TWI713060B - 能量儲存裝置 - Google Patents

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布拉特佛德 衛斯理 福爾佛
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尙恩 克勞德斯 候
艾倫 翠特 蒲利迪
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Abstract

本發明揭示一種高電容率、低洩漏的能量儲存裝置的實施例，例如，電容器，並且揭示製造該能量儲存裝置的方法。本發明所揭示的裝置包含導電的第一電極和導電的第二電極以及一被設置在該些第一電極與第二電極之間的空間受限的介電質膜。該空間受限的介電質膜包括複數個聚合性分子，並且該些聚合性分子中的至少一些被鍵結至該第一電極。本發明所揭示的裝置可以包含一絕緣層，其位於該第一電極與該介電質膜之間及/或位於該第二電極與該介電質膜之間。

Description

能量儲存裝置 相關申請案之交叉參考
本申請案主張2014年12月17日提申的美國專利申請案第14/574,175號的優先權，該案為2014年9月26日提申的美國專利申請案第14/499,028號的部分接續案，本文以引用的方式將其完整併入。本申請案同樣係2014年1月16日提申的美國專利申請案第14/156,457號的部分接續案，該案主張2013年4月5日提申的美國臨時專利申請案第61/808,733號的權利，本文以引用的方式將前述的每一案完整併入。本申請案同樣係2014年9月19日提申的美國專利申請案第14/490,873號的部分接續案，該案係2013年3月29日提申的美國專利申請案第13/853,712號的部分接續案，該案係2012年11月7日提申，目前已放棄的美國專利申請案第13/671,546號的部分接續案，並且係2012年8月30日提申的美國專利申請案第13/599,996號的部分接續案，該案已在2014年1月21日獲頒為美國專利案第8,633,289號，本文以引用的方式將該前述的每一案完整併入。
本揭示內容和高電容率、低洩漏的能量儲存裝置的實施例有關，例如，電容器，並且和製造該能量儲存裝置的方法有關。
靜電式電容係一種尚未廣泛用於大量電能儲存的能量儲存方法。一般來說，在介電材料中的傳統靜電式能量儲存的充電與放電機制係在數皮秒至數百微秒的時域範圍之中。在每單位質量的能量密度以及每單位體積的能量密度兩者之中皆需要有更密集的能量儲存。
本揭示內容和高電容率、低洩漏的能量儲存裝置的實施例有關，例如，電容器，並且和製造該能量儲存裝置的方法有關。該能量儲存裝置的實施例包含：一導電的第一電極；一導電的第二電極；以及一空間受限的介電質膜，其被設置在該導電的第一電極以及該導電的第二電極之間，該空間受限的介電質膜包括複數個聚合性分子。該能量儲存裝置具有一能量儲存容量，在沒有被充電及/或被放電的能量儲存裝置時，該能量儲存容量至少為1Wh/kg，其僅以被設置在該些導電的第一電極以及第二電極之間的空間受限的介電質膜的重量為基礎。於某些實施例中，一絕緣層會被設置在該導電的第一電極上、該導電的第二電極上或是該些導電的第一電極與第二電極兩者上。於上面實施例的任一者或全部之中，該些聚合性分子可以有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團或是前述的組合。於上面實施例的任一者或全部之中，該些聚合性分子中的至少1%可被鍵結至該第一電極或是被鍵結至設置在該第一電極上的絕緣層。於上面實施例的任一者或全部之中，該些聚合性分子可以為蛋白質分子。於上面實施例的任一者或全部之中，聚合性分子可以被鍵結至和該介電質膜接觸的該導電的第一電極的表面的至少1%。
於某些實施例中，本發明提供一種製造能量儲存裝置的方 法，其包含：(a)塗敷一介電質膜至一導電的第一電極，該介電質膜包括一膜材料，該膜材料(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子；(b)讓該介電質膜接觸一導電的第二電極；以及(c)施加一電場跨越該第一電極、該介電質膜、以及該第二電極，從而製造該能量儲存裝置。於特定的實施例中，該方法進一步包含：塗敷一絕緣層至該導電的第一電極，用以形成一複合式第一電極；以及塗敷該介電質膜至該複合式第一電極的該絕緣層。於上面實施例的任一者或全部之中，該電場可以大於100V/cm。於上面實施例的任一者或全部之中，該些聚合性分子可以為蛋白質分子。
於某些實施例中，本發明提供一種製造能量儲存裝置的方法，其包含：(a)塗敷一介電質膜至一導電的第一電極，該介電質膜包括一膜材料，該膜材料(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合；(b)讓該介電質膜接觸一導電的第二電極，以及(c)將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該導電的第一電極，用以形成一空間受限的介電質膜，從而製造該能量儲存裝置。將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該導電的第一電極包括：(i)施加一電場跨越該第一電極、該介電質膜、以及該第二電極，俾使得該第一電極為一正電電極，該電場會被施加維持一段有效的時間週期，以便將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極，(ii)利用化學藥劑來處理該介電質膜，或是(iii)前述的組合。
於上面實施例的任一者或全部之中，該電場可以為至少0.001V/μm，其係以該介電質膜的平均厚度為基礎。於某些實施例中，該電 場為0.005至1V/μm，並且該有效的時間週期從1秒至30分鐘。
於上面實施例的任一者或全部之中，該方法可以進一步包含：塗敷一絕緣層至該導電的第一電極，用以形成一複合式第一電極；以及塗敷該介電質膜至該複合式第一電極的該絕緣層。於其中一實施例中，鍵結該些聚合性分子中的至少一些包括施加該電場跨越該複合式第一電極、該介電質膜、以及該第二電極維持一段有效的時間週期，藉以將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該複合式第一電極的絕緣層。於一獨立的實施例中，利用化學藥劑來處理該介電質膜包括在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷一自由基起始劑(radical initiator)至該絕緣層，並且在塗敷該介電質膜至該絕緣層之後活化該自由基起始劑，從而將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該複合式第一電極的絕緣層。於一獨立的實施例中，利用化學藥劑來處理該介電質膜包括：(i)利用衍生劑來衍生該些聚合性分子，用以提供能夠交聯至該複合式第一電極的絕緣層的官能基團，(ii)將一交聯劑併入該介電質膜的膜材料之中，(iii)將一自由基起始劑併入該介電質膜的膜材料之中，並且在塗敷該介電質膜至該絕緣層之後活化該自由基起始劑，(iv)在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷一自由基起始劑至該絕緣層，並且在塗敷該介電質膜至該絕緣層之後活化該自由基起始劑，(v)在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷一電漿至該絕緣層，或是(vi)前述的任何組合。於上面實施例的任一者或全部之中，該絕緣層可以包括多聚的對二甲苯(polymerized p-xylylene)。
於上面實施例的任一者或全部之中，該些聚合性分子可以包括：蛋白質、聚對二甲苯(parylene)、丙烯酸(acrylic acid)聚合物、甲基丙烯酸 (methacrylic acid)聚合物、聚乙二醇(polyethylene glycol)、胺基甲酸酯(urethane)聚合物、環氧樹脂(expoxy)聚合物、矽氧樹脂(silicone)聚合物、萜類(terpenoid)聚合物、天然產生的樹脂聚合物、聚異氰酸酯(polyisocyanate)、或是前述的組合。於上面實施例的任一者或全部之中，該些聚合性分子可以包括蛋白質或是衍生化蛋白質。
於上面實施例的任一者或全部之中，該導電的第二電極可以為一包括一絕緣層的複合式第二電極，並且該複合式第二電極被定位成使得該絕緣層會接觸該介電質膜。於上面實施例的任一者或全部之中，塗敷該介電質膜至該導電的第一電極可以包括：在一可移除的承載膜上形成該介電質膜；移除該可移除的承載膜；以及塗敷該介電質膜至該導電的第一電極。
於上面實施例的任一者或全部之中，該些聚合性分子可以被形成在原處。於此些實施例中，該方法進一步包含：塗敷一組成物至該第一電極，該組成物包括一交聯劑以及複數個聚合性分子前驅物，該些聚合性分子前驅物包括一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合；以及活化該交聯劑，從而交聯該些聚合性分子前驅物，以便提供一包括複數個聚合性分子的介電質膜。於某些實施例中，該些聚合性分子前驅物包括：(i)氨基酸分子，(ii)寡肽(oligopeptide)，(iii)多肽(polypeptide)，或是(iv)前述的組合。於某些實施例中，該些聚合性分子前驅物進一步包括對二甲苯單體。
於一獨立的實施例中，本發明提供一種製造能量儲存裝置的方法，其包含：(a)提供一第一聚合物薄片或捲狀物，其具有一金屬化表面 並且於該金屬化表面上包括一絕緣層，其中，該絕緣層沒有完全覆蓋該金屬化表面，俾使得該金屬化表面的一邊緣部分沒有被覆蓋；(b)塗敷一介電質膜至該絕緣層，該介電質膜包括一膜材料，該膜材料(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合；(c)讓一第二金屬化聚合物薄片或捲狀物接觸該介電質膜，該第二薄片或捲狀物具有一金屬化表面並且於該金屬化表面上包括一絕緣層，其中，該絕緣層沒有完全覆蓋該金屬化表面，俾使得該金屬化表面的一邊緣部分沒有被覆蓋，其中，該第二薄片或捲狀物被配向成使得該絕緣層會接觸該介電質膜並且該第二薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分鄰近於該第一薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分，以便形成一複合式多層表面；(d)將該複合式多層表面捲繞成軋延式(rolled)配置，或者切割並且堆疊該複合式多層表面的多個部分而形成一堆疊式配置；(e)將該第一薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分以及該第二薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分鍵結至一導體蓋部或是一具有電氣連接線的非導體支托架裡面所含的導體聚合物；(f)將該複合式多層表面電氣連接至一正電電極以及一負電電極；以及(g)施加一電場至該多層式組成物，該電場會被施加維持一段有效的時間週期，用以將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一薄片或捲狀物的絕緣層、該第二薄片或捲狀物的絕緣層、或是兩者。
