TWI716474B

TWI716474B - 導熱性膏體用組成物、導熱性膏體及散熱構件

Info

Publication number: TWI716474B
Application number: TW105134226A
Authority: TW
Inventors: 堂本高士; 山縣利貴
Original assignee: 日商電化股份有限公司
Priority date: 2016-10-24
Filing date: 2016-10-24
Publication date: 2021-01-21
Also published as: TW201815973A

Abstract

一種導熱性膏體用組成物，含有：(A)兩末端含有乙烯基的質量平均分子量10000~800000的矽酮、(B)分子中不含有乙烯基且分子中含有平均5~10個氫矽烷基的質量平均分子量2000~10000的矽酮、(C)兩末端含有乙烯基且分子中含有平均1~4個氫矽烷基的質量平均分子量10000~40000的矽酮、(D)含有反應性雙鍵的矽烷偶合劑、及(E)導熱性填料。

Description

導熱性膏體用組成物、導熱性膏體及散熱構件

本發明係關於導熱性膏體用組成物、導熱性膏體及散熱構件。

隨著發熱性電子零件的小型化及高功率化，從電子零件產生的每單位面積的熱量變得非常大。就電子零件的冷卻而言，係使用金屬製的散熱片(heat sink)、框體等作為冷卻部，且進一步使用散熱材以便效率佳地將熱從電子零件傳送至冷卻部。作為使用此散熱材的理由，在於使電子零件與冷卻部直接接觸的情況下，若微觀地觀察，其界面會存在空氣而妨礙導熱。因此，藉由使散熱材存在於電子零件與冷卻部之間以取代存在於界面的空氣，能夠效率佳地傳送熱。

此外，如電子零件會在作動前因使用環境而達到負數十℃的低溫，而在作動中達到高溫這樣，每當使用電子零件時，散熱材會持續受到巨大的冷熱衝擊。為了使電子零件長時間不故障，必須持續冷卻發熱的電子零件，必須充分地維持散熱材的散熱特性。

過去以來，係利用矽酮系材料作為介於電子零件與其他構件之間的樹脂材料(例如，專利文獻1~4)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2014-162885號公報

專利文獻2：國際公開第2010/010841號

專利文獻3：日本特開2012-102177號公報

專利文獻4：日本特開2014-162886號公報

作為散熱性優異的散熱材，例如，已知有在矽酮油等液狀矽酮或低分子量矽酮等低黏度矽酮中添加了導熱性填料的一種具有流動性的膏體。但是，膏體雖為高導熱，但由於有流動性，因此在使其重複數次冷熱衝擊下使用時，會發生破裂(在曝露於高溫下時，膏體中產生缺陷部的現象)或溢出(pump-out)(因基材、膏體本身的熱膨脹、收縮而導致膏體從冷卻部流出到外面的現象)，有熱阻上升的情況。

溢出係在高溫時的膏體黏度越低越容易發生，是以開發可抑制破裂及溢出兩者的膏體是極困難的。

經發明人等銳意檢討，結果確認到：冷熱衝擊過程中的膏體的破裂現象係肇因於填料再凝聚的現象。此外，就減少填料的再凝聚而言，發現到：在矽酮分子鏈中導入與填料表面產生相互作用的矽烷偶合劑是有效的。另外，關於膏體的溢出現象，確認到：矽酮交聯體的構造控制是不可或缺的。此外，就此矽酮交聯體的構造控制而言，發現到：具有特定的分子量、乙烯基數目、於分子中之一定數量的平均氫矽烷基數目的矽酮是不可或缺的。

本發明有鑑於上述問題和實際狀況，目的在於提供一種在冷熱衝擊過程中耐破裂性及耐溢出性優異的導熱性膏體。另外，本發明的目的在於提供可形成此導熱性膏體的導熱性膏體用組成物、及包含此導熱性膏體的散熱構件。

本發明為了解決上述課題，採用以下的手段。

(1)一種導熱性膏體用組成物，含有：(A)兩末端含有乙烯基的質量平均分子量10000~800000的矽酮、(B)分子中不含有乙烯基且分子中含有平均5~10個氫矽烷基的質量平均分子量2000~10000的矽酮、(C)兩末端含有乙烯基且分子中含有平均1~4個氫矽烷基的質量平均分子量10000~40000的矽酮、(D)含有反應性雙鍵的矽烷偶合劑、及(E)導熱性填料。

