TWI684982B - 自動反向讀寫之靜態隨機存取記憶體、顯示器驅動電路及顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種自動反向讀寫之靜態隨機存取記憶體，包含一控制單元及一記憶單元，該控制單元係與該記憶單元耦接且係用以執行以下操作：在一第一訊框期間對該記憶單元進行一正向讀取操作及一正向寫入操作；在一第二訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作及所述正向寫入操作以正向寫入一第一圖像；在收到一垂直同步觸發信號時進入一第三訊框期間，以對該記憶單元進行一反向讀取操作以反向讀取該第一圖像，及對該記憶單元進行一反向寫入操作以反向寫入一第二圖像；在一第四訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作以正向讀取該第二圖像，及對該記憶單元進行所述正向寫入操作以正向寫入一第三圖像；以及在該第四訊框期間之後周期性地重複在該第三訊框期間和該第四訊框期間的操作。
Description
本發明係關於一種靜態隨機存取記憶體，特別是關於一種可自動反向讀寫之靜態隨機存取記憶體。
在現有的智慧型手機、平板電腦等使用者裝置中，許多結構的設計限制了積體電路的位置，因而需要進行調整。然而，調整後將可能導致畫面翻轉的問題，如圖1a中所繪之灰色長條10由螢幕的底端翻轉至如圖1b中之螢幕的頂端。
目前已有製造商將主動矩陣有機發光二極體（Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode；AMOLED）技術應用在顯示裝置上以降低功耗及成本。惟，AMOLED技術大多不支援閘極驅動陣列（Gate Driver on Array；GOA）電路的正反向掃描功能，因此無法實現螢幕翻轉，也就是Mirror-Y技術。現有靜態隨機存取記憶體（SRAM）的讀取模式或寫入模式須分別具有可讀（readability）狀態或寫入穩定（write stability）狀態，因此，如圖2a及圖2b所示，現有的SRAM在MY=0(螢幕未翻轉模式)時，在各訊框期間(F1-5)只能支持正寫(如向下傾斜實線所示)正讀(如向下傾斜虛線所示)，及在MY=1(螢幕翻轉模式)時只能支持反寫(如向上傾斜實線所示)反讀(如向上傾斜虛線所示)，也就是說，現有的SRAM無法支持正寫反讀或反寫正讀。
為解決上述問題，本領域亟需一新穎的靜態隨機存取記憶體。
本發明之一目的在於揭露一種靜態隨機存取記憶體，其能夠達到正寫反讀的功能，以實現顯示螢幕翻轉的效果。
為達上述目的，一種自動反向讀寫之靜態隨機存取記憶體乃被提出，其包含一控制單元及一記憶單元，該控制單元係與該記憶單元耦接且係用以執行以下操作：在一第一訊框期間對該記憶單元進行一正向讀取操作及一正向寫入操作；在一第二訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作及所述正向寫入操作以正向寫入一第一圖像；在收到一垂直同步觸發信號時進入一第三訊框期間，以對該記憶單元進行一反向讀取操作以反向讀取該第一圖像，及對該記憶單元進行一反向寫入操作以反向寫入一第二圖像；在一第四訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作以正向讀取該第二圖像，及對該記憶單元進行所述正向寫入操作以正向寫入一第三圖像；以及在該第四訊框期間之後周期性地重複在該第三訊框期間和該第四訊框期間的操作。
在一實施例中，該記憶單元包含複數個儲存單元以儲存二進制資訊。
