積極用來發展不同的光波元件。
一般而言,若要製造由球體組成之三維光子晶體,常見的方式是採用含微米級球體或奈米級球體的懸浮液進行自組裝製作,然而,此時懸浮液中的微米或奈米級球體的咖啡環效應(即微米或奈米級球體於溶液乾燥時集中於液滴周圍)將不容忽視。且,當所採用之球體的尺寸愈小,咖啡環效應愈明顯,進而嚴重破壞球體的排列均勻性,影響自組裝而得的三維光子晶體的特性。此外,
若要製作大面積樣本,由於蒸乾溶液時間增加,也會使咖啡環效應更加顯著。
因此,本發明的目的,即在提供一種可避免三維光子自組裝過程之咖啡環效應的自組裝裝置。
於是,本發明的三維光子晶體的自組裝裝置,用於令一含有多數微粒的液滴進行微粒自組裝,而形成三維光子晶體。該自組裝裝置包含一震盪產生單元、一電極單元,及一控制單元。
該震盪產生單元包括一由壓電材料構成的第一基板,及一第二基板,該第一基板具有彼此反向的一第一面及一第二面,該第二基板形成於該第一基板的第二面,由非壓電材料構成,且該第二基板可供滴設該液滴。
該電極單元位於該第一基板的第一面,具有彼此平行且間隔設置的一正電極及一負電極。
該控制單元與該電極單元電連接用以提供電壓至該電極單元,並可透過該電極單元激發該第一基板以產生震盪訊號。
此外,本發明的另一目的,即在提供一種可避免三維光子自組裝過程之咖啡環效應的自組裝方法。
於是,本發明三維光子晶體的自組裝方法,包含以下步
驟。
準備一如前所述的自組裝裝置。
將一含有多數微粒的液滴滴設在該第二基板反向該第一基板的表面,令該等微粒進行自組裝,並在該等微粒進行自組裝的期間同時利用該控制單元提供預定電壓至該電極單元,以激發該第一基板產生震盪訊號,該震盪訊號經由該第一基板傳遞至該第二基板,再經由該第二基板傳遞至該液滴,令該等微粒於自組裝期間同時接收該震盪訊號。
本發明的功效在於:透過該自組裝裝置提供之震盪訊號,而可有效侷限該第二基板上方之液滴內的微粒分佈,進而可令該等微粒自組裝成三維光子晶體,並有效解決該等微粒自組裝成三維光子晶體時的咖啡環效應。
2:震盪產生單元
21:第一基板
211:第一面
212:第二面
22:第二基板
23:耦合層
24:疏水層
3:電極單元
31:正電極
32:負電極
4:控制單元
41:訊號產生器
42:功率放大器
43:電源供應器
5:溫控單元
51:腔體
52:溫控器
100:液滴
101:微粒
本發明的其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中:圖1是本發明三維光子晶體的自組裝裝置的實施例的側視示意圖;圖2是說明利用本發明該實施例進行三維光子晶體自組裝以及以自然蒸發進行三維光子晶體自組裝的結果;及
圖3是利用本發明該實施例進行三維光子晶體自組裝所得之三維光子晶體樣品的光穿透率頻譜圖。
在本發明被詳細描述的前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1,本發明三維光子晶體的自組裝裝置,是可用於令一含有多數微粒101的液滴100進行自組裝,而形成三維光子晶體。
該自組裝裝置包含一震盪產生單元2、一電極單元3、一控制單元4,及一溫控單元5。
該震盪產生單元2包括一第一基板21,且該第一基板21具有彼此反向的第一面211及第二面212、一形成於該第一基板21的第二面212的第二基板22、一介於該第一基板21與該第二基板22之間的耦合層23,以及一覆蓋該第二基板22遠離該第一基板21表面的疏水層24。
詳細的說,該第一基板21由壓電材料構成,該壓電材料可選自鈮酸鋰(Lithium Niobate,LiNbO3)、氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO),或氮化鋁(Aluminum Nitride,AlN)等。該第二基板22的構成材料與該第一基板21不同且為非壓電材料,例如玻
璃、高分子、鋼片等,於本實施例中,該第一基板21與該第二基板22的構成材料分別以鈮酸鋰、及玻璃為例說明,然實際實施時並不以此為限。
該耦合層23介於該第一、二基板21、22之間作為傳遞媒介,以避免該震盪訊號於該第一基板21與該第二基板22之間傳遞時的能量損失。由於該第一、二基板21、22之間的介面原本為空氣,然而空氣並無法有效傳遞超音波,因此,可在第一、二基板21、22之間填充傳遞媒介以避免超音波於經過該第一、二基板21、22之間的能量損失。
該耦合層23的材料選擇係依據不同的震盪頻率而有所不同,例如:去離子水(DI water)、無氣水(Degassed water)、水基(water-based)潤滑劑(例如K-Y gel)等。此外,如文獻1(Poltawski L.and T.Watson(2007),Relative transmissivity of ultrasound coupling agents commonly used by therapists in the UK,Ultrasound Med Biol)也公開於不同震盪頻率(1.1MHz、3.4MHz)時不同耦合劑的透射率(transmissivity),本技術領域者可依據相關的技術資訊,於不同震盪頻率時選擇適合的材料作為該耦合層23的構成材料。
