TWI685797B - 指紋識別晶片以及終端設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供了一種指紋識別晶片以及終端設備，用於增强指紋識別晶片的靜電保護能力。本發明提供的指紋識別晶片包括指紋偵測陣列模組以及與指紋偵測陣列模組連接的指紋資訊處理模組，指紋偵測陣列模組用於根據用戶的手指指紋生成初始資訊，指紋資訊處理模組用於將初始資訊轉化為指紋資訊並輸出；指紋識別晶片設有靜電保護電路，靜電保護電路用於當指紋偵測陣列模組上形成靜電時，對指紋資訊處理模組進行靜電保護。
Description
本發明涉及指紋識別領域，尤其涉及一種指紋識別晶片以及終端設備。
終端設備往往應用指紋識別功能，用戶的手指指紋若未通過指紋認證，則無法正常使用終端設備，例如未通過指紋認證時，智慧型手機只展開鎖螢幕界面，限制用戶進入系統桌面進行相關的應用操作，以此限制終端設備的使用用戶以及保證終端設備上用戶數據的安全性。
終端設備的指紋識別功能離不開指紋識別晶片的設置，用戶可在指紋識別晶片上進行手指指紋的錄入，指紋識別晶片可將之轉化為指紋資訊並進行認證。
指紋識別晶片通常會設置靜電保護電路，以將指紋識別晶片上的靜電通過終端設備的接地端進行釋放，例如指紋識別晶片的四周可設置一金屬邊框，在起到加固、美觀作用的同時，還可起到釋放靜電的作用。
然而，在指紋識別晶片對外釋放靜電的過程中，若靜電感應較强，則指紋識別晶片未能完全釋放出靜電，在內部的元器件中，仍會殘留部分的靜電電流，從而影響指紋識別晶片的工作，或者還可能造成相關元器件的損壞。
儘管市面上已針對指紋識別晶片內部進行的相關靜電保護電路的設計，然而其起到的靜電保護效果有限，仍待繼續進行優化。
本發明提供了一種指紋識別晶片以及終端設備，用於增强指紋識別晶片的靜電保護能力。
本發明在第一方面，提供一種指紋識別晶片，指紋識別晶片包括指紋偵測陣列模組以及與指紋偵測陣列模組連接的指紋資訊處理模組，指紋偵測陣列模組用於根據用戶的手指指紋生成初始資訊，指紋資訊處理模組用於將初始資訊轉化為指紋資訊；
指紋識別晶片設有靜電保護電路，靜電保護電路用於當指紋偵測陣列模組上形成靜電時，對指紋資訊處理模組進行靜電保護。
結合本發明第一方面，在本發明第一方面第一種可能的實現方式中，靜電保護電路包括：
從指紋偵測陣列模組引出第一電源線路，從指紋資訊處理模組引出第二電源線路；以及，
從指紋偵測陣列模組引出第一接地線路，從指紋資訊處理模組引出第二接地線路。
結合本發明第一方面第一種可能的實現方式，在本發明第一方面第二種可能的實現方式中，第一電源線路以及第一接地線路的電阻值分別不大於5Ω。
結合本發明第一方面，或者上述任一種可能的實現方式，在本發明第一方面第三種可能的實現方式中，靜電保護電路包括：
在指紋偵測陣列模組與指紋資訊處理模組之間的傳輸線路上設置第一保護電阻，第一保護電阻設於第一緩衝器B1與第二緩衝器B2之間，B1設於傳輸線路上連接指紋偵測陣列模組的一端，B2設於傳輸線路上連接指紋資訊處理模組的一端。
結合本發明第一方面第三種可能的實現方式，在本發明第一方面第四種可能的實現方式中，當B1以及B2的傳輸方向為從指紋偵測陣列模組至指紋資訊處理模組時，B2設有P型MOS管Q1以及N型MOS管Q2，Q1的漏極D1以及柵極G1相連並連接B2的電源端，Q2的源極S2以及柵極G2相連並連接B2的接地端，Q1的源極S1以及Q2的漏極D2相連並連接B2的輸入端；或，
當B1以及B2的傳輸方向為從指紋資訊處理模組至指紋偵測陣列模組時，B1設有P型MOS管Q3以及N型MOS管Q4，Q3的漏極D3以及柵極G3相連並連接B1的電源端，Q4的源極S4以及柵極G4相連並連接B1的接地端，Q3的源極S3以及Q4的漏極D4相連並連接B1的輸入端。
