TWI714376B

TWI714376B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI714376B
Application number: TW108144203A
Authority: TW
Inventors: 張晉豪; 林煒力
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2019-12-04
Filing date: 2019-12-04
Publication date: 2020-12-21
Also published as: CN111489677A; CN111489677B; TW202123196A; US11131894B2; US20210173272A1; SG10202007785QA

Abstract

一種顯示裝置，包括內部驅動電路、外部電路及多條訊號線。訊號線電性連接於內部驅動電路與外部電路，其中每一訊號線包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，N個訊號線段彼此相連接，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，其中N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，及連接每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率為△R，0＜︳△R︱≦10%。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有內部驅動電路的顯示裝置。

為了實現窄邊框的顯示面板，目前已發展出閘極驅動電路技術(Gate driver on Array，GOA)技術，此技術是將驅動顯示面板的閘極驅動電路結構製作在顯示面板的周邊區，以代替外接之驅動晶片的技術。隨著顯示面板對於解析度的要求不斷提升，為了同時符合窄邊框的設計需求，採用GOA技術的顯示面板於周邊區內設置的訊號線密度勢必隨之增加。如此一來，訊號線阻抗不匹配所導致的訊號線溫度上升的幅度容易因增加的訊號線密度而加增，進而產生安全性的問題。

本發明提供一種顯示裝置，其可在具有高解析度及窄邊框的情況下，有效抑制周邊區內訊號線的溫度上升幅度。

本發明的一實施方式提供的顯示裝置具有顯示區及周邊區，周邊區位於顯示區至少一側且包括內部驅動電路區、線路區及外部電路區，線路區位於外部電路區與內部驅動電路區之間，並且顯示裝置包括畫素陣列、內部驅動電路、外部電路及多條訊號線。畫素陣列設置於顯示區中。內部驅動電路設置於內部驅動電路區中，且電性連接於畫素陣列。外部電路設置於外部電路區中。多條訊號線設置於線路區中，且電性連接於內部驅動電路與外部電路，其中該些訊號線中的每一者包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點及所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，其中N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接至每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率為△R，0<△R≦|10%|。

本發明的另一實施方式提供的顯示裝置具有顯示區及周邊區，周邊區位於顯示區至少一側且包括內部驅動電路區、線路區及外部電路區，線路區位於外部電路區與內部驅動電路區之間，並且顯示裝置包括畫素陣列、內部驅動電路、外部電路及多條訊號線。畫素陣列設置於顯示區中。內部驅動電路設置於內部驅動電路區中，且電性連接於畫素陣列。外部電路設置於外部電路區中。多條訊號線設置於線路區中，且電性連接於內部驅動電路與外部電路，其中該些訊號線中的每一者包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點及所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，其中N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接至每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率為△W，0<|△W|≦10%。

基於上述，在本發明的顯示裝置中，藉由調整位於線路區內且電性連接於外部電路及內部驅動電路的訊號線的佈局設計，可以有效地抑制訊號線的溫度上升幅度。如此一來，本發明的顯示裝置可避免因溫度過高而產生安全性的問題，並且可利於高解析度及窄邊框的設計。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10:顯示裝置

100、200:基板

102:畫素陣列

104:內部驅動電路

106:訊號線

300:外部電路

A:顯示區

B:周邊區

C:接觸結構

d1、d2、d3、d4、d5、d6、W1、W2、W3、W4、W5、W6:寬度

DL:資料線

f1、f2、f3、f4、f5、f6:條狀部

ID:內部驅動電路區

L:絕緣層

M1:第一金屬層

M2:第二金屬層

o1、o2、o3、o4、o5、o6:間隙

Pa1、Pa2、Pa3、Pa4、Pa5、Pb1:轉折點

PE:畫素電極

PX:畫素單元

S1、S2、S3、S4、S5、S6:訊號線段

SL:掃描線

T:主動元件

WR:線路區

圖1為本發明的一實施方式的顯示裝置的上視示意圖。

圖2是圖1中的一條訊號線的放大上視示意圖。

圖3為本發明的另一實施方式的一條訊號線的放大上視示意圖。

圖4為本發明的另一實施方式的一條訊號線的放大上視示意圖。

圖5是沿圖4之剖線I-I’的剖面示意圖。

圖6是沿圖4之剖線II-II’的剖面示意圖。

圖7為本發明的另一實施方式的一條訊號線的放大上視示意圖。

以下將以圖式揭露本發明的多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意地方式為之。

本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖元件符號表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者與來一元件之間可以存在中間元件。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，其間不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接(耦接或耦合)。因此，二元件間之電性連接(或耦接/耦合)可存在中間元件。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與任何所屬技術領域中具有通常知識者通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1為本發明的一實施方式的顯示裝置的上視示意圖。圖2是圖1中的一條訊號線的放大上視示意圖。

