TWI700758B

TWI700758B - 矽晶圓的檢查方法、檢查裝置、製造方法

Info

Publication number: TWI700758B
Application number: TW108120855A
Authority: TW
Inventors: 浅利昌弘; 内野智勝
Original assignee: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司
Priority date: 2018-07-09
Filing date: 2019-06-17
Publication date: 2020-08-01
Also published as: TW202006850A; JP6922860B2; JP2020009924A

Abstract

本發明的目的在於提供可以精確判定矽晶圓的缺陷形狀之矽晶圓的檢查方法及檢查裝置以及高品質的矽晶圓製造方法。本發明的矽晶圓的檢查方法，包括攝影步驟，拍攝矽晶圓的端面部圖像；缺陷辨識步驟，根據拍攝的上述圖像，辨識缺陷；第1算出步驟，算出拍攝的上述圖像在平面視中對於辨識的上述缺陷的短軸長度B之長軸長度A的既定關係；以及判定步驟，根據算出的上述既定關係，判定上述缺陷的形狀。本發明的矽晶圓檢查裝置，包括攝影部，拍攝矽晶圓的端面部圖像；缺陷辨識部，根據拍攝的上述圖像，辨識缺陷；第1算出部，算出拍攝的上述圖像在平面視中對於辨識的上述缺陷的短軸長度B之長軸長度A的既定關係；以及判定部，根據算出的上述既定關係，判定上述缺陷的形狀。本發明的磊晶晶圓的製造方法，包含檢查步驟，根據上述的矽晶圓檢查方法，檢查矽晶圓，判定是否滿足既定的品質基準。

Description

矽晶圓的檢查方法、檢查裝置、製造方法

本發明係關於矽晶圓的檢查方法、檢查裝置、製造方法。

矽晶圓的外周部，常形成指示特定結晶方向的槽口。例如，結晶面是(100)面的矽晶圓中形成指示<110>方向等的槽口。此槽口，在晶圓製造步驟中，調整生長的單結晶矽鑄錠直徑後，例如透過往鑄錠的軸方向移動磨石形成。

如上述形成的槽口及其近旁的區域(以下，稱作「槽口部」)，在元件形成步驟的熱處理時容易集中熱應力。製造矽晶圓時，在槽口的形成、端面的倒角、表面研磨時等，難以除去附著在槽口端面的異物或形成的傷痕，由於元件形成步驟在熱處理時的熱應力，有可能產生位移或滑脫。

相對於此，作為缺陷的檢查方法，例如，專利文件1中，提議計算攝影部拍攝的缺陷畫素數，藉由得到超過設定的臨界值的缺陷畫素作為缺陷圖案，檢查缺陷。此方法中，比較得到的缺陷圖案與預定的缺陷形狀圖案，這些一致時，判定上述缺陷形狀圖案的缺陷存在。尤其，作為有關檢查槽口部的文件，例如舉出文件2。

[先行技術文件] [專利文件]

[專利文件1]日本特開平10-320532號公報 [專利文件2]日本特開2016-178298號公報

[發明所欲解決的課題]

不過，專利文件1中記載的手法中，為了辨識缺陷圖案，需要與既存的缺陷圖案比較判定的處理，因此，作為比較對象，必須預先記憶缺陷圖案。因此，專利文件1的手法中，有對未知的缺陷形狀不能判定的情況產生之問題。於是，不只是矽晶圓的槽口部的檢查，檢查矽晶圓的端面等的情況下也會產生這樣的問題。又專利文件2中，雖然進行切屑的檢查，但不是根據圖像處理進行缺陷分類。

於是，本發明的目的在於提供可以精確判定矽晶圓的缺陷形狀之矽晶圓的檢查方法及檢查裝置以及高品質的矽晶圓製造方法。 [用以解決課題的手段]

本發明的主旨構成，如下述。本發明的矽晶圓的檢查方法，其特徵在於包括：攝影步驟，拍攝矽晶圓的端面部圖像；缺陷辨識步驟，根據拍攝的上述圖像，辨識缺陷；第1算出步驟，算出拍攝的上述圖像在平面視中對於辨識的上述缺陷的短軸長度B之長軸長度A的既定關係；以及判定步驟，根據算出的上述既定關係，判定上述缺陷的形狀。在此，所謂「矽晶圓的端面部」，意味矽晶圓的側面圖中形成側面(垂直於矽晶圓的主面(正面及背面))的端面以及傾斜連接矽晶圓的主面(正面及背面)與上述端面的倒角部。又，「矽晶圓的端面部」中，也包含形成槽口的端面及倒角部。因此，如果是槽口部的話，端面以側面視，對於從矽晶圓的中心往外周端面的方向也可能是斜的，又，倒角部，也有可能以複數的面形成。又，所謂「長軸的長度A」以及「短軸的長度B」，係指拍攝的圖像在平面視中，以平行的2軸夾住缺陷的外輪廓時，2軸間的距離分別成為最大及最小時的上述距離。

