TWI718932B - 排出流動調節部及其等離子處理裝置及等離子處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種包括排出流動調節部的等離子處理裝置，該排出流動調節部位於作為用等離子對基板進行處理的空間的腔室來調節對該基板進行處理的等離子的排出流動，其中，該排出流動調節部為形成有向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀，且沿周向形成有作為向水準方向貫通由下端向上部隔開的位置的孔的排出部。

Description

排出流動調節部及其等離子處理裝置及等離子處理方法
本發明涉及一種排出流動調節部及其等離子處理裝置。
用等離子對基板S進行處理的等離子處理裝置包括腔室100。
腔室100包括作為形成等離子的內部區域的形成區域110、作為用等離子對基板S進行處理的內部區域的處理區域120、以及作為向泵排出用等離子對基板S進行處理的內部區域的排出區域130。
這樣的等離子形成作為等離子從處理區域120向排出區域130移動的流動的排出流動。
此時，排出流動的速度在相比基板S的內側與泵更鄰接的基板S的外側更快。
這使等離子對基板S的外側處理得多於基板S的內側，使得基板S的外側的蝕刻比(Etching Rate)高於基板S的內側的蝕刻比。
從結果而言，存在著基板S的外側的蝕刻比和基板S的內側的蝕刻比不同的問題。
尤其，當基板S的直徑較大或處理區域120為高壓時，則存在基板S的外側的蝕刻比和基板S的內側的蝕刻比的差更增加的問題。
本發明的目的在於提供一種排出流動調節部及其等離子處理裝置。
本發明的實施例的排出流動調節部位於作為用等離子對基板進行處理的空間的腔室並調節對該基板進行了處理的等離子的排出流動，其中，該排出流動調節部為形成有向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀，且沿周向形成有作為向水準方向貫通從下端向上部隔開的位置的孔的排出部。
較佳地，本發明的實施例的排出流動調節部的特徵在於，沿該排出流動調節部的周向形成有複數個該排出部，複數個該排出部沿該排出流動調節部的周向彼此以規定的間距隔開排列。
較佳地，本發明的實施例的排出流動調節部的特徵在於，沿該排出流動調節部的周向形成有複數個該排出部，複數個該排出部以相向的一對對稱的方式排列。
較佳地，本發明的實施例的排出流動調節部的特徵在於，作為該排出流動調節部的下端至形成有該排出部的位置之前的高度的第一高度大於該排出部的高度。
較佳地，本發明的實施例的排出流動調節部的特徵在於，引導部連接於該排出流動調節部的一側，該引導部以與向垂直方向貫通該排出流動調 節部的孔連通的方式形成有向垂直方向貫通的孔，且孔的大小由上側朝下側方向變小的漏斗形狀。
本發明的實施例的排出流動調節部包括：腔室，其包括作為形成等離子的區域的形成區域、作為用該等離子對基板進行處理的區域的處理區域、以及作為與泵連接而排出對該基板進行了處理的等離子的區域的排出區域；卡盤，其位於該處理區域，供安放該基板；排出流動調節部，其位於該卡盤與該形成區域之間，且具有形成以使該基板露出的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀；以及引導部，其連接於該排出流動調節部的上側，並以與向垂直方向貫通該排出流動調節部的該孔連通的方式形成有向垂直方向貫通的孔，且以能夠對在該形成區域形成的等離子向該處理區域進行導向的方式具有孔的大小由上側朝下側方向變小的漏斗形狀，該排出流動調節部包括：排出部，其各個是在從該排出流動調節部的下端向上部隔開規定距離的位置向水準方向貫通的孔，並以相向的一對對稱地排列的方式沿周向形成有複數個；以及覆蓋部，其從該排出部的下側延伸至該排出流動調節部的下端而具有第一高度以阻擋該等離子的流動，該排出部從比具有該第一高度的該覆蓋部靠上側的位置向該排出區域排出該處理區域的等離子。
較佳地，本發明的實施例的排出流動調節部的特徵在於，複數個該排出部沿該排出流動調節部的周向彼此以規定的間距隔開排列。
本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置包括：腔室，其包括作為形成等離子的區域的形成區域、作為用該等離子對基板進行處理的區域的處理區域、以及作為與泵連接而排出對該基板進行了處理的等離子的區域的排出區域；卡盤，其位於該處理區域，供安放該基板；排出流 動調節部，其位於該卡盤與該形成區域之間，且具有形成以使該基板露出的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀；排出部，其是在從該排出流動調節部的下端向上部隔開規定距離的位置向水準方向貫通的孔，且沿周向形成有複數個；以及流動控制部，其通過在比該排出流動調節部的該下端靠上側的區域升降來變更覆蓋該排出部的程度。
