TWI697935B - 描繪裝置及描繪方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的實施方式提供可縮短射束照射時間的描繪裝置及描繪方法。 　　依本實施方式下的描繪裝置具備：載台，可載置處理對象；孔徑構材，具有與照射於處理對象的複數個射束對應的複數個孔徑；資料生成部，按複數個射束的個別的座標，生成將照射時間資料以n位元(n為正整數)表示的灰階資料；演算部，將個別的座標方面的灰階資料進行邏輯和演算；控制部，基於灰階資料與邏輯和演算的結果而控制孔徑構材。

Description

描繪裝置及描繪方法
本發明的實施方式涉及描繪裝置及描繪方法。
擔負半導體裝置的微細化的進展的光刻技術係半導體製程之中生成圖案的重要的程序。近年來，隨著LSI的高積體化，半導體裝置所要求的電路線寬漸趨微細化。為了形成如此的經微細化的電路圖案而使用的光罩係利用電子束描繪技術而形成。在電子束描繪技術方面係朝遮罩基底照射電子束並描繪遮罩圖案從而形成光罩。 　　例如，存在使用多重射束之下的描繪裝置。使用多重射束之下的描繪裝置比起以1個電子束進行描繪的情況，由於一次可照射多重的射束因而可使處理量提升。如此的多重射束方式的描繪裝置係將從電子槍放出的電子束以具有複數個孔的孔徑陣列成形為多重射束，就該多重射束進行遮没控制，將未被遮蔽的射束以光學系統進行縮小、偏向而往遮罩基底照射。 　　多重射束的個別的照射量係依其照射時間而個別控制。於如此的多重射束的描繪裝置，為了進一步改善處理量，期望縮短射束的照射時間。
本發明的實施方式提供可縮短射束照射時間的描繪裝置及描繪方法。 　　依本實施方式下的描繪裝置具備：載台，可載置處理對象；孔徑構材，具有與照射於處理對象的複數個射束對應的複數個孔徑；資料生成部，按複數個射束的個別的座標，生成將照射時間資料以n位元(n為正整數)表示的灰階資料；演算部，將個別的座標方面的n位元的灰階資料進行邏輯和演算；控制部，基於灰階資料與邏輯和演算的結果而控制孔徑構材。 　　依本實施方式下的描繪方法具備以下程序：按經由設於孔徑構材的複數個孔徑而照射於處理對象的複數個射束的座標，生成將照射時間資料以n位元(n係正整數)表示的灰階資料，將個別的座標方面的n位元的灰階資料進行邏輯和演算，基於灰階資料與前述邏輯演算的結果而控制孔徑構材。
(第1實施方式) 　　圖1係就第1實施方式下的描繪裝置的構成的一例進行繪示的概念圖。描繪裝置1係例如多重帶電粒子束曝光裝置，用於就在半導體裝置的製造中所使用的光刻的光罩進行描繪。本實施方式除了描繪裝置以外，亦可為曝光裝置、電子顯微鏡、光學顯微鏡等的將電子束、光等照射於處理對象的裝置。因此，作為處理對象的樣品B，除遮罩基底以外，亦可為半導體基板(矽晶圓)等。以下，樣品B當作遮罩基底B進行說明。另外，在圖1，雖為了說明第1實施方式而記載必要的構成，惟描繪裝置1具備其他構成亦無妨。 　　描繪裝置1具備描繪部10與描繪控制部20。描繪部10具備：電子鏡筒12、描繪室13。電子鏡筒12設於描繪室13之上面，透過光學系統使帶電粒子束成形。再者，電子鏡筒12使此帶電粒子束偏向而對描繪室13內的遮罩基底B照射。描繪室13係其內部成為真空狀態(減壓狀態)，收容XY載台19。於XY載台19上可載置遮罩基底B。 　　於電子鏡筒12內配置：放射部14、遮没孔徑陣列(以下，亦稱為BAA)機構15、限制部16、主偏向器17、副偏向器18。 　　放射部14放出帶電粒子束。帶電粒子束例如可為電子束、離子束等的射束。具有複數個孔徑的成形孔徑陣列機構(未圖示)使來自放射部14的帶電粒子束成形為複數個帶電粒子束(以下，亦稱為多重射束)。 　　作為孔徑構材的BAA機構15具備與多重射束中之各者對應的複數個孔徑，決定是否將該多重射束往遮罩基底B照射。亦即，BAA機構15進行多重射束的個別的遮没控制(ON/OFF控制)。例如，於遮没控制，在多重射束通過BAA機構15的孔徑之際，BAA機構15控制各射束的方向，將各射束照射於限制部16或遮罩基底B中的任一者。ON狀態指將射束照射於遮罩基底B的狀態。BAA機構15使多重射束中之一射束為ON狀態時，該射束不被限制部16遮蔽而通過，照射於遮罩基底B。另一方面，OFF狀態指將射束照射於限制部16的狀態。 　　