TWI708187B - 用於射頻（ｒｆ）標籤的接收器單元 - Google Patents

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Abstract

本發明有關一種接收器單元，其包括天線連接至其的第一及第二輸入端子(PAD+，PAD-)、通訊級和功率級(105)，通訊級適以解調變及/或調變該通訊級中之進來的訊號，功率級包括用以提供電力給控制單元(200)之其餘部分的AC/DC電壓轉換器電路(106)。

Description

用於射頻(RF)標籤的接收器單元
本發明係有關接收器單元，其包括天線連接至其的第一及第二輸入端子、通訊級和功率級，通訊級適以解調變及/或調變該通訊級中之進來的訊號，功率級包括用以提供電力給電路之其餘部分的電壓轉換器。
已知有RF標籤，也被稱為設有通訊電路的電子標籤(electronic labels)或通訊信標裝置，此類型的通訊電路包括連接至用來處理進來的訊號或出去的訊號之調變/解調變級的天線。此種的RF標籤也設有電源供應系統，亦即，使用在接收訊號時所接收到之能量而以電能來供應整個RF標籤的級。
此類型的級通常包含AC/DC轉換器，其將接收到之交流訊號轉換成為連續的功率訊號，此類型的AC/DC轉換器採取，例如，Graetz類型之二極體電橋的形式。
然而，視進來的訊號之類型而定，需要具有不僅能夠以低功率而且也能夠以高功率工作的AC/DC轉換器。
再者，AC/DC轉換器的其中一個問題為他們可能會有雜散電容。實際上，各個天線以調諧電容器而用最佳的方式來操作。因此，尋找控制與該天線相關聯之調諧電容器的值因而減小雜散電容的值而使得他們不會顯著地破壞所想要的天線特性。因此，當AC/DC轉換器是雜散電容的最大貢獻者時，選擇使雜散電容貢獻達最小的組合係重要的。
此外，RF標籤面臨在AC/DC轉換器中，AC/DC轉換器在過度高電壓之後被破壞的危險，其導致對組件的毀損。已知的解法為削除超過預定電壓值的訊號波形。然而，削除輸入訊號波形的一個缺點為其使訊號畸變而導致資訊的遺失。
因此，本發明的目的在於藉由提供RF標籤接收器單元來克服先前技術的缺點，而RF標籤接收器單元改善效率並且容忍輸入訊號中之大的電壓變化，同時避免電壓突波和訊號失真。
為了這個目的，本發明提出提供一種接收器單元，其包括天線連接至其的第一及第二輸入端子、通訊級和功率級，通訊級適以解調變及/或調變該通訊級中之進來的訊號，功率級包括用以提供電力給一單元的AC/DC電壓轉換器電路，其特徵在於，該功率級另包含調整電路，其適以限定該AC/DC電壓轉換器電路的輸出電壓，該調整電 路包括適以決定第二電流值的調整器電路，該第二電流值為除了第一電流值以外所設的電流值，如果該第二電流值超過預定的臨界值，則該調整器電路供應控制訊號，該控制訊號被送至限幅器電路(limiter circuit)，該限幅器電路被配置來限制該AC/DC電壓轉換器電路的該輸入電壓。
在第一有利實施例中，該AC/DC電壓轉換器電路為交變/連續類型的電壓轉換器電路。
在第二有利實施例中，該AC/DC電壓轉換器電路在輸入處包含由第一及第二N-型MOS電晶體所組成的地產生器(earth generator)，該第一及第二N-型MOS電晶體互相連接，使得他們的源極互相連接而構成該AC/DC電壓轉換器電路的地(earth)，該第一電晶體的汲極被連接至該第一輸入端子和至該第二電晶體的閘極，而該第二電晶體的汲極被連接至該第二輸入端子和至該第一電晶體的閘極，該AC/DC電壓轉換器電路另包括構成電壓修正(modifier)部件的多個相同的結構，並且其特徵在於，該轉換器輸出包含兩個N-型MOS電晶體，其中，該等電晶體的該等源極係互相連接而構成輸出線，該等電晶體的其中一個電晶體的汲極被連接至該電壓修正部件之從該第一端子延伸出的最後一個結構，另一個電晶體的汲極被連接至該電壓修正部件之從該第二端子延伸出的最後一個結構，各電晶體的閘極被連接至其源極。