於一獨立的實施例中，本發明提供一種製造能量儲存裝置的方法，其包含：(a)於一包容裝置之中提供一第一電極，其具有一包括一絕緣層的上方表面；(b)將一有孔的非導體分隔薄片定位在該第一電極的該絕 緣層上；(c)將一第二電極定位在該分隔薄片上，該第二電極具有一包括一絕緣層的下方表面，俾使得該第二電極的絕緣層會接觸該分隔薄片；(d)加入一介電材料，用以填充該有孔的分隔薄片裡面的空間並且用以接觸該些第一電極與第二電極，其中，該介電材料(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合；以及(e)藉由施加一電場跨越該第一電極、該介電材料、以及該第二電極使得該第一電極為一正電電極而將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極的絕緣層，該電場會被施加維持一段有效的時間週期，以便將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極的絕緣層。
從下面的詳細說明中，參考隨附的圖式，會更明白本發明的前面以及其它目的、特點、以及優點。
100‧‧‧能量儲存裝置
110‧‧‧正電電極
112‧‧‧第一/正電電極的外表面
115‧‧‧導體導線
120‧‧‧空間受限的介電層
122‧‧‧聚合性分子
124‧‧‧附接點
126‧‧‧附接點
130‧‧‧負電電極
132‧‧‧第二/負電電極的外表面
135‧‧‧導體導線
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧絕緣層
200‧‧‧能量儲存裝置
210‧‧‧正電電極
215‧‧‧導體導線
220‧‧‧空間受限的介電層
222‧‧‧聚合性分子
223‧‧‧聚合性分子
224‧‧‧聚合性分子
225‧‧‧附接點
226‧‧‧附接點
230‧‧‧負電電極
235‧‧‧導體導線
240‧‧‧絕緣層
250‧‧‧絕緣層
300‧‧‧能量儲存裝置
310‧‧‧電極
320‧‧‧空間受限的介電層
325‧‧‧基板
326‧‧‧基板的邊緣
330‧‧‧導體聚合物
340‧‧‧蓋部/支托架
345‧‧‧電氣連接線
350‧‧‧蓋部/支托架
355‧‧‧電氣連接線
400‧‧‧能量儲存裝置
410‧‧‧電極
412‧‧‧絕緣層
415‧‧‧導體導線
420‧‧‧電極
422‧‧‧絕緣層
425‧‧‧導體導線
430‧‧‧非導體分隔片
440‧‧‧介電材料
450‧‧‧防護盒
圖1所示的係一示範性能量儲存裝置的示意圖。
圖2所示的係一示範性能量儲存裝置的示意剖面圖。
圖3所示的係另一示範性能量儲存裝置的示意圖。
圖4所示的係一具有軋延式配置(rolled configuration)的示範性能量儲存裝置的示意爆炸圖。
圖5所示的係一包含有孔分隔板的示範性能量儲存裝置的示意爆炸圖。
圖6所示的係圖5的能量儲存裝置的剖面側視圖。
圖7所示的係藉由本發明所揭示方法的實施例所製造的能量儲存裝置 中的負電電極的光學顯微照片。
圖8所示的係圖7的能量儲存裝置中的正電電極的光學照片。
圖9所示的係利用自來水洗滌之後的圖7的負電電極的光學照片。
圖10所示的係利用自來水洗滌之後的圖8的正電電極的光學照片。
圖11所示的係從某個角度所拍攝到的圖9的負電電極的光學照片。
圖12所示的係從某個角度所拍攝到的圖10的正電電極的光學照片。
圖13所示的係在手動刮削而移除已鍵結的聚合性分子之後的圖10的正電電極的光學照片。
本揭示內容和能量儲存裝置的實施例有關，該能量儲存裝置包含一包括聚合性分子的介電材料，其中，該些聚合性分子中的至少一些會被鍵結至該能量儲存裝置的一電極；並且本揭示內容還和製造該些能量儲存裝置的方法有關。該些能量儲存裝置透過靜電類型的充電/放電機制來儲存能量，舉例來說，雷同於一靜電式電容器。該些能量儲存裝置的實施例可使用在電子領域、體電氣儲存以及可能使用或需要儲存電能的任何其它裝置之中。
I.定義
下面所提供的術語及縮寫的解釋係為更佳地說明本揭示內容並且指導熟習本技術的人士實行本揭示內容。如本文中的用法，除非內文額外清楚規定，否則，「包括」的意義為「包含」並且單數形式的「一」或「該」包含複數引用對象。除非內文額外清楚規定，否則，「或」一詞係 表示多個所述替代元件中的單一元件或是二或更多個元件的組合。
除非額外解釋，否則，本文中所使用的所有技術性和科學性術語皆具有和熟習本揭示內容所屬技術的人士所一般理解相同的意義。在實行或測試本揭示內容中雖然能夠使用和本文中所述方法及材料雷同或等同的方法及材料；但是，合宜的方法及材料會在下面作說明。該些材料、方法、以及範例僅為解釋性，而沒有限制的用意。從下面的詳細說明以及申請專利範圍中便會明白本揭示內容的其它特點。
除非額外表示，否則，在說明書或申請專利範圍中用來表達器件、電壓、溫度、次數、…等之數量的所有數目皆應被理解為受到術語「大約」的修飾。據此，除非暗示性或明確地額外表示，否則，所提出的數值參數皆為近似值，其可能相依於所尋求之所希望的特性及/或在熟習本技術的人士所知道的標準測試條件/方法之規範下的偵測極限。當直接且明確地區分本發明實施例和已討論過的先前技術時，除非引用到「大約」一詞，否則，實施例編號並非近似值。
為幫助審閱本揭示內容的各種實施例，本發明提供下面的特定術語的解釋：
電容器：一種能量儲存裝置，其包含被一實質上非導體材料分隔的兩塊導體平板，該實質上非導體的材料稱為介電質。該電容器的電容的數值，或是儲存容量的數值，相依於該些平板的尺寸、該些平板之間的距離、以及該介電質的特性。其關係顯示在下面的公式1之中：
Figure 104142027-A0202-12-0009-1
 其中，e0=真空的電容率(8.8542x10-12F/m)，er=相對電容率(下面有定義)，A=平板的表面積(兩塊平板有相同的尺寸)，以及d=兩塊平板之間的距離。
介電材料：能夠被外加電場極化的電氣絕緣體。如本文中的用法，「介電材料」一詞係表示包括複數個聚合性分子的材料，該些聚合性分子包含一或更多個極性官能基團及/或可離子化的官能基團。
介電質崩潰電壓：介電材料會於該處「崩潰」並且導通電流的電壓。該介電質崩潰電壓為一材料的介電強度的指示符。
衍生化(derivatized)：如本文中配合聚合物的用法，「衍生化」一詞係表示官能基團已經經由化學改質而被加入的聚合物。舉例來說，蛋白質可以被順丁烯二酐(maleic anhydride)衍生化，用以讓該蛋白質具備順丁烯二酸(maleic acid)官能基團。
電氣絕緣材料或是絕緣體：絕緣體係一種內部電荷不會任意流動的材料，且所以，該材料僅導通極少甚至不會導通任何的電流。公認的係，完美的絕緣體並不存在，如本文中的用法，「電氣絕緣材料」一詞係指主要為絕緣的材料，也就是，臨界崩潰電場超過在正常作為電容器期間被施加跨越該材料的電場的材料，因此，可以在正常使用期間避免電氣崩潰。
電極：如本文中的用法，「電極」一詞係表示一種電氣導體(舉例來說，金屬)；或者，表示一種「複合式」電極，其包括一電氣導體以及位於該電氣導體的表面上的非導體材料。
官能基團：分子裡面的一特定原子基團，其負責該分子的特徵化學反應及/或靜電相互作用。示範性的官能基團包含，但是並不受限於： 鹵素(氟、氯、溴、碘)基團、環氧基團(epoxide)、羥基團(hydrozyl)、羰基團(carbonyl)(酮)、甲醛基團(aldehyde)、碳酸酯基團(carbonate ester)、羧酸酯基團(carboxylate)、醚基團(ether)、酯基團(ester)、過氧基團(peroxy)、過氧化氫基團(hydroperoxy)、羧胺基團(carboxamide)、胺基團(amine)(一級、二級、三級)、銨基團(ammonium)、醯胺基團(amide)、醯亞胺基團(imide)、疊氮基團(azide)、氰酸基團(cyanate)、異氰酸基團(isocyanate)、硫氰酸基團(thiocyanate)、硝酸基團(nitrate)、亞硝酸基團(nitrite)、丁腈基團(nitrile)、硝基烷基團(nitroalkane)、亞硝基基團(nitroso)、吡啶基團(pyridyl)、磷酸基團(phosphate)、磺酰基團(sulfonyl)、硫基團(sulfide)、硫醇基團(thiol)(硫氫基團(sulfhydryl))、以及二硫基團(disulfide)。極性官能基團不會在使用環境中形成離子，但是，取而代之的係，會在該分子裡面提供正電電荷和負電電荷的部分分離。可離子化的官能基團則為可以使用環境中處於離子化狀態的官能基團(舉例來說，-COOH相對於-COO-，-NH3相對於NH4 +)。
絕緣層/塗層或是非導體層/塗層：如本文中的用法，「絕緣層」、「絕緣塗層」、「非導體層」、以及「非導體塗層」等術語皆係表示一種從歐姆傳導性的觀點來看為電氣絕緣的材料層或塗層，也就是，該材料的歐姆傳導性小於1x10-1S/m(每公尺1x10-1個西門子)。
聚對二甲苯(parylene)：多聚的對二甲苯(polymerized p-xylylene)，亦稱為PuraleneTM聚合物，或是多聚取代的對二甲苯。多聚的對二甲苯符合下面的化學式：
Figure 104142027-A0202-12-0011-2
電容率：如本文中的用法，「電容率」一詞係表示材料變成極化的能力，從而改變其空間體積的「介電常數」至高於真空的數值。一材料的相對電容率為其靜態介電常數除以真空的介電常數的量測值，如下面的公式2中所示：
Figure 104142027-A0202-12-0012-3
 其中，er=相對電容率，es=經量測的電容率，而e0=真空的電容率(8.8542x10-12F/m)。真空的相對電容率為1，而水的相對電容率為80.1(在20℃處)，並且有機塗層通常有3至8的相對電容率。一般來說，「高電容率」一詞係表示具有至少3.3的相對電容率的材料。如本文中的用法，「高電容率」一詞還表示一種電容率利用電容率提高技術提高至少10%的材料，例如，浸沒在一電場之中。
寡(oligo)：具有「少許」的前飾語。舉例來說，寡肽可能包含經由醯胺基團鍵接合在一起的的2至20個氨基酸，而多肽則可能包含20個以上的氨基酸。，寡肽包含二肽、三肽、四肽、五肽、…等。
極性：「極性」一詞係表示一種化合物，或是化合物裡面的官能基團，其中，電子不會在該些原子之間被均等地共用，也就是，正電電荷的區域以及負電電荷的區域被永久性分離。
多肽：一種有20個以上的氨基酸經由醯胺基團鍵接合在一起的聚合物。多肽一詞希望涵蓋天然產生的多肽以及合成生產的多肽。
聚合物/聚合性分子：一種具有透過化學反應(也就是，多聚化)所形成之多個重複結構單元(舉例來說，單體)的分子。
空間受限的介電質膜：如本文中的用法，「空間受限的介電 質膜」一詞係表示一種包括複數個聚合性分子的電氣絕緣及/或高電容率的介電質膜，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合，其中，該些聚合性分子中的至少一些的空間會受到限制，也就是，該些聚合性分子中的至少一些會受到限制而使得整個聚合性分子無法在該介電材料裡面實體移動。當該聚合性分子的一部分被鍵結至與該介電質膜接觸的電極表面時便會發生空間受限的情況。該聚合性分子可以藉由本文中所揭示的方法的實施例被鍵結至該電極表面。
