TWI695398B - 具有線上微機電系統開關之多通道中繼組件 - Google Patents

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TWI695398B
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瑢宰 李
馬可 艾米
葛林 克萊頓
克里斯塔佛 凱摩
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美商通用電機股份有限公司
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    • H01H2001/0084—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS] with perpendicular movement of the movable contact relative to the substrate

Abstract

一種歐姆式射頻微機電系統中繼器包含：基底，具有電容耦合Csub；串聯電耦合的二致動元件，以界定第一通道，其中，該致動元件配置成獨立地受致動或同時操作。致動元件具有它們自己的電容耦合Cgap；在通道上的中點，與致動元件電通訊；以及，錨件，機械地耦合至基底以及支撐這些致動元件中至少之一。而且，歐姆式射頻微機電系統中繼器包含：輸入埠；多個第一微機電系統開關，構成與輸入埠電通訊之第一切換組，藉以界定均從各微機電系統開關引出的多個通道；以及，至少一出口埠，沿著遠離第一切換組的多個通道中的各通道及與輸入埠電通訊。

Description

具有線上微機電系統開關之多通道中繼組件
本發明的態樣大致上關於用於切換的裝置，特別關於含有用於射頻應用之多個線上微機電系統(MEMS)開關結構的多通道中繼組件。
射頻(RF)應用中「理想的」開關之渴望的技術規格保持約為：高隔離度(關閉狀態電容(Coff))=0fF；高線性(IIP2及IIP3→∞；中度或更高功率處理(100mW-1kW)；在大頻率範圍上無插入損耗(Ron=0Ω)；以及，無直流功率消耗。
一直難以成功接近此理想的射頻開關。機電中繼器雖然是大且昂貴又過時的技術，但是，仍然是相當成功的良好執行射頻開關之嘗試。其它型式的射頻開關技術已包含p-i-n二極體及GaAs場效電晶體開關。這二者對於某些射頻應用都有缺點。
最近，已嘗試使用微機電系統(MEMS)技術，其具有以壓電、靜電、熱、或靜磁設計為基礎的致動器。使用 MEM可以提供低成本製造與機械中繼器的某些技術性能優點的混合。射頻微機電開關使用微機械動作以在射頻線中取得開路或短路。
因此，持續需要射頻應用開關，其即使不能達成全部但能達成用於某些高性能開關之射頻社群的技術目標、以及克服例如容易製造等其它目標。
根據實施例，歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：基底，具有第一電容耦合Csub；串聯電耦合的第一致動元件及第二致動元件，藉以界定第一通道，其中，第一及第二致動元件配置成獨立地受致動，又其中，第一及第二致動元件具有第二電容耦合Cgap；在第一通道上的中點，與第一及第二致動元件電通訊；以及，至少一錨件，機械地耦合至基底以及支撐第一及第二致動元件中至少之一。
根據另一實施例，靜電控制歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：輸入；射頻傳輸線，連接輸入到至少一輸出；基底，具有第一電容耦合Csub；在射頻傳輸線上串聯電耦合的第一致動元件及第二致動元件，其中，第一及第二致動元件配置成獨立地受致動，又其中，第一及第二致動元件具有第二電容耦合Cgap；在射頻傳輸線上的中點，與第一及第二致動元件電通訊，其中，中點的電位作為用於閘控訊號的共同基準；至少一錨件，機械地耦合至基底以及支撐第一及第二致動元件中至少之一，其中，比例Csub/ Cgap=r，其中r<10，又其中，中繼器配置成在第一閉合位置及第二斷開位置操作，其中：第一閉合位置包括電連接輸入以及至少一輸出；以及，第二斷開位置包括將輸入與至少一輸出電斷開。