為達上述目的，本發明進一步提出一種顯示器驅動電路，其具有一記憶體模組、一先進先出暫存單元及一源極驅動單元，該記憶體模組包含一資料緩衝電路及一靜態隨機存取記憶體，且該靜態隨機存取記憶體包含一控制單元及一記憶單元，其中，該資料緩衝電路係與該先進先出暫存單元耦接以接收第一顯示資料，且係用以提供第二顯示資料給該源極驅動單元以依所述第二顯示資料產生一畫素電壓，其特徵在於，該控制單元係用以對所述第一顯示資料執行一自動反向讀寫程序以產生所述第二顯示資料，且該自動反向讀寫程序包括：
在一第一訊框期間對該記憶單元進行一正向讀取操作及一正向寫入操作；
在一第二訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作及所述正向寫入操作，以依所述第一顯示資料經一第一緩衝操作所產生的第一緩衝資料正向寫入一第一圖像；
在收到一垂直同步觸發信號時進入一第三訊框期間，以對該記憶單元進行一反向讀取操作以反向讀取該第一圖像，且該第一圖像在經該資料緩衝電路之一第二緩衝操作後會產生所述第二顯示資料，及依所述第一緩衝資料對該記憶單元進行一反向寫入操作以反向寫入一第二圖像；
在一第四訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作以正向讀取該第二圖像，且該第二圖像在經該資料緩衝電路之所述第二緩衝操作後會產生所述第二顯示資料，及依所述第一緩衝資料對該記憶單元進行所述正向寫入操作以正向寫入一第三圖像；以及
在該第四訊框期間之後周期性地重複在該第三訊框期間和該第四訊框期間的操作。
在一實施例中，該第一緩衝操作包括一編碼運算。
在一實施例中，該第二緩衝操作包括一解碼運算。
為達上述目的，本發明進一步提出一種顯示裝置，其具有一顯示器及如前述之顯示器驅動電路，其中，所述的顯示器驅動電路係依所述畫素電壓驅動該顯示器。
在可能的實施例中，該顯示器可為一液晶顯示器或一有機發光二極體顯示器。
為使 貴審查委員能進一步瞭解本發明之結構、特徵及其目的，茲附以圖式及較佳具體實施例之詳細說明如後。
請一併參照圖3、圖4及圖5，其中，圖3繪示本發明之顯示器驅動電路之一實施例方塊圖；圖4繪示圖3之顯示器驅動電路之一靜態隨機存取記憶體120之一實施例方塊圖；以及圖5繪示圖4之靜態隨機存取記憶體120之一自動反向讀寫操作示意圖。
如圖3及圖4所示，該顯示器驅動電路具有一記憶體模組100、一先進先出暫存單元200及一源極驅動單元300，該記憶體模組100包含一資料緩衝電路110及一靜態隨機存取記憶體(static random access memory；SRAM)120，且該靜態隨機存取記憶體120包含一控制單元121及一記憶單元122，其中，該資料緩衝電路110係與該先進先出暫存單元200耦接以接收第一顯示資料D
1，且係用以提供第二顯示資料D
2給該源極驅動單元300以依所述第二顯示資料D
2產生一畫素電壓，以及該記憶單元122包含複數個儲存單元以儲存二進制資訊。
資料緩衝電路110包括一編碼器111、一線緩衝器112、一位址計數單元113、一顯示資料採集單元114、一解碼器115及一線緩衝器116，其中，編碼器111、線緩衝器112及位址計數單元113係用以對第一顯示資料D
1提供一第一緩衝操作，顯示資料採集單元114、解碼器115及線緩衝器116係用以對靜態隨機存取記憶體120的輸出資料D
2a提供一第二緩衝操作，且解碼器115係與編碼器111相對應。
於操作時，該控制單元121係用以對所述第一顯示資料D
1執行一自動反向讀寫程序以產生所述第二顯示資料D
2，且該自動反向讀寫程序包括：
在一第一訊框(F1)期間對該記憶單元122進行一正向讀取操作(如向下傾斜虛線所示)及一正向寫入操作(如向下傾斜實線所示)；
在一第二訊框(F2)期間對該記憶單元122進行所述正向讀取操作及所述正向寫入操作，以依所述第一顯示資料D
1經所述第一緩衝操作所產生的第一緩衝資料D
1a正向寫入一第一圖像；
在收到一垂直同步觸發信號VSYNC時進入一第三訊框(F3)期間，以對該記憶單元122進行一反向讀取操作(如向上傾斜虛線所示)以經由輸出資料D
