TWI702617B - 正溫度係數電路保護裝置及其製備方法 - Google Patents
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Abstract
一種正溫度係數電路保護裝置包含一個聚合物正溫度係數元件、一個第一導電單元及一個第二導電單元。該聚合物正溫度係數元件包括一個正溫度係數聚合物層、一個第一電極及一個第二電極。該第一導電單元包括一個第一導電構件及一個第一導電針件。 該第一導電構件具有一個末端部。該第一導電針件具有一個第一遠端。該第二導電單元包括一個第二導電構件及一個第二導電針件。 該第二導電構件具有一個末端部。該第二導電針件具有一個第二遠端。從該第一導電構件至該第一遠端的第一站立高度與從該第一導電構件至該第二遠端的第二站立高度皆不小於0.1 mm。
Description
本發明是有關於一種正溫度係數(Positive Temperature Coefficient;簡稱PTC)電路保護裝置及其製備方法,特別是指一種表面安裝(surface-mounted)的正溫度係數電路保護裝置及其製備方法。
參閱圖1,US 5,852,397公開一種現有的表面安裝正溫度係數電路保護裝置1,其是用於安裝在一個基板9(例如電路板)上。該正溫度係數電路保護裝置1包含一個正溫度係數元件13、一個第一電極部11、一個第二電極部12、一個第一導電部14及一個第二導電部15。此外,多個電鍍層18形成在該第一與第二電極部11,12及該第一與第二導電部14,15上。
為了使前述裝置1安裝於該基板9上,現有表面安裝的正溫度係數電路保護裝置1的該等電鍍層18是直接設置並固定在該基板9上。然而,前述設計會使該基板9與該正溫度係數電路保護裝置1有散熱的問題。因此,該正溫度係數電路保護裝置1會因過熱造成
較差的操作效率而損壞。
因此,本發明的第一目的,即在提供一種正溫度係數電路保護裝置。
於是,本發明正溫度係數電路保護裝置適用於安裝在一個基板上,包含一個聚合物正溫度係數元件、一個第一導電單元及一個第二導電單元。
該聚合物正溫度係數元件包括一個正溫度係數聚合物層、一個第一電極及一個第二電極。
該正溫度係數聚合物層具有兩個相反面。
該第一電極及一個第二電極分別設置在該正溫度係數聚合物層的兩相反面上。
該第一導電單元包括一個第一導電構件及一個第一導電針件。
該第一導電構件設置在該第一電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第一電極電連接,並具有一個末端部。
該第一導電針件由該第一導電構件的末端部往該基板延伸,且具有一個與該第一導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第一遠端,其中,從該第一導電構件至該第一遠端的第一站立高度不小於0.1mm。
該第二導電單元包括一個第二導電構件及一個第二導電針件。
該第二導電構件設置在該第二電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第二電極電連接,並具有一個末端部。
該第二導電針件由該第二導電構件的末端部往該基板延伸,且具有一個與該第二導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第二遠端,其中,從該第一導電構件至該第二遠端的第二站立高度不小於0.1mm。
因此,本發明的第二目的,即在提供一種適用於安裝在一個基板上的正溫度係數電路保護裝置的製備方法。
於是,本發明適用於安裝在一個基板上的正溫度係數電路保護裝置的製備方法,包含下列步驟:提供一個聚合物正溫度係數元件,該聚合物正溫度係數元件包括一個具有兩個相反面的正溫度係數聚合物層、分別設置在該正溫度係數聚合物層的兩個相反面上的一個第一電極與一個第二電極;設置一個第一導電單元在該第一電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上;彎折該第一導電單元,以使該第一導電單元包括一個第一導電構件及一個第一導電針件,該第一導電構件設置在該第一電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第一電極電連接,並具有
