TWI682423B - 用於藉由使電子束掃瞄過的區域放電以對物體成像的系統 - Google Patents
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Abstract
一種用於對物體成像的方法與系統,該系統可包括電子光學元件,該電子光學元件經配置而用至少一個電子束掃描該物體的第一區域;其中該電子光學元件可包含第一電極;及光學元件,該光學元件經配置而照射(a)該第一電極與(b)該物體中的至少一個目標,從而引起該第一電極與該物體之間的一電子發射。
Description
本發明係關於用於使電子束掃瞄過的區域放電的系統。
電子束檢查(EBI)工具以電子束掃描晶圓的區域。
用電子束掃描區域導致該區域發射電子,如二次(secondary)電子和反向散射電子。EBI工具檢測發射電子的部分並產生該區域的圖像。
該區域的掃描也為該區域充電。該區域的充電可能使該區域的圖像失真(distort),或者可能使與該區域電耦合的區域之圖像失真。
為掃描過的區域放電之需求日益增加。
根據本發明實施例,提供一種用於對物體成像的系統,該系統可包括電子光學元件,該電子光學元件可經配置而用至少一個電子束掃描該物體的第一區域;其中該電子光學元件可包含第一電極;及光學元件,該光學元件可經配置而照射(a)該第一電極與(b)該物體中的至少一個目標,從而引起該第一電極與該物體之間的一電子發射。
該電子的發射可至少部分補償由至少一個電子束為第一區域所作的充電。
光學元件可經配置而照射至少一個目標,從而引起該第一電極與該第一區域之間的一電子發射。
光學元件可經配置而皆照射該第一電極與該物體。
該系統可包括控制器,該控制器可經配置而決定由光學元件照射該至少一個目標中的哪一個目標。
決定照射哪個目標可響應於物體和第一電極的電位(potential)。
當第一區域相較該第一電極更為正(positive)時,控制器可經配置而決定照射第一電極。
第一電極可包括金屬鏡。光學元件可經配置而用光束照射金屬鏡;及其中金屬鏡可經配置而將光束導向第一區域。
當第一區域相較第一電極更為正時,金屬鏡亦可經配置而發射往第一區域的電子。
光學元件可經配置而同時照射第一區域與第一電極。
在掃描周期期間,可掃描第一區域。在掃描周期期間,光學元件可經配置而適時地(in time)在不同點處照射該第一區域與該第一電極。
該系統可包括偏壓電路,該等偏壓電路用於提供相同的偏壓電壓給該第一電極及給該物體。
該系統可包括偏壓電路,該等偏壓電路用於提供不同的偏壓電壓給該第一電極及給該物體。
光學元件可經配置而照射至少一個目標,從而引起第一電極與第二區域之間的一電子發射,第二區域不同於第一區域。
該物體可以是一遮罩(mask)。
相較於電子光學元件的任何其他電極,第一電極更靠近該物體。
電子光學元件可包括一柱(column)且其中該第一電極可與該柱分隔開。
根據本發明實施例,可提供一種用於對物體成像的系統,該系統可包括:電子光學元件,該電子光學元件可經配置而用至少一個電子束掃描該物體的第一區域;其中該電子光學元件可包含第一電極;及光學元件,該光學元件可經配置而照射該第一電極,從而當該物體較第一電極為正時,導致第一電極發射電子往該物體。
光學元件可經配置而照射該第一區域,從而當該第一區域相較該第一電極為負(negative)時,導致該第一區域往該第一電極發射電子。
第一電極可包括金屬鏡;其中該光學元件可經配置而用一光束照射該金屬鏡;及其中該金屬鏡可經配置而將該光束導向該第一區域。
當第一區域相較第一電極為正時,金屬鏡可經配置而發射往第一區域的電子。
光學元件可經配置而同時照射第一區域與第一電極。
在掃描周期期間,可掃描第一區域;及其中該光學元件可經配置而在該掃描周期期間適時地(in time)在不同點處照射該第一區域與該第一電極。
該系統可包括偏壓電路,該等偏壓電路用於提供相同的偏壓電壓給該第一電極及給該物體。
該系統可包括偏壓電路,該等偏壓電路用於提供不同的偏壓電壓給該第一電極及給該物體。
相較於電子光學元件的任何其他電極,第一電極更靠近該物體。
電子光學元件可包括一柱且其中該第一電極可與該柱分隔開。
根據本發明實施例,可提供一種用於對物體成像的系統,該系統可包括電子光學元件,該電子光學元件可經配置而用至少一個電子束掃描該物體的第一區域;其中該電子光學元件可包含第一電極;及光學元件,該光學元件可經配置而用至少一個光束照射(a)該第一電極與(b)該第一區域,從而(i)當該第一區域相對於該第一電極為正時,引起自該第一電極往該第一區域的一電子發射;及(ii)當該第一區域相對於該第一電極為負時,引起自該第一區域往該第一電極的一電子發射。
相較於電子光學元件的任何其他電極,第一電極更靠近該物體。
