TWI684663B - 銅膜形成方法以及銅膜形成材料 - Google Patents

銅膜形成方法以及銅膜形成材料 Download PDF

Info

Publication number
TWI684663B
TWI684663B TW103138741A TW103138741A TWI684663B TW I684663 B TWI684663 B TW I684663B TW 103138741 A TW103138741 A TW 103138741A TW 103138741 A TW103138741 A TW 103138741A TW I684663 B TWI684663 B TW I684663B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper
groups
aforementioned
copper film
compound
Prior art date
Application number
TW103138741A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201520360A (zh
Inventor
近藤英一
町田英明
石川真人
須藤弘
Original Assignee
氣相成長股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 氣相成長股份有限公司 filed Critical 氣相成長股份有限公司
Publication of TW201520360A publication Critical patent/TW201520360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI684663B publication Critical patent/TWI684663B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
    • C23C2/04—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/08—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of metallic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

本發明提供一種銅膜形成技術，該技術係超臨界流體中之分解溫度較低，不會發生混入C、O從而使銅膜品質下降等問題，可容易地形成高品質的銅膜。本發明係一種銅膜形成方法，係於超臨界流體中在基體上形成銅膜之方法，其中係將(N,N'-二異丙基丙脒)銅二聚物溶解於超臨界流體中，並使銅沈積於基體上而形成銅膜。

