TWI717051B

TWI717051B - 加熱器封裝體

Info

Publication number: TWI717051B
Application number: TW108136359A
Authority: TW
Inventors: 郭燕靜; 洪健彰; 戴宏明; 廖貞慧; 陳鴻毅; 葉樹棠
Original assignee: 財團法人工業技術研究院
Priority date: 2018-11-16
Filing date: 2019-10-08
Publication date: 2021-01-21
Also published as: TW202020932A

Abstract

一種加熱器封裝體包括基板、第一阻障層、至少一加熱器以及第二阻障層。第一阻障層配置於基板的一表面上，且在遠離基板的一側具有第一處理層。加熱器配置於基板上，且加熱器包括加熱層以及至少一電極，其中電極與加熱層相互接觸。第二阻障層覆蓋加熱器的上表面以及側壁，且在遠離基板的該側或相對的另一側具有第二處理層。第一處理層的厚度與第一阻障層的厚度比例以及第二處理層的厚度與第二阻障層的厚度比例介於0.03至0.2。

Description

加熱器封裝體

本發明是有關於一種加熱器封裝體。

電加熱技術具有熱轉換效率高及鋪裝設計方便等優點，在現代建築工程、家電與裝飾裝修等領域獲得廣泛應用。近年來，因應車用及智能可穿戴裝置的興起，可撓式加熱器的研究逐漸受到重視。然而，加熱器中的電極及/或加熱層容易受到水氧的影響而損壞，如何透過封裝技術提升加熱器對水氧的阻障效果，並藉此調整應力使加熱器封裝體應力平衡而不易翹曲，進而增進加熱器封裝體的可靠度及其壽命，實為關鍵。

本發明一實施例提供一種加熱器封裝體，此加熱器封裝體可具有良好的阻障性質以及應力平衡狀態。

本發明一實施例的加熱器封裝體包括基板、第一阻障層、至少一加熱器以及第二阻障層。第一阻障層配置於基板的一表面上，且在遠離基板的一側具有第一處理層。加熱器配置於基板上，且加熱器包括加熱層以及至少一電極，其中電極與加熱層相互接觸。第二阻障層覆蓋加熱器的上表面以及側壁，且在遠離該基板的該側或相對的另一側具有第二處理層。第一處理層的厚度與第一阻障層的厚度比例以及第二處理層的厚度與第二阻障層的厚度比例介於0.03至0.2。

本發明一實施例的加熱器封裝體包括基板、至少一加熱器以及第一阻障層。加熱器配置於基板上，且加熱器包括加熱層以及至少一電極，其中電極與加熱層相互接觸。第一阻障層覆蓋基板的上表面、下表面與側壁以及加熱器的上表面與側壁，且在遠離基板的一側具有第一處理層。第一處理層的厚度與第一阻障層的厚度比例介於0.03至0.2。

在本發明一實施例的加熱器封裝體中，利用第一阻障層及/或第二阻障層包覆加熱器的上下表面及其側壁，分別將第一阻障層及/或第二阻障層的外露表面進行改質，可使第一阻障層及/或第二阻障層具備良好的阻障特性，藉此保護加熱器以降低受到水氧等影響。另外，透過分別將第一阻障層以及第二阻障層表面改質的厚度進行調整，可使加熱器封裝體達到應力平衡狀態而不易翹曲。

為使本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

實施方式中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本發明。在附圖中，各圖式繪示的是特定示範實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些示範實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對厚度及位置可能縮小或放大。以下的描述所引用的元件符號，當不同附圖出現相同的元件符號將視為相同或相似的元件。這些實施例只是本發明的一部份，並未揭示所有本發明的可實施方式。更確切的說，這些實施例只是本發明中加熱器封裝體的範例。

圖1A至圖1F為本發明第一實施例的加熱器封裝體製程的局部剖面示意圖。請參考圖1A，首先提供基板110，基板110可為具有可見光穿透性的硬質基板或可撓性基板。舉例而言，前述之硬質基板的材料例如是玻璃、晶圓或其他硬質材料，而前述之可撓性基板的材料例如是聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚醯胺(polyamide，PA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚乙烯亞胺(polyethylenimine，PEI)、聚氨酯(polyurethane，PU)、聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)、壓克力系(acrylic)聚合物例如是聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)等、醚系(ether)聚合物例如是聚醚碸(polyethersulfone，PES)或聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、聚烯(polyolefin)、薄玻璃或其他可撓性材料，但本發明並不以此為限。

