TWI703663B - 基板加壓模組及方法及包含其的基板處理設備及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種由上部向基板的一部分區域施加力的基板加壓模組。本發明的一實施例的基板加壓模組包括:支撐部件,支撐基板;重量部件,以放置於在所述支撐部件上放置的基板的所述一部分區域的方式提供,具有超過一定重量的重量;加壓單元,由上部向所述重量部件施加力。

Description

基板加壓模組及方法及包含其的基板處理設備及方法
本發明關於一種對基板加壓而管理基板的翹曲的設備及方法。
一般而言,半導體製造技術趨向增加半導體元件的集成度(Integrity),並細化半導體元件的圖案。為了集成精細圖案(Fine Pattern),半導體元件包括多層(Multi-Layered)精細圖案,並包括用於連接層之間的精細圖案的觸點(Contact)。
半導體積體電路一般為非常小且薄的矽片,但由各種電子零件構成,一個半導體晶片問世之前經過包括成像步驟、蝕刻步驟、沉積步驟等各種製造步驟。
因此,為了製造半導體元件,在晶片(Wafer)等半導體基板上沉積各種物質,因相互不同的熱膨脹率,而發生半導體基板的翹曲(Warpage)現象。由此,在執行烘烤步驟等熱處理製程時,在翹曲上未形成均勻熱傳輸,因此,存在於翹曲上的碰撞(Bump)而導致按翹曲的區域而未很好地融化或過度融化而形成不合格現象。
本發明提供一種防止及改善基板的翹曲的設備及方法。
並且,本發明提供一種在基板上進行均勻的熱傳輸的設備及方法。
而且,本發明提供將基板的不合格率降到最小的設備及方法。
本發明要解決的技術課題未限制於此,未言及的或其它課題藉由下面記載而使所屬技術領域具有通常知識者明確理解。
本發明提供一種由上部向基板的一部分區域施加力的基板加壓模組。根據一實施例,基板加壓模組包括:支撐部件,支撐基板;重量部件,放置在設置於所述支撐部件上的基板的所述一部分區域上,具有超過一定重量的重量;加壓單元,由上部向所述重量部件施加力。
所述加壓單元包括:突出部,提供至所述重量部件的上部,向下突出,以與所述重量部件相對;驅動部件,將所述突出部或所述支撐部件中至少一個以上下方向移動至分隔位置與加壓位置之間,其中,所述分隔位置是指所述突出部及所述重量部件相互沿著上下方向分隔的位置,所述加壓位置是指所述突出部的下端及所述重量部件的上面相互接觸而藉由所述突出部向所述重量部件的上面施加力的位置。
所述突出部被固定,所述驅動部件以按上下方向移動所述支撐部件的方式提供。
所述一部分區域為基板的邊緣區域,所述重量部件提供為底面與所述一部分區域相對的環狀。
所述基板加壓模組還包括:適配器部件,以放置基板的狀態由外部提供至所述突出部及所述支撐部件之間,所述適配器部件以將所述重量部件支撐於所述基板上面的方式提供。
所述適配器部件包括:環狀的主體,內側直徑大於基板;支撐銷,由所述主體向內側方向突出,沿著所述主體的圓周方向而提供為三個以上的多個,在所述主體的內側面的下端提供向內側突出的階梯,所述重量部件的外側直徑大於所述階梯的內側直徑,小於所述主體的所述內側面的直徑,在所述支撐銷放置基板,所述階梯以所述重量部件放 置在所述基板的上面的方式提供,所述支撐部件具有小於所述主體的內側直徑,且與基板的直徑相同或大於基板的直徑的直徑,在上面形成有向下插入所述支撐銷的插入凹槽。
所述突出部為多個相互組合,而沿著所述重量部件的圓周方向而構成環狀。
所述突出部提供為彈簧定位銷(Spring Plunger)。
在包含與所述重量部件的上面的所述突出部相對的相對區域的區域上形成向內側凹蝕的調節凹槽,在所述調節凹槽嚙合插入有深度調節部件,所述深度調節部件包括:第一調節部件及第二調節部件,能夠在所述調節凹槽相互更換,在所述第一調節部件及所述第二調節部件插入所述調節凹槽的狀態下,與所述相對區域對應的對應區域的高度各不相同。
所述調節凹槽延伸至所述重量部件的內側面,所述深度調節部件以所述對應區域的高度低於除了所述對應區域之外的區域的高度的形狀提供。
並且,本發明提供處理基板的基板處理設備。根據一實施例,基板處理設備包括:外殼,在內部具有處理基板的處理空間;基板加壓模組,在所述外殼內由上部向基板的一部分區域施加力,所述基板加壓模組包括:支撐部件,支撐基板;重量部件,放置在設置於所述支撐部件上的基板的所述一部分區域上,並具有超過一定重量的重量;加壓單元,由上部對所述重量部件施加力。
所述加壓單元包括:突出部,提供至所述重量部件的上部,以與所述重量部件相對的方式向下方突出;驅動部件,將所述突出部或所述支撐部件中至少一個以上下方向移動至分隔位置與加壓位置之間,所述分隔位置是指所述突出部及所述重量部件相互沿著上下方向分隔的 位置,所述加壓位置為所述突出部的下端及所述重量部件的上面相互接觸而藉由所述突出部對所述重量部件的上面施加力的位置。
