TWI718562B - 蒸鍍罩 - Google Patents

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TWI718562B
TWI718562B TW108121220A TW108121220A TWI718562B TW I718562 B TWI718562 B TW I718562B TW 108121220 A TW108121220 A TW 108121220A TW 108121220 A TW108121220 A TW 108121220A TW I718562 B TWI718562 B TW I718562B
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池永知加雄
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日商大日本印刷股份有限公司
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Abstract

本揭示之蒸鍍罩之良否判定方法包含如下步驟：測定P1點至Q1點之尺寸X1、及P2點至Q2點之尺寸X2之測定步驟；基於測定步驟中測定出之尺寸X1及尺寸X2，判定蒸鍍罩之良否之判定步驟。

Description

蒸鍍罩
本揭示係關於一種蒸鍍罩之良否判定方法、蒸鍍罩之製造方法、蒸鍍罩裝置之製造方法、蒸鍍罩之選定方法及蒸鍍罩。
近年來，對於光罩或平板PC(Personal Computer，個人電腦)等可攜帶之設備所使用之顯示裝置謀求高精細，例如像素密度為500ppi以上。又，於可攜帶之設備中，對於支援超高清之需求日益提高，該情形下，謀求顯示裝置之像素密度為例如800ppi以上。
顯示裝置中，又以有機EL顯示裝置因應答性良好、消耗電力低及對比度高而備受矚目。作為形成有機EL顯示裝置之像素之方法，已知有使用形成有以期望之圖案排列之貫通孔之蒸鍍罩，以期望之圖案形成像素之方法(例如參照專利文獻1)。具體而言，首先，使蒸鍍罩以張設之狀態對有機EL顯示裝置用基板密著，接著，將密著之蒸鍍罩及基板一起投入蒸鍍裝置，進行使有機材料蒸鍍於基板之蒸鍍步驟。該情形時，為了精密地製作具有較高像素密度之有機EL顯示裝置，謀求按照設計精密地重現張設時之蒸鍍罩之貫通孔之位置。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2001-234385號公報
本揭示之目的在於提供一種可提高張設時貫通孔之位置精度之蒸鍍罩之良否判定方法、蒸鍍罩之製造方法、蒸鍍罩裝置之製造方法、蒸鍍罩之選定方法及蒸鍍罩。
本揭示之第1態樣係一種蒸鍍罩之良否判定方法，其係判定蒸鍍罩之良否者；該蒸鍍罩於第1方向延伸，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且該良否判定方法包含如下步驟：測定上述P1點至上述Q1點之尺寸X1、及上述P2點至上述Q2點之尺寸X2之測定步驟；及基於上述測定步驟中測定出之上述尺寸X1及上述尺寸X2而判定上述蒸鍍罩之良否之判定步驟。
作為本揭示之第2態樣，於上述第1態樣之蒸鍍罩之良否判定方法中，亦可為於上述判定步驟中，將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX時，判定是否滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0005-1
作為本揭示之第3態樣，於上述第1態樣或第2態樣之蒸鍍罩之良否判定方法中，亦可為上述蒸鍍罩具有複數個貫通孔，於上述判定步驟中，將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX，將上述P1點至上述P2點之尺寸及上述Q1點至上述Q2點之尺寸之設計值設為αY，將上述第2方向上之2個上述貫通孔之中心點間之距離中之最大值設為WY時，判定是否滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0005-2
作為本揭示之第4態樣，於上述第1態樣至第3態樣各者之蒸鍍罩之良否判定方法中，亦可為意圖將上述P1點及上述P2點於蒸鍍時相對於上述第1中心軸線相互對 稱配置，且意圖將上述Q1點及上述Q2點於蒸鍍時相對於上述第1中心軸線相互對稱配置。
作為本揭示之第5態樣，於上述第1態樣至第4態樣各者之蒸鍍罩之良否判定方法中，亦可為上述P1點及上述P2點相對於配置於上述第1方向之中心位置之第2中心軸線配置於一側，上述Q1點及上述Q2點相對於上述第2中心軸線配置於另一側。
作為本揭示之第6態樣，於上述第5態樣之蒸鍍罩之良否判定方法中，亦可為意圖將上述P1點及上述Q1點於蒸鍍時相對於上述第2中心軸線相互對稱配置，且意圖將上述P2點及上述Q2點於蒸鍍時相對於上述第2中心軸線互相對稱配置。
本揭示之第7態樣係一種蒸鍍罩之製造方法，其包含如下步驟：準備蒸鍍罩之步驟；及藉由上述第1態樣至上述第6態樣各者之蒸鍍罩之良否判定方法，判定上述蒸鍍罩之良否之步驟。
本揭示之第8態樣係一種蒸鍍罩之製造方法，其係製造蒸鍍罩者，該蒸鍍罩於第1方向延伸，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點， 其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且該製造方法包含如下步驟：準備上述蒸鍍罩之步驟；測定上述P1點至上述Q1點之尺寸X1，及上述P2點至上述Q2點之尺寸X2之測定步驟；及選定如下之上述蒸鍍罩之選定步驟：將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX時，於上述測定步驟中測定出之上述尺寸X1及上述尺寸X2滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0007-3
作為本揭示之第9態樣，於上述第8態樣之蒸鍍罩之製造方法中，亦可為上述蒸鍍罩具有複數個貫通孔，於上述選定步驟中，選定如下之上述蒸鍍罩：將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX，將上述P1點至上述P2點之尺寸及上述Q1點至上述Q2點之尺寸之設計值設為αY，將上述第2方向上之2個上述貫通孔之中心點間之距離中之最大值設為WY時，滿足：[數4]
Figure 108121220-A0305-02-0008-4
本揭示之第10態樣係一種蒸鍍罩之製造方法，其係製造蒸鍍罩者；該蒸鍍罩係於第1方向延伸且具有複數個貫通孔者，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且該製造方法包含如下步驟：準備上述蒸鍍罩之步驟；測定上述P1點至上述Q1點之尺寸X1，及上述P2點至上述Q2點之尺寸X2之測定步驟；及選定如下之上述蒸鍍罩之選定步驟：將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX，將上述P1點至上述P2點之尺寸及上述Q1點至上述Q2點之尺寸之設計值設為αY，將上述第2方向上之2個上述貫通孔之中心點間之距離中之最大值設為WY時，於上述測定步驟中測定出之上述尺寸X1及上述尺寸X2滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0008-5
另，第7態樣至第10態樣亦可為藉由第7態樣至第10態樣之蒸鍍罩之 製造方法而製造之蒸鍍罩。
本揭示之第11態樣係蒸鍍罩裝置之製造方法，其包含如下步驟：藉由上述第7態樣至上述第10態樣各者之蒸鍍罩之製造方法，準備上述蒸鍍罩之步驟；及對上述蒸鍍罩於上述第1方向賦予張力，將上述蒸鍍罩張設於框架之步驟。
另，第11態樣亦可為藉由第11態樣之蒸鍍罩之製造方法而製造之蒸鍍罩裝置。
本揭示之第12態樣係蒸鍍罩之選定方法，其係選定蒸鍍罩者；該蒸鍍罩於第1方向延伸，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且該選定方法包含如下步驟：測定上述P1點至上述Q1點之尺寸X1、及上述P2點至上述Q2點之尺寸X2之測定步驟；及選定如下之上述蒸鍍罩之選定步驟：將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX時，於上述測定步驟中測定出之上述尺寸X1及上述尺寸X2滿足：[數6]
Figure 108121220-A0305-02-0010-6
本揭示之第13態樣係一種蒸鍍罩之選定方法，其係選定蒸鍍罩者；該蒸鍍罩係於第1方向延伸且具有複數個貫通孔者，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且該選定方法包含如下步驟：測定上述P1點至上述Q1點之尺寸X1、及上述P2點至上述Q2點之尺寸X2之測定步驟；及選定如下之上述蒸鍍罩之選定步驟：將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX，將上述P1點至上述P2點之尺寸及上述Q1點至上述Q2點之尺寸之設計值設為αY，將上述第2方向上之2個上述貫通孔之中心點間之距離中之最大值設為WY時，於上述測定步驟中測定出之上述尺寸X1及上述尺寸X2滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0010-7
本揭示之第14態樣係一種蒸鍍罩，其係於第1方向延伸者，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置； P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且將上述P1點至上述Q1點之尺寸設為X1，將上述P2點至上述Q2點之尺寸設為X2，將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX時，滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0011-8
本揭示之第15態樣係一種蒸鍍罩，其係於第1方向延伸，且具有複數個貫通孔者，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且將上述P1點至上述Q1點之尺寸設為X1，將上述P2點至上述Q2點之尺寸設為X2，將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX，將上述P1點至上述Q2點之尺寸及上述Q1點至上述Q2點之尺寸之設計值設為αY，將上述第2方向上之2個上述貫通孔之中心點間之距離中之最大值設為WY時，滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0012-9
本揭示之第16態樣係一種蒸鍍方法，其包含如下步驟：藉由上述第11態樣之蒸鍍罩裝置之製造方法，準備上述蒸鍍罩裝置之步驟；使上述蒸鍍罩裝置之上述蒸鍍罩與基板密著之步驟；及通過上述蒸鍍罩之上述貫通孔，使蒸鍍材料蒸鍍於上述基板之步驟。
根據本揭示，可提高張設時之貫通孔之位置精度。
10:蒸鍍罩裝置
15:框架
17a:第1耳部
17b:第2耳部
18:中間部
20:蒸鍍罩
20a:第1面
20b:第2面
21:金屬板
21a:第1面
21b:第2面
22:有效區域
23:周圍區域
25:貫通孔
26a、26b:端部
27a:第1側緣
27b:第2側緣
28:總間距標記
30:第1凹部
31:第1凹部30之壁面
35:第2凹部
36:第2凹部35之壁面
41:連接部
42:貫通部
43:頂部
55:母材
56:壓延裝置
56a、56b:壓延輥
57:退火裝置
60:製造裝置
61:芯桿
62:捲繞體
64:長型金屬板
64a:第1面
64b:第2面
64e:側緣
64X:板材
65a:第1光阻圖案
65b:第2光阻圖案
65c、65d:光阻膜
68a、68b:曝光罩
69:樹脂
70:蝕刻機構
72:搬送輥
73:切斷機構
80:良否判定系統
81:載物台
82:尺寸測定裝置
83:判定裝置
86a~86d:夾具
87a~87d:拉伸部
90:蒸鍍裝置
92:有機EL基板
93:磁鐵
94:坩堝
96:加熱器
98:蒸鍍材料
100:有機EL顯示裝置
AL1:第1中心軸線
AL2:第2中心軸線
D1:長度方向
D2:第2方向
L2:直線
N:法線方向
P1:點
P2:點
PU1、PU2:交點
Q1:點
Q2:點
r1:第1凹部30之壁面31之高度
r2:貫通部42之尺寸
t0:厚度
T1、T2:張力
U1:寬度尺寸
U2:凹陷深度尺寸
X1、X2:尺寸
θ2:角度
圖1係顯示具備本揭示之一實施形態之蒸鍍罩裝置之蒸鍍裝置之圖。
圖2係顯示使用圖1所示之蒸鍍罩裝置製造之有機EL顯示裝置之剖視圖。
圖3係顯示本揭示之一實施形態之蒸鍍罩裝置之俯視圖。
圖4係顯示圖3所示之蒸鍍罩之有效區域之部分俯視圖。
圖5係沿圖4之V-V線之剖視圖。
圖6係沿圖4之Ⅵ-Ⅵ線之剖視圖。
圖7係沿圖4之Ⅶ-Ⅶ線之剖視圖。
圖8係將圖5所示之貫通孔及其附近之區域放大顯示之剖視圖。
圖9A係用以說明圖3之蒸鍍罩之尺寸X1及尺寸X2之模式圖。
圖9B係作為圖9A之變化例，用以說明圖3之蒸鍍罩之尺寸X1及尺寸X2之模式圖。
圖9C係作為圖9A之變化例，用以說明圖3之蒸鍍罩之尺寸X1及尺寸X2之模式圖。
圖10係顯示壓延母材而獲得具有期望厚度之金屬板之步驟之圖。
圖11係顯示將藉由壓延所得之金屬板進行退火之步驟之圖。
圖12係用以全體說明本揭示之一實施形態之蒸鍍罩之製造方法之模式圖。
圖13係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，於金屬板上形成光阻膜之步驟之圖。