在第三有利實施例中，該電壓修正部件被配置成使 得，從第一及第二輸入端子的每一者，延伸有互相連接之一序列的相同的結構，各序列的該第一結構係連接至該第一及第二輸入端子的其中一者以及至下一個結構，並且介於兩個結構之間的連接點係連接至該第一或第二輸入端子的其中一者，而使得各結構係連接至該第一端子以及至該第二端子。
在第四有利實施例中，該限幅器電路包含至少一電晶體，該至少一電晶體經由其汲極而被連接至該第一輸入端子且經由其源極而被連接至該第二輸入端子，該控制訊號被送至其閘極以便使該至少一電晶體更加導通或更不導通。
在第五有利實施例中，該限幅器電路包含多個並列安裝的電晶體。
在第六有利實施例中，該調整單元另包含帶隙電壓產生器，用以將極化電流和參考電壓供應至該調整器電路。
在另一有利實施例中，該通訊級適以提供表示通訊動作的訊號，其係連接至限幅器電路以避免在這樣的通訊動作期間的調整。
本發明另有關RF標籤，其包括控制單元及至少一接收器單元，該控制單元包含計算單元及用以實施至少一功能的記憶體，該至少一接收器單元係配置成接收或發送訊號，以及將電力供應至該控制單元，該RF標籤之特徵在於該接收器單元為依據本發明之接收器單元。
在第一有利實施例中，該接收器單元係配置成依據第 一協定使用第一頻率而操作。
在第二有利實施例中，該第一協定為長距離協定。
在第三有利實施例中，該RF標籤另包括配置成依據第二協定使用第二頻率而操作的第二接收器單元，該第二接收器單元包括通訊級和將電流供應給一單元的功率級，該控制單元接收其值為來自該第一接收器單元的電流和來自該第二接收器單元的電流之總和的電流。
在另一有利實施例中，該第一接收器單元另包括電流鏡電路，該電流鏡電路被用來供應表示為該第一和第二接收器單元的電流之總和的影像之電流的訊號，該第二接收器單元另包括電流鏡電路，該電流鏡電路被用來供應表示由該第二接收器單元所供應之電流的影像之電流的訊號，且其中，該第一接收器單元另包含減法器電路，用以將為由該第二接收器單元所供應之電流的影像之電流減去為該第一和第二接收器單元電流之總和的影像之電流，以及用以將僅表示來自該第一接收器單元的電流之訊號供應至該限幅器電路。
1:RF標籤
100，100’:接收器單元
101，101’:天線
102:調整級
103:保護級
104:通訊級
104a:調變器部件
104b:解調變部件
105:功率級
106:AC/DC電壓轉換器電路
1060:地產生器
1060a，1060b:N型MOS電晶體
1061:升壓部件
1062:結構
1063:N型MOS電晶體
1064:電容器
1065:集流器部件
1066:N型MOS電晶體
1067:VPOS輸出
107:調整電路
108:並聯電壓調整器電路
109:帶差參考電壓產生器
110:限幅器電路
1101:開關結構
1102:N型MOS電晶體
1103:開關
1104:輸入模組
1105:電容器
1106:電流源
1107:N型MOS電晶體
114:減法器
200:控制單元
PAD+，PAD-:輸入端子
E1，E2:輸入端子
PLVT1，PLVT2，PLVT3，PLVT4:P型MOS電晶體
NLVT1，NLVT2，NLVT3，NLVT4，NLVT5:N型MOS電晶體
C1，C2，C3，C4:電容器
VBG:參考電壓
R，R1:電阻器
S_reg:調整訊號
TL:限幅器電晶體
依據本發明之裝置的目的、優點及特徵將在下面之本發明至少一實施例的詳細說明中更清楚地呈現出，其僅藉由非限制性的實例來予以提出且由附加的圖形來予以繪示出，其中：