本發明的矽晶圓的檢查方法中，上述端面部，以上述矽晶圓的槽口部為佳。

本發明的矽晶圓檢查方法中，上述既定的關係，係以下的式： C1＊(A^α /B^β )+C2 但是，以常數C1、C2、加權係數α、β表示的關係為佳。

本發明的矽晶圓的檢查方法中，上述既定的關係係，以對上述短軸的長度B之上述長軸的長度A的比A/B，或其反數的比B/A為佳。

本發明的矽晶圓的檢查方法，更包含：第2算出步驟，掌握拍攝的上述圖像在平面視中的第1既定的一方向、上述矽晶圓的第2既定的一方向之間的關係，在上述平面視中，算出外接辨識的上述缺陷之矩形傾斜；上述判定步驟，根據在上述第1算出步驟中算出的上述既定關係及上述第2算出步驟中算出的上述傾斜，分類上述缺陷為佳。

本發明的矽晶圓的檢查裝置，其特徵在於包括：攝影部，拍攝矽晶圓的端面部圖像；缺陷辨識部，根據拍攝的上述圖像，辨識缺陷；第1算出部，算出拍攝的上述圖像在平面視中對於辨識的上述缺陷的短軸長度B之長軸長度A的既定關係；以及判定部，根據算出的上述既定關係，判定上述缺陷的形狀。

本發明的矽晶圓製造方法，其特徵在於包含檢查步驟，根據上述任一記載的矽晶圓的檢查方法，檢查矽晶圓，判定是否滿足既定的品質基準。 [發明效果]

根據本發明，可以提供精確判定矽晶圓的缺陷形狀之矽晶圓的檢查方法及檢查裝置以及高品質的矽晶圓製造方法。

以下，關於本發明的實施形態，參照圖面詳細例示說明。

>矽晶圓的檢查裝置> 首先，說明關於本發明一實施形態的矽晶圓檢查裝置。第1圖，係本發明一實施形態的矽晶圓檢查裝置的機能方塊圖。本實施形態的矽晶圓W的檢查裝置100，包括攝影部1，拍攝矽晶圓W的端面部圖像；缺陷辨識部2，根據拍攝的圖像，辨識缺陷D；第1算出部3，算出拍攝的上述圖像在平面視中對於辨識的缺陷D的短軸長度A之長軸長度B的既定關係；以及判定部4，根據算出的上述既定關係，判定上述缺陷D的形狀。

攝影部1，構成為拍攝矽晶圓W的端面部圖像。攝影部1，可以是1個以上的任意已知的攝影機(例如CCD(感光耦合元件)攝影機、CMOS(互補式金屬氧化半導體)影像感測器等)。攝影部1，拍攝矽晶圓W的端面部(有可能包含缺陷D的檢查處所)。例如，攝影部1，構成為拍攝矽晶圓W在端面部包含既定畫素數的面積圖像，並拍攝產生缺陷D的處所的反射亮度在一定以上(相較於無缺陷之處反射亮度高)的圖像。

攝影部1拍攝的矽晶圓W端面部，因此，只要是能產生缺陷D的處所即可，作為易產生缺陷D的處所，上述端面部，以矽晶圓W的槽口部為佳。又，上述端面部，也可以是矽晶圓W的端面等。

