TWI700862B - 迴圈式雙天線系統 - Google Patents

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張偉軒
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Abstract

本案提供一種迴圈式雙天線系統，包含一具有相對之第一表面及第二表面之介質基板。一迴圈輻射部位於介質基板之第一表面，並包含具有二末端的第一輻射部及其相對之第二輻射部。第一訊號源位於介質基板的第一表面並電性連接第一輻射部的二末端。接地部位於介質基板的第二表面且位於遠離第一訊號源的介質基板一側邊。耦合匹配部位於介質基板的第二表面且鄰近接地部，用以耦合激發第二輻射部。第二訊號源位於介質基板的第二表面，且電性連接耦合匹配部及接地部。

Description

迴圈式雙天線系統
本案係有關一種迴圈式雙天線系統。
隨著5G通訊的發展趨勢，未來的5G通訊將需要更高的數據速率和更穩定的訊號品質，因此，多輸入多輸出（MIMO）成為5G操作技術核心之一，天線設計空間也會不斷縮小。而要將多天線嵌入有限的空間內，這也將導致隔離度惡化和輻射效率受影響。
以雙天線結構為例，為了提升雙天線之間的隔離度，一般都會將雙天線單元間距加大，或是在雙天線單元之間加入去耦合（decoupling）元件，例如電阻連接元件或是電容連接元件等，以提升雙天線單元之間的隔離度。而這些雙天線結構都可為平面結構，且雙天線單元的末端通常都維持開放結構，無植入任何元件。在去耦合元件的設計上，還是獨立在天線單元的主要輻射體之外，除了與雙天線單元的整合度較低，雙天線單元之間的距離也會因為多了去耦合元件，而增加雙天線結構的整體尺寸。
本案提供一種迴圈式雙天線系統，迴圈式雙天線系統包含包含介質基板、迴圈輻射部、第一訊號源、接地部、耦合匹配部及第二訊號源。介質基板包含相對之一第一表面及一第二表面。迴圈輻射部位於介質基板之第一表面，並包含具有二末端的第一輻射部及其相對之第二輻射部。第一訊號源位於介質基板的第一表面並電性連接第一輻射部的二末端。接地部位於介質基板的第二表面且位於遠離第一訊號源的介質基板一側邊。耦合匹配部位於介質基板的第二表面且鄰近接地部，用以耦合激發第二輻射部。第二訊號源位於介質基板的第二表面，且電性連接耦合匹配部及接地部。
綜上所述，本案之迴圈式雙天線系統藉由二訊號源共用迴圈輻射部的結構設計，有效縮小雙天線系統的整體尺寸，且其中一訊號源激發所產生的電流零點會位於另一訊號源激發時的電流強點位置，故可增加雙天線之間的隔離度，使迴圈式雙天線系統同時具有單一天線尺寸以及良好的輻射特性之優點。
圖1係為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的結構示意圖，圖2為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的俯視圖，圖3為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的底視圖，請同時參閱圖1、圖2及圖3所示，一迴圈式天線系統10包含一介質基板12、一迴圈輻射部14、一第一訊號源16、一接地部18、一耦合匹配部20以及一第二訊號源22。介質基板12包含相對之一第一表面121及一第二表面122，在介質基板12的第一表面121上設置迴圈輻射部14及第一訊號源16，在介質基板12的第二表面122上則設置接地部18、耦合匹配部20及第二訊號源22。
在此迴圈式天線系統10中，介質基板12係具有二相對之第一長邊123及第二長邊124。迴圈輻射部14包含具有二末端143、144的第一輻射部141及與第一輻射部141相對的第二輻射部142，此第一輻射部141係靠近介質基板12的第一長邊123，第二輻射部142靠近介質基板12的第二長邊124，且第一輻射部141與第二輻射部142係共同形成一迴圈形狀。在一實施例中，此迴圈形狀係為一體成型之長方形的結構設計。
第一訊號源16係位於介質基板12的第一表面121，且電性連接於第一輻射部141之二末端143、144之間。在一實施例中，由於該二末端143、144位在第一輻射部141幾何中心，因此第一訊號源16恰好位於第一輻射部141之中心位置。
接地部18係位於介質基板12的第二表面122，且位於遠離第一訊號源16的之介質基板12的一側邊。在一實施例中，介質基板12的側邊包含第一長邊123及第二長邊124，接地部18位於介質基板12的第二長邊124的邊緣。耦合匹配部20則位於介質基板12第二表面122且鄰近接地部18，耦合匹配部20的長度方向係平行第二長邊124，使耦合匹配部20與接地部18保持一適當間隔。位於介質基板12第二表面122的第二訊號源22電性連接耦合匹配部20及接地部18，使第二訊號源22透過耦合匹配部20來耦合激發第二輻射部142。
在一實施例中，第一訊號源16位於第一輻射部141，第一訊號源16相鄰第二訊號源22，且第一訊號源16的位置係為第二訊號源22被激發時所產生的第二電流零點的位置。詳細而言，第一訊號源16位於第一輻射部141中心位置，且此第一輻射部141的中心位置為第二訊號源22被激發時所產生的第二電流零點的位置。第二訊號源22係與第二輻射部142在介質基板12的第二表面122的垂直投影具有至少部分重疊，且第二訊號源22的位置即為第一訊號源16被激發時所產生的第一電流強點的位置。
在一實施例中，迴圈式雙天線系統10的整體天線高度範圍係介於天線系統操作頻帶的0.024倍波長～0.056倍波長（0.024λ～0.056λ）之間。
在一實施例中，在迴圈式雙天線系統10中，如以第一訊號源16及第二訊號源22之連線為中心軸，則位於介質基板12第一表面121之迴圈輻射部14以及位於介質基板12第二表面122之耦合匹配部20與接地部18係為左右互相對稱之結構設計。
在一實施例中，迴圈輻射部14、耦合匹配部20及接地部18可以是導電性材料製成，例如銅、銀、鋁、鐵或是其合金等，但不限於此。
圖4為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統裝設在系統接地面的結構示意圖，請同時參閱圖1至圖4所示，接地部18更電性連接至一系統接地面32，系統接地面32係位於介質基板12之第二長邊124的側邊。在一實施例中，系統接地面32可為獨立之一金屬片，或是貼附於一電子裝置之金屬平面，例如，系統接地面32可為電子裝置的金屬機殼接地部或是電子裝置的塑膠機殼內部的金屬部，但不限於此。其中，所繪製的系統接地面32的尺寸僅為示意，系統接地面32的尺寸可隨著迴圈式天線系統10之應用而改變。
