TWI693292B - 成膜遮罩及成膜遮罩之製造方法 - Google Patents

成膜遮罩及成膜遮罩之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係具備有：樹脂層，係設置有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽；以及金屬層，係層積在該樹脂層，在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以既定間隔於複數位置處設有交叉於該第2槽而加以連接之補強部，藉由對該層積後的樹脂層施以雷射加工，而從該金屬層之該補強部區域來去除所層積之該樹脂層的樹脂，以讓該樹脂層具有規則的開口圖案以及將該開口圖案分割之不規則的遮蔽圖案。藉此，便可提供一種容易讓補強部正下方區域之加工容易，而可在成膜基板上容易地製作規則圖案與不規則圖案之成膜遮罩。

Description

成膜遮罩及成膜遮罩之製造方法
本發明係關於一種具有複數開口之成膜遮罩，詳細而言，係關於一種可容易製作金屬篩等高精細圖案之成膜遮罩及成膜遮罩之製造方法。
自以往，便提案有一種成膜遮罩之製造方法，係為了防止開口部的變形，而具備有將其開口部橫切來加以連接之補強部(例如，參照日本特開平10-330911號)。以往範例中，係例如使用蝕刻法來製作具備補強部之成膜遮罩。
但是，以往範例中，要製作具有例如10μm以下等級之高精細開口部的成膜遮罩係有所困難的。於是，在欲製造具有高精細開口部之成膜遮罩的情況，補強部正下方區域中的加工便會成為問題。這是因為對使用成膜遮罩的成膜基板上之圖案形成時，為了遮擋此成膜遮罩之補強部從特定方向所飛來之物質，而在此補強部正下方區域層積聚醯亞胺等之樹脂時，此部分便會變得難以成膜。又，以往範例中，並未特別重視在被成膜之成膜基板上形成規則圖案與不規則圖案。
於是，對應於此般問題點，本發明所欲解決之課題在於提供一種可讓補強部正下方區域中之加工容易，而可容易地在成膜基板上製作規則圖案與不規則圖案之成膜遮罩及成膜遮罩之製造方法。
為了解決上述課題，本發明之成膜遮罩係具備有：樹脂層，係設置有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽；以及金屬層，係層積在該樹脂層，在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以既定間隔於複數位置處設有交叉於該第2槽而加以連接之補強部；藉由對該層積後的樹脂層施以雷射加工，而從該金屬層之該補強部區域來去除所層積之該樹脂層的樹脂，以讓該樹脂層具有規則的開口圖案以及將該開口圖案分割 之不規則的遮蔽圖案。
又，為了解決上述課題，本發明之成膜方法係實行有：第1工序，係層積有：樹脂層，係可設實有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽，以及金屬層，係在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以既定間隔於複數位置處設有交叉於該第2槽而加以連接之補強部；以及第2工序，係藉由將雷射光以預選之順序照射至該層積後的樹脂層及金屬層的兩面，去除層積於該補強部之樹脂，以製作具有對應於該第1槽之規則開口圖案以及將該開口圖案分割之不規則的遮蔽圖案之樹脂層。
依本發明之成膜遮罩，藉由對該補強部所層積之樹脂層施以雷射加工，便能讓該補強部正下方區域之加工變得容易。又，依本發明之成膜遮罩，由於上述樹脂層係具有規則的開口圖案及將該開口圖案分割之不規則的遮蔽圖案，故可在該成膜基板上容易地製作規則圖案及不規則圖案。
又，依本發明之成膜遮罩之製造方法，係將雷射光照射至成膜遮罩的兩面，來去除該補強部所層積之樹脂層，進一步地，可製作具有規則的開口圖案與將該開口圖案分割之不規則的遮罩圖案之樹脂層。然後，依本發明之成膜遮罩之製造方法，在補強部正下方區域難以成為陰影，又，藉由該樹脂層之構成，便可提供能在該成膜基板上容易製作規則圖案與不規則圖案之成膜遮罩。
1‧‧‧成膜遮罩1
2‧‧‧膜層
3‧‧‧磁性金屬層
4‧‧‧補強部
5‧‧‧不規則部
6‧‧‧第1槽
7‧‧‧第2槽
w‧‧‧間隔
圖1係顯示第1實施形態中成膜遮罩一範例之平面圖及剖視圖。
圖2係顯示第1實施形態之成膜遮罩之製造方法一範例的流程圖。
圖3係顯示圖案加工處理前之膜層一範例的平面圖。
圖4係顯示圖案加工處理前之成膜遮罩一範例之平面圖。
圖5係顯示圖案加工裝置之構成例的方塊圖。
圖6係概略顯示第1實施形態中之圖案加工處理的工序圖。
圖7係顯示圖4所示之圖案加工處理前的成膜遮罩從磁性金屬層側施以雷射加工後之狀態的平面圖。