Description

銅膜形成方法以及銅膜形成材料
本發明係關於一種銅膜形成技術。
銅或銅合金(亦簡稱為銅)等的膜係使用於各種領域。例如於ULSI(ultralarge scale integration，超大規模積體電路)中用作配線膜。製作銅配線係提倡使用電鍍法、濺鍍法、CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法、ALD(atomic layer deposition，原子層沈積)法、SCFD(supercritical fluid deposition，超臨界流體沈積)法。電鍍法與濺鍍法已實際化。然而若配線寬度為奈米尺度，則利用電鍍法或濺鍍法將難以製作。期待利用CVD法、ALD法或SCFD法來於開口部為奈米尺度寬度之較深的溝槽或孔中形成膜。CVD法或ALD法中，必須使原料化合物揮發(氣化)。SCFD法中，只要將原料化合物溶解於超臨界流體中即可，氣化並非必要條件。就該點而言，CVD法或ALD法所使用之原料化合物與SCFD法所使用之原料化合物的必要條件不同。
作為利用SCFD法之銅膜形成技術已知有下述文獻。
[先前技術文獻] [非專利文獻]
非專利文獻1：Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1199-L1202. Takeshi Momose, Masakazu Sugiyama and Yukihiro Shimogaki 「 Precursor Evaluation for Cu-Supercritical Fluid Deposition Based on Adhesion Properties and Surface Morphology」
非專利文獻2：Journal of Electrochemical Society, 2009, 156, 6, H443-H447. Masahiro Matsubara, Michiru Hirose, Kakeru Tamai, Yukihiro Shimogaki and Eiichi Kondoh 「 Kinetics of Deposition of Cu Thin Films in Supercritical Carbon Dioxide Solutions from a F-Free Copper(II) β -Diketone Complex」
於上述文獻中，係使用銅的六氟乙醯丙酮錯合物[Cu(hfac)2]或二異丁基甲烷化物錯合物[Cu(dibm)2]等β二酮銅錯合物，並於CO2之超臨界流體中進行銅沈積(形成銅膜)。亦即利用SCFD法形成銅膜。
然而所獲得之銅膜中雜質量較多。對其原因進行探索。結果判明Cu(hfac)2、Cu(dibm)2等化合物於超臨界流體中分解需要較高溫度。推測因此使配位體之β二酮分解並使C、O混入至銅膜中。進而，於使用Cu(hfac)2之情形時，於銅膜中檢測出F。由於銅膜含有F故基底膜 與銅膜之密接性較差。
由此判明SCFD法所使用之原料化合物並非僅僅溶解於超臨界流體中即可。
因此，本發明所欲解決之課題為解決前述問題點。本發明尤其提供一種銅膜形成技術，該技術係超臨界流體中之分解溫度較低，不會發生混入C、O從而使銅膜品質下降等問題，可容易地形成高品質的銅膜。
本發明人等努力進行研究以解決前述課題。結果發現以下事項：將下述通式[I]所示化合物(銅脒基錯合物(copper amidinate complex))溶解於超臨界流體中，並直接於超臨界流體中進行沈積反應時，沈積膜中雜質(C、O)混入量較少，可於奈米尺度的溝槽或孔中穩定地形成高品質的Cu膜。
基於上述見解而完成本發明。
本發明係提出一種銅膜形成材料，該銅膜形成材料係用於藉由使溶解於超臨界流體中之化合物分解而在基體上形成銅膜之材料，其特徵在於：前述化合物為下述通式[I]所表示之化合物。
本發明係提出一種銅膜形成方法，係於超臨界流體中在基體上形成銅膜，其特徵在於：將下述通式[I]所示化合物溶解於超臨界流體中，並使銅沈積於基體上而形成銅膜。
通式[I]
Figure 103138741-A0305-02-0007-1
[R1、R2、R3、R4、R5、R6為碳數1~10之烴基。R1、R2、R3、R4、R5、R6可全部相同，亦可不同]
根據本發明可於奈米尺度的溝槽或孔中穩定地形成C、O等雜質混入量較少的高品質Cu膜。
1‧‧‧CO2高壓氣瓶
2‧‧‧H2高壓氣瓶
3‧‧‧冷卻裝置
4‧‧‧壓力泵
5‧‧‧混合器
6‧‧‧原料容器
7‧‧‧加熱器
8‧‧‧預熱室
9‧‧‧反應室
10‧‧‧基板
11‧‧‧背壓控制裝置
圖1係SCFD裝置的示意圖。
圖2係電子顯微鏡照片。
圖3係電子顯微鏡照片。
第1本發明係一種銅膜形成方法。本方法係將下述通式[I]所示化合物溶解於超臨界流體中，並使銅沈積於基體上而形成銅膜。
第2本發明係一種銅膜形成材料。本材料係用於藉由將溶解於超臨界流體中之化合物分解而在基體上形成銅膜。前述化合物為下述通式[I]所示化合物。
Figure 103138741-A0305-02-0008-2
前述R1、R2、R3、R4、R5、R6為碳數1~10之烴基。烴基可為脂肪族烴基，亦可為芳香族烴基。前述烴基有具有取代基之情形、以及不具有取代基之情形。也有取代基為具有Si之官能基之情形。前述R1、R2、R3、R4、R5、R6可全部相同，亦可不同。較佳為R1、R2、R4、R5與R3、R6不同。
前述通式[I]所示化合物多為固體。於固體之情形時，相較於將前述化合物直接供給至超臨界流體中而言，較佳為以溶解於溶劑中之形態(溶液形態)供給至超臨界流體中，以使前述化合物溶解於前述超臨界流體中。前述溶劑可以是不會對前述化合物及前述超臨界流體產生不良影響的任何溶劑。較佳的溶劑為選自下述群中的一種或兩種以上：例如戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、丙酮、甲基異丁基酮、二乙醚、四氫呋喃及二噁烷(dioxane)。前述烴可為直鏈脂肪族烴、具有支鏈之脂肪族烴、環狀烴之任一形態。
作為前述通式[I]所示化合物之最佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為異丙基，前述R3、R6為乙基(亦即(N,N'-二異丙基丙脒)銅二聚物，(N,N'-diisopropyl propionamidinate)copper dimer)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為異丙基，前述R3、R6為甲基(亦即，(N,N'-二異丙基乙脒)銅二聚物)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為異丙基，前述R3、R6為正丁基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為正丙基，前述R3、R6為甲基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為正丙基，前述R3、R6為乙基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為正丙基，前述R3、R6為正丁基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為正丁基，前述R3、R6為甲基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為正丁基，前述R3、R6為乙基(亦 即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為異丁基，前述R3、R6為甲基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為異丁基，前述R3、R6為乙基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為異丁基，前述R3、R6為正丁基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為第二丁基，前述R3、R6為甲基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為第二丁基，前述R3、R6為乙基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為第二丁基，前述R3、R6為正丁基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為苯基，前述R3、R6為甲基(亦即脒基銅)。