圖14係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，使曝光罩密著於光阻膜之步驟之圖。
圖15係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，將光阻膜顯影之步驟之圖。
圖16係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，第1面蝕刻步驟之圖。
圖17係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，藉由樹脂被覆第1凹部之步驟之圖。
圖18係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，第2面蝕刻步驟之圖。
圖19係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，繼圖18後之第2面蝕刻步驟之圖。
圖20係顯示本揭示之一實施形態之製造方法中，將樹脂及光阻圖案自長型金屬板去除之步驟之圖。
圖21係顯示藉由壓延所得之長型金屬板之一例之立體圖。
圖22係說明於起伏形狀經壓縮而成為大致平坦狀態之長型金屬板上形成蒸鍍罩之立體圖。
圖23係顯示形成於長型金屬板之複數個蒸鍍罩之立體圖。
圖24係顯示自圖23所示之長型金屬板切出之蒸鍍罩之俯視圖。
圖25係顯示本揭示之一實施形態之蒸鍍罩之良否判定方法中使用之蒸鍍罩之良否判定系統之一例之圖。
圖26係顯示本揭示之一實施形態之蒸鍍罩裝置之製造方法中，張力賦予裝置之一例之圖。
圖27係顯示圖24所示之蒸鍍罩之張設狀態之一例之俯視圖。
圖28係顯示圖24所示之蒸鍍罩之張設狀態之另一例之俯視圖。
圖29係顯示本揭示之一實施例中，αX=200mm、αY=65.0mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖30係顯示本揭示之一實施例中，αX=200mm、αY=43.3mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖31係顯示本揭示之一實施例中，αX=200mm、αY=21.7mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖32係顯示本揭示之一實施例中，αX=300mm、αY=65.0mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖33係顯示本揭示之一實施例中，αX=300mm、αY=43.3mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖34係顯示本揭示之一實施例中，αX=300mm、αY=21.7mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖35係顯示本揭示之一實施例中，αX=400mm、αY=65.0mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖36係顯示本揭示之一實施例中，αX=400mm、αY=43.3mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖37係顯示本揭示之一實施例中，αX=400mm、αY=21.7mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖38係顯示本揭示之一實施例中，αX=600mm、αY=65.0mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖39係顯示本揭示之一實施例中，αX=600mm、αY=43.3mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖40係顯示本揭示之一實施例中，αX=600mm、αY=21.7mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖41係顯示本揭示之一實施例中，αX=800mm、αY=65.0mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖42係顯示本揭示之一實施例中，αX=800mm、αY=43.3mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖43係顯示本揭示之一實施例中，αX=800mm、αY=21.7mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖44係顯示本揭示之一實施例中，αX=900mm、αY=65.0mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
圖45係顯示本揭示之一實施例中，αX=900mm、αY=43.3mm之蒸鍍 罩之良否判定結果之圖。
圖46係顯示本揭示之一實施例中，αX=900mm、αY=21.7mm之蒸鍍罩之良否判定結果之圖。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則「板」、「片材」、「薄膜」等僅基於稱呼之差異，而非相互區別之意。例如，「板」亦包含如可稱為片材或薄膜之構件之概念。又，所謂「面(片材面、薄膜面)」，是指整體性且全面性觀察成為對象之板狀(片材狀、薄膜狀)構件之情形時，與成為對象之板狀構件(片材狀構件、薄膜狀構件)之平面方向一致之面。又，所謂對板狀(片材狀、薄膜狀)之構件使用之法線方向，是指相對於該構件之面(片材面、薄膜面)之法線方向。再者，對於本說明書中使用之、特定形狀或幾何學條件以及該等之程度之例如「平行」或「正交」等用語、長度或角度之值等，並非受限於嚴格之含義，而是解釋為包含可期待相同功能之程度範圍。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則特定形狀或幾何學條件以及該等之程度之例如「平行」或「正交」等用語、長度或角度之值等，並非受限於嚴格之含義，而是解釋為包含可期待相同功能之程度範圍。
本說明書及本圖式中，若某構件或某區域等之某構成設為其他構件或其他區域等其他構成之「於上(或於下)」、「於上側(或於下側)」、或「於上方(或於下方)」之情形時，只要無特別說明，則解釋為不僅包含某構成 與其他構成直接連接之情形，亦包含某構成與其他構成之間含有其他構成之情形。又，只要無特別說明，有時使用上(或上側、上方)或下(或下側、下方)等語詞進行說明，但上下方向亦可顛倒。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則有對同一部分或具有同樣功能之部分標註同一符號或類似符號，省略其重複說明之情形。又，為方便說明，存在圖式之尺寸比例與實際比例不同之情形，或自圖式省略一部分構成之情形。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，可於不產生矛盾之範圍內，與其他實施形態或變化例組合。又，其他實施形態彼此或其他實施形態與變化例亦可於不產生矛盾之範圍內組合。又，變化例彼此亦可於不產生矛盾之範圍內組合。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則對於製造方法等方法揭示複數個步驟之情形時，亦可於揭示之步驟之間，實施未揭示之其他步驟。又，所揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。
本說明書及本圖式中，只要無特別說明，則藉由「~」之記號表述之數值範圍包含置於「~」之符號前後之數值。例如，藉由「34~38質量%」之表述劃定之數值範圍與藉由「34質量%以上且38質量%以下」之表述劃定之數值範圍相同。
本說明書之一實施形態中，舉出製造有機EL顯示裝置時用以將有機材料以期望之圖案於基板上圖案化所使用之蒸鍍罩及其製造方法相關之例進行說明。惟不限於如此之應用，可對使用於各種用途之蒸鍍罩應用本實施形態。
以下，一面參照圖式，一面針對本發明之一實施形態詳細說明。另，以下所示之實施形態為本揭示之實施形態之一例，本揭示並非僅限定於該等實施形態而解釋。另，本案說明書附加之圖式中，為方便圖式及易於理解，有時將縮尺及縱橫之尺寸比等自實物之該等者適當加以變更、誇大。
首先，針對實施使蒸鍍材料蒸鍍於對象物之蒸鍍處理之蒸鍍裝置90，參照圖1進行說明。如圖1所示，蒸鍍裝置90可於其內部，具備蒸鍍源(例如坩堝94)、加熱器96及蒸鍍罩裝置10。又，蒸鍍裝置90亦可進而具備用以將蒸鍍裝置90之內部設為真空氛圍之排氣機構。坩堝94收容有機發光材料等蒸鍍材料98。加熱器96加熱坩堝94，於真空氛圍下使蒸鍍材料98蒸發。蒸鍍罩裝置10配置為與坩堝94對向。
以下，針對蒸鍍罩裝置10進行說明。如圖1所示，蒸鍍罩裝置10具備蒸鍍罩20、及支持蒸鍍罩20之框架15。框架15以避免蒸鍍罩20彎曲之方式，以將蒸鍍罩20於其面方向拉伸之狀態加以支持。蒸鍍罩10如圖1所示，將蒸鍍罩20面向使蒸鍍材料98附著之對象物即基板、例如有機EL基板92地配置於蒸鍍裝置90內。以下之說明中，將蒸鍍罩20之面中，有機 EL基板92側之面稱為第1面20a，將位於第1面20a之相反側之面稱為第2面20b。
蒸鍍罩裝置10如圖1所示，可具備有機EL基板92之、配置於與蒸鍍罩20相反側之面之磁鐵93。藉由設置磁鐵，可藉由磁力將蒸鍍罩20朝磁鐵93側吸引，使蒸鍍罩20密著於有機EL基板92。
圖3係顯示自蒸鍍罩20之第1面20a側觀察蒸鍍罩裝置10之情形之俯視圖。如圖3所示，蒸鍍罩裝置10具備俯視時具有大致矩形狀之複數個蒸鍍罩20，各蒸鍍罩20於蒸鍍罩20之長度方向D1上之一對端部26a、26b固定於框架15。
蒸鍍罩20可包含形成有貫通蒸鍍罩20之複數個貫通孔25之金屬板。自坩堝94蒸發而到達蒸鍍罩裝置10之蒸鍍材料98通過蒸鍍罩20之貫通孔25，附著於有機EL基板92。藉此，能以對應於蒸鍍罩20之貫通孔25之位置之期望之圖案，將蒸鍍材料98成膜於有機EL基板92之表面。
圖2係顯示使用圖1之蒸鍍裝置90製造之有機EL顯示裝置100之剖視圖。有機EL顯示裝置100可具備有機EL基板92、及包含圖案狀設置之蒸鍍材料98之像素。
另，如欲進行複數顏色之彩色顯示，可分別準備搭載有對應於各色之蒸鍍罩20之蒸鍍裝置90，將有機EL基板92依序投入各蒸鍍裝置90。藉 此，例如，可使紅色用有機發光材料、綠色用有機發光材料及藍色用有機發光材料依序蒸鍍於有機EL基板92。
然而，蒸鍍處理有時會於成為高溫氛圍之蒸鍍裝置90之內部實施。該情形時，於蒸鍍處理期間，配置於蒸鍍裝置90內部之蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92亦被加熱。此時，蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92會基於各自之熱膨脹係數而出現尺寸變化之行為。該情形時，較佳為蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92之熱膨脹係數無大幅差異。藉此，可抑制因該等之尺寸變化之差異而引起之位置偏移，其結果，可提高附著於有機EL基板92上之蒸鍍材料之尺寸精度或位置精度。
對此，蒸鍍罩20及框架15之熱膨脹係數可為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。例如，若使用玻璃基板作為有機EL基板92，則作為蒸鍍罩20及框架15之主要材料，可使用包含鎳之鐵合金。例如，作為構成蒸鍍罩20之金屬板之材料，可使用包含30質量%以上且54質量%以下之鎳的鐵合金。作為包含鎳之鐵合金之具體例，除包含34質量%以上且38質量%以下之鎳之銦鋼材、30質量%以上且34質量%以下之鎳外，可進而舉出包含鈷之超銦鋼材、包含38質量%以上且54質量%以下之鎳之低熱膨脹Fe-Ni系鎳合金等。
另，蒸鍍處理時，若蒸鍍罩20、框架15及有機EL基板92之溫度未達到高溫，可不將蒸鍍罩20及框架15之熱膨脹係數設為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。該情形時，作為構成蒸鍍罩20之材料，亦可使用上 述鐵合金以外之材料。例如，可使用包含鉻之鐵合金等、包含上述鎳之鐵合金以外之鐵合金。作為包含鉻之鐵合金，可使用例如稱為所謂不鏽鋼之鐵合金。又，亦可使用鎳或鎳-鈷合金等鐵合金以外之合金。
接著，針對蒸鍍罩20詳細說明。如圖3所示，本實施形態之蒸鍍罩20可具有細長形狀或棒狀之平面形狀。蒸鍍罩20可具備：一對耳部(第1耳部17a及第2耳部17b)，其構成蒸鍍罩20之長度方向D1之一對端部(第1端部26a及第2端部26b)；及中間部18，其位於一對耳部17a、17b之間。
首先，針對耳部17a、17b詳細說明。耳部17a、17b係蒸鍍罩20中固定於框架15之部分。於本實施形態中，亦可與中間部18一體構成。另，耳部17a、17b亦可藉由與中間部18不同之構件構成。該情形時，耳部17a、17b藉由例如焊接而接合於中間部18。
其次，針對中間部18進行說明。中間部18可包含有效區域22，其形成有自第1面20a至第2面20b之貫通孔25；及周圍區域23，其位於有效區域22周圍，包圍有效區域22。有效區域22亦可為蒸鍍罩20中面向有機EL基板92之顯示區域之區域。
如圖3所示，中間部18可包含沿蒸鍍罩20之長度方向D1空出特定之間隔而排列的複數個有效區域22。一個有效區域22可對應於一個有機EL顯示裝置100之顯示區域。因此，如圖1所示之蒸鍍罩裝置10般，可進行有機EL顯示裝置100之多面附著蒸鍍。
如圖3所示，有效區域22例如可於俯視時具有大致矩形狀之輪廓。另，雖未圖示，但各有效區域22可對應於有機EL基板92之顯示區域之形狀而具有各種形狀之輪廓。例如，各有效區域22亦可具有圓形狀之輪廓。