根據另一實施例，歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：輸入埠；多個第一微機電系統開關，界定第一切換組，第一切換組與輸入埠電通訊，藉以界定多個通道，各通道從多個第一微機電系統開關中的各第一微機電系統開關導出；以及，至少一出口埠，沿著遠離第一切換組的多個通道中的各通道及與輸入埠電通訊。
根據另一實施例，歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：基底，具有第一電容耦合Csub；串聯電耦合的第一致動元件及第二致動元件，藉以界定第一通道，其中，第一致動元件及第二致動元件配置成同時操作，又其中，第一及第二致動元件具有第二電容耦合Cgap；在第一通道上的中點，與第一及第二致動元件電通訊；以及，至少一錨件，機械地耦合至基底以及支撐第一及第二致動元件中至少之一。
6、6a、6b‧‧‧單一閘驅動器
10、40、110、210、310‧‧‧微機電系統開關
12‧‧‧基底
13‧‧‧接地層
14‧‧‧開關基準
15‧‧‧第一接點
16、16a、16b‧‧‧共同閘
17‧‧‧第二接點
18‧‧‧錨件
21‧‧‧第一致動元件
22‧‧‧第二致動元件
23‧‧‧可移動致動器
25‧‧‧蓋
41、140、240、340‧‧‧第一致動元件
42、140、240、340‧‧‧第二致動元件
45、130、230、330‧‧‧第一通道
46‧‧‧隔離區
47‧‧‧電偏壓組件
48a、120、220、320‧‧‧第一錨件
48b、120、220、320‧‧‧第二錨件
49‧‧‧導電路徑
430、530‧‧‧第一通道上的中點
420、520‧‧‧第一及第二致動元件
210、310‧‧‧中繼組件
230、330‧‧‧第一通道
235、335‧‧‧基準隔離
340‧‧‧開關
410、510‧‧‧中繼組件
430‧‧‧單一(第一)通道
512‧‧‧共通通道
630、430、730‧‧‧第一通道
635‧‧‧共平面接地線
730‧‧‧訊號通道
735‧‧‧接地線
810‧‧‧多通道中繼組件
811‧‧‧第一切換組
812‧‧‧第二切換組
813‧‧‧第三切換組
820‧‧‧微機電系統開關
830‧‧‧通道
850‧‧‧出口埠
860‧‧‧射頻輸入或輸入埠
參考附圖，閱讀下述詳細說明，將可以更佳地瞭解本發明的這些及其它特點、態樣、及優點，其中，在這些圖中，類似的代號代表類似元件，其中：圖1A是根據舉例說明的實施例之多通道中繼組件的 一部份之上視簡圖；圖1B是根據另一舉例說明的實施例之多通道中繼組件的一部份之上視簡圖；圖2是圖1A及/或1B中的多通道中繼組件的部份之沿線2-2側面視圖；圖3是根據另一舉例說明的實施例之多通道中繼組件的一部份之側視簡圖；圖4A-4C是根據三舉例說明的實施例之多通道中繼組件的部份之側視圖的電氣圖；圖5A及5B是根據其它舉例說明的實施例之多通道中繼組件的部份之側視簡圖；圖6是根據舉例說明的實施例之多通道中繼組件的一部份之上視簡圖；圖7是根據另一舉例說明的實施例之多通道中繼組件的一部份之上視簡圖；圖8是圖6中之多通道中繼組件的該部分之沿線8-8之端側面視圖；及圖9是根據另一舉例說明的實施例之多通道中繼組件的一部份之端側面視圖。
圖10是根據另一舉例說明的實施例之多通道中繼組件的一部份之端側面視圖。
圖11是根據另一舉例說明的實施例之沿著多通道中繼組件的平面視簡圖。
於下，參考附圖，詳述本發明舉例說明的實施例，其中，在圖式中，相同的代號代表相同的部件。這些實施例中的某些實施例克服上述及其它需求中的某些需求。
除非另外指明，否則此處所使用的技術及科學術語具有與習於本揭示的標的有關之技藝者通常瞭解的相同意義。此處使用的「第一」、「第二」等等之詞並未代表任何次序、數量、或重要性，而是用以將元件彼此區別。「一」及「該」等詞未表示數量的限定，而是代表至少一述及的項目之存在，除非另外指明，否則，「前」、「後」、「底部」及/或「頂部」等詞僅是為了便於說明，而非限於任一位置或空間取向。