圖1a及1b係依據本發明第一實施例之RF標籤和接 收器單元的示意圖。
圖2係依據本發明之接收器單元之AC/DC電壓轉換器電路的示意圖。
圖3係依據本發明之接收器單元之並聯電壓調整器電路的示意圖。
圖4係依據本發明之接收器單元之限幅器電路的示意圖。
圖5係依據本發明之接收器單元之變型的示意圖。
圖6及7顯示依據本發明第二實施例RF標籤的示意圖。
圖8係依據本發明之RF標籤調整系統之時間行為的示意圖。
圖1a顯示也被稱為通訊信標或電子標籤之RF標籤的接收器單元1，且更明確地說，為依據第一實施例的接收器單元100。從圖1b中可見此種RF標籤之此類型的接收器單元100在輸入處經由兩個輸入端子(PAD+，PAD-)(也就是正輸入和負輸入)而被連接至天線101，此天線101可為偶極或線圈或是能夠實施天線功能的任何元件。RF標籤1另包含控制單元200，其包括計算單元及用以實施至少一功能的記憶體。在此，接收器單元100被用來與長距離UHF協定一起操作，跨於兩個輸入端子PAD+，PAD-之上，多個級互相連接，各個級經由其端子的其中 一個而被連接至正端子，且經由其端子的另一個而被連接至負端子。首先，有一調整級102，其包括並聯安裝的多個電容器，並且能夠被啟動而被添加或不被添加，以便調整與天線的適應性、共振頻率及品質因數。
第二級由保護級103構成，此ESD保護級保護以免靜電放電，此保護級103通常設有偶極及/或閘流體(thyristor)。第三級由通訊級104構成，此通訊級由調變器部件104a及/或由解調變器部件104b構成，調變器部件用以經由天線而發送訊號，解調變器部件用以處理經由天線所接收到的訊號。
第四級由功率級105構成，亦即，由藉由使用來自進來的訊號之功率而能夠供應供RF標籤之其餘部分用的電能之級構成。
此第四級包含AC/DC電壓轉換器電路106，用以將輸入電壓轉換成不同的輸出電壓。在本情況中，此為AC/DC轉換，此電路提供來自交流電壓之經整流的電壓Uuhf和電流Iuhf。
在較佳實例中，AC/DC電壓轉換器電路106為使用經修正且係對稱的Cockcroft-Walton結構的AC/DC電壓轉換器電路，如同圖2中所示者。此AC/DC電壓轉換器電路106包含兩個輸入端子E1，E2，其係連接至RF標籤的兩個輸入端子PAD+，PAD-。地產生器1060係配置在輸入處，介於兩個輸入E1，E2之間，此地產生器係由兩個N型MOS電晶體1060a及1060b所組成，該兩個電晶體 1060a及1060b的源極互相連接而構成地電壓VSS，而各電晶體1060a，1060b的閘極係連接至另一電晶體的汲極，各汲極係連接至端子E1，E2的其中一者。
該結構然後包含升壓(boosting)部件1061。相同的結構1062從各輸入端子E1，E2開始而被串聯連接，從各端子E1，E2延伸出的這些結構1062被配置，而使得從端子E1延伸出的第一結構1062和從端子E2延伸出的第一結構構成電壓修正級等等。因而，AC/DC電壓轉換器電路106包含N個電壓修正級。
各結構1062包含N型MOS電晶體1063，其閘極係連接至該電晶體的汲極，電晶體1063的源極也被連接至下一個結構1062之電晶體1063的汲極，並且也被連接至並聯安裝的電容器1064，電容器1064在升壓期間被用來供應額外的功率並且也被連接至輸入端子E1，E2的其中一者。
電容器1064到輸入端子E1，E2的連接被交替，而使得如果其中一個結構1062的電容器1064被連接至端子E1，則下一個結構1062的電容器1064被連接至端子E2等等。