第2A圖，係用以拍攝矽晶圓的槽口部之攝影部的配置平面圖。第2B圖係用以拍攝矽晶圓的槽口部之攝影部的配置側面圖。槽口部的形狀。不是平面狀，相較於矽晶圓W的其它處所，狹窄區域中朝向多數方向的面是連續的形狀。因此，來自一方向的攝影，有可能難以拍攝全體。作為攝影部1拍攝矽晶圓W的槽口部時的範例，如第2A、2B圖所示，配置在對向槽口N的端面的位置，正面位置中1台攝影機1a與其兩鄰各一台的攝影機1b、1c以及槽口N的上下(上下垂直於矽晶圓W的主平面的方向)方向上各一台攝影機1d、1e共5台攝影機。圖示例中，攝影機1a、1b、1c，由於共同的固定具11位於相同的平面上，這些在上述平面內，以矽晶圓W的中心位置為中心，配置為鄰接的攝影機之間形成約30∘的角度。同樣地，攝影機1a、1d、1e，也由於共同的固定具11位於(與矽晶圓W的主平面平行的)相同平面上，這些在上述平面內，以矽晶圓W的中心位置為中心，配置為鄰接的攝影機之間形成約30∘的角度。上述攝影機的數量及配置，係一範例，可以清楚拍攝矽晶圓W的槽口部缺陷D的數量及配置的話，可以適當變更。又，拍攝矽晶圓W的槽口部以外的端面部時，也是只要適當設定可以清楚拍攝矽晶圓W在上述處所的缺陷D的數量及配置的話即可。攝影機1a、1b、1c，由於位於如第2A圖所示，不只是槽口部在側面視中正對的端面，也包含傾斜(對於從矽晶圓的中心向外周端面的方向傾斜)的端面，可以無死角檢查一次。在此情況下，攝影機1b、1c，配置為分別正對傾斜面。又，如第2B圖所示，攝影機1a、1d、1e，由於位於如第2B圖所示，也包含端面及倒角部，可以無死角一次檢查。加上，根據需要，透過連結以各個攝影機1a〜1e拍攝的圖像，可以更正確判定缺陷的大小。

缺陷辨識部2，構成為根據拍攝的圖像辨識缺陷D。缺陷辨識部2，從攝影部1，例如經由有線或無線等的通訊或記錄媒體等，取得拍攝的圖像。如此的通訊或記錄媒體，可以使用任意已知的通訊或記錄媒體。於是，缺陷辨識部2，可以構成為根據拍攝的圖像，例如，包含既定畫素數的面積圖像中，辨識反射亮度在一定以上的畫素為缺陷D存在的區域。在此情況下，為了可以盡量正確測量缺陷D長軸及短軸的長度，以一定以上的畫素數為佳。缺陷辨識部2，可以是任意的已知處理器等。

第1算出部3，構成為算出在拍攝圖像的平面視中對於辨識的缺陷D的短軸長度B之長軸長度A的既定關係。第1算出部3，可以是任意的已知處理器(與缺陷辨識部2相同的處理器也可以，不同的處理器也可以)等。第3A〜3C圖，係表示缺陷形狀的一範例及長軸長度A及短軸長度B的平面圖。第3A圖所示的例中，缺陷D以平面視是橢圓形，長軸長度A比短軸長度B大。第3B圖所示的例中，缺陷D以平面視是圓形，長軸長度A與短軸長度B相等(如此的情況下，哪一個稱為長軸都可以)。第3C圖所示的例中，缺陷D以平面視是正方形，長軸長度A與短軸長度B相等。例如，第1算出部3，測量辨識的缺陷D的長軸長度A與短軸長度B。於是，根據測量的長軸長度A與短軸長度B，算出對於短軸長度B之長軸長度A的既定關係。本實施形態中，上述既定的關係，係對於短軸長度B之長軸長度A的比A/B。因此，透過測量的長軸長度A除以測量的短軸長度B，求出比A/B。又，也可以以其它機能部執行上述測量，以第1算出部3執行既定關係的算出。又，例如，缺陷D以平面視是橢圓形時，利用以微分等求出外接的矩形傾斜之類，因為可以求出比A/B等，算出上述既定的關係，不限於直接測量長軸長度A或短軸長度B。

判定部4，根據算出的既定關係，判定缺陷D的形狀。本實施形態中，判定部4，根據第1算出部3算出的上述比A/B，判定缺陷D的形狀。判定部4，可以是任意已知的處理器(與缺陷辨識部2或第1算出部4相同的處理器也可以，不同的處理器也可以)等。例如，對比A/B設定臨界值，比A/B在既定的臨界值以上時，可以判定為細長形狀的缺陷D。例如，此時，可以更加判定由於刮傷形成的缺陷D。另一方面，比A/B在既定的臨界值以下時，可以判定為平面視圓形或正方形的缺陷D。例如，此時，可以更加判定附著物等引起的缺陷D。又，設定既定的臨界值2個以上，也可以更細分形狀的判定。