該疏水層24設置於該第二基板22表面,選自含氟高分子或聚矽氧烷等疏水性材料,可用於減少因為該第二基板22的親水表面對液滴100的邊界拘束力,增加該液滴與接觸面(該第二基板22
表面)的接觸角,以避免液滴內的懸浮微粒被侷限而聚集於液滴邊界。要說明的是,該疏水層24是用於降低該第二基板22表面的親水性,因此,也可視需求或是當該第二基板22本身為疏水性材料時,而可無須設置該疏水層24。
該電極單元3位於該第一基板21的第一面211,具有成長條形狀的一正電極31及一負電極32,且該正電極31及負電極32彼此平行且間隔設置於該第一面211。要說明的是,該電極單元3可以是直接形成於該第一基板21的第一面211,或是獨立於該第一基板21,只要是令該正電極31及負電極32是以平行設置方式並與該第一面211接觸即可,並無需特別限制。
該控制單元4與該電極單元3電連接,用以提供電壓至該電極單元3,並可透過該電極單元3激發該第一基板21以產生震盪訊號。
詳細的說,該控制單元4包含一用以設定震盪參數(震盪頻率、振幅、波形)的訊號產生器41(例如具訊號產生功能的示波器或壓控震盪器)、一與該訊號產生器41訊號連接,用以放大該訊號產生器41產生之振盪訊號的功率放大器42,及一與該功率放大器42電連接,用以提供預定電壓至該功率放大器42的電源供應器43。
該溫控單元5具有一可用於容置該震盪產生單元2的腔體51,及一令該腔體51維持一預設溫度的溫控器52,該溫控器52可
以選自紅外線加熱器或是電熱管等,可令容置於該腔體51的該震盪產生單元2維持在一預設溫度條件。
透過該控制單元4設定振盪頻率、振幅及波形並經由該電極單元3傳至壓電基板(第一基板21)藉以產生蘭姆波(Lamb wave)震盪訊號。當蘭姆波經由該第一基板21被傳遞至玻璃基板(第二基板22)時,即可有效侷限位於該第二基板22上方之液滴100內的微粒101分佈,進而可在該等微粒101自組裝形成三維光子晶體時有效解決咖啡環效應的問題,而可得到均勻且大面積的三維光子晶體。
要說明的是,隨著提供的電訊號(即頻率)不同,或是該第二基板22的材料及厚度的不同,產生蘭姆波所需的共振頻率也不盡相同。一般表面聲波元件為利用在壓電基板表面製作指叉式電極而得,然而,此種元件所激發出來的振盪頻率會受限於指叉型電極的指與指之間的間距、指對數量以及基板材料。也就是說,一般具有指叉型電極的表面聲波元件於製作完成後其可產生的振盪頻率會隨著電極的結構而被限定。而本案則是利用彼此平行的正、負電極31、32配合訊號產生器4提供電訊號使壓電基板(第一基板21)產生震盪,因此,隨著提供的電訊號不同還能產生其它階的震盪,而令本發明的該自組裝裝置所產生的振盪頻率可以是在一範圍區間而非單一頻率,而得以讓本發明的自組裝裝置可更廣泛的應用於不
同的壓電材料或是不同厚度的基板。
當利用本發明該自組裝裝置的實施例進行三維光子晶體自組裝時,可先進行步驟(a),準備一含有多數微粒101的溶液。
該等微粒101為球形,材料可選自聚苯乙烯(PS)、二氧化矽(SiO2)等,且該等微粒101的粒徑可視所需求之光子晶體所需的特性而可為微米級或奈米級等不同選擇。由於用於三維光子晶體自組裝的微粒101的材料、粒徑的等相關特性及選擇條件為本技術領域者習知,且非為本發明之重點,因此,不再多加贅述。
接著,進行步驟(b),將含有該等微粒101的溶液滴於該疏水層24上形成該液滴100,並同時利用該訊號產生器41設定振盪頻率、振幅及波形,並利用該電源供應器43提供穩定電壓給該功率放大器42,使該功率放大器42放大振盪功率,並將被放大之振盪訊號傳至壓電基板(第一基板21)以產生蘭姆波。該蘭姆波即可再藉由該耦合層23再被傳遞至該第二基板22,而可有效侷限位於該第二基板22上方之液滴100內的微粒101分佈,進而可在該等微粒101自組裝形成三維光子晶體時有效避免咖啡環效應的問題,而可得到均勻且大面積的三維光子晶體。
此外,透過該溫控單元5可讓自組裝過程於高於室溫的溫度條件下進行,可加速液滴100的蒸發速度,有助減緩咖啡環效應影響。然而,要說明的是,也可視自組裝條件而可無須使用該溫控
單元5。
要再說明的是,本發明該自組裝裝置除了可應用於三維光子晶體的自組裝而避免咖啡環效應之外,也可應用於其它非三維光子晶體的自組裝過程以避免咖啡環效應的產生。
參閱圖2、圖3及表1,圖2(a)、(b)分別是以相同溶液(液滴)100分別利用自然蒸發進行自組裝,以及利用本發明該實施例進行三維光子晶體自組裝的樣品照片。圖3是取圖2(b)經自組裝而得的樣品於兩個任選位置(1、2)的光穿透率量測結果。表1是圖2(b)的自組裝條件及相關參數。