假使揭示範圍時，與相同的組件或特性有關的所有範圍之端點會被包含且是可獨立合併的(例如「高達約2.5mm」之範圍是包含端點及「約0mm至約2.5mm」的範圍的所有中間值、等等)。配合數量而使用之修飾的「約」是包含陳述的值且具有內文專用的意義(例如，包含與特定數量的測量有關的誤差程度)。因此以「約」之詞修飾的值不必僅侷限於指定的精確值。
在下述詳細說明中，揭示多個特定細節以助於完整瞭本發明各式各樣的實施例。但是，習於此技藝者將瞭解沒有這些特定細節仍可實施本發明的實施例、本發明不受限於所述實施例以及本發明可由各式各樣的替代實施例實施。在其它情形中，未詳述習知的方法、程序、及組件。
此外，以有助於瞭解本發明的實施例之方式，將各式各樣的操作依序說明成多個離散的步驟。但是，說明的次序既不應被解釋為意指這些操作需要以它們出現的次序執行，它們也不應是次序相依的。此外，「在一實施例中」之文句的重複使用並不一定意指相同的實施例，但可以是相同實施例。最後，除非另外指明，否則，在本申請案中使用之「包括」、「包含」、「具有」等詞、以及它們字尾的變化形式是同義的。
MEMS(微機電系統)一詞通常意指經由微製造技術而於共同基底上整合例如機械元件、機電元件、感測器、致動器、及電子裝置等多種功能上不同的元件之微米級結構。但是，可以想到MEMS裝置中目前可供利用的很多技術及結構在數年內將可經由奈米技術為基礎的裝置而取得，例如，尺寸小於100奈米的結構。因此，即使本文中說明的舉例說明的實施例述及MEMS為基礎的切換裝置，但仍須說明實施例應被廣義地解釋且不應僅侷限於微米尺寸的裝置，除非另外指明。
與本案具有共同受讓人的MEMS技術之相關文獻包含美國專利號7,928,333(代理人參考號234422-1)；8,354,899(代理人參考號238794-1)；8,610,519(代理人參考號229968-1)；及8,779,886(代理人參考號238789-1)。這些文獻於此提及而完整併入。
本發明的實施例包括具有用於射頻應用的線上微機電系統開關之多通道中繼組件。從射頻輸入埠，多輸出可以 被開啟/關閉以確保通道隔離以及對選取的(亦即開啟)通道良好的插入損耗。藉由在組件中設置接近射頻輸入埠之增加的開關，射頻訊號可以在所需方向上傳播並使射頻洩漏最小。
發現本發明的實施例提供某些優點，包含例如較佳的插入損失、較低的分散洩漏、及較低的回波損耗。特別是對於高功率應用，設計方法學可以提供性能增進。
圖1A及1B顯示微機電系統開關的二實施例之俯視視簡圖。圖1A是致動元件被同時致動的實施例；圖1B是致動元件被獨立致動的實施例。如同所示，圖2是圖1A及1B的沿著所示剖面線2截取之微機電系統開關10的剖面視圖。在所示的實施例中，微機電系統開關10由基礎基底12支撐。基底12提供支撐給微機電系統開關以及代表由例如矽、鍺、或熔凝矽土形成的剛性基底，或者，基底12可以代表例如由聚醯亞胺形成的可撓基底。此外，基底12可以是導電的或是絕緣的。在基底12是導電的實施例中，在基底12與微機電系統開關接點、錨件及閘(於下說明)之間包含增加的電隔離層(未顯示)，以避免這些組件之間電短路。
微機電(MEMS)開關10包含第一接點15(有時稱為源極或輸入接點)、第二接點17(有時稱為汲極或輸出接點)、以及可移動致動器23。在一實施例中，可移動致動器23是導電的且由任何導電材料或合金形成。在一實施例中，接點(15、17)電耦合在一起作為負載電路 的部份，以及，可移動致動器23可以作用以在開關致動時使電流從第一接點15通至第二接點17。如圖2所示，可移動致動器23包含配置成與第一接點15形成電連接的第一致動元件21及配置成與第二接點17形成電連接的第二致動元件22。在一實施例中，第一及第二致動元件可以取決於施加至各致動元件的吸引力而獨立地受致動(請參見例如圖1B)。在另一實施例中，在致動期間(於下進一步說明)第一及第二致動元件可以同時被吸引朝向基底12(參見例如圖1A)。在一實施例中，第一及第二致動元件整合地形成為共用相同錨區且導電之複數個致動元件的相對端部。在替代實施例中，第一及第二致動元件可以經由增加的內部或外部電連接而電耦合。藉由將第一及第二致動元件整合作為相同可移動致動器的部份，可以免除外部連接並因而降低裝置的整體電感及最小化對基底的電容耦合。