BAA機構15使其中之一射束為OFF狀態時，該射束被限制部16遮蔽，不被照射於遮罩基底B。BAA機構15透過在遮没裝置的孔徑以電磁方式控制多重射束的各射束的方向，使各射束成為ON狀態或OFF狀態中的任一狀態。藉此，BAA機構15可個別控制多重射束的各射束往遮罩基底B照射之量(照射時間)。 　　主偏向器17及副偏向器18係為了就對於遮罩基底B的射束照擊的位置進行控制而設。 　　XY載台19在描繪時搭載遮罩基底B，可使遮罩基底B移動於大致水平面內。 　　描繪控制部20具備：光柵化計算機30、調製計算機40、高速資料傳輸部50、BAA控制部60、定位部70、照射時間控制部80、偏向控制部91、92、載台位置檢測器95。描繪控制部20的各構成能以電路等的硬體而構成，亦能以軟體而構成。以軟體而構成的情況下，可將實現描繪控制部20中的至少一部分的功能的程式儲存於CD－ROM等的記錄媒體，使電腦讀取而執行。記錄媒體不限定於磁碟、光碟等的可裝卸者，亦可為硬體裝置、記憶體等的固定型的記錄媒體。 　　作為轉換部的光柵化計算機30將由使用者預先作成的布局資料，轉換為以點表現的光柵影像。亦即，光柵化計算機30將應描繪於遮罩基底B的布局的影像資料轉換為位元圖形式的資料。 　　作為資料生成部及演算部的調製計算機40基於此位元圖資料，生成與BAA機構15的複數個孔徑中的各者對應的灰階資料。亦即，調製計算機40按通過複數個孔徑的多重射束的個別的座標而生成對應的灰階資料。此時，調製計算機40考量塗佈於遮罩基底B的抗蝕層的感度、BAA機構15的失真等而生成灰階資料。 　　灰階資料係將通過複數個孔徑的多重射束的個別的照射時間資料以n位元(n係正整數)表現的2進制數的資料。灰階資料的各位元分別與既定的照射時間對應，將n位元的照射時間總合的總照射時間為1照擊的照射時間。因此，1個灰階資料顯示照射於遮罩基底B的既定位置的1照擊的射束量。 　　再者，調製計算機40就BAA機構15的複數個孔徑的個別的n位元灰階資料進行邏輯和演算(OR演算)。關於灰階資料、邏輯和演算，之後參照圖4(A)～圖4(E)進行說明。 　　高速資料傳輸部50將BAA機構15的複數個孔徑的個別的灰階資料按位元往BAA控制部60傳輸。此時，高速資料傳輸部50基於上述OR演算的結果資料，判斷灰階資料的位元的傳輸。例如，高速資料傳輸部50在灰階資料之中第k(1≦k≦n)位元的結果資料顯示在複數個孔徑遮蔽帶電粒子束的情況下，省略該第k位元的傳輸。 　　作為控制部的BAA控制部60依從高速資料傳輸部50傳輸的複數個孔徑的個別的灰階資料的位元而控制BAA機構15。此時，BAA控制部60依從高速資料傳輸部50傳輸的位元而控制BAA機構15。 　　定位部70從調製計算機40接收各孔徑的座標資料、灰階資料的各位元的照射時間、OR演算的結果資料。定位部70基於各孔徑的座標資料而控制偏向控制部91、92。偏向控制部91、92控制主偏向器17及副偏向器18而將通過BAA機構15的多重射束中的各者往遮罩基底B的既定位置照射。例如，在描繪於遮罩基底B之際，描繪裝置1使XY載台19移動於水平面內的一方向。此時，主偏向器17將多重射束定位於遮罩基底B的其中一個副區域，副偏向器18將多重射束照射於副區域內的既定位置。 　　照射時間控制部80將與灰階資料的個別的位元對應的照射時間往BAA控制部60傳輸。例如，在BAA控制部60基於灰階資料的各位元而控制BAA機構15之際，照射時間控制部80將該位元表示的照射時間往BAA控制部60傳輸。BAA控制部60依灰階資料及與各位元對應的照射時間而控制BAA機構15的各孔徑。 　　具有以上的構成的描繪控制部20能以1個電腦或CPU而構成，亦能以複數個電腦或CPU而構成。例如，光柵化計算機30、調製計算機40、高速資料傳輸部50、BAA控制部60、定位部70、照射時間控制部80、偏向器17、18及載台位置檢測器95可分別以個別的電腦或CPU而構成，亦可此等之中任意的2個以上的要素以1個電腦或CPU而構成。 　　此外，描繪控制部20的構成的一部分可配置於描繪裝置1的外部。例如，可光柵化計算機30及調製計算機40中的一方或雙方設於描繪裝置1的外部。光柵化計算機30設於外部的情況下，描繪裝置1從外部接收位元圖資料。