接著，可以藉由溶液製程(solution process)在基板110以上形成第一阻障層120，再將第一阻障層120進行固化(curing)。第一阻障層120可覆蓋基板110的一表面。溶液製程中使用的第一阻障層120材料可例如是包括聚矽氮烷(polysilazane)、聚矽氮氧烷(polysiloxazane)或其他適合的材料。

在本實施例中，可將固化後的第一阻障層120利用照光、加熱或電漿等處理方式對第一阻障層120的外露表面進行改質，以增進其阻障特性。照光處理可例如是使用真空紫外光(vacuum ultraviolet light，VUV)；加熱處理可例如是利用加熱板(hot plate)、烘箱(oven)等方式進行加熱，使用的氣體可包括空氣、氮氣(N₂ )、氧氣(O₂ )等；電漿處理可包括使用鈍氣、氫氣(H₂ )、氮氣(N₂ )、氧氣(O₂ )、含氟氣體、氯氣(Cl₂ )等進行電漿改質。經過表面改質處理的第一阻障層120材料可例如是包括氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)或其他適合的材料。

請接續參考圖1B，第一阻障層120經處理後在遠離基板110的一側形成第一處理層120a，因此，第一阻障層120具有第一處理層120a與未處理層120b。第一處理層120a的材料例如是氮化矽(silicon nitride)或氮氧化矽(silicon oxynitride)，且相較於未處理層120b來說，第一處理層120a可具有較高的密度。在一實施例中，第一處理層120a與未處理層120b相比，第一處理層120a可具有較高的氮(N)元素含量。整體而言，第一阻障層120的成份組成可例如是包含氮(N)元素含量介於5at%至30at%、氧(O)元素含量介於20at%至50at%以及矽(Si)元素含量介於30at%至50at%，其中at%為原子百分比，且矽元素、氮元素以及氧元素含量總和可為100at%；第一阻障層120的密度可例如是大於等於2.2克/立方公分，水氣穿透率(water vapor transmission rate，WVTR) 可例如是小於或等於10^-1 公克/平方公尺-日，折射率(refractive index)可介於1.50至1.60。

在一實施例中，可利用能量色散X-射線光譜(energy dispersive spectroscopy，EDS)、X-射線光電子光譜(X-ray photoelectron spectroscopy，XPS)或其他適合的方法對第一阻障層120進行成份分析。能量色散X-射線光譜儀可附加於掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscopy，SEM)或穿透式電子顯微鏡(transmission electron microscopy，TEM)等儀器中，使用例如線掃描(line scan)或單點量測進行元素分析；X-射線光電子光譜儀可藉由例如單點量測或縱深量測進行元素分析，在與量測區域內的其他元素成份相比可得知第一阻障層120的成份組成。

請參考圖1C，接著形成至少一加熱器130，加熱器130配置於第一阻障層120上，加熱器130可包括加熱層130a以及至少一電極130b，電極130b可位於加熱層130a的上方、下方或周圍，加熱層130a以及電極130b能相互接觸即可。本實施例以電極130b位於加熱層130a的上方為例。在一實施例中，加熱層的材料可包括金屬、金屬氧化物、含碳導電材料或其他適合的材料，其中金屬可例如是鈦(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)或鋁(Al)等，金屬氧化物可例如是氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)等，含碳導電材料可例如是石墨烯(graphene)、奈米碳管(carbon nanotube，CNT)、奈米碳棒(carbon nanobud，CNB)或聚二氧乙基噻吩:聚苯乙烯磺酸(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate，PEDOT:PSS)等。