一個末端部,該第一導電針件由該第一導電構件的末端部往該基板傾斜延伸,且具有一個與該第一導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第一遠端,其中,從該第一導電構件至該第一遠端的第一站立高度不小於0.1mm;設置一個第二導電單元在該第二電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上;及彎折該第二導電單元,以使該第二導電單元包括一個第二導電構件及一個第二導電針件,該第二導電構件設置在該第二電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第二電極電連接,並具有一個末端部,該第二導電針件由該第二導電構件的末端部往該基板傾斜延伸,且具有一個與該第二導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第二遠端,其中,從該第一導電構件至該第二遠端的第一站立高度不小於0.1mm。
本發明的功效在於:由於本發明的正溫度係數電路保護裝置的該第一導電構件分別與該第一遠端及該第二遠端會具有第一站立高度與第二站立高度,因此,本發明的正溫度係數電路保護裝置能解決現有正溫度係數電路保護裝置散熱不佳的問題。
1:正溫度係數電路保護裝置
11:第一電極部
12:第二電極部
13:正溫度係數元件(正溫度係數聚合物層)
131:第一表面
132:第二表面
14:第一導電部
15:第二導電部
16:第一導電連接件
17:第二導電連接件
18:電鍍層
19:第一槽
19':第二槽
2:聚合物正溫度係數元件
21:第一電極
22:正溫度係數聚合物層
221,222:面
23:第二電極
3:第一導電單元
31:第一導電構件
311:末端部
32:第一導電針件
321:第一遠端
322:第一支撐部
323:第一延伸部
4:第二導電單元
41:第二導電構件
411:末端部
42:第二導電針件
421:第二遠端
422:第二支撐部
423:第二延伸部
5,9:基板
H1:第一站立高度
H2:第二站立高度
本發明的其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式
中清楚地呈現,其中:圖1是一立體示意圖,說明現有一個安裝於一個基板上的正溫度係數電路保護裝置;圖2是一側視示意圖,說明本發明一個安裝於一個基板上的正溫度係數電路保護裝置的一個實施例;及圖3是一側視示意圖,說明本發明一個安裝於一個基板上的正溫度係數電路保護裝置的實施例2,4,6及8。
本發明將就以下實施例來作進一步說明,但應瞭解的是,該實施例僅為例示說明,而不應被解釋為本發明實施的限制。
在本發明被詳細描述前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖2,本發明的一個正溫度係數(PTC)電路保護裝置的一個實施例適用於安裝在一個基板5上。該正溫度係數電路保護裝置包含一個聚合物正溫度係數(PPTC)元件2、一個第一導電單元3及一個第二導電單元4。
該聚合物正溫度係數(PPTC)元件2包括一個具有兩個相反面221,222的正溫度係數聚合物層22,及分別設置在該正溫度係數聚合物層22的兩相反面221,222上的一個第一電極21及一個第
二電極23。
該第一導電單元3包括一個第一導電構件31及一個第一導電針件32。該第一導電構件31設置在該第一電極21相反於該正溫度係數聚合物層22的一側上且與該第一電極21電連接,並具有一個末端部311。該第一導電針件32由該第一導電構件31的末端部311往該基板5延伸,且具有一個與該第一導電構件31的末端部311相間隔且與該基板5接觸的第一遠端321,其中,從該第一導電構件31至該第一遠端321的第一站立高度(H1)不小於0.1mm。
在本實施例中,該第一導電針件32包括一個第一支撐部322及一個第一延伸部323。該第一支撐部322由該第一導電構件31的末端部311往該基板5延伸,且具有該第一遠端321。該第一延伸部323由該第一支撐部322的第一遠端321傾斜延伸,且與該基板5接處,以增加該正溫度係數電路保護裝置與該基板5的接觸面積,因此可改善該正溫度係數電路保護裝置的穩定性。