2a反向讀取該第一圖像，且該第一圖像在經該資料緩衝電路110之所述第二緩衝操作後會產生所述第二顯示資料D
2，且該控制單元121會依所述第一緩衝資料D
1a對該記憶單元122進行一反向寫入操作(如向上傾斜實線所示)以反向寫入一第二圖像；
在一第四訊框(F4)期間對該記憶單元122進行所述正向讀取操作以經由輸出資料D
2a正向讀取該第二圖像，且該第二圖像在經該資料緩衝電路110之所述第二緩衝操作後會產生所述第二顯示資料D
2，且該控制單元121會依所述第一緩衝資料D
1a對該記憶單元122進行所述正向寫入操作以正向寫入一第三圖像；以及
在該第四訊框期間之後周期性地重複在該第三訊框期間和該第四訊框期間的操作。
依上述的說明，本發明進一步提出一種顯示裝置，其具有一顯示器及如前述之顯示器驅動電路，其中，所述的顯示器驅動電路係依所述畫素電壓驅動該顯示器。
另外，在可能的實施例中，該顯示器可為一液晶顯示器或一有機發光二極體顯示器。
藉由前述所揭露的設計，本發明乃具有以下的優點：
1.使SRAM可自動反向讀寫。
2.避免產生撕裂現象（tearing effect）。
3.可支援不具GOA正反向掃描功能之顯示面板。
4.增加驅動 IC的應用範圍。
本案所揭示者，乃較佳實施例，舉凡局部之變更或修飾而源於本案之技術思想而為熟習該項技藝之人所易於推知者，俱不脫本案之專利權範疇。
綜上所陳，本案無論目的、手段與功效，皆顯示其迥異於習知技術，且其首先發明合於實用，確實符合發明之專利要件，懇請 貴審查委員明察，並早日賜予專利俾嘉惠社會，是為至禱。
10‧‧‧灰色長條
100‧‧‧記憶體模組
110‧‧‧資料緩衝電路
111‧‧‧編碼器
112‧‧‧線緩衝器
113‧‧‧位址計數單元
114‧‧‧顯示資料採集單元
115‧‧‧解碼器
116‧‧‧線緩衝器
120‧‧‧靜態隨機存取記憶體
121‧‧‧控制單元
122‧‧‧記憶單元
200‧‧‧先進先出暫存單元
300‧‧‧源極驅動單元
圖1a-b繪示現有顯示技術之畫面翻轉的問題。 圖2a-b繪示現有技術之靜態隨機存取記憶體之正寫正讀操作及反寫反讀操作之示意圖。 圖3繪示本發明之顯示器驅動電路之一實施例方塊圖。 圖4繪示圖3之顯示器驅動電路之一靜態隨機存取記憶體之一實施例方塊圖。 圖5繪示圖4之靜態隨機存取記憶體之一自動反向讀寫操作示意圖。
120‧‧‧靜態隨機存取記憶體
121‧‧‧控制單元
122‧‧‧記憶單元
Claims (7)
- 一種自動反向讀寫之靜態隨機存取記憶體模組，包含：一靜態隨機存取記憶體，包括一控制單元及一記憶單元；以及一資料緩衝電路，耦接一第一顯示資料，且輸出一第二顯示資料；其中，該資料緩衝電路包括：一編碼器，耦接該第一顯示資料；一第一線緩衝器，耦接該編碼器；一位址計數單元，耦接該編碼器和該靜態隨機存取記憶體，其中該編碼器、該線緩衝器與該位址計數單元用以對該第一顯示資料執行一第一緩衝操作，使得該控制單元用以對所述第一顯示資料執行一自動反向讀寫程序以產生所述第二顯示資料；一顯示資料採集單元，耦接該靜態隨機存取記憶體；一解碼器，耦接該顯示資料採集單元；及一第二線緩衝器，耦接該解碼器；其中，該顯示資料採集單元、該解碼器及該線緩衝器用以對該靜態隨機存取記憶體的一輸出資料提供一第二緩衝操作；其中，所述自動反向讀寫程序包括：在一第一訊框期間對該記憶單元進行一正向讀取操作及一正向寫入操作；在一第二訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作及所述正向寫入操作以依所述第一顯示資料經所述第一緩衝操作所產生的一第一緩衝資料正向寫入一第一圖像；在收到一垂直同步觸發信號時進入一第三訊框期間，以對該記憶單元進行一反向讀取操作以反向讀取該第一圖像，對該記憶單元進行一反向寫入操作以反向寫入一第二圖像；在一第四訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作以正向讀取該第二圖像，及對該記憶單元進行所述正向寫入操作以正向寫入一第三圖像；以及在該第四訊框期間之後周期性地重複在該第三訊框期間和該第四訊框期間 的操作。
