CN206685894U

CN206685894U - 指纹感测器及其指纹感测装置

Info

Publication number: CN206685894U
Application number: CN201720157648.9U
Authority: CN
Inventors: 高金山; 于泽
Original assignee: Shenzhen Chipsailing Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Chipsailing Technology Co Ltd
Priority date: 2017-02-21
Filing date: 2017-02-21
Publication date: 2017-11-28
Anticipated expiration: 2027-02-21

Abstract

本实用新型涉及一种指纹感测器及其指纹感测装置。一种指纹感测装置，用于指纹感测器中以感测指纹信息；包括感应电极、指纹像素电路以及静电防护电路。感应电极用于与手指接触以形成感测电容；指纹像素电路与感应电极连接以对感测电容进行处理，获得相应的指纹信息；静电防护电路分别与感应电极以及指纹像素电路连接；静电防护电路包括静电放电模块和静电泄放端；静电防护电路用于将感应电极中的静电电荷通过静电放电模块泄放至静电泄放端以对指纹像素电路进行静电防护。上述指纹感测装置，静电防护电路分别与感应电极以及指纹像素电路连接。静电防护电路将感应电极上的静电泄放，以实现对指纹像素电路的静电防护。

Description

指纹感测器及其指纹感测装置

技术领域

本实用新型涉及指纹感测技术领域，特别是涉及一种指纹感测器及其指纹感测装置。

背景技术

在指纹感测器中，静电防护主要是对焊盘做保护。静电防护器件放在焊盘的周边，内部关键电路也会放少许静电防护器件。指纹识别传感器通过封装材料与手指直接接触，静电会通过表面直接达到传感器中。一般的做法是在指纹感应电极阵列极板周围加地环保护。但是对于大像素点矩阵，静电通过指纹感应电极阵列极板附近的地环，泄放到地的引脚的路线很长，影响静电防护效果。在静电泄放出现时，容易将指纹像素电路打坏。

实用新型内容

基于此，有必要针对指纹像素电路容易被静电泄放打坏的问题，提供一种具有静电防护的指纹感测装置及指纹感测器。

一种指纹感测装置，用于指纹感测器中以感测指纹信息；包括：感应电极，所述感应电极用于与手指接触以形成感测信号感测电容；指纹像素电路，所述指纹像素电路与所述感应电极连接；所述指纹像素电路用于接收所述感测信号并根据所述感测信号获得相应的指纹信息对感测电容进行处理，以获得相应的指纹信息；静电防护电路，所述静电防护电路分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述静电防护电路包括静电放电模块和静电泄放端；所述静电防护电路用于将所述感应电极中的静电电荷通过所述静电放电模块泄放至所述静电泄放端以对所述指纹像素电路进行静电防护。

在其中一个实施例中，所述静电放电模块包括第一静电放电单元；所述静电泄放端包括第一高电位端；所述第一静电放电单元的一端与所述第一高电位端连接；所述第一静电放电单元的另一端分别与所述感应电极和所述指纹像素电路连接；所述第一静电放电单元将所述感应电极中的正的静电泄放到所述第一高电位端。

在其中一个实施例中，所述第一静电放电单元包括第一二极管；所述第一二极管的正极与分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接，所述第一二极管的负极与所述第一高电位端连接；或者所述第一静电放电单元包括第一P型MOS管；所述第一P型MOS管的栅极连接至所述第一P型MOS管的源极，所述第一P型MOS管的源极与所述第一高电位端连接；所述第一P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者所述第一静电放电单元包括第二P型MOS管和第一电阻；所述第二P型MOS管的栅极与所述第一电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端与所述第二P型MOS管的源极连接；所述第二P型MOS管源极与所述第一高电位端连接；所述第二P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接。

在其中一个实施例中，所述静电放电模块包括第二静电放电单元；所述静电泄放端包括第一低电位端；所述第二静电放电单元的一端与所述第一低电位端连接；所述第二静电放电单元的另一端分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第二静电放电单元将所述感应电极中负的静电泄放到所述第一低电位端。