本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置包括：腔室，其包括作為形成等離子的區域的形成區域、作為用該等離子對基板進行處理的區域的處理區域、以及作為與泵連接而排出對該基板進行了處理的等離子的區域的排出區域；卡盤，其位於該處理區域，供安放該基板；以及排出流動調節部，其位於該卡盤與該形成區域之間，且具有形成以使該基板露出的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀，且沿周向形成有作為向水準方向貫通從下端向上部隔開的位置的孔的排出部。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置的特徵在於，沿該排出流動調節部的周向形成有複數個該排出部，複數個該排出部以相向的一對對稱的方式排列。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置的特徵在於，作為該排出流動調節部的下端至形成有該排出部的位置之前的高度的第一高度大於該排出部的高度。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置進一步包括：引導部，其上側以與該形成區域連通的方式位於該形成區域的下部，下側連接於該排出流動調節部，並形成有以與向垂直方向貫通該排出流 動調節部的孔連通的方式向垂直方向貫通的孔，且具有孔的大小由上側朝下側方向變小的漏斗形狀。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置的特徵在於，該排出部形成作為該等離子從該處理區域通過該排出部而向該排出區域移動的流動的第一流動。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置的特徵在於，其進一步包括：第一間距，其形成於該排出流動調節部與該卡盤之間，並藉由該卡盤的升降來調節高度，該第一間距形成作為該等離子從該處理區域通過該第一間距而向排出區域移動的流動的第二流動。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置進一步包括：流動控制部，其為形成有以供該排出流動調節部插入的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀，並與升降機構聯動而升降來變更覆蓋該排出部的程度，且根據藉由升降來變更的覆蓋該排出部的程度來全部或部分地開閉作為該等離子從該處理區域通過該排出部而向該排出區域移動的流動的第一流動。
較佳地，該處理區域包括處理壁，該處理壁的直徑大於該形成區域的直徑，且在中央形成有連通該處理區域和該形成區域的孔，與該形成區域的下側和該引導部的上側結合。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置進一步包括：加熱器，其以位於與該引導部隔開的周圍的方式結合於該處理壁。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置進一步包括：冷卻部，其以位於與該加熱器隔開的周圍的方式結合於該處理壁來降低由該加熱器傳遞的溫度。
較佳地，本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置進一步包括：覆蓋件，其內含該形成區域，當為了清洗該腔室的內部而相對於該處理區域對該覆蓋件進行開封時，該覆蓋件與該處理壁及該排出流動調節部一同被開封。
本發明的實施例的包括排出流動調節部的等離子處理裝置的特徵在於，包括：腔室，其包括作為形成等離子的區域的形成區域、作為用該等離子對基板進行處理的區域的處理區域、以及作為與泵連接而排出對該基板進行了處理的等離子的區域的排出區域；卡盤，其位於該處理區域，供安放該基板；排出流動調節部，其位於該卡盤與該形成區域之間，且具有形成以使該基板露出的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀；以及第一間距，其形成於該排出流動調節部與該卡盤之間，並藉由該卡盤的升降或與升降機構聯動而透過升降來調節高度，該第一間距形成作為該等離子從該處理區域通過該第一間距而向排出區域移動的流動的第二流動。
