TWI710541B - 濺射靶部件的製造方法以及濺射靶部件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可實現在機械加工時降低剝落的產生的濺射靶部件的製造方法。所述濺射靶部件的製造方法，包括：磨削燒結體的磨削步驟；在所述磨削步驟之後的切斷步驟，使用旋轉刀具並在所述旋轉刀具與所述燒結體的接點以大於20L/分鐘的量一邊淋冷卻水一邊切斷所述燒結體，得到具有至少一個切斷面的所述燒結體。

Description

濺射靶部件的製造方法以及濺射靶部件
本發明涉及一種濺射靶部件的製造方法以及濺射靶部件。
由複合氧化物構成的透明導電膜，具有高導電性和可見光透過性，在透明導電膜中最普及的是被稱作ITO的由氧化銦-氧化錫構成的透明導電膜。除此之外，已知氧化銦-氧化鋅（IZO）等。製造這些透明導電膜，在濺射法中，使用由組成與透明導電膜相同的金屬複合氧化物構成的濺射靶部件。例如，關於濺射靶部件的製造具有各種各樣的報告。
在專利文獻1中提出了一種製作長寬比（厚度/外徑）為0.01～2的燒結體，並且在與厚度正交的方向上切斷該燒結體得到多個靶的濺射靶的製造方法。另外，專利文獻1中提出了，在將燒結體切斷成規定的尺寸時，使用內周刃式切斷機，或者使用線式切斷機進行切斷。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2002－371354號公報
發明要解決的技術問題
然而，在對切斷面產生了缺口（以下，稱作剝落）的燒結體進行機械加工以形成濺射靶時，在沒有完全除去剝落的情況下，存在以該剝落為起點，在濺射中靶裂開、產生異常放電的擔憂。
為了抑制切斷燒結體時產生的剝落，例如可列舉使用加工中心（Machining Center：MC）。然而，在使用MC作為尺寸調節機構的情況下，非常耗費功夫，因此基於生產效率上的觀點，很難說是合適的。
因此，本發明鑒於以上情況而完成，在一實施方式中，目的在於提供一種能夠實現在機械加工時減少剝落產生的濺射靶部件的製造方法及濺射靶部件。
解決技術問題的方法
即，本發明的一個方面提供一種濺射靶部件的製造方法，上述濺射靶部件由使用ITO或IZO形成的陶瓷燒結體形成，所述製造方法包括：磨削上述燒結體的磨削步驟；在上述磨削步驟後的切斷步驟，其中，使用旋轉刀具並且在上述旋轉刀具與上述燒結體的接點以超過20L/分鐘一邊淋冷卻水一邊切斷，得到具有至少1個切斷面的燒結體。
在本發明的濺射靶部件的製造方法的一實施方式中，上述冷卻水的量為25～100L/分鐘。
在本發明的濺射靶部件的製造方法的一實施方式中，上述旋轉刀具的砂粒的細微性是JIS R6001：1998規定的＃80以上。
在本發明的濺射靶部件的製造方法的一實施方式中，上述旋轉刀具的周速度為5～60m/秒。
在本發明的濺射靶部件的製造方法的一實施方式中，在上述燒結體為平板狀的情況下，在與上述燒結體的厚度垂直的一個方向上逐次移動所上述旋轉刀具，形成上述至少1個切斷面中的各個切斷面。
在本發明的濺射靶部件的製造方法的一實施方式中，在上述燒結體為圓筒狀的情況下，在與上述燒結體的軸心垂直的一個方向上逐次移動所上述旋轉刀具，形成上述至少1個切斷面中的各個切斷面。
另外，本發明在另一方面，提供一種濺射靶部件，上述濺射靶部件由使用ITO或IZO形成的陶瓷燒結體形成，上述射靶部件具有切斷面，在5個視野中用SEM觀察所述切斷面時，在1個視野中在內沿切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內以厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，在合計25個剝落中，厚度方向上的深度為50μm以上的剝落在11個以內。
在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，在5個視野中用SEM觀察上述切斷面時，在1個視野中在沿上述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，在合計25個剝落中，厚度方向上的深度為100μm以上的剝落在5個以內。
