TWI681568B - 多接面型太陽電池單元之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可藉容易之方法且以短時間製造之具有高轉換效率的多接面型太陽電池單元之製造方法。
本發明之多接面型太陽電池單元之製造方法具備以下步驟：步驟a，在矽基板之其中一面形成鋁糊之塗膜；步驟b，對前述矽基板及前述塗膜進行燒成處理；及步驟c，在前述矽基板之另一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層。
Description
本發明係有關於一種製造簡單且可藉短時間之製程製造的太陽電池單元之製造方法。
近年，在太陽電池普及之過程中，已有人提出為了提高太陽電池單元之轉換效率的各種手段。例如，已開發出藉由使能帶間隙不同之「III-V族化合物太陽電池單元」積層在基板上，可吸收更多能量之技術。已知如此之太陽電池單元的積層主要可藉由磊晶成長來進行(例如，請參照專利文獻1等)。積層多數太陽電池構造之構造的太陽電池稱為「多接面型太陽電池」。
此外，尚知有一種含矽材料之多接面型太陽電池單元。在多接面型太陽電池單元中，係由種類不同之太陽電池單元串聯接合，故可實現全波長太陽光之吸收，藉此可提高太陽電池之轉換效率。已知含矽材料之多接面型太陽電池單元可藉由含緩衝層之晶體生長、或矽太陽電池與化合物太陽電池之接合來製作(例如，請參照專利文獻2等)。此外，亦有人提出藉由使用不純物擴散方式之步驟
來製造矽太陽電池單元的方法(例如，請參照專利文獻3等)。
專利文獻1：日本特開2009-065208號公報
專利文獻2：日本特開2013-84784號公報
專利文獻3：日本特開2013-161818號公報
然而，藉由上述專利文獻記載之技術製造含矽材料之多接面型太陽電池單元時，為了在矽材料中形成不純物擴散層，需要在600℃以上(例如大約850℃)加熱30分鐘以上之步驟及後來之冷卻步驟。因此，製造多接面型太陽電池單元所需之時間長，故在大量生產方面有問題。此外，若欲縮短製造時間，反而燒成不足，有無法獲得高轉換效率之問題。
本發明係有鑑於上述情形而作成，且目的在於提供可藉容易之方法且以短時間製造之具有高轉換效率的多接面型太陽電池單元之製造方法。
本發明人為達成上述目的一再專心研究，結果發現藉由使用鋁在矽晶圓上形成矽層，可達成上述目的而完成本發明。
即，本發明係有關於下述多接面型太陽電池單元之製造方法。
1.一種多接面型太陽電池單元之製造方法，其特徵在於具備以下步驟：步驟a，在矽基板之其中一面形成鋁糊之塗膜；步驟b，對前述矽基板及前述塗膜進行燒成處理；及步驟c，在前述矽基板之另一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層。
2.如上述項1記載之製作方法，在前述步驟b與步驟c之間更包含一研磨前述矽基板之步驟d。
3.一種多接面型太陽電池單元之製造方法，其特徵在於依序具備以下步驟：步驟a，在矽基板之其中一面形成鋁糊之塗膜；步驟b，對前述矽基板及前述塗膜進行燒成處理；及步驟d，研磨前述矽基板，並且，在藉由前述步驟d之研磨移除前述矽基板而得到對前述塗膜進行燒成處理所形成之燒結層後，具備一在該燒結層之其中一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層的步驟。
4.如上述項1至3中任一項記載之製造方法，其中前述III-V族化合物太陽電池層包含選自於由GaAs、InGaAs、GaP、InGaP、AlInP及GaN所構成群組中之至少一種。
5.如上述項1至4中任一項記載之製造方法，其中前述鋁糊包含平均粒徑為20μm以下之鋁粒子及有機溶劑。
6.如上述項1至5中任一項記載之製造方法，其中前述步驟b之燒成處理的溫度在600℃以上且在1000℃以下之範圍內。
7.如上述項1至6中任一項記載之製造方法，其中在前述步驟a中係使絕緣膜作中介再形成鋁糊之塗膜。