請參考圖1D，可以藉由溶液製程形成第二阻障層140於加熱器130上，再將第二阻障層140進行固化。第二阻障層140可覆蓋加熱器130的上表面以及側壁。溶液製程中使用的第二阻障層140材料可例如是包括聚矽氮烷(polysilazane)、聚矽氮氧烷(polysiloxazane)或其他適合的材料。

接著請參考圖1E，在本實施例中，可利用照光、加熱或電漿等處理方式對第二阻障層140的外露表面進行改質，以增進其阻障特性。經過改質處理的第二阻障層140材料可例如是包括氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)或其他適合的材料。

請參考圖1F，第二阻障層140經表面處理後，在遠離基板110的一側形成第二處理層140a，因此，第二阻障層140具有第二處理層140a與未處理層140b。第二處理層140a的材料例如是氮化矽(silicon nitride)或氮氧化矽(silicon oxynitride)，且相較於未處理層140b來說，第二處理層140a可具有較高的密度。在一實施例中，第二處理層140a與未處理層140b相比，第二處理層140a可具有較高的氮(N)元素含量。此外，在另一實施例中，考量加熱器封裝體100的可撓曲性，第一阻障層120及/或第二阻障層140的楊氏模數(Young’s modulus)可例如是介於3Gpa至10Gpa。整體而言，第二阻障層140的成份組成可例如是包含氮元素含量介於5at%至20at%、氧元素含量介於15at%至50at%以及矽元素含量介於30at%至50at%，其中矽元素、氮元素以及氧元素含量的總和可為100at%；第二阻障層140的密度可例如是大於等於2.2克/立方公分，水氣穿透率(water vapor transmission rate，WVTR) 可例如是小於或等於10^-1 公克/平方公尺-日，折射率可介於1.50至1.55；加熱器封裝體100的可見光穿透率可大於80%。第二阻障層140可利用與第一阻障層120相同或類似的方法進行元素分析，而得知第二阻障層140的成份組成。

在一實施例中，為了避免加熱器封裝體100因形成過程中累積過多應力而導致失效，可透過控制第一阻障層120及/或第二阻障層140之表面處理的厚度來進行調整，以使加熱器封裝體100達到應力平衡的狀態。舉例而言，當第一阻障層120以及基板110處於張應力狀態，例如第一阻障層120的整體厚度為150nm，其第一處理層120a的厚度約小於20nm，此時可將整體厚度例如為250nm的第二阻障層140的第二處理層140a厚度調整為例如是大於等於20nm至小於50nm的範圍，使得第二阻障層140為壓應力狀態，藉以達到加熱器封裝體100的應力平衡；當第一阻障層120以及基板110處於壓應力狀態，例如第一阻障層120的整體厚度為250nm，其第一處理層120a的厚度是大於等於20nm至小於50nm的範圍，此時可將整體厚度例如為150nm的第二阻障層140的第二處理層140a厚度調整為例如是小於20nm，使得第二阻障層140為張應力狀態，藉以達到加熱器封裝體100的應力平衡。在一實施例中，第一處理層120a及/或第二處理層140a表面處理的厚度可藉由調整處理時間、施加電壓、照光波長或加熱溫度等方式控制之。整體來說，第一處理層120a的厚度與第一阻障層120的厚度比例以及第二處理層140a的厚度與第二阻障層140的厚度比例可例如介於0.03至0.2，有利於控制加熱器封裝體100的應力狀態，達到加熱器封裝體100的應力平衡。本發明之各實施例可依需求採用前述方式調整之。

圖2為圖1E中A區的局部放大剖面示意圖。藉由溶液製程形成的阻障層，可於低溫製程(例如是小於等於120°C)下施作，並且對於表面斷差處具有良好的披覆能力，可有效覆蓋具有斷差的表面，以維持阻障效果。請參考圖2，在本實施例中以第二阻障層140為例，第二阻障層140覆蓋加熱層130a以及電極130b的上表面與側壁，於加熱層130a上表面的第二阻障層140厚度例如為Ta、於電極130b上表面的第二阻障層140厚度例如為Tb以及於電極130b側壁的第二阻障層140厚度例如為Tc，第二阻障層140的上方披覆率為Tb/Ta可介於0.25至1，且側向披覆率為Tc/Ta可介於0.25至1。