在特定實施例中,該第一支撐部322是由該第一導電構件31的末端部311傾斜延伸。在某些實施例中,該第一支撐部322與該第一導電構件31形成一個直角。在某些實施例中,該第一支撐部322與該第一延伸部323形成一個直角。
需特別說明的是,該第一導電單元3的形狀可隨著特別需求變化。
該第二導電單元4包括一個第二導電構件41及一個第二導電針件42。該第二導電構件41設置在該第二電極23相反於該正溫度係數聚合物層22的一側上且與該第二電極23電連接,並具有一個末端部411。該第二導電針件42由該第一導電構件41的末端部411往該基板5延伸,且具有一個與該第二導電構件41的末端部411相間隔且與該基板5接觸的第二遠端421,其中,從該第一導電構件31至該第二遠端421的第二站立高度(H2)不小於0.1mm。
在本實施例中,該第二導電針件42包括一個第二支撐部422及一個第二延伸部423。該第二支撐部422由該第二導電構件41的末端部411往該基板5延伸,且具有該第二遠端421。該第二延伸部423由該第二支撐部422的第二遠端421傾斜延伸,且與該基板5接處,以增加該正溫度係數電路保護裝置與該基板5的接觸面積,因此可改善該正溫度係數電路保護裝置的穩定性。
在特定實施例中,該第二支撐部422是由該第二導電構件41的末端部411傾斜延伸。在某些實施例中,該第二支撐部422與該第二導電構件41形成一個直角。在某些實施例中,該第二支撐部422與該第二延伸部423形成一個直角。
需特別說明的是,該第二導電單元4的形狀可隨著特別需求變化。
由於該第一與該第二站立高度(H1,H2)不小於0.1mm,
因而該基板5與該第一及第二導電構件31,41間會形成一個空間,以促進該正溫度係數電路保護裝置散熱,及容納該正溫度係數電路保護裝置因工作溫度增加所發生的熱膨脹。在特定實施例中,該第一站立高度(H1)與該第二站立高度(H2)的範圍分別為0.2mm至2.0mm。
在特定的實施例中,該第一站立高度(H1)與該第二站立高度(H2)的範圍分別為1.0mm至2.0mm。
在本實施例中,該第一導電構件31與該第一導電針件32為一體成型,該第二導電構件41與該第二導電針件42為一體成型。
該第一導電單元3與該第二導電單元4皆是由導電材料(例如金屬、導電陶瓷材料等)所製成。在特定實施例中,該第一導電單元3與該第二導電單元4皆是由鎳所製成。
在特定實施例中,該正溫度係數聚合物層22包括一個聚合物基質及一個分散於該聚合物基質間的粒狀導電填料,該聚合物基質具有未經接枝的烯烴系聚合物(non-grafted olefin-based polymer)。
在特定的實施例中,該聚合物基質還具有經羧酸酐接枝的烯烴系聚合物(carboxylic acid anhydride-grafted olefin-based polymer)。該經羧酸酐接枝的烯烴系聚合物為經馬來酸酐(maleic anhydride)接枝的烯烴系聚合物。在本實施例中,
該經羧酸酐接枝的烯烴系聚合物為經馬來酸酐接枝的高密度聚乙烯(HDPE)。
在特定實施例中,該未經接枝的烯烴系聚合物為高密度聚乙烯(HDPE)。
在特定實施例中,該粒狀導電填料是選自於碳黑、金屬、導電陶瓷或前述的組合。
在特定實施例中,該第一電極21與該第二電極23皆為鍍鎳的銅箔。
一種製備實施例的該正溫度係數電路保護裝置的方法包含下列步驟:
步驟1:提供一個聚合物正溫度係數(PPTC)元件2,該聚合物正溫度係數元件2包括一個具有兩個相反面221,222的正溫度係數聚合物層22、分別設置在該正溫度係數聚合物層22的兩相反面221,222上的一個第一電極21與一個第二電極23。
步驟2:設置一個第一導電單元3在該第一電極21相反於該正溫度係數聚合物層22的一側上。
步驟3:彎折該第一導電單元3,以使該第一導電單元3包括一個第一導電構件31及一個第一導電針件32,該第一導電構件31設置在該第一電極21相反於該正溫度係數聚合物層22的一側上且與該第一電極21電連接,並具有一個末端部311,該第一導電