如圖1A、1B、及圖2所示，可移動致動器23(包含第一致動元件21及第二致動元件22)可以由一或更多錨件18支撐並機械地耦合至基底12。在一實施例中，可移動致動器23也電耦合至錨件18。在使用單一錨件18以支撐第一致動元件21及第二致動元件22等二元件之實施例中，理想為錨件18足夠寬(在第一與第二接點之間延伸的方向上)，以致於與一致動元件相關聯的任何應變或固有的應力不會轉移至或機械地耦合至第二致動元件。此外，在使用單一錨件18以支撐第一致動元件21及第二致 動元件22等二元件之實施例中，在可移動致動元件之間的固定材料之距離大於可移動元件相結合的長度。
圖1A中的微機電系統開關10包含共同閘16，共同閘16由單一閘驅動器6控制且配置成同時地施加吸引力於第一及第二致動元件21和22上。對比地，圖1B中的微機電系統開關10包含二閘16a、16b，二閘16a、16b由它們自己分別的閘驅動器6a、6b個別地控制且配置成獨立地施加吸引力於第一及第二致動元件21和22上。此吸引力可以具體實施成靜電力、磁力、壓阻力或是這些力的結合。在靜電式致動開關中，閘16在電氣上係參考至開關基準14，在圖1A及圖2中，當開關處於閉合狀態時，開關基準14是與可移動致動器23的導電路徑在相同電位。在磁式致動開關中，會施加例如電壓等閘控訊號以改變材料的磁狀態，而提供或消除驅動可移動元件之磁場的存在。類似地，例如電壓等閘控訊號可以施加至橫跨可移動元件的壓阻材料以感應致動。在磁式及壓阻式致動二者的情形中，閘控訊號不會在可移動元件之間產生靜電吸力並因而不需要被參考至可移動元件。
在一實施例中，閘驅動器6包含電源輸入(未顯示)及控制邏輯輸入，控制邏輯輸入提供用於改變微機電系統開關的致動狀態之手段。在一實施例中，閘控電壓被關聯至可移動的致動元件21及22以及二接點之間與分別的可移動元件之間的差動電壓是實質上相等的。在一實施例中，微機電系統開關10包含電阻式或電容式分級網路 (未顯示)，耦合於接點與開關基準14之間以將開關基準14維持在小於開關的自行致動電壓之電位。
藉由在微機電系統開關10中共用共同閘控訊號，則在其它情形中超過習知的微機電系統開關的致動電壓之大致動電壓將會於第一致動元件與第二致動元件之間被共用。舉例而言，在圖1A及圖2的微機電系統開關10中，假使200v的電壓設置成跨越第一接點15及第二接點17時，以及開關基準14被分級至100v時，則第一接點15與第一致動元件21之間的電壓將約為100v，而第二接點17與第二致動元件22之間的電壓也將約為100v。
在圖2中，微機電系統開關10又包含蓋25，蓋25與基底12形成圍繞包括致動元件21及22之微機電系統開關10的組件之密封。典型地，很多微機電系統開關形成於單一基底上。這些開關接著被遮蓋及分割或切割。在一實施例中，微機電系統開關10的第一及第二致動元件與共同閘16形成於及封蓋於單一晶粒上。藉由將第一及第二致動元件包含在單一蓋內，能夠增加微機電系統開關的隔絕電壓，而不會實質地增加開關的佔據面積。舉例而言，開關的隔絕電壓有效地變成二倍，而整體開關佔據面積僅比單一開關稍微增加。
圖3概略顯示微機電系統開關的一實施例，其中，第一致動元件與第二致動元件以距離「d」實體地分離。如同所示，微機電系統開關40包含由第一錨件48a支撐的第一致動元件41以及由第二錨件48b支撐的第二致動元件42。在替代實施例中，第一致動元件41及第二致動元件42可由單一錨件支撐並在致動元件之間維持分開。在所示實施例中，第一及第二致動元件均包含電偏壓組件47，電偏壓組件47藉由隔離區46而與分別的致動元件的導電路徑49相隔離。電偏壓組件47代表在微機電系統光微影製造製程中形成為致動元件的部份之導電層或軌跡、或是配置成施加機械力於分別的致動元件上的壓阻材料。在一實施例中，各致動元件41及42的導電路徑49可以藉由電連接或第一通道45而電耦合。雖然未顯示，但是，微機電系統開關40可以如同微機電系統開關10有關所述地被遮蓋。如同此處將說明般，在複數實施例中，距離「d」可以加長以致於微機電系統開關40在各式各樣的組合中設置成彼此遠離。亦即，微機電系統開關40及其間的各式通道45之配向，與通道、基底及/或開關40的材料之獨特選取的組合，會造成增進的用於射頻應用之多通道中繼組件。