在其中一个实施例中，所述第二静电放电单元包括第二二极管；所述第二二极管的正极与所述第一低电位端连接，所述第二二极管的负极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者所述第二静电放电单元包括第一N型MOS管；所述第一N型MOS管的栅极连接至所述第一N型MOS管的源极；所述第一N型MOS管的源极与所述第一低电位端连接；所述第一N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者所述第二静电放电单元包括第二N型MOS管和第二电阻；所述第二N型MOS管的栅极连接与所述第二电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端与所述第二N型MOS管的源极连接；所述第二N型MOS管的源极与所述第一高电位端连接；所述第二N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接。

在其中一个实施例中，所述静电放电模块包括第三静电放电单元和第四静电放电单元；所述静电泄放端包括第二高电位端以及第二低电位端；所述第三静电放电单元的一端与所述第二高电位端连接；所述第三静电放电单元的另一端分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第四静电放电单元的一端与所述第二低电位端连接；所述第四静电放电单元的另一端分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第三静电放电单元将所述指纹像素电路中正的静电泄放到所述第二高电位端；所述第四静电放电单元将所述指纹像素电路中负的静电泄放到所述第二低电位端。

在其中一个实施例中，所述第三静电放电单元包括第三二极管；所述第三二极管的正极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第三二极管的负极与所述第二高电位端连接；或者所述第三静电放电单元包括第三P型MOS管；所述第三P型MOS管的栅极连接至所述第三P型MOS管的源极；所述第三P型MOS管的源极与所述第二高电位端连接；所述第三P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者所述第三静电放电单元包括第四P型MOS管和第三电阻；所述第四P型MOS管的栅极与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端与所述第四P型MOS管的源极连接；所述第四P型MOS管的源极与所述第二高电位端连接；所述第四P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第四静电放电单元包括第四二极管；所述第四二极管的正极与所述第二低电位端连接，所述第四二极管的负极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者所述第四静电放电单元包括第三N型MOS管；所述第三N型MOS管的栅极连接至所述第三N型MOS管的源极；所述第三N型MOS管的源极与所述第二低电位端连接；所述第三N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者所述第四静电放电单元包括第四N型MOS管和第四电阻；所述第四N型MOS管的栅极与所述第四电阻的一端连接；所述第四电阻的另一端与所述第四N型MOS管的源极连接，所述第四N型MOS管的源极与所述第二高电位端连接；所述第四N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接。

在其中一个实施例中，所述第三电阻和所述第四电阻均为由集成芯片制程中的多晶硅层形成的电阻。

在其中一个实施例中，所述静电防护电路的面积小于所述感应电极的面积。

一种指纹感测器，包括绝缘保护层，还包括上述任一实施例所述的指纹感测装置；所述绝缘保护层覆盖在所述指纹感测装置的表面；所述指纹感测装置透过所述绝缘保护层来感测手指指纹。

上述指纹感测装置，静电防护电路分别与感应电极以及指纹像素电路连接。静电防护电路将感应电极中的静电电荷通过静电放电模块泄放至静电泄放端，以实现对指纹像素电路的静电防护。

附图说明

图1为一实施例中的指纹感测装置的结构框图；

图2为一实施例中的静电防护电路的结构框图；

图3为图2中的静电防护电路的一具体的电路结构图；

图4为图2中的静电防护电路的另一具体的电路结构图；

图5为图2中的静电防护电路的又一具体的电路结构图；

图6为另一实施例中的静电防护电路的结构框图；

图7为图6中的静电防护电路的一具体的电路结构图；

图8为图6中的静电防护电路的另一具体的电路结构图；

图9为图6中的静电防护电路的又一具体的电路结构图；

图10为又一实施例中静电防护电路的结构框图；

图11为图10中的静电防护电路的一具体的电路结构图；

图12为图10中的静电防护电路的另一具体的电路结构图；

图13为图10中的静电防护电路的又一具体的电路结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

图1为一实施例中的指纹感测装置的结构框图。一种指纹感测装置用于指纹感测器中以感测指纹信息。该指纹感测装置包括感应电极110、指纹像素电路120以及静电防护电路130。

感应电极110与指纹像素电路120连接。感应电极110通过覆盖在其表面的绝缘层与手指形成感测电容Cf。指纹像素电路120对感测电容Cf进行相应的处理，以得到相应的指纹信息。静电防护电路130分别与感应电极120以及指纹像素电路120连接。静电防护电路130包括静电放电模块1311与静电泄放端1333。当感应电极110上出现静电时，静电防护电路130通过静电放电模块1311将感应电极110上的静电泄放至静电泄放端1333进行泄放，以对指纹像素电路120进行静电防护。在本实施例中，受指纹像素电路120的面积限制，静电防护电路130的面积小于感应电极120的面积。静电防护电路130的宽长比可以选择工艺所能支持的最小的尺寸。也即是，静电防护电路130采用的保护器件，如二极管、晶体管等的宽长比选择工艺所能支持的最小的尺寸。