所述外殼包括:下部外殼;上部外殼,提供至所述下部外殼的上部,與所述下部外殼組合而形成所述處理空間,所述突出部固定於所述上部外殼,所述驅動部件以上下方向移動所述支撐部件,所述下部外殼以側壁環繞所述支撐部件的方式提供。
所述下部外殼與所述支撐部件結合,藉由所述驅動部件而以上下方向移動,對於所述支撐部件位於所述加壓位置的情況,與上部外殼一起密封處理空間。
所述一部分區域為基板的邊緣區域,所述重量部件提供為底面與所述一部分區域相對的環狀,所述基板加壓模組還包括適配器部件,以放置基板的狀態由外部提供至所述突出部及所述支撐部件的之間,所述適配器部件包括:環狀的主體,內側直徑大於基板;支撐銷,由所述主體向內側方向突出,沿著所述主體的圓周方向而提供為三個以上的多個,在所述主體的內側面的下端形成有向內側突出的階梯,所述重量部件的外側直徑大於所述階梯的內側直徑,小於所述主體的所述內側面的直徑,以在所述支撐銷設置基板的方式提供,所述階梯以將所述重量部件放置在所述基板的上面的方式提供,所述支撐部件具有小於所述主體的內側直徑,並與基板的直徑相同或大於基板的直徑的直徑,在上面形成有供所述支撐銷向下側方向插入的插入凹槽。
所述主體以與所述上部外殼的側壁的下端及與所述下部外殼的側壁的上端相對的方式提供,在所述加壓位置上,所述主體的上面與所述上部外殼的所述側壁的下端接觸,底面與所述下部外殼的所述側壁的上端接觸,而密封所述處理空間。
並且,本發明提供一種利用上述基板加壓模組而由上部向基 板的一部分區域施加力的基板加壓方法。根據一實施例,基板加壓方法包括如下步驟:提供基板步驟,將基板提供至所述基板加壓模組內;提供重量部件步驟,在所述基板上安裝所述重量部件;加壓步驟;之後,利用所述加壓單元而由上部對所述重量部件施加力。
所述加壓單元包括:突出部,提供至所述重量部件的上部,以與所述重量部件相對的方式而向下突出,在所述加壓步驟中,在所述支撐部件安裝所述基板,並在所述基板上安裝所述重量部件的狀態下,將所述支撐部件上升直至所述重量部件藉由所述突出部而由上部施加力的加壓位置。
所述一部分區域為基板的邊緣區域,所述重量部件提供為底面與所述一部分區域相對的環狀,所述基板加壓模組還包括:適配器部件,以放置基板及重量部件的方式提供,所述適配器部件包括:環狀的主體,內側直徑大於基板;支撐銷,由所述主體向內側方向突出,沿著所述主體的圓周方向提供三個以上的多個,在所述主體的內側面的下端形成向內側突出的階梯,所述重量部件的外側直徑大於所述階梯的內側直徑,小於所述主體的內側面的直徑,所述支撐部件具有小於所述主體的內側直徑,與基板的直徑相同或大於基板的直徑的直徑,在上面形成向下插入所述支撐銷的插入凹槽,在所述提供基板步驟中,所述支撐銷上放置有基板的所述適配器部件被提供至所述支撐部件及所述突出部之間。
在所述提供重量部件步驟中,在放置基板的所述適配器部件上安裝所述重量部件。
在所述加壓步驟中,將所述支撐部件上升至所述加壓位置,以貫通所述主體的內部。
並且,本發明提供一種利用所述基板處理設備而處理基板的 基板處理方法。根據一實施例,基板處理方法包括如下步驟:基板加壓步驟,利用所述基板加壓模組而由上部向基板的所述一部分區域施加力;基板處理步驟,執行處理基板的製程,所述基板加壓步驟包括如下步驟:提供基板步驟,將基板提供至所述基板加壓模組內;提供重量部件步驟,將所述重量部件安裝在所述基板上;加壓步驟,之後,利用所述加壓單元而由上部向所述重量部件施加力,在所述提供基板步驟中,在所述支撐銷上放置有基板的所述適配器部件被提供至所述支撐部件及所述突出部的之間,在所述提供重量部件步驟中,在放置基板的適配器部件上安裝所述重量部件,在所述加壓步驟中,將所述支撐部件及所述下部外殼上升所述加壓位置,以貫通所述主體的內部。
所述基板處理步驟在藉由所述加壓步驟而所述支撐部件位於所述加壓位置的狀態下執行。
10:基板處理設備
20:基板
21:一部分區域(邊緣區域)
100:外殼
110:下部外殼
120:上部外殼
200:基板加壓模組
210:支撐部件
211:插入凹槽
220、220a:重量部件
221:銷插入凹槽
221a:調節凹槽
222a、222b:深度調節部件
230:加壓單元
231:突出部
231a:彈簧
232:驅動部件
233:框架
240:適配器部件
241:主體
241a:階梯
242:支撐銷
300:密封部件
2221a:第一調節部件
2222a:第二調節部件
l1、l2:高度
S10~S20:步驟
圖1為顯示處於本發明的一實施例的基板處理設備的分隔位置的狀態的截面圖。