由圖2(a)可清楚看出,因為咖啡環效應,奈米微粒101
於中心位置的沉積結果並不理想,而是聚積在液滴100邊緣形成環狀圖案,導致沉積均勻性不佳。反觀圖2(b),由圖2(b)可清楚看出,因為於自組裝過程中有蘭姆波的介入,使得該等奈米微粒101可均勻地分佈在該第二基板22表面。而再由圖3的光穿透率量測結果可知,經由本發明的方法自組裝而得的三維光子晶體,於任選的兩個位置皆在波長500nm附近出現明顯的穿透率波谷,此波谷位置與理論之光子能隙(photonic bandgap)位置相吻合,由此可知本發明的自組裝裝置確實可有效解決微粒101於自組裝過程的咖啡環效應,而可得到均勻且大面積的三維光子晶體。
綜上所述,本發明透過該自組裝裝置產生蘭姆波(Lamb wave)震盪訊號,而可有效侷限位於該第二基板22之液滴100的微粒101分佈,進而可有效解決微粒101於自組裝過程的咖啡環效應,而得到均勻且大面積的三維光子晶體,故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者,僅為本發明的實施例而已,當不能以此限定本發明實施的範圍,凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
2:震盪產生單元
21:第一基板
211:第一面
212:第二面
22:第二基板
23:耦合層
24:疏水層
3:電極單元
31:正電極
32:負電極
4:控制單元
41:訊號產生器
42:功率放大器
43:電源供應器
5:溫控單元
51:腔體
52:溫控器
100:液滴
101:微粒
Claims (8)
- 一種自組裝裝置,用於令一含有多數微粒的液滴進行微粒自組裝,而形成三維光子晶體,該自組裝裝置包含: 一震盪產生單元,包括一第一基板及一第二基板,該第一基板由壓電材料構成並具有彼此反向的一第一面及一第二面,該第二基板形成於該第一基板的第二面並由非壓電材料構成,且該第二基板可供滴設該液滴; 一電極單元,位於該第一基板的第一面,具有彼此平行且間隔設置的一正電極及一負電極;及 一控制單元,與該電極單元電連接用以提供電壓至該電極單元,並可透過該電極單元激發該第一基板以產生震盪訊號。
- 如請求項1所述的自組裝裝置,還包含一溫控單元,具有一用於容置該震盪產生單元的腔體,及一令該腔體維持一預設溫度的溫控器。
- 如請求項1所述的自組裝裝置,其中,該震盪產生單元還包含一介於該第一基板與該第二基板之間,並用於傳遞震盪訊號的耦合劑。
- 如請求項1所述的自組裝裝置,其中,該震盪產生單元還具有一形成於該第二基板表面的疏水層,該液滴是滴設於該疏水層上。
- 如請求項1所述的自組裝裝置,其中,該控制單元包含一用以設定震盪參數的訊號產生器、一與該訊號產生器訊號連接的功率放大器,及一與該功率放大器電連接,用以提供預定電壓至該功率放大器的電源供應器。
- 一種三維光子晶體的自組裝方法,包含: 準備一如請求項1所述的自組裝裝置;及 將一含有多數微粒的液滴滴設在該第二基板反向該第一基板的表面,令該等微粒進行自組裝以形成三維光子晶體,並在該等微粒進行自組裝的期間利用該控制單元提供預定電壓至該電極單元,以激發該第一基板產生震盪訊號,該震盪訊號經由該第一基板傳遞至該第二基板,再經由該第二基板傳遞至該液滴,令該等微粒於自組裝期間同時接收該震盪訊號。
- 如請求項1所述的三維光子晶體的自組裝方法,其中,該等微粒的粒徑為奈米級或微米級。
- 如請求項1所述的三維光子晶體的自組裝方法,其中,該三維光子晶體於任意兩點的光阻斷波長相同。
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---|---|---|---|---|
TW201539558A (zh) * | 2014-04-10 | 2015-10-16 | Applied Materials Inc | 3d結構半導體應用之利用圖案化自組裝單層的選擇性原子層沉積製程 |
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2020
- 2020-02-19 TW TW109105285A patent/TWI721787B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TW201539558A (zh) * | 2014-04-10 | 2015-10-16 | Applied Materials Inc | 3d結構半導體應用之利用圖案化自組裝單層的選擇性原子層沉積製程 |
TW201740441A (zh) * | 2014-04-10 | 2017-11-16 | 應用材料股份有限公司 | 3d結構半導體應用之利用圖案化自組裝單層的選擇性原子層沉積製程 |
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