TWI682456B - 電漿處理裝置及解析電漿處理資料的解析方法 - Google Patents

電漿處理裝置及解析電漿處理資料的解析方法 Download PDF

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Abstract

本發明是在於提供一種在被收集的監控資料與處理結果指標資料之間有高的相關且即使在重新被計測的監控資料中也可高精度預測處理結果指標之電漿處理裝置及解析方法。
其解決手段，本發明是具備解析部的電漿處理裝置，其特徵為：求取與電漿處理結果有相關的前述發光的波長，且從前述被求取的波長之中選擇表示前述發光的強度分布的偏差之第一指標比第一預定的值大的波長，利用前述被選擇的波長來預測前述電漿處理結果，或利用複數波長的各個的發光強度來運算，求取與前述電漿處理結果有相關的值，且從前述被求取的值之中選擇表示前述被求取的值的分布的偏差之第二指標比第二預定的值大的值，利用前述被選擇的值來預測前述電漿處理結果。

Description

電漿處理裝置及解析電漿處理資料的解析方法
本發明是有關利用電漿來處理半導體的晶圓之電漿處理裝置及解析電漿處理資料的解析方法。
為了取得在半導體晶圓上所形成的半導體裝置等的微細形狀，而形成將物質電離後的狀態(電漿狀態)，進行藉由該物質的作用(晶圓表面的反應)來去除晶圓上的物質之電漿處理。另外，在以下將半導體裝置的微細形狀的寬度或深度等的尺寸或電漿處理裝置形成微細形狀時的速度(蝕刻速率)稱為處理結果指標。
在電漿處理裝置中，即使以同一的電漿處理條件來進行處理，也會因各種的外亂或電漿狀態的經歷時間變化而難以取得同一的處理結果指標。因此，為了使處理結果指標安定化，而在電漿處理裝置中利用蝕刻中所被計測的裝置的監控資料來預測處理結果指標，根據預測的結果來變更電漿處理條件之控制技術會被適用。監控資料是使用以分光器來計測電漿處理中的電漿的發光或半導體晶圓表面的反射光等之分光器計測資料。
作為利用分光器計測資料來預測處理結果指標的方法，有以下所示的方法為人所知。
在專利文獻1中揭示：即使處理結果資料本身含有誤差，還是可以極力不受其誤差的影響之方式求取運轉資料與處理結果資料的相關關係(迴歸式，模型(model))，藉此可使處理被處理基板時的處理結果的預測精度提升之基板處理裝置的預測方法及預測裝置。
並且，在專利文獻2中揭示：利用在記憶部22的蝕刻處理結果資料記憶領域23中所記憶的蝕刻處理結果資料及在OES資料記憶領域24中所記憶的OES資料，使用複數的晶圓依序評價按每個波長與時間區間的組合來以發光強度預測蝕刻處理結果時的預測誤差，進行特定使用於蝕刻處理結果的預測之波長與時間區間的組合之處理。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-250902號公報
[專利文獻2]日本特開2016-25145號公報
專利文獻1所示的方法是利用運轉資料與CD 位移(shift)量的相關關係來作成用以從運轉資料來預測CD位移量的函數(以下稱為預測模型)。又，專利文獻2所揭示的方法是根據預測蝕刻處理結果時的預測誤差來特定供以使用在蝕刻處理結果的預測之最適的波長與時間區間的組合。
但，專利文獻1及2中所揭示的預測模型是在預測模型作成時即使與蝕刻處理結果有相關，也會有在預測模型作成後相關惡化的情況。並且，如此的情況，成為預測誤差擴大的要因。由如此的情形可謂在專利文獻1及2所揭示的預測模型是未考慮阻止某系因應力或環境的變化等的外亂的影響而變化之中的結構或性質，亦即穩健性。因此，不僅在收集的監控資料與處理結果指標資料之間有高的相關，且在重新被計測的監控資料中必須能以高的精度來預測處理結果指標。
於是，本發明是提供一種在被收集的監控資料與處理結果指標資料之間有高的相關且即使在重新被計測的監控資料中也可高精度預測處理結果指標之電漿處理裝置及解析方法。
本發明係一種電漿處理裝置，具備利用電漿來進行處理的處理室及解析前述電漿的發光的資料的解析部之電漿處理裝置，其特徵為： 前述解析部，係求取與電漿處理結果有相關的前述發 光的波長，且從前述被求取的波長之中選擇表示前述發光的強度分布的偏差之第一指標比第一預定的值大的波長，利用前述被選擇的波長來預測前述電漿處理結果，或利用複數波長的各個的發光強度來運算，求取與前述電漿處理結果有相關的值，且從前述被求取的值之中選擇表示前述被求取的值的分布的偏差之第二指標比第二預定的值大的值，利用前述被選擇的值來預測前述電漿處理結果。
又，本發明係一種解析電漿的發光的資料之解析方法，其特徵為：求取與電漿處理結果有相關的前述發光的波長，且從前述被求取的波長之中選擇表示前述發光的強度分布的偏差之第一指標比第一預定的值大的波長，利用前述被選擇的波長來預測前述電漿處理結果，或利用複數波長的各個的發光強度來運算，求取與前述電漿處理結果有相關的值，且從前述被求取的值之中選擇表示前述被求取的值的分布的偏差之第二指標比第二預定的值大的值，利用前述被選擇的值來預測前述電漿處理結果。
藉由本發明，在被收集的監控資料與處理結果指標資料之間有高的相關且即使在重新被計測的監控資料中也可高精度預測處理結果指標。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧電漿處理部
11‧‧‧電漿處理室
12‧‧‧分光器
13‧‧‧控制部
14‧‧‧記憶部
15‧‧‧IF部
20‧‧‧解析部
21‧‧‧運算部
22‧‧‧記憶部
23‧‧‧分光器計測資料記憶領域
24‧‧‧處理結果指標資料記憶領域
25‧‧‧元素波長資料記憶領域
26‧‧‧參照用分光器計測資料記憶領域
27‧‧‧臨界值資料記憶領域
28‧‧‧監控候補資料記憶領域
29‧‧‧相關．偏差資料記憶領域
210‧‧‧監控資料記憶領域
211‧‧‧預測模型資料記憶領域
212‧‧‧IF部
30‧‧‧輸入部
31‧‧‧輸出部
32‧‧‧通訊IF部
33‧‧‧匯流排
圖1是表示本發明之一實施形態的電漿處理裝置的概略的構成的方塊圖。
圖2是表示本發明之一實施形態的電漿處理裝置的電漿處理部的概略的構成的方塊圖。