本發明的實施例的等離子處理裝置的製程步驟包括：使卡盤以已設定的間距接近排出流動調節部的A-1步驟；用等離子對基板進行處理的B-1步驟；測量用該等離子進行了處理的該基板的外側的蝕刻比的C-1步驟；當該基板的外側的蝕刻比低於所設定的基準時使該卡盤以與該排出流動調節部隔開大於已設定的間距的距離的方式下降，當該基板的外側的蝕刻比高於所設定的基準 時使該卡盤以與該排出流動調節部隔開小於已設定的間距的距離的方式升降的D-1步驟。
較佳地，本發明的實施例的等離子處理裝置的製程步驟的特徵在於，該B-1步驟至D-1步驟反復執行至該基板的外側的蝕刻比與所設定的基準相同或相似。
較佳地，本發明的實施例的等離子處理裝置的製程步驟的特徵在於，在該D-1步驟，將該基板的外側的蝕刻比儲存於處理部，該處理部將所儲存的該基板的外側的蝕刻比與已輸入的資料進行比較來匯出該卡盤的升降值，並向控制該卡盤的升降的控制部送出該處理部所匯出的該卡盤的升降值來使該卡盤升降。
較佳地，本發明的實施例的等離子處理裝置的製程步驟的特徵在於，在該C-1步驟還測量該基板的內側的蝕刻比，該D-1步驟的所設定的基準為該基板的內側的蝕刻比。
較佳地，本發明的實施例的等離子處理裝置的製程步驟的特徵在於，在該D-1步驟，將該基板的內側及外側的攝影資料儲存於處理部，該處理部對所儲存的攝影資料的該基板的外側及內側進行比較或與已輸入的資料進行比較來匯出該卡盤的升降值，並向控制該卡盤的升降的控制部送出該處理部所匯出的該卡盤的升降值來使該卡盤升降。
由於基板S的外側的排出流動的速度減小而降低基板S的外側的蝕刻比，因而具有減少基板S的內側和外側的蝕刻比差的效果。
100:腔室
110:形成區域
120:處理區域
130:排出區域
200:排出流動調節部
210:排出部
220:覆蓋部
300:引導部
400:處理壁
500:加熱器
600:冷卻部
700:覆蓋件
800:流動控制部
C:卡盤
F1:第一流動
F2:第二流動
G1:第一間距
H1:第一高度
H2:第二高度
S:基板
圖1是本發明的實施例的排出流動調節部的立體圖。
圖2是本發明的實施例的排出流動調節部的正面圖。
圖3至圖7是本發明的實施例的等離子處理裝置的剖視圖。
以下將描述具體之實施例以說明本發明之實施態樣，惟其並非用以限制本發明所欲保護之範疇。
用等離子對基板S進行處理的等離子處理裝置包括腔室100。
腔室100包括作為形成等離子的內部區域的形成區域110、作為用等離子對基板S進行處理的內部區域的處理區域120、以及作為向泵排出對基板S進行了處理的等離子的內部區域的排出區域130。
這樣的等離子形成作為等離子從處理區域120向排出區域130移動的流動的排出流動。
此時，排出流動的速度在相比基板S的內側與泵更鄰接的基板S的外側更快。
這使等離子對基板S的外側處理得多於基板S的內側，使得基板S的外側的蝕刻比(Etching Rate)高於基板S的內側的蝕刻比。
從結果而言，存在基板S的外側的蝕刻比和基板S的內側的蝕刻比不同的問題。
尤其，當基板S的直徑較大或處理區域120為高壓時，存在基板S的外側的蝕刻比和基板S的內側的蝕刻比差更增加的問題。
為了解決這樣的問題，如圖1和圖2所示，本發明的實施例的排出流動調節部200包括如下特徵。
一種位於作為用等離子對基板S進行處理的空間的腔室100並調節對基板S進行了處理的等離子的排出流動的排出流動調節部200，其中，排出流動調節部200為形成有向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀，並沿周向形成有作為向水準方向貫通從下端向上部隔開的位置的孔的排出部210，且形成有為了阻擋等離子的流動而從排出部210的下側延伸至排出流動調節部200的下端且具有第一高度H1的覆蓋部220。
此時，排出流動調節部200可以包括如下特徵1至特徵4中的一個以上的特徵。
特徵1：可以沿排出流動調節部200的周向形成有複數個排出部210，複數個排出部210可以以相向的一對對稱的方式排列。
特徵2：作為排出流動調節部200的下端至形成有排出部210的位置之前的高度的第一高度H1可以大於排出部210的高度。
即，具有第一高度H1的覆蓋部220可以大於排出部210的高度。
不限於此，第一高度H1也可以小於或等於排出部210的高度。
特徵3：作為排出流動調節部200的上端至排出部210的高度的第二高度H2可以小於第一高度H1。
特徵4：第一高度H1可以是基板S的直徑的50%以下。