此組態也被配置成使得第一結構1062的電容器1064將被連接至端子E2，在此第一結構1062中，電晶體1063的汲極被連接至端子E1，而第一結構1062的電容器1064將被連接至端子E1，在此第一結構1062中，電晶體1063的汲極被連接至端子E2。
在各線路的最後一個結構1062中，電晶體1063的源極被連接至集流器部件1065。此集極包含兩個N型MOS電晶體1066，電晶體1066的源極互相連接而構成VPOS輸出1067，電晶體1066之其中一個的汲極被連接至線路E1的最後一個結構之電晶體1066的源極，並且另一個的汲極被連接至線路E2的最後一個結構之電晶體的源極。此外，各電晶體1066的閘極係連接至其源極。
此組態使得獲得具有低雜散電容的AC/DC電壓轉換器電路106成為可能，此為本發明所追尋的特性。
在此AC/DC電壓轉換器電路106的輸出，第四級或功率級105有利地包含調整電路107，此調整電路107被用來當電壓被升壓時，防止AC/DC電壓轉換器電路106之電晶體的破壞。
實際上，AC/DC電壓轉換器電路106亦為升壓電路。然而，當電壓變得太高時，該等組件有可能被毀壞。
調整電路107首先包含調整器電路做為並聯(shunt)電壓調整器電路108，該並聯電壓調整器電路108經由其輸入的其中一個而被連接至AC/DC轉換器的輸出，並且經由其輸出的其中一個而被連接至地。
圖3中所見之此類型的並聯電壓調整器電路108包括連接至三個P型MOS電晶體PVLT1，PVLT2及PVLT3之汲極的第一輸入，電晶體PVLT1的閘極係連接至後者的源極以及至電晶體PVLT2的閘極，電晶體PLVT2的源極係連接至電晶體PLVT3的閘極，一序列的第四電阻器 R也被連接至第一輸入，這些電阻器R係互相串聯連接，且因此被連接在第一輸入與地之間。
此並聯電壓調整器電路108進一步包含第一N型MOS電晶體NVLT1，其閘極為用以連接參考電壓VBG的第二輸入，此電晶體NVLT1的汲極係連接至電晶體PLVT1的源極，而電晶體NLVT1的源極係連接至一對N型MOS電晶體NLVT2和NLVT3。更明確地說，電晶體NLVT1的源極係連接至電晶體NLVT2的源極，後者的汲極係連接至電晶體PLVT2的源極，且其閘極係連接至該序列之電阻器的第一與第二電阻器R之間的連接點。此外，電容器C1，C2，C3及C4係配置成被並聯連接在電晶體PLVT3的閘極與電晶體NLVT2的閘極之間以及在電晶體NLVT2的閘極與地之間。
電晶體NLVT1的源極也被連接至電晶體NLVT3的源極，後者的源極也被連接至地，且其閘極係連接至第四電晶體NLVT4的閘極。此電晶體NLVT4經由其汲極和閘極而被連接至電流極化源I1，且經由其源極而被連接至地。
最後，並聯電壓調整器包含第五電晶體NLVT5，其閘極和汲極係連接至電晶體PLVT3的源極，且其源極被連接至地。此並聯電壓調整器電路108可與帶差參考電壓產生器109相關聯，而帶差參考電壓產生器109供應參考電壓VBG並且被連接至並聯電壓調整器電路108之電晶體NLVT1的閘極。
除了由控制單元200所消耗的電流以外，此類型的並 聯電壓調整器電路108被用來量測所供應的電流Ishunt。實際上，調整的原理有賴由AC/DC電壓轉換器電路106所供應的電流部分被RF標籤電路(亦即，控制部件200)所吸收，剩餘的電流(亦即，電流Ishunt)被引導向並聯電壓調整器電路108。
來自並聯調整器電路的調整電流主要流入PLVT3中，MOS電晶體PLVT4拍攝電流Ishunt的影像以便調整AC/DC轉換器保護電路的特性。
因此有AC/DC電壓轉換器電路106的輸出電流與輸入電壓之間的關係，使得有AC/DC電壓轉換器電路106的最大輸入電壓，而在此處，電壓上升並不會造成毀壞或破壞。因此，此最大電流值被用做為調整工具。在一個實例中，此最大電流值將被設定為100μA，由控制單元200所消耗的電流為10μA的等級。並聯電壓調整器電路108被用來供應調整訊號S_reg，其為並聯電壓調整器電路108之輸出電壓的函數。