本發明之多接面型太陽電池單元之製造方法可經過在矽基板上塗布鋁糊之步驟來製作能用於多接面型太陽電池的多接面型太陽電池單元。特別是依據上述製造方法，藉由燒成溫度為600℃以上且在1000℃以下並且燒成時間為5分鐘以下的加熱條件及後續之冷卻處理，可製造多接面型太陽電池單元，因此可容易且以短時間製造多接面型太陽電池單元，而且，製得之多接面型太陽電池單元具有高轉換效率。
1‧‧‧n型矽基板
2‧‧‧鋁糊
3‧‧‧鋁矽合金層
4‧‧‧p型矽層
5‧‧‧III-V族化合物太陽電池層
5a‧‧‧GaAS化合物層
5b‧‧‧InGaP層
5c‧‧‧隧道接合層
6‧‧‧絕緣膜
7‧‧‧緩衝層
8‧‧‧燒結層
9‧‧‧受光面電極層
A‧‧‧多接面型太陽電池單元
圖1(a)至圖1(d)係說明實施例1之太陽電池單元之製造方法各步驟的示意圖。
圖2係顯示實施例1之藉燒成製得之基板截面的SEM影像。
圖3(a)至圖3(e)係說明實施例2之太陽電池單元之製造方法各步驟的示意圖。
圖4(a)至圖4(e)係說明實施例3之太陽電池單元之製造方法各步驟的示意圖。
圖5係藉由SIMS(二次離子質量分析法)測量實施例3之p型矽層不純物濃度的結果。
圖6係說明實施例4之研磨後矽基板厚度的放大照片。
圖7(a)至圖7(d)係說明實施例4之矽基板厚度因研磨而變化之情形的放大照片。
以下，詳細地說明本發明之實施形態。
本實施形態之太陽電池單元係藉由一製造方法製造，該製造方法具備以下步驟：步驟a，在矽基板之其中一面形成鋁糊之塗膜；步驟b，對前述矽基板及前述塗膜進行燒成處理；及步驟c，在前述矽基板之另一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層。藉該製造方法製得之太陽電池單元形成為積層多數太陽電池構造之所謂多接面型太陽電池單元。
上述步驟a係在矽基板上之一其中一面塗布鋁糊的步驟，藉此製得形成有鋁糊之塗膜的矽基板。
在此使用之矽基板，例如可藉由切割純度99%以上之矽塊而製得。矽基板亦可包含矽以外之元素作為不純物或添加物。
雖然矽基板之厚度沒有特別限制，但由處理容易之觀點來看，宜為50μm以上且500μm以下。
雖然矽基板可由單結晶及多結晶中之任一矽構成，但若矽基板由單結晶之矽構成，則由可賦予多接面型
太陽電池優異電特性方面來看，宜為單結晶之矽。
鋁糊由至少包含鋁粉末之糊狀材料構成。
構成上述鋁粉末之鋁粒子的形狀沒有特別限制，例如可為球狀，亦可為橢圓形。由對矽基板之印刷性良好，且亦容易產生與矽之反應方面來看，鋁粒子之形狀宜為球狀。
雖然鋁粒子之大小沒有特別限制，但若平均粒徑為20μm以下，則由對矽基板之印刷性良好，且亦容易產生與矽之反應方面來看是有利的。雖然鋁粒子之平均粒徑的下限值沒有特別限制，但例如，可為1μm以上。較佳之鋁粒子平均粒徑為3μm以上(亦可為3μm)。
鋁粉末之純度宜為99%以上。
鋁糊中除了鋁粉末以外，亦可包含其他成分。其他成分可舉有機溶劑、樹脂、玻璃粉末等之各種成分為例。
有機溶劑可舉二乙二醇一丁基醚、萜品醇等為例。
樹脂可使用習知之材料，並可舉例如：乙基纖維素、硝化纖維素、聚乙烯縮丁醛、酚樹脂、黑色素樹脂、尿素樹脂、二甲苯樹脂、醇酸樹脂、不飽和聚酯樹脂、壓克力樹脂、聚醯亞胺樹脂、呋喃樹脂、胺基甲酸酯樹脂、異氰酸酯化合物、氰酸酯化合物等之熱硬化樹脂、以及聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、ABS樹脂、聚甲基丙烯酸乙酯、聚氯乙烯、聚二氯亞乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚縮醇、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚伸苯醚、聚碸、
聚醯亞胺、聚醚碸、聚丙烯酸酯、聚醚醚酮、聚四氟化乙烯、矽樹脂等。上述舉例列舉之樹脂亦可組合二種以上使用。