圖3是說明本發明之一實施形態的處理結果指標的預測及控制的處理的流程圖。
圖4是說明分光器計測資料的圖表。
圖5是說明時間平均後的分光器計測資料的圖表。
圖6是表示本發明之一實施形態的分光器計測資料記憶領域的圖。
圖7是表示本發明之一實施形態的處理結果指標資料記憶領域的圖。
圖8是表示本發明之一實施形態的元素波長資料記憶領域的圖。
圖9是表示本發明之一實施形態的參照用分光器計測資料記憶領域的圖。
圖10是表示本發明之一實施形態的臨界值資料記憶領域的圖。
圖11是表示本發明之一實施形態的監控候補資料記憶領域的圖。
圖12是表示本發明之一實施形態的相關．偏差資料記憶領域的圖。
圖13是表示本發明之一實施形態的監控資料記憶領域的圖。
圖14是表示本發明之一實施形態的預測模型資料記憶領域的圖。
圖15是表示本發明之一實施形態的運算部的解析處理程序的流程。
圖16是表示本發明之一實施形態的解析處理的實行的畫面的正面圖。
圖17是表示本發明之一實施形態的解析處理的結果的畫面的正面圖。
圖18a是變動係數大的資料項目的發光強度監控值及處理結果指標的散佈圖。
圖18b是變動係數小的資料項目的發光強度監控值及處理結果指標的散佈圖。
圖19a是標準偏差比大的資料項目的發光強度監控值及處理結果指標的散佈圖。
圖19b是標準偏差比小的資料項目的發光強度監控值及處理結果指標的散佈圖。
根據圖面說明本發明之一實施形態。另外，在用以說明實施形態的全圖中，原則上對同一的構件附上同一符號，其重複的說明省略。
最初說明有關電漿處理裝置。在本實施例中，如圖1的電漿處理裝置的構成圖所示般，電漿處理裝置1是具有電漿處理部10、解析部20、輸入部30、輸出 部31及通訊介面部(通訊IF部)32、該等是經由匯流排33來相互連接。
電漿處理部10是具備電漿處理室11、分光器12、控制部13、記憶部14及介面部(IF部)15，且電漿處理室11是使電漿產生而蝕刻晶圓，分光器12是在電漿處理進行的期間取得電漿的發光資料或在晶圓表面或電漿處理室內壁面的反射光之分光器計測資料。分光器計測資料是經由IF部15來被儲存於解析部20所具有的記憶部22。
控制部13是控制電漿處理室11的處理。控制部13是利用後述的預測模型來預測電漿處理的處理結果指標，進行調整電漿處理條件的處理(Advanced Process Control：APC，以下稱為APC)。使用後述的圖2來說明電漿處理部10的詳細。並且，有關控制部13的APC的處理的詳細也是在後述的圖3說明。
解析部20是特定使用於處理結果指標的預測之資料項目，進行作成預測模型的處理。解析部20是具備：解析資料的運算部21、記憶部22及介面部(IF部)212。
記憶部22具備：分光器計測資料記憶領域23，其係記憶在進行電漿處理時所取得的分光器的計測值；處理結果指標資料記憶領域24，其係記憶進行電漿處理時的處理結果指標； 元素(element)波長資料記憶領域25，其係記憶電漿中所含的元素或化合物所發出的光的波長；參照用資料的參照用分光器計測資料記憶領域26，其係用以比較分光器計測資料的偏差；臨界值資料記憶領域27，其係記憶使用於解析的判定之臨界值；監控候補資料記憶領域28，其係記憶使用於預測模型的作成之資料的候補；相關．偏差資料記憶領域29，其係記憶顯示發光強度與處理結果指標的相關係數或發光強度的偏差之值；監控資料記憶領域210，其係記憶使用於預測模型的作成之資料；及預測模型資料記憶領域211，其係用以記憶作成後的預測模型。
另外，所謂元素是原子或化合物等。
運算部21是利用記憶部22的分光器計測資料記憶領域23中所記憶的分光器計測資料、處理結果指標資料記憶領域24中所記憶的處理結果指標資料、元素波長資料記憶領域25中所記憶的波長的資訊、參照用分光器計測資料記憶領域26中所記憶的參照用的分光器計測資料、及臨界值資料記憶領域27中所儲存的臨界值資料來特定使用在預測模型作成的資料，利用特定的資料來作成預測電漿處理的結果指標之預測模型，而進行預測模型資料記憶領域211中所儲存的處理。並且，有關運算部 21所進行的解析處理的詳細是後述。
輸入部30是受理使用者操作的資訊輸入之機器，例如滑鼠或鍵盤等。輸出部31是對使用者輸出資訊的顯示器或印表機等。通訊IF部32是用以經由匯流排33或外部網路等來與其他的裝置(亦可與計測處理結果指標的檢查裝置等連接)或系統(亦可與既存的生產管理系統等連接)連接進行資訊送收訊的介面。
匯流排33是連結各部(10，20，30，31，32)。各部的IF部(15，212等)是用以經由匯流排33來進行資訊送收訊的介面。另外，亦可使解析部20獨立作為解析裝置，經由IF部212來連接至由電漿處理部10所成的電漿處理裝置之形態。
其次，說明有關電漿處理部。電漿處理部10是具備電漿處理室11、分光器12、控制部13、記憶部14及IF部15。
電漿處理室11如圖2所示般具備：腔室111，其係以真空排氣手段(未圖示)來將內部排氣成真空；一對的電極112a及112b，其係藉由電源(未圖示)來供給高頻電力而使電漿產生於被排氣成真空的腔室111的內部；窗115，其係由外側來觀察腔室111的內部；及氣體供給部117，其係對被排氣成真空的腔室111的內部供給用以電漿處理晶圓114的電漿處理氣體。
另外，氣體供給部117是可分別供給複數種類的氣體(CF4、CHF3、Ar等)。
在如此的構成中，依據來自控制部13的指示，電漿處理室11是在將試料的晶圓114載置於腔室111的內部所被配置的試料台的電極112b而以排氣手段(未圖示)來將腔室111的內部排氣成真空的狀態下，從氣體供給部117供給電漿處理氣體，藉由電源(未圖示)來對電極112a及電極112b施加高頻電力，藉此在電極112a與112b之間使電漿處理氣體電漿化。藉由使被電漿化的氣體反應於晶圓114來蝕刻晶圓114。
電漿113是包含在從氣體供給部117供給的電漿處理氣體中所含的元素或從晶圓114產生於蝕刻的過程的元素，使對應於被電漿化的氣體中所含的元素之波長的光116發生。