結合本發明第一方面第三種可能的實現方式，在本發明第一方面第五種可能的實現方式中，第一保護電阻的電阻值範圍為500Ω至10kΩ。
結合本發明第一方面第一種可能的實現方式，在本發明第一方面第六種可能的實現方式中，指紋偵測陣列模組包括多個感應電極單元以及與感應電極單元一一對應的指紋像素單元，每個指紋像素單元分別設有P型MOS管Q5以及N型MOS管Q6，Q5的漏極D5連接指紋像素單元的電源端，Q6的源極S6連接指紋像素單元的接地端，Q5的源極S5與Q6的漏極D6相連並連接指紋像素單元的輸入端，多個Q5的柵極G5相連並通過第二保護電阻連接電源，多個Q6的柵極G6相連並通過第三保護電阻接地，感應電極與輸入端連接。
結合本發明第一方面第六可能的實現方式，在本發明第一方面第七種可能的實現方式中，感應電極單元與輸入端之間的傳輸線路上設有第四保護電阻。
結合本發明第一方面第六可能的實現方式，在本發明第一方面第八種可能的實現方式中，第二保護電阻以及第三保護電阻的電阻值範圍分別為1kΩ至100kΩ。
本發明在第二方面，提供一種終端設備，終端設備包括上述本發明第一方面，或者上述任一種可能的實現方式所述的指紋識別晶片。
從以上技術方案可以看出，本發明具有以下優點：
在本發明中，通過將指紋識別晶片分成相互獨立設置的指紋偵測陣列模組以及指紋資訊處理模組，再通過設置靜電保護電路，當指紋偵測陣列模組上形成靜電時，對指紋資訊處理模組進行靜電保護，防止指紋資訊處理模組的精密元器件受到靜電的影響；
此外還可在指紋偵測陣列模組中設置靜電保護電路，通過將多個Q5的柵極G5相連並通過第二保護電阻連接電源，多個Q6的柵極G6相連並通過第三保護電阻接地，不僅使得第二保護電阻以及第三保護電阻的個數分別減至為一個，大大減少電阻的經濟成本以及指紋偵測陣列模組的面積，並且還可加强指紋偵測陣列模組的放電能力，具有更佳的靜電保護效果。
通過上述對指紋偵測陣列模組以及指紋資訊處理模組的雙重靜電保護，大大增强指紋識別晶片的靜電保護能力。
本申請提供了一種指紋識別晶片以及終端設備，用於增强指紋識別晶片的靜電保護能力。
在介紹本發明之前，先介紹本發明涉及的終端設備。
在本發明中，終端設備不僅可以為智慧型手機（包括蘋果IOS手機以及安卓Android手機），還可以為平板電腦、個人數位助理（personal digital assistant，PDA）、智慧型手環、智慧型手錶等便攜式設備。
進一步的，終端設備還可以為指紋簽到機、指紋門禁、指紋閘機等固定式設備。
其中，在結構上，指紋識別晶片除了可與終端設備的螢幕相對獨立設置，還可將指紋識別晶片整合進終端設備的觸摸螢幕中，從而觸摸螢幕可直接具備指紋識別功能，具體在此不做限定。
下面，則開始介紹本發明的具體內容。
首先，請參閱圖1，圖1示出了本發明提供的指紋識別晶片的一種實施例示意圖，在本發明中，指紋識別晶片包括指紋偵測陣列模組101以及與指紋偵測陣列模組101連接的指紋資訊處理模組102，指紋偵測陣列模組101用於根據用戶的手指指紋生成初始資訊，指紋資訊處理模組102用於將初始資訊轉化為指紋資訊並輸出。
一方面，參閱圖2以及圖3，圖2以及圖3分別示出了本發明提供的指紋識別晶片以及指紋偵測陣列模組101的實施例示意圖，在本發明中，指紋識別晶片包括了陣列設置的指紋偵測陣列模組101，指紋偵測陣列模組101又包括多個感應電極單元1011以及與感應電極單元1011一一對應的指紋像素單元1012。
容易理解，指紋偵測陣列101中，感應電極單元1011與指紋像素單元1012的組數即為指紋識別晶片的像素，如圖2中示出的，指紋識別晶片的像素為X*Y個。