(2)如(1)記載的導熱性膏體用組成物，其中以前述導熱性膏體用組成物的總量基準時，前述(A)成分、前述(B)成分、前述(C)成分及前述(D)成分的總和為6~20質量%。

(3)如(1)或(2)記載的導熱性膏體用組成物，其中以前述導熱性膏體用組成物的總量基準時，前述(A)成分的含量為2.5~15質量%，前述(B)成分的含量為0.005~0.1質量%，前述(C)成分的含量為1~10質量%，前述(D)成分的含量為0.01~0.6質量%。

(4)如(1)~(3)中任一項記載的導熱性膏體用組成物，其中前述(E)成分包含從包含氧化矽、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁及氧化鋅的群組所選出的1種以上。

(5)如(1)~(4)中任一項記載的導熱性膏體用組成物，其中前述(E)成分包含平均粒徑為15~100μm的粗粉、平均粒徑為2~11μm的中粒粉、及平均粒徑為0.5~1μm的微粉。

(6)一種導熱性膏體，包含如(1)~(5)中任一項記載的導熱性膏體用組成物的硬化物。

(7)一種散熱構件，具備：包含如(6)記載的導熱性膏體的散熱材、和透過前述散熱材而與電子零件接合的冷卻部。

本發明發現一種含有特定的矽酮、矽烷偶合劑及導熱性填料的導熱性膏體用組成物，能形成在冷熱衝擊過程後仍維持作為膏體的特性且兼顧耐破裂性及耐溢出性的導熱性膏體。

1‧‧‧散熱構件

2‧‧‧發熱元件

3‧‧‧固定器具

10‧‧‧導熱性膏體

20‧‧‧冷卻部

21‧‧‧冷卻框體

22‧‧‧循環管線

第1圖係實施例2的耐溢出性評價試驗後的試驗片。

第2圖係比較例3的耐溢出性評價試驗後的試驗片。

第3圖係實施例2的耐破裂性評價試驗後的試驗片。

第4圖係比較例2的耐破裂性評價試驗後的試驗片。

第5圖係將比較例2的耐破裂性評價試驗後的試驗片進行二值化的影像。

第6圖係顯示散熱構件的一實施形態的示意剖面圖。

[實施發明之形態]

以下，針對本發明的合適的實施形態進行說明。

本實施形態的導熱性膏體用組成物，含有：(A)兩末端含有乙烯基的質量平均分子量10000~800000的矽酮((A)成分)、(B)分子中不含有乙烯基且分子中含有平均5~10個氫矽烷基的質量平均分子量2000~10000的矽酮((B)成分)、(C)兩末端含有乙烯基且分子中含有平均1~4個氫矽烷基的質量平均分子量10000~40000的矽酮((C)成分)、(D)含有反應性雙鍵的矽烷偶合劑((D)成分)、及(E)導熱性填料((E)成分)。

導熱性膏體用組成物係利用矽酮的加成反應(交聯反應)進行交聯，將交聯度最適化，從而得到具有流動性的導熱性膏體。又，本說明書中，將進行導熱性膏體用組成物的交聯反應稱為硬化，交聯反應依情況也稱為硬化反應。作為硬化方法，可舉出下述方法：在導熱性膏體用組成物中添加加成反應觸媒，將其加熱。此外，也能採用下述方法：將導熱性膏體用組成物分為二劑，在一劑中添加加成反應觸媒，在常溫下進行硬化。即，導熱性膏體用組成物可以進一步含有加成反應觸媒。加成反應觸媒，例如，可以是鉑系觸媒。

(A)兩末端含有乙烯基的矽酮係質量平均分子量為10000~800000，質量平均分子量更佳為10000~ 40000。藉由將質量平均分子量設為10000以上，耐溢出性變佳。此外，藉由將質量平均分子量設為800000以下，耐破裂性變佳。作為它們的市售品，例如，能使用Toray-Dow Corning公司製的SE1885/A劑等。

(A)成分可以是分子中的氫矽烷基為平均小於1個的矽酮，較佳為不含有氫矽烷基的矽酮。

以導熱性膏體用組成物的總量基準時，導熱性膏體用組成物中(A)成分的添加量較佳為2.5~15質量%，更佳為3~5質量%。藉由設為2.5質量%以上，耐破裂性變得更佳。此外，藉由設為15質量%以下，耐溢出性變得更佳。

