TWI686039B - 定電流軟啟動控制電路及利用其之電源管理晶片 - Google Patents

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Abstract

一種定電流軟啟動控制電路,其包括:一可變限流電路,係依一回授電壓信號控制一輸出電流,以對一負載單元提供一負載電流及對該負載單元之一負載電容充電,並在該負載電容建立一輸出電壓,其中該輸出電流係和該回授電壓信號同向變化;一斜率檢測電路,用以依該輸出電壓的斜率產生一斜率信號;以及一誤差放大電路,用以依一固定參考值信號和該斜率信號之差值產生該回授電壓信號。

Description

定電流軟啟動控制電路及利用其之電源管理晶片
本發明係關於一種電源管理技術方案,特別是有關一種通過檢測上電斜率控制限流值的定電流軟啟動控制電路。
軟啟動控制電路是電源管理晶片的重要構成模組,其可保證電路在啟動時不產生過大的過沖電壓和浪湧電流,以減小對功率元件的衝擊,從而延長電路的使用壽命。目前電源管理晶片內部常用的軟啟動方案有兩種:一種是電壓環路啟動,另一種是電流環路啟動。
請一併參照圖1a及圖1b,其中,圖1a為一習知電壓環路啟動架構之示意圖;以及圖1b為圖1a之一工作波形圖。如圖1a所示,該習知電壓環路啟動架構包含一電壓放大器10、一輸出電阻11、一負載電容12及一負載電流源13。該習知電壓環路啟動架構於上電後,一參考電壓Vref會由0V以每階段遞增Vstep且每階段持續Tstep時間的方式爬升,直到爬升至一目標電壓Vref_tar。在軟啟動期間的各個階段中,Vout的穩態電壓會等於k‧Vref,而Vout的目標電壓Vout_tar會等於k‧Vref_tar,且整個軟啟動期間的時間可表示為Tss=(Vref_tar/Vstep)‧Tstep。這種方法的優點是軟啟動時間Tss與負載情況無關,但是當參考電壓Vref發生跳變的瞬間會在輸出電流Iout產生浪湧Ipeak,其中Ipeak==k‧Vstep/Rout+Iload。由於輸出電阻Rout通常比較小,因此,當Iload較大時,Ipeak有可能會超出相關電路元件的承受範圍。
請一併參照圖2a及圖2b,其中,圖2a為一習知電流環路啟動架構之示意圖;以及圖2b為2a之一工作波形圖。如圖2a所示,該習知電流環路啟動架構包含一限制電流源20、一負載電容21及一負載電流源22。該習知電流環路啟動架構於上電後,一參考電壓Vref會由0V瞬間爬升至一目標電壓Vref_tar,且在整個軟啟動階段過程中,通過限制電流源20限定啟動階段的輸出電流Iout=Ilimit,便可將輸出電流Iout的極大值限制在Ilimit。然而,這種方法的軟啟動動時間Tss會與Vout的目標值Vout_tar、負載電容21的電容值Cload及負載電流源22 的電流值Iload相關,Tss=Vout_tar‧Cload/(Ilimit-Iload),也就是說,當負載不同時,軟啟動時間Tss也會不同。
為解決上述問題,本領域係亟需一種新穎的軟啟動控制電路。
本發明之一目的在於揭露一種定電流軟啟動控制電路,其既可有效抑制湧浪電流,又可提供固定的軟啟動時間。
本發明之另一目的在於揭露一種電源管理晶片,其既可有效抑制湧浪電流,又可提供固定的軟啟動時間。
為達前述目的,一種定電流軟啟動控制電路乃被提出,其包括:一可變限流電路,係依一回授電壓信號控制一輸出電流,以對一負載單元提供一負載電流及對該負載單元之一負載電容充電,並在該負載電容建立一輸出電壓,其中該輸出電流係和該回授電壓信號同向變化;一斜率檢測電路,用以依該輸出電壓的斜率產生一斜率信號;以及一誤差放大電路,用以依一固定參考值信號和該斜率信號之差值產生該回授電壓信號。
在一實施例中,該可變限流電路具有:一可變參考電流源,用以依該回授電壓信號的控制產生一第一電流;一相依電流源,通過一串接點與該可變參考電流源串聯,且係用以依所述輸出電流的一比例產生一第二電流;以及一輸出電流源,用以依該串接點之一調節電壓信號的控制產生所述的輸出電流;其中,於穩態時該第一電流會等於該第二電流。