針件32由該第一導電構件31的末端部311往該基板5傾斜延伸,且具有一個與該第一導電構件31的末端部311相間隔且與該基板5接觸的第一遠端321,其中,從該第一導電構件31至該第一遠端321的第一站立高度(H1)不小於0.1mm。
步驟4:設置一個第二導電單元4在該第二電極23相反於該正溫度係數聚合物層22的一側上。
步驟5:彎折該第二導電單元4,以使該第二導電單元4包括一個第二導電構件41及一個第二導電針件42,該第二導電構件41設置在該第二電極23相反於該正溫度係數聚合物層22的一側上且與該第二電極23電連接,並具有一個末端部411,該第二導電針件42由該第二導電構件41的末端部411往該基板5傾斜延伸,且具有一個與該第二導電構件41的末端部411相間隔且與該基板5接觸的第二遠端421,其中,從該第一導電構件31至該第二遠端421的第二站立高度(H2)不小於0.1mm。
<實施例1(E1)>
將10.25g高密度聚乙烯(作為未經接枝的烯烴系聚合物;購自台灣塑膠;型號HDPE9002)、10.25g經馬來酸酐接枝的高密度聚乙烯(作為經羧酸酐接枝的烯烴系聚合物;購自杜邦;型號MB100D)及29.5g碳黑(作為粒狀導電填料;購自Columbian Chemicals Co.;型號Raven 430UB)於混合機(Brabender)中進
行混合押出(混合時間10min;混合溫度200℃;攪拌速度30rpm)後,得到一個複合混合物。
熱壓該複合混合物,以形成一個厚度0.35mm的正溫度係數聚合物層22薄片。其中,熱壓溫度為200℃,熱壓時間為4分鐘,熱壓壓力為80kg/cm2。
兩個銅箔片(作為第一與第二電極21,23)分別設置在該正溫度係數聚合物層22薄片的兩個相反面,並於200℃與80kg/cm2下熱壓4分鐘,以形成厚度為0.42mm且為三明治結構的正溫度係數層合體。裁切該正溫度係數層合體成多個正溫度係數件,每個正溫度係數件具有7.4mm×5.2mm的大小(也就是SMD Type-2920的大小)。每個正溫度係數片以鈷-60γ射線(總劑量為150kGy)照射。
兩個作為該第一與第二導電單元3,4的鎳層分別利用焊接材料接合在其中一個正溫度係數片的該等銅箔片上。每個鎳層的長度為10.0mm,寬度為5.2mm,厚度為0.1mm。
彎折該第一導電單元3,以使該第一導電單元3包括一個第一導電構件31及一個第一導電針件32。該第一導電構件31設置在該第一電極21上且與該第一電極21電連接,並具有一個末端部311。該第一導電針件32由該第一導電構件31的末端部311往該基板5傾斜延伸,且具有一個與該第一導電構件31的末端部311相間
隔且與該基板5(例如前述提到的電路板)接觸的第一遠端321。彎折該第一導電針件32,以使該第一導電針件32形成一個第一支撐部322及一個第一延伸部323。該第一支撐部322由該第一導電構件31的末端部311往該基板5延伸,且具有該第一遠端321。該第一延伸部323由該第一支撐部322的第一遠端321傾斜延伸。
彎折該第二導電單元4,以使該第二導電單元4包括一個第二導電構件41及一個第二導電針件42。該第二導電構件41設置在該第二電極23上且與該第二電極23電連接,並具有一個末端部411。該第二導電針件42由該第二導電構件41的末端部411往該基板5傾斜延伸,且具有一個與該第二導電構件41的末端部411相間隔且與該基板5(例如前述提到的電路板)接觸的第二遠端421。彎折該第二導電針件42,以使該第二導電針件42形成一個第二支撐部422及一個第二延伸部423。該第二支撐部422由該第二導電構件41的末端部411往該基板5延伸,且具有該第二遠端421。該第二延伸部423由該第二支撐部422的第二遠端421傾斜延伸。
經前述步驟後,獲得一個形狀如圖2且安裝在一個電路板(也就是該基板5)的正溫度係數電路保護裝置的測試樣品。從該第一導電構件31至該第一遠端321的第一站立高度(H1)為0.11mm。從該第一導電構件31至該第二遠端421的第二站立高度(H2)為0.11mm。也就是說,該第一導電構件與該電路板5的距離為0.11
測試該實施例1(E1)的測試樣品的電特性後,所得結果如表1所示。
<實施例2(E2)>
製備實施例2(E2)的正溫度係數電路保護裝置的步驟與條件與該實施例1相似,其差別在於,該第一延伸部323及該第二延伸部423是朝彼此延伸。參閱圖3,說明實施例2(E2)的正溫度係數電路保護裝置。