相鄰之第一訊號源16及第二訊號源22分別位於介質基板12的第一表面121及第二表面122，並共用迴圈輻射部14。第一訊號源16直接電性連接迴圈輻射部14，以直接饋入訊號至迴圈輻射部14。第二訊號源22則是在第一訊號源16的訊號饋入迴圈輻射部14時，透過耦合匹配部20與迴圈輻射部14耦合所形成的分布式電容式耦合訊號源。因此，由上述可知，第一訊號源16與第二訊號源22均共用同一迴圈輻射部14，且將各別於低頻操作頻帶產生一個波長的共振模態。在一實施例中，前述之低頻操作頻帶可為涵蓋2.4～2.5 GHz的操作頻帶。
當第一訊號源16與第二訊號源22被激發時，迴圈式雙天線系統10會產生一個波長的共振模態，並於共振路徑上產生二個零點。詳言之，請參閱圖5所示，當第一訊號源16激發時，迴圈輻射部14表面電流會產生二個第一電流零點24、24’，分別位於第一輻射部141及第二輻射部142二側相連接之位置。請參閱圖6所示，當第二訊號源22激發時，迴圈輻射部14表面電流也會產生二個第二電流零點26、26’，分別位於第一輻射部141及第二輻射部142的幾何中心位置。其中，請同時參閱圖5及圖6所示，第一訊號源16被激發所產生的二第一電流零點24、24’會位於第二訊號源22被激發時之二第二電流強點30、30’的位置，第二訊號源22被激發所產生的二第二電流零點26、26’會位於第一訊號源16被激發時之二第一電流強點28、28’的位置，藉此，此迴圈式雙天線系統10的隔離度可大幅提昇。同時，迴圈式雙天線系統10的二輻射場型也可以達到極化正交特性。
在一實施例中，圖7為根據本案另一實施例之迴圈式雙天線系統的結構示意圖，請參閱圖7所示，在此迴圈式雙天線系統10中，迴圈輻射部14係具有不同之實施態樣。在介質基板12第一表面121的迴圈輻射部14係為一橢圓形之迴圈設計，迴圈輻射部14包含具有二末端143、144的第一輻射部141及與第一輻射部141相對的第二輻射部142，第一輻射部141係靠近介質基板12的第一長邊123，第二輻射部142靠近介質基板12的第二長邊124，第一訊號源16電性連接於第一輻射部141之二末端143、144之間。除了迴圈輻射部14之形狀設計不同之外，其餘結構與作動係與圖1所示之實施例相同，故於此不再贅述。其中，迴圈輻射部14之迴圈形狀可依實際需求而有不同形狀之設計，並不限於圖2所示之長方形以及圖7所示之橢圓形。
請參閱圖1至圖4所示，迴圈式雙天線系統10的實際整體尺寸之長度為40毫米，寬度為5毫米，天線面積為200平方毫米，比業界常用之單天線所佔面積300～320平方毫米還小，僅利用單天線的空間即可達成雙天線系統，實為一小尺寸的雙天線系統之結構設計。具體言之，由第一輻射部141及第二輻射部142形成之迴圈輻射部14之長度為40毫米，高度為4.5毫米，耦合匹配部20的長度為10毫米，可作為優化天線2.4 GHz頻段的阻抗匹配，且第一訊號源16與第二訊號源22間的距離係為2毫米。
圖8為根據本案之迴圈式雙天線系統一實施例的S參數模擬示意圖，請同時參閱圖1至圖4及圖8所示，為證明本案提出之迴圈式雙天線系統10確實具有良好的隔離效果，以前述尺寸之迴圈式雙天線系統10於射頻訊號傳輸時，進行S參數的模擬。在低頻操作頻帶（2.4 GHz）時，其S參數模擬結果如圖8所示，於圖式下方的隔離度曲線（S21）於操作頻帶內均小於-30 dB，且天線共振頻帶返回損失（S11、S22）皆小於-10 dB，所以在低頻操作頻帶具有良好的隔離度。因此，本案之迴圈式雙天線系統10在單頻操作頻帶下均具有良好的隔離度。
綜上所述，為了解決雙天線之間隔離度的問題，本案之迴圈式雙天線系統藉由第一訊號源及第二訊號源共用迴圈輻射部的結構設計，有效縮小迴圈式雙天線系統的整體尺寸，且第一訊號源激發所產生的電流零點會位於第二訊號源激發時的電流強點位置，反之亦然，故可增加天線之間的隔離度，使迴圈式雙天線系統同時具有單一天線尺寸以及良好的輻射特性等之優點，非常適合應用在具有小尺寸多天線的電子裝置產品中。
以上所述之實施例僅係為說明本案之技術思想及特點，其目的在使熟悉此項技術者能夠瞭解本案之內容並據以實施，當不能以之限定本案之專利範圍，即大凡依本案所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本案之申請專利範圍內。
10:迴圈式雙天線系統 12:介質基板 121:第一表面 122:第二表面 123:第一長邊 124:第二長邊 14:迴圈輻射部 141:第一輻射部 142:第二輻射部 143:末端 144:末端 16:第一訊號源 18:接地部 20:耦合匹配部 22:第二訊號源 24、24’:第一電流零點 26、26’:第二電流零點 28、28’:第一電流強點 30、30’:第二電流強點 32:系統接地面
圖1為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的結構示意圖。 圖2為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的俯視圖。 圖3為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的底視圖。 圖4為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統裝設在系統接地面的結構示意圖。 圖5為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的第一訊號源的電流分布示意圖。 圖6為根據本案一實施例之迴圈式雙天線系統的第二訊號源的電流分布示意圖。 圖7為根據本案另一實施例之迴圈式雙天線系統的結構示意圖。 圖8為根據本案之迴圈式雙天線系統一實施例的S參數模擬示意圖。
10:迴圈式雙天線系統
12:介質基板
121:第一表面
123:第一長邊
124:第二長邊
14:迴圈輻射部
141:第一輻射部
142:第二輻射部
143:末端
144:末端
16:第一訊號源
18:接地部
20:耦合匹配部
22:第二訊號源