圖3為本發明第二實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。第二實施例的加熱器封裝體300與圖1F的加熱器封裝體100類似，在圖3中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1F中說明過的構件於此不再贅述。

在加熱器封裝體300的實施例中，第一阻障層120與加熱器130分別位於基板110的相對兩側。首先，在基板110上形成第一阻障層120，第一阻障層120經表面處理後具有良好的阻障特性，在遠離基板110的一側形成第一處理層120a，因此，第一阻障層120具有第一處理層120a與未處理層120b。後續於相對第一阻障層120的另一側基板110上完成加熱器130的製作，接著於加熱器130上塗佈形成第二阻障層140，第二阻障層140可覆蓋加熱器130以及基板110的上表面與側壁，再將第二阻障層140進行固化。第二阻障層140經表面處理後具有良好的阻障特性，在遠離基板110的另一側形成第二處理層140a，因此，第二阻障層140具有第二處理層140a與未處理層140b。藉由第一阻障層120以及第二阻障層140完整包覆加熱器封裝體300，有利於避免加熱器封裝體300受到水氧的影響而損壞。

在其他實施例中，可先形成加熱器130於基板110上，再例如以浸泡式塗佈(dip coating)、噴灑式製程(spray process)或其他可適用的製程方式形成阻障層於加熱器封裝體300的周圍並完整包覆，接著將阻障層進行固化且經表面處理後使其具備良好的阻障特性，可有效降低加熱器封裝體300受到水氧的影響而損壞。

圖4為本發明第三實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。第三實施例的加熱器封裝體400與圖1F的加熱器封裝體100類似，在圖4中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1F中說明過的構件於此不再贅述。

在加熱器封裝體400的實施例中，於形成第二阻障層140之前可選擇性地在加熱器130上形成例如是小於等於50nm厚度的第三阻障層150，並可使用與第一阻障層120類似甚或相同的材料，而基於不同功能性需求於後續採取不同的表面處理方式，使得第三阻障層150為全處理層而具有良好的阻障特性。此舉有助於提升第三阻障層150與加熱器130之間的界面附著性，可避免於第三阻障層150與加熱器130之間的界面產生剝離，進而維持第三阻障層150的阻障效果。在一實施例中，第三阻障層150的氮元素含量可高於第一阻障層120及/或第二阻障層140的氮元素含量。

本發明各實施例可依需求採用單層或多層阻障層及/或搭配不同的功能性膜層，其中功能性膜層可例如是緩衝層、硬化層、光學膜、平坦層或耐衝擊層等，使得加熱器封裝體可應用於商場展示櫥窗、車用、家電、建築物帷幕、除霧鏡面或智能可穿戴裝置等多項領域。以下將針對搭配至少一種功能性膜層的各個實施例進行說明，當然，亦可視需求採用多種功能性膜層混搭。

圖5A至圖5C分別為本發明第四實施例至第六實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。第四實施例至第六實施例的加熱器封裝體500a、500b、500c與圖1F的加熱器封裝體100類似，在圖5A至圖5C中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1F中說明過的構件於此不再贅述。

請參考圖5A，在加熱器封裝體500a的實施例中，若第二阻障層140會影響加熱器130，可於形成第二阻障層140之前先在加熱器130的表面以及側壁形成緩衝層160，以保護加熱器130。緩衝層160的分布面積可較第二阻氣層140小，有利於後續第二阻氣層140覆蓋緩衝層160，以降低水氧由側向進入加熱器封裝體500a。此外，在其他實施例中，請參考圖5B之加熱器封裝體500b，可藉由配置緩衝層160於第一阻氣層120與加熱器130之間，提升加熱器130的界面附著性。緩衝層160的分布面積可較第二阻氣層140小，有利於後續第二阻氣層140覆蓋緩衝層160，以減少側向水氧進入加熱器封裝體500b的機會。再者，於另一實施例中，請參考圖5C之加熱器封裝體500c，若第一阻障層120會影響基板110，可於形成第一阻障層120之前先在基板110上形成緩衝層160，以保護基板110。緩衝層160可兼具填補或是覆蓋表面缺陷的功用。

