TWI695970B - 光學裝置、電氣裝置及被動光學元件 - Google Patents

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Abstract

一種光學裝置包括：包括一光學區域之一主動光學元件；覆蓋該主動光學元件之一封裝體；及黏附至該主動光學元件上方之該封裝體之一被動光學元件。該被動光學元件具有一光軸，且該光軸實質上與該光學區域之一中心對準。

Description

光學裝置、電氣裝置及被動光學元件
本發明係關於光學裝置、電氣裝置及被動光學元件，且更特定而言，係關於具有用於導引光束之導光部分之被動光學元件及包括該被動光學元件之光學裝置及電氣裝置。
在藉由透鏡將能量集中到感測區域上之感測器設計中，可藉由將透鏡之光軸與感測區域之中心軸對準來改良感測器之效率。然而，製造容限（Manufacturing Tolerance）常常引起此等軸線之未對準（Misalignment），從而降低感測器之靈敏度。
在一或多個實施例中，光學裝置包括：包括光學區域之主動光學元件；覆蓋該主動光學元件之封裝體；及黏附至該主動光學元件上方之該封裝體之被動光學元件。該被動光學元件具有光軸，且該光軸實質上與該光學區域之中心對準。 在一或多個實施例中，電氣裝置包括感測器，該感測器包括經組態（Configured）以偵測光束並回應性地產生電信號之感測區域。電氣裝置進一步包括電連接至該感測器並經組態以放大該電信號之放大器，及電連接至該放大器並經組態以處理該經放大之電信號之處理元件。封裝體覆蓋感測器、放大器及處理元件。被動光學元件黏附至該感測器上方之該封裝體。該被動光學元件具有光軸，且該光軸實質上與感測區域之中心對準。 在一或多個實施例中，被動光學元件包括主體，該主體包括導光部分及定位在該導光部分下方之突出部分。該被動光學元件進一步包括附接至該主體之支撐結構。支撐結構之一部分延伸越過該突出部分之表面以形成凹槽。
相關專利申請案之交叉參考 本申請案主張2015年9月17日申請之標題為「Lens Structure and Sensor Device」之美國臨時專利申請案62/219,782之優先權權益，該美國臨時專利申請案全文以引用之方式併入本文中。 光學裝置封裝可包括光學裝置，諸如，可感測入射光學信號之感測器晶粒（Sensor Die）。感測器晶粒可包括感測區域。 感測器晶粒可接合至基板上。轉移模具（Transfer Mold）可定位在基板及應用於該轉移模具中之封裝材料（Molding compound）上方，以覆蓋感測器晶粒。轉移模具可成形以在感測器晶粒之感測區域上方以形成光學透鏡，以將入射光學信號集中於感測區域。將光學信號集中於感測區域可改良光學裝置之光學效能。透鏡之光軸可實質上垂直於感測區域之表面。將透鏡之光軸與感測區域之中心對準是有必要的。感測區域之中心可為感測區域之幾何中心或質心（Centroid）。 在一些情況下，製造程序之變化（Variation）或容限（Tolerance）可使透鏡之光軸不與感測器晶粒之感測區域之中心對準。光軸與感測區域之表面區域之相交點及感測區域之中心之間的距離可被稱作「偏移（Offset）」。例如，用於將感測器晶粒置放到基板上之取置機（Pick-and-place Machine）可帶來偏移。對於另一實例，與將轉移模具(用於形成透鏡)置放在基板上相關聯之製程變化(或模具工具容限)亦可帶來偏移。兩個所提及之偏移促成因素可一起產生大於約20 µm或甚至約50 µm之偏移容限，其中一個偏移促成因素與取置相關聯，且另一個偏移促成因素與轉移模具相關聯。然而，為從光學裝置達成所需光學效能，需要使偏移容限下降到約20 µm或更小。 一種降低與取置相關聯之偏移容限之方法係藉由改良取置機之對準能力而降低對準容限。類似地，與轉移模具相關聯之偏移容限可藉由設計更精密之模製工具而降低。然而，此等方法係為昂貴的且會增加光學裝置之製造時間。 在一或多個實施例中，預成型（Pre-formed）透鏡位在覆蓋感測裝置之包封材料（Encapsulation Material）上，而非使用轉移模具在光學裝置之感測區域上方形成透鏡。預成型透鏡可例如藉由黏合凝膠（Adhesive Gel）附接至包封材料。然而，當在置放期間，空氣會殘留在透鏡下，黏合凝膠中可能出現空隙。