圖8係顯示以圖1所示之成膜遮罩來在成膜基板上成膜後情況之薄膜圖案的平面圖。
圖9係顯示第2實施形態中成膜基板之構成例的平面圖。
圖10係顯示第2實施形態中膜層之構成例的平面圖。
圖11係顯示第2實施形態中磁性金屬層之構成例的平面圖。
圖12係顯示第2實施形態中成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。
圖13係顯示第2實施形態中成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。
圖14係顯示補強部與第2槽之交叉部的關係之說明圖。
圖15係顯示變形例之磁性金屬層一範例的平面圖。
圖16係顯示變形例之成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。
圖17係顯示變形例之成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。
圖18係顯示補強部與第2槽之交叉部的關係之說明圖。
以下，便基於添附圖式就本發明之實施形態來加以說明。
圖1係顯示第1實施形態中成膜遮罩一範例之平面圖及剖視圖。圖1(a)為膜層2之平面圖，圖1(b)為磁性金屬層3之平面圖，圖1(c)係(a)、(b)所示之成膜遮罩1的S-S線剖視圖。圖1所示之成膜遮罩1係用以製作開口寬度為例如數μm~10μm範圍內情況之高精細圖案，具備層積有膜層2及磁性金屬層3之構造。詳細而言，此成膜遮罩1係具備有藉由對所層積之膜層2及磁性金屬層之兩面施以雷射加工，從磁性金屬層3之補強部4區域來去除所層積之膜層2的樹脂，以具有規則的開口圖案以及將該開口圖案分割的不規則的遮蔽圖案之膜層2者。藉此，此成膜遮罩1便可在成膜基板上形成規則圖案及與其相異之不規則圖案。
更詳細而言，圖1(a)所示之膜層2係樹脂層之一範例，係利用於成膜出在成膜對象之成膜基板上所形成的薄膜圖案(包含規則圖案之區域及不規則圖案之區域)。膜層2係例如厚度為5~30μm左右之聚醯亞胺膜，具有對應於成膜基板上之細線狀圖案所規定的第1槽6。另外，膜的材質不限於聚醯亞胺，亦可為例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，係優於製作具有高耐熱性，可讓可視光穿透的樹脂製膜。
詳細而言，該第1槽6係開口一範例，如圖1(a)所示，係具有與薄膜圖案相同之形狀，並對應於此圖案而配置成縱橫矩陣狀(m橫n列)。圖1(a)中，為了說明上的方便，而顯示4行4列的第1槽6，但實際上，並非為可生成高精細薄膜圖案之槽(開口)。
又，圖1(a)中，膜層2係具有9個正方形遮罩與讓延伸於列方向之第1槽6交叉所連接之5個矩形的遮罩(以下稱為「不規則部5」)。此不規則部5係對應於成膜基板的圖案，而設置於預定的位置。此處，正方形遮罩的部分係成膜出其周圍之第1槽6的區域，來在成膜對象之成膜基板上形成規則的圖案。又，不規則部5係藉由遮蔽其區域來在成膜基板上形成不規則的圖案。
又，圖1(b)所示之磁性金屬層3係金屬層的一範例，係在對應於第1槽6之位置設置第2槽7，並於第2槽7以既定間隔在複數位置處設置從既定方向(例如長邊方向)所交叉連接之補強部4的構造物。此補強部4不僅能防止開口之微細化所伴隨之形狀變形，亦具有防止空間上孤立之遮罩部分脫落的功能。另外，在層積膜層2及磁性金屬層3的情況，係在第1槽6與第2槽7之重疊區域形成貫穿孔(但如圖1所示，除補強部4區域)。又，所謂既定間隔如圖1(b)所示，係以固定間隔w來對各列方向之第2槽7設置有補強部4。
磁性金屬層3係例如為磁性材料之一種的鎳。另外，磁性金屬層3不限於鎳，亦可為鎳合金，只要有能以磁力來固定成膜遮罩1之磁性材料即可。進一步地，磁性金屬層3從以磁力來固定成膜遮罩1之觀點來看，較佳係具有例如20~50μm左右之厚度。此般磁性金屬層3由於可藉由磁力來做固定，故在雷射加工成膜遮罩1時，可精度良好地加工。又，第1槽6及第2槽7之開口寬度較佳為例如微細加工用之數μm(例如3~5μm)。
又，磁性金屬層3係具有在成膜時藉由配設在成膜遮罩1下側之磁石所吸附之膜層2密接於成膜基板之成膜面的功能。
如圖1(c)所示，補強部4之區域的層積聚醯亞胺樹脂會被加以去除。藉此，補強部4區域雖不會形成貫穿孔，而例如成膜時所飛來的成膜用物質(以下稱為「成膜物質」)會繞進到補強部4，但成膜遮罩1卻能在其部分讓成膜物質容易地通過第1槽6。此結果，便可針對補強部4正下方區域來成膜，例如，可對應於開口所包圍之區域而在成膜基板上形成封閉區域的圖案。