發生的光116是經由窗115來以分光器12計測，且經由IF部15來記憶於解析部20的記憶部22的分光器計測資料記憶領域23。另外，亦可使用外部光源(未圖示)來對腔室111的壁面或晶圓114照射光，以分光器12來計測其反射光或透過光。
控制部13是除了電漿處理室11的控制以外，也進行變更處方的處理，作為後述的處理結果指標的預測及電漿處理條件的控制(APC)所示，輸入在分光器12所被計測的分光器計測資料。記憶部14是記憶有後述的預測模型資料記憶領域211中所被記憶的資料的拷貝， 作為用以算出處理結果指標的預測值的計算式。
電漿處理的終了後，被處理的晶圓114是從腔室111搬出而搬送至檢查裝置等的別的裝置。並且，新的別的晶圓114會被搬入至電漿處理部10而進行電漿處理。被處理的晶圓114是在檢查裝置等的別的裝置計測作為電漿處理的結果取得的圖案的形狀的尺寸等。此形狀的尺寸等是作為處理結果指標資料被記憶於記憶部22的處理結果指標資料記憶領域24。
其次，說明有關分光器計測資料。在圖5中顯示波形訊號301作為在分光器12所被計測的電漿發光的分光器計測資料的例子。分光器計測資料的波形訊號301是持有波長及時間的2次元的要素，顯示針對各波長、各時間來分別計測的發光強度的值。
並且，在圖4中顯示將分別針對分光器計測資料的各波長來計測的發光強度的值的時間平均計算後的值之例。時間平均是例如針對從依預定的電漿處理氣體之電漿處理的開始到終了的時間取平均。此分光器計測資料的平均值是與被計測的晶圓的ID一起被儲存於後述的分光器計測資料記憶領域23。另外，被儲存於分光器計測資料記憶領域23的值是不限於時間區間的平均值，亦可為最大值或最小值、中央值等的值。
其次，說明有關使用APC的電漿處理條件的控制。在圖3中顯示以控制部13進行的APC的處理的例子。被設定成為一旦晶圓的電漿處理完了，則實行APC 時，控制部13是針對以被儲存於記憶部14的預測模型所指定的波長或波長的組合，算出在分光器12所計測的分光器計測資料的發光強度的平均值。或算出將發光強度的平均值以別的發光強度的平均值來除後的值(S101)。以後，把將發光強度的平均值或發光強度的平均值以別的發光強度的平均值來除後的值稱為發光強度監控值。另外，亦可以發光強度的最大值或最小值、中央值作為發光強度監控值。
其次，控制部13是藉由對發光強度監控值乘上以被儲存於記憶部14的預測模型所指定的係數，算出處理結果指標的預測值(S102)。而且，控制部13是根據處理結果指標的預測值與目標值的差分來調整電漿處理條件(S103)。作為電漿處理條件，例如，從氣體供給部1117供給的電漿處理氣體的流量(氣體流量)會被調整。並且，在S103中，不僅進行電漿處理條件的調整，當處理結果指標的預測值與目標值的差分比預定的臨界值更大時，亦可設為通知警報之構成，當作異常。
其次，說明有關解析部。如圖1所示般，解析部20是具備運算部21、記憶部22及IF部212。記憶部22是具備分光器計測資料記憶領域23、處理結果指標資料記憶領域24、元素波長資料記憶領域25、參照用分光器計測資料記憶領域26、臨界值資料記憶領域27、監控候補資料記憶領域28、相關．偏差資料記憶領域29、監控資料記憶領域210及預測模型資料記憶領域211。
在分光器計測資料記憶領域23中儲存有特定分光器計測資料的資訊，該分光器計測資料是每個晶圓在電漿處理中以分光器12所計測而取得者。圖6是表示分光器計測資料記憶領域23的例子之分光器計測資料表23a。本表是具有晶圓ID欄23b、發光強度欄23c等的各場。在晶圓ID欄23b是儲存有特定晶圓114的資訊。被儲存於晶圓ID欄23b的值是與被儲存於後述的處理結果指標資料表24a的晶圓ID欄24b之值對應，使能對應在電漿處理各個的晶圓時所取得的分光器計測資料及處理結果指標。
在發光強度欄23c是儲存有特定藉由分光器12來計測的分光器計測資料之資訊。發光強度欄23c是如圖6的23d所示般，按每個波長分割場，在各個的場是儲存有以電漿處理時間來平均各波長的發光強度之值。並且，各行會將該分光器計測資料與計測的晶圓的ID對應。
另外，被儲存的分光器計測資料是亦可為用以蝕刻晶圓的電漿處理時取得的分光器計測資料，或為了在蝕刻晶圓之前弄妥電漿處理室11的狀態而進行的電漿處理時所取得的分光器計測資料。並且，被儲存的值亦可不是發光強度之於電漿處理時間的平均值，而為最大值或最小值、中央值，亦可為在電漿處理的中間時點的發光強度的值等，某指定的時間的發光強度的值。
在處理結果指標資料記憶領域24是儲存有特 定每個晶圓的電漿處理的結果之資訊。圖7是處理結果指標資料記憶領域24的例子之處理結果指標資料表24a。 本表是具有晶圓ID欄24b、處理結果指標欄24c等的各場。在晶圓ID欄24b是儲存有特定晶圓114的資訊。被儲存於晶圓ID欄24b的值是與被儲存於分光器計測資料表23a的晶圓ID欄23b之值對應。在處理結果指標欄24c是儲存有特定電漿處理的結果之資訊。
例如，電漿處理後利用被連接至電漿處理裝置1的計測裝置等來計測在晶圓ID欄23b所被特定的晶圓114的表面形狀之結果(例如，在以測長SEM或光學式計測裝置等的計測裝置所計測的晶圓114上被形成的圖案的尺寸、圖案間的尺寸等)會被儲存。按每個晶圓，表面形狀的尺寸資訊會經由通訊IF部32來儲存於處理結果指標資料記憶領域24。並且，在按每個晶圓來調整電漿處理條件時，亦可利用電漿處理條件的調整量與處理結果指標的變更量的相關關係的函數來算出依電漿處理條件的調整量之處理結果指標的變更量，將藉由處理結果指標的變更量來修正所被計測的處理結果指標之值儲存於處理結果指標資料記憶領域24。
在元素波長資料記憶領域25是儲存有特定在電漿中所含的元素所發出的光的波長之資訊。圖8是表示元素波長資料記憶領域25的例子之元素波長資料表25a。本表是具有元素欄25b及波長欄25c等的各場。在元素欄25b是儲存有特定電漿中所含的元素(元素或化合 物)的候補之資訊。在波長欄25c是存存有特定元素所發出的光的波長之資訊。
在參照用分光器計測資料記憶領域26是未與處理結果指標資料對應的分光器計測資料會作為分光器計測資料的參照值來按每個晶圓儲存。被儲存的分光器計測資料是例如電漿處理為了進行抽樣計測而無法計測處理結果指標的晶圓時的分光器計測資料或電漿處理無法計測尺寸等處理結果指標的虛擬的晶圓時的分光器計測資料會被儲存。另外，被儲存的資料是亦可為在電漿處理裝置1以外的電漿處理裝置所被計測的分光器計測資料。