另一方面，指紋資訊處理模組102包括微控制單元（micro controller unit，MCU）、類比／數位轉換器（analog-to-digital converter，ADC）、數位控制器（digital controller）、靜態隨機存取存儲器（static random-access memory，SRAM）、低壓差線性穩壓器（low dropout regulator，LDO）、振盪器（oscillator）、輸入/輸出（input/output，I/O）、模擬前端（analog front end，AFE）、XY解碼器等元器件。
應當理解，以上列出的具體元器件僅為示例，並非窮舉，應當理解，指紋識別晶片中可能包括以上元器件以外的元器件，且以上元器件在一些情况下也可能被排除在指紋識別晶片中。指紋資訊處理模組102包括指紋識別晶片中除指紋偵測陣列101外的全部或部分元器件和電路。
應當理解，圖2所示的內容僅為示例性，在實際應用中，指紋資訊處理模組102中的各元器件，可如圖2中分散設置在指紋偵測陣列模組101的周圍和底部，或者也可設置在指紋偵測陣列模組101的底部，具體在此不做限定。
在實際工作中，當用戶手指觸摸或者按壓指紋偵測陣列模組101時，指紋偵測陣列模組101上多個的感應電極單元1011以及指紋像素單元1012，根據用戶的手指指紋産生感應，生成初始資訊，指紋偵測陣列模組101再將該初始資訊傳輸至指紋資訊處理模組102；
指紋資訊處理模組102對該初始資訊進行模數轉換、歸化、濾波去噪、二值化或者提取特徵等資訊處理，以得到預設標準的指紋資訊，指紋資訊處理模組102再將之與預置指紋資訊進行比對，從而識別當前用戶的用戶指紋是否為預置指紋，並將該識別結果進行輸出，終端設備根據該識別結果進行相關的指紋識別功能，例如指紋簽到、指紋解鎖或者指紋開閘等等。
可以理解，一方面，上述指紋識別的過程中所涉及的資訊處理方式，在實際應用中，可根據不同需求進行調整、删減或者增添，另一方面，指紋資訊處理模組102中的不同元器件也可進行相應的調整、删減或者增添，具體在此不做限定。
在本發明中，指紋識別晶片設有靜電保護電路，該靜電保護電路用於當指紋偵測陣列模組101上形成靜電時，對指紋資訊處理模組102進行靜電保護。
具體的，例如，當用戶觸摸終端設備上的指紋識別晶片，或者其他攜帶靜電的物體觸碰指紋識別晶片時，指紋偵測陣列模組101上生成靜電，或者流入靜電，此時，由於靜電保護電路的設置，對指紋資訊處理模組102進行靜電保護，流至指紋資訊處理模組102的靜電電流將螢幕蔽，或者大大減減弱至可忽略的效果，從而可避免靜電對指紋資訊處理模組102中眾多精密元器件的損壞。
在本發明中，通過將指紋識別晶片分成相互獨立設置的指紋偵測陣列模組101以及指紋資訊處理模組102，再通過設置靜電保護電路，當指紋偵測陣列模組101上形成靜電時，對指紋資訊處理模組102進行靜電保護，防止指紋資訊處理模組102的精密元器件受到靜電的影響，指紋資訊處理模組102可對指紋偵測陣列模組101生成的指紋資訊正常進行數據處理並輸出，實現終端設備的指紋識別功能。
為便於進一步理解本發明在實際中的應用，下面則對上述介紹的靜電保護電路做更進一步的介紹。
在實際應用中，除了可採用防靜電塗層、設置金屬隔離、接地線路等，也還可採用電源線路隔離、接地線路隔離、增加電阻等方式對指紋資訊處理模組102進行靜電保護，具體的，例如：
一、電源線路隔離以及接地線路隔離：
參閱圖4，圖4為本發明提供的電源線路隔離以及接地線路隔離的一種實施例示意圖，在實際應用中，靜電保護電路可設置為：
從指紋偵測陣列模組101引出第一電源線路S1，從指紋資訊處理模組102引出第二電源線路S2；以及，
從指紋偵測陣列模組101引出第一接地線路S3，從指紋資訊處理模組102引出第二接地線路S4。