測試該實施例2(E2)的測試樣品的電特性後,所得結果如表1所示。
<實施例3、5及7(E3、E5及E7)>
製備實施例3、5及7(E3、E5及E7)的正溫度係數電路保護裝置的步驟與條件與該實施例1相似(具有圖2的形狀),其差別在於,實施例3的第一與第二站立高度(H1,H2)為0.2mm,實施例5的第一與第二站立高度(H1,H2)為1.0mm,實施例7的第一與第二站立高度(H1,H2)為2.0mm。
測試該實施例3、5及7(E3、E5及E7)的測試樣品的電特性後,所得結果如表1所示。
<實施例4、6及8(E4、E6及E8)>
製備實施例4、6及8的正溫度係數電路保護裝置的步驟
與條件與該實施例2相似(具有圖3的形狀),其差別在於,實施例4的第一與第二站立高度(H1,H2)為0.2mm,實施例6的第一與第二站立高度(H1,H2)為1.0mm,實施例8的第一與第二站立高度(H1,H2)為2.0mm。
測試該實施例4、6及8(E4、E6及E8)的測試樣品的電特性後,所得結果如表1所示。
<比較例1(CE1)>
參閱圖1,比較例1的正溫度係數電路保護裝置,該第一與第二導電部14,15透過該等電鍍層18直接接合在該作為基板9的電路板上。該比較例1的正溫度係數電路保護裝置的製備方法如下。
將10.25g高密度聚乙烯(作為未經接枝的烯烴系聚合物;購自台灣塑膠;型號HDPE9002)、10.25g經馬來酸酐接枝的高密度聚乙烯(作為經羧酸酐接枝的烯烴系聚合物;購自杜邦;型號MB100D)及29.5g碳黑(作為粒狀導電填料;購自Columbian Chemicals Co.;型號Raven 430UB)於混合機(Brabender)中進行混合押出(混合時間10min;混合溫度200℃;攪拌速度30rpm)後,得到一個複合混合物。
熱壓該複合混合物,以形成一個厚度0.35mm的正溫度係數聚合物層22薄片。其中,熱壓溫度為200℃,熱壓時間為4分鐘,熱壓壓力為80kg/cm2。
第一與第二銅箔片分別接合在該正溫度係數聚合物層13薄片的該第一與第二表面131,132,並於200℃與80kg/cm2下熱壓4分鐘,以形成厚度為0.42mm且為三明治結構的正溫度係數層合體。裁切該正溫度係數層合體成多個正溫度係數件,每個正溫度係數件具有7.4mm×5.2mm的大小(也就是SMD Type-2920的大小)。每個正溫度係數片以鈷-60γ射線(總劑量為150kGy)照射。
兩個塗覆金屬層(作為第一與第二導電連接件16,17)的半圓形導電洞形成在其中一個正溫度係數片的兩相反側。於該第一與第二銅箔片分別電鍍上一層電鍍層18。該等電鍍層18與該第一及第二銅箔片利用蝕刻方法形成兩個槽(第一及第二槽19,19'),使該正溫度係數聚合物層13暴露出來。進行蝕刻後,該第一銅箔片分為一個第一電極部11及一個與該第一電極部11相間隔的第一導電部14。該第二銅箔片分為一個第二電極部12及一個與該第二電極部12相間隔的第二導電部15。該第一電極部11與該第二導電部15透過該第一導電連接件16電連接且與該第二電極部12絕緣。該第二電極部12與該第一導電部14透過該第二導電連接件17電連接且與該第一電極部11絕緣。通過前述方法即可製得比較例1(CE1)的測試樣品。
測試該比較例1(CE1)的測試樣品的電特性後,所得結果如表1所示。
<比較例2(CE2)>
製備比較例2(CE2)的正溫度係數電路保護裝置的步驟與條件與該實施例1相似,其差別在於,比較例2的第一與第二站立高度(H1,H2)為0.08mm。
測試該比較例2(CE2)的測試樣品的電特性後,所得結果如表1所示。
<表現(performance)測試>
表面溫度(surface temperature)測試
針對實施例1~8與比較例1~2的正溫度係數電路保護裝置的測試樣品進行表面溫度測試,以決定每個測試樣品的表面溫度。
在本實驗中,實施例1~8與比較例1~2的每個正溫度係數
電路保護裝置跳脫(trip)後,量測每個正溫度係數電路保護裝置的表面溫度10分鐘。本實驗是在25℃下,以16V的固定直流電壓與5A電流進行。實施例1~8與比較例1~2分別取十個測試樣品進行前述測試,十個測試樣品所計算出的平均值如表2所示。