由此，經反復性的實驗確認到當第一高度H1為基板S的直徑的50%以下時，基板S的外側的蝕刻比和基板S的內側的蝕刻比差減小的效果(即，提高蝕刻均勻度的效果)。
尤其，確認到當第一高度H1為基板S的直徑的10%至30%時，基板S的蝕刻均勻度非常良好。
例如，當基板S的直徑屬於參考1至參考4的情況時，第一高度H1可以如下所示。
參考1：當基板S的直徑為100mm時，第一高度H1為10mm至30mm； 參考2：當基板S的直徑為150mm時，第一高度H1為15mm至45mm； 參考3：當基板S的直徑為200mm時，第一高度H1為20mm至60mm； 參考4：當基板S的直徑為300mm時，第一高度H1為30mm至90mm。
如圖1和圖2所示，本發明的實施例的排出流動調節部200包括如下特徵。
排出流動調節部200以與向垂直方向貫通的孔連通的方式形成有向垂直方向貫通的孔，在排出流動調節部200的一側連接有孔的大小由上側朝下側方向變小的漏斗形狀的引導部300。
前文中以排出流動調節部200為基準進行了說明，後面將以等離子處理裝置為基準進行說明。
如圖3所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置包括腔室100、卡盤C以及排出流動調節部200。
腔室100包括作為形成等離子的區域的形成區域110、作為用等離子對基板S進行處理的區域的處理區域120、以及作為與泵(pump)連接而排出對基板S進行了處理的等離子的區域的排出區域130。
卡盤C位於處理區域120，供安放基板S。
排出流動調節部200位於卡盤C與該形成區域110之間，其為形成有以使基板S露出的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀，並沿周向形成有作為向水準方向貫通從下端向上部隔開的位置的孔的排出部210，且形成有為了阻擋等離子的流動而從排出部210的下側延伸至排出流動調節部200的下端且具有第一高度H1的覆蓋部220。
此時，排出流動調節部200可以包括如下特徵1至特徵4中的一個以上的特徵。
特徵1：可以沿排出流動調節部200的周向形成有複數個排出部210，複數個排出部210可以以相向的一對對稱的方式排列。
特徵2：作為排出流動調節部200的下端至形成有排出部210的位置之前的高度的第一高度H1可以大於排出部210的高度。
即，具有第一高度H1的覆蓋部220可以大於排出部210的高度。
不限於此，第一高度H1也可以小於或等於排出部210的高度。
特徵3：作為排出流動調節部200的上端至排出部210之前的高度的第二高度H2可以小於第一高度H1。
特徵4：第一高度H1可以為基板S的直徑的50%以下。
由此，經反復性的實驗確認到當第一高度H1為基板S的直徑的50%以下時，基板S的外側的蝕刻比和基板S的內側的蝕刻比差減小的效果(即，提高蝕刻均勻度的效果)。
尤其，確認到當第一高度H1為基板S的直徑的10%至30%時，基板S的蝕刻均勻度非常良好。
例如，當基板S的直徑屬於參考1至參考4的情況時，第一高度H1可以如下所示。
參考1：當基板S的直徑為100mm時，第一高度H1為10mm至30mm；參考2：當基板S的直徑為150mm時，第一高度H1為15mm至45mm；參考3：當基板S的直徑為200mm時，第一高度H1為20mm至60mm；參考4：當基板S的直徑為300mm時，第一高度H1為30mm至90mm。
如圖3所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置包括漏斗形狀的引導部300。
引導部300的上側以與形成區域110連通的方式位於形成區域110的下部，引導部300的下側連接於排出流動調節部200。
引導部300以與向垂直方向貫通排出流動調節部200的孔連通的方式形成有向垂直方向貫通的孔，形成於引導部300的孔的大小由上側朝下側方向變小。
如圖4所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置包括如下特徵。
排出部210形成作為等離子從處理區域120通過排出部210而向排出區域130移動的流動的第一流動F1。
排出部210從排出流動調節部200的一端隔開第一高度H1而形成，且排出部210相比基板S位於上部。
從而，由於等離子在基板S的外側不會立即被排出至排出區域130，因而基板S的外側的排出流動速度減小。
如此，由於基板S的外側的排出流動的速度減小，使得基板S的外側的蝕刻比下降，因而具有減少基板S的內側和外側的蝕刻比差的效果。