玻璃粉末之種類沒有特別限制，例如可含有選自於由鉍(Bi)、硼(B)、矽(Si)、鋁(Al)、鋅(Zn)、銅(Cu)、鋇(Ba)、鋰(Li)、鉀(K)、錫(Sn)、磷(P)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、釩(V)、碲(Te)、銻(Sb)、鉬(Mo)、鎢(W)、鋯(Zr)及鈉(Na)所構成群組中之至少1種或2種而構成。構成玻璃粉末之玻璃粒子的平均粒徑可為1μm以上且3μm以下。
玻璃粉末具有促進鋁粉末與矽基板之反應，且協助鋁粉末本身之燒結的作用。
鋁糊中亦可另外包含抗氧化劑、腐蝕抑制劑、消泡劑、增黏劑、耦合劑、靜電賦予劑、聚合抑制劑、觸變劑、抗沈降劑等。
雖然鋁糊之混合組成沒有特別限制，但例如，設鋁糊為100重量份時，鋁粉末可為60重量份以上且90重量份以下，有機溶劑可為2重量份以上且20重量份以下，而剩餘部份為2重量份以上且20重量份以下。
在矽基板之其中一面塗布鋁糊之方法，例如可採用網版印刷及旋塗等方法。藉由如上所述地在矽基板上塗布鋁糊，鋁可以薄膜狀或蒸鍍膜之形態覆蓋矽基板。
鋁糊對矽基板之塗布量可為4mg/cm2以上且12mg/cm2以下。若以該塗布量塗布鋁糊在矽基板上，可形成具有高轉換效率之多接面型太陽電池單元。
步驟b係對在上述步驟a中製得之形成有鋁糊塗膜之矽基板進行燒成處理的步驟。藉由該燒成處理，鋁糊之塗膜為具有後述p型矽層及鋁矽合金層而形成之燒結層。
燒成可在空氣環境下進行，亦可在氮環境下進行。
燒成溫度宜為600℃以上且在1000℃以下，若在該範圍內，則可縮短燒成之時間，例如，燒成時間可設為3秒以上且在300秒以下。較佳燒成溫度為850℃以上且在950℃以下。此外，於進行燒成前亦可在例如500℃以上之溫度下進行一預定時間之預熱處理。並可在燒成處理後進行冷卻。
藉由上述燒成處理，鋁糊中之鋁與矽基板反應。此時，藉由鋁擴散至矽基板內部，可形成Al-Si合金層。此外，若矽基板為n型，則可形成包含預定量鋁之p型矽層。p型矽層係因鋁原子擴散而形成為不純物層的層。藉由形成該矽層，可防止電子再結合而提高生成載子之收集效率。
在步驟c中，在矽基板之另一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層。即，步驟c係在矽基板之與形成有鋁糊塗膜之面相反側的面上，藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層。在此所謂III-V族化合物太陽電池層意味包含由III族及V族元素構成之化合物半導體的層。
III-V族化合物太陽電池層係包含選自於由GaAs、InGaAs、GaP、InGaP、AlInP及GaN所構成群組中之至少一種而構成。III-V族化合物太陽電池層可形成單層，亦可形成多層。形成多層時，可舉由矽基板側依序積層GaAs層、InGaAs層及InGaP層而構成為例。如此之III-V族化合物太陽電池層可藉由習知之方法形成，例如可藉由利用晶體生長之方法形成。此外，III-V族化合物太陽電池層可形成有用以使GaAs化合物層及InGaP層等化合物半導體互相電性連接的隧道接合層，進一步亦可在III-V族化合物太陽電池層之成為受光面之面上形成有作為太陽電池單元之電極的電極層。該等層亦可藉習知之手段設置。
在矽基板上形成III-V族化合物太陽電池層之方法可舉晶圓接合或晶體生長為例。
晶圓接合時，可藉習知之方法進行。例如，先形成III-V族化合物太陽電池層，並藉由電漿照射等活化矽基板表面及III-V族化合物太陽電池層之接合面後，藉由互相接合該等面，可在矽基板上形成III-V族化合物太陽電池層。
上述晶體生長時亦可採用習知之方法，並使用有機金屬，使其在矽基板上成長(亦稱為磊晶成長)，藉此可在矽基板上形成III-V族化合物太陽電池層。
上述製造方法通常只要依序經過步驟a、步驟b及步驟c之各步驟即可。如此製得太陽電池單元形成為所謂多接面型太陽電池單元。