整體地參考圖3及4A-4C，微機電系統開關40、110、210、310包括具有第一電容耦合Csub的基底12。至少第一致動元件41、140、240、340、以及第二致動元件42、140、240、340電串聯以致於界定第一通道45、130、230、330。第一致動元件41、140、240、340與第二致動元件42、140、240、340配置成被獨立地致動或是配置成當關聯至共同控制訊號時同時地操作。第一致動元件41、140、240、340以及第二致動元件42、140、 240、340具有第二電容耦合Cgap或Cg。至少一錨件48a、48b、120、220、320機械地耦合至基底12及支撐第一致動元件41、140、240、340以及第二致動元件42、140、240、340中至少之一。
如圖4A-4C所示，軌跡對基底電容顯示為Cs2以及開關對基底電容顯示為Cs1。在某些實施例中，Cs1=Cs2，在其它實施例中，Cs1≠Cs2。遍及間隙之致動元件的電容耦合顯示為Cg。
參考圖5A及5B，說明其它微機電系統開關10的實施例。如同所示，圖5A中的微機電系統開關10具有共用共同錨件或是共同錨電位之二致動元件41、42、且有時被稱為「背對背」配置。對比地，圖5A中的微機電系統開關10具有單一致動元件41。
參考圖6及7，在第一通道(以「點」顯示)430、530上的中點與第一及第二致動元件420、520電通訊。組件配置成歐姆式射頻微機電系統中繼器。中點的電位可以作為用於閘控訊號的共同基準。閘控訊號可以配置成一次致動一或更多致動元件。亦即，第一及第二致動元件420、520可以被同時地或獨立地致動。
組件的材料或材料的組合及/或配置使得比例Csub/Cgap=r，以致於r<10。在某些實施例中，r小於1。
再參考圖4B及4C，中繼組件210、310包括沿著第一通道230、330的基準隔離235、335。在實施例中，基準隔離又包括開關340(圖4C)。
參考圖6及7，中繼組件410、510包括具有串聯的二或更多開關420之單一(第一)通道430，或者，如圖7所示，有多個並聯配置的通道530，其中，各通道530具有多個串聯的開關520。如同所示，多個通道530平行地共用共同通道512。
總體地參考圖8-10，實施例610、410、710具有各式各樣的第一通道630、430、730及基底12配置。應注意，僅為了簡明起見，在所示的某些其它圖中，未顯示各式接地通道或線(請參見如圖6、7、11)。應注意，為簡明起見，未顯示訊號與接地軌跡之間的電隔離。經由薄膜層及經由使用絕緣基底，可以取得隔離。圖8-10顯示不同的接地配置可供利用。舉例而言，圖8顯示共平面波導配置。如同所示，訊號通道630在訊號通道630的任一側上具有二共平面接地線635，全集合於基底12上。類似地，圖10顯示接地共平面波導配置，其中，二接地線735與訊號通道730共平面。實施例710具有於基底12之下增加的接地層13。圖8顯示具有微條配置的實施例410。如同所示，訊號通道430是在基底上及接地層13是在基底之下。
參考圖11，顯示根據本發明的實施例配置之多通道中繼組件810之上視簡圖。多通道中繼組件810包括射頻輸入、或輸出埠860以及多個出口埠、或埠850，藉以界定多個通道830。多個通道830中的各通道將包含位於射頻輸入860與埠850之間的至少一微機電系統開關820。 為了在組件810中提供改善的插入損耗及良好的隔離(亦即，在12GHz>30dB)，已發現多個微機電系統開關820中的各微機電系統開關應設置成儘可能實際地接近射頻輸入860。舉例而言，在實施例中，在微機電系統開關820與射頻輸入860之間的距離應為