圖2為顯示位於圖1的基板處理設備的加壓位置的狀態的截面圖。
圖3為顯示圖1的支撐部件的立體圖。
圖4為顯示圖1的重量部件的立體圖。
圖5為顯示圖1的突出部及框架的立體圖。
圖6為顯示圖5的突出部的截面圖。
圖7為顯示圖1的適配器部件的立體圖。
圖8為顯示本發明的另一實施例的重量部件的立體圖。
圖9為顯示圖8的深度調節部件的截面圖。
圖10為顯示另一實施例的深度調節部件的立體圖。
圖11為顯示本發明的一實施例的基板處理方法的順序圖。
下面,參照圖式對本發明的實施例進行更具體說明。本發明的實施例能夠變形為各種形式,本發明的範圍並非以下面的實施例進行限定。本實施例以用於向所屬技術領域中具有通常知識者更完全說明本發明而提供。因此,在圖式中的要素的形狀以用於強調更明確的說明而進行了誇飾。
本發明的實施例的基板處理設備10為執行處理基板的步驟的設備。基板處理設備10為執行對基板的製程的各種種類的設備。例如,基板處理設備10提供作為執行成像步驟、蝕刻步驟、沉積步驟或熱處理步驟的設備。
在本發明的基板處理設備10中被處理的基板20為半導體晶片(Wafer)、光罩(Mask)或液晶顯示(LCD)面板。
圖1為顯示處於本發明的一實施例的基板處理設備10的分隔位置的狀態的截面圖。圖2為顯示處於圖1的基板處理設備10的加壓位置的狀態的截面圖。參照圖1及圖2,基板處理設備10包括:外殼100及基板加壓模組200。
外殼100在內部具有處理基板20的處理空間。根據一實施例,外殼100包括:下部外殼110及上部外殼120。
下部外殼110的側壁以環繞支撐部件210的方式提供。根據一實施例,下部外殼110被提供為與支撐部件210結合而藉由驅動部件232與支撐部件210一起上下方向移動。此情況,對於所述支撐部件210處於所述加壓位置的情況,與上部外殼120一起密封處理空間。此情況,支撐部件210的上面處於比下部外殼110的側壁的上端高的位置,以使在加壓位置上,重量部件220及基板20由適配器部件240向上部分隔,以向突出 部231施加力。與此不同,下部外殼110以與支撐部件210獨立地以上下方向移動的方式提供。此情況,下部外殼110與支撐部件210獨立地上升下降,而開閉處理空間。
上部外殼120提供至下部外殼110的上部。上部外殼120與下部外殼110組合而形成處理空間。
在上部外殼120及下部外殼110的內部在除了之後說明的基板加壓模組200之外,根據在基板處理設備10執行的基板處理步驟的種類,提供對處理基板時所需的各種結構。例如,對於基板處理設備10提供作為利用電漿而處理基板20的設備的情況,在上部外殼120提供向處理空間提供氣體的結構及將所述氣體轉換為電漿的結構,在下部外殼110提供排出處理空間內部的氣體及電漿的結構。
基板加壓模組200在外殼100內由上部向基板20的一部分區域21施加力。根據一實施例,基板加壓模組200包括:支撐部件210、重量部件220、加壓單元230及適配器部件240。所述一部分區域21為預防已經發生翹曲或在基板處理製程中要發生的翹曲的區域。根據一實施例,一部分區域21為基板20的邊緣區域。
圖3為顯示圖1的支撐部件210的立體圖。參照圖1至圖3,支撐部件210支撐基板20。根據一實施例,支撐部件210具有比之後要說明的主體241的內側直徑小,且與基板20的直徑相同或大於基板20的直徑。因此,支撐部件210貫通主體241的內側孔而以上下方向移動。根據一實施例,在支撐部件210的上面形成有插入凹槽211。插入凹槽211以向下插入之後要說明的支撐銷242而提供。因此,防止在支撐部件210上升時,支撐部件210因支撐銷242而產生干擾。
圖4為顯示圖1的重量部件220的立體圖。參照圖1、圖2及圖4,重量部件220放置於在支撐部件210上放置的基板20的一部分區域21 上。根據一實施例,基板20為圓板形狀,對於基板20的一部分區域21為基板20的邊緣區域的情況,重量部件220被提供為環狀,以使底面與一部分區域21相對。
重量部件220具有超過一定重量的重量。所述一定重量根據需要而進行不同地提供。例如,重量部件220根據在執行基板20的狀態或步驟時預防的基板20的變形程度,對於在加壓位置上,需要向放置在支撐部件210的基板20施加更強的力的情況,以更重的方式提供。與此不同,對於在加壓位置上,需要向放置在支撐部件210的基板20施加較弱的力的情況,而更輕的方式提供。但,因處理空間的空間性限制及重量部件220本身材質的限制,在增加重量部件220的重量方面存在限制。
重量部件220的底面的面積根據需要而進行不同地提供。例如,重量部件220的底面的面積與在基板20已經發生翹曲或預防要發生翹曲的區域的面積對應而提供。根據一實施例,一般而言,基板20提供為圓板形狀,翹曲主要發生在基板20的邊緣區域21,由此,對於重量部件220如顯示所示,提供為環狀的情況,根據預防發生基板20的翹曲或推測發生翹曲的邊緣區域21的寬度而改變重量部件220的內側直徑及外側直徑之間的距離。