透鏡與感測區域之間的此等空隙可能妨礙朝向感測區域之光學信號，或導致朝向感測區域之光學信號之重定向（Redirection），如此，導致光學裝置之輸出功率之損失以及光學信號之潛在失真。 裝置封裝及用於製造下文所論述之裝置封裝之技術降低或最小化透鏡與光學感測器之感測區域之間的非所要空隙之形成。 圖1描繪根據本發明之實施例之光學裝置1之實例之橫截面圖。光學裝置1包括基板10、主動光學元件12、封裝體（Encapsulant）14、黏合凝膠16及被動光學元件2。主動光學元件12為感測器晶粒或光源，並定位在基板10上。在主動光學元件12為感測器晶粒之一或多個實施例中，感測器晶粒偵測光學信號，並作為回應而產生對應之電信號。感測器晶粒包括一或多個光學感測器，諸如光導裝置（Photoconductive Devices）、光伏打裝置（Photovoltaics）、光電二極體（Photodiodes）、光電電晶體（Phototransistors）或其組合。在主動光學元件12為光源之一或多個實施例中，該光源可接收電信號並作為回應而產生光學信號，諸如，具有特定波長之光學信號。該光源可包括諸如發光二極體(LED)或雷射二極體之裝置。 在一或多個實施例中，主動光學元件12藉由至少一個接合線13電連接至基板10。在其他實施例中，主動光學元件12之接觸墊連接到基板10之接觸墊以用於電連接。 主動光學元件12包括至少一個具有中心122之光學區域121。在主動光學元件12為感測器晶粒之實施例中，光學區域121可為用於偵測光束之感測區域。在主動光學元件12為光源之實施例中，光學區域121可為用於發射光束之發光區域。 封裝體14覆蓋主動光學元件12及基板10中圍繞位於基板10上之主動光學元件12之區域之表面。在一或多個實施例中，封裝體14為透明的，並允許光束穿過。在一或多個實施例中，封裝體14允許具有預定波長之光穿過。封裝體14可為或可包括(例如)玻璃、塑膠、石英或環氧樹脂。 被動光學元件2藉由黏合凝膠16黏附至封裝體14並定位在主動光學元件12上方。被動光學元件2及封裝體14之材料可相同或彼此不同。被動光學元件2獨立於封裝體14之形成而形成。在一或多個實施例中，轉移模製技術可用於形成被動光學元件2。被動光學元件2包括至少一個透鏡20，其具有對應於該等透鏡20之幾何中心之至少一個光軸201。透鏡20之光軸201實質上與主動光學元件12之對應光學區域121之中心122對準。因為被動光學元件2獨立於封裝體14形成，所以與形成封裝體14有關之製造容限並不影響光軸201與中心122之間的偏移。 為了降低與將被動光學元件2定位在封裝體14上有關之取置容限，可在被動光學元件2上方或周圍應用一或多個基準標記。由於封裝體14之透明度而可觀察主動光學元件12之光學區域121之取置工具可使用該基準標記來將透鏡20之光軸201與光學區域121之中心122對準。當取置工具可具有低於約10微米(μm)之置放容限(例如，市售取置工具(諸如Datacon 2200 evo及Datacon 2200 evo-plus分別具有約7 μm及10 μm之置放容限))時，這種基準標記技術可用以提供透鏡20之光軸201與光學區域121之中心122之間的良好對準。此等置放容限提供了在光軸201與中心122之間低於約20 μm之所需偏移容限內良好地定位被動光學元件2。 因為被動光學元件2在主動光學元件12置放後置放在封裝體14上並參考主動光學元件12之實際位置，偏移未受到與將主動光學元件12置放在基板10上有關之製造容限之影響。因此，在不改良與形成封裝體14或將主動光學元件12置放在基板10上相關聯之程序容限（Process Tolerances）(且因此不改良製造成本)之情況下，可達成低於約20 μm之所需偏移容限。 圖2描繪根據本發明之實施例之被動光學元件2a之實例之立體圖。在一或多個實施例(諸如圖2中所示之一個實施例中)中，被動光學元件2a之透鏡20a具有半圓柱形形狀且具有多個光軸201。該等光軸201可與被動光學元件2a下方之對應光學區域之中心(諸如，圖1中所示之光學區域121之中心122)實質上對準。在一或多個其他實施例(諸如圖1中所示之一個實施例)中，被動光學元件2之透鏡20具有實質上半球面形狀。 