調製計算機40設於外部的情況下，描繪裝置1從外部接收灰階資料及OR演算的結果資料。 　　再者，雖未圖示，描繪控制部20內的各要素亦可例如具備儲存灰階資料、結果資料、照射時間、座標資料、演算中途的資料等的記憶體。 　　接著，說明依本實施方式下的描繪裝置1的動作。 　　圖2係就依第1實施方式下的描繪裝置1的動作的一例進行繪示的流程圖。圖3(A)～圖3(D)係就在描繪控制部20的布局資料的處理的一例進行繪示的概念圖。另外，圖3(A)～圖3(D)係以易於理解布局資料的處理的方式而示意性顯示，有時與實際的處理不同。圖3(A)係顯示布局的影像資料。區域A1表示帶電粒子束的照射區域，區域A2表示不照射帶電粒子束的區域。 　　首先，光柵化計算機30將圖3(A)的影像資料，以與BAA機構15的孔徑的各者對應的方式進行分塊。例如，光柵化計算機30如示於圖3(B)，以10nm的網狀方式進行分塊。光柵化計算機30基於被分塊的光柵影像，如示於圖3(C)，生成布局的位元圖資料(S10)。位元圖資料係算出在圖3(B)的各分塊的射束的照射區域的比率，依該比率以各分塊的明度等進行表現。例如，在圖3(C)，整體上被照射帶電粒子束的分塊係100％，完全未照射帶電粒子束的分塊係0％。然後，一部分被照射帶電粒子束的分塊係依被照射射束的區域的比率而成為0～100％之間的比率。 　　接著，如示於圖3(D)，生成與位元圖資料對應的多重射束的個別的照射時間，生成灰階資料(S20)。實際上，灰階資料如參照圖4(A)而說明，成為以n位元表現多重射束的個別的照射時間的資料。 　　圖4(A)係就4位元的灰階資料的一例進行繪示的概念圖。另外，圖4(A)以方便的方式繪示者，故未必與圖3(D)對應。在圖4(A)，以四角形的框顯示BAA機構15的各孔徑，將各孔徑方面的射束的照射時間以各孔徑的框內的明度進行顯示。此外，於各孔徑下面，顯示其座標(x、y)。座標(x、y)與透過BAA機構15的各孔徑而成形的多重射束的個別的座標對應。在各孔徑之上係以2進制數顯示其灰階資料。例如，灰階資料於各座標(x、y)，以4位元資料顯示。 　　灰階資料的各位元資料顯示是否將通過各孔徑的帶電粒子束照射於遮罩基底B。例如，其中一孔徑的灰階資料的位元資料為「1」的情況下，透過BAA機構15，將通過該孔徑的帶電粒子束，照射於遮罩基底B。亦即，「1」表示ON狀態。此外，位元資料為「0」的情況下，透過BAA機構15，通過該孔徑的帶電粒子束不被照射於遮罩基底B。亦即，「0」表示OFF狀態。 　　此外，各座標(x、y)的灰階資料的第1～第4位元分別與不同的射束照射時間對應，透過將第1～第4位元予以組合從而表示期望的射束照射時間。關於灰階資料的第1～第4位元與分別對應的射束照射時間的關係，參照圖6(A)～圖6(D)進行說明。 　　再者，調製計算機40就BAA機構15的複數個孔徑的個別的灰階資料進行邏輯和演算(OR演算)(S30)。圖4(B)～圖4(E)係顯示灰階資料的各bit的圖。圖4(B)～圖4(E)的各位元的資料係示於與圖4(A)的座標對應的位置。圖4(B)示出第1位元的資料。圖4(C)示出第2位元的資料。圖4(D)示出第3位元的資料。圖4(E)示出第4位元的資料。 　　再者，調製計算機40就n位元的灰階資料進行OR演算。其結果如示於圖4(A)及圖4(B)般，座標(3,0)、(1,1)、(3,1)、(2,2)、(2,3)、(3,3)的灰階資料的第1位元係「1」，故OR演算的結果資料係成為「1」，第2位元係於全座標為第2邏輯「0」。因此，第2位元的OR演算的結果資料成為「0」。另一方面，除了第1位元的資料以外，第3及第4位元的資料的OR演算的結果資料成為「1」。亦即，n位元的灰階資料的OR演算的結果資料成為1,0,1,1。 　　於此，結果資料「1」表示BAA機構15的複數個孔徑之中通過任一個孔徑的射束為ON狀態且照射於遮罩基底B。另一方面，結果資料「0」係通過BAA機構15的複數個孔徑的全射束為OFF狀態，表示未照射於遮罩基底B。 　　接著，調製計算機40將灰階資料及OR演算的結果資料往高速資料傳輸部50傳輸。據此調製計算機40將與灰階資料對應的孔徑的座標資料、與灰階資料的各位元對應的照射時間、OR演算的結果資料往定位部70傳輸(S40)。 　　