基板S的外側的蝕刻比受排出部210的高度所對應的第一流動F1的排出流動的速度變化的影響。
這樣的外側的蝕刻比的影響緣於第一流動F1的速度的變化，作為用於調節第一流動F1的速度的實施例，後面將對形成第一流動F1外的另外的流動來調節第一流動F1的速度的第一實施例和通過開閉排出部210的流動控制部800來調節第一流動F1的速度的第二實施例進行說明。
首先，對調節第一流動F1的量的第一實施例進行說明。
如圖4所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置進一步包括第一間距G1。
第一間距G1形成於排出流動調節部200與卡盤C之間。
即，第一間距G1形成於覆蓋部220與卡盤C之間。
就第一間距G1而言，可以如圖3所示藉由卡盤C的升降來調節第一間距G1的高度，或者，可以如圖7所示與升降機構聯動來調節第一間距G1的高度。
此時，第一間距G1形成作為等離子從處理區域120通過第一間距G1而向排出區域130移動的流動的第二流動F2，並根據第一間距G1的高度來調節第二流動F2的速度。
即，當第一間距G1的高度變高時，第二流動F2的速度變快，當第一間距G1的高度變低時，第二流動F2的速度變慢。
下面對調節第一流動F1的量的第二實施例進行說明。
如圖6所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置包括流動控制部800。
流動控制部800為形成有以使排出流動調節部200插入的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀。
流動控制部800與升降機構聯動而升降來變更覆蓋該排出部210的程度，並根據藉由升降來變更的覆蓋該排出部210的程度來全部或部分地開閉作為該等離子從該處理區域120通過該排出部210而向該排出區域130移動的流動的第一流動F1。
作為不同於前述用於調節第一流動F1的速度的實施例的另一實施例，也可以取代第一流動F1地僅透過第二流動F2來調節外側蝕刻比。
如圖7所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置進一步包括第一間距G1。
第一間距G1形成於排出流動調節部200與卡盤C之間。
就第一間距G1而言，如圖7所示，可以與升降機構聯動來調節第一間距G1的高度。
或者，就第一間距G1而言，如圖3所示，可以藉由卡盤C的升降來調節第一間距G1的高度。
此時，第一間距G1形成作為等離子從處理區域120通過第一間距G1而向排出區域130移動的流動的第二流動F2，並根據第一間距G1的高度來調節第二流動F2的速度。
即，當第一間距G1的高度變高時，第二流動F2的速度變快，當第一間距G1的高度變低時，第二流動F2的速度變慢。
如圖3所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置的處理區域120包括處理壁400。
處理壁400的直徑大於形成區域110的直徑，且在中央形成有連通處理區域120和形成區域110的孔，形成區域110的下側及引導部300的上側結合於處理壁400。
此時，當引導部300未連接於排出流動調節部200的上側時，排出流動調節部200的上側可以直接或間接地結合於處理壁400。
如圖3所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置包括加熱器500。
加熱器500以位於與引導部300隔開的周圍的方式結合於處理壁400。
此時，加熱器500可以是利用電來發熱的發熱體或較高溫度的流體在內部迴圈來發熱的管件。
加熱器500藉由提升排出流動調節部200及引導部300的溫度來防止異物(即，用等離子對基板S進行處理而產生的製程副產物)附著於排出流動調節部200和引導部300，從而增加因污染而進行清洗的週期。
如圖3所示，本發明的實施例的包括等離子處理裝置排出流動調節部200的等離子處理裝置包括降低溫度的冷卻部600。
冷卻部600以位於與加熱器500隔開的周圍的方式結合於處理壁400來降低由加熱器500傳遞的溫度。
此時，冷卻部600使溫度低於加熱器500的溫度的流體在內部迴圈，從而冷卻部600可以阻隔或降低從加熱器500向處理壁400的外側傳導的熱。
如此，冷卻部600降低由加熱器500傳遞至外側的高溫，因而具有防止加熱器500的高溫傳遞至外部而致使用戶暴露於危險的效果。
如圖5所示，本發明的實施例的包括排出流動調節部200的等離子處理裝置進一步包括覆蓋件700。