請參照圖1，在本實施方式中，顯示裝置10可包括基板100、畫素陣列102、內部驅動電路104、多條訊號線106、基板200及外部電路300。從另一觀點而言，如圖1所示，在本實施方式中，顯示裝置10可具有顯示區A及位於顯示區A之至少一側的周邊區B，其中周邊區B包括內部驅動電路區ID以及線路區WR。

在本實施方式中，顯示裝置10可為液晶顯示裝置、觸控有機發光顯示裝置、觸控無機發光顯示裝置、觸控電泳顯示裝置或是觸控電漿顯示裝置。為使圖式清楚，圖1省略了部分可能存在且能依據本發明揭露內容合理推知的其他構件。舉例而言，圖1省略繪示了顯示介質。在本實施方式中，顯示介質(未繪示)可配置於基板100與基板200之間。另外，在本實施方式中，顯示介質(未繪示)可為液晶材料、有機發光材料(organic light emitting material)、無機發光二極體材料(inorganic light emitting material)、電泳顯示材料(electrophoretic display material)或是電漿顯示材料(plasma display material)。

在本實施方式中，基板100的材質可為玻璃、石英、塑料或有機聚合物。在本實施方式中，畫素陣列102、內部驅動電路104以及多條訊號線106配置於基板100上。詳細而言，如圖1所示，畫素陣列102配置於顯示區A中的基板100上，內部驅動電路104配置於內部驅動電路區ID中的基板100上，多條訊號線106配置於線路區WR中的基板100上，以及外部電路300與多條訊號線106電性連接。在本實施方式中，基板100與配置於基板100上的畫素陣列102、內部驅動電路104及多條訊號線106可視為畫素陣列基板。然而，本發明並不以圖1中所繪者為限，顯示裝置10的畫素陣列基板可以是任何所屬領域中具有通常知識者所周知用於顯示裝置的任一畫素陣列基板。舉例而言，在一實施方式中，彩色濾光層可配置於基板100上，而形成一彩色濾光層在陣列上(color filter on array；COA)的畫素陣列基板。另外，在本實施方式中，雖然圖1繪示外部電路300僅部分地配置於基板 100上，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，外部電路300可以配置於周邊區B中的基板100上。另外，由於為使圖式清楚，圖1省略繪示了部分構件，任何所屬領域中具有通常知識者應可理解顯示裝置10的畫素陣列基板存在能依據本發明揭露內容合理推知的其他構件，例如接合墊、扇出線路、框膠等。

在本實施方式中，基板200與基板100對向設置。在本實施方式中，基板200的材質可為玻璃、石英、塑料或有機聚合物。另外，在本實施方式中，基板200可視為對向基板。基板200可以是任何所屬領域中具有通常知識者所周知用於顯示裝置的任一對向基板。舉例來說，在一實施方式中，基板200例如可包括空白基板及位於空白基板上的元件層。舉例來說，在一實施方式中，基板200包括的所述元件層例如可包括彩色濾光層、波長轉換層、遮光圖案層、對向電極層或其組合，然不限於此，可視需求調整與變化。

在本實施方式中，畫素陣列102可包括多條掃描線SL、多條資料線DL和陣列排列的多個畫素單元PX。在本實施方式中，多條掃描線SL不平行於多條資料線DL，亦即多條掃描線SL與多條資料線DL彼此交叉設置。為了使圖式清楚，圖1所繪示的線路僅是示意，並不用以限制本發明。舉例而言，圖1中的多條掃描線SL的延伸方向與多條資料線DL的延伸方向彼此實質上垂直，但本發明並不限於此，多條掃描線SL與多條資料線DL的實際線路佈局可根據實際上顯示裝置的架構、需求等進行調整。此外，多條掃描線SL與多條資料線DL可位於不相同的膜層，且多條掃描線SL與多條資料線DL之間可夾有絕緣層(未繪示)。基於導電性的考量，多條掃描線SL與多條資料線DL一般是使用金屬材料。然而，本發明並不限於此，根據其他實施方式，多條掃描線SL與多條資料線DL也可以使用例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料，或是金屬材料與前述其它導電材料的堆疊層。另外，在本實施方式中，多條掃描線SL與多條資料線DL分別可為單層或多層結構。