電子光學元件可包括一柱且其中該第一電極可與該柱分隔開。
根據本發明實施例,可提供一種用於對物體成像的方法,該方法可包括藉由電子光學元件用至少一個電子束掃描該物體的第一區域;其中該電子光學元件可包含第一電極;其中該第一區域的該掃描步驟促使該區域有充電(charging)的改變;藉由光學元件照射(a)第一電極與(b)該物體中的至少一個目標,從而引起該第一電極與該物體之間的一電子發射。
任何圖示的任何元件之任意組合可以被提供。
任何下述系統的任意組合可以被提供。
任何下述方法的任意組合可以被提供。
在下面的詳細描述中,闡述諸多具體細節以提供對本發明的完整理解。然而,發明所屬領域中具有通常知識者可在沒有這些具體細節的情況下實施本發明。在其它實例中,為了不混淆本發明,未詳述習知的方法、過程與元件。
視為本發明的專利標的特別指出於且清楚主張於本說明書的結論部分。然而,同時作為組織與操作方法的本發明,連同其目的、特徵和優點可藉由閱讀以下附圖時參考以下詳細描述而得到最好的理解。
因為對於本發明的大部分實施例,可使用發明所屬領域中具有通常知識者所習知的電子元件與模組來實施本發明所示實施例,所以對於本發明下述概念之理解與認識以及為了不混淆或分散本發明教示之焦點,將不會解釋本發明細節超過上述所需之範圍。
對於各式元件所指定之相同數字編號可能代表這些元件彼此相似。
術語「與(或)」表示額外地或替代地。A與(或)B包括只有A、只有B或者A及B。
圖1A、1B、1C、1D、1E和1F根據本發明的各種實施繪示系統100。
圖1A、1B、1C、1D、1E、1F、2A、2B、2C、2D、2E、2F和2G繪示電子束119和光束139。圖1C、2C和2D亦繪示光束139'。
根據本發明的實施例,電子束119與光束139可在同一時間撞擊(impinge)於物體90上。
替代地,電子束119與光束139可在不同時間撞擊於物體90上。
根據本發明的實施例,用光束139照射(illumination)物體90以及用電子束119照射物體90之間可能有一預定義的時間差。
根據本發明的實施例,電子束119與光束139'可在同一時間撞擊於物體90上。
替代地,電子束119與光束139'可在不同時間撞擊於物體90上。
根據本發明的實施例,用光束139'照射物體90以及用電子束119照射物體90之間可能有一預定義的時間差。
根據本發明的實施例,光束139與光束139'可在同一時間撞擊於物體90上。
替代地,光束139與光束139'可在不同時間撞擊於物體90上。
光束139和電子束119可照射第一區域91內的不同位置或第一區域91內的相同位置。
參照圖1A-系統100包括電子光學元件110、光學元件130、機械台190、控制器150、處理器140和偏壓電路180。
偏壓電路180可(經由導體181)提供偏壓信號給物體90以及(經由導體182)提供給機械台190。物體90和機械台190可經偏壓至相同的電壓或不同的電壓。
控制器150經配置以控制電子光學元件110和光學元件130。
機械台190經配置以支撐物體90及相對於電子光學元件110移動物體90。
電子光學元件110經配置而用至少一個電子束(如電子束119)掃描物體90的第一區域91。應該注意的是物體90的多個區域可被掃描。
第一區域91的掃描產生了可被一或多個檢測器(如檢測器141)檢測到的電子發射(如二次(secondary)電子和反向散射電子)。
檢測器141可產生檢測信號,其可由處理器140進行處理以提供第一區域91的圖像。電子光學元件110可包括不只一個單一檢測器。電子光學元件110可包括一或多個外透鏡(out-of-lens)檢測器。
第一區域91的掃描可能為第一區域91充電(charge)。該充電可能使第一區域91的圖像、第一區域91的未來圖像以及與第一區域91電耦合的圖像或區域失真。
電子光學元件110可包括多個電極,如電極11、112、113、114和115。電極可用於電子束成形、電子束偏轉、電子束聚焦和類似物。
第一電極115可以是最靠近物體90的電極。替代地,第一電極115可不係最接近物體90的電極。
光學元件130經配置而照射(a)第一電極115與(b)物體90中的至少一個目標,從而引起第一電極115與第一區域91之間的一電子發射。該電子發射取決於所照射的目標以及取決於第一電極115與物體90的相對電位。光學元件130可包括雷射、一或多個濾波器(filter)、一或多個透鏡和類似物。
當第一電極115和物體90中的一目標被光學元件130照射時,產生光電子。如果該目標較其他目標為負時,光電子將被發射。
控制器150經配置而決定所照射的目標。照射哪個目標的決定可響應於如提供給區域及給第一電極的偏壓信號。