具有電流值之此調整訊號S_reg被送至圖4中所示之削波或限幅器電路(亦即，限幅器級)110，此限幅器級110恰好在AC/DC轉換器108之前被並聯連接在端子PAD+，PAD-之間，此限幅器級110包含連接在端子E1與E2之間的至少一限幅器電晶體TL，而端子E1與E2係連接至輸入端子PAD+，PAD-。
從各輸入端子PAD+，PAD-，延伸有與開關結構1101串聯連接的電阻器R1，此開關結構1101包含四個N 型MOS電晶體1102，其相連接而使得第一電晶體經由其汲極而被連接至電阻器R1且經由其源極而被連接至第二電晶體1102等等。
此外，各開關結構1101包含許多開關1103，其數量等於電晶體的數量。開關1103經由他們的其中一個端子而互相連接，並且經由另一個端子而各自被連接至電晶體1102的汲極和閘極。這些開關結構1101被用來產生快速路徑以控制電晶體TL的閘極，舉例來說，如果電壓突波(surge)出現在跨於輸入PAD+，PAD-之上。此快速路徑提供一種第二ESD保護。
各結構1101的這些最後的電晶體1102互相連接。在此連接點，產生不僅至限幅器電晶體TL，而且至輸入模組1104的連接，後者除了兩個電流源1106a之外還包含並聯安裝的電容器1105。第一電流源1106係配置成供應並聯電壓調整器電路輸出訊號S_reg的電流，亦即，並聯電流Ishunt的影像Iishunt。N型MOS電晶體1107的汲極被連接tp至此電流源的輸出，其閘極係連接至其汲極，電晶體1107也經由其源極而被連接至第二電流源1106b，其值為由帶差參考電壓產生器109所供應的參考值Iref。
此限幅器級110被用來藉由作用於限幅器電晶體TL的閘極而限制第四級之AC/DC電壓轉換器電路106中的進來電壓。
只要從送出自並聯電壓調整器電路108之訊號S_reg送出的電流Iishunt係低於或等於參考電流Iref，就沒有任 何事情發生，而且限幅器電晶體TL也不會被啟動。
相反地，如果送出的電流Iishunt變得高於參考電流Iref，在該兩個電流源1106之間就不再平衡，並且額外的電流被送至AC/DC電壓轉換器電路106中之限幅器電晶體的閘極。此電流流到限幅器電晶體TL之閘極的流動致使其關閉，且因而限幅器電晶體TL變得較不導電，其造成AC/DC電壓轉換器電路106中的壓降。因此，由AC/DC電壓轉換器電路106所提供的電流減少，使得來自由並聯電壓調整器電路108所送出之控制訊號S_reg的電流Iishunt減少，而且對限幅器電晶體TL起或多或少的作用。
限幅器級110的一個優點為其係線性的，亦即，其不需要使輸入訊號削波或畸變，其僅改變該訊號的尺度(scale)。
此限幅器級110的另一個優點為其藉由使在這些輸入端子PAD+，PAD-處的電壓保持在與該RF標籤的適當操作相容的電壓範圍之內而對輸入端子PAD+，PAD-處的電壓具有調整作用，而設有保護二極體的第二級或保護級103並不具有調整作用。舉例來說，僅使用保護二極體，具有5個級之AC/DC轉換器的輸入處之電壓能夠到達2伏，其具有約等於4的乘法比率，在轉換器電晶體端子處將會產生8伏的電壓，且因此會有電晶體(其經常操作於2伏)之毀壞的風險。
對於範圍從幾十毫伏到幾十伏之控制單元200的輸入 電壓而言，由此限幅器級110所允許之功率的範圍從-20dBm到+25dBm。
所提出的調整使用轉換函數來操作，此轉換函數為下面的函數：
Figure 105109248-A0305-02-0016-1
其中，τc為出於限幅器電路110和電容器1105的時間常數，