作為前述通式[I]所示化合物之較佳化合物，係前述R1、R2、R4、R5為苯基，前述R3、R6為乙基(亦 即脒基銅)。
以下列舉更具體的實施例。但本發明並不僅限於以下實施例。只要不大幅損及本發明優點，則各種變形例或應用例亦包含於本發明。
[實施例1：使用(N,N'-二異丙基丙脒)銅錯合物並於CO2超臨界流體中沈積銅]
圖1係實施本發明之銅膜形成方法之SCFD裝置的示意圖。
圖1中，1為CO2高壓氣瓶，2為H2高壓氣瓶，3為冷卻裝置，4為壓力泵(10MPa)，5為混合器，6為容器，7為加熱器，8為預熱室，9為反應室，10為基板(施有釕薄膜之矽基板)，11為背壓控制裝置。
將(N,N'-二異丙基丙脒)銅二聚物之丙酮溶液(濃度3.34×10-5mol)加入至容器6中。
藉由加熱器7將反應室9保持於140℃。反應室9內部係藉由超臨界流體(CO2+H2)而維持為13MPa。CO2分壓為12MPa、H2分壓為1MPa。
藉由泵4將(N,N'-二異丙基丙脒)銅二聚物之丙酮溶液供給至反應室9內。亦即，將(N,N'-二異丙基丙脒)銅二聚物供給至超臨界流體中。藉此沈積銅膜。於原料供給開始15分鐘後，取出基板10。取出之基板10上形成有銅色的膜。
將前述基板10供進行EDS分析(Energy dispersive X-ray spectrometry：能量色散型X射線分析)。 藉此可知於基板10表面之膜中未確認到C、O。藉由X射線繞射判明前述膜為主要配向於(111)之銅薄膜。藉由電子顯微鏡判明，基板10所形成溝槽(寬度140nm、深度1.6μm)的內部由銅完全填埋(參照圖2)。
[實施例2]
將實施例1中加熱器7之加熱溫度自140℃變更為160℃，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同(參照圖3)。一般而言，若溫度較高則填埋性較差。然而溫度較高時生產量較佳。本實施例顯示即便為160℃亦獲得良好的填埋性。
[實施例3]
使用正戊烷代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但與使用丙酮時相比溶解性下降，原料溶液濃度變低，沈積時間延長約20%。
[實施例4]
使用環己烷代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但與使用丙酮時相比溶解性下降，原料溶液濃度變低，沈積時間延長約20%。
[實施例5]
使用正庚烷代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但與使用丙酮時相比溶解性下降，原料溶液濃度變低，沈積時間延 長約20%。
[實施例6]
使用正辛烷代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但與使用丙酮時相比溶解性下降，原料溶液濃度變低，沈積時間延長約25%。
[實施例7]
使用正壬烷代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但與使用丙酮時相比溶解性下降，原料溶液濃度變低，沈積時間延長約20%。
[實施例8]
使用正癸烷代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但與使用丙酮時相比溶解性下降，原料溶液濃度變低，沈積時間延長約20%。
[實施例9]
使用甲基異丁基酮代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。
[實施例10]
使用二乙醚代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但於EDS分析中，在Cu膜上觀察到少許O。
[實施例11]
使用四氫呋喃代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但於EDS分析中，在Cu膜上觀察到少許O。
[實施例12]
使用二噁烷代替實施例1中之丙酮，除此之外以與實施例1同樣方式進行。其結果與實施例1相同。但於EDS分析中，在Cu膜上觀察到少許O。
[實施例13]
使用(N,N'-二異丙基乙脒)銅二聚物((N,N'-diisopropylacetamidinate)copper dimer)代替實施例1中之(N,N'-二異丙基丙脒)銅二聚物，除此之外以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例14]
使用前述R1、R2、R4、R5為異丙基，前述R3、R6為正丁基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例15]
使用前述R1、R2、R4、R5為正丙基，前述R3、R6為甲基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例16]
使用前述R1、R2、R4、R5為正丙基，前述R3、R6為乙基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例17]
使用前述R1、R2、R4、R5為正丙基，前述R3、R6為正丁基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例18]
使用前述R1、R2、R4、R5為正丁基，前述R3、R6為甲基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例19]
使用前述R1、R2、R4、R5為正丁基，前述R3、R6為乙基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例20]
使用前述R1、R2、R4、R5為異丁基，前述R3、R6為甲基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例 1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例21]
使用前述R1、R2、R4、R5為異丁基，前述R3、R6為乙基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例22]
使用前述R1、R2、R4、R5為異丁基，前述R3、R6為正丁基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例23]
使用前述R1、R2、R4、R5為第二丁基，前述R3、R6為甲基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例24]
使用前述R1、R2、R4、R5為第二丁基，前述R3、R6為乙基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例25]
使用前述R1、R2、R4、R5為第二丁基，前述R3、R6為正丁基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進 行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約20%。
[實施例26]
使用前述R1、R2、R4、R5為苯基，前述R3、R6為甲基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約30%。
[實施例27]
使用前述R1、R2、R4、R5為苯基，前述R3、R6為乙基之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。所得膜的結果與實施例1相同。但是，為了得到與實施例1相同的膜厚，需要將時間延長約25%。
[比較例1]
使用雙二異丁基甲烷化物銅[Cu(dibm)2]代替實施例1之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。然而未能形成Cu膜。
[比較例2]
將比較例1中加熱器7之加熱溫度自140℃變更為240℃，除此之外以與比較例1同樣方式進行。於本比較例中形成了Cu膜。然而於該Cu膜中檢測出雜質C、O。
[比較例3]
使用六氟乙醯丙酮銅[Cu(hfac)2]代替實施例1之通式[I]之化合物，並以與實施例1同樣方式進行。然而未能形成Cu膜。
[比較例4]
將比較例3中加熱器7之加熱溫度自140℃變更為240℃，除此之外以與比較例3同樣方式進行。於本比較例中形成了Cu膜。然而於該Cu膜中檢測出雜質C、O、F。
1‧‧‧CO2高壓氣瓶
2‧‧‧H2高壓氣瓶
3‧‧‧冷卻裝置
4‧‧‧壓力泵
5‧‧‧混合器
6‧‧‧原料容器
7‧‧‧加熱器
8‧‧‧預熱室
9‧‧‧反應室
10‧‧‧基板
11‧‧‧背壓控制裝置