如表2所示,實施例1~8的表面溫度(105~111.5℃)皆低於比較例1~2的表面溫度(116.2℃及115.6℃),也就是說本發明的正溫度係數電路保護裝置能有效散熱。
開關週期(switching cycle)測試
實施例1~8與比較例1~2的正溫度係數電路保護裝置的測試樣品皆進行開關週期測試。
本開關週期測試的每一個測試週期是在16V直流電壓與100A電流下,接通電路60秒後,再關閉電路60秒,而本實驗共進行6000次前述測試週期。量測每個測試樣品於進行6000次測試週期前的電阻(Ri)與進行6000次測試週期後的電阻(Rf),並計算實施例1~8與比較例1~2的每個測試樣品的平均電阻變化率百分比(Rf/Ri×100%)。本開關週期測試的結果如表2所示。
表2顯示,實施例1~8的測試樣品的平均電阻變化率百分比(2440%~3235%)皆低於比較例1~2的平均電阻變化率百分比(4994%及4906%)。
老化(aging)測試
實施例1~8與比較例1~2的正溫度係數電路保護裝置的測試樣品皆進行老化測試。本老化測試是於16V的直流電壓與100A的電流下,分別對實施例1~8與比較例1~2所得的正溫度係數電路保護裝置持續通電1000小時。量測每個測試樣品通電1000小時前的電阻(Ri)與通電1000小時後的電阻(Rf),並計算實施例1~8與比較例1~2的每個測試樣品的平均電阻變化率百分比(Rf/Ri×100%)。本老化測試的結果如表2所示。
結果顯示,實施例1~8的平均電阻變化率百分比(367%~531%)遠低於比較例1~2的平均電阻變化率百分比(760%及796%),說明本發明的正溫度係數電路保護裝置具有較佳的穩定性。
綜上所述,本發明正溫度係數電路保護裝置由於具有該
第一與第二站立高度(H1,H2),因而能減少現有裝置的散熱問題,且正溫度係數電路保護裝置的表面溫度也能大幅減少,因此,本發明正溫度係數電路保護裝置的穩定性能被增進,故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者,僅為本發明的實施例而已,當不能以此限定本發明實施的範圍,凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
2‧‧‧聚合物正溫度係數元件
21‧‧‧第一電極
22‧‧‧正溫度係數聚合物層
221,222‧‧‧面
23‧‧‧第二電極
3‧‧‧第一導電單元
31‧‧‧第一導電構件
311‧‧‧末端部
32‧‧‧第一導電針件
321‧‧‧第一遠端
322‧‧‧第一支撐部
323‧‧‧第一延伸部
4‧‧‧第二導電單元
41‧‧‧第二導電構件
411‧‧‧末端部
42‧‧‧第二導電針件
421‧‧‧第二遠端
422‧‧‧第二支撐部
423‧‧‧第二延伸部
5‧‧‧基板
H1‧‧‧第一站立高度
H2‧‧‧第二站立高度
Claims (12)
- 一種正溫度係數電路保護裝置,適用於安裝在一個基板上,包含: 一個聚合物正溫度係數元件,包括: 一個正溫度係數聚合物層,具有兩個相反面,及 一個第一電極及一個第二電極,分別設置在該正溫度係數聚合物層的兩個相反面上; 一個第一導電單元,包括: 一個第一導電構件,設置在該第一電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第一電極電連接,並具有一個末端部,及 一個第一導電針件,由該第一導電構件的末端部往該基板延伸,且具有一個與該第一導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第一遠端,其中,從該第一導電構件至該第一遠端的第一站立高度不小於0.1 mm;及 一個第二導電單元,包括: 一個第二導電構件,設置在該第二電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第二電極電連接,並具有一個末端部,及 一個第二導電針件,由該第二導電構件的末端部往該基板延伸,且具有一個與該第二導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第二遠端,其中,從該第一導電構件至該第二遠端的第二站立高度不小於0.1 mm。