II.具有空間受限的介電質膜的能量儲存裝置
一能量儲存裝置的實施例包括實質上相互平行的兩個導體表面(電極)以及一介於該些導體表面之間的空間受限的介電質膜。該裝置可以進一步包含一位於該些電極中的一或兩者上的絕緣層或塗層。該介電材料包括複數個聚合性分子，該些聚合性分子中的至少一些被鍵結至該些電極中的其中一者或者被鍵結至該電極上的一絕緣層。
A.電極
於某些實施例中，該些電極為平面或是實質上平面。每一個電極可以獨立地擁有一平滑表面或是一粗糙表面。舉例來說，一粗糙的電極可以被製備為具有碳粒子，它們讓該電極具有遠高於一平滑電極(例如，由經拋光金屬所製成的電極)的表面積。經選定的表面粗糙度的數額可以至少部分相依於一給定能量儲存裝置或電容性裝置所希望的外部電氣參數。對照於一包括平滑電極的能量儲存裝置，一包括粗糙電極的雷同能量儲存裝置在短暫的時間週期中(例如，數微秒至毫秒)會有更快的充電及放電安培 數(舉例來說，100倍快)，接著會有雷同於具有平滑電極之能量儲存裝置所提供之放電速率的較慢放電速率。
B.絕緣層
每一個電極皆可以在一或更多個表面上被塗佈一絕緣(非導體)層或塗層。一具有絕緣塗層的電極會被稱為「複合式電極」。於該能量儲存裝置中，該複合式電極會被配向成使得該絕緣層接觸該介電材料。該絕緣層為該電極提供高絕緣的特性並且為要被加入的介電材料提供鍵結部位。該絕緣層的歐姆傳導性小於1x10-1S/m。於某些實施例中，該絕緣層的歐姆傳導性小於1x10-2S/m、小於1x10-5S/m或者小於1x10-10S/m。於特定的實施例中，該歐姆傳導性從1x10-25S/m至1x10-1S/m、從1x10-10S/m至1x10-1S/m或者從1x10-5S/m至1x10-1S/m。該塗層的厚度範圍可以從數奈米至大於10微米。於某些實施例中，該絕緣層的平均厚度從5nm至10μm，例如，從0.1至10μm、從0.3至10μm、從0.3至5μm、或是從0.3至2μm。於其中一實施例中，從該第一電極的外表面量測至該第二電極的外表面，該塗層具有小於該電容器之總厚度的10%的平均厚度。該絕緣塗層可以藉由任何合宜的手段來塗敷，其包含，但是並不受限於：氣相沉積、液體噴塗、以及熟習塗敷塗層之技術的人士所知道的其它技術。一種示範性的絕緣塗層為多聚的對二甲苯，例如，如US 2014/0139974之中所揭示的PuraleneTM聚合物塗層。
該絕緣層可以適當的共聚單體來改質，以便提供高電容率，及/或為該介電材料的聚合性分子提供附接部位。於某些實施例中，該些共聚單體包含一或更多個不飽和鍵。舉例來說，一包括多聚的對二甲苯的絕 緣層可以藉由併入共聚單體而被改質，該些共聚單體包含，但是並不受限於：烯烴(olefin)、乙烯衍生物、炔基團(alkynyl)衍生物、丙烯化合物、烯丙基團化合物、羰基團、環狀醚、環狀縮醛(cyclic acetal)、環狀醯胺基團(cyclic amide)、惡唑啉(oxazoline)以及前述的組合。於某些實施例中，該些共聚單體為：丙烯酸(舉例來說，2-羧乙基丙烯酸酯(2-carboxylethyl acrylate))、丙烯酸甲酯(舉例來說，3-三甲基氧矽烷基丙基丙烯酸甲酯(3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate))、α-蒎烯(α-pinene)、R-(-)香芹酮(R-(-)carvone)、芳樟醇(linalool)、環己烯(cyclohexene)、二戊烯(dipentene)、α-松油烯(α-terpinene)、R-(+)-檸檬油精(R-(+)-limonene)以及前述的組合。該些共聚物可以包含交替的單體，或者，可以為具有嵌段共聚物(block copolymer)的形式。
C.包括聚合性分子的介電材料
該能量儲存裝置的某些實施例包含一包括單一介電材料層的介電質膜，而其它實施例則包含一包括多層介電材料的介電質膜。該多層介電材料可以利用被多次沉積的單一材料來形成，在該些沉積之間會有或者沒有表面改質。或者，每一層皆可以有一不同的化學組成物。於某些實施例中，該裝置被建構成具有一介電質膜，其包括具有不同電容率的二或更多個介電質層。該介電質膜的平均厚度範圍可以從數微米至數毫米。於某些實施例中，該介電質膜的平均厚度從10μm至5mm，例如，從10μm至1mm、從10μm至500μm或是從50μm至250μm。於某些實施例中，該介電質膜的平均厚度為80μm至120μm，例如，平均厚度為100μm。
於某些實施例中，該介電材料具有液體特徵，並且黏性雷同於蜂蜜或者更大。於特定的實施例中，該介電材料的黏性從10,000cP至 250,000cP。於一獨立的實施例中，該介電材料為固體。
該介電材料可以實質上沒有任何導體性；換言之，該介電材料在任一電極處或附近不會進行任何氧化/還原並且不會呈現歐姆傳導性。所以，本發明所揭示的能量儲存裝置的實施例並非傳統的電化學電池，相反地，其和靜電式電容器關係比較相近。然而，該介電材料卻能夠比傳統的電化學電池或是靜電式電容器儲存更大量的特定能量維持很長的時間週期。
於某些實施例中，該能量儲存裝置包括非導體的高電容率介電材料。非導體的高電容率介電質的兩個非限制性範例為蟲膠基質(shellac matrix)中的玉蜀黍蛋白(zein)以及利用順丁烯二酐所衍生的蛋白質。於其它實施例中，該介電材料為導體；於此些實施例中，該些電極通常會被塗佈一如上面所述的絕緣層，以便減少或防止歐姆導電。舉例來說，當該介電材料的阻值每平方公分小於2.5MΩ時便可以使用一絕緣層。於某些實施例中，該能量儲存裝置包括一電容率為至少10至2,000,000並且歐姆導體係數從1S/m至1x10-25S/m的介電材料。
本發明所揭示的能量儲存裝置的實施例包含一包括聚合性分子的介電材料，該些聚合性分子具有極性及/或可離子化的官能基團，從而導致分子內偶極以及偶極矩。該些聚合性分子可以進一步包含一或更多個雙鍵。於某些實施例中，該介電材料為一接觸該能量儲存裝置的兩個電極的薄膜。一般來說，該接觸能夠被描述為該薄膜以及該電極的整個接觸表面之間的直接實體接觸。該介電材料可以接觸「裸」金屬或是以碳為基礎的電極表面或是一複合式電極的絕緣層。
於某些實施例中，該些聚合性分子為極性聚合物。蛋白質為可輕易取得，具有低毒性的廉價極性聚合物。低毒性為優於其它聚合物的重要優點，並且使得該些能量儲存裝置可以回收再利用或是焚化。蛋白質分子包含具有極性及/或可離子化的官能基團的氨基酸。其它合宜的聚合物包含，但是並不受限於：取代的(氟化)和未取代的對二甲苯聚合物、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚乙二醇、胺基甲酸酯聚合物、環氧樹脂聚合物、矽氧聚合物、有機的萜類聚合物、天然的有機聚合物(舉例來說，樹脂，例如，蟲膠)、聚異氰酸酯、以及前述的組合。諸如下面的共聚物同樣落在本揭示內容的範疇裡面：丙烯酸共聚物，舉例來說，具有乙烯丁基丙烯酸酯的共聚物、具有乙基丙烯酸酯的共聚物、以及具有甲基丙烯酸酯的共聚物；以及聚對二甲苯共聚物，舉例來說，具有丙烯酸的對二甲苯共聚物(舉例來說，2-羧乙基丙烯酸酯)、具有甲基丙烯酸的對二甲苯共聚物(舉例來說，3-三甲基氧矽烷基丙基丙烯酸甲酯)、α-蒎烯、R-(-)香芹酮、芳樟醇、環己烯、二戊烯、α-松油烯、R-(+)-檸檬油精、以及前述的組合。極性聚合物的非限制性範例包含：玉蜀黍蛋白、火麻蛋白(hemp protein)、小麥麩質(wheat gluten)、聚丙烯酸-順丁烯二酸共聚物、聚丙烯酸、分離乳清蛋白(whey protein isolate)、分離大豆蛋白(soy protein isolate)、豌豆蛋白萃取物(pea protein extract)、蟲膠、以及前述的組合。
於特定的實施例中，聚合性分子會被衍生化，用以附接額外的官能基團，例如，幫助該些聚合性分子接續鍵結至一裸電極表面(也就是，裸金屬或是碳表面)或是接續鍵結至一複合式電極表面的官能基團。示範性的衍生劑包含，但是並不受限於：酐類(anhydride)；碳化二醯亞胺 (carbodiimide)；醯亞胺基酯(imidoester)；以及包含下面之組合的反應試劑：N-羥基丁二醯亞胺(N-hydroxysuccinimide)以及順丁烯二醯亞胺(maleimide)、芳香基疊氮(aryl azide)、或是二氮環丙烯(azirine)基團。於某些範例中，該聚合物係利用酐類來衍生化，例如，順丁烯二酐、伊康酸酐(itaconic anhydride)、順-4-環己烯-1,2-二碳酸酐(cis-4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride)、或是順-5-降冰片烯-內-2,3-二碳酸酐(cis-5-norbornene-end-2,3-dicarboxylic anhydride)。一衍生化的聚合性分子能夠藉由與該電極表面進行交聯或是其它反應而被鍵結至該表面。舉例來說，當一聚合性分子利用順丁烯二酐來衍生化時、該衍生化的聚合性分子便會經由該些雙鍵被交聯。交聯能夠藉由任何合宜的手段來實施，例如，化學藥劑(舉例來說，自由基起始劑)、紫外光活化、或是熱活化。
本案發明人意外地發現，雖然該些聚合性分子無法在該些電極之間自由地移動；但是，具有上述特徵的聚合性分子在空間受限時卻能夠用於能量儲存。聚合性分子會因在充電及/或放電一包含該複合式電極以及包括該些聚合性分子之介電材料的能量儲存裝置之前先藉由任何手段將該些聚合性分子鍵結至一裸電極表面或是鍵結至該電極的非導體或絕緣塗層而空間受限，該些手段包含：共價鍵(單鍵或多鍵)、範德華作用力(van der Waals forces)、或是氫鍵結。於某些實施例中，該些聚合性分子係被鍵結至正電電極。當該能量儲存裝置在接續的使用期間充電與放電時，該些聚合性分子會保持被鍵結至該電極，例如，當該能量儲存裝置在後續使用在一電子電路之中時。
於一包括介電材料的能量儲存裝置之中，從該電極處加諸一 外部電場會導致可從該介電材料層中一離子或偶極的目前位置獲得的最低能量狀態崩解。因此，當該電場被施加時，該偶極或是離子會從其靜置位置處(也就是，其在該電場被施加之前的位置)被移動，接著，其便會導致該材料之中的電荷分佈的重新排列。這會導致所有其它偶極的其它重新排列在該整個介電材料之中持續進行。沒有被轉換成熱的能量會被該介電材料吸收。當該能量被釋放時，此過程的反向過程便會發生，前提係，被儲存的能量沒有經由其它機制(例如，提升的熱運動(其為和溫度成正比的隨機分子運動))被釋放。
因為不希望受到任何特殊操作理論的約束，咸信，在一大型分子裡面，該分子中僅有一部分的移動會發生，而該分子中的其它部分則牢牢地被約束在原來的地方，用以避免全部移動至較低的能量位準並且潛在能量的後續釋放會被耦合至該電極，而不會被釋放成為熱運動。此移動限制條件降低該介電分子之中的自由度，且結果會降低該分子將吸收自該電場的能量消散成熱量的能力。因此，一被鍵結的聚合性分子會耦合至該電場而使得該聚合性分子因為其低自由度的關係而無法以熱的形式釋放能量。一巨型分子中的特定部分的移動和使用此些技術來分析生物巨型分子的人士所知道的電泳移動有關並且雷同。
