TWI695366B - 具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組、驅動晶片及電子裝置 - Google Patents

Abstract

一種具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，具有一自發光元件顯示面板、一驅動電路及一類神經網路計算整合單元，其中，該自發光元件顯示面板具有內嵌有畫素電流感測電路之一自發光元件陣列，該驅動電路係用以驅動該自發光元件陣列以獲得複數個感測電流數位值，且該類神經網路計算整合單元用以依所述複數個感測電流數位值執行一類神經網路神經元計算程序。

Description

具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組、驅動晶片及電子裝置

本發明係關於顯示面板之技術領域，尤指一種具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示(active matrix organic light emitting diode；主動矩陣有機發光二極體)面板模組與電子裝置。

由於OLED面板具有自發光、廣視角、高對比、低耗電及高反應速率等優點，其已廣泛應用於各式電子產品中。一般的OLED顯示裝置通常是由一OLED面板、一驅動電路及一電源管理模組構成。請參照圖1，其繪示一習知AMOLED顯示裝置1’的架構圖。如圖1所示，AMOLED顯示裝置1’包括：一AMOLED面板10’；由一控制單元11’、一資料驅動單元12’與一掃描驅動單元13’組成的一驅動電路；以及一電源供應單元14’。

AMOLED面板10’具有N*M個畫素單元(pixel unit)，N、M均為大於1的整數，且各所述畫素單元均均包含一個有機發光二極體101’、一個TFT驅動元件102’及一個TFT開關103’。於操作時，掃描驅動單元13’會依序傳送一閘極驅動信號V _DRV至各列(row) TFT開關103’以控制各列中的M個TFT開關103’的導通與關斷。當一列TFT開關103’被導通時，資料驅動單元12’所送出的M個資料信號V _Data便會驅動M個TFT驅動元件102’以產生M個定電流以驅使M個有機發光二極體101’發光。由圖1可知，各TFT驅動元件102’的汲極端均與電源供應單元14’所提供的系統電壓V _DD耦接。

然而，受到製程誤差的影響，該AMOLED面板10’內的各個TFT電晶體可能會具有不同的臨界電壓(Threshold voltage, Vth)和導電參數K；因此，在以一閘極驅動信號V _DRV開啟一列TFT開關103’時，若以相同的資料信號V _Data驅動M個TFT驅動元件102’，各TFT驅動元件102’所產生的通道電流很可能會不一致，也就是說該列有機發光二極體101’的發光亮度很可能會不均勻。為解決此問題，本領域已有一種外部補償方案(external compensation)被提出。請一併參照圖2a-c，其繪示一習知外部補償方案的參數量測示意圖，其中，圖2a繪示利用一習知外部補償量測電路量測電晶體臨界電壓的示意圖；以及圖2b和圖2c繪示利用所述習知外部補償量測電路量測電晶體導通參數的示意圖。

如圖2a所示，該習知外部補償量測電路係在各畫素單元(包含儲存電容100’、有機發光二極體101’、 TFT驅動元件102’及 TFT開關103’)外部增設一TFT監控元件104’、一類比數位轉換器15’及一感測電容16’。於操作時，該習知外部補償量測電路係將閘極驅動信號G11傳送至TFT開關103’及TFT監控元件104’，接著傳送資料信號V _data至TFT開關103’的源極以對儲存電容100’充電。圖2a中進一步繪示儲存電容電壓相對於時間的曲線圖。如曲線圖所示，在資料信號V _data的充電下，儲存電容電壓V _s會自一初始電容電壓V _int被充電至一最終電容電壓(V _data-V _th)。此時，只要將資料信號V _data的電壓值減去最終電容電壓(V _data-V _th)，即可測得TFT驅動元件102’的臨界電壓V _th。簡單地說，圖2a所繪示的畫素單元外部補償方案係用於量測所述畫素單元之中的TFT驅動元件102’的臨界電壓V _th，接著便可以透過調整資料信號V _data方式，補償不同TFT驅動元件102’的臨界電壓的差異。