藉由上述，本發明之成膜遮罩1係對對磁性金屬層3之補強部4區域所層積的膜層2施以雷射加工，故對以往難以進行之補強部正下方區域的加工便會變得容易，來去除所層積之膜層2的樹脂。然後，補強部4區域由 於去除了聚醯亞胺樹脂，故在補強部4正下方區域難以形成陰影，而使得入射於斜向之成膜物質容易通過，可容易地製作高精細圖案。再者，由於是對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案，來設置具有規則的開口圖案及將該開口圖案分割之不規則的遮蔽圖案之膜層2，故可在此成膜基板上形成規則圖案及不規則圖案。
接著，參照圖2~8就第1實施形態之成膜遮罩1之製造方法來加以說明。此成膜遮罩1之製造方法係提供一種在補強部4正下方之區域難以形成陰影，可容易地製作高精細圖案的成膜遮罩之製造方法。
圖2係顯示第1實施形態之成膜遮罩之製造方法一範例的流程圖。概略說明，成膜遮罩之製造方法大體上係區分有層積處理及圖案加工處理之2個工序。
層積處理在工序S1中，會實行下述處理，係層積有：膜層2，係可設置有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽6，以及磁性金屬層3，係為了層積在此膜層2而在對應於第1槽6之位置設有第2槽7，並以既定間隔於複數位置處設有於該第2槽從既定方向交叉而加以連接之補強部4。
圖案加工處理在工序S2中，會實行下述處理，係藉由將雷射光以預選之順序照射至層積後的膜層2及磁性金屬層3的兩面，去除層積於補強部4之樹脂，以在成膜基板上製作形成規則圖案及與其相異之不規則圖案的第1槽6。以下，便就細節來加以說明。
工序S1之層積處理中，首先先參考本申請人所揭示之日本特開2015-52985號公報所記載之「金屬膜之圖案形成工序」來做為一範例，如圖1(b)所示，可製作例如具有4行4列之第2槽7及複數不規則部5之磁性金屬層3。
圖3係顯示圖案加工處理前之膜層一範例的平面圖。層積處理中，如圖4所示，係層積有圖3所示之膜層2與參考上述「金屬膜之圖案形成工序」所預先製作之磁性金屬層3。
圖4係顯示圖案加工處理前之成膜遮罩一範例之平面圖。圖4中，係顯示以磁性金屬層3為上面的情況中，成膜遮罩1之平面圖。第1實施形態中，關於圖4所示之成膜遮罩1會實行工序2之圖案加工處理。
於是，首先便參考圖5就用以實現圖案加工處理之圖案加工裝置來加以說明。
圖5係顯示圖案加工裝置之構成例的方塊圖。圖案加工裝置M具有透過所選擇之投影遮罩來照射雷射光之曝光機構，將圖4所示之層積處理後的成膜遮罩1做圖案加工處理，以製造圖1所示之成膜遮罩1。圖案加工裝置M係具備有控制部10、雷射產生部11、光學系統12、搬送處理部13、匯流排14。其中，雷射產生部11、光學系統12、搬送處理部13及控制部10係透過匯流排14來互相連接。另外，圖案加工裝置M亦可採用縮小投影型曝光裝置(STEPPER)。
控制部10係進行圖案加工裝置M之總括性控制者，搭載有微處理器，例如藉由對雷射產生部11輸出指示，來產生雷射光。又，控制部10會藉由例如對搬送處理部13輸出指示，來控制成膜遮罩1的搬送。
進一步地，控制部10係具備有記憶體10a。此記憶體10a係記錄程式或數據者，係例如預先記錄有進行圖案加工裝置M之控制的控制程式之非揮發性記憶體。此控制程式中，係含有用以實行本發明之成膜遮罩1之製造方法的程式。又，記憶體10a會預先記錄圖案加工所必要之加工數據。另外，加工數據亦可預先加入至控制程式。
控制部10會從記憶體10a來讀出例如控制程式，並參照加工數據來進行遮罩1之製造處理。又，控制部10會例如進行演算處理，並將結果記錄於記憶體10a。
雷射產生部11係產生雷射光，會接受來自控制部10之雷射光的發光指示，將雷射光輸出至光學系統12。此處，雷射產生部11係設置有雷射裝置，會使用例如震盪波長相當於紫外線區域(UV：Ultra Violet)之400nm以下的一種雷射光之UV雷射。具體而言，係使用例如KrF(248nm)之準分子雷射，或YAG(Yttrium Aluminum Garnet)雷射之第3高頻波及第4高頻波，來產生波長為40nm以下之雷射光L。另外，雷射光源只要是可以將膜層2去除者，便不限定於上述波長之雷射，可適當地加以使用。
光學系統12係具備用以透過從投影遮罩12a~12f中所選出者來將雷射光L照射至成膜遮罩1之光學系統。又，光學系統12為了將雷射光L聚光至成膜遮罩1，係具備有以既定倍率來縮小投影之投影透鏡等之光學構件 (圖示省略)。第1實施形態中，例如係切換自如地使用用以照射磁性金屬層3之投影遮罩12a，及用以照射膜層2之投影遮罩12b。投影遮罩12a係會以預設之區塊單位來照射雷射光L，而最後會全面地照射成膜遮罩1者。又，投影遮罩12b係用以朝補強部4區域照射雷射者。另外，投影遮罩12a~12f任一者均具有規則的投影圖案。但是，投影圖案會依投影遮罩12a~12f而有所差異。