根據本實施形態的矽晶圓的檢查裝置，因為包括第1算出部3，算出拍攝的圖像在平面視中對辨識的缺陷D的短軸長度B之長軸長度A的既定關係(本實施形態中，比A/B)；以及判定部4，根據算出的上述既定關係，判定缺陷D的形狀；即使不預先記憶缺陷D的形狀等，根據上述既定的關係，也可以簡易且精確判定缺陷D的形狀。

本發明的矽晶圓的檢查裝置中，上述既定的關係，例如以下的式： C1＊(A^α /B^β )+C2 但是，以常數C1、C2、加權係數α、β表示的關係為佳。透過利用這樣的數式，可以簡易且精確判定缺陷D的形狀。 C1、C2、α、β等，可以適當設定，根據過去的缺陷形狀的資料等配合之類，也可以預先決定，另一方面，也可以不使用過去缺陷形狀資料等決定。又，使用過去的資料等時，對於未知的缺陷D，因為利用上述數式的結果單一算出，可以判定形狀。

本發明的矽晶圓的檢查裝置中，上述既定的關係，例如，對於短軸長度B之長軸長度A的比A/B(相當於上述數式中C1=1、C2=0、α=β=1的情況)，或者，其反數的比B/A(相當於上述數式中C1=1、C2=0、α=β=-1的情況)為佳。透過利用如此的數式，可以更簡易且精確判定缺陷D的形狀。又，本發明的矽晶圓的檢查裝置中，上述既定的關係，另外，例如，也可以是√A/B(相當於上述數式中C1=1、C2=0、α=1/2、β=1的情況)、A/√B(相當於上述數式中C1=1、C2=0、α=1、β=1/2的情況)、0.2✽A² /B+1(相當於上述數式中C1=0.2、C2=1、α=2、β=1的情況)、1.2✽A/B² -2.5(相當於上述數式中C1=1.2、C2=-2.5、α=1、β=2的情況)等。

在此，第4圖係顯示矽晶圓W的槽口部中形成的缺陷D1〜D6的部分平面圖。如第4圖所示，缺陷D1、D3、D5及D6，對矽晶圓W的主平面沿著略平行的方向形成，另一方面，缺陷D2及D4，對矽晶圓W的主平面沿著略垂直的方向形成。缺陷D，依存於加工方法(研磨布對晶圓的移動方向)，不同於形狀的異同或類似，有時其方向不同，因此，除了缺陷D的形狀，有時也要求判定方向。尤其，關於槽口部的檢查，因為經過複數的步驟形成槽口，附著的異物也不只有一種，加工時不良發生的傷痕也不只有單方向。第5A〜5C圖，係顯示缺陷形狀的一例及外接的矩形邊長X及邊長Y的平面圖。第5A〜5C圖中，與矽晶圓W的主平面平行的方向且與矽晶圓中心朝向槽口部的方向垂直的方向(x軸方向)的邊長為X，與矽晶圓W的主平面垂直的方向(y軸方向)的邊長為Y。即，拍攝的圖像在平面視中第1既定的一方向x軸方向，係與矽晶圓的第2既定的一方向(與矽晶圓W的主平面平行的方向且與矽晶圓中心朝向槽口部的方向垂直的方向)一致的關係，將此關係(例如利用第2算出部5的處理器等)掌握。又，槽口部的形狀，不是平面狀，相較於矽晶圓W的其它處所，狹窄區域中朝向多數方向的面是連續的形狀。因此，不掌握矽晶圓W的第1既定的一方向與拍攝的圖像中第2既定的一方向間的關係的話，就不能掌握缺陷D對於矽晶圓W的方向。此時，外接缺陷D的矩形傾斜，可以以Y/X表示。又，因為傾斜可以以微分等求出，不一定限於測量矩形的x軸方向的邊長X及y軸方向的邊長Y等。第5B圖，顯示相較於第5A圖，傾斜(例如，可以利用比Y/X算出)小，因此，相較於與矽晶圓W的主平面垂直的方向，與主平面平行的方向上形狀較長的缺陷。第5C圖，相較於第5A圖，傾斜(例如，可以利用比Y/X算出)大，因此，相較於與矽晶圓W的主平面平行的方向，與主平面垂直的方向上形狀較長的缺陷。第5A圖的情況下，具有第5B圖及第5C圖的缺陷中間的傾斜。