在一實施例中,該斜率檢測電路包括一電壓輸出微分器,且該誤差放大電路包括一電壓誤差放大器。
在一實施例中,該斜率檢測電路包括一電流輸出微分器,且該誤差放大電路包括一電流誤差放大器。
在一實施例中,該斜率檢測電路包括一斜率增強電路及一同步斜率檢測電路,該斜率增強電路係用以依該輸出電壓產生一鋸齒信號,該輸出電壓具有一第一斜率,該鋸齒信號在各週期的上升段均具有一第二斜率,且該第二斜率大於該第一斜率;以及該同步斜率檢測電路係用以依該鋸齒信號的所述第二斜率產生所述斜率信號的信號準位。
為達前述之目的,本發明提出一種電源管理晶片,其具有如前述之定電流軟啟動控制電路。
為使 貴審查委員能進一步瞭解本發明之結構、特徵及其目的,茲附以圖式及較佳具體實施例之詳細說明如後。
10‧‧‧電壓放大器
11‧‧‧輸出電阻
12‧‧‧負載電容
13‧‧‧負載電流源
20‧‧‧限制電流源
21‧‧‧負載電容
22‧‧‧負載電流源
100‧‧‧可變限流電路
101‧‧‧可變參考電流源
102‧‧‧相依電流源
103‧‧‧輸出電流源
110‧‧‧負載單元
111‧‧‧負載電容
112‧‧‧負載電流
120‧‧‧斜率檢測電路
130‧‧‧誤差放大電路
121a‧‧‧電容
122a‧‧‧電阻
123a‧‧‧放大器
121b‧‧‧電容
122b‧‧‧放大器
123b‧‧‧電流源
124b‧‧‧NMOS電晶體
125b‧‧‧NMOS電晶體
121c‧‧‧電容
122c‧‧‧放大器
123c‧‧‧電流源
124c‧‧‧PMOS電晶體
125c‧‧‧PMOS電晶體
131a‧‧‧放大器
131b‧‧‧電流源
132b‧‧‧NMOS電晶體
121d‧‧‧電容
122d‧‧‧開關
123d‧‧‧放大器
124d‧‧‧開關
121e‧‧‧電容
122e‧‧‧放大器
123e‧‧‧電阻
124e‧‧‧開關
125e‧‧‧開關
126e‧‧‧電容
121f‧‧‧電容
122f‧‧‧開關
123f‧‧‧電容
124f‧‧‧放大器
121g‧‧‧電容
122g‧‧‧電容
123g‧‧‧開關
124g‧‧‧開關
125g‧‧‧電容
126g‧‧‧放大器
121h‧‧‧電阻
122h‧‧‧電容
123h‧‧‧開關
124h‧‧‧開關
125h‧‧‧電阻
126h‧‧‧放大器
圖1a為一習知電壓環路啟動架構之示意圖。
圖1b為圖1a之一工作波形圖。
圖2a為一習知電流環路啟動架構之示意圖。
圖2b為2a之一工作波形圖。
圖3繪示本發明定電流軟啟動控制電路之一實施例電路圖。
圖4a-c繪示圖3之斜率檢測電路的三個不同實施例的電路圖。
圖5a-b繪示圖3之誤差放大電路的兩個不同實施例的電路圖。
圖6,其繪示圖3之斜率檢測電路之另一個實施例的電路圖。
圖7a繪示圖3之斜率檢測電路之一斜率增強電路的工作波形圖。
圖7b繪示圖3之斜率檢測電路之一同步電壓輸出微分器的工作波形圖。
圖8a-c繪示圖3之斜率檢測電路之所述斜率增強電路的另三個實施例的電路圖。
請參照圖3,其繪示本發明定電流軟啟動控制電路之一實施例電路圖。如圖3所示,該定電流軟啟動控制電路包括一可變限流電路100、一負載單元110、一斜率檢測電路120及一誤差放大電路130,其中,可變限流電路 100具有一可變參考電流源101、一相依電流源102及一輸出電流源103,且可變參考電流源101和輸出電流源103均為電壓控制電流源,且可由單個MOSFET實現。
可變限流電路100係依一回授電壓信號gm_ss控制一輸出電流Iout,以對負載單元110提供一負載電流112(Iload)及對負載單元110之一負載電容111(Cload)充電,並在負載電容111建立一輸出電壓Vout,其中輸出電流Iout係和回授電壓信號gm_ss同向變化。