Claims (10)

  1. 一種銅膜形成方法，其係於超臨界流體中在基體上形成銅膜，其特徵在於：前述超臨界流體為CO2；將下述通式[I]所示化合物溶解於前述超臨界流體中，並使銅沈積於前述基體上而形成前述銅膜；
    Figure 103138741-A0305-02-0019-3
     R1、R2、R3、R4、R5、R6為碳數1~10之烴基；R1、R2、R3、R4、R5、R6可全部相同，亦可不同。
  2. 如請求項1所記載之銅膜形成方法，其中係將溶解於溶劑中之前述通式[I]所示化合物供給至前述超臨界流體中，並使前述化合物溶解於前述超臨界流體中。
  3. 如請求項1或2所記載之銅膜形成方法，其中R1、R2、R4、R5為異丙基，R3、R6為選自甲基、乙基、正丁基之群中的任一個。
  4. 如請求項1或2所記載之銅膜形成方法，其中R1、R2、R4、R5為正丙基，R3、R6為選自甲基、乙基、正丁基 之群中的任一個。
  5. 如請求項1或2所記載之銅膜形成方法，其中R1、R2、R4、R5為正丁基，R3、R6為選自甲基、乙基之群中的任一個。
  6. 如請求項1或2所記載之銅膜形成方法，其中R1、R2、R4、R5為異丁基，R3、R6為選自甲基、乙基、正丁基之群中的任一個。
  7. 如請求項1或2所記載之銅膜形成方法，其中R1、R2、R4、R5為第二丁基，R3、R6為選自甲基、乙基、正丁基之群中的任一個。
  8. 如請求項1或2所記載之銅膜形成方法，其中R1、R2、R4、R5為苯基，R3、R6為選自甲基、乙基之群中的任一個。
  9. 如請求項2所記載之銅膜形成方法，其中前述溶劑為選自下述群中的一種或兩種以上：戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、丙酮、甲基異丁基酮、二乙醚、四氫呋喃及二噁烷。
  10. 一種銅膜形成材料，其係用於藉由將溶解於超臨界流體中之化合物分解而在基體上形成銅膜之材料，其特徵在於：前述超臨界流體為CO2；前述化合物為下述通式[I]所示化合物；通式[I]
    Figure 103138741-A0305-02-0021-4
     R1、R2、R3、R4、R5、R6為碳數1~10之烴基；R1、R2、R3、R4、R5、R6可全部相同，亦可不同。
TW103138741A 2013-11-29 2014-11-07 銅膜形成方法以及銅膜形成材料 TWI684663B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-247065 2013-11-29
JP2013247065 2013-11-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201520360A TW201520360A (zh) 2015-06-01
TWI684663B true TWI684663B (zh) 2020-02-11