在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，在5個視野中用SEM觀察上述切斷面時，在1個視野中在沿上述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，在合計25個剝落中，厚度方向上的深度為25μm以上且小於50μm的剝落在15個以內。
在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，在上述燒結體由ITO形成的情況下，該燒結體含有0.1～70質量%的Sn。
在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，在上述燒結體由IZO形成的情況下，該燒結體含有0.1～99質量%的Zn。
在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，濺射靶部件是平板狀或圓筒狀。
發明的效果
根據本發明的一實施方式中，能夠提供一種能夠實現在機械加工時減少剝落產生的濺射靶部件的製造方法及濺射靶部件。
以下，本發明不限於各實施方式，在不脫離其要旨的範圍內，能夠對組成要素進行變形並具體化。另外，能夠通過適當地組合各實施方式中公開的多個組成要素，從而形成各種發明。例如，可以從實施方式所示的全部組成要素中刪除若干個組成要素。進一步，可以適當組合不同的實施方式的組成要素。需要說明的是，在以下的實施方式中說明的濺射靶部件的形狀,是在平板狀的前提下進行描述，但是也可以是圓筒狀。
（1.濺射靶部件）
根據本發明的濺射靶部件的一實施方式中，能夠提供一種能夠實現在機械加工時減少剝落產生的燒結體的切斷方法及燒結體。
本發明的濺射靶部件的一實施方式，由陶瓷燒結體（以下，簡稱為“燒結體”。）形成。更具體地，燒結體，由ITO或IZO形成，它們的組成是任意的。例如，是In 2O 3：SnO 2＝90.0：10.0的ITO或In 2O 3：ZnO＝89.3：10.7的IZO。另外，以氧化物換算計，可以含有10質量%以下的Ti、Zr、Al、Ta、Ca、Na等元素。
在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，在燒結體由ITO形成的情況下，該燒結體的主要成分是In，優選含有0.1～70質量%的Sn，更優選含有0.5～50質量%的Sn，還更優選含有0.8～40質量%的Sn。
另外，在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，在燒結體由IZO形成的情況下，該燒結體的主要成分是In，優選含有0.1～99質量%的Zn，更優選含有1～90質量%的Zn，還更優選含有3～85質量%的Zn。
（剝落個數）
在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，基於濺射中不會產生靶裂開或異常放電，穩定地提供濺射膜的觀點，用掃描型電子顯微鏡（SEM）觀察切斷面時，沿切斷面外緣的共計25個剝落中，厚度方向上的深度為50μm以上的剝落在11個以內，優選在10個以內，更優選在8個以內。
另外，在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，用SEM觀察切斷面時，沿切斷面外緣的共計25個剝落中，厚度方向上的深度為100μm以上的剝落優選在5個以內，更優選在3個以內，還更優選在1個以內。
另外，在本發明的濺射靶部件的一實施方式中，用SEM觀察切斷面時，沿切斷面外緣共計25個剝落中，厚度方向上的深度為25μm以上且小於50μm的剝落優選在15個以內，更優選在12個以內，還更優選在10個以內。
另外，SEM分析如下文進行說明。
切取燒結體作為試驗片。接著，用切斷機切斷該試驗片用作測量樣品，例如使用FE－EPMA（JXA－8500F，日本電子株式會社製造），以加速電壓15.0kV、50～100倍的倍率觀察切斷面的上端部。