詳細而言,可變限流電路100的可變參考電流源101係用以依回授電壓信號gm_ss的控制產生一第一電流Iref;相依電流源102係通過一串接點X與可變參考電流源101串聯,且係用以依輸出電流Iout的一比例(l/m,m為一正整數)產生一第二電流Isense;以及輸出電流源103係用以依串接點X之一調節電壓信號Vreg的控制產生輸出電流Iout;其中,通過由串接點X、輸出電流源103及相依電流源102所構成的一限流回路,第二電流Isense的電流值會自動調整成第一電流Iref的電流值。也就是說,在調整的過程中,若第二電流Isense的電流值小於第一電流Iref的電流值,則調節電壓信號Vreg的電壓會上升以提升輸出電流Iout的電流值,亦即提升第二電流Isense的電流值;及若第二電流Isense的電流值大於第一電流Iref的電流值,則調節電壓信號Vreg的電壓會下降以降低輸出電流Iout的電流值,亦即降低第二電流Isense的電流值。也就是說,所述的限流回路會提供一負回授機制以使第二電流Isense的電流值自動調整成第一電流Iref的電流值。
斜率檢測電路120係用以依輸出電壓Vout的斜率產生一斜率信號SSLP;以及誤差放大電路130係用以依一固定參考值信號SREF和斜率信號SSLP之差值產生回授電壓信號gm_ss。
於實際操作的過程中,當負載單元110有不同的負載電流Iload及/或不同的負載電容Cload時,通過由可變限流電路100、斜率檢測電路120和誤差放大電路130所構成的一輸出電壓斜率控制回路的一負回授控制機制,回授電壓信號gm_ss會產生不同的對應電壓以使輸出電壓Vout的斜率維持在一固定值。
另外,斜率檢測電路120須和誤差放大電路130搭配,可能的實 施例包括:斜率檢測電路120為一電壓輸出微分器,且誤差放大電路130為一電壓誤差放大器;及斜率檢測電路120為一電流輸出微分器,且誤差放大電路130為一電流誤差放大器。
請參照圖4a-c,其繪示圖3之斜率檢測電路120的三個不同實施例的電路圖,其中,圖4a繪示一電壓輸出微分器,其具有由一電容121a、一電阻122a及一放大器123a所組成之一負回授電路,且其輸出可表示為:SSLP=Vb-RC‧dVout/dt;圖4b繪示一電流槽輸出微分器,其具有由一電容121b、一放大器122b、一電流源123b及一NMOS電晶體124b所組成之一負回授電路,以及和NMOS電晶體124b組成一電流鏡之一NMOS電晶體125b,且其輸出可表示為:SSLP=n‧(Ib+C‧dVout/dt);以及圖4c繪示一電流源輸出微分器,其具有由一電容121c、一放大器122c、一電流源123c及一PMOS電晶體124c所組成之一負回授電路,以及和PMOS電晶體124c組成一電流鏡之一PMOS電晶體125c,且其輸出可表示為:SSLP=n‧(Ib+C‧dVout/dt)。
請參照圖5a-b,其繪示圖3之誤差放大電路130的兩個不同實施例的電路圖,其中,圖5a繪示一電壓誤差放大器,其具有一放大器131a以放大SREF(固定的參考電壓)和SSLP(電壓的形式)的電壓差以提供回授電壓信號gm_ss;以及圖5b繪示一電流誤差放大器,其具有一電流源131b及一NMOS電晶體132b以放大SREF(固定的參考電流)和SSLP(電流的形式)的電流差以提供回授電壓信號gm_ss。
另外,當軟啟動時間較長,即Vout斜率較低時,微分電路需要更大的電容才能產生同樣的輸出信號變化量。因此,為了節省晶片面積,本發明亦可在斜率檢測電路120內增加一斜率增強電路,並對斜率檢測電路做同步處理。請參照圖6,其繪示圖3之斜率檢測電路120之另一個實施例的電路圖。如圖6所示,該斜率檢測電路120包括由一電容121d、一開關122d、一放大器123d及一開關124d所組成之一斜率增強電路,及由一電容121e、一放大器122e、一電阻123e、一開關124e、一開關125e及一電容126e所組成之一同步電壓輸出微分器。