Claims (10)

  1. 一種迴圈式雙天線系統，包含： 一介質基板，包含相對之一第一表面及一第二表面； 一迴圈輻射部，位於該介質基板之該第一表面，該迴圈輻射部包含一具有二末端的第一輻射部及其相對之一第二輻射部； 一第一訊號源，位於該介質基板的該第一表面，並電性連接該第一輻射部的該二末端； 一接地部，位於該介質基板的該第二表面且位於遠離該第一訊號源的該介質基板一側邊； 一耦合匹配部，位於該介質基板的該第二表面且鄰近該接地部，用以耦合激發該第二輻射部；以及 一第二訊號源，位於該介質基板的該第二表面，且電性連接該耦合匹配部及該接地部。
  2. 如請求項1所述之迴圈式雙天線系統，其中該第一訊號源係相鄰該第二訊號源，該第一訊號源位於該第一輻射部，且該第二訊號源係與該第二輻射部在該介質基板的該第二表面的垂直投影具有至少部分重疊。
  3. 如請求項2所述之迴圈式雙天線系統，其中該第一訊號源係位於該第一輻射部之中心位置。
  4. 如請求項1所述之迴圈式雙天線系統，其中該第一訊號源的位置為該第二訊號源被激發時所產生的一第二電流零點的位置，且該第二訊號源的位置為該第一訊號源被激發時所產生的一第一電流強點的位置。
  5. 如請求項4所述之迴圈式雙天線系統，其中該第一訊號源被激發所產生的二第一電流零點會位於該第二訊號源被激發時之二第二電流強點的位置；以及該第二訊號源被激發所產生的二該第二電流零點會位於該第一訊號源被激發時之二該第一電流強點的位置。
  6. 如請求項1所述之迴圈式雙天線系統，其中該第一訊號源直接電性連接該迴圈輻射部，以直接饋入一訊號至該迴圈輻射部。
  7. 如請求項6所述之迴圈式雙天線系統，其中該第二訊號源為該第一訊號源的該訊號饋入該迴圈輻射部時，透過該耦合匹配部與該迴圈輻射部耦合所形成的一分布式電容式耦合訊號源。
  8. 如請求項1所述之迴圈式雙天線系統，其中該接地部更連接至一系統接地面。
  9. 如請求項1所述之迴圈式雙天線系統，其中該耦合匹配部的長度方向平行於該側邊。
  10. 如請求項1所述之迴圈式雙天線系統，其中該迴圈式雙天線系統的高度範圍為低頻操作頻帶的0.024倍波長～0.056倍波長。
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