(B)成分係供調整導熱性膏體用組成物的硬化物的交聯度用的成分。分子中的氫矽烷基數目為平均5~10個，更佳為平均5~7個。藉由將氫矽烷基數目設為平均5個以上，耐溢出性變佳。此外，藉由設為平均10個以下，耐破裂性變佳。作為(B)成分的市售品，例如，可舉出Toray-Dow Corning-Silicone公司製的商品名「RD-1」等。

以導熱性膏體用組成物的總量基準時，導熱性膏體用組成物中(B)成分的添加量較佳為0.005~0.1質量%，更佳為0.005~0.04質量%。藉由設為0.005質量%以上，耐溢出性變得更佳。此外，藉由設為0.1質量%以下，耐破裂性變得更佳。

(C)成分係供調整導熱性膏體用組成物的硬化物的交聯度用的成分。分子中的氫矽烷基數目為平均1 ~4個，更佳為平均1~2個。藉由將氫矽烷基數目設為平均1以上，耐破裂性變佳。此外，藉由設為平均4個以下，耐溢出性變佳。

(C)成分的質量平均分子量為10000~40000，更佳為1000~25000。藉由將質量平均分子量設為10000以上，耐溢出性變佳。此外，藉由設為40000以下，耐破裂性變佳。

以導熱性膏體用組成物的總量基準時，導熱性膏體用組成物中(C)成分的添加量較佳為1~10質量%，更佳為2.5~5質量%。藉由設為1質量%以上，耐溢出性變得更佳。此外，藉由設為10質量%以下，耐破裂性變得更佳。

(D)成分係為了減少填料的再凝聚，用以在矽酮分子鏈中導入與填料表面產生相互作用的矽烷偶合劑而使用。為了在矽酮分子鏈導入矽烷偶合劑，矽烷偶合劑具有反應性雙鍵。作為反應性雙鍵，可舉出：乙烯基、烯丙基等。作為(D)成分，可舉出：烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基氯二甲基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三氯矽烷、氯二甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、三氯乙烯基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、二甲基乙氧基乙烯基矽烷、乙烯基參(2-甲氧基乙氧基)矽烷等。作為(D)成分的市售品，例如，可舉出Toray-Dow Corning-Silicone公司製的商品名「Z6300」、「Z6519」、「Z6075」。它們當中，就與填料的反應性、作為與填料脫水縮合反應後的副產物的低有害性乙醇的產生方面而言，較佳為Z6519(烯丙基三乙氧基矽烷)。

以導熱性膏體用組成物的總量基準時，導熱性膏體用組成物中(D)成分的添加量較佳為0.01~0.6質量%，更佳為0.02~0.3質量%。藉由設為0.01質量%以上，耐破裂性變得更佳。此外，藉由設為0.60質量%以下，耐溢出性變得更佳。

以導熱性膏體用組成物的總量基準時，導熱性膏體用組成物中的(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分的總和較佳為6~20質量%，更佳為6~10質量%。藉由設為6質量%以上，導熱性變得更佳。此外，藉由設為20質量%以下，塗布之際的黏性變得更佳。

在將本實施形態的導熱性膏體用組成物分為二劑使用的情況下，較佳為第一劑中包含(A)成分、(D)成分及加成反應觸媒，第二劑中包含(B)成分及(C)成分。藉此，即使有加成反應觸媒存在，也能提高二劑的儲存穩定性。

(E)成分較佳為從包含氧化矽、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁及氧化鋅的群組所選出的1種以上。此外，作為(E)成分，就填充性方面而言，較佳為氧化鋁，就導熱性方面而言，較佳為氧化鋁及氮化鋁。

(E)成分較佳為包含平均粒徑為15~100μm的粗粉、平均粒徑為2~11μm的中粒粉、及平均粒徑為0.5~1μm的微粉。藉由將粗粉的平均粒徑設為15μm以上，導熱性及耐溢出性變得更佳。此外，藉由將粗粉的平均粒徑設為100μm以下，絕緣性及耐破裂性變得更佳。此外，藉由將中粒粉的平均粒徑設為2~11μm，導熱性填料的填充量提高。另外，藉由將微粉的平均粒徑設為0.5μm以上，導熱性及耐溢出性變得更佳。此外，藉由將微粉的平均粒徑設為1μm以下，絕緣性及耐破裂性變得更佳。依此方式使用平均粒徑不同的3種導熱性填料，從而能夠維持適合塗布的黏性，同時以更高水準兼顧絕緣性、耐破裂性、導熱性及耐溢出性。