例如，在50倍的倍率下的1個視野中，在沿切斷面外緣的長度2.5mm的範圍內，在該視野中按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽取5個剝落，測量剝落深度。在5個視野中進行同樣的操作，測量共計25個剝落深度。在1個視野中在沿切斷面外緣的長度2.5mm的範圍內完全不存在剝落的情況下，將剝落深度記做0μm。例如，在1視野中存在2個剝落的情況下，剩餘的3個剝落的剝落深度記做0μm。
這裡，剝落的深度是指，在垂直於濺射面的方向上，從切斷面外緣開始到切口的最深部位為止的長度D（參照圖6）。
濺射靶部件，沒有限定，能夠加工成平板狀、圓筒狀等形狀並使用。
（2. 濺射靶部件的製造方法）
接著，使用附圖說明濺射靶部件的製造方法。圖1是用於說明本發明的濺射靶部件的製造方法的一實施方式的流程圖。圖2是用於說明本發明的濺射靶部件的製造方法所包括的機械加工步驟的一示例的流程圖。圖3是示出本發明的供在濺射靶部件的製造方法中使用的切斷裝置的示意性的概略結構圖。圖4（A）是在本發明的濺射靶部件的製造方法所包括的切斷步驟中，對切斷燒結體的方法的一示例進行說明的示意性的概略平面圖，圖4（B）是用於說明切斷後的燒結體的示意性的立體圖。
本發明的濺射靶部件的製造方法，在一實施方式中，如圖1所示包括混合步驟S10、加壓成型步驟S20、燒結步驟S30和機械加工步驟S40。以下，使用附圖說明機械加工步驟S40，且混合步驟S10、加壓成型步驟S20和燒結步驟S30可以使用現有的方法。另外，省略與上文重複的內容。
（混合步驟，加壓成型步驟，燒結步驟）
在混合步驟S10中，稱量所需的原料粉後，進行混合・微粉碎，之後，使用噴霧乾燥機進行乾燥・造粒，得到混合粉末。例如，在得到由ITO形成的燒結體的情況下，可以使用In 2O 3粉末及SnO 2粉末作為原料粉。另外，在得到由IZO形成的燒結體的情況下，可以使用In 2O 3粉末及ZnO 2粉末作為原料粉。
之後，在加壓成型步驟S20中，將混合粉末填充到所需的形狀的模具中，進行擠壓得到成型體。得到成型體後，還可以通過冷等靜壓加壓（CIP）進行成型。
在燒結步驟S30中，在含氧氣氛下燒結成型體得到燒結體。燒結步驟的條件，根據每個組成而不同。
（機械加工步驟）
通過機械加工步驟S40，機械加工成所需的形狀，能夠得到濺射靶。機械加工步驟S40，如圖2所示，包括磨削步驟S41、切斷步驟S42和精加工步驟S43，濺射靶部件是指通過各個加工步驟得到的部件。
（磨削步驟）
磨削步驟S41，對上述得到的燒結體進行磨削。在該磨削步驟S41中，可以使用磨削裝置以通過磨削手段磨削燒結體。
（切斷步驟）
切斷步驟S42，在磨削步驟S41之後，使用切斷裝置上配備的旋轉刀具並且在旋轉刀具與燒結體的接點c（參照圖3），一邊通過供應泵P從供應罐121淋冷卻水一邊切斷燒結體138，得到具有至少1個切斷面的燒結體。在本發明的一實施方式中，通過在旋轉刀具與燒結體的接點淋冷卻水，在燒結體與旋轉刀具接觸時，可減少燒結體發熱。接下來，針對使用切斷裝置的情況，示例了切斷步驟S42。
（切斷裝置）
如圖3所示，切斷裝置100具備：切斷部110、供應部120、工作臺130、控制機構140。
切斷部110具有：旋轉刀具111，插在旋轉刀具111的孔部111a中的旋轉軸112，用於將旋轉刀具111固定在旋轉軸112上的法蘭113。
關於旋轉刀具111的形狀，只要能夠切斷燒結體138，就沒有特別的限定，但是基於避免在切斷時將劇烈的負荷施加給燒結體的觀點，優選為圓形。另外，旋轉刀具111的砂粒的細微性，優選為＃80以上，例如為＃80～800。需要說明的是，該砂粒的細微性，遵照JIS R6001：1998規格。
旋轉刀具111的周速度，基於施加於該旋轉刀具111的負荷的觀點，優選為5m/秒以上，更優選為10m/秒以上，還更優選為15m/秒以上。另外，旋轉刀具111的周速度，基於施加於裝置的負荷的觀點，優選為60m/秒以下，更優選為45m/秒以下，還更優選為35m/秒以下。
切斷速度，基於提高加工效率的觀點，優選為0.025mm/秒以上，更優選為0.05mm/秒以上，還更優選為0.1mm/秒以上，進一步優選為0.30mm/秒以上。上述切斷速度，基於減少施加於燒結體138及旋轉刀具111的負荷的觀點，優選為5mm/秒以下，更優選為2.5mm/秒以下，還更優選為1mm/秒以下。