在本實施方式中，每一畫素單元PX電性連接於多條掃描線SL中的一者及多條資料線DL中的一者。在本實施方式中，每一畫素單元PX包括主動元件T以及畫素電極PE。主動元件T可以是任何所屬技術領域中具有通常知識者所周知的任一薄膜電晶體，其例如包括閘極、通道層、源極以及汲極(未標示)。在本實施方式中，畫素電極PE電性連接於主動元件T。畫素電極PE的材質可包括(但不限於)：金屬氧化物導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。另外，圖1繪示畫素電極PE為塊狀電極，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，畫素電極PE可為具有狹縫圖案之電極。

在本實施方式中，內部驅動電路104電性連接於畫素陣列102。詳細而言，如圖1所示，內部驅動電路104電性連接於多條掃描線SL。換言之，在本實施方式中，內部驅動電路104可為用以驅動畫素陣列102的閘極驅動電路(gate driver-on-array；GOA)或閘極驅動積體電路(integrated circuit；IC)，但本發明並不限於此。

在本實施方式中，外部電路300電性連接於內部驅動電路104。詳細而言，如圖1所示，外部電路300經由多條訊號線106電性連接於內部驅動電路104。在本實施方式中，外部電路300例如是驅動晶片、控制電路、軟性印刷電路(flexible printed circuit，FPC)或配置有驅動晶片的印刷電路板(printed circuit board，PCB)等，以使畫素陣列102能夠被驅動。另外，在本實施方式中，外部電路300可利用適當製程，例如：晶粒-玻璃接合製程(Chip On Glass，COG)、晶粒-軟片接合製程(Chip On Film，COF)、晶粒-電路板接合製程(Chip On Board，COB)、軟片式晶粒接合(Tape Automated Bonding，TAB)等，與基板100連接。

在本實施方式中，多條訊號線106電性連接於外部電路300與內部驅動電路104，藉此將自外部電路300接收到的訊號傳送至內部驅動電路104以驅動畫素陣列102。在內部驅動電路104為閘極驅動電路的實施方式中，訊號線106可為高頻訊號線。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，訊號線106也可為起始訊號線、低頻訊號線、低準位訊號線、或恆定電壓訊號線。從另一觀點而言，如圖1所示，訊號線106可為陣列繞線(Wire on Array；WOA)，亦即線路區WR可稱為WOA區，但本發明並不限於此。雖然圖1繪示線路區WR中設置五條訊號線106，但本發明並不限制訊號線106的數量，可根據實際上顯示裝置10的架構、需求等進行調整。

請同時參照圖1和圖2，在本實施方式中，每一訊號線106包括訊號線段S1、訊號線段S2、訊號線段S3、訊號線段S4、訊號線段S5及訊號線段S6，其中訊號線段S2直接連接於訊號線段S1與訊號線段S3之間，訊號線段S3直接連接於訊號線段S2與訊號線段S4之間，訊號線段S4直接連接於訊號線段S3與訊號線段S5之間，訊號線段S5直接連接於訊號線段S4與訊號線段S6之間。換言之，在本實施方式中，每一訊號線106包括彼此連接的六個訊號線段。然而，本發明並不限於此，只要每一訊號線106包括彼此連接的N個訊號線段，N為正整數且N≧3即落入本發明的範疇內。

在本實施方式中，訊號線106包括單層金屬層結構。也就是說，在本實施方式中，每一訊號線106中的訊號線段S1、訊號線段S2、訊號線段S3、訊號線段S4、訊號線段S5與訊號線段S6係由相同製程形成，具有相同的材料及厚度。基於導電性的考量，多條訊號線106一般是使用金屬材料，例如銅、鋁、鈦或鉬。然而，本發明並不限於此，根據其他實施方式，多條訊號線106也可以使用例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料，或是金屬材料與前述其它導電材料的堆疊層。

在本實施方式中，每一訊號線106包括轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa3、轉折點Pa4及轉折點Pa5。詳細而言，如圖2所示，轉折點Pa1位於訊號線段S1與訊號線段S2的連接處，轉折點Pa2位於訊號線段S2與訊號線段S3的連接處，轉折點Pa3位於訊號線段S3與訊號線段S4的連接處，轉折點Pa4位於訊號線段S4與訊號線段S5的連接處，轉折點Pa5位於訊號線段S5與訊號線段S6的連接處。換言之，在本實施方式中，轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa3、轉折點Pa4及轉折點Pa5中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處。從另一觀點而言，在本實施方式中，兩相鄰的訊號線段S1與訊號線段S2一起連接至轉折點Pa1，兩相鄰的訊號線段S2與訊號線段S3一起連接至轉折點Pa2，兩相鄰的訊號線段S3與訊號線段S4一起連接至轉折點Pa3，兩相鄰的訊號線段S4與訊號線段S5一起連接至轉折點Pa4，兩相鄰的訊號線段S5與訊號線段S6一起連接至轉折點Pa5。從又一觀點而言，在本實施方式中，轉折點Pa1可視為訊號線段S1的一端點，轉折點Pa1和轉折點Pa2可視為訊號線段S2之相對設置的兩端點，轉折點Pa2和轉折點Pa3可視為訊號線段S3之相對設置的兩端點，轉折點Pa3和轉折點Pa4可視為訊號線段S4之相對設置的兩端點，轉折點Pa4和轉折點Pa5可視為訊號線段S5之相對設置的兩端點，轉折點Pa5可視為訊號線段S6的一端點。