形成緩衝層160的方法可例如是噴墨印刷(ink-jet printing，IJP)、電漿輔助化學氣相沈積(plasma-enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD）、濺鍍(sputter deposition)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)或其他適合的製程方法。緩衝層160的材料包括有機材料或無機材料，其中有機材料可包括壓克力系(acrylic)聚合物、環氧系(epoxy)聚合物、聚醯亞胺(polyimide，PI)或其組合等；無機材料可包括金屬氧化物例如是氧化鋁(aluminum oxide)、氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)等、氮化矽(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)、氧化矽(silicon oxide)或其組合等。

圖6為本發明第七實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。第七實施例的加熱器封裝體600與圖1F的加熱器封裝體100類似，在圖6中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1F中說明過的構件於此不再贅述。

在加熱器封裝體600的實施例中，可選擇性地於最外層例如是第二阻障層140上形成硬化層(hard coat)162，以提升加熱器封裝體600的抗刮耐磨特性，硬化層162的硬度(hardness)可例如是介於1H至9H，其中H為鉛筆硬度。此外，在另一實施例中，第二阻障層140的硬度例如是介於1H至9H，即可兼具抗刮與耐磨的功效，而無須額外的硬化層162。

圖7A至圖7C分別為本發明第八實施例至第十實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。第八實施例至第十實施例的加熱器封裝體700a、700b、700c與圖1F的加熱器封裝體100類似，在圖7A至圖7C中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1F中說明過的構件於此不再贅述。

請參考圖7A，在加熱器封裝體700a的實施例中，光學膜164可配置於加熱器130與第二阻障層140之間。光學膜164包括光學匹配層，光學匹配層的折射率可大於等於1.5且小於等於基板110的折射率，藉此提高加熱器封裝體700a的可見光穿透率。再者，於另一實施例中，光學膜164可包括調光層，調光層的材料包括例如是光致變色(photochromic)材料或電致變色(electrochromic)材料，其中光致變色材料可包括鹵化物，電致變色材料可包括金屬氧化物，使得加熱器封裝體700a可應用於例如是車載或建築物等的智慧窗戶，藉以調整環境光進入車內或室內的亮度與色彩。光學膜164的分布面積可較第二阻氣層140小，有利於後續第二阻氣層140覆蓋光學膜164，以降低水氧由側向進入加熱器封裝體700a。

在其他實施例中，請參考圖7B的加熱器封裝體700b，光學膜164可配置於加熱器130與第一阻障層120之間。光學膜164可包括調光層，調光層的材料包括例如是光致變色材料或電致變色材料，使得加熱器封裝體700b可應用於例如是車載或建築物等的智慧窗戶，藉以調整環境光進入車內或室內的亮度與色彩。光學膜164的分布面積可較第二阻氣層140小，有利於後續第二阻氣層140覆蓋光學膜164，以減少水氧由側向進入加熱器封裝體700b。

於另一實施例中，請參考圖7C的加熱器封裝體700c，光學膜164可配置在第二阻障層140上。光學膜164可包括抗反射層(anti-reflection layer)，抗反射層的折射率可例如是介於1至1.7，藉此提高加熱器封裝體700c的可見光穿透率(transmittance of visible light)。另外，在一實施例中，光學膜164可包括抗紫外光(ultraviolet，UV)/紅外光(infrared，IR)層，抗紫外光/紅外光層(anti-UV/IR layer)的抗紫外光穿透率可大於90%且抗紅外光穿透率可大於20%。加熱器封裝體700c可應用於例如是車載或建築物等的智慧窗戶，以減少環境光中的紫外光/紅外光進入車內或室內，達到防曬隔熱的效果。

圖8A至圖8B分別為本發明第十一實施例至第十二實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。第十一實施例至第十二實施例的加熱器封裝體800a、800b與圖1F的加熱器封裝體100類似，在圖8A至圖8B中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1F中說明過的構件於此不再贅述。