通過電源線路以及接地線路相互獨立的隔離結構，可使得指紋偵測陣列模組101形成靜電時，靜電電流盡可能繞開指紋資訊處理模組102，直接從S1、S3流出，S1、S2、S3、S4連接的相應電源端或者接地端可設置在指紋識別晶片的基板上，經典電流再從基板上流出指紋識別晶片。
進一步的，為促進靜電電流盡可能繞開指紋資訊處理模組102，直接從S1、S3流出，還可將S1以及S3的電阻值設置成分別不大於5Ω，可以理解，較低的電阻值可使得S1、S3可流通更大部分的靜電電流，並且，使得S1以及S3的電阻值小於S2、S4的電阻值，也可使得S1、S3可流通更大部分的靜電電流。
二、增加電阻：
參閱圖5，圖5為本發明提供的電阻隔離的一種實施例示意圖，在實際應用中，靜電保護電路可設置為：
在指紋偵測陣列模組101與指紋資訊處理模組102之間的傳輸線路上設置第一保護電阻R1，R1設於第一緩衝器B1與第二緩衝器B2之間，B1設於傳輸線路上連接指紋偵測陣列模組101的一端，B2設於傳輸線路上連接指紋資訊處理模組102的一端。
通過在指紋偵測陣列模組101與指紋資訊處理模組102之間的傳輸線路上增加電阻，可進一步降低靜電電流的電流大小，從而使得靜電電流對指紋資訊處理模組102的影響大大減小。
進一步的，考慮到靜電保護電路的標準，以及電阻的增大會降低傳輸信號的速度，可將R1的電阻值範圍設為500Ω至10kΩ，在該範圍下，R1可以兼顧兩方面並達到較佳的靜電保護效果。
進一步的，參閱圖6，圖6為本發明提供的電阻隔離的又一種實施例示意圖，在本發明中，在緩衝器上還可設置靜電保護電路，具體的：
當B1以及B2的傳輸方向為從指紋偵測陣列模組101至指紋資訊處理模組102時，B2設有P型MOS管Q1以及N型MOS管Q2，Q1的漏極D1以及柵極G1相連並連接B2的電源端，Q2的源極S2以及柵極G2相連並連接B2的接地端，Q1的源極S1以及Q2的漏極D2相連並連接B2的輸入端。
通過Q1、Q2的設置，靜電電流在流經B2時，可分別通過處於導通狀態的Q1、Q2，從B2的電源端或者接地端流出。
類似的，也可以為：
當B1以及B2的傳輸方向為從指紋資訊處理模組102至指紋偵測陣列模組101時，B1設有P型MOS管Q3以及N型MOS管Q4，Q3的漏極D3以及柵極G3相連並連接B1的電源端，Q4的源極S4以及柵極G4相連並連接B1的接地端，Q3的源極S3以及Q4的漏極D4相連並連接B1的輸入端。
通過Q3、Q4的設置，靜電電流在流經B1時，可分別通過處於導通狀態的Q3、Q4，從B1的電源端或者接地端流出。
進一步的，在實際應用中，參閱圖7，圖7為本發明提供的電阻隔離的又一種實施例示意圖，靜電保護電路可同時採用上述介紹的三種靜電保護方式。
靜電電流可流通的路徑是設計好的唯一路徑，一方面在指紋偵測陣列模組101與指紋資訊處理模組102之間的傳輸線路上有R1的靜電電流減弱設置，以及緩衝器上MOS管的靜電電流引出設置；另一方面指紋偵測陣列模組101與指紋資訊處理模組102單獨設置的電源線路以及接地線路，靜電電流繞開指紋資訊處理模組102，直接從指紋偵測陣列模組101引出的S1、S3流出，在該設置下，可大大保證了靜電電流流至指紋資訊處理模組102中，從而為指紋資訊處理模組102中精密的元器件起到了較佳的靜電保護效果。
容易看出，上述介紹的是如何對指紋資訊處理模組102進行靜電保護，下面則將繼續介紹如何再對指紋偵測陣列模組101內部進行靜電保護。
在上述中已經介紹了，指紋偵測陣列模組101包括多個感應電極單元1011以及與感應電極單元1011一一對應的指紋像素單元1012。
參閱圖8，圖8示出了用戶觸摸指紋識別晶片的一種實施例示意圖，以用戶手指觸摸指紋識別晶片的場景為例，當用戶觸摸終端設備上的指紋識別晶片，或者其他攜帶靜電的物體觸碰指紋識別晶片時，指紋偵測陣列模組101上形成靜電。