搬送處理部13係移動在圖示省略之台座上所載置的成膜遮罩1者，例如藉由圖示省略之搬送機構，可將成膜遮罩1移動於左右方向。又，搬送處理部13係藉由圖示省略之反轉機構，而可將成膜遮罩1加以反轉。
參照圖6及圖7，就使用上述所說明之圖案加工裝置M的成膜遮罩1之圖案加工處理來加以說明。
圖6係概略地顯示第1實施形態中之圖案加工處理的工序圖。另外，圖6(a)~(d)係圖4所示之成膜遮罩1的S-S線剖視圖。但是，圖案加工處理中，為了實行兩面加工，在圖6(a),(b)及圖6(c),(d)中，會將成膜遮罩1加以反轉。
圖5所示之圖案加工裝置M的控制部10首先會藉由圖示省略之輸入機構，來受理圖案加工處理之指示輸入，而讀出控制程式或加工數據，來開始圖2所示之工序S2的圖案加工處理。
控制部10會藉由對圖5所示之搬送處理部13輸出指示，來進行層積處理後之成膜遮罩1的置入處理。另外，將磁性金屬層3作為第1照射面，將膜層2作為第2照射面。此處，為了說明上的方便，第1照射面係作為最初照射雷射的面，第2照射面係作為反轉成膜遮罩1後照射雷射的面。然後，層積處理後的成膜遮罩1係例如透過圖6所示之玻璃基板8來載置在台座(圖示省略)。然後，層積處理後之成膜遮罩1會例如藉由磁力來可裝卸。搬送處理部13會將台座上所載置之層積處理後的成膜遮罩1移動至雷射照射位置。
層積處理後之成膜遮罩1的移動結束後，控制部10會藉由對圖5所示之雷射產生部11輸出指示，來實行膜層2之雷射加工。具體而言，雷射產生部11會從雷射裝置激發雷射光L來震盪。此雷射光L會透過圖5所示之光學系統12的投影遮罩12a以既定倍率來縮小投影後，以區塊單位來照射至分割層積處理後之成膜遮罩1的基板上之區域。然後，控制部10會例如 將照射區域分割，每將台座步進移動便讓雷射光L照射至該照射區域。亦及，控制部10會藉由將雷射照射至分割後之所有照射區域，來橫跨成膜遮罩1之磁性金屬層3整面來進行照射雷射光L之控制。
圖6(a)係例示出將雷射光L照射至層積處理後之成膜遮罩1的狀態。雷射光L會被磁性金屬層3所遮光，另一方面，在到達膜層2時，藉由例如雷射去除來去除此膜層2之區域。
圖6(b)係例示出雷射光L照射後之成膜遮罩1的狀態。藉由雷射光L的指向性，未被磁性金屬層3遮光而被照射到雷射之膜層2區域便會被加以去除。藉此，加工階段之成膜遮罩1便會成為圖7所示之狀態。另外，第1實施形態中，為了讓說明容易了解，係例示出例如藉由雷射光所開啟之貫穿孔會近似於直線(柱狀形的孔洞)的情況。因此，關於雷射照射所致之傾角問題，將在第2實施形態及變形例加以詳述。
圖7係顯示在圖4所示之圖案加工處理前之成膜遮罩從磁性金屬層側施以雷射加工後之狀態的平面圖。但是，圖7中，係表示從膜層2側所見到之平面圖。此階段中，膜層2之樹脂會層積在補強部4。因此，便需要藉由雷射照射來去除補強部4所層積之樹脂。
接著，控制部10會藉由對搬送處理部13輸出指示，則搬送處理部13在一範例中，便會透過台座將成膜遮罩1加以移動，從雷射照射位置退避後，將此成膜遮罩1上下反轉而再度載置到台座。藉此，便可朝膜層2側來做雷射照射。接著，搬送處理部13會藉由台座將反轉後的成膜遮罩1加以移動，再度地將成膜遮罩1設置到雷射照射位置。
接著，控制部10會藉由對光學系統12輸出指示，從磁性金屬層照射用之投影遮罩12a切換成膜層照射用之投影遮罩12b。此第2投影遮罩12b更具體而言，係會讓聚光成針點而調整成會去除樹脂之光射口徑的雷射光照射至補強部4所層積之樹脂者。例如，光束的口徑如圖4所示，係調整成從平面圖觀之的補強部4外形之尺寸。
接著，控制部10會藉由對雷射產生部11輸出指示，來實行補強部4區域所層積之膜層2的雷射加工。具體而言，雷射產生部11會從雷射裝置激發雷射光L而震盪。此雷射光L會透過膜層照射用之投影遮罩12b以既定倍率縮小投影後，藉由雷射照射來去除補強部4區域所層積之樹脂。此 時，控制部10會以例如每次照射而可去除複數位置之補強部4區域所層積的膜層2之方式，對搬送處理部13輸出指示，以將台座步進移動。另外，控制部10亦可依需要而在每次照射來一個個位置地去除補強部4區域所層積之膜層2。
圖6(c)係例示出在補強部4區域所層積之膜層2照射雷射之狀態。補強部4區域所層積之膜層2係藉由雷射光L以針點來加以照射。藉由此般雷射照射，則補強部4區域所層積之膜層2便會被加以去除。
圖6(d)係例示出雷射光L照射後之狀態。如圖6(d)所示，補強部4區域所層積之膜層2會藉由被加以去除來製造圖1所示之成膜遮罩1。
圖8係顯示以圖1所示之成膜遮罩來在成膜基板上成膜情況之薄膜圖案的平面圖。成膜基板100上，以黑色表示的區域為所成膜之圖案P。圖7對應於不規則部5之位置則是斷線(分斷)。此區域會形成例如不規則的圖案。另一方面，白色所示的正方形遮罩會被黑色圖案所包圍，而形成封閉區域的區域係表示未被斷線，而形成例如規則圖案。亦即，成膜遮罩1之規則開口圖案會在膜基板100上形成歸鑿圖案，而成膜遮罩1之遮蔽圖案則會在成膜基板100上形成不規則圖案。