特別是依據上述製造方法，藉由在燒成溫度為600℃以上且在1000℃以下並且燒成時間為5分鐘以下之加熱條件及後續之冷卻處理，可製造多接面型太陽電池單元。因此，可輕易地製造多接面型太陽電池單元，且可比習知縮短製造所花費之時間，而且可價廉地製造。並且，製得之多接面型太陽電池單元具有高轉換效率。
另外，藉上述製造方法製得之多接面型太陽電池單元存在經燒成處理而形成之Al-Si合金層(鋁矽合金層)。因此，依據上述製造方法，可建構接觸良好之太陽電池。
上述製造方法中，在步驟b與步驟c之間，可更包含一研磨矽基板之步驟(以下稱為「步驟d」)。
在該步驟d中，研磨矽基板之與形成有鋁糊塗膜之面相反側的面。藉由進行該步驟d之研磨，在上述步驟b之燒成處理中在矽基板上具有未形成不純物層之部分時，可去除該部分。藉此，可使太陽電池單元全體之厚度變薄，因此使製得之太陽電池單元薄化，結果，可提高電流之取出效率。
在步驟d中進行之研磨方法沒有特別限制，可採用習知之方法，只要使矽晶圓之厚度變薄即可。例如，使用氧化鋁研磨劑等之研磨劑進行粗研磨，然後進一步藉由二氧化矽研磨劑及鑽石研磨等進行拋光等所謂精加工研磨的方法。
亦可不用如上所述之研磨等方法，而藉由蝕刻
等方法去除未形成不純物層之部分。蝕刻之方法可利用硝基氫氟酸或氫氧化鉀水溶液的化學蝕刻。
在上述製造方法中，亦可先在矽基板上形成絕緣膜。絕緣膜之形成例如可在步驟a中進行。步驟a係如一上所述在矽基板之其中一面形成鋁糊塗膜的步驟，但可使絕緣膜作中介再形成鋁糊之塗膜。詳而言之，首先，準備預定之矽基板，並在該矽基板之其中一面形成絕緣膜。接著，只要以覆蓋如此形成之絕緣膜之方式塗布鋁糊以形成鋁糊之塗膜，即可使絕緣膜中介於矽基板與鋁糊之塗膜之間。
構成上述絕緣膜之材料可舉如選自於由氧化矽、氧化鋁及氮化矽所構成群組中之1種或2種以上化合物。
形成絕緣膜之方法可舉金屬氣相成長法及塗布含有用以形成絕緣膜之有機金屬材料的糊並對其進行燒成的方法等為例。
亦可在矽基板上先形成絕緣膜後，在絕緣膜上部份地開孔。開孔之方法可舉藉雷射去除及藉蝕刻糊去除之方法。
如上所述具有中介於矽基板與鋁糊塗膜間之絕緣膜而形成的太陽電池單元可減少太陽電池之光轉換損失。即，由於可減少在p型矽層之光轉換損失，可提高矽太陽電池層之光轉換效率。若如上所述在絕緣膜上部份地開孔，則可製得在矽基板上部份地形成有絕緣膜之基板，
因此在此情形下，可進一步減少在p型矽層之光轉換損失，並可進一步提高矽太陽電池層之光轉換效率。
上述製造方法之其他實施形態亦可設定為依序具備以下步驟：步驟a，在矽基板之其中一面形成鋁糊之塗膜；步驟b，對前述矽基板及前述塗膜進行燒成處理；及步驟d，研磨前述矽基板；並且，在藉由前述步驟d之研磨移除前述矽基板而得到對前述塗膜進行燒成處理所形成之燒結層後，具備一在該燒結層之其中一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層的步驟。
在此情形中之步驟a及步驟b與上述實施形態中之步驟a及步驟b相同。此外，步驟d中之研磨方法亦與上述實施形態之步驟d的研磨方法相同。
在上述其他實施形態之情形中的多接面型太陽電池單元製造步驟的一例可如以下所述地進行。首先，依序經過步驟a及步驟b後，藉由步驟d之研磨例如完全移除矽基板。若如此去除矽基板，可製得形成有p型矽層及鋁矽合金層之層(以下，簡稱該層為「燒結層」)。該燒結層係藉在步驟b中對塗膜進行燒成處理而形成之層。接著，藉由上述之晶圓接合或晶體生長，若在上述燒結層上設置III-V族化合物太陽電池層，可製得多接面型太陽電池單元。III-V族化合物太陽電池層可設在例如燒結層之形成有矽基板的面。若燒結層係積層p型矽層及鋁矽合金層而形成，可在燒結層之p型矽層側的面設置III-V族化合物太陽電池層。
在上述形態之製造方法中，亦可輕易地製造多接面型太陽電池單元，且，可比習知縮短製造所花費之時間，而且，可價廉地製造。並且，製得之多接面型太陽電池單元具有高轉換效率。