加壓單元230由上部向重量部件220施加力。根據一實施例,加壓單元230包括:突出部231及驅動部件232。
圖5為顯示圖1的突出部231及框架233的立體圖。參照圖1、圖2及圖5,突出部231提供至重量部件220的上部。突出部231以與重量部件220相對的方式而向下突出。突出部231提供為多個。因此,根據一實施例,對於基板20及重量部件220提供為環狀的情況,突出部231相互組合多個,而沿著重量部件220的圓周方向構成環狀。此情況,突出部231固定於在上部外殼120內固定的環狀的框架233的底面。
圖6為顯示圖5的突出部231的截面圖。參照圖6,突出部231提供為彈簧定位銷(Spring Plunger)。因此,在加壓位置上藉由彈簧231a的彈性而突出部231的下端對重量部件220施加力,並能夠像上部移動,由此,防止發生因向重量部件220施加過度的力,而導致重量部件220或基板20等發生破損的情況。彈簧231a根據需求而彈力以相異的方式提供。例如,彈簧231a根據在基板20的狀態或執行步驟時所預防的基板20的變形程度,對於在加壓位置要求對放置在支撐部件210的基板20施加更強的力的情況,以具有更強的彈力的彈簧231a提供。與此不同,對於在加壓位置上,要求對放置在支撐部件210的基板20施加較弱的力的情況,以具有較弱的彈力的彈簧231a提供。並且,突出部231的數量根據需求而進行不同的提供。對於需增加施加至基板20的力的情況,增加所提供的突出部231的數量。與此不同,對於減少施加至基板20的力的情況,減少所提供的突出部231的數量。
在再次參照圖1及圖2時,驅動部件232將突出部231或支撐部件210中的至少一個以上下方向移動至分隔位置與加壓位置之間。分隔位置是指將突出部231及重量部件220沿著上下方向分隔的位置。加壓位置是指突出部231的下端及重量部件220的上面相互接觸而藉由突出部231向重量部件220的上面施加力的位置。在本說明書中,突出部231固定於一定位置,驅動部件232以按上下方向移動支撐部件210的情況為實施例進行了說明。與此不同,驅動部件232能夠以移動突出部231,支撐部件210固定於一定位置的方式提供。此情況,未提供後面要說明的基板20及重量部件220提供於支撐部件210及突出部231之間的適配器部件240,且基板20直接提供於支撐部件210的上面,重量部件220直接提供於所述基板20上。與此不同,在放置有基板20及重量部件220的適配器部件240提供至突出部231及支撐部件210之間的狀態下,驅動部件232將突出 部231及支撐部件210在分隔位置與加壓位置之間以上下方向移動。
圖7為顯示圖1的適配器部件240的立體圖。參照圖1、圖2及圖7,適配器部件240以放置有基板20的狀態而由外部提供至突出部231及支撐部件210之間。基板20以放置於適配器部件240的狀態而與適配器部件240一起移動,因運送基板20的運送設備未持握集成基板20,由此,能夠防止因持握而對基板20造成的損傷。因此,容易移送基板20。並且,適配器部件240用於將重量部件220支撐在基板20的上面而提供。因此,將重量部件220容易在突出部231及支撐部件210之間而處於基板20上。根據一實施例,適配器部件240包括:主體241及支撐銷242。
主體241提供內側直徑大於基板20的環狀。在主體241的內側面的下端提供由向內側方向突出的階梯241a。階梯241a以重量部件220放置於基板20上面的方式提供。根據一實施例,重量部件220的外側直徑大於階梯241a的內側直徑,小於主體241的內側面的直徑。提供有供支撐重量部件220的階梯241a,而限制重量部件220下降的高度。因此,能夠防止因重量部件220過度下降而導致基板20破損的情況。並且,根據一實施例,藉由重量部件220的外側面及主體241的內側面形成的孔相互嚙合,重量部件220藉由主體241的內側面,引導(Guide)處於放置在支撐銷242上的基板20上的固定位置。
支撐銷242在藉由主體241的內側面形成的孔支撐基板20。根據一實施例,支撐銷242由主體241向內側方向突出。支撐銷242沿著主體241的圓周方向而提供為三個以上的多個。
根據一實施例,對於放置有基板20的適配器部件240提供至突出部231及支撐部件210之間的情況,主體241與上部外殼120的側壁的下端及下部外殼110的側壁上端相對。因此,在加壓位置上,主體241以上面與上部外殼120的側壁的下端接觸,底面與下部外殼110的側壁的上 端接觸,而密封處理空間的方式提供。在上部外殼120的側壁的下端及下部外殼110的側壁的上端提供有密封部件300。例如,密封部件300提供為分別提供至上部外殼120的側壁的下端及下部外殼110的側壁的上端的樹脂材質的O型圈(O-Ring)。