請參考圖8A，在加熱器封裝體800a的實施例中，若第二阻氣層140無法於加熱器130上形成平坦表面，可藉由在第二阻氣層140上製作平坦層166，有助於後續與膠材貼合的密合度。平坦層166的製法可例如是噴墨印刷(ink-jet printing，IJP)、狹縫式塗佈(slot die coating)、旋轉塗佈(spin coating)或其他適合的製程方法。

於另一實施例中，請參考圖8B的加熱器封裝體800b，藉由先在加熱器130上製作平坦層166，再以第二阻氣層140覆蓋於平坦層166的表面以及側壁，形成具有阻障特性且表面平坦的加熱器封裝體800b，有助於後續與膠材貼合的密合度。

圖9A至圖9B分別為本發明第十三實施例至第十四實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。第十三實施例至第十四實施例的加熱器封裝體900a、900b與圖1F的加熱器封裝體100類似，在圖9A至圖9B中，相同或相似的標號表示相同或相似的構件，故針對圖1A至圖1F中說明過的構件於此不再贅述。

在本實施例中，可使用膠材170貼合外蓋膜(external cover film) 180於最外層，意即膠材170是配置於外蓋膜180與第二阻障層140之間(如圖9A的加熱器封裝體900a所示)，或者，膠材170是配置於外蓋膜180與基板110之間(如圖9B的加熱器封裝體900b所示)。膠材170可包括光學透明膠材(optically clear adhesive，OCA)或其他可適用材料。外蓋膜180可利用包括具有可撓性的基板110、硬化層162、光學膜164或耐衝擊結構等可適用的功能性膜層，其中具有可撓性的基板110、硬化層162以及光學膜164已於前述實施例說明過，在此不予贅述。

在一實施例中，耐衝擊結構可例如為軟質材料與硬質材料疊層之複合性材料，軟質材料的耐衝擊強度例如是大於2公斤-公分/平方公分，可包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)纖維層、聚乙烯醇縮丁醛樹脂(polyvinyl butyral resin，PVB )或其他可適用的有機材料；硬質材料可包括玻璃、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)板材或其他可適用材料。利用貼合耐衝擊結構，可有效提升加熱器封裝體900a、900b的韌性以及耐衝擊強度。

綜上所述，本發明一實施例的加熱器封裝體中，利用第一阻障層及/或第二阻障層包覆加熱器的上下表面及其側壁，並分別將第一阻障層及/或第二阻障層的外露表面進行改質，可使第一阻障層及/或第二阻障層具備良好的阻障特性，藉此保護加熱器以減少因水氧等的影響而受損。此外，分別調整第一阻障層以及第二阻障層的表面改質厚度，可使加熱器封裝體達到應力平衡狀態。再者，本發明各實施例可依需求採用單層或多層阻障層及/或搭配不同的功能性膜層，使得加熱器封裝體可應用於商場展示櫥窗、車用、家電、建築物帷幕、除霧鏡面或智能可穿戴裝置等多項領域。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍及其均等範圍所界定者為準。

100、300、400、500a、500b、500c、600、700a、700b、700c、800a、800b、900a、900b:加熱器封裝體 110:基板 120:第一阻障層 120a:第一處理層 120b、140b:未處理層 130:加熱器 130a:加熱層 130b:電極 140:第二阻障層 140a:第二處理層 150:第三阻障層 160:緩衝層 162:硬化層 164:光學膜 166:平坦層 170:膠材 180:外蓋膜 Ta、Tb、Tc:厚度

圖1A至圖1F為本發明第一實施例的加熱器封裝體製程的局部剖面示意圖。圖2為圖1E中A區的局部放大剖面示意圖。圖3為本發明第二實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。圖4為本發明第三實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。圖5A至圖5C分別為本發明第四實施例至第六實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。圖6為本發明第七實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。圖7A至圖7C分別為本發明第八實施例至第十實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。圖8A至圖8B分別為本發明第十一實施例至第十二實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。圖9A至圖9B分別為本發明第十三實施例至第十四實施例的加熱器封裝體的局部剖面示意圖。