- 如請求項1所述之自動反向讀寫之靜態隨機存取記憶體模組，其中該記憶單元包含複數個儲存單元以儲存二進制資訊。
- 一種顯示器驅動電路，其具有一記憶體模組、一先進先出暫存單元及一源極驅動單元，該記憶體模組包含：一靜態隨機存取記憶體，包含一控制單元及一記憶單元；以及該資料緩衝電路係與該先進先出暫存單元耦接以接收第一顯示資料，且係用以提供第二顯示資料給該源極驅動單元以依所述第二顯示資料產生一畫素電壓；其中，該資料緩衝電路包括：一編碼器，耦接該第一顯示資料；一第一線緩衝器，耦接該編碼器；一位址計數單元，耦接該編碼器和該靜態隨機存取記憶體，其中該編碼器、該線緩衝器與該位址計數單元用以對該第一顯示資料執行一第一緩衝操作，使得該控制單元用以對所述第一顯示資料執行一自動反向讀寫程序以產生一第二顯示資料；一顯示資料採集單元，耦接該靜態隨機存取記憶體；一解碼器，耦接該顯示資料採集單元；及一第二線緩衝器，耦接該解碼器；其中，該顯示資料採集單元、該解碼器及該線緩衝器用以對該靜態隨機存取記憶體的一輸出資料提供一第二緩衝操作；其中，該控制單元係用以對所述第一顯示資料執行一自動反向讀寫程序以產生所述第二顯示資料，且該自動反向讀寫程序包括：在一第一訊框期間對該記憶單元進行一正向讀取操作及一正向寫入操作；在一第二訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作及所述正向寫入操作，以依所述第一顯示資料經所述第一緩衝操作所產生的第一緩衝資料正向寫入一第一圖像；在收到一垂直同步觸發信號時進入一第三訊框期間，以對該記憶單元進行 一反向讀取操作以反向讀取該第一圖像，且該第一圖像在經所述第二緩衝操作後會產生所述第二顯示資料，且該控制單元依所述第一緩衝資料對該記憶單元進行一反向寫入操作以反向寫入一第二圖像；在一第四訊框期間對該記憶單元進行所述正向讀取操作以正向讀取該第二圖像，且該第二圖像在經該資料緩衝電路之所述第二緩衝操作後會產生所述第二顯示資料，及依所述第一緩衝資料對該記憶單元進行所述正向寫入操作以正向寫入一第三圖像；以及在該第四訊框期間之後周期性地重複在該第三訊框期間和該第四訊框期間的操作。
- 如請求項3所述之顯示器驅動電路，其中該第一緩衝操作包括一編碼運算。
- 如請求項3所述之顯示器驅動電路，其中該第二緩衝操作包括一解碼運算。
- 一種顯示裝置，其具有一顯示器及如請求項3-5項中任一項所述之顯示器驅動電路，其中，所述的顯示器驅動電路係依所述畫素電壓驅動該顯示器。
- 如請求項6所述之顯示裝置，其中該顯示器係一液晶顯示器或一有機發光二極體顯示器。
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|---|---|---|---|---|
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| US9792884B2 (en) * | 2015-03-12 | 2017-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image processing apparatus and image processing method |
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2018
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