如此一來，依第1實施形態之成膜遮罩1之製造方法，便是以預選的順序來將雷射光照射至成膜遮罩1兩面，來製作第1槽6，以去除補強部4所層積之樹脂，便可在膜層2形成規則開口圖案及遮蔽圖案。亦即，依第1實施形態之成膜遮罩1之製造方法，從兩面來進行雷射加工，便可讓補強部4正下方區域之加工變得容易，而可製造能容易地在成膜基板上製作規則圖案及不規則圖案的成膜遮罩。
另外，圖案加工裝置M在第1實施形態中，於例如採用縮小投影型曝光裝置(步進)的情況，在膜層2、磁性金屬層3之兩面加工中，係在各面將所謂投影遮罩12a,12b之一片投影遮罩步進移動於例如成膜成罩1並週期性的進行雷射照射來進行加工。此處，將不規則圖案反映於投影遮罩側時，便必須要對應於規則圖案及不規則圖案來在每個加工區域交換投影遮罩。此情況，會增加生產節拍(takt time)。相對於此，本實施形態中，由於不需要在每個加工區域交換投影遮罩，故可大幅抑制生產節拍(以下所說明之第2實施形態、變形例亦相同)。
又，本實施形態中，雖係採用僅移動載置成膜遮罩1的台座之步進重複方式，但不限於此，亦可採用方式(例如掃描重複方式)。
接著，就第2實施形態來加以說明。第2實施形態中，係採用讓成膜有包含讓複數導體細線交叉形成網眼狀之金屬篩的透明電極之成膜基板。另外，第2實施形態中，與第1實施形態同樣地，係使用圖5所示之圖案加工裝置M，並主要就差異點來加以說明。此處，首先使用圖9~圖11就第2實施形態所使用之成膜基板、成膜遮罩之整體圖像來加以說明。
圖9係顯示第2實施形態中成膜基板構成例的平面圖。圖10係顯示第2實施形態中膜層構成例之平面圖。圖11係顯示第2實施形態中磁性金屬層構成例之平面圖。
圖9(a)係顯示成膜基板101之整體圖像(2次構造)的一範例。成膜基板101係讓金屬篩之圖案(1次構造)形成透明電極膜110之整體圖像(2次構造)。
圖9(b)為圖9(a)所示之成膜基板101中區域101a的放大平面圖，圖9(c)為圖9(a)所示之成膜基板101中區域101b的放大平面圖。此處，圖9(a)中，著眼於例如區域101a時，如圖9(b)所示，讓複數導體細線111交叉之金屬篩圖案會作為1次構造而配列於菱形的格子上，以構成規則圖案。圖9(b)中，係顯示導體細線111之交叉部112來做為一範例。
另一方面，圖9(a)中，著眼於例如區域101b時，如圖9(c)所示，雖金屬篩圖案會作為1次構造而配列於菱形的格子上，但部分區域會隔有空間而成為斷線。將此區域作為不規則圖案。亦即，金屬篩中1次構造之規則圖案與不規則圖案會反映成為整體圖像(2次構造)。從而，圖10所示之成膜遮罩1A便會例如對應於成膜基板101之金屬篩圖案而被限定，則複數開口部(圖10(c)所示之第1槽6a)會成為金屬篩圖案。
圖10(a)係顯示用以成膜出圖9所示的成膜基板101之成膜遮罩1A中膜層2a的膜開口部。圖10(b)係顯示對應於圖9(b)，膜層2a部分區域之膜開口部20a的放大平面圖。圖10(c)係顯示對應於圖9(c)，膜層2a部分區域之膜開口部21a的放大平面圖。
另外，圖10(b)、(c)中，白色位置係顯示第1槽6a，第1槽6a的交點會成為第1槽6a的交叉部22。
又，圖11(a)係用以成膜圖9所示的成膜基板101之成膜遮罩1A中的磁 性金屬層3a之金屬開口部的平面圖。圖11(b)係顯示對應於圖9(b)，為磁性金屬層3a部分區域之金屬開口部30a的放大平面圖。圖11(c)係顯示對應於圖9(c)，為磁性金屬層3a部分區域之金屬開口部31a的放大平面圖。如圖11(c)所示，金屬開口部31a係包含用以在成膜基板101上形成不規則圖案之細長狀不規則部5a。此不規則部5a會將金屬篩的電極圖案加以分斷。另外，圖11(b)、(c)中，白色位置係表示第2槽7a，並以重疊於金屬篩交叉部所對應之第2槽7a之交叉部的方式來設置補強部4a。細節則使用圖14而於後述。
依上述，以圖9(a)所示之成膜基板101為前提，就用於此成膜基板101之成膜的成膜遮罩1A之製造方法來加以說明。另外，層積處理係除了形狀在第1實施形態的磁性金屬層3與第2實施形態的磁性金屬層3a有所不同外，其他則相同故將說明簡略，以圖案加工處理為主來加以說明。
第2實施形態中，層積處理係為了形成圖10(a)所示之膜層2a，而層積雷射光L照射前之膜層2a及圖11(a)所示之磁性金屬層3a。但是，第2實施形態中，成膜遮罩1A中，係以磁性金屬層3a為第1照射面，以膜層2a為第2照射面。