冷卻水量，基於減少施加於燒結體138及旋轉刀具111的熱負荷的觀點，優選以大於20L/分鐘進行供應，更優選以25L/分鐘以上進行供應，還更優選為30L/分鐘以上進行供應。另外，上述冷卻水，基於減少裝置容量的觀點，優選以100L/分鐘以下，更優選以75L/分鐘以下，還更優選以50L/分鐘以下進行供應。
作為切斷燒結體138的方法，基於減少在切斷時產生的剝落的觀點，可列舉使用切斷裝置100上配備的旋轉刀具111，作為切斷方向沿著一個方向切斷燒結體138的方法。更具體地，在燒結體138為平板狀的情況下，在與燒結體138的厚度垂直的一個方向上逐次移動旋轉刀具111，形成至少1個切斷面中的各個切斷面。另外，在燒結體138為圓筒狀的情況下，在與燒結體138的軸心垂直的一個方向上逐次移動旋轉刀具111，形成至少1個切斷面中的各個切斷面。
（精加工步驟）
精加工步驟S43，使用車床、加工中心等機械加工設備，對加工品等進行精研磨。由此，得到濺射靶部件。
〔實施例〕
基於實施例及比較例具體說明本發明。以下的實施例及比較例的記載，僅僅是為了容易理解本發明的技術內容而列舉的具體例，本發明的技術範圍不限於這些具體例。另外，在表1中示出濺射靶部件的製造條件。
（實施例1）
作為原料，混合90質量%的In 2O 3粉末，10質量%的SnO 2粉末得到混合粉末。用珠磨的濕式介質攪拌磨將混合粉末混合粉碎後，將這些粉末分別混合在純水中，製作粉碎漿料。接著，在該粉碎漿料中添加粘合劑，通過噴霧乾燥機進行造粒及乾燥。然後，將該混合粉末填充到擠壓用磨具中後，在20MPa的壓力下成型。進一步通過通過冷等靜壓加壓（CIP）進行成型，得到成型體。接著，以1540℃的燒結溫度、在氧氣氣氛下對該成型體進行20小時的常壓燒結，得到燒結體。
通過平面銑床使用金剛石磨石對燒結體的表面進行平面磨削，以使得燒結體的厚度為3mm。接著，使用切斷裝置（DAS－W65N，株式會社YAC DAStech製造），以外表面為燒結體的方式將上述結構體放置在切斷裝置的工作臺上。接著，用圓形的旋轉刀具（周速度：25m/秒，砂粒的細微性：＃270）切斷結構體，並如圖4（A）所示切斷燒結體以使得燒結體的尺寸為全長45mm、寬度4.0mm、厚度3.0mm，得到16個具有如圖4（B）所示的切斷面的燒結體。需要說明的是，在垂直於燒結體的厚度的一個方向上逐次移動旋轉刀具，由此形成上述各個切斷面。在切斷時，以30L/分鐘在燒結體與旋轉刀具的接點淋冷卻水（20℃）。如表2所示實施評價。
（剝落評價）
按照上文所述的方法，用FE－EPMA（JXA－8500F，日本電子株式會社製造）觀察燒結體的切斷面的上端部，在基於圖5得到的SEM畫像（倍率×50）對5個視野進行觀察時，在1個視野中在沿切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內，按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，並在對各個視野進行測量後的情況下，判斷厚度方向上的各剝落的大小的數值（25個）。另外，其結果在表2中示出。
（平均彎曲強度）
切割濺射靶部件，準備10個試驗片。對於該試驗片，按照下述的測量條件測量3點彎曲強度，算出其平均值。
＜測量條件＞
裝置名：今田製作所拉伸壓縮試驗機（SV－201NA－50SL型）
試驗冶具：3p－30
試驗片尺寸：3×4×45mm
試驗速度：0.5mm/min
支點間距離L：30mm
（標準差）
基於上文所述的10個試驗片的3點彎曲強度測量值，算出標準差。這裡，平均彎曲強度的標準差S通過下式1算出。
Figure 02_image001
・・・式（1）
S：標準偏差
n：試驗片的總數
X：每個的數值
x：平均值
（尺度參數）
按照精細陶瓷的強度資料的韋伯統計分析法（JIS R 1625：2010），將上述的10個試驗片的3點彎曲強度σ按照值從低到高的順序進行排序，並按照下式（2）通過平均等級法求出資料的累積破壞概率。
F＝i/（n＋1）・・・式（2）