另外，TFT驅動元件102’的通道電流公式可以被簡單地表示為

，其中K為導通參數。因此，為了讓各所述畫素單元之中的TFT驅動元件102’皆能以同樣的驅動電流驅動有機發光二極體101’發光，還須進一步量測各TFT驅動元件102’的K值。參考圖2b所示的閘極驅動信號與資料信號的信號波形圖，其中，在閘極驅動信號G11和閘極驅動信號G12均為高電位期間，感測電容16’的跨壓V _S具有一初始電壓Vint，儲存電容100’的一端會經由TFT開關103’耦接資料信號Vdata，且儲存電容100’的另一端會經由TFT監控元件104’耦接V _S；在閘極驅動信號G11為低電位且閘極驅動信號G12為高電位的期間，儲存電容100’的跨壓維持固定，致使TFT驅動元件102’的通道電流維持固定，致使感測電容16’會受一定電流充電而使跨壓V _S線性爬升，其波形如圖2c所示，其中，在充電時間為t1時可以測得儲存電容電壓的值為Vsense1，數據點(t0,Vint)和數據點(t1,Vsense1)之間為線性關係，且此線性關係的斜率係和TFT驅動元件102’的K值成正比。

圖3繪示另一習知外部補償方案的參數量測示意圖。此外部補償方案係利用TFT監控元件104’和一類比電流轉數位電壓單元17’量測TFT驅動元件102’的驅動電流。依此，即可在統計各所述驅動電流的差異之後，對傳送至各TFT開關103’的各所述資料信號Vdata做補償調整，以使各所述驅動電流能夠一致。

簡單地說，欲達成前述之畫素單元外部補償方案，必須在每個畫素單元內增設一個監控TFT元件，並令每一條源極線(資料線)皆連接有一個電流感測線並由多工器相連至類比數位轉換器。可想而知，對一高解析度的AMOLED面板而言，其必須搭載更多數量的電流感測線，這除了會大幅增加驅動電路的設置成本之外，同時也會增加線路佈局的複雜度。

因此，本領域亟需一種新穎的AMOLED面板補償機制。

本發明之一目的在於提出一種具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板，其可藉由內嵌有畫素電流感測電路之一自發光元件陣列實現一類神經網路神經元計算電路，從而提供一類神經網路計算功能。

本發明之另一目的在於提出一種具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板，其可藉由內嵌有畫素電流感測電路之一自發光元件陣列執行一TFT電性外部補償計算程序，以獲得該自發光元件陣列之一亮度補償參數。

本發明之另一目的在於提出一種具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板，其可藉由併接一自發光元件陣列的多條畫素電流感測線以提供一巨集神經元計算電路。

本發明之又一目的在於提出一種具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板，其可藉由將一自發光元件陣列的中間部分的畫素電流感測線分組併接，以減少一外部補償晶片的接腳數。

為達成上述目的，一種自發光元件顯示面板模組乃被提出，其包括：

一自發光元件顯示自發光面板，包括M×N個畫素單元、M條驅動閘極線、N條資料源極線、M條檢測閘極線、及S條電流檢測線，M、N、S均為大於1的整數，S小於N，且各所述畫素單元包括：一第一TFT電晶體，其汲極端耦接一所述資料源極線，且其閘極端耦接一所述驅動閘極線；一第二TFT電晶體，其汲極端耦接一系統電壓，且其閘極端耦接該第一TFT電晶體的源極端；一有機發光二極體，耦接於該第二TFT電晶體的源極端與一系統地端之間；及一第三TFT電晶體，其源極端耦接該第二TFT電晶體之所述汲極端，其汲極端耦接一所述電流檢測線，且其閘極端耦接一所述檢測閘極線；

一驅動電路，包括：一控制單元；一閘極驅動單元，電性連接M條所述驅動閘極線，並耦接該控制單元；一檢測驅動單元，電性連接M條所述檢測閘極線，並耦接該控制單元；以及一源極驅動單元，電性連接N條所述資料源極線與S條所述電流檢測線，並耦接該控制單元，且該源極驅動單元包括：分別耦接所述N條所述資料源極線的N個輸出緩衝器和耦接S條所述電流檢測線的一檢測器，該檢測器係用以將一電流檢測信號轉成一電流檢測信號數位值；以及

一類神經網路計算整合單元，耦接該檢測器以接收複數個所述電流檢測信號數位值，並據以產生一神經元輸出值。

在一實施例中，所述神經元輸出值為

；其中，k為整數，W _k為由一所述驅動閘極線所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空比(Duty cycle)，Data _k為一所述資料源極線所傳送的一資料信號。