圖12係顯示第2實施形態中成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。此處為了簡潔，係以包含圖11(c)所示之不規則部5a的金屬開口部31a區域為範例來加以說明。
圖12(a)係顯示包含圖11(c)所示之不規則部5a的金屬開口部31a構成例。圖12(b)係顯示圖12(a)所示之金屬開口部31a相反側的面所層積之膜層2a部分區域的膜層21a。此膜層21a係表示圖案加工前的初始狀態。
圖12(c)係顯示朝磁性金屬層3a(第1照射面)實行雷射加工情況之製造工序(圖案加工處理)的說明圖，係顯示透過投影遮罩12c來雷射照射後的膜層21a狀態。
第2實施形態中，係以磁性金屬層3a為第1照射面，以膜層2a為第2照射面，在載置於玻璃基板8上的情況，係透過朝磁性金屬層3a側分割照射區域來照射雷射光之投影遮罩12c，來依序做雷射照射。另外，分割單位係例如台座每步進移動便照射之區域。藉由此照射，則貫穿第2槽7a之雷射光L便會去除貫穿此第2槽區域之樹脂，而可製作第1槽6a(參照後述之 圖13(b))。
接著，第2實施形態中，會將成膜遮罩1A反轉，朝第2照射面(膜層2a)透過投影遮罩12d來做雷射照射。此處，投影遮罩12d係會將聚焦成針點而調整雷射光束口徑之雷射光照射至補強部4所層積之樹脂。例如，雷射光束口徑係從圖12(c)之狀態調整為圖12(d)之狀態。第2實施形態中，台座每步進移動，便藉由朝膜層2a依序做雷射照射，來去除相關去除對象之樹脂。
圖12(d)係顯示朝膜層2a(第2照射面)實行雷射加工情況之製造工序的說明圖，係顯示透過投影遮罩12d雷射照射後之膜層2a部分區域之膜層21a狀態。另外，藉由第2實施形態之圖案加工處理，當第2照射面(膜層2a)之雷射照射結後時，便製造出成膜遮罩1A。
此處，就第2實施形態之圖案加工處理的雷射加工之傾角來加以探討。第2實施形態之圖案加工處理中，對應於照射條件，雷射光之貫穿孔會讓雷射光入射面側之直徑較出射面之直徑要大而成為錐狀。亦即，雷射光之貫穿孔具有既定的傾角。
圖13係顯示第2實施形態中成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。此處，圖13(a)係顯示將圖12(a)所示之第2槽7a橫剖位置之部分放大剖視圖。圖13(a)中，成膜遮罩1A中，磁性金屬層3a為第1照射面，膜層2a為第2照射面。圖13(b)係顯示將圖13(a)所示之成膜遮罩1A載置於玻璃基板8上後，做雷射照射後之狀態。如圖13(b)所示，係具有雷射光入射面側之直徑較出射面側之直徑要大的錐狀形狀。如此般加工時，由於膜層2a之第1槽6a的開口寬度會較磁性金屬層3a之第2槽7a的開口寬度要窄，故可容易地以較第2槽7a開口寬度要更加狹窄的線寬，來製作高精細圖案。
又，圖13(c)係為了比較，顯示將圖13(b)所示之成膜遮罩1A反轉後，於膜層2a中朝磁性金屬層3a之補強部4a(參照圖中虛線圓所包圍之區域)所層積之樹脂照射雷射情況之狀態。亦即，補強部4a所層積之區域處，所層積之樹枝會被加以去除。另外，圖13(c)中，為了容易理解說明，係顯示接近膜層2a之第1槽6a位置的補強部4a區域。關於補強部4a區域，係具有雷射光L入射面側之直徑較出射面側之直徑要大的錐狀。
如此般加工時，實際的成膜中，會將圖13(c)所示之成膜遮罩1A反轉， 讓補強部4a之正下方區域朝下來讓開口便廣，故成膜物質便能容易進入到補強部4a的正下方。
從而，第2實施形態之圖案加工處理中，係藉由兩面加工而可以既定的傾角來去除樹脂，故可巧妙地利用傾角的形狀。
接著，就補強部與第2槽之交叉部的關係來加以探討。
圖14係顯示補強部與第2槽之交叉部的關係之說明圖。圖14(a)係顯示以既定間隔於複數位置處設置從實線箭頭所示方向(既定方向)交叉於第2槽7a而加以連接之補強部4a(參照圖12(a))之狀態。此處，補強部4a係以與對應金屬篩之交差部112(參照圖9)的第2槽7a之交叉部(圖中，參照圓所包圍之區域)重疊之方式來加以配置。另外，虛線箭頭方向係配置有不規則部5a(參照圖12(a))。此處，不規則部5a及第1槽6a之交叉部22為不會讓補強部4a重疊之構造。
圖14(b)係顯示將磁性金屬層3a作為第1照射面透過投影遮罩12c來照射雷射後之膜層21a狀態，第1槽6a之交叉部22會因金屬開口部31a之補強部4a而被遮光，以殘留有樹脂。圖14(c)係顯示將成膜遮罩1A反轉，透過投影遮罩12d朝第2照射面(膜層2a)雷射照射後之膜層21a狀態。但是，箭頭所示方向之不規則部5a區域會避開雷射照射。另外，不規則部5a與第1槽6a之交叉部22係不會與補強部4a重疊之構造(參照圖10、圖11)，可規則地實施兩面的雷射加工。