圖8為顯示本發明的另一實施例的重量部件220a的立體圖。圖9為顯示圖8的深度調節部件222a的截面圖。參照圖8及圖9,與圖4的情況不同,在包括與重量部件220a的上面的突出部231相對的相對區域的區域形成有向內側凹蝕的調節凹槽221a。在調節凹槽221a嚙合插入深度調節部件222a。
根據一實施例,所述對應區域的底面以在加壓位置上比提供作為突出部231的彈簧定位銷最大伸展狀態的彈簧定位銷的下端高,且比重量部件220a的上面的高度低的方式提供。深度調節部件222a能夠相互更換,且在插入至調節凹槽221a的狀態下,提供為與相互相對區域對應的對應區域的高度(l1、l2)相互不同的多個。例如,深度調節部件222a包括在調節凹槽221a能夠相互更換的第一調節部件2221a及第二調節部件2222a。在第一調節部件2221a及第二調節部件2222a插入於調節凹槽221a的狀態下,相互不同地提供所述對應區域的高度(l1、l2)。因此,對於突出部231提供為彈簧定位銷的情況,在加壓位置上,根據深度調節部件222a的對應區域的高度(l1、l2),活塞的彈簧231a收縮的程度不同,由此,更換具有相互不同的對應區域的高度(l1、l2)的深度調節部件222a,調節施加至在加壓位置上的基板20的力。根據一實施例,調節凹槽221a以延伸至重量部件220a的內側面的方式提供。並且,深度調節部件222a提供為所述對應區域的高度(l1、l2)比除了所述對應區域之外的區域的高度低的形狀。例如,對應區域提供為在深度調節部件222a的上面向下凹蝕的圓形的凹槽。
圖10為顯示另一實施例的深度調節部件222b的立體圖。參照圖10,深度調節部件222b與圖9的情況不同,包括與突出部231對應的對應區域的一側的區域提供為比另一側的區域低的呈階梯式的形狀。與此不同,插入至調節凹槽221a的深度調節部件222b提供為能夠調節對應區域的高度的各種形狀。
下面,利用圖1的基板處理設備10而說明本發明的實施例的基板處理方法。
圖11為顯示本發明的一實施例的基板處理方法的順序圖。參照圖1、圖2及圖11,基板處理方法包括:基板加壓步驟(S10)及基板處理步驟(S20)。
在基板加壓步驟(S10)中,利用基板加壓模組200而由上部對基板20的一部分區域21施加力。根據一實施例,基板加壓步驟(S10)包括:提供基板步驟(S11)、提供重量部件步驟(S12)及加壓步驟(S13)。
在提供基板步驟(S11)中,在基板加壓模組200內提供基板20。根據一實施例,在提供基板步驟(S11)中,在支撐銷242上,放置有基板20的適配器部件240處於支撐部件210及突出部231之間。
在提供重量部件步驟(S12)中,將重量部件220安裝在放置於支撐銷242的基板20的上面。根據一實施例,在提供重量部件步驟(S12)中,在放置有基板20的適配器部件240上安裝重量部件220。提供重量部件步驟(S12)在加壓步驟(S13)之前執行,在提供基板步驟(S11)之前或之後執行。即,重量部件220在基板處理設備10的外部而安裝在放置有基板20的適配器部件240的狀態下,與適配器部件240一起而提供至基板處理設備10內,或放置有基板20的適配器部件240引入至基板處理設備10內之後,在執行加壓步驟(S13)之前,安裝在所述適配器部件240上。
在加壓步驟(S13)中,利用加壓單元230而由重量部件220的 上部施加力。根據一實施例,在加壓步驟(S13)中,將支撐部件210及下部外殼110以貫通主體241的內部的方式上升至加壓位置而突出部231的下端及重量部件220的上面相互接觸,藉由突出部231而向重量部件220的上面施加力。根據一實施例,此情況,如上所示,下部外殼110與支撐部件210一起上升,密封處理空間。
在基板處理步驟(S20)中,執行處理基板20的步驟。基板處理步驟(S20)在藉由加壓步驟(S13)而支撐部件210處於加壓位置的狀態下執行。例如,在基板處理步驟(S20)中,在支撐部件210處於加壓位置的狀態下,對基板20執行蝕刻步驟、沉積步驟或熱處理步驟等各種種類的步驟。
如上所示,本發明的基板加壓模組200、基板處理設備10、基板加壓方法及基板處理方法在處理基板20期間,以由上部向安裝在放置於支撐部件210的基板20上的重量部件220施加力的方式提供,即使未增加重量部件220的重量,將超過重量部件220的重量的力施加至基板20,由此,防止及改善基板的翹曲。因此,防止及改善基板20的翹曲,本發明的實施例的設備及方法能夠向基板20上均勻地進行熱傳輸,而將基板20的不合格率最小化。