接著，高速資料傳輸部50基於上述OR演算的結果資料，判斷灰階資料的位元的資料的傳輸的要否(S50)。高速資料傳輸部50在灰階資料之中第k(1≦k≦n)位元的資料於全部的孔徑為OFF狀態的情況下，不進行該第k位元的資料傳輸。參照圖5(A)～圖5(D)，說明高速資料傳輸部50的動作。 　　圖5(A)～圖5(D)係就灰階資料的第1～第4位元的孔徑的狀態進行繪示的概念圖。圖5(A)示出第1位元中的BAA機構15的孔徑的狀態。圖5(B)示出第2位元中的BAA機構15的孔徑的狀態。圖5(C)示出第3位元中的BAA機構15的孔徑的狀態。圖5(D)示出第4位元中的BAA機構15的孔徑的狀態。以黑色表示的孔徑係不將射束往遮罩基底B照射而進行遮蔽(OFF狀態)。以白色表示的孔徑係使射束往遮罩基底B照射(ON狀態)。 　　TSHOT_OR顯示OR演算的結果資料。在圖5(A)～圖5(D)之例係第1、第3及第4位元的結果資料TSHOT_OR為「1」，第2位元的結果資料TSHOT_OR為「0」。如第1、第3及第4位元般結果資料TSHOT_OR為「1」的情況(S50的YES)下，高速資料傳輸部50將該第1、第3及第4位元的灰階資料往BAA控制部60傳輸(S60)。另一方面，如第2位元般在結果資料TSHOT_OR為第2邏輯「0」的情況下，高速資料傳輸部50不傳輸該第2位元資料(S70)。 　　如此般，高速資料傳輸部50於BAA機構15的全部的孔徑不將屬OFF狀態的第2位元的資料往BAA控制部60傳輸，進行省略。亦即，高速資料傳輸部50將BAA機構15的各孔徑的第1位元的資料往BAA控制部60傳輸後，將第3位元的資料往BAA控制部60傳輸。不傳輸第2位元的資料，使得不需要耗費於第2位元的射束照射時間，灰階資料整體的射束照射時間(往遮罩基底B的照射時間及往限制部16的照射時間的和)縮短。 　　另一方面，步驟S40之後，定位部70將灰階資料的各位元資料往照射時間控制部80傳輸。 　　圖6(A)～圖6(D)係就以2進制數表示的灰階資料的第1～第4位元的照射時間進行繪示的概念圖。如上述，灰階資料的第1～第4位元分別顯示射束的照射時間。圖6(A)示出與各孔徑對應的第1位元資料及照射時間。圖6(B)示出與各孔徑對應的第2位元資料及照射時間。圖6(C)示出與各孔徑對應的第3位元資料及照射時間。圖6(D)示出與各孔徑對應的第4位元資料及照射時間。例如，第1位元(亦即，最低有效位資料)為「1」的情況下，BAA機構15係10奈秒之期間，使射束為ON狀態。第2位元資料為「1」的情況下，20奈秒之期間，使射束為ON狀態。第3位元資料為「1」的情況下，40奈秒之期間，使射束為ON狀態。再者，第4位元資料為「1」的情況下，80奈秒之期間，使射束為ON狀態。灰階資料係組合如此的複數個照射時間，使得能以各種的照射時間將射束設為ON狀態。另外，灰階資料的各位元表示的照射時間不特別限定，可任意設定。 　　於此，例如，圖4(A)的孔徑的座標(0,0)、(2,1)、(3,2)、(0,3)、(1,3)的灰階資料係0,0,0,0。此情況下，與此等座標對應的孔徑係在處理第1~第4位元中的任一者之際皆使射束為OFF狀態。座標(1,0)、(0,1)的灰階資料係0,1,0,0。
此情況下，與此等座標對應的孔徑係在處理第3位元之際使射束為ON狀態，在處理第1、第2、第4位元之際使射束為OFF狀態。因此，與座標(1,0)、(0,1)對應的孔徑係40奈秒之期間，使射束往遮罩基底B照射。同樣，座標(1,1)、(3,1)、(2,3)的灰階資料係0,1,0,1。此情況下，與此等座標對應的孔徑係50奈秒(10+40奈秒)之期間，使射束往遮罩基底B照射。座標(0,2)、(1,2)的灰階資料係1,0,0,0。此情況下，與此等座標對應的孔徑係80奈秒之期間，使射束往遮罩基底B照射。座標(3,0)、(2,2)、(3,3)的灰階資料係1,1,0,1。此情況下，與此等座標對應的孔徑係130奈秒(10+40+80奈秒)之期間，使射束往遮罩基底B照射。如此般，將與灰階資料的各位元資料對應的照射時間進行組合，使得可將射束在各種的照射時間之期間，照射於遮罩基底B。