在一实施例中，指纹像素电路120还与模拟前端电路10连接。模拟前端电路10对感测信号进行进一步处理。

上述指纹感测装置，静电防护电路130分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。静电防护电路130通过静电放电模块1311将感应电极110上的静电泄放至静电泄放端1333，以实现对指纹像素电路130的静电防护。

如图2所示。在一实施例中，静电防护电路130中的静电泄放端1333包括第一高电位端131，静电放电模块1311包括第一静电放电单元133。第一静电放电单元133分别一端与第一高电位端131连接。第一静电放电单元133的另一端分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第一静电放电单元133将感应电极110中正的静电泄放到第一高电位端131，以实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图3所示。在一实施例中，第一高电位端131为电源端VCC。第一静电放电单元133包括第一二极管D1。第一二极管D1的正极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接，第一二极管D1的负极与电源端VCC连接。第一二极管D1给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的正的静电泄放到电源端VCC中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图4所示。在一实施例中，第一高电位端131为电源端VCC。第一静电放电单元133包括第一P型MOS管MP1。第一P型MOS管MP1的栅极连接至第一P型MOS管MP1的源极。第一P型MOS管MP1的源极与电源端VCC连接。第一P型MOS管MP1的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第一P型MOS管MP1给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的正的静电泄放到电源端VCC中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图5所示。在一实施例中，第一高电位端131为电源端VCC。第一静电放电单元133包括第二P型MOS管MP2和第一电阻R1。第二P型MOS管MP2的栅极与第一电阻R1的一端连接。第一电阻R1的另一端与第二P型MOS管MP2的源极连接。第二P型MOS管MP2的源极与电源端VCC连接。第二P型MOS管MP2的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。在本实施例中，第一电阻R1为由集成芯片制程中的多晶硅层形成的电阻。第二P型MOS管MP2和第一电阻R1形成的第一静电放电单元133给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的正的静电泄放到电源端VCC中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图6所示。在一实施例中，静电防护电路130中的静电放电模块1311包括第二静电放电单元137，静电泄放端1333包括第一低电位端139。第二静电放电单元137的一端与第一低电位端139连接。第二静电放电单元137的另一端分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第二静电放电单元137感应电极110中的负的静电泄放到第一低电位端139中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图7所示。第一低电位端139为接地端GND。第二静电放电单元137包括第二二极管D2。第二二极管D2的正极与接地端GND连接。第二二极管D2的负极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第二二极管D2给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的负的静电泄放到接地端GND中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图8所示。第一低电位端139为接地端GND。第二静电放电单元137包括第一N型MOS管MN1。第一N型MOS管MN1的栅极与第一N型MOS管MN1的源极连接。第一N型MOS管MN1的源极与接地端GND连接。第一N型MOS管MN1的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第一N型MOS管MN1给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中负的静电泄放到接地端GND，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图9所示。在一实施例中，第一低电位端139为接地端GND。第二静电放电单元137包括第二N型MOS管MN2和第二电阻R2。第二N型MOS管MN2的栅极与第二电阻R2的一端连接。第二电阻R2的另一端与第二N型MOS管MN2的源极连接。第二N型MOS管MN2的源极与接地端GND连接。第二N型MOS管MN2的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。在本实施例中，第二电阻R2为由集成芯片制程中的多晶硅层形成的电阻。第二N型MOS管MN2和第二电阻R2形成的第二静电放电单元137给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的负的静电泄放到接地端GND中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

在一实施例中，静电防护电路130中的静电放电模块1311包括第三静电放电单元134和第四静电放电单元136，静电泄放端1333包括第二高电位端132以及第二低电位端138，如图10所示。第三静电放电单元134的一端与第二高电位端132连接。第三静电放电单元134的另一端分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第三静电放电单元134将感应电极110中正的静电泄放到第二高电位端132中。第四静电放电单元136的一端与第二低电位138连接。第四静电放电单元136的另一端分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第四静电放电单元136将感应电极110中负的静电泄放到第二低电位端138中。