所述斜率增強電路中的放大器123d為固定增益A的放大器,A可為正或者負。當開關信號SW為高時,開關122d和124d閉合,Vout1=Vb;當開關信號SW為低時,開關122d和124d斷開,dVout1/dt=A‧dVout/dt。所述斜率增強電路的工作波形請參照圖7a。
所述同步電壓輸出微分器是在原電壓輸出微分器的基礎上增加了重置電路和採樣保持電路。當開關信號SW為高時,開關124e閉合且開關125e斷開,SSLP為電容126e上存儲的電壓;當開關信號SW為低時,開關124e斷開且開關125e閉合,以對輸入的斜率信號Vout1進行微分,並將結果存儲在電容126e上。所述同步電壓輸出微分器的工作波形請參照圖7b。
另外,請參照圖8a-c,其繪示所述斜率增強電路的另三個實施例,其中,圖8a繪示由一電容121f、一開關122f、一電容123f及一放大器124f所組成之一切換式微分電路;圖8b繪示由一電容121g、一電容122g、一開關123g、一開關124g、一電容125g及一放大器126g所組成之一切換式微分電路;以及圖8c繪示由一電阻121h、一電容122h、一開關123h、一開關124h、一電阻125h及一放大器126h所組成之一切換式微分電路。
依上述的說明,本發明進一步提出一種電源管理晶片,其具有如前述之定電流軟啟動控制電路。
依上述的技術方案,本發明即可有效達成下列之功效:
1.軟啟動過程中電流平滑變化,無浪湧電流,且軟啟動時間不受負載情況的影響。
2.針對長軟啟動時間,通過增大斜率減小了電容面積,便於集成。
本案所揭示者,乃較佳實施例,舉凡局部之變更或修飾而源於本案之技術思想而為熟習該項技藝之人所易於推知者,俱不脫本案之專利權範疇。
綜上所陳,本案無論目的、手段與功效,皆顯示其迥異於習知技術,且其首先發明合於實用,確實符合發明之專利要件,懇請 貴審查委員明察,並早日賜予專利俾嘉惠社會,是為至禱。
100‧‧‧可變限流電路
101‧‧‧可變參考電流源
102‧‧‧相依電流源
103‧‧‧輸出電流源
110‧‧‧負載單元
111‧‧‧負載電容
112‧‧‧負載電流
120‧‧‧斜率檢測電路
130‧‧‧誤差放大電路

Claims (4)

  1. 一種定電流軟啟動控制電路,其包括:一可變限流電路,係依一回授電壓信號控制一輸出電流,以對一負載單元提供一負載電流及對該負載單元之一負載電容充電,並在該負載電容建立一輸出電壓,其中該輸出電流係和該回授電壓信號同向變化;一斜率檢測電路,用以依該輸出電壓的斜率產生一斜率信號;以及一誤差放大電路,用以依一固定參考值信號和該斜率信號之差值產生該回授電壓信號;其中,該斜率檢測電路包括一電壓輸出微分器且該誤差放大電路包括一電壓誤差放大器;或該斜率檢測電路包括一電流輸出微分器且該誤差放大電路包括一電流誤差放大器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之定電流軟啟動控制電路,其中,該可變限流電路具有:一可變參考電流源,用以依該回授電壓信號的控制產生一第一電流;一相依電流源,通過一串接點與該可變參考電流源串聯,且係用以依所述輸出電流的一比例產生一第二電流;以及一輸出電流源,用以依該串接點之一調節電壓信號的控制產生所述的輸出電流;其中,於穩態時該第一電流會等於該第二電流。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之定電流軟啟動控制電路,其中,該斜率檢測電路包括一斜率增強電路及一同步斜率檢測電路,該斜率增強電路係用以依該輸出電壓產生一鋸齒信號,該輸出電壓具有一第一斜率,該鋸齒信號在各週期的上升段均具有一第二斜率,且該第二斜率大於該第一斜率;以及該同步斜率檢測電路係用以依該鋸齒信號的所述第二斜率產生所述斜率信號的信號準位。
  4. 一種電源管理晶片,其具有如申請專利範圍第1-3項中任一項所述之定電流軟啟動控制電路。
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