在圖1A中,光學元件130只(藉由光束139)照射第一電極115。
在圖1B中,光學元件130只(藉由光束139)照射物體。
在圖1C中,光學元件130只(藉由光束139與139)照射第一電極115與物體。
該電子發射部分或完全補償掃描期間第一區域91的充電。
圖1D繪示根據本發明實施例的系統102。圖1D的系統102與圖1A的系統100之不同在於:系統102包括金屬鏡115',金屬鏡115'電耦合至第一電極115且可維持與第一電極115維持在相同電位。
圖1D亦繪示包括真空腔室101的系統102。物體90、機械台190和電子光學元件110的至少部分定位於真空腔室101內。應當注意的是,圖1A、1B和1C的系統100及圖1E的系統104亦可包括真空腔室。
金屬鏡115'經配置將來自光學元件130的光束偏轉向物體90,且從而有利於在同一時間(使用來自光學元件130的單一光束)皆照射第一電極115與物體90。
金屬反射鏡115'的照射可導致金屬鏡115'發射電子往區域31,特別是當區域31較金屬鏡115'為正時。
圖1E繪示根據本發明實施例的系統104。
圖1E的系統103與圖1D的系統102的不同在於金屬鏡115'的位置。
圖1F繪示根據本發明實施例的系統104。
圖1F的系統104與圖1A的系統100的不同在於第一電極115的位置,在圖1F中,第一電極115與柱116分隔開,而在圖1A中,第一電極115係柱116的部分。
圖1F的物體90可以是導電遮罩而自第一電極115發射的電子可以撞擊於與第一區域91分隔的區域上,電子束119掃描了第一區域91。
圖2A繪示根據本發明實施例的系統100的部分與發射的電子201。
在圖2A中,只有第一電極115被照射。假設第一區域91較第一電極115為正(由於偏壓電壓與(或)掃描感應充電),使得電子201從第一電極115發射往第一區域91。當第一區域91和第一電極115到達同電位時,電子的發射可停止。
圖2B繪示根據本發明實施例的系統100的部分與發射的電子202。
在圖2B中,只有第一區域91被照射。假設第一區域91較第一電極115為負(由於偏壓電壓與(或)掃描感應充電),使得電子202從第一區域91發射往第一電極115。當第一區域91和第一電極115到達同電位時,電子的發射可停止。
圖2C繪示根據本發明實施例的系統100的部分與發射的電子201。
在圖2C中,第一電極115由光束139照射及第一區域91由另一光束139照射。
假設第一區域91較第一電極115為正(由於偏壓電壓與(或)掃描感應充電),使得電子201從第一電極115發射到第一區域91。當第一區域91和第一電極115到達同電位時,電子的發射可停止。
圖2D根據本發明實施例繪示系統100的部分與發射的電子202。
在圖2D中,第一電極115由光束139照射及第一區域91由另一光束139照射。
假設第一區域91較第一電極115為負(由於偏壓電壓與(或)掃描感應充電),使得電子202從第一區域91發射到第一電極115。當第一區域91和第一電極115到達同電位時,電子的發射可停止。
圖2E根據本發明實施例繪示系統100的部分與發射的電子202。
在圖2E中,金屬鏡115'被光束139照射。金屬鏡115'偏轉光束以提供撞擊於第一區域91上的偏轉光束139“。
假設第一區域91較第一電極115為負(由於偏壓電壓與(或)掃描感應充電),使得電子202從第一區域91發射到第一電極115。當第一區域91和第一電極115到達同電位時,電子的發射可停止。
圖2F繪示根據本發明實施例的系統100的部分與發射的電子201。
在圖2F中,金屬鏡115'被光束139照射。金屬鏡115'偏轉光束以提供撞擊於第一區域91上的偏轉光束139“。
假設第一區域91較第一電極115為正(由於偏壓電壓與(或)掃描感應充電),使得電子201從第一電極115發射到第一區域91。當第一區域91和第一電極115到達同電位時,電子的發射可停止。
圖2G根據本發明實施例繪示系統100的部分與發射的電子202。
假設物體90是導電的或者至少包括不同於第一區域91但與第一區域91電耦合的一或多個區域。例如,物體90可以是光刻遮罩(遮罩)。
在圖2B中,物體90的區域92(且不是第一區域91)被照射。區域92不是被當前成像,但其被電耦合至第一區域91(即正被成像中)。
假設區域92較第一電極115為負(由於偏壓電壓與(或)掃描感應充電),使得電子202從區域92發射到第一電極115。當區域92和第一電極115到達同電位時,電子的發射可停止。
圖3繪示根據本發明實施例的系統之部分的截面圖。
該部分可包括真空腔室的蓋部171。光學元件130定位在真空腔室上方,且經配置而將光束通過形成在蓋部171中的孔172輸出。光束撞擊於定位在真空腔室內的中間鏡115“上,且被偏轉向與第一電極115耦接的金屬鏡115'。偏轉的光束139“從金屬鏡115'導向第一區域91。