因為不希望受到任何特殊操作理論的約束，咸信，當該聚合物的一部分被鍵結至該電極時(或是被鍵結至該電極上的一塗層)，於極性及/或可離子化的官能基團響應於一電場而重新配向時，該聚合物的其餘部分則可能會在該介電質膜裡面拉伸、扭轉、或是彎曲。此些構形及位置的變化會在該能量儲存裝置裡面儲存能量。當該能量儲存裝置放電時，已儲存 的能量會在該些被鍵結的聚合物分子返回到低序構形時被釋放為電能。當一包括聚合性分子的介電材料中的該些聚合性分子中的至少一些有低自由度時，該介電材料便被稱為「空間受限的介電質膜」。
因此，本發明所揭示的能量儲存裝置的實施例包含一包括聚合性分子的空間受限的介電材料。於某些實施例中，在該空間受限的介電材料中的該些聚合性分子中的至少1%、至少10%、至少25%、至少50%、至少80%、或是至少90%會被鍵結至一電極，於特定的實施例中，該些聚合性分子中的至少一些被鍵結至該正電電極。當該電極為一複合式電極時，該些聚合性分子會被鍵結至該複合式電極的絕緣層。鍵結的百分比能夠藉由在將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該電極之後量測被沖洗脫離該電極的聚合性分子的數量來預測。
於某些實施例中，聚合性分子會被鍵結至接觸該介電材料的正電電極表面的至少1%、至少25%、至少50%、至少80%、或是至少90%。被鍵結聚合物覆蓋的表面的百分比可以視覺預測，舉例來說，藉由光學顯微鏡來預測。在該能量儲存裝置被製造之後，該裝置可以被拆卸進行檢視。該正電電極會被沖洗，例如，藉由曝露於自來水之中，以便移除未被鍵結的材料並且接著藉由光學顯微鏡來檢查。被鍵結聚合物覆蓋的表面的區域和沒有鍵結聚合物的區域可以輕易地區分。
聚合性分子和電極之間的鍵結非常強烈，足以耐受偶發的破壞，例如，利用自來水來沖洗該電極和被鍵結的聚合性分子的作用力等同於從高度一公尺處落下的水，或者，在自來水下以人工擦洗該些被鍵結的聚合性分子會有小於20N的作用力。具有此強度的鍵結僅在製造一能量儲 存裝置時一電場已被施加跨越該裝置才會觀察到。於某些實施例中，該些鍵結中的至少一些可以藉由施加一相反極性的外部電壓至該裝置使得該正電電極變成負電而被打斷。
D.示範性能量儲存裝置
於某些實施例中，一能量儲存裝置100包括一正電電極110、一空間受限的介電層120、以及一負電電極130(圖1、2)。該正電電極110以及該負電電極130可以獨立地為導體金屬、半導體、導體聚合物、或是其它導電材料。於特定的情況中，此材料為一高表面積的導體會有好處，例如，以碳為基礎或是石墨烯(graphene)類型的電極。該空間受限的介電層120包括一膜材料，其(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子122，該些聚合性分子122包含極性官能基團及/或可離子化的官能基團。該些聚合性分子還可能包含一或更多個雙鍵。視情況，一絕緣層140、150會被設置在該正電電極110與該介電層120之間及/或被設置在該介電層120與該負電電極130之間。於某些實施例中，從該第一電極110的外表面112量測至該第二電極130的外表面132，該絕緣層140、150的厚度可以小於該能量儲存裝置100的總厚度的10%。一絕緣層可以被併入，用以防止在該裝置的使用期間發生焦耳熱及/或歐姆導體損失。該些聚合性分子122中的至少一些透過附接點124被鍵結至該正電電極110(或是絕緣層140，如果存在的話)。每一個附接點124皆可以為一共價鍵(單鍵、雙鍵、或是三鍵)、氫鍵、範德華作用力、或是其它鍵結作用力，假設該正電電極110保持在一相對於該負電電極130的正電電量處的話，該作用力強度足以防止該聚合性分子122與該正電電極110脫離。該些聚合性分子122中的一 部分可以透過附接點126被鍵結至該負電電極130(或是絕緣層150，如果存在的話)。每一個附接點126皆可以為一共價鍵(單鍵、雙鍵、或是三鍵)、氫鍵、範德華作用力、或是其它鍵結作用力，假設該負電電極130保持在一相對於該正電電極110的負電電量處的話，該作用力強度足以防止該聚合性分子122與該負電電極130脫離。該些正電電極110以及負電電極130可以透過導體導線115、135(舉例來說，導體的電線導線或是其它線路)被附接至一電壓源。
於一獨立的實施例中，一能量儲存裝置200包括一正電電極210、一空間受限的介電層220、以及一負電電極230(圖3)。該空間受限的介電層220包括一膜材料，其(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子222、223、224，該些聚合性分子包含極性官能基團及/或可離子化的官能基團。該些聚合性分子還可能包含一或更多個雙鍵。絕緣層或是非導體層240、250會被設置在該正電電極210與該介電層220之間以及被設置在該介電層220與該負電電極230之間。該些聚合性分子222中的一部分具有為負電電量或部分負電電量的極性及/或可離子化的官能基團，並且透過附接點225被鍵結至絕緣層240。聚合性分子223中的一部分具有為正電電量或部分正電電量的極性或可離子化的官能基團，並且透過附接點226被鍵結至絕緣層250。聚合性分子224中的一部分具有為正電電量或部分正電電量的至少一極性或可離子化的官能基團並且至少一極性或可離子化的官能基團為負電電量或部分負電電量。有足夠長度的聚合性分子224可以橫跨絕緣層240與250之間的距離並且可以被鍵結至兩個絕緣層。該些正電電極210以及負電電極230可以透過導體導線215、235被附 接至一電壓源。
於其中一示範性實施例中，一能量儲存裝置具有一軋延式(rolled)或是堆疊式的介電層配置。圖4所示的係一具有軋延式配置之電極310的示範性能量儲存裝置300，其在基板325上包括一空間受限的介電層320。一第二基板(圖中並未顯示)可以被定位在介電層320的頂端，俾使得該空間受限的介電層320會被夾設在該兩塊基板之間。如圖4中所示，該空間受限的介電層320沒有延伸至基板325的其中一個邊緣326。該軋延式電極310的頂端與底部被鍵結至一導體聚合物330，其可能內含在具有電氣連接線345、355的蓋部或是支托架裡面。一非必要的袖套(圖中並未顯示)可以被放置圍繞該裝置300，用以在使用期間提供機械性和電氣保護。
於圖5與6中所示的一獨立實施例中，一示範性能量儲存裝置400包含兩個電極410、420。該些電極410、420可以為導體薄片。於某些範例中，該些導體薄片為金屬(舉例來說，鋁)，並且尺寸為約500mm2，厚度為約2mm。每一個薄片皆被一絕緣層412、422(例如，PuraleneTM聚合物塗層)覆蓋，用以產生一電極。一導體導線415、425被附接至每一個電極410、420並且被絕緣以防止在接觸一介電材料的區域之中有非必要的傳導作用。一和該些電極大約相同尺寸的非導體分隔薄片430會被打孔以便為一介電材料440提供一路徑來填充與接觸該些電極410、420。於某些範例中，該分隔薄片430的厚度為約0.5mm，但是端視外加電壓而定，亦可以接受高達2mm以及之上的更大厚度。該分隔薄片會防止該兩個電極410、420彼此接觸並且為該兩個電極提供一恆定的分隔距離。該些電極會如圖6中所示般地被組裝在一防護盒450之中。一固體介電材料或液體介電材料440 會被加入，用以填充該些電極410、420之間的空間。或者，該介電材料可被事先塗佈在該些電極上。介電材料440包括複數個聚合性分子，其包含極性官能基團及/或可離子化的官能基團。該些聚合性分子同樣可能包含一或更多個雙鍵。電壓會被施加至該兩個電極，以便將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該正電電極，從而產生一空間受限的介電材料。
於某些實施例中，相較於該些聚合性分子沒有被鍵結至該第一電極的類似能量儲存裝置(也就是，在充電及/或放電該能量儲存裝置之前該介電材料沒有空間受限的類似能量儲存裝置)，在充電及/或放電該能量儲存裝置之前(也就是，在該能量儲存裝置被製造之後於使用該裝置之前，例如，使用在電子電路之中)藉由施加一電場及/或利用化學藥劑處理而將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極會改良該空間受限的介電材料的電容率至少50%，例如，從50%至10,000%、從50%至100,000%、從50%至1,000,000%、或甚至從50%至10,000,000%以及更高。相較於一包含具有實質上相同化學組成物但是聚合物沒有因在充電及/或放電該能量儲存裝置之前將該些聚合物中的至少一些鍵結至一電極表面而空間受限的對照能量儲存裝置，本發明所揭示的能量儲存裝置的實施例能夠儲存至少100X、1000X、10,000X、或甚至100,000X的能量數額。於某些實施例中，本發明所揭示的能量儲存裝置能夠比該對照能量儲存裝置儲存從100X至100,000X的能量數額，例如，從100X至10,000X、從100X至20,000X、或是從100X至100,000X。本發明所揭示的能量儲存裝置的某些實施例在該能量儲存裝置沒有被充電及/或放電時的能量儲存容量至少為1Wh/kg、至少為10Wh/kg、或者至少為100Wh/kg，其僅以被設置在該些導電的第一電極以及 第二電極之間的介電材料的重量為基礎，例如，能量儲存容量從1Wh/kg至1300Wh/kg、10Wh/kg至1300Wh/kg、或是100Wh/kg至1300Wh/kg。於特定的實施例中，該能量儲存容量落在100Wh/kg至1300Wh/kg的範圍內。本發明所揭示的能量儲存裝置的某些實施例的能量損失小於每小時10%、小於每小時1%、小於每小時0.5%、或甚至小於每小時0.1%。因此，本發明所揭示的能量儲存裝置為耐用的高能量密度電容器。該高能量密度亦使得該些裝置被製造成具有厚過其它電容器的介電質膜，但卻不會犧牲能量儲存。
III.製造能量儲存裝置的方法
用於製造能量儲存裝置的方法的實施例包含：(a)塗敷一介電質膜至一導電的第一電極，該介電質膜包括一膜材料，該膜材料(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合；(b)讓該介電質膜接觸一導電的第二電極；以及(c)施加一電場跨越該第一電極、該介電質膜、以及該第二電極，從而製造該能量儲存裝置。當製造該能量儲存裝置時，該些聚合性分子中的至少一些會因施加該電場跨越該第一電極、該介電質膜、以及該第二電極而被鍵結至該第一電極，從而產生一空間受限的介電質膜，其中，該複數個聚合性分子中的至少一些會被鍵結至該第一電極的表面、該第二電極的表面、或是該第一電極與該第二電極兩者的表面。於某些實施例中，一空間受限的介電質膜係藉由下面方式來產生：(i)施加一電場跨越該第一電極、該介電質膜、以及該第二電極，俾使得該第一電極為正電電極，該電場會被施加維持一段有效的時間週期，以便將該些聚合 性分子中的至少一些鍵結至該第一電極，(ii)利用化學藥劑來處理該介電質膜，或是(iii)前述的組合。
A.介電質膜形成
一包括膜材料的介電質膜可藉由任何合宜的手段來製備並且被塗敷至一導電的第一電極，該些製備手段包含：氣相沉積、液體噴塗、網印、旋塗、或是熟習膜形成技術的人士所知道的其它方法。於其中一實施例中，該導電的第一電極為一裸電極或是一包括絕緣層的複合式電極，而且該介電質膜會直接被形成在該裸電極表面上或是被形成在該複合式電極的該絕緣層上。接著，在該介電質膜接觸一導電的第二電極之前或之後，該介電質膜會在低溫處被烘乾(舉例來說，25至60℃)。於一獨立的實施例中，該介電質膜被形成在一可移除的承載膜(舉例來說，聚四氟乙烯膜)上，被烘乾，並且接著被轉印至該電極表面。