第三静电放电单元134以及第四静电放电单元136分别给感应电极110提供一条路径，以将感应电极110中的静电泄放。当感应电极110中出现正的静电时，第三静电放电单元134将感应电极110中正的静电泄放到第二高电位端132中。当感应电极110中出现负的静电时，第四静电放电单元136将感应电极110中负的静电泄放到第二低电位端138中。因此，该静电防护电路130可以实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图11所示。在一实施例中，第二高电位端132为电源端VCC。第二低电位端138为接地端GND。第三静电放电单元134包括第三P型MOS管MP3和第三电阻R3。第三P型MOS管MP3的栅极与第三电阻R3的一端连接。第三电阻R3的另一端与第三P型MOS管MP3的源极连接。第三P型MOS管MP3的源极与电源端VCC连接。第三P型MOS管MP3的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第四静电放电单元138包括第三N型MOS管MN3和第四电阻R4。第三N型MOS管MN3的栅极与第四电阻R4的一端连接。第四电阻R4的另一端与第三N型MOS管MN3的源极连接。第三N型MOS管MN3的源极与接地端GND连接。第三N型MOS管MN3的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。在本实施例中，第三电阻R3和第四电阻R4均为由集成芯片制程中的多晶硅层形成的电阻。第三P型MOS管MP3和第三电阻R3形成的第三静电放电单元134给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的正的静电泄放到电源端VCC中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。第三N型MOS管MN3和第四电阻R4形成的第四静电放电单元136给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的负的静电泄放到接地端GND，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图12所示。在一实施例中，第二高电位端132为电源端VCC。第二低电位端138为接地端GND。第三静电放电单元134包括第四P型MOS管MP4。第四P型MOS管MP4的栅极与第四P型MOS管MP4的源极连接。第四P型MOS管MP4的源极与电源端VCC连接。第四P型MOS管MP4的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第四静电放电单元136包括第四N型MOS管MN4。第四N型MOS管MN4的栅极与第四N型MOS管MN4的源极连接。第四N型MOS管MN4的源极与接地端GND连接。第四N型MOS管MN4的漏极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第四P型MOS管MP4给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的正的静电泄放到电源端VCC中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。第四N型MOS管MN4给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的负的静电泄放到接地端GND，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

如图13所示。在一实施例中，第二高电位端132为电源端VCC。第二低电位端138为接地端GND。第三静电放电单元134包括第三二极管D3。第三二极管D3的正极分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第三二极管D3的负极与电源端VCC连接。第四静电放电单元136包括第四二极管D4。第四二极管D4的正极与接地端GND连接。第四二极管D4的负极与分别与感应电极110以及指纹像素电路120连接。第三二极管D3给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的正的静电泄放到电源端VCC中，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。第四二极管D4给感应电极110提供一条路径，将感应电极110中的负的静电泄放到接地端GND，从而实现对指纹像素电路120的静电防护。

本实用新型还提供一种指纹感测器。该指纹感测器包括绝缘保护层，还包括上述任一实施例中所述的指纹感测装置。绝缘保护层覆盖在指纹感测装置的表面。指纹感测装置通过绝缘保护层来感测手指指纹。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的防护范围。因此，本实用新型专利的防护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种指纹感测装置，用于指纹感测器中以感测指纹信息；其特征在于，包括：

感应电极，所述感应电极用于与手指接触以形成感测电容；

指纹像素电路，所述指纹像素电路与所述感应电极连接；所述指纹像素电路用于对感测电容进行处理，以获得相应的指纹信息；

静电防护电路，所述静电防护电路包括静电放电模块和静电泄放端；所述静电放电模块的一端分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述静电放电模块的另一端与所述静电泄放端连接；所述静电防护电路用于将所述感应电极中的静电电荷通过所述静电放电模块泄放至所述静电泄放端以对所述指纹像素电路进行静电防护。

2.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其特征在于，所述静电放电模块包括第一静电放电单元；所述静电泄放端包括第一高电位端；所述第一静电放电单元的一端与所述第一高电位端连接；所述第一静电放电单元的另一端分别与所述感应电极和所述指纹像素电路连接；所述第一静电放电单元将所述感应电极中的正的静电泄放到所述第一高电位端。