圖4繪示根據本發明實施例的方法300。
方法300可由用電子光學元件以至少一個電子束掃描物體的區域之步驟310開始。電子光學元件包括第一電極,相較於該光學元件的任何其他電極,該第一電極更靠近該區域。第一電極係最接近該區域的電極。該區域的掃描引起該區域充電的變化。
步驟310之後可接著步驟330,步驟330為藉由光學元件照射(a)第一電極與(b)該區域中的至少一個目標,從而引起第一電極與該區域之間的一電子發射。該電子發射至少部分地補償該區域充電的變化。例如,發射的電子可使該區域放電(discharge)。
圖5繪示根據本發明實施例的方法301。
方法301可由用電子光學元件以至少一個電子束掃描物體的區域之步驟310開始。電子光學元件包括第一電極,相較於該光學元件的任何其他電極,該第一電極更靠近該區域。第一電極係最接近該區域的電極。該區域的掃描引起該區域充電的變化。
步驟310之後可接著步驟330,步驟330為藉由光學元件照射至少第一電極,從而引起第一電極與該區域之間的一電子發射。該電子發射可至少部分地補償該區域充電的變化。例如,發射的電子可使該區域放電。
在前述的說明書中,本發明已經參照本發明實施例的具體實例描述。然而,很明顯的是,在不違背所附申請專利範圍中所闡述的本發明更廣之精神及範圍下,可對本發明作各種修改和變化。
此外,本說明書使用術語「生效(assert)」或「設置(set)」以及「否定(negate)」(或「失效(deassert)」或「清除(clear)」)係指將信號、狀態位元或類似裝置分別呈現為其邏輯真或邏輯假的狀態。如果邏輯真的狀態是邏輯位準一,則邏輯假的狀態是邏輯位準零。且如果邏輯真的狀態是邏輯位準零,則邏輯假的狀態是邏輯位準一。
本領域具有通常知識者將認識到,邏輯塊之間的邊界僅是作為說明,且替代實施例可合併邏輯塊或模組元件或者對各種邏輯塊或模組元件施加功能的替代分解。因此,可以理解的是,本發明所描述的架構僅僅是示例性的,且事實上許多其它架構可以實現而實現相同的功能。
實現相同功能的任何組配置被有效地「關聯」,而使得期望的功能得以實現。因此,經組合以實現特定功能之本說明書中的任何兩個元件可以被看作是彼此「有關聯的」,使得不管架構或中間元件如何,都能實現期望的功能。同樣地,如此相關聯的任何兩個元件亦可以看作是彼此「可操作地連接」或「可操作地耦合」以實現所期望的功能。
本領域具有通常知識者將認識到上述操作之間的邊界僅是說明性的。可結合多個操作為單一操作,單一操作可分佈在額外的操作中,以及操作可在時間上至少部分重疊執行。此外,替代實施例可包括特定操作的多個實例,且操作的順序可在各種其它實施例中改變。
又例如,在一個實施例中,圖示的實例可被實施為位於單一積體路上或相同裝置內的電路。替代地,該等實施例可被實施為以適當方式彼此互連之任何數量的分開的積體電路或分開的裝置。
又例如,實例或其部分可實施為實體電路或可轉換為實體電路的邏輯代表之軟體(soft)或代碼表示,如在任何適當類型的硬體描述語言中。
然而,其他修改、變型和替換也是可能的。因此,說明書與圖式係說明性的而不是在限制性的意義上。
在請求項中,置於括號之間的任何參考標記不應被視為限制該請求項。「包括」一詞不排除請求項中所列的元件或步驟之外的其他元件或步驟。此外,本說明書所用的術語「一(a)」或「一(an)」被定義為一個或多於一個。此外,請求項中引導式片語如「至少一個」及「一或多個」之使用不應解釋為暗示由不定冠詞「一(a)」或「一(an)」引入的另一請求項元件將包含此引入請求項元件的任何特定請求項限制為只包含一個此元件的發明,即使當相同請求項包括引導式片語「一或多個」或「至少一個」及如「一(a)」或「一(an)」的不定冠詞,亦是如此。這同樣適用於定冠詞的使用。除非另外表示,否則術語如「第一」和「第二」用於作為此類術語描述的元件之間的任意區別。因此,這些術語不必意圖表示此等元件的時間或其他優先順序。某些手段記載在互不相同的請求項中之事實不表示這些手段的組合不能被有利地使用。
雖然本發明的某些特徵已在本文中說明及描述,但本領域具有通常知識者將有許多修改、替換、改變及等效物。因此,可以理解的是,所附申請專利範圍意欲涵蓋落於本發明真正精神內的所有這些修改和變化。
90‧‧‧物體
91‧‧‧第一區域
100‧‧‧系統
110‧‧‧電子光學元件
111‧‧‧電極
112‧‧‧電極
113‧‧‧電極
114‧‧‧電極
115‧‧‧電極
115’‧‧‧金屬鏡
116‧‧‧柱
119‧‧‧電子束
130‧‧‧光學元件
139‧‧‧光束
139’‧‧‧光束
140‧‧‧處理器
141‧‧‧檢測器