在本實施方式中，如圖2所示，訊號線段S1的寬度W1大於訊號線段S2的寬度W2，訊號線段S2的寬度W2大於訊號線段S3的寬度W3，訊號線段S3的寬度W3小於訊號線段S4的寬度W4，訊號線段S4的寬度W4小於訊號線段S5的寬度W5，及訊號線段S5的寬度W5小於訊號線段S6的寬度W6。也就是說，在本實施方式中，兩相鄰訊號線段的寬度彼此不相同，亦即兩相鄰訊號線段之間具有寬度變化率△W。在本文中，「寬度」定義為：從上視圖觀察(即朝與基板100垂直的方向看去)，在與訊號線段之相對設置且相平行的兩側表面的延伸方向垂直的一方向上，訊號線段之相對設置且相平行的兩側表面之間的距離。另外，在本文中，「寬度變化率△W」是指獲得自外部電路300至內部驅動電路104的訊號傳送方向上，亦或者自內部驅動電路104至外部電路300的訊號傳送方向上，訊號先經過的一訊號線段的寬度尺寸a及後經過的相鄰訊號線段的寬度尺寸b後，藉由代入△W(%)=100×(b-a)/a的式中所得的值。

具體而言，在本實施方式中，訊號線段S1的寬度W1與訊號線段S2的寬度W2之間的寬度變化率△W的絕對值大於0且小於等於10%，訊號線段S2的寬度W2與訊號線段S3的寬度W3之間的寬度變化率△W的絕對值大於0且小於等於10%，訊號線段S3的寬度W3與訊號線段S4的寬度W4之間的寬度變化率△W的絕對值大於0且小於等於10%，訊號線段S4的寬度W4與訊號線段S5的寬度W5之間的寬度變化率△W的絕對值大於0且小於等於10%，及訊號線段S5的寬度W5與訊號線段S6的寬度W6之間的寬度變化率△W的絕對值大於0且小於等於10%。也就是說，在本實施方式中，連接至轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa3、轉折點Pa4及轉折點Pa5中的每一者的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W符合以下條件：0<|△W|≦10%。換言之，在本實施方式中，每一訊號線106中的所有轉折點分別所對應的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W皆符合上述條件。

如前文所述，訊號線段S3之相對設置的兩端點(即轉折點Pa2、轉折點Pa3)分別所對應的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W皆符合上述條件。也就是說，在本實施方式中，訊號線段S1~S6中之具有最小寬度W3的訊號線段S3之相對設置的兩端點(即轉折點Pa2、轉折點Pa3)分別所對應的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W皆符合上述條件。

另一方面，在本實施方式中，連接至轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa3、轉折點Pa4及轉折點Pa5中的每一者的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R符合以下條件：0<|△R|≦10%。此表示，在本實施方式中，連接至轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa3、轉折點Pa4及轉折點Pa5中的每一者的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W係直接對應於連接至轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa3、轉折點Pa4及轉折點Pa5中的每一者的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R。

任何所屬技術領域中具有通常知識者都理解以下關係式(1)：R/L=ρ/W×t，其中R/L代表單位長度下的電阻值、ρ代表金屬材料的電阻率、W代表走線寬度及t代表走線厚度。由上述關係式(1)可知，當多條訊號線106製作完成後，訊號線段S1~S6的電阻率ρ、寬度W(即寬度W1~W6)及厚度t即告確定，因此在訊號線段S1~S6具有相同的材料(即相同的電阻率ρ)且相同的厚度t的本實施方式中，當訊號線段S1~S6中任一者的寬度W改變時，其對應的單位長度下的電阻值R/L即隨之改變，並且寬度W與單位長度下的電阻值R/L之間呈反比關係。有鑑於此，藉由確認兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值即可獲知兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R的絕對值。在本文中，「電阻值變化率△R」是指獲得自外部電路300至內部驅動電路104的訊號傳送方向上，亦或者自內部驅動電路104至外部電路300的訊號傳送方向上，訊號先經過的一訊號線段的單位長度下的電阻值c及後經過的相鄰訊號線段的單位長度下的電阻值d後，藉由代入△R(%)=100×(d-c)/c的式中所得的值。