此時，在指紋偵測陣列模組101中，在感應電極單元1011與指紋像素單元1012之間固定連接關係的情况下，靜電電流可從感應電極單元1011流至對應的指紋像素單元1012，流經指紋像素單元1012內部，再從指紋像素單元1012的電源端或者接地端流出，可以理解，在該靜電電流的流通路徑下，指紋像素單元1012內部具有容易損壞的風險，為此，本發明還提供了一種保護指紋像素單元1012的電路結構。
為便於更進一步理解本發明，本發明將先介紹現有技術中對指紋偵測陣列模組101內部進行靜電保護的三種方式，參閱圖9、圖10及圖11，圖9、圖10及圖11示出了現有技術中指紋像素單元的三種實施例示意圖，其中：
第一種方式為：在指紋像素單元1012的接入端與電源端之間並聯P型二極管D1；在指紋像素單元1012的接入端的接入端與接地端之間並聯N型二極管D2。
在該設置下，在指紋像素單元1012外圍為靜電電流提供新的流通路徑，直接將靜電電流通過D1或者D2引出至電源端或者接地端進行放電。
第二種方式為：在指紋像素單元1012的接入端與電源端之間並聯P型MOS管Q5，Q5的柵極G5與漏極D5相連；在指紋像素單元1012的接入端的接入端與接地端之間並聯N型MOS管Q6，Q6的柵極G6與源極S6相連。
在該設置下，在指紋像素單元1012外圍為靜電電流提供新的流通路徑，直接將靜電電流通過Q5或者Q6引出至電源端或者接地端進行放電。
第三種方式為：在指紋像素單元1012的接入端與電源端之間並聯P型MOS管Q5，Q5的柵極G5通過第二保護電阻R2與漏極D5相連；在指紋像素單元1012的接入端與接地端之間並聯N型MOS管Q6，Q6的柵極G6通過第三保護電阻R3與源極S6相連。
在該設置下，在指紋像素單元1012外圍為靜電電流提供新的流通路徑，直接將靜電電流通過Q5或者Q6引出至電源端或者接地端進行放電；同時，由於Q5和Q6會耦合感應電極單元1011的電壓，從而可快速導通，快速對靜電電流進行放電。
以上是現有技術中對指紋像素單元1012進行靜電保護採取的三種方式，下面介紹本發明中對指紋像素單元1012是如何進行靜電保護的。
參閱圖12，圖12示出了本發明中指紋偵測陣列模組的一種實施例示意圖，在本發明中，每個指紋像素單元1012分別設有P型MOS管Q5以及N型MOS管Q6，Q5的漏極D5連接指紋像素單元1012的電源端，Q6的源極S6連接指紋像素單元1012的接地端，Q5的源極S5與Q6的漏極D6相連並連接指紋像素單元1012的輸入端，多個Q5的柵極G5相連並通過第二保護電阻R2連接電源，多個Q6的柵極G6相連並通過第三保護電阻R3接地，感應電極單元1011與指紋像素單元1012的輸入端連接。
明顯看出，相比於在上述介紹的現有技術中的第三種靜電保護方式中，若感應電極單元1011的個數為X*Y個，R2、R3同樣需要設置X*Y個，而在本發明中，指紋偵測陣列模組101只需設置唯一一個的R2和R3，不僅可大大節省電阻的經濟成本，更重要的是還可減少指紋偵測陣列模組101的面積，從而可減少指紋識別晶片的面積，使得指紋識別晶片更具有應用以及推廣的價值。
並且，當感應電極單元A形成靜電時，感應電極單元A對應的Q5的柵極耦合到感應電極單元A的電壓，此時由於所有Q5的柵極G5相連並通過第二保護電阻R2連接電源，從而所有Q5的柵極都可耦合到相同的電壓，都處於導通狀態，在短時間內，若一個或者多個的感應電極電源B也相繼形成靜電時，此時由於感應電極單元B對應的Q5已經導通，從而可節省Q5的通斷狀態切換時間，在第一時間內進行放電。
進一步的，當感應電極單元A形成靜電、所有Q5也同時導通時，還可使得感應電極單元A的靜電電流均勻地分攤到所有的Q5上進行放電，從而在個體層面上每個Q5流經的靜電電流更小，在整體上還進一步地提高了指紋偵測陣列模組101放電的工作效率。