照射時間控制部80從定位部70接收與灰階資料的第1~第4位元分別對應的照射時間，往BAA控制部60傳輸。例如，在BAA控制部60基於灰階資料的各位元資料而控制BAA機構15之際，照射時間控制部80將與該位元對應的照射時間往BAA控制部60傳輸。BAA控制部60依灰階資料及與各位元對應的照射時間而控制BAA機構15的各孔徑。
例如，結果資料TSHOT_OR為「1」的情況(S50)下，將各孔徑的定位座標資料、與第1、第3及第4位元對應的照射時間資料往BAA控制部60傳輸(S60)。另一方面，結果資料TSHOT_OR為「0」的情況下，照射時間控制部80不傳輸第2位元的照射時間(S70)。如此般，於BAA機構15的全孔徑不將屬OFF狀態的第2位元的照射時間資料往BAA控制部60傳輸。亦即，將BAA機構15的各孔徑的與第1位元對應的照射時間往BAA控制部60傳輸後，將與第3位元對應的照射時間往BAA控制部60傳輸。如上述，第2位元於高速資料傳輸部50未被傳輸，故削減與示於圖6(B)之第2位元對應的照射時間。
偏向控制部91、92依與灰階資料的第1~第4位元分別對應的座標資料而控制主偏向器17及副偏向器18。
於此，結果資料TSHOT_OR為「1」的情況(S50)下，偏向控制部91、92依第1、第3及第4位元的座標資料而控制偏向器17、18(S60)。另一方面，結果資料TSHOT_OR為「0」的情況下，偏向控制部91、92省略依第2位元的座標資料之下的控制(S70)。如此般，偏向控制部91、92就於BAA機構15的全孔徑屬OFF狀態的第2位元，省略依座標資料之下的控制。亦即，偏向控制部91、92依BAA機構15的各孔徑的與第1位元對應的座標資料而控制偏向器17、18後，無視與第2位元對應的座標資料，依與第3位元對應的座標資料而控制偏向器17、18。如上述，第2位元係於高速資料傳輸部50省略傳輸，故不傳輸與第2位元對應的座標資料，使得射束照射時間係適切地縮短，可使處理量提升。 　　之後，BAA控制部60依從高速資料傳輸部50傳輸的位元資料而控制BAA機構15(S80)。 　　另外，於本實施方式，照射時間控制部80判斷照射時間的傳輸或省略，偏向控制部91、92判斷基於座標資料之下的射束的控制的要否。其中，亦可定位部70基於結果資料而判斷照射時間及座標資料的傳輸或省略。 　　圖7(A)～圖7(C)係就透過傳輸部50而傳輸的灰階資料及與其對應的照射時間進行繪示的概念圖。依本實施方式時，不傳輸與第2位元對應的座標資料，故描繪裝置1執行灰階資料的第1、第3及第4位元即可。因此，縮短灰階資料整體的射束照射時間，可使處理量提升。 　　灰階資料在BAA機構15的各孔徑方面具有按n位元之下的資料，故其資料量相當大。若調製計算機40欲就如此的大容量的灰階資料進行加工時，調製計算機40的負載變大。 　　另一方面，在依本實施方式下的描繪裝置1係高速資料傳輸部50基於OR演算的結果資料判斷不傳輸灰階資料的各位元資料，故調製計算機40除灰階資料、照射時間及座標資料的生成以外，進行每個位元的資料的OR演算即足。每個位元的資料的OR演算相較下簡單，不太會增加調製計算機40的負載。因此，依本實施方式下的描繪裝置1可在不使調製計算機40的負載增加之下，縮短整體的射束照射時間。 　　另外，與灰階資料的各位元對應的照射時間及座標資料的資料量相較下小，故就灰階資料的各位元的照射時間及座標資料，亦可調製計算機40進行加工。亦即，調製計算機40在OR演算的結果資料為「0」的情況下，亦可執行將與其對應的照射時間及座標資料進行刪除的處理。 (第2實施方式) 　　在第1實施方式係高速資料傳輸部50基於OR演算的結果資料，判斷灰階資料的位元的傳輸的要否。相對於此，在第2實施方式係BAA控制部60基於OR演算的結果資料，判斷灰階資料的位元的執行的要否。 　　亦即，BAA控制部60基於結果資料，執行或省略依灰階資料的位元之下的BAA機構15的控制。 　　此情況下，高速資料傳輸部50可無關於OR演算的結果資料，將灰階資料的全部的位元往BAA控制部60傳輸。此外，照射時間控制部80可無關於OR演算的結果資料，將與灰階資料的全部的位元對應的照射時間往BAA控制部60傳輸。 　　灰階資料之中第k位元的結果資料顯示在複數個孔徑遮蔽帶電粒子束的情況下，BAA控制部60省略依該第k位元之下的BAA機構15的控制。 　　圖8係就依第2實施方式下的描繪裝置1的動作的一例進行繪示的流程圖。 　　