其中，τr為出於調整電路和緩衝電容器Cbuff的時間常數，
其中，eg為天線中之與所接收到之能量相關聯且經由該所接收到之訊號場而可供使用的感應電壓振幅，並且Vant為在輸入端子PAD+，PAD-處之由限幅器電路110所控制以維持AC/DC電壓轉換器電路106之合理電壓的有效電壓振幅。因為τr<<τc，其中，τc
Figure 105109248-A0305-02-0016-3
1.7μs且τr=5ns，所以轉換函數變成：
Figure 105109248-A0305-02-0016-2
此轉換函數使得獲得穩定的第一階函數成為可能，如圖8所示，其中，在開始處之振盪(A)的大振幅在時間上保持穩定以獲得穩定的狀態(regime)(B)。
在變型中，限幅器電晶體TL由多個並聯連接之電晶體組成。
在圖5所示之另一變型中，第三級或通訊級104係使用於調整，此變型考量與當訊號被接收到時之解調變相關 的電壓變動。實際上，可能會發生，當訊號被處理時，致使值下降的電壓變動被並聯電壓調整器所偵測到，並且被認為是電壓損失。然後，並聯電壓調整器電路108能夠開啟限幅器電晶體TL，以讓更多的電壓流至AC/DC電壓轉換器電路。然而，此壓降僅僅是暫時的，並且能夠致使AC/DC電壓轉換器電路中的電壓突波，而且使限幅器電晶體TL毀壞。
因此，來自第三級104之代表通訊動作的訊號Sc係連接至限幅器電路110，以防止在此種通訊動作期間的調整。
此變型有利地考量電壓變動，使得天線一接收到訊號，調整即被分流(shunt)以防止其被觸發，特別是如果經調變的訊號中有壓降。
在圖7所示之第二實施例中，可以想像到RF標籤為雙頻RF標籤。此種RF標籤因此包含兩個接收器單元100，100’，第一單元1’真的依照第一協定(P1)而操作於第一頻率(F1)，且連接至天線101’的第二單元100’依照第二協定(P2)而操作於第二頻率(F2)，如圖6所示。舉例來說，第一接收器單元100操作於UHF，亦即，以長距離協定，而第二接收器單元100’操作於HF，亦即，以短距離協定。
在該情況中，是UHF接收器單元供應用於RF標籤控制單元的電流Iuhf，HF接收器單元也供應電流Ihf，使得控制單元200係連接至UHF接收器單元和HF接收器單元 兩者而使得由控制單元200所接收到之電流為電流Iuhf和Ifh的總和，亦即，電流Ihf+Iuhf。
因此，變得需要調整來自第二接收器單元100’的電流，以便將調整納入考量來防止畸變。
調整迴路107進一步包含電流鏡電路112，其被用來供應代表電流I1的訊號SI1，而電流I1為其值是電流Iuhf和Ihf的總和之電流的影像。
第二接收器單元100’進一步包含電流鏡電路113，其被用來供應代表電流I2的訊號SI2，而電流I2為電流Ihf的影像。
代表電流I1的訊號SI1(其為電流Iuhf+Ihf的影像)和代表電流Ihf的訊號SI2然後被送到減法器114，而減法器114係連接至限幅器電路110。電流I1和電流I2被連接至減法器114，使得後者計算I1與I2之間的差值，亦即，下面的運算：Iuhf+Ihf-Ihf。
結果為代表限幅器電路110中使用於調整之電流Iuhf的訊號S_reg。
將會是明顯的是，各種的替換及/或改良及/或組合顯然對習於此技藝者而言可被做成於上面所提出之本發明的所有實施例中，而沒有違離由附加之申請專利範圍所界定之本發明的範疇。
當然，第一接收器單元100和第二接收器單元100’可以有相同或不同的結構。同樣地，第二接收器單元100’可以被配置程包含就像為第一接收器單元100所說明一樣的 調整迴路。
100:接收器單元
101:天線
102:調整級
103:保護級
104:通訊級
104a:調變器部件
104b:解調變部件