150‧‧‧控制器
171‧‧‧蓋部
172‧‧‧孔
180‧‧‧偏壓電路
181‧‧‧導體
182‧‧‧導體
190‧‧‧機械台
201‧‧‧電子
202‧‧‧電子
300‧‧‧方法
301‧‧‧方法
視為本發明的專利標的特別指出於且清楚主張於本說明書的結論部分。然而,同時作為組織與操作方法的本發明,連同其目的、特徵和優點可藉由閱讀以下附圖時參考以下詳細描述而得到最好的理解,其中:
圖1A繪示根據本發明實施例的系統與物體;
圖1B繪示根據本發明實施例的系統與物體;
圖1C繪示根據本發明實施例的系統與物體;
圖1D繪示根據本發明實施例的系統與物體;
圖1E繪示根據本發明實施例的系統與物體;
圖1F繪示根據本發明實施例的系統與物體;
圖2A繪示根據本發明實施例的系統部分與發射的電子;
圖2B繪示根據本發明實施例的系統部分與發射的電子;
圖2C繪示根據本發明實施例的系統部分與發射的電子;
圖2D繪示根據本發明實施例的系統部分與發射的電子;
圖2E繪示根據本發明實施例的系統部分與發射的電子;
圖2F繪示根據本發明實施例的系統部分與發射的電子;
圖2G繪示根據本發明實施例的系統部分與發射的電子;
圖3繪示根據本發明實施例的系統之部分;
圖4繪示根據本發明實施例的一種方法;及
圖5繪示根據本發明實施例的一種方法。
可以理解,為了圖示的簡化與清楚起見,圖中所示的元件不必按比例繪製。例如,為了清楚起見,一些元件的尺寸可能相對於其它元件而誇大。此外,在適當的情況下,數字編號可於圖示之間重複以代表相應或類似的元件。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無
90‧‧‧物體
91‧‧‧第一區域
100‧‧‧系統
110‧‧‧電子光學元件
111‧‧‧電極
112‧‧‧電極
113‧‧‧電極
114‧‧‧電極
115‧‧‧電極
116‧‧‧柱
119‧‧‧電子束
130‧‧‧光學元件
139‧‧‧光束
140‧‧‧處理器
141‧‧‧檢測器
150‧‧‧控制器
180‧‧‧偏壓電路
181‧‧‧導體
182‧‧‧導體
Claims (20)
- 一種用於對一物體成像的系統,該系統包括:電子光學元件,該電子光學元件經配置而用至少一個電子束掃描該物體的一第一區域;其中該電子光學元件包含一第一電極;一金屬鏡,該金屬鏡耦接至該第一電極;及光學元件,該光學元件經配置而用一光束照射至少該金屬鏡,該金屬鏡經佈置而將該光束導向該物體,從而引起該第一電極與該物體之間的一電子發射。
- 如請求項1所述之系統,其中該金屬鏡經佈置而將該光束導向該第一區域,從而引起該第一電極與該第一區域之間的一電子發射。
- 如請求項1所述之系統,其中該光學元件經配置而皆照射該金屬鏡與該物體。
- 如請求項1所述之系統,其中該電極包括一第一目標且該物體包括一第二目標,該系統進一步包括一控制器,該控制器經配置而決定由該光學元件照射該第一目標與該第二目標中的哪一個目標。
- 如請求項1所述之系統,其中該金屬鏡經配置而將該光束導向該第一區域。
- 如請求項1所述之系統,其中該光學元件經配置而同時照射該第一區域與該金屬鏡。
- 如請求項1所述之系統,其中該光學元件經配置而在掃描該第一區域的一掃描周期期間適時地(in time)在不同點處照射該第一區域與該金屬鏡。
- 如請求項1所述之系統,進一步包括偏壓電路,該等偏壓電路用於提供一相同的偏壓電壓給該第一電極及給該物體。
- 如請求項1所述之系統,其中該金屬鏡電耦接至該第一電極。
- 如請求項1所述之系統,其中相較於該電子光學元件的任何其他電極,該第一電極更靠近該物體。
- 如請求項1所述之系統,其中該電子光學元件包括一柱(column)且其中該第一電極與該柱分隔開。
- 一種用於對一物體成像的系統,該系統包括:電子光學元件,該電子光學元件經配置而用至少一個電子束掃描該物體的一第一區域;其中該電子光學元件包含一第一電極;一金屬鏡,該金屬鏡耦接至該第一電極;及光學元件,該光學元件經配置而用一光束照射該金屬鏡,該金屬鏡經佈置而將該光束導向該物體,從而 當該物體相較該第一電極為正(positive)時,引起該金屬鏡往該物體發射電子。
- 如請求項12所述之系統,其中該光學元件經進一步配置而照射該第一區域,從而當該第一區域相較該第一電極為負(negative)時,引起該第一區域往該第一電極發射電子。
- 如請求項12所述之系統,其中該金屬鏡經配置而將該光束導向該第一區域。
- 如請求項12所述之系統,進一步包括偏壓電路,該等偏壓電路用於提供不同的偏壓電壓給該第一電極及給該物體。
- 如請求項12所述之系統,其中相較於該電子光學元件的任何其他電極,該第一電極更靠近該物體。
- 如請求項12所述之系統,其中該電子光學元件包括一柱且其中該第一電極與該柱分隔開。