首先，如同第1實施方式般執行示於圖2的步驟S10～S40。 　　接著，高速資料傳輸部50將上述OR演算的結果資料及灰階資料的位元往BAA控制部60傳輸，此外照射時間控制部80將照射時間往BAA控制部60傳輸(S42)。此時，高速資料傳輸部50不判斷灰階資料的各位元的傳輸的要否。照射時間控制部80亦不判斷與灰階資料的各位元的照射時間的傳輸的要否。 　　接著，BAA控制部60基於OR演算的結果資料，判斷是否執行依灰階資料的位元及與該位元對應的照射時間之下的BAA機構15的控制(S52)。灰階資料之中第k位元的結果資料顯示在複數個孔徑遮蔽帶電粒子束的情況下，BAA控制部60省略依該第k位元之下的BAA機構15的控制。 　　例如，在圖5(A)～圖5(D)之例係如第1、第3及第4位元般結果資料TSHOT_OR為「1」的情況(S52的YES)下，BAA控制部60依第1、第3及第4位元及與該位元對應的照射時間而控制BAA機構15(S62)。另一方面，如第2位元般結果資料TSHOT_OR為「0」的情況下，BAA控制部60省略依第2位元及與該位元對應的照射時間之下的BAA機構15的控制(S72)。 　　如此般，BAA控制部60就於BAA機構15的全孔徑屬OFF狀態的第2位元，不執行BAA機構15的控制，進行省略。亦即，BAA控制部60依第1位元而控制BAA機構15的各孔徑後，無視第2位元，依第3位元進行控制。 　　此時，定位部70的動作可如同第1實施方式之動作。藉此，第2實施方式如同第1實施方式，可省略第2位元及與其對應的照射時間。因此，第2實施方式可獲得與第1實施方式同樣的功效。 (第3實施方式) 　　於第1及第2實施方式，調製計算機40進行灰階資料的OR演算。相對於此，於第3實施方式，調製計算機40求出複數個孔徑的灰階資料之中最大值(最大灰階資料)，特定比該最高有效位上位的「0」的位元。然後，高速資料傳輸部50就複數個孔徑的個別的座標的灰階資料，省略比最高有效位上位的「0」的位元資料的傳輸。換言之，高速資料傳輸部50係複數個孔徑的按座標的灰階資料之中，特定成為資料非「0」的最高有效位的第k(1≦k≦n)位元。然後，高速資料傳輸部50特定成為非「0」的最高有效位的第k位元，就比第k－1位元下位的位元資料，如同第1實施方式，進行傳輸。此時，利用高速資料傳輸部50之下的灰階資料的傳輸動作及灰階資料的傳輸的省略動作可如同第1實施方式之動作。 　　例如，圖9係就複數個灰階資料D1～D6進行繪示的圖。另外，於第3實施方式，灰階資料係方便起見設為10位元資料。灰階資料D1～D6之中最大灰階資料係D5。最大灰階資料D5的第1～第10位元之中「1」的最高有效位係表示為TSHOT_MAX的第7位元。比此最高有效位TSHOT_MAX上位的「0」的位元係以S表示的第9及第10位元。調製計算機40如此般將第8位元特定為最高有效位TSHOT_MAX，將第9及第10位元特定為位元S。 　　高速資料傳輸部50將比位元S下位(最高有效位TSHOT_MAX及比其下位)的第1～第8位元往BAA控制部60傳輸，不傳輸特定為位元S的第9及第10位元。利用高速資料傳輸部50之下的灰階資料的傳輸動作及灰階資料的傳輸的省略動作可如同第1實施方式之動作。 　　或者，BAA控制部60依比位元S下位的第1～第8位元而控制BAA機構15，省略依特定為位元S的第9及第10位元之下的BAA機構15的控制。利用BAA控制部60而進行的依灰階資料之下的BAA機構15的控制動作及其省略動作可如同第2實施方式之動作。 　　如此般，特定為位元S的上位位元的照射時間一般而言，設定為比其他下位位元的照射時間長。因此，透過省略位元S，使得可大幅縮短灰階資料整體的射束照射時間。第3實施方式進而可獲得第1或第2實施方式的功效。 　　雖就本發明之數個實施方式進行說明，惟此等實施方式係作為例示而提示者，並未意圖限定發明之範圍。此等新穎的實施方式能以其他的各種方式進行實施，在不脫離發明之要旨的範圍下，可進行各種的省略、置換、變更。此等實施方式、其變化等包含於發明之範圍、要旨等中，同時包含於申請專利範圍所記載之發明與其均等之範圍中。