覆蓋件700內含形成區域110。
當為了清洗腔室100的內部而相對於處理區域120對覆蓋件700進行開封時，覆蓋件700與處理壁400及排出流動調節部200一同被開封。
本發明的實施例的等離子處理裝置的製程步驟包括A-1步驟、B-1步驟、C-1步驟、以及D-1步驟。
在A-1步驟，使卡盤C以已設定的間距接近排出流動調節部200。
在B-1步驟，用等離子對基板S進行處理。
在C-1步驟，對用等離子處理後的基板S的外側的蝕刻比進行測量。
在D-1步驟，當基板S的外側的蝕刻比低於所設定的基準時，使卡盤C以與該排出流動調節部200隔開大於已設定的間距的距離的方式下降；當基板S的外側的蝕刻比高於所設定的基準時，使卡盤C以與該排出流動調節部200隔開小於已設定的間距的距離的方式升降。
此時，B-1步驟至D-1步驟可以反復執行至基板S的外側的蝕刻比與所設定的基準相同或相似。
此外，在D-1步驟，可以將基板S的外側的蝕刻比儲存於處理部，處理部將所儲存的基板S的外側的蝕刻比與已輸入的資料進行比較來匯出卡盤C的升降值，並將處理部所匯出的卡盤C的升降值向控制卡盤C的升降的控制部送出來使卡盤C升降。
此外，在C-1步驟，還可以測量基板S的內側的蝕刻比，D-1步驟的所設定的基準可以是基板S的內側的蝕刻比。
此外，在D-1步驟，可以將基板S的內側及外側的攝影資料儲存於處理部，處理部對所儲存的攝影資料的基板S的外側及內側進行比較或與已輸入的資料進行比較來匯出卡盤C的升降值，並將處理部所匯出的卡盤C的升降值向控制卡盤C的升降的控制部送出來使卡盤C升降。
前述等離子由向腔室100流入的處理氣體與高頻電場產生反應而形成。
因此，無需另行提及，等離子也可以同時意指在形成區域110、處理區域120及排出區域130由處理氣體及處理氣體產生反應而形成的等離子。
此外，其所指還可以包括在處理區域120和排出區域130用等離子對基板S進行處理而產生的製程副產物。
本案所揭示者，乃較佳實施例，舉凡局部之變更或修飾而源於本案之技術思想而為熟習該項技藝之人所易於推知者，俱不脫本案之專利權範疇。
綜上所陳，本案無論就目的、手段與功效，在在顯示其迴異於習知之技術特徵，且其首先發明合於實用，亦在在符合發明之專利要件，懇請 貴審查委員明察，並祈早日賜予專利，俾嘉惠社會，實感德便。
200:排出流動調節部
210:排出部
220:覆蓋部
300:引導部

Claims (16)

  1. 一種包括排出流動調節部的等離子處理裝置，包括：一腔室，其包括作為形成一等離子的區域的一形成區域、作為用該等離子對一基板進行處理的區域的一處理區域、以及作為與一泵連接而排出對該基板進行了處理的該等離子的區域的一排出區域；一卡盤，其位於該處理區域，供安放該基板；一排出流動調節部，其位於該卡盤與該形成區域之間，且具有形成以使該基板露出的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀；以及一引導部，其連接於該排出流動調節部的上側，並以與向垂直方向貫通該排出流動調節部的孔連通的方式形成有向垂直方向貫通的孔，且以能夠對在該形成區域形成的該等離子向該處理區域進行導向的方式具有孔的大小由上側朝下側方向變小的漏斗形狀，該排出流動調節部包括：一排出部，其各個是在從該排出流動調節部的下端向上部隔開規定距離的位置向水準方向貫通的孔，並以相向的一對對稱地排列的方式沿周向形成有複數個；以及一覆蓋部，其從該排出部的下側延伸至該排出流動調節部的下端而具有第一高度以阻擋該等離子的流動，該排出部從比具有該第一高度的該覆蓋部靠上側的位置向該排出區域排出該處理區域的等離子。
  2. 如請求項1所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其中， 複數個該排出部沿該排出流動調節部的周向彼此以規定的間距隔開排列。
  3. 如請求項1所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其中，該排出部形成作為該等離子從該處理區域通過該排出部而向該排出區域移動的流動的一第一流動。
  4. 如請求項3所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其進一步包括：一第一間距，其形成於該排出流動調節部與該卡盤之間，並藉由該卡盤的升降來調節高度，該第一間距形成作為該等離子從該處理區域通過該第一間距而向該排出區域移動的流動的一第二流動。