綜上的具體的說明用於例示本發明。並且,上述內容用於顯示本發明的較佳的實施形式而說明,本發明在各種其它組合、變更及環境中使用。即在本說明書中公開的發明的概念的範圍、上述的公開內容與等同的範圍及/或本領域的技術或知識的範圍內,能夠進行變更或修正。上述實施例用於說明實現本發明的技術思想的最優選的狀態,能夠進行本發明的具體的適用領域及用途中要求的各種變更。因此,綜上發明的具體說明作為公開的實施形式而非限制本發明的意圖。並且,申請專利範圍也應以包含其它實施形式的情況進行解釋。
[發明功效]
本發明的實施例的設備及方法防止及改善基板的翹曲。
並且,本發明的實施例的設備及方法將熱傳輸均勻地施加至基板上。
而且,本發明的實施例的設備及方法將基板的不合格率降到最小化。
10‧‧‧基板處理設備
20‧‧‧基板
21‧‧‧區域
100‧‧‧外殼
110‧‧‧下部外殼
120‧‧‧上部外殼
200‧‧‧基板加壓模組
210‧‧‧支撐部件
211‧‧‧插入凹槽
220‧‧‧重量部件
230‧‧‧加壓單元
231‧‧‧突出部
232‧‧‧驅動部件
233‧‧‧框架
240‧‧‧適配器部件
241‧‧‧主體
242‧‧‧支撐銷
300‧‧‧密封部件

Claims (23)

  1. 一種基板加壓模組,係由上部向基板的一部分區域施加力,前述基板加壓模組包括:支撐部件,支撐前述基板;重量部件,放置於在前述支撐部件上放置的前述基板的前述一部分區域上,並具有超過一定重量的重量;以及加壓單元,由前述上部向前述重量部件施加力,前述一定重量根據需要而進行不同地提供。
  2. 如請求項1所記載的基板加壓模組,其中前述加壓單元包括:突出部,提供至前述重量部件的上部,以與前述重量部件相對的方式向下突出;以及驅動部件,將前述突出部或前述支撐部件中的至少一個向下移動至分隔位置與加壓位置之間;其中前述分隔位置是指前述突出部及前述重量部件沿著相互上下方向分隔的位置;且其中前述加壓位置是指前述突出部的下端及前述重量部件的上面相互接觸而藉由前述突出部而向前述重量部件的上面施加力的位置。
  3. 如請求項2所記載的基板加壓模組,其中前述突出部被固定,前述驅動部件將前述支撐部件進行上下方向移動。
  4. 如請求項3所記載的基板加壓模組,其中前述一部分區域為前述基板的邊緣區域,前述重量部件為提供為底面與前述一部分區域相對的環狀。
  5. 如請求項4所記載的基板加壓模組,其中前述基板加壓模組還包括:適配器部件,以放置有前述基板的狀態,由外部提供至前述突出部及前述支撐部件之間; 其中前述適配器部件將前述重量部件支撐在前述基板的上面。
  6. 如請求項5所記載的基板加壓模組,其中前述適配器部件包括:環狀的主體,其內側直徑大於前述基板;以及支撐銷,由前述主體向內側方向突出,沿著前述主體的圓周方向而提供至三個以上的多個;其中在前述主體的內側面的下端形成有突出至內側的階梯;其中前述重量部件的外側直徑大於前述階梯的內側直徑,小於前述主體的前述內側面的直徑;其中在前述支撐銷放置有基板;其中前述階梯以前述重量部件放置在前述基板的上面的方式提供;且其中前述支撐部件的直徑小於前述主體的內側直徑,並與前述基板的直徑相同或大於前述基板的直徑,並在上面形成有供前述支撐銷向下插入的插入凹槽。
  7. 如請求項4所記載的基板加壓模組,其中前述突出部相互組合多個,沿著前述重量部件的圓周方向而構成環狀。
  8. 如請求項2所記載的基板加壓模組,其中前述突出部提供為彈簧定位銷。
  9. 如請求項8所記載基板加壓模組,其中在包含與前述重量部件的上面的前述突出部相對的相對區域的區域形成有向內側凹蝕的調節凹槽;其中在前述調節凹槽嚙合插入有深度調節部件;其中前述深度調節部件包括在前述調節凹槽能夠相互更換的第一調節部件及第二調節部件;且 其中在前述第一調節部件及前述第二調節部件插入至前述調節凹槽的狀態下,與前述相對區域對應的對應區域的高度相異。
  10. 如請求項9所記載的基板加壓模組,其中前述調節凹槽延伸至前述重量部件的內側面;且其中前述深度調節部件為前述對應區域的高度低於除了前述對應區域之外的區域的高度的形狀。
  11. 一種用於處理基板的基板處理設備,包括:外殼,在內部具有處理前述基板的處理空間;以及基板加壓模組,在前述外殼內,由上部向前述基板的一部分區域施加力;其中前述基板加壓模組包括:支撐部件,用於支撐前述基板;重量部件,放置於在前述支撐部件上放置的前述基板的前述一部分區域上,並具有超過一定重量的重量;以及加壓單元,由上部向前述重量部件施加力,前述一定重量根據需要而進行不同地提供。