以往，為了製作規則圖案與不規則圖案，例如，係先製作金屬篩後，便必須進行蝕刻。第2實施形態中。係使用在成膜基板上形成規則圖案與不規則圖案之成膜遮罩1A，故僅靠圖案加工處理之單一工序，便可製作1次構造及2次構造。又，投影遮罩也是每兩面做切換即可，可不需要在各規則圖案或不規則圖案便切換投影遮罩。
接著，就第2實施形態之變形例來加以說明。變形例中，特徵在於磁性金屬層之補強部係以避開金屬篩之交叉部所對應之第2槽的交叉部之方式來加以配置。細節則使用圖17而於後述。
圖15係顯示變形例中之磁性金屬層一範例的平面圖。圖15(a)係顯示相對於圖11(a)所示之磁性金屬層3a，磁性金屬層3b之補強部4b係以避開第2槽7b之交叉部32的方式來加以配置。圖15(b)係顯示磁性金屬層3b部分 區域之金屬開口部30b的放大平面圖。圖15(c)係顯示磁性金屬層3b部分區域之金屬開口部31b的放大平面圖。此處，為了簡潔，變形例中，係將圖11(a)所示之磁性金屬層3a之圖案置換為圖15(a)所示之磁性金屬層3b的圖案。
又，變形例中，層積處理係層積雷射L照射前之膜層2a及圖15(a)所示之磁性金屬層3b。但是，變形例中，成膜遮罩1B中係以膜層2a為第1照射面，以磁性金屬層3b為第2照射面。
圖16係顯示變形例中成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。此處，為簡潔，係以含有圖15(c)所示之不規則部5b的金屬開口部31b區域為範例來加以說明。
圖16(a)係顯示包含圖15(c)所示之不規則部5b區域的金屬開口部31b之構成例。圖16(b)係顯示在圖16(a)所示之金屬開口部31b相反側之面所層積之膜層21a。此膜層21a係顯示圖案加工處理前之初始狀態。此處，金屬開口部31b之補強部4b的特徵係以避開第2槽7b之交叉部32的方式，以略45度之傾斜來加以配置。細節將使用圖18而於後述。
圖16(c)係顯示透過投影遮罩12e而雷射照射後之膜層21a狀態。變形例中，係以膜層2a為第1照射面，以磁性金屬層3b為第2照射面，在載置於玻璃基板8上的情況，首先，係透過投影遮罩12e朝磁性金屬層3b側照射雷射光L。此處，投影遮罩12e會以避開第1槽6b之交叉部23的方式，於形成該第1槽6b之區域將聚焦成針點而調整雷射光束口徑的雷射光分割照射區域而照射至膜層2a。亦即，變形例中，係透過投影遮罩12e來依序雷射照射以使得位於該交叉部之樹脂殘留來製作第1槽6b(參照圖16(c))。
接著，變形例中，係將成膜遮罩1B反轉，透過投影遮罩12f朝磁性金屬層3b做雷射照射。此處，投影遮罩12f係從磁性金屬層3b側朝第2槽7b之交叉部32將照射區域分割來照射雷射光者。變形例中，台座每步進移動，便藉由朝磁性金屬層3b側依序做雷射照射，來去除第2槽相關去除對象之樹脂。變形例中，亦可例如以可去除交叉部32所存在之樹脂的方式，來照射聚焦成針點而調整雷射光束口徑後的雷射光。但，變形例中，由於係朝磁性金屬層3b側做雷射照射，故亦可照射圓形之點狀雷射。
圖16(d)係實行雷射照射情況之說明圖，係顯示透過投影遮罩12f來雷 射照射後之膜層21a狀態。藉由上述變形例之圖案加工處理，便可製造成膜遮罩1B。
此處，就變形例之圖案加工處理的雷射加工之傾角來加以探討。
圖17係顯示變形例中成膜遮罩之製造工序一範例的說明圖。圖17(a)係顯示將圖16(a)所示之第2槽7b加以橫剖位置之部分放大剖視圖一範例。圖17(a)中，在成膜遮罩1B中，係以膜層2a為第1照射面，以磁性金屬層3b為第2照射面。圖17(b係顯示將圖17(a)所示之成膜遮罩1B載置於玻璃基板8上後，於磁性金屬層3b之補強部正下方區域雷射照射後之狀態。如圖17(b)所示，係具有雷射光之入射面側的直徑(開口寬度6b)會較出射面側的直徑要大的錐狀。此般加工時，如上述，成膜物質便會變得容易進入到補強部4b的正下方。
又，圖17(c)係顯示將圖17(b)所示之成膜遮罩1B反轉後，於磁性金屬層3b側雷射照射後情況之狀態。此般加工時，如上述，可以較磁性金屬層3b之第2槽7b開口寬度要更窄的線寬6c來容易地製作高精細圖案。從而，在變形例的圖案加工處理中，亦可巧妙地利用傾角。又，圖17(c)以虛線圓所包圍之區域中，由於即便雷射照射也會被加以遮光，故例如可容易依需要來形成不規則部。
接著，就補強部與第2槽之交叉部的關係來加以探討。
圖18係顯示補強部與第2槽之交叉部的關係之說明圖。圖18(a)係顯示以既定間隔於複數位置處設置有從箭頭所示方向(既定方向為例如略45度)交叉於第2槽而加以連接之補強部4b(參照圖16a)的狀態。此處，補強部4b係以避開金屬篩之交叉部所對應之第2槽7b的交叉部(圖中，參照圓所包圍之區域內)之方式來加以配置。