以導熱性膏體用組成物的總量基準時，導熱性膏體用組成物中的(E)成分的量較佳為超過80質量%~小於94質量%，更佳為90~94質量%。藉由設為超過80質量%的量，導熱性變得更佳。此外，藉由設為小於94質量%，塗布之際的黏性變得更佳。

在本實施形態中，例如，可以在對作為導熱性膏體用組成物的物性不會造成不良影響的程度下，添加相對於導熱性膏體用組成物100質量份為0.05~0.2質量份的RESINO COLOR工業股份公司製的「RESINO BLACK」等著色劑。此外，可以根據需要掺合抗氧化劑、抗金屬腐蝕劑等。

本實施形態的導熱性膏體用組成物能藉由以行星攪拌機、萬能混合攪拌機、捏合機、混合型混合機等進行混練來製造。

本實施形態的導熱性膏體用組成物，例如，能夠在25℃~200℃下加熱0.5小時~24小時而預先進行了交聯反應的狀態下用作散熱膏體(導熱性膏體)。此外，也可以在將電子零件和散熱片接合後，以相同條件加熱使用。

本實施形態的導熱性膏體用組成物能藉由交聯來形成導熱性膏體。即，本實施形態的導熱性膏體能稱為導熱性膏體用組成物的硬化物(交聯物)。導熱性膏體，例如，可以將導熱性膏體用組成物的各成分加熱混練而形成。

本實施形態的散熱構件具備：包含導熱性膏體的散熱材、和透過散熱材而與電子零件接合的冷卻部。冷卻部，例如，可以是金屬製框體、散熱片等散熱性優異的構件，也可以是水冷式護套(water jacket)等的利用冷媒進行冷卻的構件。

第6圖係顯示散熱構件的一實施形態的示意剖面圖。第6圖所示的散熱構件1具備導熱性膏體10和冷卻部20。冷卻部20具備冷卻框體21、和使冷卻水在冷卻框體21內循環的循環管線22，在冷卻框體21上係透過導熱性膏體10設置有發熱元件2。電子零件的發熱元件2係藉由固定器具3固定在冷卻框體21上。在冷卻框體21上係透過導熱性膏體10分別設置有複數個發熱元件2。

[實施例]

以下，藉由實施例及比較例具體說明本發明，但本發明不限於此。

<導熱性膏體用組成物的製造>

導熱性膏體用組成物的製造係使用以下的原料。

(A)成分

．Wacker公司製，「Silgel 613 A劑」，質量平均分子量10000

．Momentive公司製，「XE14-B8530 A劑」，質量平均分子量25000

．Dow corning公司製，「SE1885 A劑」，質量平均分子量40000

．Momentive公司製，「TSE201」，質量平均分子量800000

(B)成分

．Dow corning公司製，「RD-1」，質量平均分子量2000，平均氫矽烷基數目5個

．Bluestar silicone公司製，「BLUESIL FLD 628 V12 H3.5」，質量平均分子量3000，平均氫矽烷基數目7個

．Bluestar silicone公司製，「BLUESIL FLD 626 V30 H2.5」，質量平均分子量5000，平均氫矽烷基數目9個

．Bluestar silicone公司製，「BLUESIL FLD 626 V70 H0.7」，質量平均分子量10000，平均氫矽烷基數目10個

．Bluestar silicone公司製，「BLUESIL FLD 620 V3」，質量平均分子量2000，平均氫矽烷基數目2個

．Bluestar silicone公司製，「BLUESIL FLD 626 V25 H7」，質量平均分子量3000，平均氫矽烷基數目20個(比較例用)