圖9是表示參照用分光器計測資料記憶領域26的例子之參照用分光器計測資料表26a。本表是具有參照用晶圓ID欄26b、參照用晶圓發光強度欄26c等的各場。在參照用晶圓ID欄26b是儲存有特定晶圓114的資訊。在參照用晶圓發光強度欄26c是儲存有特定在分光器12所被計測的分光器計測資料之資訊。參照用晶圓發光強度欄26c是如圖9的26d所示般，按每個波長分割場，在各個的場是儲存有以電漿處理時間來平均各波長的發光強度之值。
並且，各行會形成與計測了該分光器計測資料的晶圓的ID對應。參照用晶圓發光強度欄26c是儲存有與分光器計測資料表23a的發光強度欄23c對應的發光強度的計算值。例如，在發光強度欄23c儲存有用以加工晶圓的電漿處理時取得的分光器計測資料時，在參照用晶 圓發光強度欄26c也儲存有同樣的分光器計測資料，在發光強度欄23c儲存有為了在蝕刻晶圓之前弄妥電漿處理室11的狀態而進行的電漿處理時取得的分光器計測資料時，在參照用晶圓發光強度欄26c也儲存有同樣的分光器計測資料。在臨界值資料記憶領域27是儲存有特定使用在後述的解析處理的臨界值之資訊。
圖10是表示臨界值資料記憶領域27的例子之臨界值資料表27a。本表是具有臨界值1欄27b、臨界值2欄27c、臨界值3欄27d等的各場。在臨界值1欄27b是儲存有在後述的解析處理使用於相關係數的判定之臨界值。在臨界值2欄27c是儲存有在後述的解析處理使用於變動係數的判定之臨界值。而且，在臨界值3欄27d是儲存有在後述的解析處理使用於標準偏差比的判定之臨界值。在監控候補資料記憶領域28是儲存有針對使用於預測模型的作成之資料項目的候補特定發光強度監控值之資訊。
圖11是監控候補資料記憶領域28的例子之監控候補資料表28a。本表是具有晶圓ID欄28b、發光強度監控值候補欄28c等的各場。在晶圓ID欄28b是儲存有特定晶圓114的資訊。被儲存於晶圓ID欄28b的值是與被儲存於前述的分光器計測資料表23a的晶圓ID欄23b之值對應。因此，與被儲存於處理結果指標資料表24a的晶圓ID欄24b之值對應。
在發光強度監控值候補欄28c是儲存有分光 器計測資料表23a的發光強度欄23c的特定的波長中所被儲存的值，或在複數的波長中所被儲存的值的比。發光強度監控值候補欄28c是如圖11的28d所示般，按每個資料項目分割場，各個的場是顯示波長或複數的波長的比。 例如，在「707nm」的列是儲存有各晶圓的707nm的波長之發光強度的值。並且，在「288nm/707nm」的列是儲存有在各晶圓中將288nm的波長之發光強度的值以707nm的波長之發光強度來除後的值。另外，被儲存的值是亦可設為包含所被指定的波長之預定的範圍(正負數nm的範圍)之發光強度的最大值或平均值。
在相關．偏差資料記憶領域29是儲存有按每個算出發光強度監控值的資料項目(波長或複數的波長的組合)特定發光強度監控值與處理結果指標資料的相關之資訊或特定發光強度監控值的偏差之資訊、及特定以相關或偏差來評價資料項目的結果之資訊。圖12是表示相關．偏差資料記憶領域29的例子之相關．偏差資料表29a。本表是具有資料項目欄29b、相關係數欄29c、相關判定欄29d、變動係數欄29e、標準偏差比欄29f、變動係數判定欄29g、標準偏差比判定欄29h、選擇資料項目欄29i等的各場。
在資料項目欄29b是儲存有特定用以算出發光強度監控值的波長或複數的波長之資訊。資料項目欄29b的各行是與監控候補資料表28a的發光強度監控值候補欄28c的各列對應。在相關係數欄29c是儲存有特定在 資料項目欄29b所被特定的發光強度監控值與處理結果指標資料的相關係數之資訊。在相關判定欄29d是儲存有用以特定在相關係數欄29c中所被儲存的相關係數要比預定的臨界值更大的資料項目之資訊。在變動係數欄29e是儲存有特定在資料項目欄29b所被特定的發光強度監控值的變動係數之資訊。
在標準偏差比欄29f是儲存有特定在資料項目欄29b所被特定的發光強度監控值的標準偏差比之資訊。在變動係數判定欄29g是儲存有用以特定在變動係數欄29e中所被儲存的變動係數要比預定的臨界值大的資料項目之資訊。在標準偏差比判定欄29h是儲存有用以特定在標準偏差比欄29f中所被儲存的標準偏差比要比預定的臨界值大的資料項目之資訊。在選擇資料項目欄29i是儲存有用以特定在被儲存於資料項目欄29b的資料項目之中使用於預測模型的作成的資料項目之資訊。在監控資料記憶領域210是儲存有特定使用於預測模型的作成的發光強度監控值之資訊。
圖13是表示監控資料記憶領域210的例子之監控資料表210a。本表是具有晶圓ID欄210b、發光強度監控值欄210c等的各場。在晶圓ID欄210b是儲存有特定晶圓114的資訊。被儲存於晶圓ID欄210b的值是與前述的監控候補資料表28a的晶圓ID欄28b對應。在發光強度監控值欄210c是儲存有在分光器計測資料表23a的發光強度欄23c的特定的波長所被儲存的值或在複數的波 長所被儲存的值的比。
發光強度監控值210c是如圖13的210d所示般，按每個資料項目分割場，各個的場是顯示波長或複數的波長的組合。前述的監控候補資料表28a的發光強度監控值候補欄28c的資料項目中，儲存有在後述的解析處理所被選擇的資料項目的發光強度監控值。在預測模型資料記憶領域211是儲存有特定所作成的預測模型的資料項目或係數之資訊。
圖14是表示預測模型資料記憶領域211的例子之預測模型資料表211a。本表是具有、定數項欄211b、預測模型資料項目欄211c、係數欄211d等的各場。在定數項欄211b是儲存有特定預測模型的定數項(切片)的值之資訊。在預測模型資料項目欄211c是儲存有特定算出發光強度監控值的波長或波長的組合之資訊。被儲存的資訊是在後述的解析處理所被選擇的資料項目，與被儲存於相關．偏差資料表29a的選擇資料項目欄29i之資訊對應。