Family

ID=53198861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103138741A TWI684663B (zh) 2013-11-29 2014-11-07 銅膜形成方法以及銅膜形成材料

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150211100A1 (zh)
JP (1) JP5734540B1 (zh)
KR (1) KR102276421B1 (zh)
TW (1) TWI684663B (zh)
WO (1) WO2015079914A1 (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080233276A1 (en) * 2004-06-16 2008-09-25 Advanced Technology Materials, Inc. Copper (i) compounds useful as deposition precursors of copper thin films
US20110129686A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Denso Corporation Deposition method, deposition apparatus, and laminated film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7858525B2 (en) * 2007-03-30 2010-12-28 Intel Corporation Fluorine-free precursors and methods for the deposition of conformal conductive films for nanointerconnect seed and fill

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080233276A1 (en) * 2004-06-16 2008-09-25 Advanced Technology Materials, Inc. Copper (i) compounds useful as deposition precursors of copper thin films
US20110129686A1 (en) * 2009-11-30 2011-06-02 Denso Corporation Deposition method, deposition apparatus, and laminated film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150062938A (ko) 2015-06-08
JPWO2015079914A1 (ja) 2017-03-16
WO2015079914A1 (ja) 2015-06-04
US20150211100A1 (en) 2015-07-30
JP5734540B1 (ja) 2015-06-17
KR102276421B1 (ko) 2021-07-12
TW201520360A (zh) 2015-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ramos et al. Precursor design and reaction mechanisms for the atomic layer deposition of metal films
TWI519666B (zh) 高分子量烷基－烯丙基鈷三羰基錯合物及其用於製備介電薄膜之用途
US7816550B2 (en) Processes for the production of organometallic compounds
US20090205538A1 (en) Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
CN107428677A (zh) 二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和二氮杂二烯化合物
TW202026452A (zh) 原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜形成用原料、薄膜之製造方法及化合物
US20180051372A1 (en) Novel compound, thin film-forming material, and thin film manufacturing method
TWI849250B (zh) 新穎化合物、含有該化合物的薄膜形成用原料及薄膜的製造方法
CN109996803B (zh) 用于钴的化学气相沉积的卤炔基六羰基二钴前驱物
JP6043835B1 (ja) 異種複核錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
JP6201204B2 (ja) タングステン化合物を用いたタングステン−含有膜の蒸着方法及び前記タングステン化合物を含むタングステン−含有膜蒸着用前駆体組成物
JP2012520943A (ja) ルテニウムを補助金属種と共に堆積させるための方法及び組成物
WO2021200219A1 (ja) 亜鉛化合物、薄膜形成用原料、薄膜及びその製造方法
JP5952461B1 (ja) 異種複核錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
TWI684663B (zh) 銅膜形成方法以及銅膜形成材料
JP2005515300A (ja) 流体による化学的成膜における汚染防止
WO2009157326A1 (ja) チタン錯体、その製造方法、チタン含有薄膜及びその製法
US8907115B2 (en) Synthesis and characterization of first row transition metal complexes containing α-keto hydrazonate ligands as potential precursors for use in metal film deposition
JP2010215982A (ja) ルテニウム錯体有機溶媒溶液を用いたルテニウム含有膜製造方法、及びルテニウム含有膜
TW202102708A (zh) 用於原子層沉積法之含氮化鎵薄膜形成用原料及含氮化鎵薄膜之製造方法
JP7032781B2 (ja) ガリウムを含有する薄膜の原子層堆積方法
Pousaneh et al. β-Ketoiminato-based copper (II) complexes as CVD precursors for copper and copper oxide layer formation
EP4434994A1 (en) Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound
JP2001214268A (ja) 化学気相成長用アルミニウム原料及びこれを用いた薄膜の製造方法
Schäfer et al. NaCl-Assisted, Low Pressure MOCVD Growth of Mono-to Few Layer MoS 2. 1