- 一種用於對一物體成像的系統,該系統包括:電子光學元件,該電子光學元件經配置而用至少一個電子束掃描該物體的一第一區域;其中該電子光學元件包含一第一電極;一金屬鏡,該金屬鏡耦接至該第一電極;及 光學元件,該光學元件經配置而使用該金屬鏡在同一時間照射該第一電極與該物體,從而(i)當該物體相較該第一電極為正(positive)時,引起從該第一電極往該物體的一電子發射;及(ii)當該物體相較該第一電極為負(negative)時,引起從該物體往該第一電極的一電子發射。
- 如請求項18所述之系統,其中相較於該電子光學元件的任何其他電極,該第一電極更靠近該物體。
- 如請求項18所述之系統,其中該電子光學元件包括一柱且其中該第一電極與該柱分隔開。
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---|---|---|---|---|
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CN110337707B (zh) * | 2017-02-13 | 2021-09-28 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子线装置 |
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CN116601738A (zh) * | 2020-12-16 | 2023-08-15 | Asml荷兰有限公司 | 通过带电粒子系统中的高级充电控制器模块的热辅助检查 |
EP4084039A1 (en) * | 2021-04-29 | 2022-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment system and method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000036273A (ja) * | 1998-05-15 | 2000-02-02 | Hitachi Ltd | 荷電粒子検出方法およびその装置並びに荷電粒子ビ―ムによる処理方法およびその装置 |
JP2006338881A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法 |
TW200820321A (en) * | 2006-09-05 | 2008-05-01 | Advantest Corp | Electron beam dimension measuring device and electron beam dimension measuring method |
US20110068267A1 (en) * | 2007-06-19 | 2011-03-24 | Hitachi, Ltd. | Electron beam inspection method and electron beam inspection apparatus |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910000756B1 (en) * | 1984-11-20 | 1991-02-06 | Fujitsu Ltd | Method for projection photoelectron image |
US6476387B1 (en) * | 1998-05-15 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for observing or processing and analyzing using a charged beam |
US7589322B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-09-15 | Horiba, Ltd. | Sample measuring device |
DE102008001812B4 (de) | 2008-05-15 | 2013-05-29 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Positioniereinrichtung für ein Teilchenstrahlgerät |
US8203120B2 (en) * | 2008-10-09 | 2012-06-19 | California Institute Of Technology | 4D imaging in an ultrafast electron microscope |