這樣，本發明的矽晶圓的檢查裝置中，更包括第2算出部5，掌握拍攝的圖像在平面視中第1既定的一方向與矽晶圓W的第2既定的一方向間的關係(例如，拍攝的圖像在平面視中的橫方向(x軸方向)與平行於矽晶圓W的主平面的方向一致的關係，或者，拍攝的圖像在平面視中的縱方向(y軸方向)與垂直於晶圓W的主平面的方向一致的關係等)，上述平面視中，算出外接辨識的缺陷D的矩形傾斜，判定部4，根據第1算出部3中算出的既定關係(上述實施形態中比A/B)及第2算出部5中算出的上述傾斜(上述例中，可以是比Y/X)，判定缺陷D的形狀為佳。根據此，除了可以更精確判定缺陷D的形狀之外，因為也可以掌握矽晶圓W中缺陷D的延伸方向，(除了形狀判定還)可以分類缺陷D。例如，在端面，與矽晶圓的主面垂直的方向的傷痕，有可能關連晶圓W的破裂，可以正確判定、檢出其缺陷。

例如，上述既定的關係及上述傾斜分別設定1個以上的臨界值，可以記憶與缺陷D的種類關係聯結的資料在判定部4中。例如，傾斜大時(第5C圖)，例如，判定為槽口形狀形成時或端面研磨時的傷痕，又，例如，傾斜小時(第5B圖)，例如，可以判定為槽口部倒角時的傷痕。

又，上述例，在平面視中，顯示x軸方向與矽晶圓W的主平面平行拍攝的範例，但拍攝的圖像在平面視中的第1既定的一方向即使在任一方向都掌握與矽晶圓W的第2既定的一方向間的關係的話，進行適當旋轉處理等也可以執行同樣的判定。

根據這樣的方法，判定缺陷D對於矽晶圓W的延伸方向，透過更詳細分類缺陷D，變得容易查明原因步驟。又，也變得可以推測對於元件形成步驟的影響。

又，即使矽晶圓的槽口部以外的端面，也可以應用相同的方法，在那情況下，也判定缺陷D對於矽晶圓W的方向，透過分類缺陷D，同樣地，變得容易查明原因步驟。又，也變得可以推測對於元件形成步驟的影響。

<矽晶圓的檢查方法>

本發明的一實施形態的矽晶圓的檢查方法，可以利用上述實施形態的矽晶圓的檢查裝置實行。關於矽晶圓的檢查裝置，與上述相同，以下省略一部分說明。

第6圖係本發明的一實施形態的矽晶圓檢查方法的流程圖。本實施形態的矽晶圓的檢查方法中，首先，以上述攝影部1，拍攝矽晶圓W的端面部圖像(拍攝步驟：步驟S101)。拍攝步驟中，如上述，矽晶圓W的端面部，只要能產生缺陷D的處所即可，矽晶圓W的任何處所都可以，但作為缺陷D容易發生的處所，上述端面部，以矽晶圓W的槽口部為佳。又，上述端面部，也可以是矽晶圓W的端面部等。

其次，如第6圖所示，本實施形態的矽晶圓的檢查方法中，利用缺陷辨識部2，根據拍攝的圖像，辨識缺陷D(缺陷辨識步驟：步驟S102)。

其次，如第6圖所示，本實施形態的矽晶圓的檢查方法中，利用第1算出部3，算出在拍攝圖像的平面視中對於辨識的缺陷D的短軸長度B之長軸長度A的既定關係(本實施形態中，比A/B)(第1算出步驟：步驟S103)。

其次，如第6圖所示，本實施形態的矽晶圓的檢查方法中，利用判定部4，根據算出的既定關係，判定缺陷D的形狀(判定步驟：步驟S104)。

如上述，例如對比A/B設定既定的臨界值，比A/B在既定的臨界值以上時，可以判定為細長形狀的缺陷D。例如，在此情況下，可以更判定為由刮傷形成的缺陷D。另一方面，比A/B在既定的臨界值以下時，可以判定為平面視圓形或正方形的缺陷D。例如，在此情況下，可以更判定為附著物等引起的缺陷D。又，設定2個以上既定的臨界值，可以更細分形狀的判定。當上述既定的關係在比A/B以外時，也可以同樣進行這些臨界值的設定等。