以下，藉由實施例更具體地說明本發明，但本發明不限於該等實施例之態樣。
(實施例1)
圖1示意地顯示實施例1之多接面型太陽電池單元A的製造步驟。
首先，準備厚度為180μm之n型矽基板1(圖1(a))。在該n型矽基板1之其中一面上，如圖1(b)所示地塗布70至90質量%之鋁粉末(平均粒徑為20μm以下)及剩餘部分為玻料之鋁糊2(步驟a)。鋁糊2對n型矽基板1之塗布係藉由網版印刷法進行，且調整塗布量為10mg/cm2。
然後，在500℃下進行30秒以下之預熱後，在850℃下進行10秒以下之燒成處理(步驟b)。確認藉由該燒成，鋁與矽反應而形成鋁矽合金層3及在矽中包含1%以下之鋁的p型矽層4(圖1(c))。
圖2顯示燒成後之基板截面。由該圖可知，在n型矽基板1之一面，形成有鋁矽合金層3及p型矽層4。亦可知p型矽層4位於靠n型矽基板1側，在該p型矽層4之與n型矽基板1相反側之面上進一步積層有鋁矽合金層3p型矽層之厚度為大約20μm。
經過上述步驟後，在n型矽基板1之與形成有鋁矽合金層3及p型矽層4之面相反側的面上，接合III-V族化合物太陽電池層5(步驟c)，藉此形成了多接面型太陽電池單元A(圖1(d))。該接合係藉由晶圓接合進行。具體而言，分別在III-V族化合物太陽電池層5之接合面(GaAs化合物層5a)及n型矽基板1之接合面照射Ar粒子束而使該等接合面活化，然後，使接合面彼此接著。上述III-V族化合物太陽電池層5為預先製作，並形成具有GaAs化合物層5a、InGaP層5b及中介於該等層間之隧道接合層5c。隧道接合層5c會電性連接GaAs化合物層5a及InGaP層5b。此外，在InGaP層5b上形成有太陽電池單元之電極的受光面電極層9。
藉由如此依序經過上述步驟a、步驟b及步驟c，可藉簡易且短時間之製程形成包含矽太陽電池層之多接面型太陽電池單元。
此外，使用太陽模擬器(朝日分光製)確認該多接面型太陽電池單元有無作為半導體之機能。將導線分別連接至多接面型太陽電池單元之受光面電極層9表面及鋁矽合金層3表面，接著對多接面型太陽電池單元照射模擬太陽光(1sun)，並由獲得之I-V(電流-電壓)曲線測量電特性之短路電流密度(Jsc)、開路電壓(Voc)及形狀因數(FF)。在本實施例中，Jsc係11.01mA/cm2、Voc係2.64V、FF係0.61。發電效率(Eff)=Jsc×Voc×FF，即Eff為17.73%。由該結果可證明藉本實施例製得之多接面型太陽電池單元具有作為
半導體之機能。
(實施例2)
圖3示意地顯示實施例2之多接面型太陽電池單元A的製造步驟。
首先，準備厚度為180μm之n型矽基板1(圖3(a))。對該n型矽基板1之其中一面，藉依序形成氧化鋁層及氮化矽層來設置絕緣膜6，並對該絕緣膜6部分地開孔(圖3(b))。接著，如圖3(c)所示地，對設有絕緣膜6之面，藉同樣之方法塗布與實施例1相同之鋁糊2(步驟a)。
然後，藉與實施例1同樣之條件進行步驟b及步驟c(圖3(d)、(e))。
藉由如上所述地依序經過上述步驟a、步驟b及步驟c，可藉簡易且短時間之製程形成包含矽太陽電池層之多接面型太陽電池單元。此外，由於該多接面型太陽電池單元設有部份地開孔之絕緣膜6，在p型層之光轉換損失減少，可提高矽太陽電池層之光轉換效率。
與實施例1同樣地，針對多接面型太陽電池單元有無作為半導體之機能，藉太陽模擬器測量電特性後，結果Jsc係11.25mA/cm2，Voc係2.66V，FF係0.62，Eff係18.55%。由該結果可證明藉本實施例製得之多接面型太陽電池單元具有作為半導體之機能。
(實施例3)
圖4示意地顯示實施例3之多接面型太陽電池單元A的製造步驟。
首先，除了將n型矽基板1變更為p型矽基板1以外，於與實施例1同樣之條件下經過步驟a及步驟b，藉此在p型矽基板1之一面形成了鋁矽合金層3及p型矽層4(圖4(a)至(c))。該p型矽層4之不純物濃度為1018cm-3以上。