(C)成分

．Wacker公司製，「Silgel 613 B劑」，質量平均分子量1萬，平均氫矽烷基數目1個

．Momentive公司製，「XE14-B8530 B劑」，質量平均分子量25000，平均氫矽烷基數目2個

．Dow corning公司製，「SE1885 B劑」，質量平均分子量40000，平均氫矽烷基數目4個

(D)成分

．乙烯基三乙氧基矽烷，Dow corning公司製，「Z6519」

(E)成分

(E-1)粗粉

．氧化鋁，電氣化學工業公司製，「DAW90」，平均粒徑90μm

．氧化鋁，電氣化學工業公司製，「DAW70」，平均粒徑70μm

．氧化鋁，電氣化學工業公司製，「DAW45」，平均粒徑45μm

．氧化鋁，住友化學公司製，「AA-18」，平均粒徑18μm

．氮化鋁，電氣化學工業公司製，「SAN」，平均粒徑20μm

(E-2)中粒粉

．氧化鋁，電氣化學工業公司製，「DAS10」，平均粒徑10μm

．氧化鋁，電氣化學工業公司製，「DAW05」，平均粒徑5μm

．氧化鋁，住友化學公司製，「AA-2」，平均粒徑2μm

．氧化鋅，堺化學公司製，「ZIMC-11」，平均粒徑11μm

(E-3)微粉

．氧化鋁，住友化學公司製，「AA-05」，平均粒徑0.5μm

．氧化鋅，Honjo Chemical公司製，「一種」，平均粒徑0.5μm

．氮化鋁，Tokuyama公司製，「H」，平均粒徑1μm

(F)其他

．鉑系觸媒，Momentive公司製，「SFG-32」

在150℃下、3小時、絕對壓力100Pa以下，用表1~表6所示的比例將各種原料進行真空加熱混練，製造數種導熱性膏體。又，各掺合原料的質量平均分子量、平均氫矽烷基數目及平均粒徑係利用以下方法進行測定。

[質量平均分子量]

使用GPC(凝膠滲透層析)求出標準聚苯乙烯換算的質量平均分子量。溶媒使用THF，使用Tosoh公司製的「HLC-8020」進行測定。偵測器(detector)使用RI(微差折射率計)。

[平均氫矽烷基數目]

使用JOEL公司製的「JOEL ECP-300」進行¹H-NMR測定，將乙烯基數目、甲基數目、氫矽烷基數目的數目比進行定量。在兩末端含有乙烯基的含氫矽烷基的矽酮的情況下，由乙烯基和氫矽烷基的數目比算出平均氫矽烷基數目。此外，對於不具有乙烯基的含氫矽烷基的矽酮，使用Tosoh公司製的「HLC-8020」測定質量平均分子量，再從甲基數目和氫矽烷基數目的數目比與質量平均分子量的測定值算出平均氫矽烷基數目。

[平均粒徑]

使用島津製作所製的「雷射繞射式粒度分布測定裝置SALD-200」進行測定。評價樣品係在玻璃燒杯添加50cc的純水和測定的導熱性填料5g，使用刮勺攪拌，之後用超音波洗淨機進行10分鐘分散處理。使用吸量管，將進行過分散處理的導熱性填料的分散液逐滴添加至裝置的取樣器，等待吸光度穩定至可以被測定。依此方式在吸光度變得穩定的時點進行測定。雷射繞射式粒度分布測定裝置係基於以感測器檢測到的粒子所造成的繞射/散射的光強度分布的資料來計算粒度分布。平均粒徑係將相對粒子量(差分%)乘以所測定的粒徑的值後，除以相對粒子量的合計(100%)來求出。

表1~表6所示的導熱性膏體的物性係利用以下方法進行測定。

[黏度]

以Thermo Scientific公司製的旋轉式Rheometer MARSIII，使用35mmΦ的平行板作為上部治具，在可以用帕耳帖元件控制溫度的35mmΦ的下部板上擺放導熱性膏體，用上部治具壓縮至厚度1mm，溢出的部分予以刮取，開始測定。測定剪斷速度0.0001~100s^-1的黏度，將剪斷速度10s^-1的黏度用於評價。在黏度低於400Pa．s的情況下，可以進行金屬遮罩-網版印刷、利用刮刀的塗布，作業性佳。在黏度為400Pa．s以上且小於1200Pa．s的情況下，無法進行金屬遮罩-網版印刷、利用刮刀的塗布，但可以進行利用自動塗布機從注射器的吐出及塗布。在1200Pa．s以上且小於1500Pa．s方面，利用自動塗布機的吐出及塗布相當費時，因此很難進行。在超過1500Pa．s的情況下，連利用自動塗布機的吐出及塗布也無法進行。

以上，進行評價之際，使用以下的指標。

A：黏度小於400Pa．s

B：黏度400Pa．s以上且小於1200Pa．s

C：黏度1200Pa.s以上且小於1500Pa．s

D：黏度1500Pa．s以上

[導熱率]

在埋有加熱器的直方體的銅製治具且前端為100mm²(10mm×10mm)、與安裝有冷卻鰭片的直方體的銅製治具且前端為100mm²(10mm×10mm)之間，包夾導熱性膏體，在間隙的厚度為0.05mm~0.30mm的範圍內測定熱阻，從熱阻和厚度的斜率算出導熱率以進行評價。熱阻係對加熱器施加電力10W保持30分鐘，測定銅製治具彼此的溫度差(℃)，依熱阻(℃/W)={溫度差(℃)/電力(W)}來算出。