於某些實施例中，該膜材料係利用包括一溶劑和複數個聚合性分子的液體或研磨漿來製備。合宜的溶劑包含，但是並不受限於：烷基醇(alkanol)、伸烷基二醇(alkylene glycol)、水、以及前述的組合。示範性的溶劑包含：乙醇(ethanol)、乙二醇(ethylene glycol)、水、以及前述的組合。於某些實施例中，該些聚合性分子具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合。該些聚合性分子同樣可以包含一或更多個雙鍵。合宜的聚合性分子已於上面說明過。於特定的實施例中，未被溶解的聚合性分子會從該混合物處被移除，舉例來說，藉由過濾或是離心分離該混合物來移除。
該液體或研磨漿可以進一步包括一交聯劑。合宜的交聯劑包 含，但是並不受限於：酐類；碳化二醯亞胺；醯亞胺基酯；硼砂鹽(borax salt)；硼氫化鈉(sodium borohydride)；以及包含下面之組合的反應試劑：N-羥基丁二醯亞胺以及順丁烯二醯亞胺、芳香基疊氮、或是二氮環丙烯基團。常用的交聯劑包含：三烯丙基三嗪三酮(triallyltriazinetrione)以及熟習聚合物化學的人士所知道的其它三烯丙基試劑或三乙烯基試劑。示範性的酐類包含：順丁烯二酐、伊康酸酐、順-4-環己烯-1,2-二碳酸酐)、順-5-降冰片烯-內-2,3-二碳酸酐、以及前述的組合。
於某些實施例中，該液體或研磨漿可以進一步包含一起始劑，例如，自由基起始劑，用以催化該些聚合性分子之間的交聯作用。示範性起始劑包含熱活化以及光活化的化學起始劑，其包含，但是並不受限於：偶氮二異丁腈(azobisisobutyronitrile)；1,1'-偶氮二環己腈(1,1'-azobis(cyclohexanecarbonitrile))；過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)；2-羥基-2-甲基苯丙酮(2-hydroxy-2-methylpropiophenone)；樟腦醌(camphorquinone)；菲醌(phenanthrenequinone)；以及前述的組合。於其中一範例中會使用伊康酸酐以及過氧化二異丙苯來交聯玉蜀黍蛋白分子。
一或更多種鹽可以在交聯完成之前被加入該液體或研磨漿之中，例如，能夠和該些聚合性分子形成有機鹽的鹽及/或中和該膜材料的鹽。於某些實施例中可以使用碳酸鹽(舉例來說，碳酸胍(guanidine carbonate)、碳酸銫(cesium carbonate)、碳酸鍶(strontium carbonate)、或是前述的組合)，因為該反應會釋放二氧化碳並且不會產生該介電質膜的任何非所希望的反離子(counterion)污染。於其中一實施例中，鈦酸鋇(barium titanate)會被加入該液體或研磨漿之中。於一獨立的實施例中，一電壓佐劑(voltage adjuvant)(例如，非導體的聚合物)則會被加入。
該液體或研磨漿會藉由任何合宜的手段被塗敷至該導電的第一電極。於其中一實施例中，該研磨漿會被塗佈在一電極的靜止或連續移動的帶狀體上。於另一實施例中，該液體或研磨漿會經由任何數量的手段被澆灌在一靜態定位的電極板上，該些手段包含，但是並不受限於：從一容器處中壓力射出或是從該混合容器處澆灌。於另一實施例中，該液體或研磨漿會藉由旋塗被塗敷至該電極。亦可預期使用其它方法從該混合容器處將該液體或研磨漿移至該電極。該液體或研磨漿可被分散、擠壓、軋延用以覆蓋該電極表面並且確保該液體或研磨漿在該電極表面上有一均勻薄的塗層。可以考慮使用用以實施此步驟的多種手段，其包含，但是並不受限於使用：塗抹刮刀、滾輪、或是其它手段。該研磨漿的氣相沉積能夠經由熟習膜形成技術的人士所知道的霧化該研磨漿或是化學氣相沉積來完成。
於其中一實施例中，足量的液體或研磨漿會被塗敷至該電極表面，用以在被烘乾時產生具有所希望厚度的介電質膜。於另一實施例中，二或更多層的液體或研磨漿可以被塗敷至該電極表面，用以提供該所希望的厚度。每一層皆可以在另一層被塗敷之前先被烘乾；或者，可以實施液體或研磨漿的連續沉積，而在所有層皆已被塗敷之後才進行烘乾。當二或更多層被塗敷時，該些層可以有相同或不相同的化學組成物。
該電極以及介電材料可被加熱，用以移除溶劑並且在該電極表面上形成一介電質膜。加熱可以在該介電材料接觸該導電的第二電極之前或之後進行。於某些實施例中，該組裝件會被夾鉗或是擠壓，用以施加 壓力至該介電材料，並且強制任何空氣或氣體離開該液體或研磨漿，俾使得該些第一電極和第二電極會完全、緊密的接觸該些電極的向內表面。於特定的實施例中，該組裝件會被加熱至150℃至300℃的溫度，用以移除該溶劑。其它溫度範圍亦可能適用，端視該特殊的溶劑而定。
於一獨立的實施例中，該介電質膜的該些聚合性分子會被形成在原處。該液體或是研磨漿包括一交聯劑以及複數個聚合性分子前驅物，該些聚合性分子前驅物包括一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合。於某些範例中，該些前驅物為氨基酸分子、寡肽、多肽、或是前述的組合。於特定的實施例中，該些聚合性分子前驅物進一步包括對二甲苯單體。該液體或是研磨漿會被塗敷至如先前所述的第一電極。在塗敷之後，該交聯劑會被活化，從而交聯該些聚合性分子前驅物，以便提供一包括複數個聚合性分子的介電質膜。該交聯製程還可以將該些聚合性分子中的一部分鍵結至該電極表面，例如，當該電極為一包括絕緣層的複合式電極時。
B.絕緣層形成
於某些實施例中，該方法進一步包括塗敷一絕緣層至該第一電極，用以形成一複合式第一電極，並且接著塗敷該介電質膜至該複合式第一電極的該絕緣層。於其中一實施例中，該絕緣層包括一多聚的對二甲苯。於另一實施例中，該絕緣層包括對二甲苯和如上面所述的其它共聚單體的共聚物。該絕緣層藉由任何合宜的手段被塗敷，該些手段包含：氣相沉積、液體噴塗、網印、旋塗、或是熟習膜形成技術的人士所知道的其它方法。
於某些實施例中，該絕緣層係利用氣相沉積來塗敷。當該絕緣層包括多聚的對二甲苯時，二甲苯可以和一單原子的氧來源進行反應，用以產生單體形式的對二甲苯。舉例來說，該單原子的氧來源可以包括氧化亞氮(nitrous oxide)或是離子化的雙原子氧。於某些實施例中，二甲苯和一單原子的氧來源進行反應用以產生單體形式的對二甲苯的步驟係在被加熱至450℃至800℃的環境中於大氣壓力處以二甲苯和單原子氧來源的理想配比來實施。該反應可以在電氣加熱的熱裂解反應管之中進行，例如，Inconel(鎳合金600)熱裂解反應管。一惰性氣體流動氣流(例如，僅有氬氣或氮氣；或者，具有反應化合物，例如，氧化亞氮)會被供應至該熱裂解反應管。起始材料(舉例來說，二甲苯蒸氣)會被引進該熱裂解反應管之中並且在該反應管之中與單原子的氧進行反應。因為反應容易並且短暫，單原子的氧必須可以在反應室之中和該揮發性的混合物進行反應。如上面的討論，該單原子氧來源可以為和該承載氣體一起供應的氣態化合物、或者可以為分開供應的氣態化合物、或者可以為另一來源(例如，電漿產生器)。單原子的氧電漿可以藉由將氧氣(O2)曝露於一離子化能量源(例如，RF放電)來產生，該離子化能量源會離子化該氣體。或者，諸如氧化亞氮(N2O)的化合物可以經由熱、催化、及/或其它分解而為該反應供應單原子的氧。因此，單原子的氧電漿產生器，或是單原子的氧化學化合物(舉例來說，N2O)供給，或是其它合宜的單原子氧來源會被提供。一電漿氣體能夠用於前面提及之用於形成中間氧化產物的起始材料，其接著可以反應用以形成該些起始材料之氧化形式的反應產物，其可能為單體、雙體、三體、寡聚物、或是聚合物。在溫度300℃至800℃處，該反應管的輸出會非常熱，而足以保持該 單體對二甲苯為單體的形式。一電極表面上的單體的快速冷卻會導致該單體的液體冷凝並且將該單體快速多聚成一聚合物。可以使用一用於將多種低溫非導體氣體混合成該高熱反應氣流的裝置來降低溫度並且幫助冷凝離開該反應管的反應中間產物。視情況，可以在該反應管的出口處使用一膨脹閥，用以提供該高熱氣體的焦耳-湯姆森冷卻作用(Joule-Thomson cooling)。視情況，該被沉積的混合物可以曝露於有光引發作用的光能量及/或電容率提高場域(例如，磁場及/或電場)之中。
該方法可以延伸至其它取代基，其包含，但是並不受限於：2-氯-1,4-二甲基苯(2-chloro-1,4-dimethylbenzene)；2,5-二氯-對二甲苯(2,5-dichloro-p-xylene)；2,5-二甲基苯甲醚(2,5-dimethylanisole)；四氟-對二甲苯(tetrafluoro-p-xylene)；以及1,2,4-三甲基苯(1,2,4-trimethyl benzene)。芳香環上的該些取代基的間位定向(meta orientation)和鄰位定向(ortho orientation)同樣為可行的反應起始材料。該反應能夠一般化成包含能夠和從一電漿中產生的單原子氧進行反應或是從已分解的含氧物質或是其中間反應產物中產生的單原子氧進行反應並且還含有因該芳香環的存在而穩定的氫原子的所有化合物。一般來說，此些氫原子位於的苯環(phenyl ring)的阿爾法位置(苯甲基的位置)。熟習有機合成的人士便熟知，從該些阿爾法芳香環位置處被移除的麥可結構(Michael structure)已知會提供和該芳香環阿爾法位置的氫雷同的反應性。然而，此些氫原子的反應性並不受限於一芳香環或是諸如苯的芳香環的阿爾法及/或麥可位置。熟習有機化學的人士便知道，許多不同環體、稠合環體、以及非環體系統的其它芳香族穩定作用。此些起始材料較佳的係有兩個氫原子能夠被移除，用以形成部分氧化的起始材料。此些較 佳的材料可視情況具有二聚化、三聚化、寡聚化、或是多聚化的能力。
當該絕緣層包括一包含對二甲苯的共聚物時，二甲苯可以和一單原子的氧來源反應，用以產生單體形式的對二甲苯。舉例來說，該單原子的氧來源可以包括氧化亞氮或是離子化的雙原子氧。單原子的氧電漿可以藉由將氧氣(O2)曝露於一離子化能量源(例如，RF放電)來產生，該離子化能量源會離子化該氣體。或者，諸如氧化亞氮(N2O)的化合物可以經由熱、催化、及/或其它分解而為該反應供應單原子的氧。於一較佳的施行方式中，二甲苯和一單原子的氧來源進行反應用以產生單體形式的對二甲苯的步驟係在被加熱至350℃至800℃的環境中於大氣壓力處以二甲苯和單原子氧來源的理想配比來實施。該反應可以在電氣加熱的熱裂解反應管之中進行，例如，Inconel(鎳合金600)熱裂解反應管。該單體形式的對二甲苯會與一共聚化合物(共聚單體)混合，也就是，該共聚化合物為一和該單體形式的對二甲苯共聚的化合物。該單體形式的對二甲苯以及該共聚化合物在混合時為氣態。一電漿氣體可用於前面提及的起始材料，用以形成中間的氧化產物，該中間的氧化產物接著可以反應用以形成反應產物，該些反應產物為該些起始材料的氧化形式。在混合該單體形式的對二甲苯與一共聚化合物之後，所生成的混合物可以在一冷凝器中被捕獲。該冷凝器的溫度在該混合物會冷凝的溫度處。至少-30℃的溫度(舉例來說，在-30℃至400℃的範圍中)可以冷凝大部分的此些混合物。該冷凝器含有一用於幫助捕獲的溶劑。視情況，該被捕獲的混合物可以和一三級物質(舉例來說，另一單體)、一反應物質、或是一惰性材料混合。在混合該單體形式的對二甲苯與一共聚化合物之後，所生成的混合物可以被沉積在一電極上。該電極的溫度可以被控 制成用以促使該沉積混合物的固化。在一電極表面上引導該些單體時快速冷卻該些單體(不論已改質或未改質)會導致該些單體的液體冷凝並且將該些單體快速多聚成一聚合物。視情況，該被沉積的混合物可以曝露於有光引發作用的光能量及/或電容率提高場域(例如，磁場及/或電場)之中。