1‧‧‧描繪裝置10‧‧‧描繪部12‧‧‧電子鏡筒13‧‧‧描繪室14‧‧‧放射部15‧‧‧BAA機構16‧‧‧限制部17‧‧‧主偏向器18‧‧‧副偏向器19‧‧‧XY載台20‧‧‧描繪控制部30‧‧‧光柵化計算機40‧‧‧調製計算機50‧‧‧高速資料傳輸部60‧‧‧BAA控制部70‧‧‧定位部80‧‧‧照射時間控制部91‧‧‧偏向控制部92‧‧‧偏向控制部95‧‧‧載台位置檢測器A1‧‧‧區域A2‧‧‧區域B‧‧‧遮罩基底
[圖1]就第1實施方式中的描繪裝置的構成的一例進行繪示的概念圖。 　　[圖2]就依第1實施方式之下的描繪裝置的動作的一例進行繪示的流程圖。 　　[圖3(A)～(D)]就描繪控制部中的布局資料的處理的一例進行繪示的概念圖。 　　[圖4(A)～(E)]就4位元的灰階資料的一例進行繪示的概念圖。 　　[圖5(A)～(D)]就灰階資料的第1～第4位元的孔徑的狀態進行繪示的概念圖。 　　[圖6(A)～(D)]就灰階資料的第1～第4位元的照射時間進行繪示的概念圖。 　　[圖7(A)～(C)]就省略第2位元之下的灰階資料及與其對應的照射時間進行繪示的概念圖。 　　[圖8]就依第2實施方式之下的描繪裝置的動作的一例進行繪示的流程圖。 　　[圖9]就複數個灰階資料進行繪示的圖。
1‧‧‧描繪裝置
10‧‧‧描繪部
12‧‧‧電子鏡筒
13‧‧‧描繪室
14‧‧‧放射部
15‧‧‧BAA機構
16‧‧‧限制部
17‧‧‧主偏向器
18‧‧‧副偏向器
19‧‧‧XY載台
20‧‧‧描繪控制部
30‧‧‧光柵化計算機
40‧‧‧調製計算機
50‧‧‧高速資料傳輸部
60‧‧‧BAA控制部
70‧‧‧定位部
80‧‧‧照射時間控制部
91‧‧‧偏向控制部
92‧‧‧偏向控制部
95‧‧‧載台位置檢測器
B‧‧‧遮罩基底

Claims (8)

  1. 一種描繪裝置，具備：載台，其可載置處理對象；孔徑構材，其具有與照射於前述處理對象的複數個射束對應的複數個孔徑；資料生成部，其按前述複數個射束的個別的座標，生成將照射時間資料以n位元(n為正整數)表示的灰階資料；演算部，其就按前述個別的座標的前述灰階資料進行邏輯和演算；資料傳輸部，其將按前述座標的前述灰階資料傳輸至前述控制部；和控制部，其基於前述灰階資料與前述邏輯和演算的結果而控制前述孔徑構材；前述資料傳輸部將前述灰階資料之中，前述邏輯和演算的結果非0的前述位元的資料傳輸至前述控制部。
  2. 如申請專利範圍第1項的描繪裝置，其中，前述演算部特定按前述座標的前述灰階資料之中成為資料非0的最高有效位的第k(1≦k≦n)位元，前述演算部就前述灰階資料之中第k位元及比其下位的位元分別進行前述邏輯和演算。
  3. 如申請專利範圍第1項的描繪裝置，其中，在前述灰 階資料之中第k(1≦k≦n)位元顯示在前述複數個孔徑遮蔽前述帶電粒子束的情況下，前述資料傳輸部省略前述第k位元的傳輸。
  4. 如申請專利範圍第1項的描繪裝置，其中，在前述灰階資料之中第k(1≦k≦n)位元顯示在前述複數個孔徑遮蔽前述帶電粒子束的情況下，前述控制部省略依前述第k位元之下的前述孔徑構材的控制。
  5. 如申請專利範圍第1項的描繪裝置，其中，前述演算部將前述複數個孔徑的位元的邏輯和演算，就前述灰階資料的第1~第n位元分別執行，前述資料傳輸部傳輸前述邏輯和演算的結果為第1邏輯的前述灰階資料的位元，不傳輸前述邏輯和演算的結果為第2邏輯的前述灰階資料的位元。
  6. 一種描繪方法，具備以下程序：按經由設於孔徑構材的複數個孔徑而照射於處理對象的複數個射束的座標，以資料生成部生成將照射時間資料以n位元(n係正整數)表示的灰階資料；將前述個別的座標方面的前述灰階資料以演算部進行邏輯和演算；將前述邏輯和演算的結果非0的前述位元的前述灰階資料，傳輸至控制前述孔徑構材的控制部；和 基於前述灰階資料與前述邏輯演算的結果，控制前述孔徑構材。
  7. 如申請專利範圍第6項的描繪方法，其中，於前述邏輯和演算，於演算部特定按前述座標的前述灰階資料之中成為資料非0的最高有效位的第k(1≦k≦n)位元，就前述灰階資料之中第k位元及比其下位的位元分別進行前述邏輯和演算。