接著，藉由研磨p型矽基板1之與塗布有鋁糊2之面相反側的面的步驟(步驟d)，去除p型矽基板1(圖4(d))。藉此，製得形成有不純物濃度為1018cm-3以上之p型矽層4及鋁矽合金層3的層(以下，稱為「燒結層8」)。
此外，為確認p型矽層4中之不純物濃度梯度，藉由鹽酸蝕刻去除鋁矽合金層3，接著藉由SIMS(二次離子質量分析法)測量在暴露之p型矽層4深度方向上的不純物濃度。另外，p型矽層4之深度係以形成有鋁矽合金層3之面為基準(0μm)。
圖5顯示上述SIMS之測量結果。
在該燒結層8之p型矽層4側的面上，以與實施例1同樣之方法接合III-V族化合物太陽電池層5，而形成了多接面型太陽電池單元(圖4(e))。
與實施例1同樣地，針對多接面型太陽電池單元有無作為半導體之機能，藉太陽模擬器測量電特性後，結果Jsc係13.40mA/cm2，Voc係2.02V，FF係0.65，Eff係17.59%。由該結果可證明藉本實施例製得之多接面型太陽電池單元具有作為半導體之機能。
此外，雖然使用之III-V族化合物太陽電池層5與實施例1相同，但在該實施例3中，在燒結層8與III-V族化合
物太陽電池層5之間形成有緩衝層7。緩衝層7係藉由晶體生長製作III-V族化合物太陽電池層5時最初形成之層。
如此之多接面型太陽電池單元，由於導電性良好，可作為矽層及電極層使用。
(實施例4)
首先，藉由與實施例1同樣之方法，在n型矽基板1之一面形成了鋁矽合金層3及p型矽層4。接著，藉由研磨該矽基板(步驟d)，使n型矽基板1之厚度薄化至100μm。
圖6係顯示藉由研磨薄化至100μm之具有鋁矽合金層3及p型矽層4的n型矽基板1截面的放大影像圖。由該圖可知，矽基板之厚度因研磨而變薄，且最後厚度薄化至100μm。
圖7係顯示藉由研磨形成預定厚度之n型矽基板1的放大影像圖。具體而言，在圖6中之(a)至(d)顯示藉由研磨調節至厚度60μm、70μm、80μm及110μm之基板。如此，藉由研磨，可調整基板之厚度，且可獲得所希望之轉換效率。
1‧‧‧n型矽基板
2‧‧‧鋁糊
3‧‧‧鋁矽合金層
4‧‧‧p型矽層
5‧‧‧III-V族化合物太陽電池層
5a‧‧‧GaAs化合物層
5b‧‧‧InGaP層
5c‧‧‧隧道接合層
9‧‧‧受光面電極層
A‧‧‧多接面型太陽電池單元
Claims (6)
- 一種多接面型太陽電池單元之製造方法，其特徵在於具備以下步驟：步驟a，在矽基板之其中一面形成鋁糊之塗膜；步驟b，對前述矽基板及前述塗膜進行燒成處理；及步驟c，在前述矽基板之另一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層；前述步驟b與步驟c之間更包含一研磨前述矽基板之步驟d。
- 一種多接面型太陽電池單元之製造方法，其特徵在於依序具備以下步驟：步驟a，在矽基板之其中一面形成鋁糊之塗膜；步驟b，對前述矽基板及前述塗膜進行燒成處理；及步驟d，研磨前述矽基板；並且，在藉由前述步驟d之研磨移除前述矽基板而得到對前述塗膜進行燒成處理所形成之燒結層後，具備一在該燒結層之其中一面藉由晶圓接合或晶體生長來積層III-V族化合物太陽電池層的步驟。
- 如請求項1或2之製造方法，其中前述III-V族化合物太陽電池層包含選自於由GaAs、InGaAs、GaP、InGaP、AlInP及GaN所構成群組中之至少一種。
- 如請求項1或2之製造方法，其中前述鋁糊包含平均粒徑為20μm以下之鋁粒子及有機溶劑。
- 如請求項1或2之製造方法，其中前述步驟b之燒成處理的溫度在6()0℃以上且在1000℃以下之範圍內。
- 如請求項1或2之製造方法，其中在前述步驟a係使絕緣膜作中介再形成鋁糊之塗膜。
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Patent Citations (2)
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