在係數欄211d是儲存有特定對以預測模型資料項目欄211c中所被儲存的波長或波長的組合來計算的發光強度監控值乘上的係數之資訊。被儲存於定數項欄211b的資訊與對發光強度監控值乘上係數欄211d的係數之值的和會作為處理結果指標資料的預測值利用。
其次，說明有關解析部20的解析處理。本實施例之解析處理的方法是在利用電漿來處理晶圓的電漿處 理中，特定用以預測處理結果指標的分光器計測資料的資料項目(波長或波長的組合)之解析方法。本實施例之解析處理的方法是分別針對分光器計測資料的資料項目來評價發光強度監控值與處理結果指標的相關的強度、及表示發光強度監控值的偏差的大小之變動係數與標準偏差比的大小，特定使用於處理結果指標的預測之資料項目，作成預測處理結果指標的預測模型。以下，具體地說明本實施例之解析處理的方法。
作為在生產工程利用電漿處理裝置1來依序電漿處理複數的晶圓之前的階段，使用電漿處理裝置1的裝置管理者為了作成使用於處理結果指標的預測之預測模型而在解析部20中實行解析處理。由於預測模型是依電漿處理的對象之晶圓表面上的膜的構成等而變化，因此在電漿處理的啟動時，需要適當地實行本解析處理。使用依本解析處理而決定的電漿處理的條件，在生產工程(量產工程)中利用電漿處理裝置1來依序電漿處理複數的晶圓。其次，利用圖15來說明在解析部20中所被實行的解析處理的流程。
在圖16所示般的顯示畫面D100上，一旦裝置管理者輸入解析處理的實行，則解析部20進行解析處理。最初依元素指定之預測模型的作成時(S201、Yes)，以表示被指定的元素的發光之波長及波長的組合作為使用於發光強度監控值的算出之資料項目，儲存於相關．偏差資料記憶領域29(S202)。依波長指定之預測模 型的作成時，以裝置管理者所指定的波長作為資料項目，儲存於相關．偏差資料記憶領域29(S201、No)。
其次，分別針對所被儲存的資料項目來算出發光強度監控值，算出發光強度監控值與處理結果指標資料的相關係數(S203~S206)，特定相關強的資料項目(S207)。有關相關強的資料項目是分別算出表示發光強度監控值的偏差的指標之變動係數及標準偏差比(S208~S211)。更特定算出後的變動係數大的資料項目及標準偏差比大的資料項目(S212、S213)，特定兩者大的資料項目(發光強度監控值的偏差大的資料項目)作為使用於預測模型的資料項目(S214)。
利用特定的資料項目之發光強度監控值及處理結果指標資料來作成預測模型(S215)，在顯示畫面D200上將作成的預測模型提示給裝置管理者(S216)，藉此完成解析處理。其次，說明各步驟的詳細。
S201的運算部21是在圖16所示的顯示畫面D100上，藉由裝置管理者來對指定元素欄D101輸入計算波長的元素，當實行1按鈕D102被點擊時，或藉由裝置管理者來對指定資料項目欄D103輸入波長或波長的組合，一旦實行2按鈕D104被點擊，則開始解析處理。運算部21是在實行1按鈕D102被點擊時，亦即實行元素指定之解析處理時，其次前進至處理S202。並且，當實行2按鈕D104被點擊時，亦即藉由波長指定來實行解析處理時，將被儲存於指定資料項目欄D103的資訊儲存於相關． 偏差資料表29a的資料項目欄29b，前進至處理S203。
S202的運算部21是利用元素的資訊來作成儲存於相關．偏差資料表29a的資料項目欄29b之資訊。運算部21是利用被儲存於指定元素欄D101的元素的資訊來針對元素波長資料表25a的元素欄25b特定該當的元素，全部取得被儲存於與該元素同一行的波長欄25c的資訊。 針對取得的波長，是作成取波長的比之組合(例：252nm/707nm)，將取得的波長及作成的波長的組合的資訊儲存於相關．偏差資料表29a的資料項目欄29b。S203的運算部21是針對被儲存於相關．偏差資料表29a的資料項目欄29b之各個的資料項目來實行其次的處理S204、205。
S204的運算部21是利用被儲存於資料項目欄29b的波長或波長的組合的資訊來分別針對晶圓ID取得分光器計測資料表23a的發光強度欄23c之以該波長所指定的發光強度，以取得的值作為發光強度監控值，儲存於監控值候補資料表28a的發光強度監控值候補欄28c。而且，在發光強度監控值候補欄28c是將資料項目(波長．波長的組合)一併儲存。並且，當資料項目為波長的組合時，以將1個被指定的波長的發光強度以另一個被指定的波長的發光強度來除後的值作為發光強度監控值，儲存於發光強度監控值候補欄28c。
S205的運算部21是更使用以下的式(1)來算出發光強度監控值及表示處理結果指標的相關的強度的 資訊之相關係數。
Figure 106102960-A0305-02-0025-1
在上述的式子中，cr是表示相關係數。ei是表示發光強度監控值的第i個的值(被儲存於發光強度監控值候補欄28c的該資料項目的第i行之值)，ri是表示被儲存於處理結果指標資料表24a的處理結果指標資料欄24b的第i行之值。me是表示發光強度監控值的平均值，mr是表示被儲存於處理結果指標資料欄24b之值的平均值。n是表示處理結果指標資料表24a及監控候補資料表28a的行數。Σ記號是表示取有關處理結果指標資料表24a及監控候補資料表28a的全部的行的和。運算部21是將算出的相關係數(cr)儲存於相關．偏差資料表29a的相關係數欄29c的該資料項目的行。
S206的運算部21在針對全部的資料項目進行相關係數的算出時，是前進至處理S207。有尚未計算的資料項目時，再度實行處理S204、S205。S207的運算部21是參照相關．偏差資料表29a的相關係數欄29c，特定相關強的資料項目。運算部21是針對相關．偏差資料表29a的各行，比較被儲存於相關係數欄29c的值的絕對值與被儲存於臨界值資料表27a的臨界值1欄27b的值，當被儲存於相關係數欄29c的值的絕對值較大時，對該行的 相關判定欄29d輸入表示相關強的「○」。
另外，用以判定相關的強度之臨界值是亦可根據晶圓數(監控候補資料表28a的行數)以晶圓數越小則變越大的方式進行修正。又，本實施例是根據絕對值來判定相關的強度，但亦可設為利用相關的檢定來判定有無相關，當被判定成有相關時輸入「○」的方式。S208的運算部21是分別針對判定成相關強的資料項目來實行以下的處理S209、S210。