圖3描繪根據本發明之實施例之光學裝置1a之實例之橫截面圖。光學裝置1a類似於圖1中所示之光學裝置1，且類似特徵以相同方式編號並且未參考圖3來進一步描述。在圖3中，光學裝置1a之封裝體314定義在主動光學元件12上方之凹槽141。相比之下，圖1之光學裝置1之封裝體14沿封裝體14之上表面係實質上平面的。圖3中之凹槽141自封裝體314之第一表面314a延伸至封裝體314之第二表面314b，其中第一表面314a及第二表面314b沿著不同之平面。被動光學元件2定位在第二表面314b上之凹槽141中。第二表面314b之尺寸(例如，直徑或表面積)大於被動光學元件2之對應尺寸(例如，直徑或表面積)。因為被動光學元件2置放在凹槽141內，自基板10之底部至被動光學元件2之頂部量測之光學裝置1a之總厚度小於圖1中所示之光學裝置1之對應總厚度。 圖4描繪根據本發明之實施例之光學裝置1b之實例之橫截面圖。圖4之光學裝置1b類似於如圖1中所示之光學裝置1，且類似特徵以相同方式編號並且未參考圖4來進一步描述。在圖4中，光學裝置1b之被動光學元件2b及封裝體414之結構不同於圖1之光學裝置1之被動光學元件2及封裝體14之各別結構。特定而言，封裝體414包括在主動光學元件12上方之平台142。在一或多個實施例中，封裝體414及平台142一體形成。平台142在封裝體414之剩餘部分上方突出；亦即，平台142具有沿著一平面之頂表面，相較於封裝體414之剩餘部分之平面，該平面與基板10相距更大距離。 被動光學元件2b包括主體21及支撐結構24。主體21包括導光部分23及在該導光部分23下方之至少一個突出部分22。在一或多個實施例(諸如圖4中所示之實施例)中，主體21、導光部分23、突出部分22及支撐結構24一體形成被動光學元件2b(例如，使用同一種材料在同一程序階段中同時地形成)。導光部分23包括透鏡20b。應注意，雖然參考圖4描述單一透鏡20b，但多個透鏡20b可包括在被動光學元件2b中，並可與被動光學元件2b成一體。 突出部分22具有以沿導光部分23 (或透鏡20b)之光軸201定位之點221結束之形狀。突出部分22包括一或多個傾斜表面222。在一或多個實施例中，突出部分22包括彼此相交以形成點221之四個傾斜表面222，以使得突出部分22具有角錐狀形狀。在其他實施例中，突出部分22包括彼此相交以形成點221之三個傾斜表面222，以使得突出部分22具有類似於三稜柱之形狀。在另外的實施例，突出部分22包括形成相交線之兩個傾斜線，該突出部分22以橫截面形式包括點221。在其他實施例中，突出部分22包括形成點221之單個表面222，以使得突出部分22具有圓錐形狀。 如圖4中所示，突出部分22定位在透鏡20下方並與位在封裝體414之平台142上之黏合凝膠16接觸。在製造期間，在封裝體414之平台142上施加黏合凝膠16。由於黏合凝膠16與平台142之頂表面之間的內聚力，黏合凝膠16將實質上保持在平台142之頂表面上。在被動光學元件2b附接至封裝體414之後，黏合凝膠16將佈滿被動光學元件2b之底表面。當推按被動光學元件2b穿過黏合凝膠16時，黏合凝膠16藉由突出部分22向外擴散且黏合凝膠16溢出平台142之側面。因此，黏合凝膠16安置在平台142上及其周圍，並安置在平台142與突出部分22之間，如圖4中所說明。 支撐結構24附接至主體21 (或透鏡20b)。在一或多個實施例中，支撐結構24與主體21及/或透鏡20b成一體(例如，一體形成，諸如使用同一種材料在同一程序階段中同時形成)。支撐結構24包括一部分242，其在向下方(例如，在圖4之定向上)延伸並越過突出部分22之表面222及點221，以形成定義被動光學元件2b之凹槽26之側壁242a。封裝體414之平台142被凹槽26所圍繞。黏合凝膠16可部分或完全填充凹槽26。支撐結構24之部分242延伸超過突出部分22之點221達大致等於平台142之高度之量，以使得突出部分22之點221將與平台142進行接觸或幾乎與平台142進行接觸。 在一或多個實施例中，封裝體414包括自封裝體414之頂表面定義之一或多個凹部144。支撐結構24之部分242之底部覆蓋封裝體414之凹部144，並藉由黏合凝膠16黏附至封裝體414 (例如，該黏合凝膠16在製造期間擴散到凹部144)，以便增加被動光學元件2b與封裝體414之間的黏著力。