在一實施例中，該源極驅動單元更包括：耦接於S條所述電流檢測線與該檢測器之間的一多工器，且該檢測器透過該多工器接收所述電流檢測信號。

在一實施例中，所述類神經網路計算整合單元係利用半導體集成電路製造技術而製作於一矽基板之上，且所述自發光元件顯示面板接著形成於具有所述類神經網路計算整合單元的所述矽基板之上。

在一實施例中，第1條所述電流檢測線直接耦接至該多工器，且第Q條以後的所述電流檢測線與其下P條所述電流檢測線彼此耦接之後再耦接至該多工器；其中，Q為整數且起始值為2，且P為整數且起始值為1。

在一實施例中，第1條與第S條所述電流檢測線直接耦接至該多工器，第Q條以後的所述電流檢測線與其下P條所述電流檢測線彼此耦接之後再耦接至該多工器，且第S-1條的所述電流檢測線與其前F條所述電流檢測線彼此耦接之後再耦接至該多工器；其中，Q為整數且起始值為2，且P為整數且起始值為1；並且，F為整數且起始值為1。

在一實施例中，所述神經元輸出值為

；其中，W _k為由一所述驅動閘極線所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空比，

為Z條所述資料源極線所傳送的Z個資料信號的總和，Z為大於1的整數。

在可能的實施例中，該自發光元件陣列可為有機發光二極體（organic  light  emitting  diode；OLED）陣列、量子點發光二極體（quantum  dot  light emitting  diode；QLED）陣列、Mirco-LED陣列或Mini-LED陣列。

為達成上述目的，本發明進一步提出一種驅動晶片，其具有如前述之驅動電路及類神經網路計算整合單元，以藉由驅動所述的自發光元件顯示面板而執行所述的類神經網路神經元計算程序。

為達成上述目的，本發明進一步提出一種自發光元件顯示面板模組，其包含一自發光元件顯示面板及一驅動電路，且其特徵在於：

所述的自發光元件顯示面板模組具有一類神經網路計算整合單元；以及

該自發光元件顯示面板具有內嵌有複數個畫素電流感測電路之一自發光元件陣列，該驅動電路係用以驅動該自發光元件陣列以獲得複數個感測電流數位值，且該類神經網路計算整合單元係用以依所述複數個感測電流數位值執行一類神經網路神經元計算程序。

另外，本發明進一步提出一種電子裝置，其具有如前所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組。

在可能的實施例中，所述電子裝置可為下列任一者：智慧型手錶、智慧手環、智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦或一體式電腦。

為使  貴審查委員能進一步瞭解本發明之結構、特徵、目的、與其優點，茲附以圖式及較佳具體實施例之詳細說明如後。

在開始說明本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組之前，必須先介紹類神經網路(Artificial Neural Network, ANN)。圖4即繪示一類神經網路的架構圖，其包括：包含複數個輸入特徵(Input feature)的輸入層、包含複數個神經元(Neuron)的隱藏層、和包含複數個輸出值的輸出層。值得注意的是，神經元利用激勵函數(Activation function)將各所述輸入特徵(X ₁、X ₂、X ₃)轉換成對應的輸出值。前述說明已經解釋，在相同的閘極電壓之下，各所述TFT電晶體所輸出的驅動電流可能會不一樣，因此必須在完成驅動電流檢測之後，接著透過源極線來調整指定的特定TFT電晶體的閘極電壓，以使各所述TFT電晶體所輸出的驅動電流能夠均勻。

第一實施例

本發明將所述神經元激勵函數基本上設定為

，並將其導入自發光元件顯示面板模組之中，以運用類神經網路的遞迴運算對自發光元件顯示面板模組進行畫素補償。圖5繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第一實施例架構圖，其中，一自發光元件顯示面板模組1主要由一自發光元件顯示面板10、一類神經網路計算整合單元15、和包括一閘極驅動單元11、一源極驅動單元12、 一檢測驅動單元13及一控制單元14的一驅動電路所組成，且控制單元14耦接閘極驅動單元11、檢測驅動單元13及源極驅動單元12。如圖5所示，該自發光元件顯示面板10例如是AMOLED顯示面板，其包括：M×N個畫素單元、M條驅動閘極線1G、N條資料源極線1S、M條檢測閘極線2G、及S條電流檢測線2S，M、N、S均為大於1的整數，S小於N，且各所述畫素單元均包括：一第一TFT電晶體101、一第二TFT電晶體102、一有機發光二極體103及一第三TFT電晶體104。在各所述畫素單元中，該第一TFT電晶體101的汲極端耦接所述資料源極線1S，且其閘極端耦接所述驅動閘極線1G；該第二TFT電晶體102的汲極端耦接一系統電壓VDD，且其閘極端耦接該第一TFT電晶體101的源極端；該有機發光二極體103耦接於該第二TFT電晶體102的源極端與一系統地端之間；以及，在第三TFT電晶體104中，其源極端耦接第二TFT電晶體102之汲極端，其汲極端耦接一電流檢測線2S，且其閘極端耦接一檢測閘極線2G。