以下，針對有效區域22詳細說明。圖4係自蒸鍍罩20之第2面20b側將有效區域22放大顯示之俯視圖。如圖4所示，於圖示之例中，形成於各有效區域22之複數個貫通孔25可於該有效區域22中，沿互相正交之二個方向分別以特定之間距排列。貫通孔25亦可於俯視時，如圖4及後述之圖9A般格子狀配置。該情形時，將沿第1方向D1排列之貫通孔25之行設為第1行及第2行，若第1行及第2行於第2方向D2互相相鄰，則第1行之貫通孔25之第1方向D1上之位置、與第2行之貫通孔25之第1方向D1上之位置互為相等。或者，第1行之貫通孔25之第1方向D1上之位置與第2行之貫通孔25之第1方向D1上之位置亦可偏移。例如，如後述之圖9B所示，亦可於對應於第1行之貫通孔25中於第1方向D1上彼此相鄰之貫通孔25之中間位置的位置，配置第2行之貫通孔25。該情形時，如圖9B所示，第1行之貫通孔25之間距亦可與第2行之貫通孔25之間距相等。後述之圖9B所示之貫通孔25之配置亦可謂錯位狀配置。該情形時，若將貫通孔25配置為格子狀或錯位狀，貫通孔25之配置可具有規則性(視情況為對稱性)。藉此，如後述，只要代表性使用相當於多數存在之貫通孔25中之P1點、P2點、Q1點及Q2點之4個貫通孔25，即可良好地判定蒸鍍罩20之良否。又，貫通孔25之平面形狀為任意，可為矩形狀或多角形狀(例如長方形狀或菱形形狀等)。該情形時，各邊可向內側凹陷，或向外側凸出。又，貫通孔25之平 面形狀亦可為圓形狀、橢圓形狀等。圖4中顯示角部帶有圓度之矩形狀之例。
針對貫通孔25之一例，主要參照圖5~圖7進而詳述。圖5~圖7分別為沿圖4之有效區域22之V-V方向~Ⅶ-Ⅶ方向之剖視圖。
如圖5~圖7所示，複數個貫通孔25自沿蒸鍍罩20之法線方向N之成為一側之第1面20a，向沿蒸鍍罩20之法線方向N之成為另一側之第2面20b貫通。圖示之例中，如下文詳述，亦可於蒸鍍罩20之法線方向N上之成為一側之金屬板21之第1面21a藉由蝕刻形成第1凹部30，於蒸鍍罩20之法線方向N上之成為另一側之金屬板21之第2面21b形成第2凹部35。第1凹部30可連接於第2凹部35，藉此以第2凹部35與第1凹部30彼此相通之方式形成。貫通孔25可由第2凹部35，及連接於第2凹部35之第1凹部30構成。
如圖5~圖7所示，沿蒸鍍罩20之法線方向N之各位置之沿蒸鍍罩20之板面之剖面中之各第2凹部35之開口面積，可自蒸鍍罩20之第2面20b之側向第1面20a之側逐漸變小。同樣地，沿蒸鍍罩20之法線方向N之各位置之沿蒸鍍罩20之板面之剖面中之各第1凹部30之開口面積，亦可自蒸鍍罩20之第1面20a之側向第2面20b之側逐漸變小。
如圖5~圖7所示，第1凹部30之壁面31與第2凹部35之壁面36可經由周狀之連接部41連接。將連接部41可藉由相對於蒸鍍罩20之法線方向N傾斜之第1凹部30之壁面31、及相對於蒸鍍罩20之法線方向N傾斜之第2凹部 35之壁面36合流之伸出部之脊線予以區劃。並且，連接部41可區劃蒸鍍罩20之俯視時貫通孔25之開口面積成為最小之貫通部42。
如圖5~圖7所示，沿蒸鍍罩20之法線方向N之另一側之面、即蒸鍍罩20之第1面20a上，相鄰之2個貫通孔25可沿蒸鍍罩20之板面互相分開。即，如後述之製造方法般，自對應於蒸鍍罩20之第1面20a之金屬板21之第1面21a側蝕刻該金屬板21而製作第1凹部30之情形時，金屬板21之第1面21a可殘留於相鄰之2個第1凹部30之間。
同樣地，如圖5及圖7所示，沿蒸鍍罩20之法線方向N之一側、即蒸鍍罩20之第2面20b之側，相鄰之2個第2凹部35可沿蒸鍍罩20之板面互相分開。即，金屬板21之第2面21b可殘留於相鄰之2個第2凹部35之間。以下之說明中，將金屬板21之第2面21b之有效區域22中未被蝕刻而殘留之部分亦稱為頂部43。藉由以殘留如此之頂部43之方式製作蒸鍍罩20，可使蒸鍍罩20具有充分的強度。藉此，例如可抑制蒸鍍罩20於處理中等破損。另，若頂部43之寬度β過大，會於蒸鍍步驟中產生陰影，因此有蒸鍍材料98之使用效率降低之情形。因此，較佳以頂部43之寬度β不會過度變大之方式製作蒸鍍罩20。例如，頂部43之寬度β較佳為2μm以下。另，一般而言，頂部43之寬度β對應於切斷蒸鍍罩20之方向而變化。例如，圖5及圖7所示之頂部43之寬度β會有互不相同之情形。該情形時，蒸鍍罩20可構成為於任一方向切斷蒸鍍罩20之情形時，頂部43之寬度β仍為2μm以下。
又，如圖6所示，亦可視情況而以連接相鄰之2個第2凹部35之方式實施蝕刻。即，可於相鄰之2個第2凹部35之間，存在未殘留金屬板21之第2面21b之部位。又，雖未圖示，但能以遍及第2面21b之全域連接相鄰之2個第2凹部35之方式實施蝕刻。
如圖1所示，將蒸鍍罩裝置10收容於蒸鍍裝置90之情形時，如圖5中二點鏈線所示，蒸鍍罩20之第1面20a面向有機EL基板92，蒸鍍罩20之第2面20b位於收容有蒸鍍材料98之坩堝94側。因此，蒸鍍材料98通過開口面積逐漸變小之第2凹部35而附著於有機EL基板92。圖5中，如自第2面20b側朝向第1面20a之箭頭所示，蒸鍍材料98不僅自坩堝94向有機EL基板92沿有機EL基板92之法線方向N移動，亦會朝相對於有機EL基板92之法線方向N大幅傾斜之方向移動。
此時，若蒸鍍罩20之厚度較大，則於傾斜移動之蒸鍍材料98之多數可在通過貫通孔25到達有機EL基板92之前，到達且附著於第2凹部35之壁面36。因此，為提高蒸鍍材料98之使用效率，考慮較佳為縮小蒸鍍罩20之厚度t，藉此縮小第2凹部35之壁面36或第1凹部30之壁面31之高度。即，作為用以構成蒸鍍罩20之金屬板21，可謂較佳為使用厚度t在可確保蒸鍍罩20之強度之範圍內盡可能小之金屬板21。藉此，可縮小貫通孔25之壁面之高度，可降低蒸鍍材料98中附著於貫通孔25之壁面之比率。因此，可使附著於有機EL基板92之蒸鍍材料98之厚度均等化，為了形成有機EL顯示裝置之像素而使用蒸鍍罩20之情形時，可提高像素之尺寸精度及位置精度而提高有機EL顯示裝置之發光效率。
本實施形態中，蒸鍍罩20之厚度t之範圍之下限例如可為5μm以上，可為8μm以上，可為10μm以上，可為12μm以上，可為13μm以上，亦可為15μm以上。藉此，可確保蒸鍍罩20之強度，抑制蒸鍍罩20產生損傷或變形。又，蒸鍍罩20之厚度t之範圍之上限例如可為20μm以下，可為25μm以下，可為35μm以下，可為40μm以下，可為50μm以下，亦可為100μm以下。藉此，如上述，可降低蒸鍍材料98中附著於貫通孔25之壁面之比率。蒸鍍罩20之厚度t之範圍可藉由上述複數個下限之候選值中之任意1個、及上述複數個上限候選值中之任意1個之組合而規定，例如可為5μm以上100μm以下，可為8μm以上50μm以下，可為10μm以上40μm以下，可為12μm以上35μm以下，可為13μm以上30μm以下，亦可為15μm以上20μm以下。又，蒸鍍罩20之厚度t之範圍亦可藉由上述複數個下限之候選值中之任意2個之組合而規定，例如可為5μm以上15μm以下，可為5μm以上13μm以下，可為8μm以上15μm以下，亦可為8μm以上13μm以下。又，蒸鍍罩20之厚度t之範圍亦可藉由上述複數個上限之候選值中之任意2個之組合而規定，例如可為20μm以上100μm以下，可為20μm以上50μm以下，可為25μm以上100μm以下，亦可為25μm以上50μm以下。另，厚度t係周圍區域23之厚度、即蒸鍍罩20中之未形成第1凹部30及第2凹部35之部分之厚度。因此，厚度t亦可謂金屬板21之厚度。
圖5中，通過成為具有貫通孔25之最小開口面積之部分的連接部41、及第2凹部35之壁面36之其他任意位置之直線L1，相對於蒸鍍罩20之法線方向N所成之最小角度，以符號θ1表示。為了使傾斜移動之蒸鍍材料98不 到達壁面36而盡可能到達有機EL基板92，增大角度θ1較為有利。除了增大角度θ1且縮小蒸鍍罩20之厚度t以外，縮小上述之頂部43之寬度β亦為有效。
圖7中，符號α表示金屬板21之第1面21a之有效區域22中未被蝕刻而殘留之部分(以下亦稱為肋狀部)之寬度。肋狀部之寬度α及貫通部42之尺寸r2係對應於有機EL顯示裝置之尺寸及顯示像素數而適當規定。表1係顯示5英吋之有機EL顯示裝置中，顯示像素數、及對應於顯示像素數求得之肋狀部之寬度α及貫通部42之尺寸r2之值之一例。
Figure 108121220-A0305-02-0027-10
雖未限定於此，但認為本實施形態之蒸鍍罩20於製作450ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置之情形時尤其有效。以下，參照圖8，針對用以製作如此之高像素密度之有機EL顯示裝置所要求之蒸鍍罩20之尺寸之一例進行說明。圖8係將圖5所示之蒸鍍罩20之貫通孔25及其附近之區域放大顯示之剖視圖。
於圖8中，作為與貫通孔25之形狀關聯之參數，自蒸鍍罩20之第1面20a至連接部41之、沿蒸鍍罩20之法線方向N之方向上之距離、即第1凹部30之壁面31之高度，以符號r1表示。再者，第1凹部30連接於第2凹部35之部分之第1凹部30之尺寸、即貫通部42之尺寸，以符號r2表示。又，於圖8中，連結連接部41及金屬板21之第1面21a上之第1凹部30之頂端緣之直線L2相對於金屬板21之法線方向N所成之角度，以符號θ2表示。
如要製作450ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置，貫通部42之尺寸r2較佳設定為10以上且60μm以下。藉此，可提供可製作出高像素密度之有機EL顯示裝置之蒸鍍罩20。第1凹部30之壁面31之高度r1較佳設定為6μm以下。
接著，針對圖8所示之上述角度θ2進行說明。角度θ2相當於以相對於金屬板21之法線方向N傾斜且於連接部41附近通過貫通部42之方式飛來之蒸鍍材料98中，可到達有機EL基板92之蒸鍍材料98之傾斜角度之最大值。這是因為通過連接部41且以大於角度θ2之傾斜角度飛來之蒸鍍材料98，在到達有機EL基板92之前便會附著於第1凹部30之壁面31之故。因此，藉由縮小角度θ2，而可抑制以較大的傾斜角度飛來而通過貫通部42之蒸鍍材料98附著於有機EL基板92，藉此，可抑制蒸鍍材料98附著於較有機EL基板92中重疊於貫通部42之部分更外側之部分。即，認為縮小角度θ2能抑制附著於有機EL基板92之蒸鍍材料98之面積或厚度不均。基於此種觀點，例如亦可將貫通孔25以角度θ2成為45度以下之方式形成。另， 於圖8中，顯示第1面21a之第1凹部30之尺寸、即第1面21a之貫通孔25之開口尺寸大於連接部41之第1凹部30之尺寸r2之例。即，顯示角度θ2之值為正值之例。然而，雖未圖示，但連接部41之第1凹部30之尺寸r2亦可大於第1面21a之第1凹部30之尺寸。即，角度θ2之值亦可為負值。
然而，如圖3所示，蒸鍍罩20亦可如上述，自構成第1端部26a之第1耳部17a遍至構成第2端部26b之第2耳部17b，以於長度方向D1(第1方向)延伸之方式形成。此處，長度方向D1係與壓延母材55(參照圖1)時之搬送方向平行之方向，可為排列有複數個有效區域22之蒸鍍罩20之長度方向。另，搬送一詞如後述，乃作為意指藉由輥至輥進行之母材55之搬送而使用。又，後述之寬度方向D2(第2方向)可為於金屬板21或長型金屬板64之面方向上，與長度方向D1正交之方向。並且，蒸鍍罩20可具有：第1中心軸線AL1，其於長度方向D1延伸，配置於寬度方向D2之中心位置；及第2中心軸線AL2，其於寬度方向D2延伸，配置於長度方向D1之中心位置。寬度方向D2之貫通孔25之個數如為奇數，第1中心軸線AL1通過寬度方向D2中央之貫通孔25之中心點。另一方面，寬度方向D2之貫通孔25之個數如為偶數，第1中心軸線AL1通過於寬度方向D2之中央附近彼此相鄰之2個貫通孔25間之中間點。
本實施形態之蒸鍍罩20如圖9A所示，將後述之P1點至Q1點之尺寸設為X1，將P2點至Q2點之尺寸設為X2，將尺寸X1及尺寸X2之設計值設為αX時，可滿足：[數10]
Figure 108121220-A0305-02-0030-11
 。式(1)之左邊意指設計值與尺寸X1之差，及設計值與尺寸X2之差之平均值之絕對值。
又，本實施形態之蒸鍍罩20為P1點至P2點之尺寸之設計值，且將Q1點至Q2點之尺寸之設計值設為αY，將寬度方向D2之2個貫通孔25之中心點間之距離中之最大值設為WY時，可滿足：
Figure 108121220-A0305-02-0030-12
 。式(2)之左邊意指尺寸X1與尺寸X2之差之絕對值。WY意指配置於最靠第1側緣27a側之貫通孔25之中心點、與配置於最靠第2側緣27b側之貫通孔25之中心點之間的距離(設計值)。如式(2)般藉由使用WY，可避免使用式(2)之蒸鍍罩20之良否判定依存於蒸鍍罩20(或有效區域22)之寬度方向尺寸。
此處，P1點及Q1點可設置於蒸鍍罩20之第1中心軸線AL1之一側(圖9A之左側)，且沿長度方向D1彼此分開。P2點及Q2點可設置於蒸鍍罩20之第1中心軸線AL1之另一側(圖9A之右側)，且沿長度方向D1彼此分開。P1點及P2點可於蒸鍍時相對於第1中心軸線AL1互相對稱地配置。例如，P1點及P2點可意指於蒸鍍時相對於第1中心軸線AL1互相對稱配置之點，且於設計時相對於第1中心軸線AL1互相對稱地配置之點。同樣地，Q1點 及Q2點亦可於蒸鍍時相對於第1中心軸線AL1互相對稱地配置。
P1點及Q1點可作為於設計時(或張設時、蒸鍍時)P1點至Q1點之尺寸X1成為設計值αX之2個點而設定。即，可於設計時將P1點及Q1點設定為以與期望之設計值αX相等之距離分開之任意2個點。P1點及Q1點如圖9A所示，可為分別定位在設置於第1耳部17a與第2耳部17b間之貫通孔25、且為設計時以與期望之設計值αX相等之距離分開之2個貫通孔25之中心點。將如此設定P1點及Q1點之蒸鍍罩20靜置於後述之載物台81等之狀態下之P1點與Q1點間之直線距離，可為尺寸X1。