105:功率級
106:AC/DC電壓轉換器電路
107:調整電路
108:並聯電壓調整器電路
109:帶差參考電壓產生器
110:限幅器電路
200:控制單元

Claims (14)

  1. 一種用於RF標籤的接收器單元，包括天線係連接至其的第一和第二輸入端子(PAD+，PAD-)、通訊級及功率級，該通訊級適以解調變及/或調變該通訊級中之進來的訊號，且該功率級(105)包括將電力提供給一控制單元(200)的AC/DC電壓轉換器電路(106)，其特徵在於：該功率級另包含調整電路(107)，其適以限定該AC/DC電壓轉換器電路的輸出電壓，該調整電路(107)包括適以決定第二電流值的並聯電壓調整器電路(108)，該第二電流值為除了第一電流值以外所提供的電流值(Ishunt)，如果該第二電流值超過預定的臨界值(Iref)，則該並聯電壓調整器電路(108)供應控制訊號(S_reg)，該控制訊號被送至限幅器電路(110)，該限幅器電路(110)被配置來限制該AC/DC電壓轉換器電路的輸入電壓，其中，該AC/DC電壓轉換器電路(106)在輸入處包含由第一及第二N-型MOS電晶體(1060a，1060b)所組成的地產生器(1060)，該第一及第二N-型MOS電晶體互相連接，使得他們的源極互相連接而構成該AC/DC電壓轉換器電路的地，該第一電晶體的汲極被連接至該第一輸入端子(PAD+)和至該第二電晶體的閘極，而該第二電晶體的汲極被連接至該第二輸入端子(PAD-)和至該第一電晶體的閘極，該AC/DC電壓轉換器電路另包括構成電壓修正部件(1061)的多個相同結構(1062)，並且 其中，該轉換器輸出包含兩個N-型MOS電晶體(1066)，其中，該等電晶體的該等源極係互相連接而構成輸出線，該等電晶體的其中一個電晶體的汲極被連接至該電壓修正部件之從該第一端子延伸出的最後一個結構，另一個電晶體的汲極被連接至該電壓修正部件之從該第二端子延伸出的最後一個結構，各電晶體的閘極被連接至其源極。
  2. 如請求項1之RF標籤接收器單元，其中，該AC/DC電壓轉換器電路為交變/連續類型的電壓轉換器電路。
  3. 如請求項1之RF標籤接收器單元，其中，該電壓修正部件(1061)被配置成：使得從該第一及第二輸入端子(E1，E2)的每一者延伸有互相連接之一序列的相同結構(1062)，各序列的該第一結構係連接至該第一及第二輸入端子(E1，E2)的其中一者以及至下一個結構，並且介於兩個結構之間的連接點係連接至該第一或第二輸入端子(E1，E2)的其中一者，而使得各結構係連接至該第一端子以及至該第二端子。
  4. 如請求項1之接收器單元，其中，該限幅器電路(110)包含至少一電晶體(TL)，該至少一電晶體經由其汲極而被連接至該第一輸入端子(E1)且經由其源極而被連接至該第二輸入端子(E2)，該控制訊號(S_reg)被送至其閘極以便增加或減少該至少一電晶體導通性。
  5. 如請求項4之接收器單元，其中，該限幅器電路(110)包含多個並列安裝的電晶體。
  6. 如請求項1之接收器單元，其中，該調整單元(107)另包含帶隙電壓產生器(109)，用以將參考電壓(VBG)和極化電流供應至該並聯電壓調整器。
  7. 如請求項1之接收器單元，其中，該通訊級(104)適以提供表示通訊動作的訊號(Sc)，其係直接連接至該限幅器電路(110)以避免在這樣的通訊動作期間的調整。