作為導熱率，若在導熱性膏體的用途上為1W/mK以上的話，便可沒有問題地使用。

又，進行評價之際，使用以下的指標。

A：導熱率2.5W/mK以上

B：導熱率1.0W/mK以上且小於2.5W/mK

D：導熱率小於1.0W/mK

[耐溢出性]

鋁板使用大小60mm見方且厚度100μm，將導熱性膏體進行0.03cc×4點的塗布，進行真空脫泡1小時的處理。之後，使夾入玻璃板，以導熱性膏體的直徑成為20mm的圓形的方式進行調整。

接著，將4kg的砝碼擺放在玻璃板上放置1天後，將玻璃板兩端以夾具閉合固定，用油性麥克筆標出因荷重而變形的導熱性膏體的外周。實施-40℃至150℃的冷熱衝擊試驗，評價耐溢出性。-40℃和150℃的保持時間設為30分鐘，-40℃至150℃、150℃至-40℃的升降溫設為在5分鐘以內，實施300次循環。第1圖係顯示實施例2的耐溢出性評價試驗後的試驗片的圖。第2圖係顯示比較例3的耐溢出性評價試驗後的試驗片的圖。

在耐溢出性的評價中，溢出性的評價如下。

溢出率(%)=(熱衝擊試驗後的直徑-熱衝擊試驗前的直徑)/冷熱衝擊試驗前的直徑×100

A：溢出率0%

B：溢出率1%以上且小於5%

C：溢出率5%以上且小於15%

D：溢出率15%以上

[耐破裂性]

鋁板使用大小60mm見方且厚度100μm，用刮刀塗布導熱性膏體，進行真空脫泡1小時的處理後，使夾入玻璃板。

接著，實施-40℃至150℃的冷熱衝擊試驗。-40℃和150℃的保持時間分別設為30分鐘，-40℃至150℃、150℃至-40℃的升降溫設為在5分鐘以內，實施300次循環。第3圖係顯示實施例2的耐破裂性評價試驗後的試驗片的圖，第4圖係顯示比較例2的耐破裂性評價試驗後的試驗片的圖。此外，第5圖係顯示將比較例2的耐破裂性評價試驗後的試驗片進行二值化的影像的圖。

作為耐破裂率的計算方法，如第5圖所示，使用能進行二值化的影像處理軟體(此處為GIMP2.0)進行二值化，測定空隙的面積(黑色部)及膏體的面積(白色部)。

A：破裂率0%

B：破裂率1%以上且小於5%

C：破裂率5%以上且小於15%

D：破裂率15%以上

如實施例及比較例所示，使用了本發明的導熱性膏體用組成物的導熱性膏體，結果：耐溢出性、耐破裂性優異，且導熱率也高。

Claims

一種導熱性膏體用組成物，含有：(A)兩末端含有乙烯基的質量平均分子量10000~800000的矽酮、(B)分子中不含有乙烯基且分子中含有平均5~10個氫矽烷基的質量平均分子量2000~10000的矽酮、(C)兩末端含有乙烯基且分子中含有平均1~4個氫矽烷基的質量平均分子量10000~40000的矽酮、(D)含有反應性雙鍵的矽烷偶合劑、及(E)導熱性填料，其中以該導熱性膏體用組成物的總量基準時，該(A)成分的含量為2.5~15質量%，該(B)成分的含量為0.005~0.1質量%，該(C)成分的含量為1~10質量%，該(D)成分的含量為0.01~0.6質量%，該(E)成分的含量為超過80質量%~小於94質量%。
如請求項1的導熱性膏體用組成物，其中以該導熱性膏體用組成物的總量基準時，該(A)成分、該(B)成分、該(C)成分及該(D)成分的總和為6~20質量%。
如請求項1或2的導熱性膏體用組成物，其中該(E)成分包含從包含氧化矽、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁及氧化鋅的群組所選出的1種以上。
如請求項1或2的導熱性膏體用組成物，其中該(E)成分包含平均粒徑為15~100μm的粗粉、平均粒徑為2~11μm的中粒粉、及平均粒徑為0.5~1μm的微粉。
一種導熱性膏體，包含如請求項1至4中任一項的導熱性膏體用組成物的硬化物。
一種散熱構件，具備：包含如請求項5的導熱性膏體的散熱材、和透過該散熱材而與電子零件接合的冷卻部。