如前文所述，在本實施方式中，每一訊號線106中的所有轉折點Pa1~Pa5分別所對應的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W皆符合0<|△W|≦10%的條件。然而，本發明並不限於此，只要每一訊號線106包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，其中所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點與所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接至每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R符合0<|△R|≦10%的條件或者寬度變化率△W符合0<|△W|≦10%的條件即落入本發明的範疇內。也就是說，在其他實施方式中，每一訊號線106中可包括不同於轉折點Pa1~Pa5的其他轉折點，亦即每一訊號線106中可包括兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R不符合0<|△R|≦10%的條件或者寬度變化率△W不符合0<|△W|≦10%的條件的轉折結構。

舉例而言，請參照圖3，此實施方式的訊號線106與圖2的訊號線106相似，兩者的主要差異在於：圖3的訊號線106包括轉折點Pb1，且連接至轉折點Pb1的兩相鄰訊號線段S3與訊號線段S4之間的寬度變化率△W等於0，亦即訊號線段S3的寬度W3與訊號線段S4的寬度W4實質上相同。基於前文的描述可知，轉折點Pa1~Pa5即為所謂的第一轉折點，而轉折點Pb1即為所謂的第二轉折點。有鑒於此，在圖2的實施方式中，每一訊號線106中的轉折點Pa1~Pa5(即第一轉折點)係以連續配置的方式存在，而在圖3的實施方式中，每一訊號線106中的轉折點Pa1~Pa2、Pa4~Pa5(即第一轉折點)係以非連續配置的方式存在，因轉折點Pa2與轉折點Pa4之間設置了轉折點Pb1。

更進一步地說，在圖3的實施方式中，訊號線106的五個轉折點(即轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa4、轉折點Pa5、轉折點Pb1)所對應的轉折結構中僅有四個轉折結構符合兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值大於0且小於等於10%。換言之，在圖3的實施方式中，訊號線106的五個轉折點(即轉折點Pa1、轉折點Pa2、轉折點Pa4、轉折點Pa5、轉折點Pb1)所對應的轉折結構中僅有四個轉折結構符合兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R的絕對值大於0且小於等於10%。從另一觀點而言，在圖3的實施方式中，訊號線段S1~S6中之具有最小寬度W3的訊號線段S3之相對設置的兩端點(即轉折點Pa2、轉折點Pb1)分別所對應的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W沒有都符合0<|△W|≦10%的條件。

基於前文的描述可知，在圖2的實施方式中，每一訊號線106符合以下條件：N=6，Ma=5，Mb=0且Ma+Mb=N-1；而在圖3的實施方式中，每一訊號線106符合以下條件：N=6，Ma=4，Mb=1且Ma+Mb=N-1。然而，本發明並不限於此，如前文所述，只要N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1即落入本發明的範疇內。也就是說，在本發明的顯示裝置中，每一訊號線106至少包括兩個第一轉折點，且其對應的轉折結構符合兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值大於0且小於等於10%或者電阻值變化率△R的絕對值大於0且小於等於10%。如此一來，在本發明的顯示裝置中，線路區WR內每一訊號線106中的多個訊號線段之間可具有改善的阻抗匹配性，使得有效地抑制訊號線106的溫度上升幅度，藉以避免本發明的顯示裝置因溫度過高而產生安全性的問題，並藉以使本發明的顯示裝置利於高解析度及窄邊框的設計。在一些實施方式中，本發明的顯示裝置藉由線路區WR內的每一訊號線106至少包括兩個第一轉折點，使得與習知的顯示裝置相比，本發明顯示裝置中的多條訊號線106的溫度可降低至少約2.7℃。

另外一提的是，如前文所述，在圖2的實施方式中，訊號線段S1~S6中之具有最小寬度W3的訊號線段S3之相對設置的兩端點(即轉折點Pa2、轉折點Pa3)分別所對應的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W皆符合0<|△W|≦10%的條件；而在圖3的實施方式中，訊號線段S1~S6中之具有最小寬度W3的訊號線段S3之相對設置的兩端點(即轉折點Pa2、轉折點Pb1)分別所對應的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W沒有都符合0<|△W|≦10%的條件。如此一來，與圖3的實施方式所對應的顯示裝置相比，圖2的實施方式所對應的顯示裝置能較大程度地抑制訊號線106的溫度上升幅度。也就是說，在本發明的顯示裝置中，透過線路區WR內每一訊號線106中的多個訊號線段之間具有最小寬度(即最大電阻值)的訊號線段之相對設置的兩端點皆為第一轉折點，藉此能夠提升抑制訊號線106的溫度上升幅度的程度。