  8. 如申請專利範圍第6項的描繪方法，其中，在前述灰階資料之中第k(1≦k≦n)位元的前述邏輯和演算的結果顯示在前述複數個孔徑遮蔽前述帶電粒子束的情況下，省略對控制前述孔徑構材的控制部傳輸前述第k位元。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008176093A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の制御方法、および電子機器
CN101687427A (zh) * 2007-06-25 2010-03-31 德国捷德有限公司 描绘装置
US8476606B2 (en) * 2010-07-16 2013-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Drawing apparatus and method of manufacturing article
TWI584333B (zh) * 2015-03-23 2017-05-21 Nuflare Technology Inc Charged particle beam rendering device and charged particle beam rendering method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01169553A (ja) 1987-12-24 1989-07-04 Hitachi Ltd バッファ記憶制御方式
JP3291660B2 (ja) 1992-09-22 2002-06-10 能美防災株式会社 火災報知設備
JPH06224112A (ja) 1993-01-28 1994-08-12 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光装置
JP2000021731A (ja) 1998-07-02 2000-01-21 Advantest Corp 荷電粒子ビーム露光装置
JP3562373B2 (ja) 1999-03-29 2004-09-08 富士通株式会社 ゼロ判定信号生成回路
JP4761508B2 (ja) 2005-03-16 2011-08-31 キヤノン株式会社 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法
JP2009064238A (ja) 2007-09-06 2009-03-26 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd メモリシステム
JP6097640B2 (ja) * 2013-06-10 2017-03-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6212299B2 (ja) * 2013-06-26 2017-10-11 キヤノン株式会社 ブランキング装置、描画装置、および物品の製造方法
JP6577787B2 (ja) * 2015-08-11 2019-09-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008176093A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の制御方法、および電子機器
CN101687427A (zh) * 2007-06-25 2010-03-31 德国捷德有限公司 描绘装置
US8476606B2 (en) * 2010-07-16 2013-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Drawing apparatus and method of manufacturing article
TWI584333B (zh) * 2015-03-23 2017-05-21 Nuflare Technology Inc Charged particle beam rendering device and charged particle beam rendering method

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