  8. 一種RF標籤(1)，包括控制單元(200)及至少一接收器單元以及配置成依據第二協定(P2)使用第二頻率(F2)而操作的第二接收器單元(100’)，該控制單元(200)包含計算單元及用以實施至少一功能的記憶體，該至少一接收器單元係配置成接收或發送訊號，以及將電力供應至該控制單元，該第二接收器單元係配置成將電流(Ihf)供應給該控制單元(200)，該控制單元接收其值為來自該第一接收器單元(100)和來自該第二接收器單元(100’)的電流(Iuhf，Ihf)之總和的電流(Ihf+Iuhf)，該RF標籤之特徵在於該接收器單元為如申請專利範圍第1項之接收器單元(100)，其中，該第一接收器單元另包括電流鏡電路(112)，該電流鏡電路(112)被用來供應表示為該第一和第二接收器單元的電流之總和的影像之電流(I1)的訊 號(SI1)，該第二接收器單元(100’)另包括電流鏡電路(113)，該電流鏡電路(113)被用來供應表示由該第二接收器單元(100’)所供應之電流(Ihf)的影像之電流(I2)的訊號(SI2)，且其中，該第一接收器單元另包含減法器電路(114)，用以將為由該第二接收器單元所供應之電流的影像之電流(I1)減去為該第一和第二接收器單元電流之總和的影像之電流(I2)，以及用以將僅表示來自該第一接收器單元的電流(Iuhf)之訊號供應至該限幅器電路(110)。
  9. 如請求項8之RF標籤，其中，該接收器單元(100)係配置成依據第一協定(P1)使用第一頻率(F1)而操作。
  10. 如請求項9之RF標籤，其中，該第一協定(P1)為長距離協定。
  11. 如請求項9之RF標籤，其中，該標籤另包括配置成依據第二協定(P2)使用第二頻率(F2)而操作的第二接收器單元(100’)，該第二接收器單元係配置成將電流(Ihf)供應給一單元(200)，該控制單元接收其值為來自該第一接收器單元(100)和來自該第二接收器單元(100’)的電流(Iuhf，Ihf)之總和的電流(Ihf+Iuhf)。
  12. 如請求項10之RF標籤，其中，該標籤另包括配置成依據第二協定(P2)使用第二頻率(F2)而操作的第二接收器單元(100’)，該第二接收器單元係 配置成將電流(Ihf)供應給該控制單元(200)，該控制單元接收其值為來自該第一接收器單元(100)和來自該第二接收器單元(100’)的電流(Iuhf，Ihf)之總和的電流(Ihf+Iuhf)。
  13. 如請求項11之RF標籤，其中，該第一接收器單元另包括電流鏡電路(112)，該電流鏡電路(112)被用來供應表示為該第一和第二接收器單元的電流之總和的影像之電流(I1)的訊號(SI1)，該第二接收器單元(100’)另包括電流鏡電路(113)，該電流鏡電路(113)被用來供應表示由該第二接收器單元(100’)所供應之電流(Ihf)的影像之電流(I2)的訊號(SI2)，且其中，該第一接收器單元另包含減法器電路(114)，用以將為由該第二接收器單元所供應之電流的影像之電流(I1)減去為該第一和第二接收器單元電流之總和的影像之電流(I2)，以及用以將僅表示來自該第一接收器單元的電流(Iuhf)之訊號供應至該限幅器電路(110)。
  14. 如請求項12之RF標籤，其中，該第一接收器單元另包括電流鏡電路(112)，該電流鏡電路(112)被用來供應表示為該第一和第二接收器單元的電流之總和的影像之電流(I1)的訊號(SI1)，該第二接收器單元(100’)另包括電流鏡電路(113)，該電流鏡電路(113)被用來供應表示由該第二接收器單元(100’)所供應之電流(Ihf)的影像之電流(I2)的訊號 (SI2)，且其中，該第一接收器單元另包含減法器電路(114)，用以將為由該第二接收器單元所供應之電流的影像之電流(I1)減去為該第一和第二接收器單元電流之總和的影像之電流(I2)，以及用以將僅表示來自該第一接收器單元的電流(Iuhf)之訊號供應至該限幅器電路(110)。
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