P2點及Q2點可作為於設計時P2點至Q2點之尺寸X2成為設計值αX之2個點而設定。即，可與P1點及Q1點同樣地，將P2點及Q2點設定為於設計時以與期望之設計值αX相等之距離分開之任意2個點。將如此設定有P2點及Q2點之蒸鍍罩20靜置於後述之載物台81等之狀態下之P2點與Q2點間之直線距離，可為尺寸X2。
靜置於載物台81等之蒸鍍罩20可如後述，彎曲為C字狀(參照圖24)。但，尺寸X1及X2亦可為自C字狀彎曲並靜置之蒸鍍罩20測定之直線距離。
P1點及P2點可相對於蒸鍍罩20之第2中心軸線AL2配置於一側(即，第1耳部17a之側)。又，Q1點及Q2點亦可相對於蒸鍍罩20之第2中心軸線AL2配置於另一側(即，第2耳部17b之側)。但不限於此，P1點及P2點、 Q1點及Q2點亦可相對於第2中心軸線AL2配置於相同側。又，P1點及P2點亦可配置第2中心軸線AL2，又，Q1點及Q2點亦可配置於第2中心軸線AL2。
又，P1點及P2點可作為於設計時(或張設時、蒸鍍時)P1點至P2點之尺寸成為設計值αY之2個點而設定。即，可將P1點及P2點設定為於設計時以與期望之設計值αY相等之距離分開之任意2個點。P1點及P2點可如圖9A所示，分別定位於設計時以與期望之設計值αY相等之距離分開之2個貫通孔25之中心點。
Q1點及Q2點可作為於設計時Q1點至Q2點之尺寸成為設計值αY之2個點而設定。即，亦可將Q1點及Q2點設定為於設計時以與期望之設計值αY相等之距離分開之任意2個點。Q1點及Q2點亦可如圖9A所示，分別定位於設計時以與期望之設計值αY相等之距離分開之2個貫通孔25之中心點。
另，圖9A中，顯示將P1點及P2點設定於有效區域22之複數個貫通孔25中、較配置於最靠第1耳部17a之側(圖9A之上側)之貫通孔25更為第2耳部17b之側(圖9A之下側)之一個貫通孔25的貫通孔25之例，但不限於此。同樣地，顯示將Q1點及Q2點設定於有效區域22之複數個貫通孔25中、較配置於最靠第2耳部17b之側(圖9A之下側)之貫通孔25更為第1耳部17a之側(圖9A之上側)之一個貫通孔25的貫通孔25之例，但不限於此。又，顯示將P1點及Q1點設定於有效區域22之複數個貫通孔25中、較配置於最靠第1側緣27a之側(圖9A之左側)之貫通孔25更為第2側緣27b之側(圖9A之右 側)之一個貫通孔25的貫通孔25之例，但不限於此。同樣地，顯示將P2點及Q2點設定於有效區域22之複數個貫通孔25中、較配置於最靠第2側緣27b之側(圖9A之右側)之貫通孔25更為第1側緣27a之側(圖9A之左側)之一個貫通孔25的貫通孔25之例，但不限於此。即，P1點、Q1點、P2點及Q2點如上述，只要成為設計時如設計值αX及αY般之4個點，則可設定為任意之貫通孔25之中心點。
然而，P1點及P2點亦可自除配置於最靠第1耳部17a側之貫通孔25以外之貫通孔25起設定。最靠第1耳部17a側之貫通孔25配置在配置於最靠第1耳部17a側之有效區域22中最外側(第1耳部17a之側)，與周圍區域23相鄰。因而會有該有效區域22之其他貫通孔25較該貫通孔25位置精度更高之情形，故亦可將配置於較最靠第1耳部17a側之貫通孔25更靠第2耳部17b側之貫通孔25(例如，圖9A中設定有P1點及P2點之貫通孔25，或較該貫通孔25更下側之貫通孔25)設定為P1點及P2點。
又，Q1點及Q2點亦可自除配置於最靠第2耳部17b側之貫通孔25以外之貫通孔25起設定。最靠第2耳部17b側之貫通孔25配置在配置於最靠第2耳部17b側之有效區域22中最外側(第2耳部17b之側)，與周圍區域23相鄰。因而會有該有效區域22之其他貫通孔25較該貫通孔25位置精度更高之情形，故亦可將配置於較最靠第2耳部17b側之貫通孔25更靠第1耳部17a側之貫通孔25(例如，圖9A中設定有Q1點及Q2點之貫通孔25或較該貫通孔25更上側之貫通孔25)設定為Q1點及Q2點。
又，P1點及Q1點亦可自除配置於最靠第1側緣27a側之貫通孔25以外之貫通孔25起設定。最靠第1側緣27a側之貫通孔25配置於有效區域22中最外側(第1側緣27a之側)，與周圍區域23相鄰。因而會有該有效區域22之其他貫通孔25較該貫通孔25位置精度更高之情形，故亦可將配置於較最靠第1側緣27a側之貫通孔25更靠第2側緣27b側之貫通孔25(例如，圖9A中設定有P1點及Q1點之貫通孔25，或較該貫通孔25更右側之貫通孔25)設定為P1點及Q1點。
又，P2點及Q2點亦可自除配置於最靠第2側緣27b側之貫通孔25以外之貫通孔25起設定。最靠第2側緣27b側之貫通孔25配置於有效區域22中最外側(第2側緣27b之側)，與周圍區域23相鄰。因而會有該有效區域22之其他貫通孔25較該貫通孔25位置精度更高之情形，故亦可將配置於較最靠第2側緣27b側之貫通孔25更靠第2側緣27b側之貫通孔25(例如，圖9A中設定有P2點及Q2點之貫通孔25，或較該貫通孔25更左側之貫通孔25)設定為P2點及Q2點。
式(1)及式(2)所示之設計值αX可為尺寸X1之設計值，亦可為尺寸X2之設計值。由於設計時，將P1點及Q1點、P2點及Q2點相對於蒸鍍罩20之第1中心軸線AL1對稱配置，故尺寸X1及尺寸X2可為相同。又，式(2)所示之設計值αY可為P1點至P2點之尺寸之設計值，亦可為Q1點至Q2點之尺寸之設計值。由於設計時，將P1點及Q1點沿長度方向D1配置，且將P2點及Q2點沿長度方向D1配置，故P1點至P2點之尺寸之設計值、與Q1點至Q2點之尺寸之設計值可為相同。此處，所謂設計值意指當張設於框架15 之情形時意圖將貫通孔25配置於期望之位置(蒸鍍目標位置)而設定之數值，亦可相當於張設時之數值。
本實施形態中，設計值αX之範圍之下限例如可為200mm以上，可為300mm以上，亦可為400mm以上。又，設計值αX之範圍之上限例如可為600mm以下，可為800mm以下，亦可為900mm以下。設計值αX之範圍可藉由上述複數個下限之候選值中任意1個、及上述複數個上限之候選值中任意1個之組合而規定，例如可為200mm以上900mm以下，可為300mm以上800mm以下，亦可為400mm以上600mm以下。又，設計值αX之範圍亦可藉由上述複數個下限之候選值中任意2個之組合而規定，例如可為200mm以上400mm以下，可為200mm以上300mm以下，亦可為300mm以上400mm以下。又，設計值αX之範圍亦可藉由上述複數個上限之候選值中任意2個之組合而規定，例如可為600mm以上900mm以下，可為600mm以上800mm以下，亦可為800mm以上900mm以下。
本實施形態中，設計值αY可為21.7mm以上65.0mm以下，可為21.7mm以上43.3mm以下，亦可為43.3mm以上65.0mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為200mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X1可為169.9mm以上232.0mm以下。若設計值αX為200mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X1可為172.8mm以上225.8mm以下。若設計值αX為200mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X1可為176.0mm以上221.2mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為300mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X1可為253.5mm以上348.2mm以下。若設計值αX為300mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X1可為258.7mm以上339.3mm以下。若設計值αX為300mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X1可為263.9mm以上331.7mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為400mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X1可為338.3mm以上464.2mm以下。若設計值αX為400mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X1可為344.8mm以上451.9mm以下。若設計值αX為400mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X1可為351.7mm以上442.3mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為600mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X1可為507.4mm以上696.3mm以下。若設計值αX為600mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X1可為517.5mm以上678.1mm以下。若設計值αX為600mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X1可為527.7mm以上663.4mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為800mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X1可為676.2mm以上927.8mm以下。若設計值αX為800mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X1可為689.9mm以上904.2mm以下。若設計值αX為800mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X1可為703.5mm以上884.8 mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為900mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X1可為761.9mm以上1044.9mm以下。若設計值αX為900mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X1可為776.8mm以上1017.3mm以下。若設計值αX為900mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X1可為791.8mm以上995.6mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為200mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X2可為176.5mm以上217.3mm以下。若設計值αX為200mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X1可為179.9mm以上216.7mm以下。若設計值αX為200mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X1可為182.7mm以上216.4mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為300mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X2可為265.0mm以上326.2mm以下。若設計值αX為300mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X2可為269.9mm以上325.0mm以下。若設計值αX為300mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X2可為274.2mm以上324.5mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為400mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X2可為352.9mm以上435.0mm以下。若設計值αX為400mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X2可為359.8mm以上434.0mm以下。若設計值αX 為400mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X2可為365.5mm以上432.8mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為600mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X2可為529.8mm以上652.3mm以下。若設計值αX為600mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X2可為539.8mm以上650.4mm以下。若設計值αX為600mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X2可為548.1mm以上648.9mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為800mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X2可為706.8mm以上869.8mm以下。若設計值αX為800mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X2可為720.0mm以上867.7mm以下。若設計值αX為800mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X2可為730.8mm以上865.2mm以下。