此外，支撐結構24之部分242可防止被動光學元件2b之導光部分23 (或透鏡20b)傾斜，從而確保導光部分23 (或透鏡20b)之光軸201實質上垂直於光學區域121。 如圖4中所示，被動光學元件2b可進一步包括至少一個基準標記28以便於在將被動光學元件2b附接至封裝體414期間相對於光學區域121之中心122之位置來對準光軸201。基準標記28可為突起(如圖4中說明)或孔，且其位置可在主體21或支撐結構24上。 在製造程序期間，當被動光學元件2b附接至封裝體414時，減緩非所要空隙（Voids）或氣穴（Air Pockets）在被動光學元件2b與封裝體414之間的黏合凝膠16中之形成。當氣穴存在於黏合凝膠16中，或在附接期間形成之氣穴變為在被動光學元件2b之下可截獲（Trapped）時，非所要空隙形成之起因係被動光學元件2b之平坦底表面。然而，圖4之實施例中之突出部分22之形狀允許釋放空氣。例如，在將被動光學元件2b置放在封裝體414上方期間，當向下推按被動光學元件2b在封裝體414上時，黏合凝膠16沿突出部分22之表面222朝側壁242a側向擴散。因此，迫使氣穴遠離在主動光學元件12之光學區域121上方之封裝體414上之區域。因此，藉由包括如上文所述之被動光學元件2b之突出部分22，可減少或甚至消除製造期間之可另外影響光學裝置1b之光學效率之空隙形成。 圖5描繪根據本發明之實施例之圖4中所示之封裝體414之立體及部分放大圖。在圖5中，封裝體414定義多個凹部144以用於容納黏合凝膠16之一部分。在此實施例中，凹部144實質上垂直於平台142之延伸方向而延伸。在圖5中所說明之實施例中，平台142之側壁143充當凹部144中之每一者之端壁。在其他實施例中，凹部144可具有與平台142之側壁143分離之端壁。以實質上垂直於基板10之方向來觀察，封裝體414中由凹部144所佔據之頂表面之面積可小於封裝體414中與被動光學元件2b進行接觸之頂表面之面積。在製造程序期間，當被動光學元件2b附接至封裝體414時，過多黏合凝膠16可進入凹部144。因此，可減少被動光學元件2b與封裝體14之間的黏合凝膠16之量。因此，平台142及凹部144可減小被動光學元件2b與封裝體414之間的接合線厚度(Bonding Line Thickness, BLT)。如上所述，凹部144中之黏合凝膠16可進一步提供封裝體414與被動光學元件2b之間的額外黏著力。 圖6描繪根據本發明之實施例之封裝體414a之實例之立體及部分放大圖。圖6中所示之封裝體414a類似於圖5中所示之封裝體414。然而，在圖6中所之實施例中，封裝體414a省略圖5之封裝體414之升高平台142，且封裝體414a實際上定義在第一方向上延伸之兩個基本平行之凹槽146及在第二方向上延伸之多個凹部144。在圖6中所說明之實施例中，第一方向及第二方向係實質上垂直的，但在其他實施例中可相對於彼此形成其他角度。凹部144並不與凹槽146相交。兩個凹槽146之間的封裝體414a之一部分可以類似於上文關於圖5中所示之平台142所論述之方式接收並限制黏合凝膠16。凹槽146類似於凹部144可容納過多黏合凝膠16，並有助於減小被動光學元件2b與封裝體414a之間的接合線厚度，同時提供被動光學元件(例如，被動光學元件2b)與封裝體414a之間的額外黏著力。 圖7描繪根據本發明之實施例之光學裝置1c之實例之橫截面圖。圖7中所示之光學裝置1c類似於圖4中所示之光學裝置1b，且類似特徵以相同方式編號並且未參考圖7來進一步描述。在圖7中，被動光學元件2c包括上突出部分241。部分241在遠離基板10之第一方向上延伸。部分241之頂表面高於導光部分23之頂部，以保護導光部分23免於在製造期間擦傷或損壞。基準標記28定位在部分241之頂表面上。 圖8描繪根據本發明之實施例之光學裝置1d之實例之橫截面圖。圖8中所示之光學裝置1d類似於圖4中所示之光學裝置1b，且類似特徵以相同方式編號並且未參考圖8來進一步描述。在圖8中，被動光學元件2d進一步包括嵌入式金屬層29。呈孔形式之基準標記28a暴露金屬層29之一部分。當被動光學元件2d由取置機拾取時，相較於取置機之攝影機辨識其他類型之標記，所暴露之金屬層29由該攝影機更好地辨識。