以下，為了證明本發明之顯示裝置的設計確實可以達成有效抑制線路區內訊號線的溫度上升幅度，特以實施例1~2的顯示裝置與比較例1~2的顯示裝置進行線路區內訊號線的溫度模擬實驗來做驗證，請參考下方表1和表2。在實施例1~2的顯示裝置和比較例1~2的顯示裝置中，線路區內的每一訊號線包括單層金屬層結構，且自外部電路至內部驅動電路的方向上依序包括四個訊號線段(即訊號線段WOA1、訊號線段WOA2、訊號線段WOA3 及訊號線段WOA4)，其中任兩相鄰訊號線段之間具有一轉折點。

由表2中的模擬結果可知，相較於比較例1~2，實施例1~2的線路區內訊號線具有較低的溫度，亦即實施例1~2的線路區內訊號線之溫度上升的程度降低。

此結果證實，透過本發明之顯示裝置的設計，使線路區內每一訊號線包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，其中所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點及所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接至每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R符合0<|△R|≦10%的條件或者寬度變化率△W符合0<|△W|≦10%的條件，確實可有效抑制線路區內訊號線的溫度上升幅度，以提升安全性。

此外，根據前述對圖1至圖3的說明及模擬結果，任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解本發明之顯示裝置的設計並不以圖2及圖3所繪者為限，只要線路區內每一訊號線包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，其中所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點及所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接至每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R符合0<|△R|≦10%的條件或者寬度變化率△W符合0<|△W|≦10%的條件即落入本發明範疇。也就是說，任何所屬技術領域中具有通常知識者理當能依據現有的技術水準與本申請的揭露，基於實際上顯示裝置的架構、需求等來設計線路區內每一訊號線的具體結構。

另外，在圖2或圖3的實施方式中，訊號線106包括單層金屬層結構，但本發明並不限於此。以下，將參照圖4至圖6對其他的實施型態進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。

圖4為本發明的另一實施方式的一條訊號線的放大上視示意圖。圖5是沿圖4之剖線I-I’的剖面示意圖。圖6是沿圖4之剖線II-II’的剖面示意圖。請同時參照圖4與圖2，圖4的訊號線106與圖2的訊號線106相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。以下，將就圖4的訊號線106與圖2的訊號線106之間的差異處做說明。

請參照圖4至圖6，在本實施方式中，訊號線106包括雙層金屬層結構。值得一提的是，雖然以訊號線段S4為例進行說明雙層金屬層結構，但根據以下基於圖5和圖6的描述，任何所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，訊號線段S1~S3、S5~S6的具體結構，亦即訊號線段S1~S3、S5~S6皆為雙層金屬層結構。

詳細而言，如圖5和圖6所示，所述雙層金屬層結構包括第一金屬層M1、第二金屬層M2及介於第一金屬層M1與第二金屬層M2之間的絕緣層L1。基於導電性的考量，第一金屬層M1和第二金屬層M2一般是使用金屬材料，例如銅、鋁、鈦或鉬。然而，本發明並不限於此，根據其他實施方式，第一金屬層M1和第二金屬層M2也可以使用例如合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物等的其他導電材料，或是金屬材料與前述其它導電材料的堆疊層。在本實施方式中，第一金屬層M1的材料和第二金屬層M2的材料實質上相同。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，第一金屬層M1的材料和第二金屬層M2的材料可不相同。另外，在本實施方式中，第一金屬層M1的厚度t1和第二金屬層M2的厚度t2實質上相同。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，第一金屬層M1的厚度t1和第二金屬層M2的厚度t2可不相同。絕緣層L1的材質可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料，其中無機材料例如包括(但不限於)：氧化矽、氮化矽或氮氧化矽；有機材料例如包括(但不限於)：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。

進一步，請同時參照圖4及圖6，第二金屬層M2藉由接觸結構C而與第一金屬層M1電性連接。也就是說，在本實施方式的訊號線106中，用以電性連接第一金屬層M1及第二金屬層M2的接觸結構C係設置在訊號線段S4中。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，接觸結構C也可以設置在訊號線段S1~S3、S5~S6中的至少一者。詳細而言，如圖6所示，接觸結構C藉由位於絕緣層L1中的接觸窗V1以及位於絕緣層L2與第二金屬層M2中的接觸窗V2中，以使第二金屬層M2電性連接於第一金屬層M1。換言之，接觸結構C經由接觸窗V1及接觸窗V2而與第一金屬層M1及第二金屬層M2直接連接。從另一觀點而言，在本實施方式中，當訊號線106用以傳送訊號時，第一金屬層M1與第二金屬層M2係呈並聯配置。有鑑於此，在本實施方式中，訊號線段S4可視為由第一金屬層M1之對應於訊號線段S4的部分與第二金屬層M2之對應於訊號線段S4的部分並聯而得，其餘訊號線段S1~S3、S5~S6依此類推之。接觸結構C的材質可包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、或銦鎵鋅氧化物。絕緣層L2的材質可包括無機材料、有機材料、或其它合適的材料，其中無機材料例如包括(但不限於)：氧化矽、氮化矽或氮氧化矽；有機材料例如包括(但不限於)：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂。另外，第二金屬層M2藉由接觸結構C而與第一金屬層M1電性連接的結構並不以圖6所繪示者為限。舉例而言，圖6中繪示一層絕緣層L2設置於接觸結構C與第二金屬層M2之間，但本發明並不限於此。在一些實施方式中，接觸結構C與第二金屬層M2之間可設置兩層以上的絕緣層。在又一些實施方式中，接觸結構C上可設置有其他絕緣層。