另外，在該驅動電路中，該閘極驅動單元11電性連接M條所述驅動閘極線1G，該檢測驅動單元13電性連接M條所述檢測閘極線2G，且該源極驅動單元12電性連接N條所述資料源極線1S與S條所述電流檢測線2S。特別地，該源極驅動單元12包括：分別耦接所述N條所述資料源極線1S的N個輸出緩衝器121與耦接S條所述電流檢測線2S的一檢測器122，其中該檢測器122係用以將一電流檢測信號轉成一電流檢測信號數位值。另外，類神經網路計算整合單元15耦接該檢測器122以接收複數個所述電流檢測信號數位值，並據以進行一加總計算以產生一神經元輸出值(或激勵函數值)。

如圖5所示，複數個所述電流檢測信號分別接收自S條所述電流檢測線2S。並且，在第一實施例的架構中，所述激勵函數(或神經元輸出值)為

，k為整數，W _k為由一驅動閘極線1G所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空比(Duty cycle)，且Data _k為一資料源極線1S所傳送的一資料信號。舉例而言，在包含4×4個畫素單元的自發光元件顯示面板10之中，4個所述電流檢測信號分別接收自第(1,1)個畫素單元、第(2,2)個畫素單元、第(3,3)個畫素單元、與第(4,4)個畫素單元，且分別代表

、

及

。並且，類神經網路計算整合單元15利用4個所述電流檢測信號的數位值進行一加總計算以產生一神經元輸出值(或激勵函數值)。

熟悉類神經網路遞迴運算的工程師應該知道，透過改變或調整權重值W _k的方式可以改變所述類神經網路輸出值。圖6a與圖6b即繪示兩種權重值調整方法的示意圖，其中，圖6a繪示在占空比固定的情況下，將閘極電壓Vg由10V降為5V，使感測值降為一半的示意圖；以及圖6b繪示在閘極電壓固定的情況下，將占空比降為一半，使感測值降為一半的示意圖。

請繼續參閱圖7a、圖7b與圖7c，其皆繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第一實施例架構圖。如圖7a所示，所述

W _k ×Data _k 可以為檢測自第(4,1)個畫素單元的電流檢測信號、第(2,2)個畫素單元的電流檢測信號、第(3,3)個畫素單元的電流檢測信號及第(4,4)個畫素單元的電流檢測信號的總和。並且，如圖7b所示，所述

W _k ×Data _k 可以為檢測自第(3,1)個畫素單元的電流檢測信號、第(4,2)個畫素單元的電流檢測信號、第(1,3)個畫素單元的電流檢測信號及第(4,4)個畫素單元的電流檢測信號的總和。進一步地，如圖7c所示，所述

W _k ×Data _k 還可以是檢測自第(2,1)個畫素單元的電流檢測信號、第(3,2)個畫素單元的電流檢測信號、第(4,3)個畫素單元的電流檢測信號及第(1,4)個畫素單元的電流檢測信號的總和。在獲得激勵函數

W _k ×Data _k 後，即可據以調整畫素電壓以使顯示畫面的亮度能夠均勻。

第二實施例

圖8繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第二實施例架構圖。比較圖5與圖8可以發現，第二實施例之架構更包括：耦接於S條所述電流檢測線2S與該檢測器122之間的一多工器123。舉例而言，在包含4×4個畫素單元的自發光元件顯示面板10之中，第1個電流檢測信號係由第(1,1)個畫素單元、第(1,2)個畫素單元、第(1,3)個畫素單元或第(1,4)個畫素單元提供，第2個電流檢測信號係由第(1,2)個畫素單元、第(2,2)個畫素單元、第(3,2)個畫素單元或第(4,2)個畫素單元提供，第3個電流檢測信號係由第(1,3)個畫素單元、第(2,3)個畫素單元、第(3,3)個畫素單元或第(4,3)個畫素單元提供，且第4個電流檢測信號係由第(1,4)個畫素單元、第(2,4)個畫素單元、第(3,4)個畫素單元或第(4,4)個畫素單元提供。在第二實施例中，類神經網路計算整合單元15同樣使用激勵函數