因此，取置機可以改良之精確度取置被動光學元件2d。另外，金屬層29增強被動光學元件2d之硬度。 圖9描繪根據本發明之實施例之電氣裝置3之實例之橫截面圖。電氣裝置3包括基板10、主動光學元件12、放大器32、處理元件34、封裝體914、黏合凝膠16及被動光學元件2b (參考圖4所描述)。放大器32及處理元件34定位在基板10上並電連接至基板10。在一些實施例中，放大器32及處理元件34中之一或兩者經由一或多個接合線13與基板10電連接。主動光學元件12為感測器晶粒並定位在放大器32上。在一或多個實施例中，主動光學元件12藉由接合線13電連接至處理元件34。此實施例之主動光學元件12可類似於如圖1、圖3、圖4及圖7中所示之主動光學元件12，且具有用於偵測光束並作為回應而產生對應電信號之至少一個光學區域121。放大器32電連接至主動光學元件12，用於放大電信號。處理元件34電連接至放大器32及/或主動光學元件12，用於處理電信號。在一些實施例中，光學區域121經佈置為偵測窄波長範圍內之光，且在其他實施例中，光學區域121經佈置為偵測在寬頻波長範圍中之光。 封裝體914覆蓋主動光學元件12、放大器32及處理元件34。封裝體914亦定義凹槽141b，其在主動光學元件12上方用於容納被動光學元件2b。凹槽141b自封裝體914之第一表面914a延伸至封裝體914之第二表面914b，其中第一表面914a及第二表面914b係沿著不同平面。被動光學元件2b定位在第二表面914b上之凹槽141b中。凹槽141b之第二表面914b之尺寸(例如，直徑或表面積)大於被動光學元件2b之對應尺寸(例如，直徑或表面積)。 封裝體914包括在凹槽141b之第二表面914b處之平台142b及至少一個凹部144b，類似於圖4中所示之平台142及至少一個凹部144。 被動光學元件2b定位在平台142上方並接觸黏合凝膠16。凹部144b容納黏合凝膠16之一部分。在一或多個實施例中，被動光學元件2b定位在凹部144b上以接觸黏合凝膠16。 被動光學元件2b藉由黏合凝膠16黏附至主動光學元件12上方之封裝體914。被動光學元件2b具有光軸201，且光軸201實質上與主動光學元件12之對應光學區域121之中心122對準。在一或多個實施例中，被動光學元件2b可包括多個導光部分(例如，如圖4中所說明之多個導光部分23)，且該等導光部分中之每一者具有光軸201。與被動光學元件2b之光軸201及光學區域121之中心122相關聯之偏移小於約20 µm。在一或多個實施例中，被動光學元件2b可被圖1中所示之被動光學元件2、圖2中所示之被動光學元件2a或圖3中所示之被動光學元件2替換。 圖10至圖13描繪在根據本發明之實施例之用於製造光學裝置之實例方法期間之各種階段之實例光學裝置之橫截面圖。 參考圖10，提供基板10及至少一個主動光學元件12。至少一個主動光學元件12定位在基板10上。在一或多個實施例中，主動光學元件12藉由一或多個接合線13電連接至基板10。主動光學元件12包括具有中心122之至少一個光學區域121。在一或多個實施例中，主動光學元件12為感測器，且光學區域121為用於偵測光束之感測區域。在其他實施例中，主動光學元件12為光源，且光學區域121為用於發射光束之發光區域。 參考圖11，封裝體14經形成以覆蓋主動光學元件12及基板10之表面。在一或多個實施例中，封裝體14為透明的。封裝體14包括在主動光學元件12上方之至少一個平台142。封裝體14定義至少一個凹部144。 參考圖12，黏合凝膠16塗覆在封裝體14上。在一或多個實施例(諸如圖12中所示之一個實施例中)中，將處於液態之黏合凝膠16施加在平台142上方。由於黏合凝膠16與平台142之頂表面之間的內聚力，黏合凝膠16將實質上保持限制於平台142之頂表面。因此，可以控制位在封裝體14上之黏合凝膠16之量。 隨後，提供以陣列排列或以行排列之被動光學元件2c。被動光學元件2c中之每一者包括主體21及支撐結構24。主體21包括導光部分23及在該導光部分23下方之突出部分22。在一或多個實施例(諸如圖12中所示之實施例)中，主體21、導光部分23、突出部分22及支撐結構24一體形成被動光學元件2b (例如，使用同一種材料在同一程序階段中同時形成)。導光部分23包括至少一個透鏡20。