Figure 104138310-A0202-12-0014-17
λ/4。微機電系統開關820包括任何適當的此處所述的微機電系統開關實施例、以及任何現在已知的或往後開發的微機電系統技術開關。
除了最小化射頻輸入860與微機電系統開關820之間的距離之外，在本發明的某些實施例中的另一特點是在多個通道830之間具有對稱性，各通道830從射頻輸入860及微機電系統開關820及埠850延伸出去。亦即，各通道長度的距離應較佳地在各通道中具有相等、或約相等的長度。雖然對稱性較佳的是在所有通道上維持相等性能，但是，並未要求對稱性，且可為了插入損失及隔離二者中的稍微不一致性而取捨對稱性。
典型上，對於射頻應用(例如MHz-GHz)，可以使用組件810。此外，微機電系統開關820典型上設置成使得微機電系統開關820的錨件「面向」射頻輸入860。
參考圖11中所示的特定實施例，組件810包含第一切換組811，第一切換組811包括多個微機電系統開關820(例如4個)。第一切換組811與輸入埠860電通訊。整個組件100可以整合至單一的、單片殼中。整個4節組件100殼在尺寸上可以為例如約1.2mm。至少一通道830從第一切換組811中多個第一微機電系統開關820中 的各微機電系統開關延伸。
清楚可知，雖然在圖11中顯示在第一切換組811中有四個微機電系統開關820，但是，在不悖離本發明的態樣之下，其它配置是可能的。可以有所示數量之外的不同數量的微機電系統開關820。微機電系統開關820的數量可以符合、或超過所提供的通道830的數量。
又參考圖11中所示的特定實施例，組件810顯示具有16個通道830的16節組件810，各通道830均各具有二個微機電系統開關820。整個組件810可以裝納於機殼或裝置中。整個16節組件810機殼在尺寸上可為例如約1.2mm。應明顯知道，雖然圖11中顯示總共二十個微機電系統開關820，但是，在不悖離本發明的態樣之下，其它配置是可能的，可以有所示數量之外不同數量的微機電系統開關820。微機電系統開關820的數量應符合、或超過通道830的數量。
如同所示，組件810包括第一切換組811以及多個第二切換組812。四個通道830從第一微機電系統組811延伸，各通道830均延伸至第二切換組812。各切換組811、812包括多個(例如4個)微機電系統開關820，微機電系統開關820最終經由通道830通至輸出埠850。如此，在第一切換組811中的第一四個微機電系統開關820可以設置成儘可能實際地接近射頻輸入860。從第一四個微機電系統開關820中的各微機電系統開關820延伸之各通道830延伸至第二切換組812及至輸出埠850。因此， 第一組微機電系統開關820整合於第一微機電系統組811中。在所示的實施例中，第二組微機電系統開關820整合於四個分別的微機電系統組812中。各通道830構造成具有相等的、或約相等的長度。如同所示，通道830構造成對稱的、或是大約對稱的。
此外，如同從各輸出埠850延伸的點虛線(...)所示般，在實施例中，增加的通道830可以又延伸至其它開關組及/或微機電系統開關(未顯示)。亦即，雖然顯示16節中繼器，但是，顯然地，可思及其它數量的輸出850，可高達接近n的輸出數量，其中，n→∞。舉例而言，在圖11中，第三切換組813包括從通道830延伸的多個微機電系統開關820(例如4個)，意指可以如所需地增加額外的開關組、微機電系統開關、及通道。
如同此處所述，在某些實施例中，通道830可以是雙向的。如此，應注意，雖然此處所示的實施例顯示單一射頻輸入860連接至多個出口埠850(例如1對4、1對16、等等)但是，由於歐姆式微機電系統中繼器的雙向能力，所以其它配置也是可能的。舉例而言，在某些實施例中，單一射頻輸入860可以是出口埠，而多個出口埠850可為輸入。因此，在某些實施例中，組件810可以由多個連接至單一出口埠(例如4對1、16對1、等等)的輸入等等組成。