本實施形態中，若設計值αX為900mm，設計值αY為65.0mm，則尺寸X2可為794.8mm以上977.9mm以下。若設計值αX為900mm，設計值αY為43.3mm，則尺寸X2可為809.4mm以上975.8mm以下。若設計值αX為900mm，設計值αY為21.7mm，則尺寸X2可為822.3mm以上973.9mm以下。
本實施形態中，配置於最靠第1側緣27a側之貫通孔25之中心點、與配置於最靠第2側緣27b側之貫通孔25之中心點間之距離(設計值)即WY， 可為20mm以上350mm以下，可為20mm以上65.0mm以下，亦可為65.0mm以上350mm以下。又，WY亦可為65.0mm。
貫通孔25不限於如圖9A所示般格子狀配置。例如，亦可如圖9B所示，貫通孔25為錯位狀配置。該情形時，如圖9B所示，亦可設定P1點、P2點、Q1點及Q2點。
另，P1點及Q1點只要為沿蒸鍍罩20之長度方向D1配置之任意2點，則可不定位於蒸鍍時供蒸鍍材料98通過之貫通孔25之中心點。例如，可為形成於蒸鍍罩20之第1面20a或第2面20b之任意凹部，或者，亦可為不意圖通過蒸鍍材料90之其他貫通孔(虛設孔)，進而亦可為蒸鍍罩20之外形尺寸。虛設孔於各有效區域22中，有配置於外側(第1耳部17a之側、第2耳部17b之側、第1側緣27a之側或第2側緣27b之側)之情形。例如，不僅配置於有效區域22之最外側之貫通孔25，亦有將自該貫通孔25起1個或複數個內側之貫通孔25作為虛設孔而構成之情形。作為此種虛設孔之貫通孔25於蒸鍍時供蒸鍍材料98通過，但通過且附著於有機EL基板92之蒸鍍材料98不作為像素使用。
例如，如圖9C所示，可將P1點、Q1點、P2點及Q2點定位於總間距標記28之中心點。總間距標記28係配置於各有效區域22之角部附近且有效區域22之外側(即周圍區域23)之標記。總間距標記28於後述之第1面蝕刻步驟或第2面蝕刻步驟中，可於第1面20a或第2面20b上之期望位置，以半蝕刻形成凹狀。或者，亦可形成自第1面20a延伸至第2面20b之貫通 孔，將其作為總間距標記28。又，於圖9C中顯示總間距標記28之平面形狀為圓形之例，但並非限定於此，亦可設為矩形等任意形狀。
接著，針對製造蒸鍍罩20之方法進行說明。
首先，針對用以製造蒸鍍罩所使用之金屬板之製造方法之一例進行說明。
首先，如圖10所示，作為壓延步驟，可準備由包含鎳之鐵合金構成之母材55，將該母材55向包含一對壓延輥56a、56b之壓延裝置56沿箭頭D1所示之方向搬送。到達一對壓延輥56a、56b間之母材55藉由一對壓延輥56a、56b被壓延，其結果，母材55之厚度減低，且沿搬送方向延伸。藉此，可獲得厚度t0之板材64X。如圖10所示，可藉由將板材64X捲繞於芯桿61而形成捲繞體62。厚度t0之具體之值，較佳如上述為5μm以上且85μm以下。
另，圖10僅為顯示壓延步驟之概略之圖，用以實施壓延步驟之具體構成及順序並無特別限定。例如，壓延步驟可包含如下步驟：熱壓延步驟，其以使構成母材55之銦鋼材之結晶排列變化之溫度以上之溫度加工母材；冷壓延步驟，其以使銦鋼材之結晶排列變化之溫度以下之溫度加工母材。又，使母材55或板材64X通過一對壓延輥56a、56b之間時之朝向不限於一方向。例如，圖10及圖11中，亦可以自紙面左側向右側及自紙面右側向左側之朝向，重複使母材55或板材64X通過一對壓延輥56a、56b之間， 藉此逐漸壓延母材55或板材64X。
其後，亦可實施如下之開縫步驟：使板材64X之寬度成為特定範圍地，將藉由壓延步驟而得之板材64X之寬度方向上之兩端分別切去特定之範圍。該開縫步驟係用以去除因壓延而可能於板材64X之兩端產生之龜裂而實施。藉由實施如此之開縫步驟，可抑制板材64X破斷之現象，即破碎板材以龜裂為起點而產生之所謂的破碎板材。
其後，為了消除因壓延而蓄積於板材64X內之殘留應力(內部應力)，如圖11所示，可實施使用退火裝置57將板材64X退火之退火步驟，藉此獲得長型金屬板64。退火步驟如圖11所示，可一面將板材64X或長型金屬板64於搬送方向(長度方向)拉伸一面實施。即，退火步驟可非為所謂的批次退火，而是一面搬送一面實施之連續退火。
上述之退火步驟較佳於非還原氛圍或惰性氣體氛圍下實施。此處，所謂非還原氛圍是指不包含氫等還原性氣體之氛圍。所謂「不包含還原性氣體」，意指氫等還原性氣體之濃度為4%以下。又，所謂惰性氣體氛圍是指氬氣、氦氣、氮氣等惰性氣體存在90%以上之氛圍。藉由於非還原氛圍或惰性氣體氛圍下實施退火步驟，可抑制於長型金屬板64之第1面64a或第2面64b生成上述氫氧化鎳。
藉由實施退火步驟，可獲得經某種程度去除殘留應變之厚度t0之長型金屬板64。另，厚度t0亦可與蒸鍍罩20之厚度t相等。
另，亦可藉由重複複數次上述壓延步驟、開縫步驟及退火步驟，而製作厚度t0之長型金屬板64。又，於圖11中，顯示一面將長型金屬板64於長度方向拉伸一面實施退火步驟之例，但並非限定於此，亦可在將長型金屬板64捲繞於芯桿61之狀態下實施退火步驟。即，亦可實施批次退火。另，在長型金屬板64捲繞於芯桿61之狀態下實施退火步驟之情形時，會有導致長型金屬板64產生對應於捲繞體62之捲繞徑而彎曲的傾向之情形。因此，根據捲繞體62之捲繞徑或構成母材55之材料，將長型金屬板64一面於長度方向拉伸一面實施退火較為有利。
其後，亦可實施切斷步驟，其將長型金屬板64之寬度方向上之兩端分別切去特定範圍，藉此將長型金屬板64之寬度調整為期望寬度。如此，可獲得具有期望之厚度及寬度之長型金屬板64。
其次，針對使用長型金屬板64製造蒸鍍罩20之方法之一例，主要參照圖12~圖20進行說明。以下說明之蒸鍍罩20之製造方法中，如圖12所示，供給長型金屬板64，於該長型金屬板64形成貫通孔25，進而裁斷長型金屬板64，藉此獲得由單片狀金屬板21構成之蒸鍍罩20。
更具體而言，蒸鍍罩20之製造方法可包含如下步驟：供給帶狀延伸之長型金屬板64之步驟；對長型金屬板64實施使用光微影技術之蝕刻，於長型金屬板64自第1面64a之側形成第1凹部30之步驟；及對長型金屬板64實施使用光微影技術之蝕刻，於長型金屬板64自第2面64b之側形成第2 凹部35之步驟。並且，亦可藉由形成於長型金屬板64之第1凹部30及第2凹部35彼此相通，而於長型金屬板64製作貫通孔25。圖13~圖20所示之例中，第1凹部30之形成步驟係於第2凹部35之形成步驟之前實施，且於第1凹部30之形成步驟與第2凹部35之形成步驟之間，進而設有密封所製作之第1凹部30之步驟。以下，說明各步驟之細節。
圖12係顯示用以製造蒸鍍罩20之製造裝置60。如圖12所示，首先，準備將長型金屬板64捲繞於芯桿61之捲繞體(金屬板輥)62。並且，藉由該芯桿61旋轉而捲出捲繞體62，如圖12所示，供給帶狀延伸之長型金屬板64。另，長型金屬板64構成形成有貫通孔25之單片狀金屬板21，進而構成蒸鍍罩20。
可將所供給之長型金屬板64藉由搬送輥72搬送至蝕刻裝置(蝕刻機構)70。可藉由蝕刻裝置70，實施圖13~圖20所示之各處理。另，本實施形態中，針對於長型金屬板64之寬度方向分配複數個蒸鍍罩20之例進行說明。即，自於長度方向上佔據長型金屬板64之特定位置之區域，製作出複數個蒸鍍罩20。該情形時，較佳為蒸鍍罩20之長度方向與長型金屬板64之壓延方向一致地，將複數個蒸鍍罩20分配於長型金屬板64。
首先，如圖13所示，可於長型金屬板64之第1面64a上及第2面64b上，形成包含負型感光性光阻材料之光阻膜65c、65d。作為形成光阻膜65c、65d之方法，可採用將形成有包含丙烯酸系光硬化性樹脂等感光性光阻材料之層之薄膜、即所謂的乾薄膜貼附於長型金屬板64之第1面64a 及第2面64b上之方法。
其次，可準備經形成為不使光透過光阻膜65c、65d中之欲去除區域之曝光罩68a、68b，將曝光罩68a、68b分別如圖14所示，配置於光阻膜65c、65d上。作為曝光罩68a、68b，可使用例如經形成為不使光透過光阻膜65c、65d中之欲去除區域之玻璃乾版。其後，可藉由真空密著使曝光罩68a、68b充分密著於光阻膜65c、65d。另，作為感光性光阻材料，亦可使用負型者。該情形時，作為曝光罩，可使用經形成為使光透過光阻膜中之欲去除區域之曝光罩。
其後，可使光阻膜65c、65d越過曝光罩68a、68b而曝光(曝光步驟)。再者，為了使像形成於經曝光之光阻膜65c、65d，可將光阻膜65c、65d顯影(顯影步驟)。如上所述，如圖15所示，可於長型金屬板64之第1面64a上形成第1光阻圖案65a，於長型金屬板64之第2面64b上形成第2光阻圖案65b。另，顯影步驟亦可包含光阻熱處理步驟，其用以提高光阻膜65c、65d之硬度，或用以使光阻膜65c、65d更強固地密著於長型金屬板64。光阻熱處理步驟可於氬氣、氦氣、氮氣等惰性氣體之氛圍中，例如於100℃以上400℃以下實施。
接著，如圖16所示，可實施第1面蝕刻步驟，其使用第1蝕刻液，蝕刻長型金屬板64之第1面64a中未由第1光阻圖案65a覆蓋之區域。例如，可將第1蝕刻液自配置於面向被搬送之長型金屬板64之第1面64a之側之噴嘴，越過第1光阻圖案65a向長型金屬板64之第1面64a噴射。其結果，如 圖16所示，第1蝕刻液之侵蝕可於長型金屬板64中之未由第1光阻圖案65a覆蓋之區域進展。藉此，可於長型金屬板64之第1面64a形成多數個第1凹部30。作為第1蝕刻液，可使用例如氯化第2鐵溶液及包含鹽酸之液。
其後，如圖17所示，可藉由對於後續之第2面蝕刻步驟中使用之第2蝕刻液具有抗耐性之樹脂69，被覆第1凹部30。即，亦可藉由對於第2蝕刻液具有抗耐性之樹脂69，密封第1凹部30。圖17所示之例中，樹脂69之膜可形成為不僅覆蓋形成之第1凹部30，且亦覆蓋第1面64a(第1光阻圖案65a)。
接著，如圖18所示，可實施第2面蝕刻步驟，其蝕刻長型金屬板64之第2面64b中未由第2光阻圖案65b覆蓋之區域，於第2面64b形成第2凹部35。第2面蝕刻步驟可實施至第1凹部30及第2凹部35彼此相通，藉此形成貫通孔25為止。作為第2蝕刻液，與上述第1蝕刻液同樣地，可使用例如氯化第2鐵溶液及包含鹽酸之液。
另，第2蝕刻液之侵蝕係在與長型金屬板64中之第2蝕刻液接觸之部分進行。因此，侵蝕不僅向長型金屬板64之法線方向N(厚度方向)進展，亦可向沿長型金屬板64之板面之方向進展。此處，較佳為第2面蝕刻步驟可於分別形成於面向第2光阻圖案65b之相鄰2個孔66a之位置之2個第2凹部35於位在2個孔66a間之橋接部67a之背側合流之前結束。藉此，如圖19所示，可使上述頂部43殘留於長型金屬板64之第2面64b。
其後，如圖20所示，可將樹脂69自長型金屬板64去除。樹脂69例如可藉由使用鹼系剝離液而去除。使用鹼系玻璃液之情形時，如圖20所示，可與樹脂69同時去除光阻圖案65a、65b。另，去除樹脂69後，亦可使用與用以剝離樹脂69之剝離液不同之剝離液，與樹脂69分開地去除光阻圖案65a、65b。
可將如此形成有多數個貫通孔25之長型金屬板64，藉由以夾持該長型金屬板64之狀態旋轉之搬送輥72、72，向切斷裝置(切斷機構)73搬送。另，可經由藉由該搬送輥72、72之旋轉而作用於長型金屬板64之拉力(拉伸應力)，使上述之供給芯桿61旋轉，自捲繞體62供給長型金屬板64。
其後，可將形成有多數個貫通孔25之長型金屬板64藉由切斷裝置73切斷成特定之長度及寬度。藉此，可獲得形成有多數個貫通孔25之單片狀金屬板21，即蒸鍍罩20。
接著，針對測定如上述般準備之蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2而判定蒸鍍罩20之良否之方法之一例，參照圖21~圖24進行說明。此處，針對使用以下所述之良否判定系統80，測定尺寸X1及尺寸X2，基於測定結果，判定蒸鍍罩20之良否之方法進行說明。即，藉由測定尺寸X1及尺寸X2，可確認蒸鍍罩20之貫通孔25是否如設計般配置，藉此，可判定蒸鍍罩20之貫通孔25之位置精度是否滿足特定之基準。
然而，為獲得厚度較小之金屬板21，可增大壓延母材而製作金屬板 21時之壓延率。此處，所謂壓延率是指藉由(母材之厚度-金屬板之厚度)/(母材之厚度)而算出之值。但是，金屬板64之延伸率對應於寬度方向D2(與母材之搬送方向正交之方向)之位置而不同。並且，壓延率愈大，由壓延產生之變形之不均一程度可能愈大。因此，已知於以較大的壓延率壓延之金屬板64會出現起伏形狀。具體而言，舉出稱為邊緣波皺之、形成於金屬板64之寬度方向D2之側緣64e之起伏形狀。又，舉出稱為中部波皺之、形成於金屬板64之寬度方向D2之中央之起伏形狀。即使壓延後實施退火等熱處理，仍可能出現如此之起伏形狀。例如，如圖21所示，長型金屬板64至少局部具有因長度方向D1上之長度因寬度方向D2之位置而異所引起之起伏形狀。例如，於長型金屬板64中沿長度方向D1延伸之側緣64e出現起伏形狀。
另，亦有藉由利用鍍敷處理之製箔步驟，製作具有特定厚度之金屬板之情形。但是，製箔步驟中，若電流密度不均一，則製作出之金屬板之厚度可能變得不均一。藉此，亦可能於金屬板之寬度方向上之側緣，出現同樣之起伏形狀。
另一方面，於曝光光阻膜65c、65d之上述曝光步驟中，藉由真空吸附等，使曝光罩密著於長型金屬板64上之光阻膜65c、65d。因此，藉由與曝光罩之密著，如圖22所示，長型金屬板64之側緣64e之起伏形狀被壓縮，長型金屬板64成為大致平坦之狀態。於該狀態下，如圖22中虛線所示，將設置於長型金屬板64之光阻膜65c、65d以特定之圖案曝光。