突出部分22具有以沿導光部分23 (或透鏡20)之光軸201定位之點221結束之形狀。突出部分22之一或多個表面222類似於參考圖4所描述之該等表面，並且未再次進行描述。 支撐結構24附接至主體21 (或透鏡20)。類似於圖7中所示之支撐結構24，圖12中所示之支撐結構24包括部分241及部分242。部分241在第一方向(圖12中之向上方向)上延伸，且部分241之頂表面高於導光部分23之最高部分，以保護導光部分23 (或透鏡20)免於在製造期間被擦傷或損壞。部分242在與第一方向相反之第二方向(圖12中之向下方向)上延伸，並越過突出部分22之表面222及點221以形成凹槽26。支撐結構24之部分242延伸超過突出部分22之點221達大致等於封裝體14之平台142之高度之量，以使得當被動光學元件2c置放在封裝體14上時，突出部分22之點221將與平台142進行接觸或幾乎與平台142進行接觸。在一或多個實施例(諸如圖12中所示之實施例)中，使用具有約1 μm至約2 μm之程序容限之轉移模製程序來製造被動光學元件2c。 參考圖13，被動光學元件2c附接至封裝體14。光軸201實質上與主動光學元件12之對應光學區域121之中心122對準。封裝體14之平台142安置在凹槽26中，且黏合凝膠16實質上填充凹槽26。另外，過量之黏合凝膠16之進入凹部144。因此，可減少被動光學元件2c與封裝體14之間的黏合凝膠16之量。因此，平台142及凹部144之設計可控制被動光學元件2c與封裝體14之間的接合線厚度(BLT)。支撐結構24之部分242之底部覆蓋封裝體14之凹部144，並藉由黏合凝膠16黏附至封裝體14，以增加被動光學元件2c與封裝體14之間的黏著力。在一或多個實施例中，支撐結構24之部分242可防止被動光學元件2c之導光部分23 (或透鏡20)傾斜。 在一或多個實施例中，被動光學元件2c在取置工序期間與主動光學元件12對準。在一或多個實施例中，取置工序使用攝影機以定位在被動光學元件2c上之基準標記28，以將被動光學元件2c精確定位並置放在封裝體14上方，以使得透鏡20之光軸與各別光學元件12之中心122精確對準。基準標記28之使用有助於減小取置工序之偏移容限。例如，Datacon 2200 evo接合器之偏移容限為約10 μm，且Datacon 2200 evo plus接合器之偏移容限為約7 μm。因此，被動光學元件2c之光軸201與主動光學元件12之光學區域121之中心122之間的偏移容限可小於20 µm。因為偏移容限並不關於主動光學元件12到基板10上之取置對準容限或封裝體14之模具工具容限，所以，不需要改良對準能力之晶粒接合器，且不需要新設計之模具工具。 在一或多個實施例中，在將被動光學元件2c附接至封裝體14期間，非所要空隙可出現在被動光學元件2c與封裝體14之間的黏合凝膠16中。尤其在被動光學元件2c之底表面為平坦之情況下，非所要空隙之形成起因在於，存在於黏合凝膠16中或在附接期間形成之氣穴可截獲在被動光學元件2c之下。然而，突出部分22之形狀允許在附接期間釋放空氣。例如，在將被動光學元件2c置放在封裝體14上方期間，當在封裝體14上向下推按被動光學元件2c時，黏合凝膠16沿突出部分22之表面222側向擴散。因此，迫使氣穴遠離在主動光學元件12之光學區域121上方之封裝體14上之區域。因此，藉由包括如上文所述之被動光學元件2c之突出部分22，可減少或甚至消除製造期間之可另外影響光學裝置之光學效率之空隙形成。 在一或多個實施例中，製造程序亦可包括切塊（Dicing）或單切（Singulation）程序以將含有多個光學裝置之基板10分為單一之光學裝置。在一或多個實施例中，切塊或單切程序包括使用刀片沿切割線40切割，以便獲得類似於圖7中所示之光學裝置1c之多個單獨光學裝置。 除非另外規定，否則諸如「上方」、「下方」、「向上」、「左邊」、「右邊」、「向下」、「頂部」、「底部」、「垂直」、「水平」、「側」、「較高」、「下部」、「上部」、「上面」、「下面」等空間描述相對於圖中所展示之定向加以指示。應理解，本文中所使用之空間描述僅係出於說明之目的，且本文中所描述之結構之實際實施可以任何定向或方式在空間上佈置，其限制條件為本發明之實施例之優點係不因此佈置而有偏移。 