Cgap、或是從臂至軌跡的電容耦合在通道中可以從約3變化至約20fF。僅舉例說明，用於各式各樣的設計之 Cgap包含：具有單臂的SPST約4.4fF；具有雙臂的SPST約7.0fF；具有三臂的SPST約9.0fF；以及，具有四臂的SPST約11.0fF。
臂的數量可以從1至約20。
基底12包括任何具有低電容率及高電阻之適當的材料、或材料的組合。舉例而言，適當的基底包括例如矽、聚醯亞胺、石英、熔凝矽土、玻璃、藍寶石、氧化鋁、等等材料。一般而言，基底具有電容率ε<20。在其它實施例中，電容率ε<10。在實施例中，基底12包含塗層或多個塗層。舉例而言，Si3N4的塗層是在Si層上，藉以形成基底12。
根據實施例，歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：基底，具有第一電容耦合Csub；串聯電耦合的第一致動元件及第二致動元件，藉以界定第一通道，其中，第一及第二致動元件配置成獨立地受致動，又其中，第一及第二致動元件具有第二電容耦合Cgap；在第一通道上的中點，與第一及第二致動元件電通訊；以及，至少一錨件，機械地耦合至基底以及支撐第一及第二致動元件中至少之一。
根據另一實施例，靜電控制歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：輸入；射頻傳輸線，連接輸入到至少一輸出；基底，具有第一電容耦合Csub；在射頻傳輸線上串聯電耦合的第一致動元件及第二致動元件，其中，第一及第二致動元件配置成獨立地受致動，又其中，第一及第二致動元件具有第二電容耦合Cgap；在射頻傳輸線上的中點，與第 一及第二致動元件電通訊，其中，中點的電位作為用於閘控訊號的共同基準；至少一錨件，機械地耦合至基底以及支撐第一及第二致動元件中至少之一，其中，比例Csub/Cgap=r，其中，r<10，又其中，中繼器配置成在第一閉合位置及第二斷開位置操作，其中：第一閉合位置包括電連接輸入以及至少一輸出；以及，第二斷開位置包括將輸入與至少一輸出電斷開。
根據另一實施例，歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：輸入埠；多個第一微機電系統開關，界定第一切換組，第一切換組與輸入埠電通訊，藉以界定多個通道，各通道從多個第一微機電系統開關中的各第一微機電系統開關導出；以及，至少一出口埠，沿著遠離第一切換組的多個通道中的各通道及與輸入埠電通訊。
根據另一實施例，歐姆式射頻微機電系統中繼器包括：基底，具有第一電容耦合Csub；串聯電耦合的第一致動元件及第二致動元件，藉以界定第一通道，其中，第一致動元件及第二致動元件配置成同時操作，又其中，第一及第二致動元件具有第二電容耦合Cgap；在第一通道上的中點，與第一及第二致動元件電通訊；以及，至少一錨件，機械地耦合至基底以及支撐第一及第二致動元件中至少之一。
雖然於此僅顯示及/或說明本發明的某些特點，但是，習於此技藝者將可想到很多修改及改變。雖然說明各別實施例，但是，本發明涵蓋所有這些實施例的所有組 合。須瞭解，後附的申請專利範圍是要涵蓋所有落在本發明的範圍內的這類修改及改變。
6‧‧‧單一閘驅動器
10‧‧‧微機電系統開關
14‧‧‧開關基準
15‧‧‧第一接點
16‧‧‧共同閘
17‧‧‧第二接點
18‧‧‧錨件
23‧‧‧可移動致動器
2‧‧‧剖面線

Claims (21)

  1. 一種歐姆式射頻微機電系統(RF MEMS)中繼器，包括：基底，具有第一電容耦合Csub；串聯電耦合的第一致動元件及第二致動元件，藉以界定第一通道，其中，該第一及第二致動元件配置成獨立地受致動，又其中，該第一及第二致動元件具有第二電容耦合Cgap；在第一通道上的中點，與該第一及第二致動元件電通訊；以及，至少一錨件，機械地耦合至該基底以及支撐該第一及第二致動元件中至少之一。
  2. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，比例Csub/Cgap=r，其中，r<10。