3.根据权利要求2所述的指纹感测装置，其特征在于，所述第一静电放电单元包括第一二极管；所述第一二极管的正极与分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接，所述第一二极管的负极与所述第一高电位端连接；或者

所述第一静电放电单元包括第一P型MOS管；所述第一P型MOS管的栅极连接至所述第一P型MOS管的源极，所述第一P型MOS管的源极与所述第一高电位端连接；所述第一P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者

所述第一静电放电单元包括第二P型MOS管和第一电阻；所述第二P型MOS管的栅极与所述第一电阻的一端连接；所述第一电阻的另一端与所述第二P型MOS管的源极连接；所述第二P型MOS管源极与所述第一高电位端连接；所述第二P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接。

4.根据权利要求2所述的指纹感测装置，其特征在于，所述静电放电模块包括第二静电放电单元；所述静电泄放端包括第一低电位端；所述第二静电放电单元的一端与所述第一低电位端连接；所述第二静电放电单元的另一端分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第二静电放电单元将所述感应电极中负的静电泄放到所述第一低电位端。

5.根据权利要求4所述的指纹感测装置，其特征在于，所述第二静电放电单元包括第二二极管；所述第二二极管的正极与所述第一低电位端连接，所述第二二极管的负极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者

所述第二静电放电单元包括第一N型MOS管；所述第一N型MOS管的栅极连接至所述第一N型MOS管的源极；所述第一N型MOS管的源极与所述第一低电位端连接；所述第一N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者

所述第二静电放电单元包括第二N型MOS管和第二电阻；所述第二N型MOS管的栅极连接与所述第二电阻的一端连接；所述第二电阻的另一端与所述第二N型MOS管的源极连接；所述第二N型MOS管的源极与所述第一高电位端连接；所述第二N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接。

6.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其特征在于，所述静电放电模块包括第三静电放电单元和第四静电放电单元；所述静电泄放端包括第二高电位端以及第二低电位端；所述第三静电放电单元的一端与所述第二高电位端连接；所述第三静电放电单元的另一端分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第四静电放电单元的一端与所述第二低电位端连接；所述第四静电放电单元的另一端分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第三静电放电单元将所述指纹像素电路中正的静电泄放到所述第二高电位端；所述第四静电放电单元将所述指纹像素电路中负的静电泄放到所述第二低电位端。

7.根据权利要求6所述的指纹感测装置，其特征在于，所述第三静电放电单元包括第三二极管；所述第三二极管的正极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；所述第三二极管的负极与所述第二高电位端连接；或者

所述第三静电放电单元包括第三P型MOS管；所述第三P型MOS管的栅极连接至所述第三P型MOS管的源极；所述第三P型MOS管的源极与所述第二高电位端连接；所述第三P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者

所述第三静电放电单元包括第四P型MOS管和第三电阻；所述第四P型MOS管的栅极与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端与所述第四P型MOS管的源极连接；所述第四P型MOS管的源极与所述第二高电位端连接；所述第四P型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；

所述第四静电放电单元包括第四二极管；所述第四二极管的正极与所述第二低电位端连接，所述第四二极管的负极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者

所述第四静电放电单元包括第三N型MOS管；所述第三N型MOS管的栅极连接至所述第三N型MOS管的源极；所述第三N型MOS管的源极与所述第二低电位端连接；所述第三N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接；或者

所述第四静电放电单元包括第四N型MOS管和第四电阻；所述第四N型MOS管的栅极与所述第四电阻的一端连接；所述第四电阻的另一端与所述第四N型MOS管的源极连接，所述第四N型MOS管的源极与所述第二高电位端连接；所述第四N型MOS管的漏极分别与所述感应电极以及所述指纹像素电路连接。

8.根据权利要求7所述的指纹感测装置，其特征在于，所述第三电阻和所述第四电阻均为由集成芯片制程中的多晶硅层形成的电阻。

9.根据权利要求1所述的指纹感测装置，其特征在于，所述静电防护电路的面积小于所述感应电极的面积。

10.一种指纹感测器，包括绝缘保护层，其特征在于，还包括上述权利要求1-9中任一项所述的指纹感测装置；所述绝缘保护层覆盖在所述指纹感测装置的表面；所述指纹感测装置透过所述绝缘保护层来感测手指指纹。