根據本實施形態的矽晶圓的檢查方法，因為包含第1算出步驟，算出拍攝的圖像在平面視中對於辨識的缺陷D的短軸長度B之長軸長度A的既定關係(本實施形態中，比A/B)；以及判定步驟，根據算出的上述既定關係，判定缺陷D的形狀；即使沒預先記憶缺陷形狀之類，利用上述既定的關係，也可以簡易且精確判定缺陷D的形狀。

本發明的矽晶圓的檢查方法中，上述既定的關係，例如，以下的式： C1＊(A^α /B^β )+C2 但是，以常數C1、C2、加權係數α、β表示的關係為佳。透過利用這樣的數式，可以簡易且精確判定缺陷D的形狀。 C1、C2、α、β等，可以適當設定，根據過去的缺陷形狀的資料等配合，也可以預先決定，另一方面，也可以不使用過去缺陷形狀資料等決定。又，使用過去的資料等時，對於未知的缺陷D，因為利用上述數式的結果單一算出，可以判定形狀。

本發明的矽晶圓的檢查方法中，上述既定的關係，例如，以對於短軸長度B之長軸長度A的比A/B，或者，其反數的比B/A為佳。透過利用如此的數式，可以更簡易且精確判定缺陷D的形狀。又，本發明的矽晶圓的檢查方法中，上述既定的關係，另外，例如，也可以是√A/B、A/√B、0.2✽A² /B+1、1.2✽A/B² -2.5等。

本發明的矽晶圓的檢查方法中，上述判定步驟(步驟S104)，包含第2算出步驟(步驟S103’)，掌握拍攝的圖像在平面視中第1既定的一方向與矽晶圓W的第2既定的一方向間的關係(例如，拍攝的圖像在平面視中的橫方向(x軸方向)與平行於矽晶圓W的主平面的方向且垂直於矽晶圓中心往槽口部方向的方向一致的關係，或者，拍攝的圖像在平面視中的縱方向(y軸方向)與垂直於晶圓W的主平面的方向一致的關係等)，上述平面視中，算出外接辨識的缺陷D的矩形傾斜，判定步驟(步驟S104)中，根據第1算出步驟中算出的既定關係(上述實施形態中比A/B)及第2算出步驟中算出的上述傾斜(上述例中，可以是比Y/X)，分類缺陷D為佳。藉此，可以更精確判定缺陷D的形狀之外，因為也掌握矽晶圓W中缺陷D的延伸方向，可以分類缺陷D。又，第2算出步驟(步驟S103’)，在缺陷辨識步驟(步驟S102)後、判定步驟(步驟S104)前執行，但不論與第1算出步驟(步驟S103)的前後關係，哪個先進行都可以，或者，同時進行也可以。又，第6圖中，例示第1算出步驟(步驟S103)後執行第2算出步驟(步驟S103’)的情況。

>矽晶圓的製造方法> 本實施形態的矽晶圓的製造方法，包含檢查步驟，利用上述矽晶圓的檢查方法，檢查矽晶圓W，判定是否滿足既定的品質基準。既定的品質基準，例如，可以根據缺陷D的有無、種類、形狀、個數等決定。根據本實施形態的矽晶圓的製造方法，可以提供高品質的矽晶圓的製造方法。又，提供檢查步驟的矽晶圓W，如以下所示的一例，可以利用任意已知的手法準備。例如，利用CZ法，生長單結晶矽鑄錠，將生長的單結晶鑄錠切斷成塊狀後，對於塊狀物的外周部，例如施加圓筒研削處理調整直徑，在塊狀物的外周部形成槽口部。之後，對單結晶矽鑄錠施行晶圓加工處理，得到既定直徑及厚度的矽晶圓。對於得到的矽晶圓，例如，使用倒角機，施行一次倒角處理及一次平坦化處理。之後，對於施行一次平坦化處理的矽晶圓，例如，使用上述倒角裝置，二次倒角處理以及平面研削處理，接著，對於施行平面研削處理的矽晶圓施行兩面研磨處理。其次，對於施行兩面研磨處理的矽晶圓，施行鏡面倒角處理，接著，將施行鏡面倒角處理的矽晶圓，例如，搬送至單面研磨裝置，對於矽晶圓主面施行完工研磨處理。之後，施行完工研磨處理的矽晶圓以晶圓洗淨裝置最後洗淨。