S209的運算部21是針對判定成相關強的資料項目，亦即在相關．偏差資料項表29a的相關判定欄29d中被儲存「○」的資料項目，利用以下的式(2)來算出將發光強度監控值的標準偏差以平均值除後的值之變動係數，作為表示發光強度監控值的偏差的大小之值。
Figure 106102960-A0305-02-0026-2
在上述的式子中，cv是表示變動係數。ei是表示發光強度監控值的第i個的值(被儲存於發光強度監控值候補欄28c的該資料項目的第i行之值)。me是表示發光強度監控值的平均值。n是表示監控候補資料表28a的行數。Σ記號是表示取有關監控候補資料表28a的全部的行的和。運算部21是將算出的變動係數(cv)儲存於相關．偏差資料表29a的變動係數欄29e的該資料項 目的行。另外，在此亦可在式(2)中取代平均值me而使用中央值來算出變動係數。
S210的運算部21是針對判定成相關強的資料項目，亦即在相關．偏差資料項表29a的相關判定欄29d中被儲存○的資料項目，利用以下的式(3)來算出將發光強度監控值的標準偏差以發光強度監控值的標準偏差來除後的值之標準偏差比，作為表示發光強度監控值的偏差的大小之值，該發光強度監控值的標準偏差是以參照用晶圓的分光器計測資料來算出。
Figure 106102960-A0305-02-0027-3
在上述的式子中，sr是表示標準偏差比。ei是表示發光強度監控值的第i個的值(被儲存於發光強度監控值候補欄28c的該資料項目的第i行之值)。me是表示發光強度監控值的平均值。n是表示監控候補資料表28a的行數。並且，rei是表示針對參照用分光器計測資料表26a的參照用晶圓發光強度欄26c，以在該資料項目所被指定的波長或波長的組合來算出的發光強度監控值的第i個的值(針對參照用晶圓發光強度欄26c的第i行來算出的值)。
mre是表示rei的平均值。m是表示參照用分光器計測資料表26a的行數。Σ記號是表示取監控候補資 料表28a或參照用分光器計測資料表26a的全部的行的和。運算部21是將算出的標準偏差比(sr)儲存於相關．偏差資料表29a的標準偏差比欄29f的該資料項目的行。 另外，在此亦可在式(3)中取代平均值me或mre而使用中央值來算出標準偏差比。
S211的運算部21是在針對判定成相關強的全部的資料項目來進行變動係數及標準偏差比的算出時，前進至處理S212。尚有未計算的資料項目時，再度實行處理S209、S210。S212的運算部21是參照相關．偏差資料表29a的變動係數欄29e，特定變動係數大的資料項目。 運算部21是針對相關．偏差資料表29a之中計算變動係數的行，亦即判定成相關強的行，從被儲存於變動係數欄29e的值大者依序進行賦予順位，針對各資料項目算出判定成與順位相關強的行數的比，有關前述比要比被儲存於臨界值資料表27a的臨界值2欄27c的值更小的行是在該行的變動係數判定欄29g中輸入表示變動係數大的「○」。藉由本處理，在判定成相關強的資料項目之中相對地變動係數大的資料項目是被輸入「○」。
另外，作為變動係數的判定方法，在臨界值2欄27c中儲存用以和變動係數的值作比較的值，針對相關．偏差資料表29a的各行來比較被儲存於變動係數欄29e的值與被儲存於臨界值2欄27c的值，當被儲存於變動係數欄29e的值較大時，亦可設為在該行的變動係數判定欄29g中輸入表示變動係數大的「○」之形式。
S213的運算部21是參照相關．偏差資料表29a的標準偏差比欄29f，特定標準偏差比大的資料項目。運算部21是針對相關．偏差資料表29a之中計算標準偏差比的行，亦即判定成相關強的行，從被儲存於標準偏差比欄29f的值大者依序進行賦予順位，針對各資料項目算出判定成與順位相關強的行數的比，有關前述比要比被儲存於臨界值資料表27a的臨界值3欄27d的值更小的行是在該行的標準偏差比判定欄29h中輸入表示標準偏差比大的「○」。藉由本處理，在判定成相關強的資料項目之中，相對地標準偏差比大的資料項目是輸入「○」。
另外，作為標準偏差比的判定方法，在臨界值3欄27d中儲存用以和標準偏差比的值作比較的值，針對相關．偏差資料表29a的各行，比較被儲存於標準偏差比欄29f的值與被儲存於臨界值3欄27d的值，當被儲存於標準偏差比欄29f的值較大時，亦可設為在該行的標準偏差比判定欄29h中輸入表示標準偏差比大的「○」之形式。
S214的運算部21是將相關強且變動係數及標準偏差比大的資料項目特定作為使用於預測模型的資料項目，將該資料項目的發光強度監控值儲存於監控資料表210a。運算部21是分別在相關．偏差資料表29a的變動係數判定欄29g及標準偏差比判定欄29h中特定儲存有表示值大的「○」之行，在選擇資料項目欄29i的該行中輸入表示使用於預測模型的資料項目之○。
另外，在本實施例中是選擇複數的資料項目，但在後述的預測模型作成處理(S215)中，藉由使用1個資料項目的單迴歸來作成預測模型時，亦可在變動係數判定欄29g及標準偏差比判定欄29h中被儲存「○」的行之中特定相關係數的絕對值的最大的行作為使用於預測模型的資料項目。而且，運算部21是在監控候補資料表28a的發光強度監控值候補欄28c之中，將使用於預測模型的資料項目，亦即相當於選擇資料項目欄29i中被儲存○的資料項目之列的資訊複製於監控資料表28a的發光強度監控值欄210c。
S215的運算部21是利用所被選擇的資料項目的發光強度監控值來作成用以下的式(4)表示的預測模型。
Figure 106102960-A0305-02-0030-4
在上述的式子中，y是表示處理結果指標的預測值。b是表示定數項(切片)。xi是表示所選擇的資料項目之發光強度監控值。ai是表示對所選擇的資料項目之發光強度監控值乘上的係數。l是表示所選擇的資料項目的個數。Σ記號是表示針對所選擇的資料項目取發光強度監控值與係數的乘積的和。由於式(4)是一般性的線形 迴歸的形式，因此可用專利文獻1的部分最小平方法或最小平方法來算出定數項及係數。在使用最小平方法時，定數項b及係數ai是可用以下的式(5)(6)(7)(8)(9)來求取。
Figure 106102960-A0305-02-0031-5