若將曝光罩自長型金屬板64卸下，會於長型金屬板64之側緣64e再次出現起伏形狀。如此自形成有起伏形狀之金屬板64製作蒸鍍罩20且張設之情形時，蒸鍍罩20之延伸會於寬度方向D2上有所不同，因而，有貫通孔25之位置偏移之情形。更具體而言，金屬板64中起伏形狀較大之部分作為蒸鍍罩20形成之情形時，長度方向之尺寸變得較起伏形狀較小之部分更長。此處，假設對寬度方向D2上互不相同之第1位置部分及第2位置部分賦予拉伸力而張設蒸鍍罩20之情形。該情形時，若第1位置部分之蒸鍍罩20之長度方向長度短於第2位置部分之長度方向長度，則以第1位置部分之長度方向長度與第2位置部分之長度方向長度成為相等之方式，對蒸鍍罩20賦予拉伸力。因此，有第1位置部分較第2位置部分更大幅延伸、蒸鍍罩20之長度方向中央部於寬度方向D2朝第1位置部分之側偏移之可能性。較佳為張設時之貫通孔25之位置偏移較小，由此，可抑制經由貫通孔25蒸鍍於有機EL基板92之蒸鍍材料98之位置偏移，可提高有機EL顯示裝置之像素之尺寸精度或位置精度。
圖23係顯示藉由蝕刻而將複數個蒸鍍罩20沿寬度方向D2分配之狀態之長型金屬板64之圖。如圖23所示，經分配之3個蒸鍍罩20中至少對向於長型金屬板64之側緣64e之蒸鍍罩20係自起伏形狀比較大之部分形成。於圖23中，符號27a表示對向於長型金屬板64之側緣64e而分配之蒸鍍罩20之側緣中，位於長型金屬板64之中央側之側緣(以下稱為第1側緣)。又，於圖23中，符號27b表示位於第1側緣27a之相反側且與長型金屬板64之側緣64e對向之側緣(以下稱為第2側緣)。如圖23所示，對向於長型金屬板64之側緣64e之蒸鍍罩20中，第2側緣27b側之部分係自部分起伏形狀大於第 1側緣27a側之部分形成。
圖24係顯示藉由將對向於長型金屬板64之側緣64e之蒸鍍罩20自長型金屬板64切出而獲得之蒸鍍罩20之俯視圖。如上述，自部分起伏形狀大於第1側緣27a側之部分，形成蒸鍍罩20之第2側緣27b側之部分之情形時，第2側緣27b側之部分之長度方向D1之長度，變得較第1側緣27a側之部分之長度方向D1之長度更長。即，長度方向D1上之第2側緣27b之尺寸(沿第2側緣27b之尺寸)，變得較第1側緣27a之尺寸(沿第1側緣27a之尺寸)更大。該情形時，如圖24所示，於蒸鍍罩20，出現於自第1側緣27a側朝向第2側緣27b側之方向上凸起之彎曲之形狀。以下，將如此之彎曲形狀亦稱為C字形狀。
本實施形態中，蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2之測定係不對蒸鍍罩20賦予張力而進行。以下，針對本實施形態之良否判定方法進行說明。
圖25係顯示測定蒸鍍罩20之尺寸而判定良否之良否判定系統之圖。如圖25所示，良否判定系統80可具備載置蒸鍍罩20之載物台81、尺寸測定裝置82及判定裝置83。
尺寸測定裝置82可包含例如測定攝像機(攝像部)，其設置於載物台81之上方，拍攝蒸鍍罩20而製作圖像。載物台81及尺寸測定裝置82中之至少一者可為能夠相對於彼此而移動。本實施形態中，可為載物台81靜止，尺寸測定裝置82可在與載物台81平行且互相正交之2方向、及與載物 台81垂直之方向移動。藉此，使尺寸測定裝置82構成為可移動至期望之位置。另，亦可為尺寸測定裝置82靜止、載物台81可移動地構成良否判定系統80。
蒸鍍罩20之尺寸測定可對應於蒸鍍罩20中成為測定對象之部分之尺寸大小，以不同的方法進行。
若測定對象之尺寸比較小(例如數百μm以下)，可將測定對象納入尺寸測定裝置82之測定攝像機之視野內，故可不使測定攝像機移動而測定測定對象之尺寸。
另一方面，若測定對象之尺寸比較大(例如mm階以上)，由於難以將測定對象納入尺寸測定裝置82之測定攝像機之視野內，故可使測定攝像機移動而測定測定對象之尺寸。該情形時，尺寸測定裝置82可基於藉由測定攝像機拍攝到之圖像、及測定攝像機之移動量(載物台81移動之情形時為其移動量)，算出蒸鍍罩20之尺寸。
判定裝置83可基於尺寸測定裝置82之測定結果，判定是否滿足上述式(1)及式(2)。判定裝置83可包含運算裝置及記憶媒體。運算裝置例如為CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。記憶媒體例如為ROM(Read-Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等記憶體。判定裝置83可藉由運算裝置執行記憶於記憶媒體之程式，而實施蒸鍍罩20之尺寸之判定處理。
本實施形態之蒸鍍罩20之良否判定方法中，首先可實施測定蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2之測定步驟。
該情形時，首先，可將蒸鍍罩20靜置於載物台81上。此時，蒸鍍罩20可不固定地載置於載物台81。即，可不對蒸鍍罩20賦予張力。載置於載物台81之蒸鍍罩20例如可如圖24所示般C字狀彎曲。
接著，可設定P1點、Q1點、P2點及Q2點。此處，針對將P1點及Q1點設定為於設計時(或張設時、蒸鍍時)以與期望之設計值αX相等之距離分開之2個貫通孔25之中心點之例進行說明。同樣地，亦可將P2點及Q2點設定為於設計時以與期望之設計值αX相等之距離分開之2個貫通孔25之中心點。又，亦可將P1點及P2點設定為如於設計時以與期望之設計值αY相等之距離分開之2個貫通孔25之中心點。同樣地，亦可將Q1點及Q2點設定為於設計時以與期望之設計值αY相等之距離分開之2個貫通孔25之中心點。
例如，將期望之設計值αX設為200mm，且將αY設為65.0mm之情形時，可將定位於200mm×65.0mm之長方形之頂點(角部)之貫通孔25之中心點，設定為P1點、Q1點、P2點及Q2點。此處，不存在與該長方形之頂點一致之貫通孔25之中心點之情形時，亦可將頂點附近之(較佳為最接近頂點)之貫通孔25之中心點，設定為P1點、Q1點、P2點及Q2點。該情形時，只要求得對應於如此設定之P1點、Q1點、P2點及Q2點之設計值αX及 αY，於後述之判定步驟中使用即可。另，最接近頂點之貫通孔25為2個以上之情形時，只要設定為任一個貫通孔25即可。
貫通孔25之中心點可為上述之連接部41(或貫通部42)之平面形狀之中心點。將該中心點假設為與連接部41同一平面形狀之密度固定之形狀物時，可作為可以1點支持該形狀物之圖心而定義。藉此，即使貫通孔25之平面形狀為複雜形狀，仍可規定中心點。作為求得中心點之裝置，舉出例如座標測定機即AMIC1710-D(新東超精密股份有限公司製)。另，貫通孔25之中心點可為第1面20a上之第1凹部30之平面形狀之中心點，亦可為第2面20b之第2凹部35之平面形狀之中心點。
接著，可測定載物台81上之蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2(參照圖24)。該情形時，可藉由圖25所示之上述之尺寸測定裝置82之測定攝像機，拍攝蒸鍍罩20之P1點、Q1點、P2點及Q2點，基於拍攝到之圖像、及測定攝像機移動之情形時為其移動量，算出P1點、Q1點、P2點及Q2點之座標。並且，可基於算出之各點之座標，算出P1點至Q1點之直線距離之尺寸X1，及P2點至Q2點之直線距離之尺寸X2。
接著，亦可實施基於尺寸測定步驟中測定出之尺寸X1及尺寸X2而判定蒸鍍罩20之良否之判定步驟。
例如，可基於尺寸測定裝置82之測定結果，判定算出之尺寸X1及尺寸X2是否滿足上述式(1)及式(2)之至少一者。即，可將如上述算出之尺寸 X1及尺寸X2代入上述式(1)，且將設計值代入αX，以絕對值算出式(1)之左邊之值。可判定該左邊之值是否為基於設計值αX之右邊之值以下。可判定滿足式(1)之蒸鍍罩20為良品(OK)，亦可判定未滿足式(1)之蒸鍍罩20為不良品(NG)。
同樣地，可將算出之尺寸X1及尺寸X2代入上述式(2)，以絕對值算出式(2)之左邊之值，而判定該左邊之值是否為基於設計值αX及αY之右邊之值以下。可判定滿足式(2)之蒸鍍罩20為良品(OK)，亦可判定未滿足式(2)之蒸鍍罩20為不良品(NG)。
如此，可判定滿足式(1)及式(2)之至少一者之蒸鍍罩20為良品。但不限於此，亦可判定滿足式(1)及式(2)兩者之蒸鍍罩20為良品。但，亦可為若滿足式(1)則判定未滿足式(2)之蒸鍍罩20為良品，或者若滿足式(2)則判定未滿足式(1)之蒸鍍罩20為良品。
接著，選定蒸鍍罩20。此處，針對選定滿足式(1)及式(2)之至少一者之蒸鍍罩20之選定方法之例進行說明。
即，可篩選對於式(1)判定為良品之蒸鍍罩20，及判定為不良品之蒸鍍罩20。並且，可選定滿足式(1)之良品之蒸鍍罩20，作為以本實施形態之製造方法製造之蒸鍍罩。
又，可篩選對於式(1)判定為不良品之蒸鍍罩20中，對於式(2)判定為 良品之蒸鍍罩20及判定為不良品之蒸鍍罩20。並且，可選定滿足式(2)之良品之蒸鍍罩20，作為以本實施形態之製造方法製造之蒸鍍罩。另，可於選定滿足式(1)之蒸鍍罩20之前，選定滿足式(2)之蒸鍍罩20。
如此，可選定滿足式(1)及式(2)之至少一者之蒸鍍罩20，作為以本實施形態之製造方法製造之蒸鍍罩。所選定之蒸鍍罩20可使用於後述之蒸鍍罩裝置之製造方法。另，選定步驟中選定之蒸鍍罩20亦可作為滿足式(1)及式(2)兩者之蒸鍍罩20。但亦可為，若滿足式(1)則選定未滿足式(2)之蒸鍍罩20，或者若滿足式(2)則選定未滿足式(1)之蒸鍍罩20。
接著，針對使用判定為良品而選定之蒸鍍罩20製造蒸鍍罩裝置10之方法之一例進行說明。該情形時，如圖3所示，可將複數個蒸鍍罩20張設於框架15。更具體而言，可對蒸鍍罩20賦予該蒸鍍罩20之長度方向D1之張力，將被賦予張力之狀態之蒸鍍罩20之耳部17a、17b固定於框架15。於耳部17a、17b例如以點焊固定於框架15。
將蒸鍍罩20張設於框架15時，可對蒸鍍罩20賦予長度方向D1之張力。該情形時，如圖26所示，可藉由配置於第1中心軸線AL1兩側之第1夾具86a及第2夾具86b，固持蒸鍍罩20之第1端部26a，且藉由配置於第1中心軸線AL1兩側之第3夾具86c及第4夾具86d，固持第2端部26b。可將第1拉伸部87a連結於第1夾具86a，且可將第2拉伸部87b連結於第2夾具86b。可將第3拉伸部87c連結於第3夾具86c，且可將第4拉伸部87d連結於第4夾具86d。對蒸鍍罩20賦予張力之情形時，驅動第1拉伸部87a及第2拉伸部 87b，使第1夾具86a及第2夾具86b相對於第3夾具86c及第4夾具86d移動，藉此可於長度方向D1上對蒸鍍罩20賦予張力T1、T2。該情形時，對蒸鍍罩20賦予之張力成為第1拉伸部87a之張力T1與第2拉伸部87b之張力T2之和。另，各拉伸部87a~87d可包含例如空氣缸。又，亦可不使用第3拉伸部87c及第4拉伸部87d，而將第3夾具86c及第4夾具86d設為無法移動。
若對蒸鍍罩20賦予長度方向D1之張力T1、T2，則蒸鍍罩20於長度方向D1伸長，但於寬度方向D2收縮。於張設時，能以將如此彈性變形之蒸鍍罩20之所有貫通孔25相對於期望之位置(蒸鍍目標位置)定位於容許範圍內之方式，調整第1拉伸部87a之張力T1與第2拉伸部87b之張力T2。藉此，可局部調整蒸鍍罩20之長度方向D1上之伸長及寬度方向D2上之收縮，可將各貫通孔25定位於容許範圍內。例如，未賦予張力狀態之蒸鍍罩20如圖24所示，於自第1側緣27a側朝向第2側緣27b側之方向上凸起之方式C字狀彎曲之情形時，可將第1側緣27a側之第1拉伸部87a之張力T1設為大於第2拉伸部87b之張力T2。藉此，可對第1側緣27a側之部分，賦予較第2側緣27b側之部分更大之張力。因此，可使第1側緣27a側之部分較第2側緣27b側之部分更多地伸長，可將各貫通孔25容易地定位於容許範圍內。與此相反地，未被賦予張力的狀態之蒸鍍罩20以於自第2側緣27b側朝向第1側緣27a側之方向上凸起之方式C字狀彎曲之情形時，可將第2側緣27b側之第2拉伸部87b之張力T2設為大於第1拉伸部87a之張力T1。藉此，可對第2側緣27b側之部分，賦予較第1側緣27a側之部分更大之張力。因此，可使第2側緣27b側之部分較第1側緣27a側之部分更多地伸長，可將各貫通孔25容易地定位於容許範圍內。
然而，考慮即使局部調整對蒸鍍罩20賦予之張力之情形下，仍會因形成於蒸鍍罩20之貫通孔25之位置精度不同而難以將各貫通孔25定位於容許範圍內之情形。例如，若尺寸X1及尺寸X2相對於設計值大幅偏離，則蒸鍍罩20之長度方向D1之伸長變大而寬度方向D2之收縮變大，相反地，長度方向D1之伸長變小而寬度方向D2之收縮變小。較佳為於張設時，將各貫通孔25對於期望之位置(蒸鍍目標位置)定位於容許範圍內。式(1)係用以抑制因此種原因而發生張設時之各貫通孔25之位置不良之式。
即，如本實施形態，藉由靜置於載物台81等之蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2滿足式(1)，而可將張設時之蒸鍍罩20之長度方向D1之伸長量納入期望之範圍內。因此，可將張設時之蒸鍍罩20之寬度方向D2之收縮量納入期望之範圍內。其結果，因尺寸X1及尺寸X2滿足式(1)，故而於張設時可使各貫通孔25之位置調整容易化。
又，一般而言，亦考慮自形成有起伏形狀之長型金屬板64形成蒸鍍罩20之情形時，亦會因起伏形狀之程度而使得於張設時難以將貫通孔25定位於期望之位置之情形。其理由認為是由於長型金屬板64之寬度方向D2上之起伏形狀之程度差異，而於寬度方向D2上長度方向尺寸有所不同。該情形時，尺寸X1與尺寸X2不同，於未張設之狀態下，蒸鍍罩20可能如圖24所示般之C字狀彎曲。
例如，如圖24所示般彎曲之蒸鍍罩20中，於未張設之狀態下，尺寸 X1較尺寸X2更短。因此，於張設蒸鍍罩20時，如圖27所示，以尺寸X1與尺寸X2相等之方式，對蒸鍍罩20賦予拉伸力。該情形時，第1側緣27a側之部分較第2側緣27b側之部分更大幅伸長，蒸鍍罩20之長度方向D1上之中心位置朝第1側緣27a側偏移，由此，貫通孔25可能於寬度方向D2移位。又，以尺寸X1與尺寸X2相等之方式張設之情形時，如圖28所示，亦有蒸鍍罩20之彎曲形狀反轉之情形。該情形時，第1側緣27a變為凸狀，且第2側緣27b凹狀彎曲。該情形時，貫通孔25亦可能於寬度方向D2移位。