  3. 如申請專利範圍第2項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，又其中，r<1。
  4. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，中點的電位作為用於閘控訊號的共同基準。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，該至少一錨件包括共同錨件，由該第一致動元件及該第二致動元件共用。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，該至少一錨件包括支撐該第 一致動元件的第一錨件以及支撐該第二致動元件的第二錨件，其中，該第一錨件及該第二錨件彼此未機械地耦合。
  7. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，又包括第三致動元件，與該第一及該第二致動元件中至少之一串聯電耦合，藉以界定第二通道。
  8. 如申請專利範圍第7項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，該第一通道及該第二通道以並聯配置電耦合。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，該第一、第二、及第三致動元件中至少之二是並聯配置。
  10. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，該第一致動元件及該至少一錨件包括第一微機電系統開關；以及，該第二致動元件及該至少一錨件包括第二微機電系統開關。
  11. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，又包括輸入埠，其中，在該輸入埠與該第一致動元件之間的距離小於約λ/4，其中，λ包括波長。
  12. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，又包括至少一閘驅動器，配置成提供閘控訊號以致動該第一及該第二致動元件中至少之一。
  13. 如申請專利範圍第12項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，該至少一閘驅動器關聯到至少二致動元件。
  14. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，又包括輸入埠及多個輸出埠。
  15. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，又包括沿著該第一通道之基準隔離。
  16. 如申請專利範圍第15項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，該基準隔離又包括開關。
  17. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，該第一通道包括共平面波導。
  18. 如申請專利範圍第17項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，又包括在該共平面波導的多個接地線上的微機電系統開關。
  19. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，該第一通道包括訊號線及又包括在該基底之下的接地層，該接地層及第一通道界定微條配置及接地共平面波導配置中之一。
  20. 如申請專利範圍第1項之歐姆式射頻微機電系統中繼器，其中，從該第一致動元件及該第二致動元件中至少之一至該中點的沿著該第一通道的距離是至少約0.25mm。
  21. 一種歐姆式射頻微機電系統組件，包括彼此電通訊之多個如前述申請專利範圍中任一項之射頻微機電系統中繼器。
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