W _k ×Data _k 將N個所述電流檢測信號加總成一類神經網路輸出值，且該類神經網路輸出值即可用以調整畫素電壓以使顯示畫面的亮度能夠均勻。

補充說明的是，雖然在前述第一實施例與第二實施例的架構中，該檢測器122為一電流檢測器，然其亦可利用一電壓檢測器實現，其中，所述電流檢測器為一電流類比數位轉換器(IADC)，用以將驅動電流信號(亦即，檢測信號)轉換成數位電流資料；且所述電壓檢測器為一類比數位轉換器(ADC)，用以將一類比電壓信號轉換成數位資料。

第三實施例

圖9a與圖9b繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第三實施例架構圖。比較圖8與圖9a可以發現，第三實施例的源極驅動單元12同樣包括N個輸出緩衝器121、一個檢測器122、與一個多工器123。特別地，於第三實施例之中，第1條所述電流檢測線2S係直接耦接至該多工器123，且第Q條以後的所述電流檢測線2S與其下P條所述電流檢測線2S彼此耦接之後再耦接至該多工器123；其中，Q為整數且起始值為2，且P為整數且起始值為1。舉例而言，如圖9a所示，第2條所述電流檢測線2S與其下1條(即，第3條)所述電流檢測線2S彼此耦接之後再耦接至該多工器123，第4條所述電流檢測線2S與其下2條(即，第5條與第6條)所述電流檢測線2S彼此耦接之後再耦接至該多工器123，依此類推。

於第三實施例中，該類神經網路計算整合單元15同樣具有一激勵函數用以將各所述檢測信號轉換成一類神經網路輸出值，且所述激勵函數為

；其中，W _k為由一所述驅動閘極線所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空比，

為Z條所述資料源極線所傳送的Z個資料信號的總和，Z為大於1的整數。以圖9a為例，第1條所述電流檢測線2S係直接耦接至該多工器123，因此控制單元14可以利用激勵函數為

將第1組檢測信號轉換成類神經網路的輸出值，其中第1個電流檢測信號係由第(1,1)個畫素單元、第(2,1)個畫素單元、第(3,1)個畫素單元及第(4,1)個畫素單元提供。並且，以圖9b為例，第2條所述電流檢測線2S與第3條所述電流檢測線2S彼此耦接之後再耦接至該多工器123，因此控制單元14可以利用激勵函數

將第2個電流檢測信號和第3個電流檢測信號轉換成一類神經網路的輸出值，依此類推。

比較第二實施例與第三實施例之架構可以發現，第二實施例的架構是將每條電流檢測線2S直接耦接至多工器123，然而第三實施例則是將多條電流檢測線2S彼此耦接之後再耦接至多工器123。可以理解的是，相較於第二實施例的架構，第三實施例的架構可減少電流檢測線2S的數量，同時可以不規則分配自發光元件顯示面板10的檢測區域。

圖10繪示自發光元件顯示面板、閘極驅動單元與檢測驅動單元的連接架構圖。特別說明的是，圖10之中並未繪示源極驅動單元12。並且，比較圖9A與圖10可以發現，於圖10所示的自發光元件顯示面板10之中，第1條與第S條所述電流檢測線2S係直接耦接至該多工器123，第Q條以後的所述電流檢測線2S與其下P條所述電流檢測線2S彼此耦接之後再耦接至該多工器123，且第S-1條以後的所述電流檢測線2S與其前F條所述電流檢測線2S彼此耦接之後再耦接至該多工器123。 其中，Q為整數且起始值為2，且P為整數且起始值為1；並且，F為整數且起始值為1。由於面板顯示中心為顯示內容變化最快的區域，故中心的畫素單元老化的可能性較低。易於理解的是，圖10將多條電流檢測線2S彼此耦接，耦接的數量由面板二側向面板中心增加 ，這樣的方式可以大幅減少源極驅動單元12所具有的用於連接電流檢測線2S的接腳數量(Pin腳數)。