100:加熱器封裝體

110:基板

120:第一阻障層

120a:第一處理層

120b、140b:未處理層

130:加熱器

130a:加熱層

130b:電極

140:第二阻障層

140a:第二處理層

Claims

一種加熱器封裝體，包括：基板；第一阻障層，配置於該基板的表面上，該第一阻障層在遠離該基板的一側具有第一處理層；至少一加熱器，配置於該基板上，該至少一加熱器包括加熱層以及至少一電極，其中該至少一電極與該加熱層相互接觸；以及第二阻障層，覆蓋該至少一加熱器的上表面以及側壁，該第二阻障層在遠離該基板的該側或相對的另一側具有第二處理層，其中該第一處理層的厚度與該第一阻障層的厚度比例以及該第二處理層的厚度與該第二阻障層的厚度比例介於0.03至0.2。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，其中該第一處理層的厚度以及該第二處理層的厚度小於50nm。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，其中該第一阻障層的成份組成包含氮元素含量介於5at%至30at%、氧元素含量介於20at%至50at%以及矽元素含量介於30at%至50at%，且該第一阻障層的折射率介於1.50至1.60。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，其中該第二阻障層的成份組成包含氮元素含量介於5at%至20at%、氧元素含量介於15at%至50at%以及矽元素含量介於30at%至50at%，且該第二阻障層的折射率介於1.50至1.55。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，其中該第二阻障層具有上方披覆率以及側向披覆率，該上方披覆率以及該側向披覆率介於0.25至1。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，其中該第二阻障層的硬度介於1H至9H。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，其中該第二阻障層更覆蓋至該基板的側壁。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，更包括第三阻障層，其中該第三阻障層配置於該至少一加熱器與該第二阻障層之間。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，更包括緩衝層，其中該緩衝層配置於該基板與該第一阻障層之間、該至少一加熱器與該第一阻障層之間或該至少一加熱器與該第二阻障層之間。
如申請專利範圍第9項所述之加熱器封裝體，其中該緩衝層的材料包括有機材料或無機材料，該有機材料包括壓克力系聚合物、環氧系聚合物、聚醯亞胺或其組合，且該無機材料包括金屬氧化物、氮化矽、氮氧化矽、氧化矽或其組合。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，更包括硬化層，其中該硬化層配置於該第二阻障層上，且該硬化層的硬度介於1H至9H。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，更包括光學膜，其中該光學膜配置於該至少一加熱器與該第一阻障層之間、該至少一加熱器與該第二阻障層之間或該第二阻障層上。
如申請專利範圍第12項所述之加熱器封裝體，其中該光學膜包括抗反射層，且該抗反射層的折射率介於1至1.7。
如申請專利範圍第12項所述之加熱器封裝體，其中該光學膜包括光學匹配層，且該光學匹配層的折射率大於等於1.5且小於等於該基板的折射率。
如申請專利範圍第12項所述之加熱器封裝體，其中該光學膜包括抗紫外光/紅外光層，該抗紫外光/紅外光層的抗紫外光穿透率大於90%且抗紅外光穿透率大於20%。
如申請專利範圍第12項所述之加熱器封裝體，其中該光學膜包括調光層，該調光層的材料包括光致變色材料或電致變色材料，其中該光致變色材料包括鹵化物，該電致變色材料包括金屬氧化物。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，更包括平坦層，其中該平坦層配置於該至少一加熱器與該第二阻障層之間或該第二阻障層上。
如申請專利範圍第1項所述之加熱器封裝體，更包括膠材以及外蓋膜，其中該膠材配置於該外蓋膜與該基板之間或該外蓋膜與該第二阻障層之間。
如申請專利範圍第18項所述之加熱器封裝體，其中該外蓋膜包括具有可撓性的該基板、硬化層、光學膜或耐衝擊結構。
一種加熱器封裝體，包括：基板；至少一加熱器，配置於該基板上，該至少一加熱器包括加熱層以及至少一電極，其中該至少一電極與該加熱層相互接觸；以及第一阻障層，覆蓋該基板的上表面、下表面與側壁以及該至少一加熱器的上表面與側壁，且該第一阻障層在遠離該基板的一側具有第一處理層，其中該第一處理層的厚度與該第一阻障層的厚度比例介於0.03至0.2。