JP5190119B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-04-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US8692214B2 (en) | 2009-08-12 | 2014-04-08 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle beam inspection method |
JP5756585B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2015-07-29 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 組合せレーザおよび荷電粒子ビーム・システム |
US8319181B2 (en) * | 2011-01-30 | 2012-11-27 | Fei Company | System and method for localization of large numbers of fluorescent markers in biological samples |
JP5963453B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2016-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
US9134261B2 (en) * | 2013-04-22 | 2015-09-15 | Ebara Corporation | Inspection apparatus |
JP2016134412A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法および装置 |
US9673023B2 (en) * | 2015-05-12 | 2017-06-06 | Applied Materials Israel Ltd. | System for discharging an area that is scanned by an electron beam |
US9536697B2 (en) | 2015-05-19 | 2017-01-03 | Hermes Microvision Inc. | System and method for calibrating charge-regulating module |
-
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-
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-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000036273A (ja) * | 1998-05-15 | 2000-02-02 | Hitachi Ltd | 荷電粒子検出方法およびその装置並びに荷電粒子ビ―ムによる処理方法およびその装置 |
JP2006338881A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法 |
TW200820321A (en) * | 2006-09-05 | 2008-05-01 | Advantest Corp | Electron beam dimension measuring device and electron beam dimension measuring method |
US20090242800A1 (en) * | 2006-09-05 | 2009-10-01 | Masayuki Kuribara | Electron-beam dimension measuring apparatus and electron-beam dimension measuring method |
US20110068267A1 (en) * | 2007-06-19 | 2011-03-24 | Hitachi, Ltd. | Electron beam inspection method and electron beam inspection apparatus |
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