如本文中所使用，術語「大致」、「實質上」、「實質」及「約」用以描述及說明小之變化。當與事件或情形結合使用時，該等術語可以指其中事件或情形明確發生之情況以及其中事件或情形極接近於發生之情況。舉例而言，當結合數值使用時，術語可係指小於或等於該數值之±10%之變化範圍，諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%。例如，若兩個數值之間的差值小於或等於該等值之平均值之±10% (諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%、或小於或等於±0.05%)，則可認為該兩個數值「實質上」相同。 另外，有時在本文中按範圍格式呈現量、比率及其他數值。應理解，此類範圍格式係用於便利及簡潔起見，且應靈活地理解，不僅包括明確地指定為範圍限制之數值，而且包括涵蓋於該範圍內之所有個別數值或子範圍，如同明確地指定每一數值及子範圍一般。 雖然已參考本發明之特定實施例描述及說明本發明，但此等描述及說明並不限制本發明。熟習此項技術者應理解，可在不脫離如由所附申請專利範圍定義之本發明之真實精神及範疇之情況下，作出各種改變且取代等效物。該等圖解可能未必按比例繪製。歸因於製造工藝及容限，本發明中之藝術再現與實際設備之間可存在區別。可存在並未特定說明之本發明之其他實施例。應將本說明書及圖式視為說明性的而非限制性的。可作出修改，以使特定情況、材料、物質組成、方法或程序適應於本發明之目標、精神及範疇。所有該等修改意欲在所附申請專利範圍之範疇內。雖然本文中所揭示之方法已參考按特定次序執行之特定操作加以描述，但應理解，可在不脫離本發明之教示之情況下組合、細分或重新排序此等操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作之次序及分組並非本發明之限制。
1‧‧‧光學裝置 1a‧‧‧光學裝置 1b‧‧‧光學裝置 1c‧‧‧光學裝置 1d‧‧‧光學裝置 2‧‧‧被動光學元件 2a‧‧‧被動光學元件 2b‧‧‧被動光學元件 2c‧‧‧被動光學元件 2d‧‧‧被動光學元件 3‧‧‧電氣裝置 10‧‧‧基板 12‧‧‧主動光學元件 13‧‧‧接合線 14‧‧‧封裝體 16‧‧‧黏合凝膠 20‧‧‧透鏡 20a ‧‧‧透鏡 20b‧‧‧透鏡 21‧‧‧主體 22‧‧‧突出部分 23‧‧‧導光部分 24‧‧‧支撐結構 26‧‧‧凹槽 28‧‧‧基準標記 29‧‧‧嵌入式金屬層 32‧‧‧放大器 34‧‧‧處理元件 121‧‧‧光學區域 122‧‧‧中心 141‧‧‧凹槽 141b‧‧‧凹槽 142‧‧‧平台 142b‧‧‧平台 143‧‧‧側壁 144‧‧‧凹部 144b‧‧‧凹部 201‧‧‧光軸 221‧‧‧點 222‧‧‧傾斜表面 241‧‧‧上突出部分 242‧‧‧部分 242a‧‧‧側壁 314‧‧‧封裝體 314a‧‧‧第一表面 314b‧‧‧第二表面 414‧‧‧封裝體 414a‧‧‧封裝體 914‧‧‧封裝體 914a‧‧‧第一表面 914b‧‧‧第二表面
圖1描繪根據本發明之實施例之光學裝置之實例之橫截面圖。 圖2描繪根據本發明之實施例之被動光學元件之實例之立體圖。 圖3描繪根據本發明之實施例之光學裝置之實例之橫截面圖。 圖4描繪根據本發明之實施例之光學裝置之實例之橫截面圖； 圖5描繪根據本發明之實施例之圖4中展示之光學裝置之立體及部分放大圖。 圖6描繪根據本發明之實施例之圖4中展示之光學裝置之立體及部分放大圖。 圖7描繪根據本發明之實施例之光學裝置之實例之橫截面圖。 圖8描繪根據本發明之實施例之光學裝置之實例之橫截面圖。 圖9描繪根據本發明之實施例之電氣裝置之實例之橫截面圖。 圖10、圖11、圖12及圖13描繪根據本發明之實施例之光學裝置之各種製造階段之實例之橫截面圖。 在以下詳細描述中參考形成其一部分之附圖。在圖式中，類似符號識別類似元件。在詳細描述、圖式以及申請專利範圍中所描述之說明性實施例並不意謂限制性的。在不脫離本文呈現之主題之精神或範圍之情況下，可以利用其他實施例，並且可以作出其他改動。將容易瞭解的係，如本文中所一般描述且在圖中說明之本發明之各態樣可以廣泛多種不同組態來佈置、取代、組合及設計，所有廣泛多種不同組態明確被預期並構成本發明之部分。