Figure 106102960-A0305-02-0031-6
Figure 106102960-A0305-02-0032-7
Figure 106102960-A0305-02-0032-8
Figure 106102960-A0305-02-0032-9
在上述的式子中，A是表示以成為定數項(切片)的b的起源的a0及係數的ai(i=1，...l)所示的行列。X是表示藉由被儲存於監控資料表210a的發光強度監控值欄210c的值之xjk(j=1，...n，k=1，...l)及1所構成的行列。xjk是表示發光強度監控值欄210c的第k 個的資料項目(第k列)的第j個的晶圓ID(第j行)之發光強度監控值。mxk是表示被儲存於發光強度監控值欄210c的第k個的資料項目(第k列)之發光強度監控值的行方向的平均值。Y是表示藉由被儲存於處理結果指標資料表24a的處理結果指標欄24c的值之yj(j=1，...n)所構成的行列。yj是表示處理結果指標欄24c的第j個的晶圓ID(第j行)之處理結果指標。
另外，在藉由式(5)來算出係數ai之前選擇的資料項目間發光強度監控值的彼此間的相關強時，亦可刪除任一方的資料項目來計算。運算部21是將使用於預測模型的資料項目儲存於預測模型資料表211a的預測模型資料項目欄211c，將作成的預測模型的定數項儲存於定數項欄211b，將係數對應於係數欄211d的預測模型資料項目欄211c而儲存。
S216的運算部21是將作為解析處理的結果作成的預測模型輸出至畫面上而終了處理。將運算部21對裝置管理者提示的輸出畫面之一例顯示於圖17。在圖17所示的輸出畫面中，以被儲存於預測模型資料表211的預測模型的資訊作為D201的表來顯示。裝置管理者利用此預測模型來進行APC時，點擊D202的「Yes按鈕」。一旦被點擊，則運算部21是將預測模型的拷貝儲存於電漿處理部10的記憶部14，對控制部13發出APC的實行指示，終了解析處理。
裝置管理者不利用此預測模型時，點擊D203 的「No按鈕」，運算部21終了解析處理。並且，被儲存於相關．偏差資料表29a的資訊會作為D204的表來表示。 裝置管理者是針對使用於預測模型的資料項目及使用於預測模型的資料項目的候補來參照相關或偏差等的資訊。
其次，說明有關依據「偏差」之資料項目的選擇。利用圖18a、圖18b、圖19a、圖19b來說明運算部21進行之依據變動係數及標準偏差比的資料項目的選擇的意義。
首先，利用圖18a及圖18b來說明變動係數之選擇的意義。圖18a及圖18b的各個的圖是取橫軸為發光強度監控值，取縱軸為處理結果指標的散佈圖。圖18a是表示變動係數大的資料項目的例子，圖18b是表示變動係數小的資料項目的例子。圖18a的a1、a3，圖18b的b1、b3等的各點是表示各晶圓的計測值，a1、b1是表示在作成預測模型之前被取得的發光強度監控值及處理結果指標的例子。
又，a3、b3是表示在預測模型作成後進行APC時重新被取得的發光強度監控值及處理結果指標的例子。a3、b3等的各點是從a1、b1等的各點僅同比例(△m)減少發光強度監控值的點。這表示因為分光器所接的計測窗的模糊不清等，發光強度監控值會以某一定的比例減少的狀態。使用a1來作成處理結果指標的預測模型時，表示a2的直線之函數會被作成，作為來自各點的距離成為最小的直線。又，同樣使用b1來作成預測模型時，表示b2的直 線之函數會被作成。
利用此a2或b2的預測模型，針對a3及b3的資料，由發光強度監控值來預測處理結果指標時，因發光強度監控值的減少，在處理結果指標的預測產生誤差。 此情況的誤差為△pa及△pb，△pa是比△pb更小。藉由使用變動係數大的資料項目來作成預測模型，可作成對於起因於計測窗的模糊不清等之發光強度監控值的減少(或增加)誤差小具有穩健性的預測模型。其次，利用圖19a及圖19b來說明依標準偏差比之資料項目的選擇的意義。
位於圖19a及圖19b的各個的圖的上部的圖表是取橫軸為參照用分光器計測資料的發光強度監控值為橫軸的散佈圖，位於下部的圖表是取橫軸為發光強度監控值，取縱軸為處理結果指標的散佈圖。圖19a是表示標準偏差比大的資料項目的例子，圖19b是表示標準偏差比小的資料項目的例子。圖19a的a0、b0等的各點是表示參照用分光器計測資料的各晶圓的計測值，其偏差的大小是以「stdRa」及「stdRb」來表示。
圖19a的a1、a3、圖19b的b1、b3等的各點是表示各晶圓的計測值，a1、b1是表示在作成預測模型之前所被取得的發光強度監控值及處理結果指標的例子，a3、b3是表示在預測模型作成後進行APC時重新被取得的發光強度監控值及處理結果指標的例子。a1及b1的偏差是以「stda」、「stdb」來表示。
使用a1來作成處理結果指標的預測模型時， 表示a2的直線之函數會被作成，作為來自各點的距離成為最小的直線。又，同樣使用b1來作成預測模型時，表示b2的直線之函數會被作成。
與標準偏差比大的情況作比較，標準偏差比小的情況，由使用於預測模型的作成之資料(b1)的分布，發光強度監控值大幅度偏差的可能性高。因此，在進行APC時，如b3所示般，在b1的發光強度監控值的分布的外側重新發光強度監控值被計測的可能性高。一旦資料被輸出至分布的外側，則由於形成將預測模型擴張(外插)至未計測資料的範圍，因此誤差容易擴大。藉由使用標準偏差比大的資料項目來作成預測模型，可降低外插所造成的誤差發生。
如上述般，像圖18及19所示那樣，藉由選擇變動係數及標準偏差比大的資料項目，可作成具有穩健性的預測模型，理由可思考成以下般。
在通常的量產中，因經歷時間變化等，例如有發光強度值大幅度偏差的情況。另一方面，在發光強度值的偏差小的發光的波長中作成預測模型時，難以將量產資料的發光強度值的偏差大時的處理結果指標藉由前述所被作成的預測模型來預測作成預測模型時的發光強度值的偏差範圍外的量產資料的發光強度值。基於如此的理由，為了作成具有穩健性的預測模型，需要選擇變動係數及標準偏差比大的資料項目來作成預測模型。