也就是說，本發明的具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組主要包含一自發光元件顯示面板及一驅動電路，而其特徵在於：所述的自發光元件顯示面板模組具有一類神經網路計算整合單元；以及該自發光元件顯示面板具有內嵌有複數個畫素電流感測電路之一自發光元件陣列，該驅動電路係用以驅動該自發光元件陣列以獲得複數個感測電流數位值，且該類神經網路計算整合單元係用以依所述複數個感測電流數位值執行一類神經網路神經元計算程序。另外，所述的自發光元件陣列可為有機發光二極體（organic  light  emitting  diode；OLED）陣列、量子點發光二極體（quantum  dot  light emitting  diode；QLED）陣列、Mirco-LED陣列或Mini-LED陣列。

依上述的說明，本發明進一步提出一種驅動晶片，其具有如前述之驅動電路及類神經網路計算整合單元，以藉由驅動所述的自發光元件顯示面板而執行所述的類神經網路神經元計算程序。

依上述的說明，本發明進一步提出一種電子裝置，其具有如前述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，且所述之電子裝置可為智慧型手錶、智慧手環、智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦或一體式電腦。

如此，上述係已完整且清楚地說明本發明之原理和技術手段，且經由上述的說明可得知本發明具有下列優點：

1.本發明的具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板可藉由內嵌有畫素電流感測電路之一自發光元件陣列實現一類神經網路神經元計算電路，從而提供一類神經網路計算功能。

2.本發明的具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板可藉由內嵌有畫素電流感測電路之一自發光元件陣列執行一類神經網路神經元計算程序，以獲得該自發光元件陣列之一亮度補償參數。

3.本發明的具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板可藉由併接一自發光元件陣列的多條畫素電流感測線以提供一巨集神經元計算電路。

4.本發明的具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板可藉由將一自發光元件陣列的中間部分的畫素電流感測線分組併接，以減少一外部補償晶片的接腳數。

必須加以強調的是，前述本案所揭示者乃為較佳實施例，舉凡局部之變更或修飾而源於本案之技術思想而為熟習該項技藝之人所易於推知者，俱不脫本案之專利權範疇。

綜上所陳，本案無論目的、手段與功效，皆顯示其迥異於習知技術，且其首先發明合於實用，確實符合發明之專利要件，懇請  貴審查委員明察，並早日賜予專利俾嘉惠社會，是為至禱。

＜本發明＞ 1:自發光元件顯示面板模組 10:自發光元件顯示面板 11:閘極驅動單元 12:源極驅動單元 13:檢測驅動單元 14:控制單元 15:類神經網路計算整合單元 100:儲存電容 101:第一TFT電晶體 102:第二TFT電晶體 103:有機發光二極體 104:第三TFT電晶體 121:輸出緩衝器 122:檢測器 123:多工器

＜習知＞ 1’:AMOLED顯示裝置 10’:AMOLED面板 11’:控制單元 12’:資料驅動單元 13’:掃描驅動單元 14’:電源供應單元 100’:儲存電容 101’:有機發光二極體 103’:TFT開關 102’:TFT驅動元件 104’:監控TFT元件 15’:類比數位轉換器 16’:感測電容 17’:類比電流轉數位電壓單元

圖1繪示一習知自發光元件顯示顯示裝置的架構圖； 圖2a-c繪示一習知外部補償方案的參數量測示意圖； 圖3繪示另一習知外部補償方案的參數量測示意圖； 圖4繪示類神經網路的架構圖； 圖5繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第一實施例架構圖； 圖6a繪示權重值的調整程序的示意圖； 圖6b繪示權重值的調整程序的示意圖； 圖7a繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第一實施例架構圖； 圖7b繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第一實施例架構圖； 圖7c繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第一實施例架構圖； 圖8繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第二實施例架構圖； 圖9a繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第三實施例架構圖； 圖9b繪示本發明之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組的第三實施例架構圖；以及 圖10 繪示自發光元件顯示面板、閘極驅動單元與檢測驅動單元的連接架構圖。

1:自發光元件顯示面板模組

10:自發光元件顯示面板

11:閘極驅動單元

13:檢測驅動單元

12:源極驅動單元

14:控制單元

15:類神經網路計算整合單元

100:儲存電容

101:第一TFT電晶體

102:第二TFT電晶體

103:有機發光二極體

104:第三TFT電晶體

121:輸出緩衝器

122:檢測器

Claims (13)