>磊晶晶圓的製造方法> 本實施形態的磊晶晶圓的製造方法，包含磊晶生長步驟，在上述檢查步驟後，上述檢查步驟中判定為滿足既定的品質基準之矽晶圓W上，生長磊晶層。生長磊晶層的手法，不特別限定，例如可以以通常的方法及條件實行。根據本實施形態的磊晶晶圓的製造方法，可以提供高品質的磊晶晶圓的製造方法。

以上，說明關於本發明的實施形態，但本發明不限定於任何上述實施形態。例如，第3A〜3C圖中，缺陷D的形狀，以平面視都具有對稱性的形狀，但這些是例示，實際缺陷D的形狀，常變形，但如上述，透過算出拍攝的圖像的平面視中對於辨識的缺陷D的短軸長度B之長軸長度A的既定關係，同樣可以判定缺陷形狀。

1‧‧‧攝影部 1a、1b、1c、1d、1e‧‧‧攝影機 2‧‧‧缺陷辨識部 3‧‧‧第1算出部 4‧‧‧判定部 5‧‧‧第2算出部 11‧‧‧固定具 100‧‧‧矽晶圓的檢查裝置 D‧‧‧缺陷 D1、D2、D3、D4、D5、D6‧‧‧缺陷 N‧‧‧槽口 W‧‧‧矽晶圓

[第1圖]係本發明的一實施形態的矽晶圓檢查裝置的機能方塊圖； [第2A圖]係用以拍攝矽晶圓的槽口部之攝影部的配置平面圖； [第2B圖]係用以拍攝矽晶圓的槽口部之攝影部的配置側面圖； [第3A圖]係顯示缺陷形狀的一例及長軸長度A及短軸長度B的平面圖； [第3B圖]係顯示缺陷形狀的一例及長軸長度A及短軸長度B的平面圖； [第3C圖]係顯示缺陷形狀的一例及長軸長度A及短軸長度B的平面圖； [第4圖]係顯示矽晶圓的槽口部中形成的缺陷D1〜D6的部分平面圖； [第5A圖]係顯示缺陷形狀的一例及外接的矩形邊長X及邊長Y的平面圖； [第5B圖]係顯示缺陷形狀的一例及外接的矩形邊長X及邊長Y的平面圖； [第5C圖]係顯示缺陷形狀的一例及外接的矩形邊長X及邊長Y的平面圖；以及 [第6圖]係本發明的一實施形態的矽晶圓檢查方法的流程圖。

1a、1b、1c‧‧‧攝影機

11‧‧‧固定具

N‧‧‧槽口

W‧‧‧矽晶圓

Claims

一種矽晶圓的檢查方法，其特徵在於包括：攝影步驟，拍攝矽晶圓的端面部圖像；缺陷辨識步驟，根據拍攝的上述圖像，辨識缺陷；第1算出步驟，算出拍攝的上述圖像在平面視中對於辨識的上述缺陷的短軸長度B之長軸長度A的既定關係；以及判定步驟，根據算出的上述既定關係，判定上述缺陷的形狀，其中，上述既定的關係，係以下的式：C1＊(A^α/B^β)+C2但是，係以常數C1、C2、加權係數α、β表示的關係。
如申請專利範圍第1項所述的矽晶圓的檢查方法，其中，上述端面部，係上述矽晶圓的槽口部。
如申請專利範圍第1或2項所述的矽晶圓的檢查方法，更包含：第2算出步驟，掌握拍攝的上述圖像在平面視中的第1既定的一方向與上述矽晶圓的第2既定的一方向之間的關係，在上述平面視中，算出外接辨識的上述缺陷之矩形傾斜；其中，上述判定步驟，根據在上述第1算出步驟中算出的上述既定關係及上述第2算出步驟中算出的上述傾斜，分類上述缺陷。
一種矽晶圓的檢查裝置，其特徵在於包括：攝影部，拍攝矽晶圓的端面部圖像；缺陷辨識部，根據拍攝的上述圖像，辨識缺陷；第1算出部，算出拍攝的上述圖像在平面視中對於辨識的上述缺陷的短軸長度B之長軸長度A的既定關係；以及判定部，根據算出的上述既定關係，判定上述缺陷的形狀，其中，上述既定的關係，係以下的式：C1＊(A^α/B^β)+C2但是，係以常數C1、C2、加權係數α、β表示的關係。
一種矽晶圓的製造方法，其特徵在於包括：檢查步驟，根據申請專利範圍第1~3項中任一項所述的矽晶圓的檢查方法，檢查矽晶圓，判定是否滿足既定的品質基準。