- 如請求項1所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該第一站立高度與該第二站立高度的範圍分別為0.2 mm至2.0 mm。
- 如請求項2所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該第一站立高度與該第二站立高度的範圍分別為1.0 mm至2.0 mm。
- 如請求項1所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該第一導電構件與該第一導電針件為一體成型,該第二導電構件與該第二導電針件為一體成型。
- 如請求項1所述的正溫度係數電路保護裝置,其中, 該第一導電針件包括: 一個第一支撐部,由該第一導電構件的末端部往該基板延伸,且具有該第一遠端,及 一個第一延伸部,由該第一支撐部的第一遠端傾斜延伸;及 該第二導電針件包括: 一個第二支撐部,由該第二導電構件的末端部往該基板延伸,且具有該第二遠端,及 一個第二延伸部,由該第二支撐部的第二遠端傾斜延伸。
- 如請求項5所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該第一支撐部是相對於該第一導電構件的末端部傾斜,該第二支撐部是相對於該第二導電構件的末端部傾斜。
- 如請求項1所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該第一導電單元與該第二導電單元皆是由鎳所製成。
- 如請求項1所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該正溫度係數聚合物層包括一個聚合物基質及一個分散於該聚合物基質間的粒狀導電填料,該聚合物基質具有未經接枝的烯烴系聚合物。
- 如請求項8所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該聚合物基質還具有經羧酸酐接枝的烯烴系聚合物。
- 如請求項8所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該粒狀導電填料是選自於碳黑、金屬、導電陶瓷或前述的組合。
- 如請求項1所述的正溫度係數電路保護裝置,其中,該第一電極與該第二電極皆為鍍鎳的銅箔。
- 一種適用於安裝在一個基板上的正溫度係數電路保護裝置的製備方法,包含下列步驟: 提供一個聚合物正溫度係數元件,該聚合物正溫度係數元件包括一個具有兩個相反面的正溫度係數聚合物層、分別設置在該正溫度係數聚合物層的兩個相反面上的一個第一電極與一個第二電極; 設置一個第一導電單元在該第一電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上; 彎折該第一導電單元,以使該第一導電單元包括一個第一導電構件及一個第一導電針件,該第一導電構件設置在該第一電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第一電極電連接,並具有一個末端部,該第一導電針件由該第一導電構件的末端部往該基板傾斜延伸,且具有一個與該第一導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第一遠端,其中,從該第一導電構件至該第一遠端的第一站立高度不小於0.1 mm; 設置一個第二導電單元在該第二電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上;及 彎折該第二導電單元,以使該第二導電單元包括一個第二導電構件及一個第二導電針件,該第二導電構件設置在該第二電極相反於該正溫度係數聚合物層的一側上且與該第二電極電連接,並具有一個末端部,該第二導電針件由該第二導電構件的末端部往該基板傾斜延伸,且具有一個與該第二導電構件的末端部相間隔且與該基板接觸的第二遠端,其中,從該第一導電構件至該第二遠端的第二站立高度不小於0.1 mm。
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