因此，較佳為縮小寬度方向D2上之貫通孔25之位置偏移，且較佳將所有貫通孔25對於期望之位置(蒸鍍目標位置)定位於容許範圍內。式(2)係用以抑制因此種原因而發生張設時之各貫通孔25之位置不良之式。
即，如本實施形態，因靜置於載物台81等之蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2滿足式(2)，從而可抑制蒸鍍罩20之長度方向D1之長度於寬度方向D2上不同，於張設時，可抑制長度方向D1之伸長於寬度方向D2上不同。因此，於張設時，可抑制貫通孔25之寬度方向D2上之位置偏移。其結果，藉由尺寸X1及尺寸X2滿足式(2)，而於張設時可容易地將各貫通孔25定位於容許範圍內。
接著，針對使用所或得之蒸鍍罩10，使蒸鍍材料98蒸鍍於有機EL基板92上之方法之一例進行說明。
該情形時，首先如圖1所示，將蒸鍍罩20與有機EL基板92對向地配置框架15。接著，使用磁鐵93，使蒸鍍罩20密著於有機EL基板92。其後，於該狀態下，使蒸鍍材料98蒸發，而使蒸鍍材料98通過蒸鍍罩20之貫通孔25朝有機EL基板92飛來。藉此，能夠以特定之圖案使蒸鍍材料98附著於有機EL基板92。
如此，根據本實施形態，基於蒸鍍罩20之第1中心軸線AL1之一側之P1點至Q1點之尺寸X1、及另一側之P2點至Q2點之尺寸X2，判定蒸鍍罩20之良否。藉由使用如此之尺寸X1及X2，於張設時，可抑制蒸鍍罩20之長度方向D1之伸長於寬度方向D2上不同，可抑制貫通孔25之寬度方向D2上之位置偏移。因此，可使用判定為良品之蒸鍍罩20製作蒸鍍罩裝置10，可提高蒸鍍罩裝置10中之蒸鍍罩20之各貫通孔25之位置精度。其結果，可提高張設時之貫通孔25之位置精度。該情形時，能夠以較高之位置精度使蒸鍍材料98蒸鍍於基板92，可製作高精細之有機EL顯示裝置100。
又，根據本實施形態，判定P1點至Q1點之尺寸X1及P2點至Q2點之尺寸X2是否滿足上述式(1)。藉此，根據式(1)，尺寸X1及尺寸X2滿足特定條件而判定為良品之蒸鍍罩20中，可減低尺寸X1及尺寸X2自設計值偏離。因此，於張設蒸鍍罩20時，可將寬度方向D2上之收縮量納入期望之範圍內，可提高貫通孔25之位置精度。
又，根據本實施形態，判定P1點至Q1點之尺寸X1及P2點至Q2點之尺寸X2是否滿足上述式(2)。藉此，根據式(2)，尺寸X1及尺寸X2滿足特 定條件而判定為良品之蒸鍍罩20中，可減低尺寸X1與尺寸X2之差。因此，於張設蒸鍍罩20時，可抑制蒸鍍罩20之長度方向D1上之伸長於寬度方向D2上有所不同，可抑制貫通孔25之寬度方向D2之位置偏移。其結果，可提高張設時之貫通孔25之位置精度。
又，根據本實施形態，意圖將P1點及P2點於蒸鍍時相對於蒸鍍罩20之第1中心軸線AL1彼此對稱配置，且意圖將Q1點及Q2點於蒸鍍時相對於蒸鍍罩20之第1中心軸線AL1彼此對稱配置。藉此，可將P1點、Q1點、P2點及Q2點定位於蒸鍍罩20之長度方向D1上之相同位置，且與第1中心軸線AL1之距離相等之位置。因此，可提高蒸鍍罩20之良否判定精度。
又，根據本實施形態，P1點及P2點相對於蒸鍍罩20之第2中心軸線AL2配置於一側，Q1點及Q2點配置於另一側。藉此，可於第2中心軸線AL2之兩側，設定P1點、P2點、Q1點及Q2點。因此，可提高蒸鍍罩20之良否判定精度。
又，根據本實施形態，意圖將P1點及Q1點於蒸鍍時相對於蒸鍍罩20之第2中心軸線AL2相互對稱配置，且意圖將P2點及Q2點於蒸鍍時相對於該第2中心軸線AL2相互對稱配置。藉此，可將P1點、Q1點、P2點及Q2點定位於蒸鍍罩20之寬度方向D2上之相同位置，且與第2中心軸線AL2之距離相等之位置。因此，可提高蒸鍍罩20之良否判定精度。
再者，根據本實施形態，選定滿足式(1)之蒸鍍罩20作為蒸鍍罩20而 製造。藉此，可獲得可減低尺寸X1及尺寸X2自設計值之偏離之蒸鍍罩20。因此，於張設蒸鍍罩20時，可將寬度方向D2之收縮量納入期望之範圍內，可提高貫通孔25之位置精度。
又，根據本實施形態，選定滿足式(2)之蒸鍍罩20作為蒸鍍罩20而製造。藉此，可獲得可減低尺寸X1及尺寸X2之差之蒸鍍罩20。因此，於張設蒸鍍罩20時，可抑制蒸鍍罩20之長度方向D1之伸長於寬度方向D2上有所不同，可抑制貫通孔25之寬度方向D2上之位置偏移。其結果，可提高張設時之貫通孔25之位置精度。
另，可對上述實施形態加入各種變更。以下，視需要一面參照圖式，一面針對變化例進行說明。以下之說明及以下之說明所使用之圖式中，針對可與上述實施形態同樣構成之部分，使用對於與對應於上述實施形態之部分而使用之符號相同之符號，省略重複說明。又，若上述實施形態中獲得之作用效果亦明顯可於變化例中獲得之情形時，有時亦省略其說明。
另，上述本實施形態中，顯示藉由蝕刻經壓延之金屬板而製作之蒸鍍罩20之尺寸之例。但，亦可使用上述尺寸測定方法及良否判定系統80，測定藉由鍍敷處理等其他方法製作之蒸鍍罩20之尺寸。
又，上述本實施形態中，顯示將滿足式(1)及式(2)之至少一者之蒸鍍罩20判定為良品，作為以本實施形態之製造方法製造之蒸鍍罩而選定之 例。但，只要可基於尺寸X1及尺寸X2判定蒸鍍罩20之良否，則其判定方法或判定所使用之數式等無特別限定。即，藉由使用蒸鍍罩20之第1中心軸線AL1之一側之P1點至Q1點之尺寸X1、及另一側之P2點至Q2點之尺寸X2進行良品判定，於判定為良品之蒸鍍罩20中，於張設時，可抑制蒸鍍罩20之長度方向D1之伸長於寬度方向D2上有所不同。因此，可抑制貫通孔25之寬度方向D2之位置偏移，可提高蒸鍍罩裝置10之蒸鍍罩20之各貫通孔25之位置精度。
本發明並非限定於上述實施形態及變化例，可於實施階段中不脫離其主旨之範圍內將構成要素變化而具體化。又，亦可藉由上述實施形態及變化例所揭示之複數個構成要素之適當組合，形成各種發明。亦可將若干個構成要素自實施形態及變化例所示之全部構成要素削除。
[實施例]
接著，藉由實施例更具體說明本實施形態，但本實施形態只要不超出其要旨，則不限定於以下實施例之記載。
準備25個蒸鍍罩20，作為第1樣本~第25樣本。對各樣本測定尺寸X1及尺寸X2。
首先，如圖25所示，將蒸鍍罩20水平載置於載物台81上。此時，以於蒸鍍罩20不產生部分凹陷地，將蒸鍍罩20靜置於載物台81。
接著，測定蒸鍍罩20之P1點至Q1點之尺寸X1，且測定P2點至Q2點之尺寸X2。將其測定結果以αX-X1、αX-X2顯示於圖29~圖46。於圖29~圖46中，將P1點及Q1點、P2點及Q2點，設定於αX為200mm、300mm、400mm、600mm、800mm、900mm，且αY為65.0mm、43.3mm、21.7mm之貫通孔25之中心。圖29~圖46中所示之數值以μm單位表示。圖29~圖46所示之第1~第25樣本為相同樣本。對第1樣本以各αX及各αY測定尺寸，顯示於圖29~圖46。對於第2樣本~第25樣本亦同。第1樣本~第25樣本任一者之WY皆為65.0mm。
圖29中顯示將P1點及Q1點、P2點及Q2點設定於αX為200mm、αY為65.0mm之貫通孔25之中心之情形之測定結果。將該情形下測定之尺寸X1及尺寸X2代入上述式(1)，算出式(1)之左邊。將其算出結果以|αX-(X1+X2)/2|顯示於圖29。圖29中，顯示對於自25個樣本分別獲得之25個蒸鍍罩20之尺寸測定結果。此處，由於αX為200mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限值)為13.3μm。第1~第25樣本中，第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本滿足式(1)。因此，判定第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本之蒸鍍罩20為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
又，將蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2代入上述式(2)，算出式(2)之左邊。將其算出結果以|X1-X2|顯示於圖29。此處，由於αY為65.0mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為20μm。第1~第25樣本中，第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21及第23樣本滿足式(2)。因此，判定第 1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本之蒸鍍罩20為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
進而言之，如圖29中綜合判定結果所示，第1~第25樣本中，第1~第6樣本及第21樣本滿足式(1)及式(2)。因此，判定第1~第6樣本及第21樣本之蒸鍍罩20為可進而提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
此處，針對滿足上述式(1)及式(2)便可提高張設時之貫通孔25之位置精度之理由進行說明。
首先，針對式(1)進行說明。如上述，式(1)係用以抑制因尺寸X1及尺寸X2相對於設計值偏離而於張設時發生各貫通孔25之位置不良者。即，藉由尺寸X1及尺寸X2滿足式(1)，而可將張設時之蒸鍍罩20之長度方向D1之伸長量納入期望之範圍內，藉此，可將張設時之蒸鍍罩20之寬度方向D2之收縮量納入期望之範圍內。對此，為確認滿足式(1)有助於提升張設時之貫通孔25之位置精度，而著眼於張設時之蒸鍍罩20之寬度尺寸U1(參照圖24)。該尺寸U1相當於長度方向D1上之中心位置(第2中心軸線AL2)之寬度尺寸。該中心位置之寬度方向D2之收縮量可能為最大。另，圖24中，顯示未賦予張力之蒸鍍罩20，但為方便起見，於圖24顯示張設時之尺寸U1。對於後述之尺寸U2亦同。
接著，針對式(2)進行說明。如上述，式(2)係用以抑制因尺寸X1及尺 寸X2互相偏移而於張設時發生各貫通孔25之位置不良者。即，藉由尺寸X1及尺寸X2滿足式(2)，而於張設時，可抑制長度方向D1之伸長於寬度方向D2上有所不同，可抑制貫通孔25之寬度方向D2之位置偏移。因此，為確認滿足式(2)有助於提升張設時之貫通孔25之位置精度，而著眼於蒸鍍罩20之C字狀彎曲之第1側緣27a之凹陷深度尺寸U2。該尺寸U2相當於長度方向D1上之中心位置之凹陷深度尺寸。更具體而言，將自連結蒸鍍罩20之第1端部26a與第1側緣27a之交點PU1、及第2端部26b與第1側緣27a之交點PU2之線段，至第1側緣27a中長度方向D1上之中心位置之距離，設為尺寸U2。如此之尺寸U2表示第1側緣27a之最大凹陷深度。另，如圖28所示，張設時之蒸鍍罩20之彎曲形狀反轉之情形時，尺寸U2只要設為第2側緣27b之凹陷深度尺寸即可。
以下，針對尺寸U1及尺寸U2之測定方法進行說明。
首先，尺寸X1及尺寸X2之測定結束後，對蒸鍍罩20賦予張力。更具體而言，首先，例如以如圖26所示之夾具86a~86d固持蒸鍍罩20之第1端部26a及第2端部26b，自第1拉伸部87a~第4拉伸部87d對蒸鍍罩20賦予張力。所賦予之張力設為如將各貫通孔25於長度方向D1上相對於期望之位置(蒸鍍目標位置)定位於容許範圍內之力。接著，將被賦予張力之蒸鍍罩20固定於圖25所示之載物台81上。接著，測定固定於載物台81上之蒸鍍罩20之尺寸U1及尺寸U2。將尺寸U1之測定結果以αU-U1顯示於圖29。此處，αU設為長度方向D1上之中心位置之蒸鍍罩20之寬度尺寸之設計值。另，αU為張設時之設計值。又，將尺寸U2之測定結果以U2顯示於圖29。
評估所測定之尺寸U1及尺寸U2。
對於尺寸U1，評估αU-U1是否為臨限值(±4.0μm)以下。此處，臨限值設定為藉由蒸鍍形成之像素之發光效率、或可抑制在與相鄰之其他顏色之像素混色之範圍內可容許位置偏移之值。另，對蒸鍍罩20賦予長度方向D1之張力之情形時，於長度方向D1上之中心位置，蒸鍍罩20之寬度尺寸可能減低。該情形時，於長度方向D1上之中心位置，第1側緣27a及第2側緣27b以互相靠近之方式變形。對此，考慮將第1側緣27a及第2側緣27b之變形容許值分別設為2μm，作為其合計，將臨限值設為±4μm。圖29所示之樣本中，第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本中，αU-U1為臨限值以下。第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本由於抑制了蒸鍍罩20之寬度尺寸U1之偏差，故可抑制張設時之貫通孔25之寬度方向D2之位置偏移。另一方面，該等第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本如上所述滿足式(1)。因此，滿足式(1)可謂能夠提高張設時之貫通孔25之位置精度。
尤其尺寸U1表示長度方向D1上之中心位置之蒸鍍罩20之寬度尺寸。該中心位置係貫通孔25最可能於寬度方向D2位置偏移之位置。因此，該中心位置之αU-U1為臨限值以下之情形時，可謂可更進而抑制於長度方向D1上中心位置以外的位置之貫通孔25之寬度方向D2之位置偏移。
對於尺寸U2，評估尺寸U2是否為臨限值(3.0μm)以下。此處，臨限 值設定為藉由蒸鍍形成之像素之發光效率、或可抑制在與相鄰之其他顏色之像素混色之範圍內可容許位置偏移之值。圖29所示之樣本中，第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本之尺寸U2為臨限值以下。由此，第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本由於蒸鍍罩20之第1側緣27a之凹陷程度變小，故可抑制張設時之貫通孔25之寬度方向D2之位置偏移。另一方面，該等第1~第6樣本、第11樣本~第16樣本、第21樣本及第23樣本如上所述滿足式(2)。因此，滿足式(2)可謂能夠提高張設時之貫通孔25之位置精度。