  12. 如請求項11所記載的基板處理設備,其中前述加壓單元包括:突出部,提供至前述重量部件的上部,以與前述重量部件相對的方式向下方突出;以及驅動部件,將前述突出部或前述支撐部件中的至少一個以上下方向移動至分隔位置與加壓位置之間;其中前述分隔位置是指前述突出部及前述重量部件沿著上下方向分隔的位置;且其中前述加壓位置是指前述突出部的下端及前述重量部件的上面相互接觸而藉由前述突出部而向前述重量部件的上面施加力的位置。
  13. 如請求項12所記載的基板處理設備,其中前述外殼包括:下部外殼;上部外殼,提供至前述下部外殼的上部,與前述下部外殼組合而形成前述處理空間;其中前述突出部固定至前述上部外殼;其中前述驅動部件將前述支撐部件以上下方向移動;且其中前述下部外殼以側壁環繞前述支撐部件的方式提供。
  14. 如請求項13所記載的基板處理設備,其中前述下部外殼與前述支撐部件結合而藉由前述驅動部件而進行上下方向移動,對於前述支撐部件處於前述加壓位置的情況,與前述上部外殼一起密封前述處理空間。
  15. 如請求項14所記載的基板處理設備,其中前述一部分區域為前述基板的邊緣區域;其中前述重量部件提供為底面與前述一部分區域相對的環狀;其中前述基板加壓模組還包括:適配器部件,以放置有前述基板的狀態下由外部提供至前述突出部及前述支撐部件之間;其中前述適配器部件包括:環狀的主體,其內側直徑大於前述基板;以及支撐銷,由前述主體突出至內側方向,沿著前述主體的圓周方向而提供為三個以上的多個;其中在前述主體的內側面的下端形成有向內側突出的階梯;其中前述重量部件的外側直徑大於前述階梯的內側直徑,小於前述主體的前述內側面的直徑;其中在前述支撐銷放置有前述基板; 其中前述階梯以前述重量部件放置於前述基板的上面的方式提供;且其中前述支撐部件的直徑小於前述主體的內側直徑,且與前述基板的直徑相同或大於前述基板的直徑,並在上面形成有向下插入前述支撐銷的插入凹槽。
  16. 如請求項15所記載的基板處理設備,其中前述主體與前述上部外殼的側壁的下端及前述下部外殼的側壁的上端相對;其中在前述加壓位置上,前述主體的上面與前述上部外殼的前述側壁的下端接觸,前述主體的底面與前述下部外殼的前述側壁的上端接觸而密封前述處理空間。
  17. 一種基板加壓方法,其利用如請求項1所記載的基板加壓模組而由上部對基板的一部分區域施加力,前述基板加壓方法包括以下步驟:提供基板步驟,在前述基板加壓模組內提供前述基板;提供重量部件步驟,在前述基板上安裝前述重量部件;以及加壓步驟,之後,利用加壓單元而由上部對前述重量部件施加力。
  18. 如請求項17所記載的基板加壓方法,其中前述加壓單元包括:突出部,提供至前述重量部件的上部,以與前述重量部件相對的方式向下突出;且其中在前述加壓步驟中,在前述支撐部件安裝前述基板並在前述基板上安裝前述重量部件的狀態下,前述重量部件藉由前述突出部將前述支撐部件上升至由上部施加力的加壓位置。
  19. 如請求項18所記載的基板加壓方法,其中前述一部分區域為前述基板的邊緣區域;其中前述重量部件提供為底面與前述一部分區域相對的環狀; 其中前述基板加壓模組還包括:適配器部件,以放置有基板及前述重量部件的方式提供;其中前述適配器部件包括;環狀的主體,其內側直徑大於基板;以及階梯,由前述主體向內側方向突出,並沿著前述主體的圓周方向而提供為三個以上的多個;其中在前述主體的內側面的下端提供有向內側突出的階梯;其中前述重量部件的外側直徑大於前述階梯的內側直徑,且小於前述主體的內側面的直徑;其中前述支撐部件的直徑小於前述主體的內側直徑,且與前述基板的直徑相同或大於前述基板的直徑,並在上面形成供向下插入前述支撐銷的插入凹槽;且其中在前述提供基板步驟中,在前述支撐銷上放置有前述基板的前述適配器部件提供至前述支撐部件及前述突出部之間。
  20. 如請求項19所記載的基板加壓方法,其中在前述提供重量部件步驟中,在放置有前述基板的前述適配器部件上安裝前述重量部件。
  21. 如請求項20所記載的基板加壓方法,其中在前述加壓步驟中,以將前述支撐部件貫通至前述主體的內部的方式提升至前述加壓位置。
  22. 一種基板處理方法,其利用請求項16所記載的基板處理設備而處理基板,前述基板處理方法包括以下步驟:基板加壓步驟,利用前述基板加壓模組而由上部向前述基板的前述一部分區域施加力;以及基板處理步驟,執行處理基板的製程; 其中前述基板加壓步驟包括以下步驟:提供基板步驟,向前述基板加壓模組內提供前述基板;提供重量部件步驟,在前述基板上安裝前述重量部件;以及加壓步驟,之後,利用前述加壓單元而由上部向前述重量部件施加力;其中在前述提供基板步驟中,在前述支撐銷上放置有前述基板的前述適配器部件被提供至前述支撐部件及前述突出部之間;其中在前述提供重量部件步驟中,在放置有前述基板的前述適配器部件上安裝前述重量部件;且其中在前述加壓步驟中以將前述支撐部件及前述下部外殼貫通前述主體的內部方式提升至前述加壓位置。