C.鍵結聚合性分子至電極
於某些實施例中，一電場會被施加跨越該第一電極、該介電質膜、以及該第二電極。優點係，該電場為一直流電場。該電場會被施加而使得該第一電極充當一正電電極並且該第二電極充當一負電電極。該電場強度可以大於100V/cm，或者，至少為0.001V/μm，其係以該介電質膜的平均厚度為基礎。於特定的實施例中，該電場強度係從0.005至1V/μm、從0.01至1V/μm、從0.1至1V/μm、或是從0.4至0.6V/μm。
該電場可被施加維持一段有效的時間週期，以便將該介電質膜之中的該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極，從而產生一空間受限的介電質膜。該有效的時間週期係至少部分該電場強度為基礎並且範圍可以從一秒至數分鐘，例如，從30秒至60分鐘、從5分鐘至30分鐘、從5分鐘至15分鐘。於某些實施例中，該電場強度係從0.005至1V/μm並且該有效的時間週期係從1秒至30分鐘。於其中一實施例中，電場強度從0.005至0.5V/μm維持20分鐘可用以將50%以上的蛋白質分子鍵結至一包括多聚的對二甲苯的複合式電極表面。於另一實施例中，電場強度從0.5至1V/μm維持5至15分鐘可用以將90%以上的蛋白質分子鍵結至一包括多聚的對二甲苯的複合式電極表面。
於某些實施例中，在組裝該第一導電的電極、介電質膜、以 及第二導電的電極之後，會利用一化學藥劑來處理該介電質膜，用以將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極，從而產生一空間受限的介電質膜。於特定的實施例中，一電場會被施加跨越該第一電極、該介電質膜、以及該第二電極並且會利用一化學藥劑來處理該介電質膜。
於其中一實施例中，該第一電極為一複合式電極，並且利用一化學藥劑來處理該介電質膜包括在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷一自由基起始劑至該絕緣層，並且接著活化該自由基起始劑，以便將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該絕緣層並且產生一空間受限的介電質膜。示範性的自由基起始劑包含：偶氮二異丁腈；1,1'-偶氮二環己腈；過氧化二異丙苯；2-羥基-2-甲基苯丙酮；樟腦醌；菲醌；前述的組合；以及熟習多聚化技術的人士所知道的其它自由基起始劑。該自由基起始劑會藉由氧化-還原、光引發作用、熱引發作用、或是熟習多聚化技術的人士所知道的其它方法來活化，從而將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該絕緣層。
於一獨立的實施例中，該第一電極係一複合式電極，並且利用一化學藥劑來處理該介電質膜包括將一自由基起始劑併入該介電質膜的膜材料之中，並且在塗敷該介電質膜至該絕緣層之後活化該自由基起始劑。
於一獨立的實施例中，該第一電極係一複合式電極，並且利用一化學藥劑來處理該介電質膜包括利用一衍生劑來衍生化該些聚合性分子，用以提供能夠交聯至該複合式第一電極的該絕緣層的官能基團，並且接著藉由利用一自由基起始劑、紫外光、熱活化、或是前述的組合將該些官能基團交聯至該絕緣層，從而產生一空間受限的介電質膜。示範性的衍生劑包含：酐類；碳化二醯亞胺；醯亞胺基酯；以及包含下面之組合的反 應試劑：N-羥基丁二醯亞胺以及順丁烯二醯亞胺、芳香基疊氮、或是二氮環丙烯基團。於某些實施例中，該衍生劑為酐，例如，順丁烯二酐、伊康酸酐、順-4-環己烯-1,2-二碳酸酐、或是順-5-降冰片烯-內-2,3-二碳酸酐。
於一獨立的實施例中，第一電極係一複合式電極，並且利用一化學藥劑來處理該介電質膜包括在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷一電漿至該絕緣層的表面。該電漿係藉由傳導一有氧的承載氣體(舉例來說，氮氣或氬氣)通過一高電壓的「火花(spark)」電漿來達成。跨越該火花的電壓降在250kHz處為約100V至1000V。或者，亦能夠利用相同的氣體混合物在更低的電壓處製成高頻的電漿(舉例來說，13.6MHz且<100V)。該電漿會產生單原子的氧，其會持續足夠長的時間(舉例來說，數毫秒)，用以氧化對二甲苯。在該介電質膜之中的聚合性分子會與該電漿進行反應，從而將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該絕緣層並且形成一空間受限的介電質膜。
上面利用一化學藥劑來處理該介電質膜的實施例中的一或更多個實施例可以結合使用。舉例來說，該些聚合性分子可以利用一衍生劑來衍生化，一交聯劑可被併入於該膜材料之中，並且一自由基起始劑可被併入於該膜材料之中或者在塗敷該介電質膜之前先被塗敷至該絕緣層並且接著被活化。
D.製造替代組裝件的方法
於其中一實施例中，用於製造如圖4中所示之能量儲存裝置的方法包含：(i)提供一第一聚合物薄片或捲狀物，其具有一金屬化表面並且於該金屬化表面上包括一如本文中所揭示的絕緣層，其中，該絕緣層沒有 完全覆蓋該金屬化表面，俾使得該金屬化表面的一邊緣部分沒有被覆蓋；(ii)塗敷一如本文中所揭示的介電質膜至該絕緣層；(iii)讓一第二金屬化聚合物薄片或捲狀物接觸該介電質膜，該第二薄片或捲狀物具有一金屬化表面並且於該金屬化表面上包括一絕緣層，其中，該絕緣層沒有完全覆蓋該金屬化表面，俾使得該金屬化表面的一邊緣部分沒有被覆蓋，其中，該第二薄片或捲狀物被配向成使得該絕緣層會接觸該介電質膜並且該第二薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分鄰近於該第一薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分，以便形成一複合式多層表面；(iv)將該複合式多層表面捲繞成軋延式配置，或者切割並且堆疊該複合式多層表面的多個部分而形成一堆疊式配置；(v)將該第一薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分以及該第二薄片或捲狀物的未被覆蓋的邊緣部分鍵結至一導體蓋部或是一具有電氣連接線的非導體支托架裡面所含的導體聚合物；(vi)將該複合式多層表面電氣連接至一正電電極以及一負電電極；以及(vii)施加一電場至該多層式組成物，該電場會被施加維持一段有效的時間週期，用以將該介電質膜的該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一薄片或捲狀物的絕緣層、該第二薄片或捲狀物的絕緣層、或是兩者。
於一獨立的實施例中，用於製造如圖5與6中所示之能量儲存裝置的方法包含：(i)於一包容裝置之中提供一第一電極，其具有一包括一如本文中所揭示之絕緣層的上方表面；(ii)將一有孔的非導體分隔薄片定位在該第一電極的該絕緣層上；(iii)將一第二電極定位在該分隔薄片上，該第二電極具有一包括一如本文中所揭示之絕緣層的下方表面，俾使得該第二電極的絕緣層會接觸該分隔薄片；(iv)加入一如本文中所揭示之介電材料， 用以填充該有孔的分隔薄片裡面的空間並且用以接觸該些第一電極與第二電極；以及(v)藉由施加一電場跨越該第一電極、該介電材料、以及該第二電極而將該介電材料的該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極的絕緣層，該電場會被施加維持一段有效的時間週期，以便將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該第一電極的絕緣層。
IV.範例 範例1
介電質膜的製備
材料：
蛋白質/聚合物/氨基酸：玉蜀黍蛋白(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 9010-66-6)，火麻蛋白(位於加拿大曼尼托巴省的溫尼伯市的Manitoba Harvest Hemp Foods所生產的Hemp Pro 70)，小麥麩質(位於美國猶他州鹽湖城的John & Jennie's Gourmet Kitchen Center所生產，網站為jandjkitchen.com)，聚丙烯酸-順丁烯二酸共聚物(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 52255-49-9)，聚丙烯酸(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 9003-01-4)，分離乳清蛋白(Purebulk.com Lot # 20131025-07-1000g)，分離大豆蛋白(位於美國猶他州霍尼韋爾市的Honeyville Food Products所生產的Item # 30-066-904)，伽瑪胺基丁酸(Gamma amino butyric acid，GABA)(Purebulk.com Lot # 20130722-01)，豌豆蛋白萃取物(Purebulk.com Lot # 20140226-06-1000g)，L-離氨酸HCI(L-lysine HCI)(Purebulk.com Lot # 20131125-01-1000g)，L-絲氨酸(L-serine)(Purebulk.com Lot # 20130606-04)，L-麩醯氨酸(L-glutamine)(Purebulk.com Lot # 20130912)，L- 色氨酸(L-tryptophan)(Purebulk.com Lot # 20131015-04-100g)，L-酪氨酸(L-tyrosine)(Purebulk.com Lot # 20131016-08-1000g)，天冬氨酸(Aspartic acid)(Purebulk.com Lot # 20130122-06)。
酐類：順丁烯二酐(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 108-31-6)，伊康酸酐(Alfa Aesar所生產的CAS # 2170-03-8)，順-4-環己烯-1,2-二碳酸酐(Alfa Aesar所生產的CAS # 935-795)，順-5-降冰片烯-內-2,3-二碳酸酐(Alfa Aesar所生產的CAS # 129-64-6)。
鹽類：碳酸胍(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 593-85-1)，碳酸銫(Alfa Aesar所生產的CAS # 534-17-8)，碳酸鍶(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 1633-05-2)，碳酸銣(rubidium carbonate)(Alfa Aesar所生產的CAS # 584-09-8)。
溶劑：乙醇，乙二醇(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 107-21-1)。
示範性介電層製備程序