圖18(b)係顯示透過投影遮罩12e雷射照射後之膜層2a狀態，第2槽之交叉部(圖中，參照圓所包圍之區域內)會殘留有樹脂。圖18(c)係顯示將成膜遮罩1B反轉，透過投影遮罩12f朝磁性金屬層3b雷射照射後之狀態。此情況，除了延伸於箭頭方向之不規則部5b上的交叉部23外，其他交叉部23之樹脂會藉由雷射照射來加以去除，以製作成膜遮罩1B。
從而，變形例中，亦與第2實施形態同樣地，藉由使用會在成膜基板上形成規則圖案與不規則圖案之成膜遮罩1B，便可僅以圖案加工處理之單一 工序，來製作1次構造及2次構造。又，投影遮罩亦只要每兩面做切換即可，可不需要在各規則圖案或不規則圖案便切換投影遮罩。
1:成膜遮罩1
2:膜層
3:磁性金屬層
4:補強部
5:不規則部
6:第1槽
7:第2槽
w:間隔

Claims (7)

  1. 一種成膜遮罩，係具備有：樹脂層，係設置有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽；以及金屬層，係層積在該樹脂層，在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以既定間隔於複數位置處設有交叉於該第2槽而加以連接之補強部；藉由對該層積後的樹脂層施以雷射加工，而從該金屬層之該補強部區域來去除所層積之該樹脂層的樹脂，以讓該樹脂層具有配置為縱橫矩陣狀或菱形的格子狀之開口圖案以及會在預定的位置將該開口圖案分割之遮蔽圖案，並至少包含1個被開口所包圍之封閉區域的區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜遮罩，其係藉由將雷射光從該金屬層側貫穿至該第2槽來施以該樹脂層之雷射加工，以讓該第1槽之開口寬度形成為較該第2槽之開口寬度要窄。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜遮罩，其中該補強部係以和成膜有包含讓複數導體細線交叉呈網眼狀所形成之金屬篩的透明電極膜之成膜基板上的該導體細線之交叉部所對應之該第2槽的交叉部重疊之方式，來加以設置。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之成膜遮罩，其中該補強部係以與成膜有包含讓複數導體細線交叉呈網眼狀所形成之金屬篩的透明電極膜之成膜基板上的該導體細線之交叉部所對應之該第2槽的交叉部避開之方式，來加以設置。
  5. 一種成膜遮罩之製造方法，係實行有：第1工序，係層積有：樹脂層，係可設置有對應於成膜對象之成膜基板上所形成之圖案的複數第1槽，以及金屬層，係在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以既定間隔於複數位置處設有交叉於該第2槽而加以連接之補強部；以及第2工序，係藉由將雷射光以預選之順序照射至該層積後的樹脂層及金屬層的兩面，去除層積於該補強部之樹脂，以製作具有對應於該第1槽，且配置為縱橫矩陣狀或菱形的格子狀之開口圖案以及會在預定的位置將該開口圖案分割之遮蔽圖案之樹脂層。
  6. 如申請專利範圍第5項之成膜遮罩之製造方法，其中該第1工序中，會層積有：樹脂層，係可設置有包含讓複數導體細線交叉呈網眼狀所形成之金屬篩的透明電極膜膜用之該第1槽；以及金屬層，係含有在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以和該導體細線之交叉部所對應之該第2槽的交叉部重疊之方式，來加以設置之補強部；該第2工序中，係藉由照射該雷射光之曝光機構，透過朝該金屬層側將照射區域分割來照射該雷射光之第1投影遮罩，藉由依序雷射照射，來去除該雷射光貫穿該第2層之區域的樹脂；透過將聚焦成針點來調整雷射光束口徑之雷射光照射至該補強部所層積之樹脂的第2投影遮罩，藉由朝該樹脂層側依序雷射照射，以去除相關去除對象之樹脂。
  7. 如申請專利範圍第5項之成膜遮罩之製造方法，其中該第1工序中，會層積有：樹脂層，係可設置有包含讓複數導體細線交叉呈網眼狀所形成之金屬篩的透明電極膜膜用之該第1槽；以及金屬層，係含有在對應於該第1槽之位置設有第2槽，並以與該導體細線之交叉部所對應之該第2槽的交叉部避開之方式，來加以設置之補強部；該第2工序中，係藉由照射該雷射光之曝光機構，於避開該第2槽之交叉部的方式而形成有該第1層之區域，透過將聚焦成針點來調整雷射光束口徑之雷射光照射至該樹脂層以分割照射區域來照射之第3遮罩，依序照射雷射來讓位於該第2槽之交叉部的樹脂殘留並製作第1槽；透過第4投影遮罩讓雷射光從該金屬層側朝該第2槽之交叉部照射，藉由分割該照射區域來依序雷射照射，以去除相關去除對象之樹脂。
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