由上述關係式(1)可知，當多條訊號線106製作完成後，訊號線段S1~S6的電阻率ρ、寬度W(即寬度W1~W6)及厚度t(即厚度t1~t2)即告確定，因此在第一金屬層M1與第二金屬層M2呈並聯配置，以及第一金屬層M1與第二金屬層M2具有相同的材料(即相同的電阻率ρ)且相同的厚度t(即厚度t1等於厚度t2)的本實施方式中，當訊號線段S1~S6中任一者的寬度W改變時，其對應的單位長度下的電阻值R/L即隨之改變，並且寬度W與單位長度下的電阻值R/L之間呈反比關係。有鑑於此，藉由確認兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值即可獲知兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R的絕對值。

如前文所述，在其他實施方式中，第一金屬層M1的厚度t1和第二金屬層M2的厚度t2可不相同。即便如此，在第一金屬層M1與第二金屬層M2呈並聯配置，以及第一金屬層M1與第二金屬層M2具有相同的材料(即相同的電阻率ρ)的情況下，藉由確認兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值仍可獲知兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R的絕對值。也就是說，不論第一金屬層M1的厚度t1和第二金屬層M2的厚度t2是否相同，兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R的絕對值都可藉由確認兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值而獲知。

另外，如前文所述，在其他實施方式中，第一金屬層M1的材料和第二金屬層M2的材料可不相同。此時，由上述關係式(1)可知，單位長度下的電阻值R/L同時會受到寬度W及電阻率ρ影響，亦即兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R的絕對值無法單就兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值獲知。

另外，在圖2或圖3的實施方式中，訊號線106包括單層金屬層結構，而在圖4的實施方式中，訊號線106包括雙層金屬層結構，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，訊號線106可同時包括單層金屬層結構及雙層金屬層結構。

另外，在圖2、圖3或圖4的實施方式中，每一訊號線106的結構為單一條狀結構，但本發明並不限於此。以下，將參照圖7對其他的實施型態進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。

圖7為本發明的另一實施方式的一條訊號線的放大上視示意圖。請同時參照圖7與圖2，圖7的訊號線106與圖2的訊號線106相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式。以下，將就圖7的訊號線106與圖2的訊號線106之間的差異處做說明。

請參照圖7，在本實施方式中，訊號線段S1包括彼此平行設置的多個條狀部f1，且兩相鄰的條狀部f1之間具有一間隙o1；訊號線段S2包括彼此平行設置的多個條狀部f2，且兩相鄰的條狀部f2之間具有一間隙o2；訊號線段S3包括彼此平行設置的多個條狀部f3，且兩相鄰的條狀部f3之間具有一間隙o3；訊號線段S4包括彼此平行設置的多個條狀部f4，且兩相鄰的條狀部f4之間具有一間隙o4；訊號線段S5包括彼此平行設置的多個條狀部f5，且兩相鄰的條狀部f5之間具有一間隙o5；訊號線段S6包括彼此平行設置的多個條狀部f6，且兩相鄰的條狀部f6之間具有一間隙o6。

有鑑於此，在本實施方式中，訊號線段S1的寬度為多個條狀部f1的寬度d1總和，訊號線段S2的寬度為多個條狀部f2的寬度d2總和，訊號線段S3的寬度為多個條狀部f3的寬度d3總和，訊號線段S4的寬度為多個條狀部f4的寬度d4總和，訊號線段S5的寬度為多個條狀部f5的寬度d5總和，訊號線段S6的寬度為多個條狀部f6的寬度d6總和。