在50mL的Erlenmeyer燒瓶中，於氬氣的環境下，藉由加熱至65℃，攪拌15分鐘，將1公克的玉蜀黍蛋白和1.14公克的伊康酸酐溶解在10mL的絕對乙醇之中。一但溶解完成並且反應溫度達到65℃，0.035公克的過氧化二異丙苯會被加入其中一部分之中，並且在氬氣下繼續攪拌該混合物1個小時。接著，關閉加熱板並且讓該混合物冷卻至室溫。一旦冷卻之後利用通用的pH指示紙來測試該混合物的pH(pH~3)並且將1公克的碳酸胍加入少部分之中，直到pH被測得為~7為止。當加入碳酸胍時必須小心，以便確保避免因反應產生二氧化碳所導致的過度泡騰(以及冒泡溢出)。可以使用一些碳酸胍來達成中和，端視該蛋白質/酐類反應的完成程度而 定，但是，通常被加入的酐類不會大幅超過1莫耳當量。該介電質的最終pH可以從5至10。
備註：a)該蛋白質含有含有能夠和碳酸胍進行反應的額外固有官能基團，因此，該蛋白質需要大於1個當量；b)所使用的酐類的數額係以玉蜀黍蛋白和順丁烯二酐(莫耳重量為98.06g/mol)之1：1的重量百分比為基礎所決定。等莫耳當量的取代酐類(伊康酸酐)則係以順丁烯二酐的莫耳重量為基礎來算出。
範例2
多聚的對二甲苯塗層的製備
具有和不具有共聚單體之包括PuraleneTM聚合物(多聚的對二甲苯)的塗層係利用數種程序來製備。
材料：
起始劑：偶氮二異丁腈(AIBN)(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 78-67-1)，1,1'-偶氮二環己腈(ACHN)(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 2094-98-6)，過氧化二異丙苯(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 80-43-3)，2-羥基-2-甲基苯丙酮(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 7473-98-5)，樟腦醌(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 10373-78-1)，菲醌(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 84-11-7)。
引發源：來自被附接至反應器輸出的受熱蒸發器區塊的熱(>65℃)，254nm的光(Philips TUV 15W G15t8 UV-C Long Life)，354nm的光(Sylvania 350 Blacklight F15T8/350BL)。
共聚單體：3-三甲基氧矽烷基丙基丙烯酸甲酯(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 2530-85-0)，醋酸乙烯(vinyl acetate)(Alfa Aesar所生產的CAS # 108-05-4)，2-羧乙基丙烯酸酯(Sigma-Aldrich所生產的CAS # 24615-84-7)，(+)-α-蒎烯(Alfa Aesar所生產的CAS # 7785-70-8)，(-)-α-松油烯(Alfa Aesar所生產的CAS # 7785-26-4)，R-(-)-香芹酮(Alfa Aesar所生產的CAS # 6485-40-1)，芳樟醇(Alfa Aesar所生產的CAS # 78-70-6)，環己烯(Alfa Aesar所生產的CAS # 110-83-8)，二戊烯(Alfa Aesar所生產的CAS # 138-86-3)，α-松油烯Alfa Aesar所生產的CAS # 99-86-5)，R-(+)-檸檬油精(Alfa Aesar所生產的CAS # 5989-27-5)。
利用化學起始劑的Puralene TM 聚合物生產，程序A：此程序運用美國專利案第8,633,289號中所述的反應器，沒有任何修正。在受到1½"方形FR4玻璃填充的環氧樹脂板支撐的沒有氧化物的圓形½"銅質基板的表面會塗敷一5%的熱起始劑溶液。此溶液係藉由將0.05g的固體起始劑(AIBN、ACHN、或是過氧化二異丙苯)溶解在10mL的絕對乙醇之中並且進行聲波處理，直到完全/幾乎完全溶解為止。溶解之後，20μL的該起始劑溶液會被塗敷至該金屬表面並且該溶劑會在環境大氣下蒸發。此過程會在該金屬表面上留下一薄層的細微顆粒起始劑固體。接著，此些基板會被安置於一被附接至自動手臂的冷凍(~13℃)鋁質區塊。接著，該些基板會以單體的對二甲苯均勻地塗佈最少三次以及最多十次。在塗佈之間，該些基板可以靜置在該冷凍區塊上維持兩分鐘，以便增強化學反應。這會產生一多聚的對二甲苯保形塗層，厚度範圍從300nm至1000+nm。
利用化學起始劑的Puralene TM 聚合物生產，程序B：此程序 運用美國專利案第8,633,289號中所述的反應器，沒有任何修正。在先前所述的沒有氧化物的銅質基板的表面會塗敷一5%的UV活性起始劑溶液。此溶液係藉由將0.05g的固體起始劑(樟腦醌或是菲醌)溶解在10mL的絕對乙醇之中並且進行聲波處理，直到完全/幾乎完全溶解為止。溶解之後，20μL的該起始劑溶液會被塗敷至該金屬表面並且該溶劑會在環境大氣下蒸發。此過程會在該金屬表面上留下一薄層的細微顆粒起始劑固體。接著，此些基板會被安置於一被附接至自動手臂的冷凍(~13℃)鋁質區塊。接著，該些基板會以對二甲苯均勻地塗佈最少三次以及最多十次。在塗佈之間，該些基板會藉由併排放置在相同殼體之中的兩個燈具而曝露於254/350nm的UV光中維持兩分鐘。在照射之後，該些基板可以靜置在該冷凍區塊上維持額外的兩分鐘，以便增強化學反應。這會產生一多聚的對二甲苯保形塗層，厚度範圍從300nm至1000+nm。
利用化學起始劑的Puralene TM 聚合物生產，程序C：此程序運用美國專利案第8,633,289號中所述的反應器，但是經過下面的修正。在該Inconel反應管的頂端附接著一受熱的不鏽鋼蒸發器區塊，氮氣(承載氣體)以及2-羥基-2-甲基苯丙酮(UV活性的起始劑，沒有稀釋)會被饋送至該受熱的不鏽鋼蒸發器區塊之中。接著，先前所述的沒有氧化物的銅質基板會被安置於一被附接至自動手臂的冷凍(~13℃)鋁質區塊。接著，該些基板會以對二甲苯均勻地塗佈最少三次以及最多十次。在塗佈之間，該些基板會藉由併排放置在相同殼體之中的兩個燈具而曝露於254/350nm的UV光中維持兩分鐘。在照射之後，該些基板可以靜置在該冷凍區塊上維持額外的兩分鐘，以便增強化學反應。這會產生一多聚的對二甲苯保形塗層，厚度範圍 從300nm至1000+nm。
Puralene TM 共聚物生產，程序A：在先前所述的沒有氧化物的銅質電極的表面會塗敷5μL的5%起始劑溶液(已在上面詳述過)或者5μL的淨2-羥基-2-甲基苯丙酮以及20μL的上面所列的共聚單體中的其中一者。該些基板可稍微烘乾，俾使得在垂直安置該些基板時，該些液體材料不會從表面處滴落。接著，可以利用在上面的PuraleneTM聚合物生產程序A至C(和起始劑有關)中所述的方法來塗佈該些已製備的基板。這會產生各種厚度的共聚物膜，其能夠利用能量散佈X射線光譜術來分析。
Puralene TM 共聚物生產，程序B：在先前所述的沒有氧化物的銅質電極的表面會塗敷20μL的5%起始劑溶液(已在上面詳述過)或者20μL的淨2-羥基-2-甲基苯丙酮。一旦該承載溶劑蒸發並且該些基板被安置之後，便在塗佈之前使用噴槍將液體共聚單體塗敷至該基板表面。接著，便運用在利用化學起始劑的PuraleneTM聚合物生產，程序A中所述的塗佈技術。
Puralene TM 共聚物生產，程序C：此程序運用美國專利案第8,633,289號中所述的反應器，但是經過下面的修正。在該Inconel反應管的頂端附接著一受熱的不鏽鋼蒸發器區塊，氮氣(承載氣體)以及液體的共聚單體(沒有稀釋)會被饋送至該受熱的不鏽鋼蒸發器區塊之中。在先前所述的沒有氧化物的銅質電極的表面會塗敷20μL的5%起始劑溶液(已在上面詳述過)或者20μL的淨2-羥基-2-甲基苯丙酮。一旦該承載溶劑蒸發，該些基板便會被安置於該冷凍的區塊上。於此製程中，該共聚單體會在該蒸發器區塊之中被蒸發，被加熱至一單體特定的沸點溫度，並且接著已蒸發的單體便會被加入至主要的對二甲苯流之中，俾使得單體以及二甲苯兩者會同步 被塗敷至該基板表面。接著，便運用在上面的PuraleneTM聚合物生產程序A至C(和起始劑有關)中所述的方法來塗佈該些已製備的基板。
Puralene TM 共聚物生產，程序D：此程序運用美國專利案第8,633,289號中所述的反應器，但是經過下面的修正。在該Inconel反應管的頂端附接著一受熱的不鏽鋼蒸發器區塊，氮氣(承載氣體)以及液體的共聚單體(沒有稀釋)會被饋送至該受熱的不鏽鋼蒸發器區塊之中。一第二蒸發器區塊被定位在其上方，用以傳送氮氣以及液體的起始劑(2-羥基-2-甲基苯丙酮)。於此製程中，該共聚單體以及起始劑兩者都會被蒸發並且進入至該對二甲苯流之中，俾使得全部三種材料會同步接觸該些基板。沒有氧化物的銅質基板會被安置於該冷凍的區塊上並且利用在上面利用化學起始劑的Puralene TM 聚合物生產，程序C中所述的方法來塗佈。
範例3
能量儲存裝置的製備
一金屬化聚合物薄片或捲狀物(舉例來說，經圖樣處理的鋁化聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate，PET)(Mylar®聚酯膜))會被一絕緣層(例如，包括在US 2014/0139974 A1之中所述的PuraleneTM聚合物)塗佈。於某些範例中，該金屬化聚合物薄片或捲狀物的厚度為約6μm並且寬度為約50mm。該非導體塗層被塗敷至該金屬化表面並且不可以完全覆蓋該金屬化表面。大約6mm的裸導體表面會裸露在其中一個邊緣。該經塗佈的金屬化材料接著會利用在US 2013/0224397 A1之中所述的介電材料噴霧塗佈在該非導體的聚合物表面的頂端。充分的介電材料會被沉積，以便在60 ℃處烘乾10分鐘之後提供具有約100μm厚度的介電層。已經以和該第一基板雷同方式被一非導體聚合物塗佈的另一金屬化聚合物薄片或捲狀物接著會被翻轉而使得未被塗佈的邊緣反向於該第一基板的未被塗佈的邊緣並且該兩個鋁化表面會彼此相向。該第二基板的有聚合物塗佈側會接觸該第一基板的有介電質塗佈側。該複合式多層表面接著會捲繞成一捲筒(其可於後面展平)或是堆疊成多塊平板，以便提供具有較大能量儲存數額的較大型裝置。電氣連接至該捲筒或堆疊之未被塗佈的電極邊緣係藉由將該些導體電極邊緣鍵結至一導體多聚摻合物(例如，熟習本技術的人士所知道的導體環氧樹脂)來提供。該導體聚合物內含在一機械性實質導體的蓋部或是其它非導體的支托架裡面，該支托架具有電氣連接線(例如，電線)及/或機械強度足以進行擠壓電氣連接。一非必要的袖套會被放置圍繞該整個裝置，用以在其預期使用時為該些薄膜以及該裝置本身提供機械性和電氣保護。
該能量儲存裝置會被附接至一DC電壓供應器。該裝置係由0.001至100mA/cm2的電流來供電。在該介電質膜之每微米厚度大於0.001V的電場強度處，電流可以流動維持一段有效的時間週期，以便將該介電質膜的至少一些聚合性分子鍵結至該非導體的塗層。於某些實施例中，該電場強度大於0.01V/μm，例如，從0.05至1V/μm或是從0.1至1V/μm。該有效的時間週期可以從數秒鐘至數分鐘。於某些實施例中，該電壓為0.1至1V/μm，而該有效的時間週期係從5分鐘至30分鐘。被該裝置所吸收的能量的計算結果係藉由熟習製造能量儲存裝置之技術的人士所知道的方法來決定。已吸收能量的放電係對經由一電阻器放電至接地的差動電壓進行積分來決定。