式中，n為樣本數，i表示從小到大排序的位數（排序位數）。
接著，分別計算出lnσ及ln［ln｛1/（1－F）｝］。然後，以lnσ為橫軸、ln[ln｛1/（1－Fi）｝］為縱軸繪圖，畫出適合資料的直線，基於該截距算出尺度參數。
（韋伯係數）
按照精細陶瓷的強度資料的韋伯統計分析法（JIS R 1625：2010），將上述的10個試驗片的3點彎曲強度σ按照值從低到高的順序進行排序，並按照下式（3）通過平均等級法求出資料的累積破壞概率。
F＝i/（n＋1）・・・式（3）
式中，n為樣本數，i表示從小到大排序的位數（排序位數）。
接著，分別計算出lnσ及ln［ln｛1/（1－F）｝］。然後，以lnσ為橫軸、ln[ln｛1/（1－Fi）｝］為縱軸繪圖，畫出適合資料的直線，基於該斜率算出韋伯係數。需要說明的是，可以說韋伯係數的數值越大，強度分佈的寬度越窄，穩定性越高。
（實施例2）
除了混合89.3質量%的In 2O 3粉末、10.7質量%的ZnO粉末得到混合粉末以外，與實施例1同樣地得到燒結體。另外，剝落的評價是，基於得到的SEM圖像對5個視野進行觀察時，在1個視野中在沿所述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，對厚度方向上的各個剝落的大小的數值（25個）進行判斷。另外，燒結體的評價結果在表2中示出。
（比較例1）
除了旋轉刀具的砂粒的細微性選用＃80，切斷速度選用0.25mm/秒，周速度選用10m/秒，冷卻水量選用5L/分，固定方法選用冶具以外，與實施例1同樣地得到燒結體。另外，剝落的評價是，基於圖6中得到的SEM圖像（倍率×50）對5個視野進行觀察時，在1個視野中在沿所述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，對厚度方向上的各個剝落的大小的數值（25個）進行判斷。另外，燒結體的評價結果在表2中示出。
（比較例2）
除了旋轉刀具的砂粒的細微性選用＃80，切斷速度選用0.25mm/秒，周速度選用10m/秒，冷卻水量選用5L/分鐘，固定方法選用冶具以外，與實施例2同樣地得到濺射靶部件。另外，剝落的評價是，基於得到的SEM圖像對5個視野進行觀察時，在1個視野中在沿所述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，對厚度方向上的各個剝落的大小的數值（25個）進行判斷。另外，燒結體的評價結果在表2中示出。
（比較例3）
除了混合44.2質量%的In 2O 3粉末、25.9質量%的ZnO粉末和29.9質量%的Ga 2O 3得到混合粉末作為原料，並且旋轉刀具的砂粒的細微性選用＃80，切斷速度選用0.25mm/秒，周速度選用10m/秒，冷卻水量選用5L/分鐘，固定方法選用冶具以外，與實施例1同樣地得到濺射靶部件。另外，剝落的評價是，基於得到的SEM圖像對5個視野進行觀察時，在1個視野中在沿所述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，對厚度方向上的各個剝落的大小的數值（25個）進行判斷。另外，燒結體的評價結果在表2中示出。
（比較例4）
除了混合44.2質量%的In 2O 3粉末、25.9質量%的ZnO粉末和29.9質量%的Ga 2O 3得到混合粉末作為原料，並且旋轉刀具的砂粒的細微性選用＃80以外，實施例1同樣地得到濺射靶部件。另外，剝落的評價是，基於得到的SEM圖像對5個視野進行觀察時，在1個視野中在沿所述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，對厚度方向上的各個剝落的大小的數值（共計25個）進行判斷。另外，燒結體的評價結果在表2中示出。
Figure 02_image003
表1
Figure 02_image005
表2
（實施例的考察）
如表2所示，與比較例1～2相比較，實施例1～2的厚度方向上為50μm以上的剝落個數更少，因此作為濺射靶部件更優選。進一步，與比較例1相比較，實施例1的彎曲強度及韋伯係數更高，因此可確認能夠用作濺射靶部件。需要說明的是，不同於由ITO或IZO形成的濺射靶部件，在比較例3～4中，可認為材料導致彎曲強度低，因此與切斷時的剝落沒有關係，強度仍然低。