此外，如果多個感應電極單元1011同時形成靜電時，對應Q5的柵極的耦合電壓還可以起到疊加的效果，如此，所有的Q5快速地導通，從而可更為快速地將靜電電流通過Q5引出至電源端進行放電。
可以理解，Q6與Q5的說明類似，具體在此不再重複贅述。
從上述介紹可看出，本發明在指紋偵測陣列模組101內部設置的靜電保護電路，相比於上述現有技術中的三種靜電保護方式，無論是從靜電保護效果，還是從經濟成本考慮，都具有更佳的優勢，從而可使得指紋識別晶片更具有應用以及推廣的價值。
進一步的，感應電極單元1011與指紋像素單元1012的輸入端之間的傳輸線路上，設有第四保護電阻R4。
通過R4的設置，還可進一步的降低靜電電流的電流大小，並保證在降低的靜電電流下Q5、Q6的工作可更加地穩定可靠。
進一步的，考慮到靜電保護電路的標準，以及靜電保護的性能，R2以及R3的電阻值範圍分別為1kΩ至100kΩ，在該範圍下，R2以及R3可以兼顧兩方面並達到較佳的靜電保護效果。
以上是對本發明提供的指紋識別晶片的介紹，本發明還提供一種終端設備，該終端設備包括上述介紹的指紋識別晶片。
指紋識別晶片裝配在終端設備的封裝結構中，並且，指紋識別晶片裸露於終端設備的表面，即指紋偵測陣列模組101裸露於終端設備的表面，從而用戶可在指紋偵測陣列模組101上進行手指指紋的錄入，指紋偵測陣列模組101根據用戶的手指指紋産生感應，生成初始資訊，指紋資訊處理模組102對該初始資訊進行資訊處理，以得到預設標準的指紋資訊，再進行指紋資訊的比對，從而輸出指紋識別結果，終端設備再根據該試問識別結果進行相應的指紋識別功能。
可以理解，終端設備的種類以及對應的指紋識別功能已在上述中說明，具體在此不再重複贅述。
綜上所述，在本發明中，通過將指紋識別晶片分成相互獨立設置的指紋偵測陣列模組101以及指紋資訊處理模組102，再通過設置靜電保護電路，當指紋偵測陣列模組101上形成靜電時，對指紋資訊處理模組102進行靜電保護，防止指紋資訊處理模組102的精密元器件受到靜電的影響；
此外還可在指紋偵測陣列模組101中設置靜電保護電路，通過將多個Q5的柵極G5相連並通過R2連接電源，多個Q6的柵極G6相連並通過R3接地，不僅使得R2以及R3的個數分別減至為一個，大大減少電阻的經濟成本以及指紋偵測陣列模組的面積，並且還可加强指紋偵測陣列模組101的放電能力，具有更佳的靜電保護效果。通過上述對指紋偵測陣列模組101以及指紋資訊處理模組102的雙重靜電保護，大大增强指紋識別晶片的靜電保護能力。
以上所述，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，所屬技術領域的通常知識者應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和範圍。
101‧‧‧指紋偵測陣列模組
102‧‧‧指紋資訊處理模組
1011‧‧‧感應電極單元
1012‧‧‧指紋像素單元
B1‧‧‧第一緩衝器
B2‧‧‧第二緩衝器
R1‧‧‧第一保護電阻
R2‧‧‧第二保護電阻
R3‧‧‧第三保護電阻
R4‧‧‧第四保護電阻
S1‧‧‧第一電源線路
S2‧‧‧第二電源線路
S3‧‧‧第一接地線路
S4‧‧‧第二接地線路
Q1‧‧‧P型MOS管
Q2‧‧‧N型MOS管
Q3‧‧‧P型MOS管
Q4‧‧‧N型MOS管
Q5‧‧‧P型MOS管
Q6‧‧‧N型MOS管
D1‧‧‧漏極
D2‧‧‧漏極
圖1為本發明提供的指紋識別晶片的一種實施例示意圖；
圖2為本發明提供的指紋識別晶片的一種實施例示意圖；
圖3為本發明提供的指紋偵測陣列模組的一種實施例示意圖；
圖4為本發明提供的電源線路隔離以及接地線路隔離的一種實施例示意圖；
圖5為本發明提供的電阻隔離的一種實施例示意圖；
圖6為本發明提供的電阻隔離的又一種實施例示意圖；
圖7為本發明提供的電阻隔離的又一種實施例示意圖；