1. 一種具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其具有：一自發光元件顯示面板，包括M×N個畫素單元、M條驅動閘極線、N條資料源極線、M條檢測閘極線及S條電流檢測線，M、N、S均為大於1的整數，S小於N且各所述畫素單元包括：一第一TFT電晶體，其汲極端耦接一所述資料源極線，且其閘極端耦接一所述驅動閘極線；一第二TFT電晶體，其汲極端耦接一系統電壓，且其閘極端耦接該第一TFT電晶體的源極端；一有機發光二極體，耦接於該第二TFT電晶體的源極端與一系統地端之間；及一第三TFT電晶體，其源極端耦接該第二TFT電晶體之所述汲極端，其汲極端耦接一所述電流檢測線，且其閘極端耦接一所述檢測閘極線；一驅動電路，包括：一控制單元；一閘極驅動單元，電性連接M條所述驅動閘極線，並耦接該控制單元；一檢測驅動單元，電性連接M條所述檢測閘極線，並耦接該控制單元；以及一源極驅動單元，電性連接N條所述資料源極線與S條所述電流檢測線，並耦接該控制單元，且該源極驅動單元包括：分別耦接所述N條所述資料源極線的N個輸出緩衝器和耦接S條所述電流檢測線的一檢測器，該檢測器係用以將一電流檢測信號轉成一電流檢測信號數位值；以及一類神經網路計算整合單元，耦接該檢測器以接收複數個所述電流檢測信號數位值，並據以產生一神經元輸出值。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，所述神經元輸出值為

   

   W _k ×Data _k ，k為整數，W_k為由一所述驅動閘極線所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空比(Duty cycle)，且Data_k為一所述資料源極線所傳送的一資料信號。
3. 如申請專利範圍第1項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，該源極驅動單元更包括：耦接於S條所述電流檢測線與該檢測器之間的一多工器，且該檢測器透過該多工器接收所述電流檢測信號。
4. 如申請專利範圍第3項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，所述神經元輸出值為

   

   W _k ×Data _k ，k為整數，W_k為由一所述驅動閘極線所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空比(Duty cycle)，且Data_k為一所述資料源極線所傳送的一資料信號。
5. 如申請專利範圍第1項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，所述類神經網路計算整合單元係利用半導體集成電路製造技術而製作於一矽基板之上，且所述自發光元件顯示面板接著形成於具有所述類神經網路計算整合單元的所述矽基板之上。
6. 如申請專利範圍第3項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，第1條所述電流檢測線直接耦接至該多工器，且第Q條以後的所述電流檢測線與其下P條所述電流檢測線彼此耦接之後再耦接至該多工器；其中，Q為整數且起始值為2，且P為整數且起始值為1。
7. 如申請專利範圍第3項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，第1條與第N條所述電流檢測線直接耦接至該多工器，第Q條以後的所述電流檢測線與其下P條所述電流檢測線彼此耦接之後再耦接至該多工器，且第N-1條以後的所述電流檢測線與其前F條所述電流檢測線彼此耦接之後再耦接至該多工器；其中，Q為整數且起始值為2，且P為整數且起始值為1；並且，F為整數且起始值為1。
8. 如申請專利範圍第6項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，所述神經元輸出值為

   

   W _k (Data1 _k ,...,+DataZ _k )；其中，W_k為由一所述驅動閘極線所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空比，Data1 _k ,...,+DataZ _k 為Z條所述資料源極線所傳送的Z個資料信號的總和，Z為大於1的整數。
9. 如申請專利範圍第7項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，所述神經元輸出值為

   

   W _k (Data1 _k ,...,+DataZ _k )；其中，W_k為由一所述驅動閘極線所傳送的一閘極驅動信號的一電壓值或一佔空 比，Data1 _k ,....,+DataZ _k 為Z條所述資料源極線所傳送的Z個資料信號的總和，Z為大於1的整數。
10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組，其中，該自發光元件陣列係由有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)陣列、量子點發光二極體(quantum dot lightemitting diode；QLED)陣列、Mirco-LED陣列和Mini-LED陣列所組成的群組所選擇的一種陣列。
11. 一種驅動晶片，其具有如申請專利範圍第10項所述之驅動電路及類神經網路計算整合單元，以藉由驅動所述的自發光元件顯示面板而執行一類神經網路神經元計算程序。
12. 一種電子裝置，其具有如申請專利範圍第10項所述之具有類神經網路計算功能的自發光元件顯示面板模組。
13. 如申請專利範圍第12項所述之電子裝置，其係由智慧型手錶、智慧手環、智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦和一體式電腦所組成群組所選擇的一種裝置。

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