於一工作範例中，拆卸該裝置並且進行顯微檢視會顯現該介電材料牢牢地並且機械性被鍵結至該些有非導體聚合物塗佈的電極表面。
範例4
利用自由基起始劑和交聯劑來製備一共聚物層
在如圖1至6的任一圖中所示的能量儲存裝置之中，一單體分子(較佳的係，對二甲苯單體)會被沉積在充當可移除承載膜的一導體電極或是一非導體薄片(舉例來說，聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)薄片)上。該些共聚單體分子可以為具有多聚化、二聚化、或是形成可能為導體或絕緣之延伸結構能力的任何分子。除此之外，被加入的共聚單體物種還可以具有擁有可充當交聯劑之數種反應功能的結構。或者，如上面所述或是熟習多聚化或膜形成之技術的人士所知道的交聯劑亦可配合該些被沉積的單體而被加入。如上面所述或是熟習多聚化或膜形成之技術的人士所知道的自由基起始劑會配合該些被沉積的單體或是在分開的沉積步驟中被加入。該膜可以藉由氣相沉積、液體噴塗、網印、或是熟習膜形成技術的人士所知道的其它方法來沉積。該自由基起始劑的活化係藉由氧化-還原、光引發作用、熱引發作用、或是熟習膜形成技術的人士所知道的其它方法來提供。用於製造聚合物膜的示範性方法已在美國專利案第8,633,289號中說明過，本文以引用的方式將其併入。一電場、磁場、或是兩者可以在該聚合物膜形成期間被施加至該聚合物膜，用以修正該膜的機械性特性和電氣特性，舉例來說，讓該膜變得更黏稠或是更為固態。
接著，一介電層可被沉積成為一分離的步驟，倘若被形成在 其上的膜並非該裝置的完整介電材料的話。該反向電極接著會如先前範例中所述般地被加入，並且該裝置會如先前所述般地被安置。
範例5
聚合物鍵結
一由PuraleneTM聚合物製成的絕緣層會利用在「利用化學起始劑的PuraleneTM聚合物生產，程序C」中所述的方法被塗敷至一第一電極表面。一包括玉蜀黍蛋白的介電質膜會被塗敷在該絕緣層上。一包括由PuraleneTM聚合物製成之絕緣層的第二電極會接觸該介電質膜。一20V的電場會被施加跨越該第一電極、介電質膜、以及第二電極，維持5分鐘，以便將玉蜀黍蛋白聚合物鍵結至該第一(正電)電極上的絕緣層。該能量儲存裝置會被拆卸並且檢查，用以決定該蛋白質鍵結的範圍以及強度。
圖7以及8所示的分別係在拆卸之後的負電電極和正電電極的光學顯微照片。如在圖8中所看見，該正電電極在其表面包含一保形的蛋白質塗層。該些電極會利用自來水洗滌並且再次檢查。圖9以及10所示的分別係在洗滌之後的負電電極和正電電極的光學照片。如在圖10中所看見，該蛋白質保持鍵結至該正電電極的表面。
圖11以及12所示的分別係負電電極和正電電極的光學照片。此些照片係以某個角度拍攝，以便更清楚顯示表面細節。圖12所示的係具有蛋白質分子的電極表面的實質完整覆蓋範圍。圖13所示的係在利用刀片手動刮削該介電質膜之後的已洗滌的正電電極的光學照片。較亮的區域(由箭頭表示)為經過刮削而移除已鍵結的蛋白質分子的區域並且顯示位 於該蛋白質層底下的電極表面。該照片顯示需要相當大的作用力從該電極表面處移除該些已鍵結的蛋白質分子。
有鑑於可套用已揭發明之原理的許多可能的實施例，應該瞭解的係，本文中所解釋的實施例僅為本發明的較佳範例並且不應被視為限制本發明的範疇。確切地說，本發明的範疇係由下面的申請專利範圍來定義。所以，本案發明人主張本發明全部落在此些申請專利範圍的範疇和精神裡面。
100‧‧‧能量儲存裝置
110‧‧‧正電電極
112‧‧‧第一/正電電極的外表面
115‧‧‧導體導線
120‧‧‧空間受限的介電層
122‧‧‧聚合性分子
124‧‧‧附接點
126‧‧‧附接點
130‧‧‧負電電極
132‧‧‧第二/負電電極的外表面
135‧‧‧導體導線
140‧‧‧絕緣層
150‧‧‧絕緣層

Claims (19)

  1. 一種製造能量儲存裝置的方法，其包括：藉由下面方式製造能量儲存裝置：塗敷絕緣層至導電的第一電極，用以形成複合式第一電極；塗敷介電質膜至該複合式第一電極的該絕緣層，該介電質膜包括膜材料，該膜材料(i)為電氣絕緣性及/或呈現高電容率以及(ii)包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團、或是前述的組合；讓該介電質膜接觸導電的第二電極；以及藉由下面方式將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該複合式第一電極，以便形成空間受限的介電質膜：(i)施加電場跨越該複合式第一電極、該介電質膜以及該第二電極，俾使得該複合式第一電極為正電電極，該電場會被施加維持一段有效的時間週期，以便將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該複合式第一電極，(ii)利用化學藥劑來處理該介電質膜，或是(iii)前述的組合，從而製造該能量儲存裝置。
  2. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，該電場為至少0.001V/μm，其係以該介電質膜的平均厚度為基礎。
  3. 根據申請專利範圍第2項的方法，其中，該電場為0.005至1V/μm，並且該有效的時間週期從1秒至30分鐘。
  4. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，該絕緣層包括聚合化的對二甲苯。
  5. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，鍵結該些聚合性分子中的至少一些包括施加該電場跨越該複合式第一電極、該介電質膜以及該第二電極維持一段有效的時間週期，藉以將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該複合式第一電極的該絕緣層。
  6. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，利用化學藥劑來處理該介電質膜包括：在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷自由基起始劑至該絕緣層；以及在塗敷該介電質膜至該絕緣層之後活化該自由基起始劑，從而將該些聚合性分子中的至少一些鍵結至該複合式第一電極的該絕緣層。
  7. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，利用化學藥劑來處理該介電質膜包括：(i)利用衍生劑來衍生該些聚合性分子，用以提供能夠交聯至該複合式第一電極的該絕緣層的官能基團；(ii)將交聯劑併入該介電質膜的該膜材料之中；(iii)將自由基起始劑併入該介電質膜的該膜材料之中，並且在塗敷該介電質膜至該絕緣層之後活化該自由基起始劑；(iv)在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷自由基起始劑至該絕緣層，並且在塗敷該介電質膜至該絕緣層之後活化該自由基起始劑；(v)在塗敷該介電質膜至該絕緣層之前先塗敷電漿至該絕緣層；或是(vi)前述的任何組合。
  8. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，該些聚合性分子包括蛋白 質、聚對二甲苯、丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、聚乙二醇、胺基甲酸酯聚合物、環氧樹脂聚合物、矽氧聚合物、萜類聚合物、天然產生的樹脂聚合物、聚異氰酸酯或是前述的組合。
  9. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，該些聚合性分子包括蛋白質或是衍生化蛋白質。
  10. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，該導電的第二電極為包括絕緣層的複合式第二電極，並且該複合式第二電極被定位成使得該絕緣層會接觸該介電質膜。
  11. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，塗敷該介電質膜至該導電的第一電極包括：在可移除的承載膜上形成該介電質膜；移除該可移除的承載膜；以及塗敷該介電質膜至該導電的第一電極。
  12. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中，該些聚合性分子被形成在原處，該方法進一步包括：塗敷組成物至該第一電極，該組成物包括交聯劑以及複數個聚合性分子前驅物，該些聚合性分子前驅物包括一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團或是前述的組合；以及活化該交聯劑，從而交聯該些聚合性分子前驅物，以便提供包括複數個聚合性分子的介電質膜。
  13. 根據申請專利範圍第12項的方法，其中，該些聚合性分子前驅物包括：(i)氨基酸分子，(ii)寡肽，(iii)多肽，或是(iv)前述的組合。
  14. 根據申請專利範圍第12項的方法，其中，該些聚合性分子前驅物進一步包括對二甲苯單體。
  15. 一種能量儲存裝置，其包括：導電的第一電極；導電的第二電極；空間受限的介電質膜，其被設置在該導電的第一電極以及該導電的第二電極之間，該空間受限的介電質膜包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團或是前述的組合；第一絕緣層，其被設置在該導電的第一電極與該空間受限的介電質膜之間，其中該些複數個聚合性分子中的至少1%被鍵結至該第一絕緣層，該能量儲存裝置具有能量儲存容量，在沒有被充電及/或被放電的能量儲存裝置時，該能量儲存容量至少為1Wh/kg，其僅以被設置在該些導電的第一電極以及第二電極之間的空間受限的介電質膜的重量為基礎。
  16. 根據申請專利範圍第15項的能量儲存裝置，其中，該些聚合性分子為蛋白質分子。
  17. 根據申請專利範圍第15項的能量儲存裝置，其中，該能量儲存裝置的能量儲存容量至少大於包括下面的能量儲存裝置之能量儲存容量的100X：(i)導電的第一電極；(ii)導電的第二電極；以及(iii)電氣絕緣及/或高電容率的介電質膜，其被設置在該導電的第一電極以及該導電的第二電極之間，該介電質膜包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團或是前述的組合，其中，該些聚合性分子沒有被鍵結至該第一絕緣層。
  18. 根據申請專利範圍第15項的能量儲存裝置，其中，該空間受限的介電質膜的電容率大於下面的介電質膜的電容率的50%至10,000,000%：該介電質膜包括複數個聚合性分子，其具有一或更多個極性官能基團、可離子化的官能基團或是前述的組合，其中，該些聚合性分子沒有被鍵結至該第一絕緣層。
  19. 根據申請專利範圍第15或16項的能量儲存裝置，其進一步包括：第二絕緣層，其被設置在該導電的第二電極與該介電質膜之間。
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