以上，本實施例的本發明是在利用由電漿處 理裝置所得的資料之資料的解析方法中，取得表示電漿處理時所取得的複數的波長的發光強度之分光器計測資料、及表示進行了電漿處理的半導體晶圓的尺寸或加工的速度之處理結果指標資料，針對分光器計測資料的波長或波長的組合之資料項目，算出發光強度與處理結果指標資料之間的相關係數、及表示發光強度的偏差之變動係數或標準偏差比，特定前述相關係數大且變動係數或標準偏差比大的資料項目，更利用該資料項目的發光強度來作成預定處理結果指標的預測模型。並且，將該等適用於電漿處理裝置。
另外，本發明的適用例是不限於電漿處理裝置，亦可適用在使用本發明的電漿處理裝置的電漿處理方法、進行本實施例的資料解析的解析裝置及解析方法。
如前述般，藉由使用本實施形態的電漿處理裝置1(解析部20)所實行的解析方法，可特定能夠維持處理結果指標的高預測精度之資料項目來作成預測模型。
若根據本實施例，則可適當地求取從分光器計測資料算出發光強度監控值的資料項目(波長或波長的組合)。藉此，可高精度地預測處理結果指標，可更縮小偏差控制處理結果指標。
並且，根據本發明，藉由選擇變動係數大的波長，可降低起因於發光強度的減少或增加之預測精度的惡化。並且，藉由選擇標準偏差比大的波長，可減低預測模型的外插之預測精度的惡化。藉由此2個的效果，可選 擇維持高預測精度的資料項目，預測處理結果指標。
以上，根據實施形態具體說明本發明，本發 明是不限於前述的實施形態，亦可在不脫離其要旨的範圍實施各種變更。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧電漿處理部
11‧‧‧電漿處理室
12‧‧‧分光器
13‧‧‧控制部
14‧‧‧記憶部
15‧‧‧IF部
20‧‧‧解析部
21‧‧‧運算部
22‧‧‧記憶部
23‧‧‧分光器計測資料記憶領域
24‧‧‧處理結果指標資料記憶領域
25‧‧‧元素波長資料記憶領域
26‧‧‧參照用分光器計測資料記憶領域
27‧‧‧臨界值資料記憶領域
28‧‧‧監控候補資料記憶領域
29‧‧‧相關．偏差資料記憶領域
30‧‧‧輸入部
31‧‧‧輸出部
32‧‧‧通訊IF部
33‧‧‧匯流排
210‧‧‧監控資料記憶領域
211‧‧‧預測模型資料記憶領域
212‧‧‧IF部

Claims (14)

  1. 一種電漿處理裝置，係具備利用電漿來進行處理的處理室及解析前述電漿的發光的資料的解析部之電漿處理裝置，其特徵為：前述解析部，係求取與電漿處理結果有相關的前述發光的波長，且從前述被求取的與電漿處理的結果有相關的前述發光的波長之中選擇表示前述發光的強度分布的偏差之第一指標比第一預定的值大的波長，根據前述被選擇的波長來作成預測前述電漿處理結果的預測模型式，或利用複數波長的各個的發光強度來運算，求取與前述電漿處理結果有相關的值，且從前述被求取的值之中選擇表示前述被求取的值的分布的偏差之第二指標比第二預定的值大的利用前述複數波長的各個的發光強度來運算的值，根據前述被選擇的值來作成前述預測模型式。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第一預定的值，係以前述預測模型式的預測誤差能夠成為容許值的方式所被規定的值。
  3. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述第一指標，係利用標準偏差或前述標準偏差的平方值所求取的值。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，前述第一指標，係將標準偏差藉由前述發光的強度的平均值來除後的值。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其 中，前述第一指標，係由進行前述電漿的處理的試料的不同的2個集合來求取的各個的標準偏差的比。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，以將標準偏差藉由前述發光的強度的平均值來除後的值與由進行前述電漿的處理的試料的不同的2個集合來求取的各個的標準偏差的比作為前述第一指標使用。
  7. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更具備控制部，其係進行根據前述被預測的電漿處理結果來調整電漿處理條件的控制。
  8. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，更具備控制部，其係前述被預測的電漿處理結果超過預定的範圍時，進行異常的處理。
  9. 一種解析方法，係解析電漿的發光的資料之解析方法，其特徵為：求取與電漿處理結果有相關的前述發光的波長，且從前述被求取的與電漿處理的結果有相關的前述發光的波長之中選擇表示前述發光的強度分布的偏差之第一指標比第一預定的值大的波長，根據前述被選擇的波長來作成預測前述電漿處理結果的預測模型式，或利用複數波長的各個的發光強度來運算，求取與前述電漿處理結果有相關的值，且從前述被求取的值之中選擇表示前述被求取的值的分布的偏差之第二指標比第二預定的值大的利用前述複數波長的各個的發光強度來運算的值，根據前述被選擇的值來作成前述預測模型式。
  10. 如申請專利範圍第9項之解析方法，其中，前述 第一預定的值，係以前述預測模型式的預測誤差能夠成為容許值的方式所被規定的值。
  11. 如申請專利範圍第9項之解析方法，其中，前述第一指標，係利用標準偏差或前述標準偏差的平方值所求取的值。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之解析方法，其中，前述第一指標，係將標準偏差藉由前述發光的強度的平均值來除後的值。
  13. 如申請專利範圍第9或10項之解析方法，其中，前述第一指標，係由進行前述電漿的處理的試料的不同的2個集合來求取的各個的標準偏差的比。
  14. 如申請專利範圍第9或10項之解析方法，其中，以將標準偏差藉由前述發光的強度的平均值來除後的值與由進行前述電漿的處理的試料的不同的2個集合來求取的各個的標準偏差的比作為前述第一指標使用。
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