由上述關係式(1)可知，當多條訊號線106製作完成後，訊號線段S1~S6的電阻率ρ、寬度W(即多個條狀部f1的寬度d1總和、多個條狀部f2的寬度d2總和、多個條狀部f3的寬度d3總和、多個條狀部f4的寬度d4總和、多個條狀部f5的寬度d5總和、多個條狀部f6的寬度d6總和)及厚度t即告確定，因此在訊號線段S1~S6具有相同的材料(即相同的電阻率ρ)且相同的厚度t的本實施方式中，當訊號線段S1~S6中任一者的寬度W改變時，其對應的單位長度下的電阻值R/L即隨之改變，並且寬度W與單位長度下的電阻值R/L之間呈反比關係。有鑑於此，藉由確認兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率△W的絕對值即可獲知兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R的絕對值。

如圖7所示，在本實施方式中，條狀部f1的數量為五個，條狀部f2的數量為五個，條狀部f3的數量為兩個，條狀部f4的數量為三個，條狀部f5的數量為四個，以及條狀部f6的數量為三個。另外，如圖7所示，在本實施方式中，多個條狀部f1的寬度d1彼此相同，多個條狀部f2的寬度d2彼此相相同，多個條狀部f3的寬度d3彼此相相同，多個條狀部f4的寬度d4彼此相相同，多個條狀部f5的寬度d5彼此相相同，以及多個條狀部f6的寬度d5彼此相相同。另外，如圖7所示，在本實施方式中，多個條狀部f1的寬度d1總和大於多個條狀部f2的寬度d2總和，多個條狀部f2的寬度d2總和大於多個條狀部f3的寬度d3總和，多個條狀部f3的寬度d3總和小於多個條狀部f4的寬度d4總和，多個條狀部f4的寬度d4總和小於多個條狀部f5的寬度d5總和，以及多個條狀部f5的寬度d5總和小於多個條狀部f6的寬度d5總和。然而，本發明並不以圖7中所繪者為限，基於前述實施方式的描述可知，只要每一訊號線106包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，其中所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點與所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接至每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率△R符合0<|△R|≦10%的條件或者寬度變化率△W符合0<|△W|≦10%的條件即落入本發明的範疇內。

綜上所述，在上述實施方式的顯示裝置中，藉由調整位於線路區內且電性連接於外部電路及內部驅動電路的訊號線的佈局設計，可以有效地抑制訊號線的溫度上升幅度。如此一來，本發明的顯示裝置可避免因溫度過高而產生安全性的問題，並且可利於高解析度及窄邊框的設計。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

106:訊號線

W1、W2、W3、W4、W5、W6:寬度

Pa1、Pa2、Pa3、Pa4、Pa5:轉折點

S1、S2、S3、S4、S5、S6:訊號線段

Claims

一種顯示裝置，具有一顯示區及一周邊區，該周邊區位於該顯示區至少一側且包括一內部驅動電路區以及一線路區，其中該顯示裝置包括：一畫素陣列，設置於該顯示區中；一內部驅動電路，設置於該內部驅動電路區中，且電性連接於該畫素陣列；以及多條訊號線，設置於該線路區中，該些訊號線電性連接於該內部驅動電路以及一外部電路，其中該些訊號線中的每一者包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點及所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，其中N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接至每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的電阻值變化率為△R，0<|△R|≦10%。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中所述N個訊號線段中具有最大電阻值的訊號線段之相對設置的兩端點皆為第一轉折點。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中所述Ma個第一轉折點連續設置於該些訊號線中的每一者。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中所述Ma個第一轉折點非連續設置於該些訊號線中的每一者。
如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中Mb=0，且Ma+Mb=N-1。
一種顯示裝置，具有一顯示區及一周邊區，該周邊區位於該顯示區至少一側且包括一內部驅動電路區以及一線路區，其中該顯示裝置包括：一畫素陣列，設置於該顯示區中；一內部驅動電路，設置於該內部驅動電路區中，且電性連接於該畫素陣列；以及多條訊號線，設置於該線路區中，該些訊號線電性連接於該內部驅動電路以及一外部電路，其中該些訊號線中的每一者包括N個訊號線段，Ma個第一轉折點及Mb個第二轉折點，所述N個訊號線段彼此相連接，所述Ma個第一轉折點及所述Mb個第二轉折點中的每一者位於兩相鄰訊號線段的連接處，其中N、Ma為正整數，Mb為正整數或0，N≧3，Ma≧2，Ma+Mb≦N-1，以及連接每一第一轉折點的兩相鄰訊號線段之間的寬度變化率為△W，0<|△W|≦10%。
如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中所述N個訊號線段中具有最小寬度的訊號線段之相對設置的兩端點皆為第一轉折點。
如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中所述Ma個第一轉折點連續設置於該些訊號線中的每一者。
如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中所述Ma個第一轉折點非連續設置於該些訊號線中的每一者。
如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中Mb=0，且Ma+Mb=N-1。