  23. 如請求項22所記載的基板處理方法,其中前述基板處理步驟在藉由前述加壓步驟而使前述支撐部件處於前述加壓位置的狀態下執行。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102549181B1 (ko) * 2021-03-09 2023-06-29 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI773378B (zh) * 2021-06-11 2022-08-01 亞亞科技股份有限公司 電路板檢測裝置之取放暨壓制模組
CN115651819B (zh) * 2022-09-20 2024-05-17 杭州准芯生物技术有限公司 一种试剂盒用自适应顶压组件及检测装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200401928A (en) * 2002-06-11 2004-02-01 Fujitsu Ltd Method and apparatus for fabricating bonded substrate
CN1841167A (zh) * 2005-03-29 2006-10-04 精工爱普生株式会社 基板间隔调整装置、方法及液晶显示装置的制造方法
CN107151782A (zh) * 2016-03-03 2017-09-12 乐金显示有限公司 用于有机发光二极管的沉积装置
TW201802301A (zh) * 2016-06-30 2018-01-16 荏原製作所股份有限公司 基板固持器、電子元件製造裝置中搬送基板之搬送系統、及電子元件製造裝置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274226A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Sony Corp ウェーハ支持装置
KR20060036846A (ko) * 2004-10-26 2006-05-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 휨 방지 장치
KR100834022B1 (ko) * 2007-01-11 2008-05-30 주식회사 이오테크닉스 웨이퍼 휨 교정장치
KR100842060B1 (ko) * 2007-02-12 2008-06-30 (주)지티엔이 웨이퍼 교정 장치를 갖는 반도체 가열 및 냉각 시스템
JP4285612B2 (ja) * 2007-03-23 2009-06-24 日本電熱株式会社 サセプタ
JP5560716B2 (ja) * 2010-01-04 2014-07-30 株式会社ニコン 加圧装置およびデバイスの製造方法
KR20160057585A (ko) * 2014-11-13 2016-05-24 재단법인 포항산업과학연구원 웨이퍼 평탄화 설비의 웨이퍼 부착 장치 및 웨이퍼 평탄화 방법
KR101739969B1 (ko) 2016-01-26 2017-06-09 (주)에스티아이 기판지지장치
KR102455415B1 (ko) * 2017-12-18 2022-10-17 삼성전자주식회사 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판의 접합 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200401928A (en) * 2002-06-11 2004-02-01 Fujitsu Ltd Method and apparatus for fabricating bonded substrate
CN1841167A (zh) * 2005-03-29 2006-10-04 精工爱普生株式会社 基板间隔调整装置、方法及液晶显示装置的制造方法
CN107151782A (zh) * 2016-03-03 2017-09-12 乐金显示有限公司 用于有机发光二极管的沉积装置
TW201802301A (zh) * 2016-06-30 2018-01-16 荏原製作所股份有限公司 基板固持器、電子元件製造裝置中搬送基板之搬送系統、及電子元件製造裝置

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