  5. 如請求項1所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其進一步包括：一流動控制部，其為形成有以供該排出流動調節部的插入方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀，並與升降機構聯動而升降來變更覆蓋該排出部的程度，且根據藉由升降來變更的覆蓋該排出部的程度來全部或部分地開閉作為該等離子從該處理區域通過該排出部而向該排出區域移動的流動的一第一流動。
  6. 一種包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其包括：一腔室，其包括作為形成一等離子的區域的一形成區域、作為用該等離子對一基板進行處理的區域的一處理區域、以及作為與一泵連接而排出對該基板進行了處理的該等離子的區域的一排出區域；一卡盤，其位於該處理區域，供安放該基板； 一排出流動調節部，其位於該卡盤與該形成區域之間，且具有形成以使該基板露出的方式向垂直方向貫通的孔的圓筒形狀；一排出部，其是在從該排出流動調節部的下端向上部隔開規定距離的位置向水準方向貫通的孔，且沿周向形成有複數個；以及一流動控制部，其通過在比該排出流動調節部的該下端靠上側的區域升降來變更覆蓋該排出部的程度。
  7. 如請求項6所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其進一步包括：一引導部，其上側以與該形成區域連通的方式位於該形成區域的下部，下側連接於該排出流動調節部，並形成有以與向垂直方向貫通該排出流動調節部的孔連通的方式向垂直方向貫通的孔，且具有孔的大小由上側朝下側方向變小的漏斗形狀。
  8. 如請求項1或6所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其中，該處理區域包括一處理壁，該處理壁的直徑大於該形成區域的直徑，且在中央形成有連通該處理區域和該形成區域的孔，與該形成區域的下側和該引導部的上側結合。
  9. 如請求項8所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其進一步包括：一加熱器，其以位於與該引導部隔開的周圍的方式結合於該處理壁。
  10. 如請求項9所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其進一步包括：一冷卻部，其以位於與該加熱器隔開的周圍的方式結合於該處理壁 來降低由該加熱器傳遞的溫度。
  11. 如請求項8所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置，其進一步包括：一覆蓋件，其內含該形成區域，當為了清洗該腔室的內部而相對於該處理區域對該覆蓋件進行開封時，該覆蓋件與該處理壁及該排出流動調節部一同被開封。
  12. 一種等離子處理方法，其利用請求項1至11中任一項所述的包括排出流動調節部的等離子處理裝置進行等離子處理，其包括：使該卡盤以已設定的間距接近該排出流動調節部的A-1步驟；用該等離子對該基板進行處理的B-1步驟；測量用該等離子進行處理的該基板的外側的蝕刻比的C-1步驟；以及當該基板的外側的蝕刻比低於所設定的基準時使該卡盤以與該排出流動調節部隔開大於已設定的間距的距離的方式下降，當該基板的外側的蝕刻比高於所設定的基準時使該卡盤以與該排出流動調節部隔開小於已設定的間距的距離的方式升降的D-1步驟。
  13. 如請求項12所述的等離子處理方法，其中，該B-1步驟至D-1步驟反復執行至該基板的外側的蝕刻比與所設定的基準相同或相似。
  14. 如請求項12所述的等離子處理方法，其中，在該D-1步驟，將該基板的外側的蝕刻比儲存於一處理部，該處理部將所儲存的該基板的外側的蝕刻比與已輸入的資料進行比較來匯出該卡盤的升降 值，並向控制該卡盤的升降的一控制部送出該處理部所匯出的該卡盤的升降值來使該卡盤升降。
  15. 如請求項12所述的等離子處理方法，其中，在該C-1步驟還測量該基板的內側的蝕刻比，該D-1步驟的所設定的基準為該基板的內側的蝕刻比。
  16. 如請求項15所述的等離子處理方法，其中，在該D-1步驟，將該基板的內側及外側的攝影資料儲存於一處理部，該處理部對所儲存的攝影資料的該基板的外側及內側進行比較或與已輸入的資料進行比較來匯出該卡盤的升降值，並向控制該卡盤的升降的一控制部送出該處理部所匯出的該卡盤的升降值來使該卡盤升降。
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