以上所述僅為本發明較佳可行實施例而已，舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所為之等效變化，理應包含在本發明之專利範圍內。
［本發明］ 100…切斷裝置 110…切斷部 111…旋轉刀具 111a…孔部 112…旋轉軸 113…法蘭 120…供應部 121…供應罐 130…工作臺 138…燒結體 140…控制機構 C…接點 S10…混合步驟 S20…加壓成型步驟 S30…燒結步驟 S40…機械加工步驟 S41…磨削步驟 S42…切斷步驟 S43…精加工步驟
圖１是用於說明本發明的濺射靶部件的製造方法的一實施方式的流程圖。 圖２是用於說明本發明的濺射靶部件的製造方法所包括的機械加工步驟的一示例的流程圖。 圖３是示出本發明的供在濺射靶部件的製造方法中使用的切斷裝置的示意性概略結構圖。 圖４（A）是在本發明的濺射靶部件的製造方法所包括的切斷步驟中，對切斷燒結體的方法的一示例進行說明的示意性的概略平面圖，圖４（B）是用於說明切斷後的燒結體的示意性的立體圖。 圖５是實施例1得到的SEM圖像。 圖６是比較例1得到的SEM圖像

Claims (12)

  1. 一種濺射靶部件的製造方法，所述濺射靶部件由使用ITO或IZO形成的陶瓷燒結體形成，其中,所述製造方法包括： 磨削所述燒結體的磨削步驟； 在所述磨削步驟後的切斷步驟，其中，使用旋轉刀具並且在所述旋轉刀具與所述燒結體的接點以超過20L/分鐘一邊淋冷卻水一邊切斷，得到具有至少1個切斷面的燒結體。
  2. 如請求項1所述之濺射靶部件的製造方法，其中，所述冷卻水的量為25～100L/分鐘。
  3. 如請求項1或2所述之濺射靶部件的製造方法，其中，所述旋轉刀具的砂粒的細微性，是JIS R6001：1998規定的＃80以上。
  4. 如請求項1或2所述之濺射靶部件的製造方法，其中，所述旋轉刀具的周速度為5～60m/秒。
  5. 如請求項1或2所述之濺射靶部件的製造方法，其中，在所述燒結體為平板狀的情況下，在與所述燒結體的厚度垂直的一個方向上逐次移動所述旋轉刀具，形成所述至少1個切斷面中的各個切斷面。
  6. 如請求項1或2所述之濺射靶部件的製造方法，其中，在所述燒結體為圓筒狀的情況下，在與所述燒結體的軸心垂直的一個方向上逐次移動所述旋轉刀具，形成所述至少1個切斷面中的各個切斷面。
  7. 一種濺射靶部件，所述濺射靶部件由使用ITO或IZO形成的陶瓷燒結體形成，其中，所述射靶部件具有切斷面，在5個視野中用SEM觀察所述切斷面時，在1個視野中在沿切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，在合計25個剝落中，所述厚度方向上的深度為50μm以上的剝落在11個以內。
  8. 如請求項7所述之濺射靶部件，其中，在5個視野中用SEM觀察所述切斷面時，在1個視野中在沿所述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，在合計25個剝落中，所述厚度方向上的深度為100μm以上的剝落在5個以內。
  9. 如請求項7或8所述之濺射靶部件，其中，在5個視野中用SEM觀察所述切斷面時，在1個視野中在沿所述切斷面外緣的長度為2.5mm的範圍內按照厚度方向上的深度從大到小的順序抽出5個剝落，在對各個視野進行測量後，在合計25個剝落中，所述厚度方向上的深度為25μm以上且小於50μm的剝落在15個以內。
  10. 如請求項7或8所述之濺射靶部件，其中，在所述燒結體由ITO形成的情況下，所述燒結體含有0.1～70質量%的Sn。
  11. 如請求項7或8所述之濺射靶部件，其中，在所述燒結體由IZO形成的情況下，所述燒結體含有0.1～99質量%的Zn。
  12. 如請求項7或8所述之濺射靶部件，其中，所述濺射靶部件是平板狀或圓筒狀。
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