圖8為本發明提供的用戶觸摸指紋識別晶片的一種實施例示意圖；
圖9為現有技術中指紋像素單元的一種實施例示意圖；
圖10為現有技術中指紋像素單元的又一種實施例示意圖；
圖11為現有技術中指紋像素單元的又一種實施例示意圖；
圖12為本發明中指紋偵測陣列模組的一種實施例示意圖。
101‧‧‧指紋偵測陣列模組
102‧‧‧指紋資訊處理模組
Claims (9)
- 一種指紋識別晶片，包括：一指紋偵測陣列模組以及與該指紋偵測陣列模組連接的一指紋資訊處理模組，該指紋偵測陣列模組用於根據用戶的一手指指紋生成一初始資訊，該指紋資訊處理模組用於將該初始資訊轉化為一指紋資訊；及該指紋識別晶片設有一靜電保護電路，該靜電保護電路用於當該指紋偵測陣列模組上形成靜電時，對該指紋資訊處理模組進行靜電保護；其中，該靜電保護電路包括：從該指紋偵測陣列模組引出一第一電源線路，從該指紋資訊處理模組引出一第二電源線路；以及從該指紋偵測陣列模組引出一第一接地線路，從該指紋資訊處理模組引出一第二接地線路。
- 如請求項1所述之指紋識別晶片，其中，該第一電源線路以及該第一接地線路的電阻值分別不大於5Ω。
- 如請求項1或2所述之指紋識別晶片，其中，該靜電保護電路包括：在該指紋偵測陣列模組與該指紋資訊處理模組之間的傳輸線路上設置一第一保護電阻，該第一保護電阻設於一第一緩衝器B1與一第二緩衝器B2之間，該第一緩衝器B1設於所述傳輸線路上連接該指紋偵測 陣列模組的一端，該第二緩衝器B2設於該傳輸線路上連接該指紋資訊處理模組的一端。
- 如請求項3所述之指紋識別晶片，其中，當該第一緩衝器B1以及該第二緩衝器B2的傳輸方向為從該指紋偵測陣列模組至該指紋資訊處理模組時，該第二緩衝器B2設有一P型MOS管Q1以及一N型MOS管Q2，該P型MOS管Q1的漏極D1以及柵極G1相連並連接該第二緩衝器B2的電源端，該N型MOS管Q2的源極S2以及柵極G2相連並連接該第二緩衝器B2的接地端，該P型MOS管Q1的源極S1以及該N型MOS管Q2的漏極D2相連並連接該第二緩衝器B2的輸入端；或，當該第一緩衝器B1以及該第二緩衝器B2的傳輸方向為從該指紋資訊處理模組至該指紋偵測陣列模組時，該第一緩衝器B1設有一P型MOS管Q3以及一N型MOS管Q4，該P型MOS管Q3的漏極D3以及柵極G3相連並連接該第一緩衝器B1的電源端，該N型MOS管Q4的源極S4以及柵極G4相連並連接該第一緩衝器B1的一接地端，該P型MOS管Q3的源極S3以及該N型MOS管Q4的漏極D4相連並連接該第一緩衝器B1的一輸入端。
- 如請求項3所述之指紋識別晶片，其中，該第一保護電阻的電阻值範圍為500Ω至10kΩ。
- 如請求項1所述之指紋識別晶片，其中，該指紋偵測陣列模組包括多個感應電極單元以及與該些感應電極單元一一對應的一指紋像素單元，每個該指紋像素單元分別設有一P型MOS管Q5以及一N型MOS管Q6，該P型MOS管Q5的漏極D5連接該指紋像素單元的電源端，該N型MOS管Q6的源極S6連接該指紋像素單元的一接地端，該P型MOS管Q5的 源極S5與該N型MOS管Q6的漏極D6相連並連接該指紋像素單元的一輸入端，多個該P型MOS管Q5的柵極G5相連並通過一第二保護電阻連接電源，多個該N型MOS管Q6的柵極G6相連並通過一第三保護電阻接地，該感應電極與該輸入端連接。
- 如請求項6所述之指紋識別晶片，其中，該感應電極單元與該輸入端之間的一傳輸線路上設有一第四保護電阻。
- 如請求項6所述之指紋識別晶片，其中，該第二保護電阻以及該第三保護電阻的電阻值範圍分別為1kΩ至100kΩ。
- 一種終端設備，其中，該終端設備包括請求項1、2、4至8中任一項所述之指紋識別晶片。
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