1‧‧‧光學裝置
2‧‧‧被動光學元件
10‧‧‧基板
12‧‧‧主動光學元件
13‧‧‧接合線
14‧‧‧封裝體
16‧‧‧黏合凝膠
20‧‧‧透鏡
121‧‧‧光學區域
122‧‧‧中心
201‧‧‧光軸

Claims (16)

  1. 一種光學裝置，其包含：一主動光學元件，其包含一光學區域；一封裝體，其覆蓋該主動光學元件，該封裝體包含一平台，該平台位在該主動光學元件上方且在封裝體之剩餘部分上方突出，該封裝體定義一凹部，且該封裝體係為一單體結構(monolithic structure)；一被動光學元件，其黏附至該主動光學元件上方之該封裝體，其中該被動光學元件具有一光軸，該光軸與該光學區域之一中心對準，且包括該凹部之該封裝體的面向該被動光學元件之一表面之一面積小於該被動光學元件面向該封裝體之一表面之一面積；及一黏合凝膠，其中該被動光學元件位在該凹部上方並與該黏合凝膠接觸。
  2. 如請求項1之光學裝置，其中該主動光學元件為一感測器或一光源，該光學區域為用於偵測一第一光束之一感測區域或用於發射一第二光束之一發光區域，該封裝體允許該第一光束或該第二光束穿過，且該被動光學元件包括具有該光軸之一透鏡。
  3. 如請求項1之光學裝置，其進一步包含一基板，其中該主動光學元件定位於該基板上並電連接至該基板。
  4. 如請求項1之光學裝置，其中該光學區域之該中心與該光學區域上之該被動光學元件之該光軸與該光學區域相交的一點之間的一距離小於20 μm。
  5. 如請求項1之光學裝置，其中該平台面向該被動光學元件之一表面之一尺寸小於該被動光學元件面向該封裝體之一表面之一對應尺寸，其中該被動光學元件位於該平台上方並與該黏合凝膠接觸。
  6. 如請求項1之光學裝置，其中該被動光學元件包括：一透鏡；一突出部分，在該透鏡下方；及一支撐結構，附接至該透鏡，其中該支撐結構包含一第二部分，其延伸越過該突出部分之一表面以形成一凹槽。
  7. 如請求項6之光學裝置，其中該突出部分具有以在沿該透鏡之該光軸定位之一點結束之一形狀。
  8. 一種電氣裝置，其包含：一感測器，其包含一感測區域，其經組態以偵測一光束並回應性地產生一電信號；一放大器，其電連接至該感測器並經組態以放大該電信號；一處理元件，其電連接至該放大器並經組態以處理該經放大的電信號；一封裝體，其覆蓋該感測器、該放大器及該處理元件，該封裝體包含一平台，該平台位在該感測器上方且在封裝體之剩餘部分上方突出，該封裝體定義一凹部，且該封裝體係為一單體結構；一被動光學元件，其黏附至該感測器上方之該封裝體，其中該被 動光學元件具有一光軸，該光軸與該感測區域之一中心對準，且包括該凹部之該封裝體的面向該被動光學元件之一表面之一面積小於該被動光學元件面向該封裝體之一表面之一面積；及一黏合凝膠，其中該被動光學元件位在該凹部上方並與該黏合凝膠接觸。
  9. 如請求項8之電氣裝置，其進一步包含一基板，其中該放大器及該處理元件定位於該基板上並電連接至該基板。
  10. 如請求項8之電氣裝置，其中該感測區域之該中心與該感測區域上之該被動光學元件之該光軸與該感測區域相交的一點之間的一距離小於20μm。
  11. 如請求項8之電氣裝置，其中該平台面向該被動光學元件之一表面之一面積小於該被動光學元件面向該封裝體之一表面之一面積，其中該被動光學元件位於該平台上方並與該黏合凝膠接觸。
  12. 如請求項8之電氣裝置，其中該被動光學元件包含：一主體，其包括一導光部分及位在該導光部分下方之一突出部分；及一支撐結構，附接至該主體，其中該支撐結構之一部分延伸越過該突出部分之一表面以形成一凹槽；其中該光軸係為該導光部分之光軸。
  13. 如請求項12之電氣裝置，其中該導光部分包含一透鏡。
  14. 如請求項12之電氣裝置件，其中該導光部分及該突出部分一體形成。
  15. 如請求項12之電氣裝置，其中該突出部分具有以沿該光軸定位之一點結束的一形狀。
  16. 如請求項12之電氣裝置，其中該支撐結構包含一第一部分及一第二部分，該第一部分在一第一方向上延伸越過該導光部分之一最遠程度，且該第二部分在與該第一方向相反的一第二方向上延伸並越過該突出部分之一最遠程度以形成該凹槽。
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