尤其，尺寸U2表示長度方向D1上之中心位置之蒸鍍罩20之第1側緣27a之凹陷之深度尺寸。該中心位置係貫通孔25最可能於寬度方向D2位置偏移之位置。因此，該中心位置之尺寸U2為臨限值以下之情形時，可謂能夠進而抑制於長度方向D1上中心位置以外的位置之貫通孔25之寬度方向D2之位置偏移。
圖30中顯示將P1點及Q1點、P2點及Q2點設定於αX為200mm、αY為43.3mm(65mm之2/3)之貫通孔25之中心之情形之測定結果。將該情形時測定之尺寸X1及尺寸X2代入上述式(1)，算出式(1)之左邊。將其算出結果以|αX-(X1+X2)/2|顯示於圖30。圖30中，顯示對於自25個樣本分別獲得之25個蒸鍍罩20之尺寸測定結果。此處，由於αX為200mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限值)為13.3μm。第1~第25樣本中，第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本滿足式(1)。因此，判定第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本之蒸鍍罩20為可 提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
又，將蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2代入上述式(2)，算出式(2)之左邊。將其算出結果以|X1-X2|顯示於圖30。此處，由於αY為43.3mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為13.3μm。第1~第25樣本中，第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本滿足式(2)。因此，判定第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本之蒸鍍罩20為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
進而言之，如圖30中綜合判定結果所示，第1~第25樣本中，第1~第6樣本及第21樣本中滿足式(1)及式(2)。因此，判定第1~第6樣本及第21樣本之蒸鍍罩20為可更進而提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
圖31中顯示將P1點、Q1點、P2點及Q2點設定於αX為200mm、αY為21.7mm(65mm之1/3)之貫通孔25之中心之情形之測定結果。將該情形時測定之尺寸X1及尺寸X2代入上述式(1)，算出式(1)之左邊。將其算出結果以|αX-(X1+X2)/2|顯示於圖31。圖31中，顯示對於自25個樣本分別獲得之25個蒸鍍罩20之尺寸測定結果。此處，由於αX為200mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限值)為13.3μm。第1~第25樣本中，第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本滿足式(1)。因此，判定第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本之蒸鍍罩20為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
又，將蒸鍍罩20之尺寸X1及尺寸X2代入上述式(2)，算出式(2)之左邊。將其算出結果以|X1-X2|顯示於圖31。此處，由於αY為21.7mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為6.7μm。第1~第25樣本中，第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本中滿足式(2)。因此，判定第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本之蒸鍍罩20為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
進而言之，如圖31中綜合判定結果所示，第1~第25樣本中，第1~第6樣本及第21樣本滿足式(1)及式(2)。因此，判定為可更進而提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。
如圖29~圖31所示，即使基於以不同之αY設定之P1點、Q1點、P2點及Q2點進行良否判定之情形時，亦可獲得相同判定結果。如此表示可不根據P1點與P2點間之距離(Q1點與Q2點間之距離)地進行適當之良否判定。即，可謂藉由使用式(1)及式(2)之至少一者，可抑制良品判定結果受到P1點與P2點間之距離(Q1點與Q2點間之距離)之影響。
圖32~圖34中顯示將P1點、Q1點、P2點及Q2點設定於αX為300mm之貫通孔25之中心之情形之測定結果及良否判定結果。其中，圖32中，將αY設為65.0mm，圖33中，將αY設為43.3mm，圖34中，將αY設為21.7mm。圖32~圖34中，由於αX為300mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限值)為20.0μm。圖32中，由於αY為65.0mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨 限值)為30.0μm。圖33中，由於αY為43.3mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為20.0μm。圖34中，由於αY為21.7mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為10.0μm。
圖32~圖34所示之情形，亦可獲得與圖29~圖31所示情形相同之判定結果。即，由於第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本之蒸鍍罩20滿足式(1)，故判定為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。由於第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本之蒸鍍罩20滿足式(2)，故判定為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。再者，由於第1~第6樣本及第21樣本之蒸鍍罩20滿足式(1)及式(2)，故判定為可更進而提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。又，表示藉由使用式(1)及式(2)之至少一者，可抑制良品判定結果受到P1點與P2點間之距離(Q1點與Q2點間之距離)之影響。
圖35~圖37中顯示將P1點、Q1點、P2點及Q2點設定於αX為400mm之貫通孔25之中心之情形之測定結果及良否判定結果。其中，圖35中，將αY設為65.0mm，圖36中，將αY設為43.3mm，圖37中，將αY設為21.7mm。圖35~圖37中，由於αX為400mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限值)為26.7μm。圖35中，由於αY為65.0mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為40.0μm。圖36中，由於αY為43.3mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為26.7μm。圖37中，由於αY為21.7mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為13.3μm。
圖38~圖40係顯示將P1點、Q1點、P2點及Q2點設定於αX為600mm之貫通孔25之中心之情形之測定結果及良否判定結果。其中，圖38中，將αY設為65.0mm，圖39中，將αY設為43.3mm，圖40中，將αY設為21.7mm。圖38~圖40中，由於αX為600mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限值)為40.0μm。圖38中，由於αY為65.0mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為60.0μm。圖39中，由於αY為43.3mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為40.0μm。圖40中，由於αY為21.7mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為20.0μm。
圖41~圖43中顯示將P1點、Q1點、P2點及Q2點設定於αX為800mm之貫通孔25之中心之情形之測定結果及良否判定結果。其中，圖41中，將αY設為65.0mm，圖42中，將αY設為43.3mm，圖43中，將αY設為21.7mm。圖41~圖43中，由於αX為800mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限值)為53.3μm。圖41中，由於αY為65.0mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為80.0μm。圖42中，由於αY為43.3mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為53.3μm。圖43中，由於αY為21.7mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為26.7μm。
圖44~圖46中顯示將P1點、Q1點、P2點及Q2點設定於αX為900mm之貫通孔25之中心之情形之測定結果及良否判定結果。其中，圖44中，將αY設為65.0mm，圖45中，將αY設為43.3mm，圖46中，將αY設為21.7mm。圖44~圖46中，由於αX為900mm，故式(1)右邊之值(左邊之臨限 值)為60.0μm。圖44中，由於αY為65.0mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為90.0μm。圖45中，由於αY為43.3mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為60.0μm。圖46中，由於αY為21.7mm，故式(2)右邊之值(左邊之臨限值)為30.0μm。
圖35~圖46所示之情形時，亦可獲得與圖29~圖31所示情形相同之判定結果。即，對於各αX，由於第1~第10樣本、第21樣本、第22樣本、第24樣本及第25樣本之蒸鍍罩20滿足式(1)，故判定為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。由於第1~第6樣本、第11~第16樣本、第21樣本及第23樣本之蒸鍍罩20滿足式(2)，故判定為可提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。再者，由於第1~第6樣本及第21樣本之蒸鍍罩20滿足式(1)及式(2)，故判定為可更進而提高張設時之貫通孔25之位置精度之蒸鍍罩20(為良品)。又，表示使用式(1)及式(2)之至少一者可抑制良品判定結果受到P1點與P2點間之距離(Q1點與Q2點間之距離)之影響。
如此，如圖29~圖46所示，即使基於以不同之αX設定之P1點、Q1點、P2點及Q2點進行良否判定之情形下，亦可獲得相同判定結果。這表示可不根據P1點與Q1點間之距離(P2點與Q2點間之距離)地進行適當之良否判定。即，可謂藉由使用式(1)及式(2)之至少一者，可抑制良品判定結果受到P1點與Q1點間之距離(P2點與Q2點間之距離)之影響。
20:蒸鍍罩
22:有效區域
23:周圍區域
25:貫通孔
27a:第1側緣
27b:第2側緣
AL1:第1中心軸線
AL2:第2中心軸線
D1:長度方向
D2:第2方向
P1:點
P2:點
Q1:點
Q2:點
X1、X2:尺寸

Claims (2)

  1. 一種蒸鍍罩，其係於第1方向延伸者，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且將上述P1點至上述Q1點之尺寸設為X1，將上述P2點至上述Q2點之尺寸設為X2，將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX時，滿足：
    Figure 108121220-A0305-02-0076-13
  2. 一種蒸鍍罩，其係於第1方向延伸且具有複數個貫通孔者，且包含：第1中心軸線，其於上述第1方向延伸，配置於與上述第1方向正交之第2方向之中心位置；P1點及Q1點，其等設置於上述第1中心軸線之一側，沿上述第1方向互相分開；及P2點及Q2點，其等設置於上述第1中心軸線之另一側，沿上述第1方向互相分開；且將上述P1點至上述Q1點之尺寸設為X1，將上述P2點至上述Q2點之 尺寸設為X2，將上述尺寸X1及上述尺寸X2之設計值設為αX，將上述P1點至上述Q2點之尺寸及上述Q1點至上述Q2點之尺寸之設計值設為αY，將上述第2方向上之2個上述貫通孔之中心點間之距離中之最大值設為WY時，滿足：
    Figure 108121220-A0305-02-0077-14
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